JP2001223318A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント基板、セラミック基板、フレキシブ
ルシート等が支持基板として回路素子が実装された回路
装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でな
く余分な材料である。しかも支持基板の厚みが、回路装
置を大型化にする問題もあった。 【解決手段】 導電箔６０に分離溝５４を形成した後、
回路素子を実装し、この導電箔６０を支持基板として絶
縁性樹脂５０を被着し、反転した後、今度は絶縁性樹脂
５０を支持基板として導電箔を研磨して導電路として分
離している。従って支持基板を採用することなく、導電
路５１、回路素子５２が絶縁性樹脂５０に支持された回
路装置が実現できる。しかも回路には絶対必要となる配
線の抜けが防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路装置およびそ
の製造方法に関し、特に支持基板を不要にした薄型の回
路装置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子機器にセットされる回路装置
は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用される
ため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。

【０００３】例えば、回路装置として半導体装置を例に
して述べると、一般的な半導体装置として、従来通常の
トランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導
体装置がある。この半導体装置は、図２４のように、プ
リント基板ＰＳに実装される。

【０００４】またこのパッケージ型半導体装置は、半導
体チップ２の周囲を樹脂層３で被覆し、この樹脂層３の
側部から外部接続用のリード端子４が導出されたもので
ある。

【０００５】しかしこのパッケージ型半導体装置１は、
リード端子４が樹脂層３から外に出ており、全体のサイ
ズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するも
のではなかった。

【０００６】そのため、各社が競って小型化、薄型化お
よび軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近で
はＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チッ
プのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチッ
プサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されて
いる。

【０００７】図２５は、支持基板としてガラスエポキシ
基板５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳ
Ｐ６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板５
にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明し
ていく。

【０００８】このガラスエポキシ基板５の表面には、第
１の電極７、第２の電極８およびダイパッド９が形成さ
れ、裏面には第１の裏面電極１０と第２の裏面電極１１
が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、
前記第１の電極７と第１の裏面電極１０が、第２の電極
８と第２の裏面電極１１が電気的に接続されている。ま
たダイパッド９には前記ベアのトランジスタチップＴが
固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極７
が金属細線１２を介して接続され、トランジスタのベー
ス電極と第２の電極８が金属細線１２を介して接続され
ている。更にトランジスタチップＴを覆うようにガラス
エポキシ基板５に樹脂層１３が設けられている。

【０００９】前記ＣＳＰ６は、ガラスエポキシ基板５を
採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴか
ら外部接続用の裏面電極１０、１１までの延在構造が簡
単であり、安価に製造できるメリットを有する。

【００１０】また前記ＣＳＰ６は、図２４のように、プ
リント基板ＰＳに実装される。プリント基板ＰＳには、
電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記ＣＳＰ
６、パッケージ型半導体装置１、チップ抵抗ＣＲまたは
チップコンデンサＣＣ等が電気的に接続されて固着され
る。

【００１１】そしてこのプリント基板で構成された回路
は、色々なセットの中に取り付けられる。

【００１２】つぎに、このＣＳＰの製造方法を図２６お
よび図２７を参照しながら説明する。尚、図２７では、
中央のガラエポ／フレキ基板と題するフロー図を参照す
る。

【００１３】まず基材（支持基板）としてガラスエポキ
シ基板５を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介してＣ
ｕ箔２０、２１を圧着する。（以上図２６Ａを参照） 続いて、第１の電極７，第２の電極８、ダイパッド９、
第１の裏面電極１０および第２の裏面電極１１対応する
Ｃｕ箔２０、２１に耐エッチング性のレジスト２２を被
覆し、Ｃｕ箔２０、２１をパターニングする。尚、パタ
ーニングは、表と裏で別々にしても良い（以上図２６Ｂ
を参照） 続いて、ドリルやレーザを利用してスルーホールＴＨの
ための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔に
メッキを施し、スルーホールＴＨを形成する。このスル
ーホールＴＨにより第１の電極７と第１の裏面電極１
０、第２の電極８と第２の裏面電極１０が電気的に接続
される。（以上図２６Ｃを参照） 更に、図面では省略をしたが、ボンデイングポストと成
る第１の電極７，第２の電極８にＮｉメッキを施すと共
に、ダイボンディングポストとなるダイパッド９にＡｕ
メッキを施し、トランジスタチップＴをダイボンディン
グする。

【００１４】最後に、トランジスタチップＴのエミッタ
電極と第１の電極７、トランジスタチップＴのベース電
極と第２の電極８を金属細線１２を介して接続し、樹脂
層１３で被覆している。（以上図２６Ｄを参照） そして必要により、ダイシングして個々の電気素子とし
て分離している。図２６では、ガラスエポキシ基板５
に、トランジスタチップＴが一つしか設けられていない
が、実際は、トランジスタチップＴがマトリックス状に
多数個設けられている。そのため、最後にダイシング装
置により個別分離されている。

【００１５】以上の製造方法により、支持基板５を採用
したＣＳＰ型の電気素子が完成する。この製造方法は、
支持基板としてフレキシブルシートを採用しても同様で
ある。

【００１６】一方、セラミック基板を採用した製造方法
を図２７左側のフローに示す。支持基板であるセラミッ
ク基板を用意した後、スルーホールを形成し、その後、
導電ペーストを使い、表と裏の電極を印刷し、焼結して
いる。その後、前製造方法の樹脂層を被覆するまでは図
２６の製造方法と同じであるが、セラミック基板は、非
常にもろく、フレキシブルシートやガラスエポキシ基板
と異なり、直ぐに欠けてしまうため金型を用いたモール
ドができない問題がある。そのため、封止樹脂をポッテ
ィングし、硬化した後、封止樹脂を平らにする研磨を施
し、最後にダイシング装置を使って個別分離している。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】図２５に於いて、トラ
ンジスタチップＴ、接続手段７〜１２および樹脂層１３
は、外部との電気的接続、トランジスタの保護をする上
で、必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で小
型化、薄型化、軽量化を実現する電気回路素子を提供す
るのは難しかった。

【００１８】また、支持基板となるガラスエポキシ基板
５は、前述したように本来不要なものである。しかし製
造方法上、電極を貼り合わせるため、支持基板として採
用しており、このガラスエポキシ基板５を無くすことが
できなかった。

【００１９】そのため、このガラスエポキシ基板５を採
用することによって、コストが上昇し、更にはガラスエ
ポキシ基板５が厚いために、回路装置として厚くなり、
小型化、薄型化、軽量化に限界があった。

【００２０】更に、ガラスエポキシ基板やセラミック基
板では必ず両面の電極を接続するスルーホール形成工程
が不可欠であり、製造工程も長くなる問題もあった。

【００２１】図２８は、ガラスエポキシ基板、セラミッ
ク基板または金属基板等に形成されたパターン図を示す
ものである。このパターンは、一般にＩＣ回路が形成さ
れており、トランジスタチップ２１、ＩＣチップ２２、
チップコンデンサ２３および／またはチップ抵抗２４が
実装されている。このトランジスタチップ２１やＩＣチ
ップ２２の周囲には、配線２５と一体となったボンディ
ングパッド２６が形成され、金属細線２８を介してチッ
プ２１、２２とボンディングパッドが電気的に接続され
ている。また配線２９は、外部リードパッド３０と一体
となり形成されている。これらの配線２５、２９は、基
板の中を曲折しながら延在され、必要によってはＩＣチ
ップの中で一番細く形成されている。従って、この細い
配線は、基板と接着面積が非常に狭く、配線が剥がれた
り、反ったりする問題があった。またボンディングパッ
ド２６は、パワー用のボンディングパッドと小信号用の
ボンディングパッドがあり、特に小信号用のボンディン
グパッドは、接着面積が小さく、膜剥がれの原因となっ
ていた。

【００２２】更には、外部リードパッドには、外部リー
ドが固着されるが、外部リードに加えられる外力によ
り、外部リードパッドが剥がれる問題もあった。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した多く
の課題に鑑みて成され、第１に、電気的に分離された複
数の導電路と、所望の該導電路上に固着された複数の回
路素子と、該複数の回路素子を被覆し且つ前記導電路を
一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記複数の導電路
の内、少なくとも一つは、前記複数の回路素子を電気的
に接続する配線として用いることで、構成要素を最小限
にし、且つ配線が前記絶縁性樹脂から抜けない構造と
し、従来の課題を解決するものである。

【００２４】第２に、分離溝で電気的に分離された複数
の導電路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路
素子と、該複数の回路素子を被覆し且つ前記導電路間の
前記分離溝に充填されて一体に支持する絶縁性樹脂とを
備え、前記複数の導電路の内、少なくとも一つは、前記
複数の回路素子を電気的に接続する配線として用いるこ
とで、分離溝に充填された絶縁性樹脂により複数の導電
路を一体に支持し、特に配線の抜けを防止し、従来の課
題を解決するものである。

【００２５】第３に、分離溝で電気的に分離された複数
の導電路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路
素子と、該複数の回路素子を被覆し且つ前記導電路間の
前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体
に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記複数の導電路の
内、少なくとも一つは、前記複数の回路素子を電気的に
接続する配線として用いることで、導電路の裏面が外部
との接続に供することができスルーホールを不要にでき
ると同時に、導電路の一つである配線の抜けを防止し、
従来の課題を解決するものである。

【００２６】第４に、導電箔を用意し、少なくとも導電
路と成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚み
よりも浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、
複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
と、前記回路素子の電極と前記導電路の一部で形成され
た配線とを電気的に接続する接続手段を形成する工程
と、前記回路素子、前記接続手段および前記導電路を被
覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモー
ルドする工程と、前記分離溝を設けていない厚み部分の
前記導電箔を除去する工程とを具備する回路装置の製造
方法を提供することで、導電路を形成する導電箔がスタ
ートの材料であり、絶縁性樹脂がモールドされるまでは
導電箔が支持機能を有し、モールド後は絶縁性樹脂が支
持機能を有することで支持基板を不要にでき、従来の課
題を解決することができる。

【００２７】第５に、導電箔を用意し、少なくとも導電
路と成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚み
よりも浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、
複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
と、前記複数の回路素子の電極と前記導電路の一部で形
成された配線とを電気的に接続する接続手段を形成する
工程と、前記複数の回路素子、前記接続手段および前記
導電路を被覆し、前記分離溝に充填されるように絶縁性
樹脂でモールドする工程と、前記分離溝を設けていない
厚み部分の前記導電箔を裏面より一様に除去し、前記導
電路の裏面と前記分離溝間の前記絶縁性樹脂とを実質的
に平坦面にする工程と、前記絶縁性樹脂を切断して個別
の回路装置に分離する工程とを具備する回路装置の製造
方法を提供することで、細い配線を有し、且つ平坦な回
路装置を形成でき、従来の課題を解決することができ
る。

【００２８】

【発明の実施の形態】回路装置を説明する第１の実施の
形態まず本発明の回路装置について図１を参照しながら
その構造について説明する。

【００２９】図１には、絶縁性樹脂５０に埋め込まれた
導電路５１を有し、前記導電路５１上には回路素子５２
が固着され、前記絶縁性樹脂５０で導電路５１を支持し
て成る回路装置５３が示されている。

【００３０】本構造は、回路素子５２Ａ、５２Ｂ、複数
の導電路５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃと、この導電路５１
Ａ、５１Ｂ、５１Ｃを埋め込む絶縁性樹脂５０の３つの
材料で構成され、導電路５１間には、この絶縁性樹脂５
０で充填された分離溝５４が設けられる。そして絶縁性
樹脂５０により前記導電路５１が支持されている。

【００３１】絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファ
イド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁
性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布を
して被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用でき
る。また導電路５１としては、Ｃｕを主材料とした導電
箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の
合金から成る導電箔等を用いることができる。もちろ
ん、他の導電材料でも可能であり、特にエッチングでき
る導電材、レーザで蒸発する導電材が好ましい。

【００３２】また回路素子５２の接続手段は、金属細線
５５Ａ、ロウ材から成る導電ボール、扁平する導電ボー
ル、半田等のロウ材５５Ｂ、Ａｇペースト等の導電ペー
スト５５Ｃ、導電被膜または異方性導電性樹脂等であ
る。これら接続手段は、回路素子５２の種類、回路素子
５２の実装形態で選択される。例えば、ベアの半導体素
子であれば、表面の電極と導電路５１との接続は、金属
細線が選択され、ＣＳＰであれば半田ボールや半田バン
プが選択される。またチップ抵抗、チップコンデンサ
は、半田５５Ｂが選択される。またパッケージされた回
路素子、例えばＢＧＡ等を導電路５１に実装しても問題
はなく、これを採用する場合、接続手段は半田が選択さ
れる。

【００３３】また回路素子と導電路５１Ａとの固着は、
電気的接続が不要であれば、絶縁性接着剤が選択され、
また電気的接続が必要な場合は、導電被膜が採用され
る。ここでこの導電被膜は、少なくとも一層あればよ
い。

【００３４】この導電被膜として考えられる材料は、Ａ
ｇ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等であり、蒸着、スパッタリ
ング、ＣＶＤ等の低真空、または高真空下の被着、メッ
キまたは焼結等により被覆される。

【００３５】例えばＡｇは、Ａｕと接着するし、ロウ材
とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆され
ていれば、そのままＡｇ被膜、Ａｕ被膜、半田被膜を導
電路５１Ａに被覆することによってチップを熱圧着で
き、また半田等のロウ材を介してチップを固着できる。
ここで、前記導電被膜は複数層に積層された導電被膜の
最上層に形成されても良い。例えば、Ｃｕの導電路５１
Ａの上には、Ｎｉ被膜、Ａｕ被膜の二層が順に被着され
たもの、Ｎｉ被膜、Ｃｕ被膜、半田被膜の三層が順に被
着されたもの、Ａｇ被膜、Ｎｉ被膜の二層が順に被覆さ
れたものが形成できる。尚、これら導電被膜の種類、積
層構造は、これ以外にも多数あるが、ここでは省略をす
る。

【００３６】本回路装置は、導電路５１を封止樹脂であ
る絶縁性樹脂５０で支持しているため、支持基板が不要
となり、導電路５１、回路素子５２および絶縁性樹脂５
０で構成される。この構成は、本発明の特徴である。従
来の技術の欄でも説明したように、従来の回路装置の導
電路は、支持基板で支持されていたり、リードフレーム
で支持されているため、本来不要にしても良い構成が付
加されている。しかし、本回路装置は、必要最小限の構
成要素で構成され、支持基板を不要としているため、薄
型で安価となる特徴を有する。

【００３７】また前記構成の他に、回路素子５２を被覆
し且つ前記導電路５２間の前記分離溝５４に充填されて
一体に支持する絶縁性樹脂５０を有している。

【００３８】この導電路５１間は、分離溝５４となり、
ここに絶縁性樹脂５０が充填されることで、お互いの絶
縁がはかれるメリットを有する。

【００３９】また、回路素子５２を被覆し且つ導電路５
１間の分離溝５４に充填され導電路５１の裏面のみを露
出して一体に支持する絶縁性樹脂５０を有している。

【００４０】この導電路の裏面を露出する点は、本発明
の特徴の一つである。導電路の裏面が外部との接続に供
することができ、図２５の如き従来構造のスルーホール
ＴＨを不要にできる特徴を有する。

【００４１】しかも回路素子がロウ材、Ａｕ、Ａｇ等の
導電被膜を介して直接固着されている場合、導電路５１
の裏面が露出されてため、回路素子５２Ａから発生する
熱を導電路５１Ａを介して実装基板に伝えることができ
る。特に放熱により、駆動電流の上昇等の特性改善が可
能となる半導体チップに有効である。

【００４２】また本回路装置は、分離溝５４の表面と導
電路５１の表面は、実質一致している構造となってい
る。本構造は、本発明の特徴であり、図２５に示す裏面
電極１０、１１の段差が設けられないため、回路装置５
３を実装基板上でそのまま水平に移動できる特徴を有す
る。

【００４３】図１は、複数の回路素子でＩＣ回路を構成
するものであり、特に回路素子と回路素子を接続する導
電路は、配線として機能し、図１Ｂの如く、実質ランド
状の形状となっている。しかし実際の形状は、図２や図
２８の如く、更に複雑なものである。 回路装置を説明する第２の実施の形態 次に図２に示された回路装置５３を説明する。

【００４４】本構造は、導電路５１として配線Ｌ１、Ｌ
２が形成されており、それ以外は、図１の構造と実質同
一である。よってこの配線Ｌ１、Ｌ２について説明す
る。

【００４５】前述したように、ＩＣ回路には、大規模の
回路から小規模の回路まである。しかしここでは、図面
の都合もあり、小規模な回路を図２Ａに示す。この回路
は、オーディオの増幅回路に多用される差動増幅回路と
カレントミラー回路が接続されたものである。前記差動
増幅回路は、図２Ａの如く、ＴＲ１とＴＲ２で構成さ
れ、前記カレントミラー回路は、ＴＲ３とＴＲ４で主に
構成されている。

【００４６】図２Ｂは、図２Ａの回路を本回路装置に実
現した時の平面図であり、図２Ｃは、図２ＢのＡ−Ａ線
に於ける断面図、図２Ｄは、Ｂ−Ｂ線に於ける断面図で
ある。左側には、ＴＲ１とＴＲ３が実装されるダイパッ
ド５１Ａが設けられ、右側にはＴＲ２とＴＲ４が実装さ
れるダイパッド５１Ｄが設けられている。このダイパッ
ド５１Ａ、５１Ｄの上側には、外部接続用の電極５１
Ｂ、５１Ｅ〜５１Ｇが設けられ、下側には、５１Ｃ、５
１Ｈ〜５１Ｊが設けられている。そしてＴＲ１のエミッ
タとＴＲ２のエミッタが共通接続されているため、配線
Ｌ２が電極５１Ｅ、５１Ｇと一体となって形成されてい
る。またＴＲ３のベースとＴＲ４のベース、ＴＲ３のエ
ミッタとＴＲ４のエミッタが共通接続されているため、
配線Ｌ１が電極５１Ｃ、５５Ｊと一体となって設けら
れ、配線Ｌ３が電極５５Ｈ、５５Ｉと一体となって設け
られている。

【００４７】本発明の特徴は、この配線Ｌ１〜Ｌ３にあ
る。図２８で説明すれば、配線２５、配線２９がこれに
該当するものである。この配線は、本回路装置の集積度
により異なるが、幅は、２５μｍ〜と非常に狭いもので
ある。尚、この２５μｍの幅は、ウェットエッチングを
採用した場合の数値であり、ドライエッチングを採用す
れば、この幅は更に狭くできる。

【００４８】図２Ｄからも明らかなように、配線Ｌ１
は、裏面を露出するだけで、その他の側面は、全て絶縁
性樹脂５０で支持されている。また別の表現をすれば、
絶縁性樹脂５０に配線が埋め込まれている。よって、図
２４〜図２８の様に、たんに支持基板に配線が貼り合わ
されているのとは異なり、配線の抜け、反りを防止する
ことが可能となる。特に、後述する製造方法から明らか
な様に、導電路の側面が粗面で成る事、導電路の表面に
ひさしが形成されている事等により、アンカー効果が発
生し、絶縁性樹脂から前記導電路が抜けない構造とな
る。

【００４９】また外部接続用の電極５１Ｂ、５１Ｃ、５
５１Ｅ〜５１Ｊは、前述したとおり絶縁性樹脂で埋め込
まれているため、固着された外部リードから外力が加わ
っても、剥がれずらい構造となる。 回路装置を説明する第３の実施の形態 次に図８に示された回路装置５６を説明する。

【００５０】本構造は、導電路５１の表面に導電被膜５
７が形成されており、それ以外は、図１や図２の構造と
実質同一である。よってここでは、図１の導電路上にこ
の導電被膜５７が形成された所を中心に説明する。

【００５１】第１の特徴は、導電路や回路装置の反りを
防止するするために導電被膜５７を設ける点である。

【００５２】一般に、絶縁性樹脂と導電路材料（以下第
１の材料と呼ぶ。）の熱膨張係数の差により、回路装置
自身が反ったり、また導電路が湾曲したり剥がれたりす
る。また導電路５１の熱伝導率が絶縁性樹脂の熱伝導率
よりも優れているため、導電路５１の方が先に温度上昇
して膨張する。そのため、第１の材料よりも熱膨張係数
の小さい第２の材料を被覆することにより、導電路の反
り、剥がれ、回路装置自体の反りを防止することができ
る。特に第１の材料としてＣｕを採用した場合、第２の
材料としてはＡｕ、ＮｉまたはＰｔ等が良い。Ｃｕの膨
張率は、１６．７×１０−６（１０のマイナス６乗）
で、Ａｕは、１４×１０−６、Ｎｉは、１２．８×１０
−６、Ｐｔは、８．９×１０−６である。

【００５３】第２の特徴は、第２の材料によりアンカー
効果を持たせている点である。第２の材料によりひさし
５８が形成され、しかも導電路５１と被着したひさし５
８が絶縁性樹脂５０に埋め込まれているため、アンカー
効果を発生し、導電路５１の抜けを防止できる構造とな
る。

【００５４】以上、３つの実施の形態は、複数の回路素
子が実装され、配線も含めて回路を構成した回路装置で
説明してきたが、本発明は、図２１、図２２の如く、一
つの回路素子が封止されて構成された回路装置でも実施
可能である。図２１の如く、ＣＳＰ等のフェイスダウン
型の素子が実装された回路装置、または図２２の如くチ
ップ抵抗、チップコンデンサ等の受動素子が封止された
回路装置でも実施できる。更には、２つの導電路間に金
属細線を接続し、これが封止されたものでも良い。これ
はフューズとして活用できる。

【００５５】回路装置の製造方法を説明する第１の実施
の形態 次に図３〜図７および図１を使って回路装置５３の製造
方法について説明する。

【００５６】まず図３の如く、シート状の導電箔６０を
用意する。この導電箔６０は、ロウ材の付着性、ボンデ
ィング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、
材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材
料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電
箔等が採用される。

【００５７】導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮す
ると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましく、ここでは７
０μｍ（２オンス）の銅箔を採用した。しかし３００μ
ｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述する
ように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成
できればよい。

【００５８】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅で
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。続
いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電箔
６０を、導電箔６０の厚みよりも薄く除去する工程、前
記導電箔６０に回路素子を実装する工程および前記除去
工程により形成された分離溝６１および導電箔６０に絶
縁性樹脂５０を被覆し、回路素子を封止する工程があ
る。

【００５９】まず、Ｃｕ箔６０の上に、ホトレジスト
（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、導電路５１とな
る領域を除いた導電箔６０が露出するようにホトレジス
トＰＲをパターニングする（以上図４を参照）。そし
て、前記ホトレジストＰＲを介してハーフエッチングす
ればよい（以上図５を参照）。

【００６０】エッチングにより形成された分離溝６１の
深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面とな
るため絶縁性樹脂５０との接着性が向上される。特に、
図２Ｂや図２８に示した様に、配線は、細く形成される
が、表裏を除いた側面は、前記粗面の為に配線の反り、
抜けが防止できる構造を実現できる。

【００６１】またこの分離溝６１の側壁は、模式的にス
トレートで図示しているが、除去方法により異なる構造
となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドライ
エッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用でき
る。ウェットエッチングの場合、エッチャントは、塩化
第二鉄または塩化第二銅が主に採用され、前記導電箔
は、このエッチャントの中にディッピングされるか、こ
のエッチャントでシャワーリングされる。ここでウェッ
トエッチングは、一般に非異方性にエッチングされるた
め、側面は湾曲構造になる。

【００６２】またドライエッチングの場合は、異方性、
非異方性でエッチングが可能である。現在では、Ｃｕを
反応性イオンエッチングで取り除くことは不可能といわ
れているが、スパッタリングで除去できる。またスパッ
タリングの条件によって異方性、非異方性でエッチング
できる。

【００６３】またレーザでは、直接レーザ光を当てて分
離溝を形成でき、この場合は、どちらかといえば分離溝
６１の側面はストレートに形成される。

【００６４】またダイシングでは、曲折した複雑なパタ
ーンを形成することは不可能であるが、格子状の分離溝
を形成することは可能である。

【００６５】尚、図４に於いて、ホトレジストの代わり
にエッチング液に対して耐食性のある導電被膜を選択的
に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被着す
れば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レジス
トを採用することなく分離溝をエッチングできる。この
導電被膜として考えられる材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔま
たはＰｄ等である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、
ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用で
きる特徴を有する。

【００６６】例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロ
ウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆
されていれば、そのまま導電路５１上のＡｇ被膜にチッ
プを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを
固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線が接着で
きるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従って
これらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディング
パッドとして活用できるメリットを有する。

【００６７】続いて、図６の如く、分離溝６１が形成さ
れた導電箔６０に回路素子５２を電気的に接続して実装
する工程がある。

【００６８】回路素子５２としては、トランジスタ、ダ
イオード、ＩＣチップ等の半導体素子、チップコンデン
サ、チップ抵抗等の受動素子である。また厚みが厚くは
なるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体素
子も実装できる。

【００６９】ここでは、ベアのトランジスタチップ５２
Ａが導電路５１Ａにダイボンディングされ、エミッタ電
極と導電路５１Ｂ、ベース電極と導電路５１Ｂが、熱圧
着によるボールボンディングあるいは超音波によるウェ
ッヂボンディング等で固着された金属細線５５Ａを介し
て接続される。また５２Ｂは、チップコンデンサまたは
受動素子であり、半田等のロウ材または導電ペースト５
５Ｂで固着される。

【００７０】また図２８に示すパターンを本実施の形態
で応用した場合、ボンディングパッド２６は、そのサイ
ズが非常に小さいが、導電箔６０と一体である。よって
ボンディングツールのエネルギーを伝えることができ、
ホンディング性も向上するメリットを有する。またボン
ディング後の金属細線のカットに於いて、金属細線をプ
ルカットする場合がある。この時は、ボンディングパッ
ドが導電箔と一体で成るため、ボンディングパッドが浮
いたりする現象を無くせ、プルカット性も向上する。

【００７１】更に、図７に示すように、前記導電箔６０
および分離溝６１に絶縁性樹脂５０を付着する工程があ
る。これは、トランスファーモールド、インジェクショ
ンモールド、またはディッピングにより実現できる。樹
脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトラ
ンスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェク
ションモールドで実現できる。

【００７２】本実施の形態では、導電箔６０表面に被覆
された絶縁性樹脂の厚さは、回路素子の最頂部から約約
１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。こ
の厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くするこ
とも可能である。

【００７３】本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆す
るまでは、導電路５１となる導電箔６０が支持基板とな
ることである。従来では、図２６の様に、本来必要とし
ない支持基板５を採用して導電路７〜１１を形成してい
るが、本発明では、支持基板となる導電箔６０は、電極
材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極
力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実
現できる。

【００７４】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が導電路５１として
個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔６０
として一体で取り扱え、絶縁性樹脂をモールドする際、
金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特
徴を有する。

【００７５】尚、ここの絶縁性樹脂５０を被覆する前
に、例えば半導体チップや金属細線の接続部を保護する
ためにシリコーン樹脂等をポッティングしても良い。続
いて、導電箔６０の裏面を化学的および／または物理的
に除き、導電路５１として分離する工程がある。ここで
この除く工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金
属蒸発等により施される。

【００７６】実験では研磨装置または研削装置により全
面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から絶縁性樹脂５０
を露出させている。この露出される面を図７では点線で
示している。その結果、約４０μｍの厚さの導電路５１
となって分離される。また絶縁性樹脂５０が露出する手
前まで、導電箔６０を全面ウェトエッチングし、その
後、研磨または研削装置により全面を削り、絶縁性樹脂
５０を露出させても良い。

【００７７】この結果、絶縁性樹脂５０に導電路５１の
表面が露出する構造となる。そして分離溝６１が削ら
れ、図１の分離溝５４となる。（以上図７参照）最後
に、図８の如く必要によって露出した導電路５１に半田
等の導電材を被着し、図１の如く回路装置として完成す
る。

【００７８】尚、導電路５１の裏面に導電被膜を被着す
る場合、図３の導電箔の裏面に、前もって導電被膜を形
成しても良い。この場合、導電路に対応する部分を選択
的に被着すれば良い。被着方法は、例えばメッキであ
る。またこの導電被膜は、エッチングに対して耐性があ
る材料がよい。またこの導電被膜を採用した場合、研磨
をせずにエッチングだけで導電路５１として分離でき
る。

【００７９】尚、本製造方法では、導電箔６０にトラン
ジスタとチップ抵抗が実装されているだけであるが、こ
れを１単位としてマトリックス状に配置しても良いし、
図２や図２８の様な回路を１単位としてマトリックス状
に配置しても良い。この場合は、後述するようにダイシ
ング装置で個々に分離される。

【００８０】以上の製造方法によって、絶縁性樹脂５０
に導電路５１が埋め込まれ、絶縁性樹脂５０の裏面と導
電路５１の裏面が一致する平坦な回路装置５６が実現で
きる。

【００８１】本製造方法の特徴は、絶縁性樹脂５０を支
持基板として活用し導電路５１の分離作業ができること
にある。絶縁性樹脂５０は、導電路５１を埋め込む材料
として必要な材料であり、図２６の従来の製造方法のよ
うに、不要な支持基板５を必要としない。従って、最小
限の材料で製造でき、コストの低減が実現できる特徴を
有する。

【００８２】尚、導電路５１表面からの絶縁性樹脂の厚
さは、前工程の絶縁性樹脂の付着の時に調整できる。従
って実装される回路素子により違ってくるが、回路装置
５６としての厚さは、厚くも薄くもできる特徴を有す
る。ここでは、４００μｍ厚の絶縁性樹脂５０に４０μ
ｍの導電路５１と回路素子が埋め込まれた回路装置にな
る。（以上図１を参照） 回路装置の製造方法を説明する第２の実施の形態 次に図９〜図１３、図８を使ってひさし５８を有する回
路装置５６の製造方法について説明する。尚、ひさしと
なる第２の材料７０が被着される以外は、第１の実施の
形態（図１、図２）と実質同一であるため、詳細な説明
は省略する。

【００８３】まず図９の如く、第１の材料から成る導電
箔６０の上にエッチングレートの小さい第２の材料７０
が被覆された導電箔６０を用意する。

【００８４】例えばＣｕ箔の上にＮｉを被着すると、塩
化第二鉄または塩化第二銅でＣｕとＮｉが一度にエッチ
ングでき、エッチングレートの差によりＮｉがひさし５
８と成って形成されるため好適である。太い実線がＮｉ
から成る導電被膜７０であり、その膜厚は１〜１０μｍ
程度が好ましい。またＮｉの膜厚が厚い程、ひさし５８
が形成されやすい。

【００８５】また第２の材料は、第１の材料と選択エッ
チングできる材料を被覆しても良い。この場合、まず第
２の材料から成る被膜を導電路５１の形成領域に被覆す
るようにパターニングし、この被膜をマスクにして第１
の材料から成る被膜をエッチングすればひさし５８が形
成できるからである。第２の材料としては、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ａｕ等が考えられる。（以上図９を参照） 続いて、少なくとも導電路５１となる領域を除いた導電
箔６０を、導電箔６０の厚みよりも薄く取り除く工程が
ある。

【００８６】Ｎｉ７０の上に、ホトレジストＰＲを形成
し、導電路５１となる領域を除いたＮｉ７０が露出する
ようにホトレジストＰＲをパターニングし、前記ホトレ
ジストを介してエッチングすればよい。

【００８７】前述したように塩化第二鉄、塩化第二銅の
エッチャント等を採用しエッチングすると、Ｎｉ７０の
エッチングレートがＣｕ６０のエッチングレートよりも
遅いため、エッチングが進むにつれてひさし５８がでて
くる。

【００８８】尚、前記分離溝６１が形成された導電箔６
０に回路素子５２を実装する工程（図１２）、前記導電
箔６０および分離溝６１に絶縁性樹脂５０を被覆し、導
電箔６０の裏面を化学的および／または物理的に除き、
導電路５１として分離する工程（図１３）、および導電
路裏面に導電被膜を形成して完成までの工程（図８）
は、前製造方法と同一であるためその説明は省略する。 回路素子の製造方法を説明する第３の実施の形態 続いて、複数種類の回路素子、配線、ダイパッド、ボン
ディングパッド等から成る導電路で構成されるＩＣ回路
を一単位としてマトリックス状に配置し、封止後に個別
分離して、ＩＣ回路を構成した回路装置とする製造方法
を図１４〜図２０を参照して説明する。尚、ここでは図
２の構造、特に図２Ｃの断面図に沿って説明してゆく。
また本製造方法は、第１の実施の形態、第２の実施の形
態と殆どが同じであるため、同一の部分は簡単に述べ
る。

【００８９】まず図１４の如く、シート状の導電箔６０
を用意する。

【００９０】尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅で
ロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に
搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた導電
箔が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。

【００９１】続いて、少なくとも導電路５１となる領域
を除いた導電箔６０を、導電箔６０の厚みよりも薄く除
去する工程がある。

【００９２】まず、図１５の如く、Ｃｕ箔６０の上に、
ホトレジストＰＲを形成し、導電路５１となる領域を除
いた導電箔６０が露出するようにホトレジストＰＲをパ
ターニングする。そして、図１６の如く、前記ホトレジ
ストＰＲを介してエッチングすればよい。

【００９３】エッチングにより形成された分離溝６１の
深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面とな
るため絶縁性樹脂５０との接着性が向上される。

【００９４】またここの分離溝６１の側壁は、模式的に
ストレートで図示しているが、除去方法により異なる構
造となる。この除去工程は、ウェットエッチング、ドラ
イエッチング、レーザによる蒸発、ダイシングが採用で
きる。（詳細は、第１の実施の形態を参照）尚、図１５
に於いて、ホトレジストＰＲの代わりにエッチング液に
対して耐食性のある導電被膜を選択的に被覆しても良
い。導電路と成る部分に選択的に被着すれば、この導電
被膜がエッチング保護膜となり、レジストを採用するこ
となく分離溝をエッチングできる。

【００９５】続いて、図１７の如く、分離溝６１が形成
された導電箔６０に回路素子５２Ａを電気的に接続して
実装する工程がある。

【００９６】回路素子５２Ａとしては、トランジスタ、
ダイオード、ＩＣチップ等の半導体素子、チップコンデ
ンサ、チップ抵抗等の受動素子である。また厚みが厚く
はなるが、ＣＳＰ、ＢＧＡ等のフェイスダウンの半導体
素子も実装できる。

【００９７】ここでは、ベアのトランジスタチップ５２
Ａが導電路５１Ａにダイボンディングされ、エミッタ電
極と導電路５１Ｂ、ベース電極と導電路５１Ｂが金属細
線５５Ａを介して接続される。

【００９８】更に、図１８に示すように、前記導電箔６
０および分離溝６１に絶縁性樹脂５０を付着する工程が
ある。これは、トランスファーモールド、インジェクシ
ョンモールド、またはディッピングにより実現できる。

【００９９】本実施の形態では、導電箔６０表面に被覆
された絶縁性樹脂の厚さは、回路素子の最頂部から約約
１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。こ
の厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くするこ
とも可能である。

【０１００】本工程の特徴は、絶縁性樹脂５０を被覆す
る際、導電路５１となる導電箔６０が支持基板となるこ
とである。従来では、図２６の様に、本来必要としない
支持基板５を採用して導電路７〜１１を形成している
が、本発明では、支持基板となる導電箔６０は、電極材
料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力
省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現
できる。

【０１０１】また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅
く形成されているため、導電箔６０が導電路５１として
個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔６０
として一体で取り扱え、絶縁性樹脂をモールドする際、
金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特
徴を有する。

【０１０２】続いて、導電箔６０の裏面を化学的および
／または物理的に除き、導電路５１として分離する工程
がある。ここで前記除く工程は、研磨、研削、エッチン
グ、レーザの金属蒸発等により施される。

【０１０３】実験では研磨装置または研削装置により全
面を３０μｍ程度削り、絶縁性樹脂５０を露出させてい
る。この露出される面を図１８では点線で示している。
その結果、約４０μｍの厚さの導電路５１となって分離
される。また絶縁性樹脂５０が露出する手前まで、導電
箔６０を全面ウェトエッチングし、その後、研磨または
研削装置により全面を削り、絶縁性樹脂５０を露出させ
ても良い。

【０１０４】この結果、絶縁性樹脂５０に導電路５１の
表面が露出する構造となる。

【０１０５】更に、図１９の如く、露出した導電路５１
に半田等の導電材を被着する。

【０１０６】最後に、図２０の如く、回路素子毎に分離
し、回路装置として完成する工程がある。

【０１０７】分離ラインは、矢印の所であり、ダイシン
グ、カット、プレス、チョコレートブレーク等で実現で
きる。尚、チョコレートブレークを採用する場合は、絶
縁性樹脂を被覆する際に分離ラインに溝が入るように金
型に突出部を形成しておけば良い。

【０１０８】特にダイシングは、通常の半導体装置の製
造方法に於いて多用されるものであり、非常にサイズの
小さい物も分離可能であるため、好適である。以上の第
１〜第３の実施の形態で説明した製造方法は、図２８で
示すような複雑なパターンも実施可能である。特に曲折
し、ボンディングパッド２６と一体で成り、他端は回路
素子と電気的に接続される配線は、その幅も狭く、しか
もその長さが長い。そのため、熱による反りは、非常に
大きく、従来構造では剥がれが問題となる。しかし本発
明では、配線が絶縁性樹脂に埋め込まれて支持されてい
るので、配線自身の反り、剥がれ、抜けを防止すること
ができる。またボンディングパッド自身は、その平面面
積が小さく、従来の構造では、ボンディングパッドの剥
がれが発生するが、本発明では、前述したように絶縁性
樹脂に埋め込まれ、更には絶縁性樹脂にアンカー効果を
持って支持されているため、抜けを防止できるメリット
を有する。

【０１０９】更には、絶縁性樹脂５０の中に回路を埋め
込んだ回路装置が実現できるメリットもある。従来構造
で説明すれば、プリント基板、セラミック基板の中に回
路を組み込んだようなものである。これは、後の実装方
法にて説明する。図２７の右側には、本発明を簡単にま
とめたフローが示されている。Ｃｕ箔の用意、Ａｇまた
はＮｉ等のメッキ、ハーフエッチング、ダイボンド、ワ
イヤーボンデイング、トランスファーモールド、裏面Ｃ
ｕ箔除去、導電路の裏面処理およびダイシングの９工程
で回路装置が実現できる。しかも支持基板をメーカーか
ら供給することなく、全ての工程を内作する事ができ
る。回路装置の種類およびこれらの実装方法を説明する
実施の形態。

【０１１０】図２１は、フェイスダウン型の回路素子８
０を実装した回路装置８１を示すものである。回路素子
８０としては、ベアの半導体チップ、表面が封止された
ＣＳＰやＢＧＡ等が該当する。また図２２は、チップ抵
抗やチップ抵抗等の受動素子８２が実装された回路装置
８３を示すものである。これらは、支持基板が不要であ
るため、薄型であり、しかも絶縁性樹脂で封止されてあ
るため、耐環境性にも優れたものである。

【０１１１】図２３は、実層構造について説明するもの
である。まず図２３Ａは、プリント基板や金属基板、セ
ラミック基板等の実装基板８４に形成された導電路８５
に今まで説明してきた本発明の回路装置５３、５６、８
１、８３が実装されたものである。

【０１１２】特に、半導体チップ５２の裏面が固着され
た導電路５１Ａは、実装基板８４の導電路８５と熱的に
結合されているため、前記導電路８５を介して放熱させ
ることができる。また実装基板８４として金属基板を採
用すると、金属基板の放熱性も手伝って更に半導体チッ
プ５２の温度を低下させることができる。そのため、半
導体チップの駆動能力を向上させることができる。

【０１１３】例えばパワーＭＯＳ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、
大電流駆動用のトランジスタ、大電流駆動用のＩＣ（Ｍ
ＯＳ型、ＢＩＰ型、Ｂｉ−ＣＭＯＳ型）メモリ素子等
は、好適である。

【０１１４】また金属基板としては、Ａｌ基板、Ｃｕ基
板、Ｆｅ基板が好ましく、また導電路８５との短絡が考
慮されて、絶縁性樹脂および／または酸化膜等が形成さ
れている。

【０１１５】また図２３Ｂは、本回路装置９０を、図２
３Ａの基板８４として活用したものである。これは、本
発明の最大の特徴となるものである。つまり従来のプリ
ント基板、セラミック基板では、たかだか基板の中にス
ルーホールＴＨが形成されている程度であるが、本発明
では、ＩＣ回路を内蔵させた基板モジュールが実現でき
る特徴を有する。例えば、プリント基板の中に少なくと
も１つの回路（システムとして内蔵させても良い）が内
蔵されているものである。

【０１１６】また、従来では、支持基板としてプリント
基板、セラミック基板等が必要であったが、本発明で
は、この支持基板が不要となる基板モジュールが実現で
きる。これは、プリント基板、セラミック基板または金
属基板で構成されたハイブリッド基板と比べ、その厚み
を薄く、その重量を小さくできる。

【０１１７】また本回路装置９０を支持基板として活用
し、露出している導電路に回路素子を実装できるため、
高機能な基板モジュールが実現できる。特に本回路装置
を支持基板とし、この上に素子として本回路装置９１を
実装すれば、基板モジュールとして更に軽量で薄いもの
が実現できる。

【０１１８】従って、これらの実装形態により、このモ
ジュールを実装した電子機器は、小型で軽量なものが実
現できる。

【０１１９】尚、符号９３で示したハッチング部分は、
絶縁性の被膜である。例えば半田レジスト等の高分子膜
が好ましい。これを形成することにより、基板９０の中
に埋め込まれた導電路と回路素子９１等に形成された電
極との短絡を防止できる。更に、図２９を使い本回路装
置のメリットを述べる。従来の実装方法に於いて、半導
体メーカーは、パッケージ型半導体装置、フリップチッ
プを形成し、セットメーカーは、半導体メーカーから供
給された半導体装置と部品メーカーから供給された受動
素子等をプリント基板に実装し、これをモジュールとし
てセットに組み込んで電子機器としていた。しかし本回
路装置では、自身を実装基板として採用できるため、半
導体メーカーは、後工程を利用し、実装基板モジュール
を完成でき、セットメーカーに供給できる。従って、セ
ットメーカーは、この基板への素子実装を大幅に省くこ
とができる。

【０１２０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、回路装置、導電路および絶縁性樹脂の必要最小限
で構成され、資源に無駄のない回路装置となる。よって
完成するまで余分な構成要素が無く、コストを大幅に低
減できる回路装置を実現できる。また絶縁性樹脂の被覆
膜厚、導電箔の厚みを最適値にすることにより、非常に
小型化、薄型化および軽量化された回路装置を実現でき
る。更には、反りや剥がれの現象が顕著である配線は、
絶縁性樹脂に埋め込まれて支持されるため、これらの問
題を解決することができる。

【０１２１】また導電路の裏面のみを絶縁性樹脂から露
出しているため、導電路の裏面が直ちに外部との接続に
供することができ、図２５の如き従来構造の裏面電極お
よびスルーホールを不要にできる利点を有する。

【０１２２】しかも回路素子がロウ材、Ａｕ、Ａｇ等の
導電被膜を介して直接固着されている場合、導電路の裏
面が露出されてため、回路素子から発生する熱を導電路
を介して直接実装基板に熱を伝えることができる。特に
この放熱により、パワー素子の実装も可能となる。

【０１２３】また本回路装置は、分離溝の表面と導電路
の表面は、実質一致している平坦な表面を有する構造と
なっている。狭ピッチＱＦＰ等を図２３Ｂの如き、支持
基板に実装しても、回路素子自身をそのまま水平に移動
できるので、リードずれの修正が極めて容易となる。

【０１２４】また導電路の表側に第２の材料を形成して
いるため、熱膨張係数の違いにより実装基板の反り、特
に細長い配線の反りまたは剥離を抑制することができ
る。

【０１２５】また導電路の表面に第２の材料から成る被
膜を形成することにより、導電路に被着されたひさしが
形成できる。よってアンカー効果を発生させることがで
き、導電路、特に配線の反り、抜けを防止することがで
きる。

【０１２６】また本発明の回路装置の製造方法では、導
電路の材料となる導電箔自体を支持基板として機能さ
せ、分離溝の形成時あるいは回路素子の実装、絶縁性樹
脂の被着時までは導電箔で全体を支持し、また導電箔を
各導電路として分離する時は、絶縁性樹脂を支持基板に
して機能させている。従って、回路素子、導電箔、絶縁
性樹脂の必要最小限で製造できる。従来例で説明した如
く、本来回路装置を構成する上で支持基板が要らなくな
り、コスト的にも安価にできる。また支持基板が不要で
あること、導電路が絶縁性樹脂に埋め込まれているこ
と、更には絶縁性樹脂と導電箔の厚みの調整が可能であ
ることにより、非常に薄い回路装置が形成できるメリッ
トもある。

【０１２７】また図２７から明白なように、スルーホー
ルの形成工程、導体の印刷工程（セラミック基板の場
合）等を省略できるので、従来より従来より製造工程を
大幅に短縮でき、全行程を内作できる利点を有する。ま
たフレーム金型も一切不要であり、極めて短納期となる
製造方法である。

【０１２８】次に導電箔の厚みよりも薄く取り除く工程
（例えばハーフエッチング）までは、導電路を個々に分
離せずに取り扱えるため、後の絶縁性樹脂の被覆工程に
於いて、作業性が向上する特徴も有する。

【０１２９】また導電路と絶縁性樹脂で同一面を形成す
るため、実装された回路装置は、実装基板上の導電路側
面に当たることなくずらすことができる。特に位置ずれ
して実装された回路装置を水平方向にずらして配置し直
すことができる。また回路装置の実装後、ロウ材が溶け
ていれば、ずれて実装された回路装置は、溶けたロウ材
の表面張力により、導電路上部に自ら戻ろうとし、回路
装置自身による再配置が可能となる。

【０１３０】最後に本回路装置９０を支持基板として活
用し、露出している導電路に回路素子を実装できるた
め、高機能な基板モジュールが実現できる。特に本回路
装置を支持基板とし、この上に素子として本回路装置９
１を実装すれば、基板モジュールとして更に軽量で薄い
ものが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路装置を説明する図である。

【図２】本発明の回路装置を説明する図である。

【図３】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図４】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図５】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図６】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図７】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図８】本発明の回路装置を説明する図である。

【図９】本発明の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図１０】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１１】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１２】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１３】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１４】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１５】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１６】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１７】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１８】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図１９】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図２０】本発明の回路装置の製造方法を説明する図で
ある。

【図２１】本発明の回路装置を説明する図である。

【図２２】本発明の回路装置を説明する図である。

【図２３】本発明の回路装置の実装方法を説明する図で
ある。

【図２４】従来の回路装置の実装構造を説明する図であ
る。

【図２５】従来の回路装置を説明する図である。

【図２６】従来の回路装置の製造方法を説明する図であ
る。

【図２７】従来と本発明の回路装置の製造方法を説明す
る図である。

【図２８】従来と本発明の回路装置に適用されるＩＣ回
路のパターン図である。

【図２９】半導体メーカーとセットメーカーの位置づけ
を説明する図である。

【符号の説明】

５０ 絶縁性樹脂 ５１ 導電路 ５２ 回路素子 ５３ 回路装置 ５４ 分離溝 ５８ ひさし

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪本 純次 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 真下 茂明 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 大川 克実 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 前原 栄寿 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高橋 幸嗣 群馬県伊勢崎市喜多町29番地 関東三洋電 子株式会社内

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的に分離された複数の導電路と、所
   望の該導電路上に固着された複数の回路素子と、前記複
   数の回路素子を被覆し且つ前記導電路を一体に支持する
   絶縁性樹脂とを備え、前記複数の導電路の内、少なくと
   も一つは、前記複数の回路素子を電気的に接続する配線
   として用いられることを特徴とする回路装置。
2. 【請求項２】 分離溝で電気的に分離された複数の導電
   路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路素子
   と、該複数の回路素子を被覆し且つ前記導電路間の前記
   分離溝に充填されて一体に支持する絶縁性樹脂とを備
   え、前記複数の導電路の内、少なくとも一つは、前記複
   数の回路素子を電気的に接続する配線として用いられる
   ことを特徴とする回路装置。
3. 【請求項３】 分離溝で電気的に分離された複数の導電
   路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路素子
   と、該複数の回路素子を被覆し且つ前記導電路間の前記
   分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支
   持する絶縁性樹脂とを備え、前記複数の導電路の内、少
   なくとも一つは、前記複数の回路素子を電気的に接続す
   る配線として用いられることを特徴とする回路装置。
4. 【請求項４】 分離溝で電気的に分離された複数の導電
   路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路素子
   と、該複数の回路素子の電極と他の前記導電路とを接続
   する接続手段と、前記複数の回路素子を被覆し且つ前記
   導電路間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露
   出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記複数の
   導電路の内、少なくとも一つは、前記複数の回路素子を
   電気的に接続する配線として用いられることを特徴とす
   る回路装置。
5. 【請求項５】 分離溝で電気的に分離された複数の導電
   路と、所望の該導電路上に固着された複数の回路素子
   と、該複数の回路素子の所望の電極と他の前記導電路と
   を接続する接続手段と、前記複数の回路素子を被覆し且
   つ前記導電路間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏
   面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記
   複数の導電路の内、少なくとも一つは、前記複数の回路
   素子を電気的に接続する配線として用いられることを特
   徴とする回路装置。
6. 【請求項６】 前記導電路は銅、アルミニウム、鉄−ニ
   ッケルのいずれかの導電箔で構成されることを特徴とす
   る請求項１から請求項５のいずれかに記載された回路装
   置。
7. 【請求項７】 前記導電路上面に前記導電路とは異なる
   金属材料より成る導電被膜を設けることを特徴とする請
   求項１から請求項５のいずれかに記載された回路装置。
8. 【請求項８】 前記導電被膜は、ニッケル、金あるいは
   銀メッキで構成されることを特徴とする請求項７に記載
   された回路装置。
9. 【請求項９】 前記回路素子は半導体ベアチップ、チッ
   プ回路部品のいずれかあるいは両方で構成されることを
   特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載され
   た回路装置。
10. 【請求項１０】 前記接続手段はボンディング細線また
    はロウ材で構成されることを特徴とする請求項４または
    請求項５に記載された回路装置。
11. 【請求項１１】 前記導電路の裏面と前記分離溝間に充
    填された絶縁性樹脂の裏面とを実質的に平坦にすること
    を特徴とする請求項２から請求項５のいずれかに記載さ
    れた回路装置。
12. 【請求項１２】 前記配線を除く前記導電路は電極、ボ
    ンディングパッドまたはダイパッド領域として用いられ
    ることを特徴とした請求項１から請求項５のいずれかに
    記載された回路装置。
13. 【請求項１３】 導電箔を用意し、少なくとも導電路と
    成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚みより
    も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、 複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
    と、 前記回路素子の電極と前記導電路の一部で形成された配
    線とを電気的に接続する接続手段を形成する工程と前記
    回路素子、前記接続手段および前記導電路を被覆し、前
    記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモールドする
    工程と、 前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を除去
    する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 導電箔を用意し、該導電箔表面の少な
    くとも導電路となる領域に耐食性の導電被膜を形成する
    工程と、 少なくとも導電路となる領域を除いた前記導電箔に、前
    記導電箔の厚みよりも浅い分離溝を形成して導電路を形
    成する工程と、 複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
    と、 前記回路素子の電極と前記導電路の一部で形成された配
    線とを電気的に接続する接続手段を形成する工程と前記
    回路素子、前記接続手段および前記導電路を被覆し、前
    記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモールドする
    工程と、 前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を除去
    する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造
    方法。
15. 【請求項１５】 導電箔を用意し、少なくとも導電路と
    成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚みより
    も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、 複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
    と、 前記回路素子の電極と前記導電路の一部で形成された配
    線とを電気的に接続する接続手段を形成する工程と前記
    回路素子、前記接続手段および前記導電路を被覆し、前
    記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモールドする
    工程と、 前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を除去
    する工程と、 前記絶縁性樹脂を切断して所望の回路を備えた回路装置
    に分離する工程とを具備することを特徴とする回路装置
    の製造方法。
16. 【請求項１６】 導電箔を用意し、少なくとも導電路と
    成る領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚みより
    も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、 前記複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工
    程と、 前記回路素子の電極と前記導電路の一部で形成された配
    線とを電気的に接続する接続手段を形成する工程と前記
    複数の回路素子、前記接続手段および前記導電箔を被覆
    し、前記分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモール
    ドする工程と、 前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を裏面
    より一様に除去し前記導電路の裏面と前記分離溝間の前
    記絶縁性樹脂とを実質的に平坦面にする工程とを具備す
    ることを特徴とする回路装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 導電箔を用意し、少なくとも導電路と
    なる領域を除いた前記導電箔に、前記導電箔の厚みより
    も浅い分離溝を形成して導電路を形成する工程と、 複数の回路素子を所望の前記導電路上に固着する工程
    と、 前記複数の回路素子の電極と前記導電路となる配線を電
    気的に接続する接続手段を形成する工程と前記複数の回
    路素子、前記接続手段および前記導電路を被覆し、前記
    分離溝に充填されるように絶縁性樹脂でモールドする工
    程と、 前記分離溝を設けていない厚み部分の前記導電箔を裏面
    より一様に除去し前記導電路の裏面と前記分離溝間の前
    記絶縁性樹脂とを実質的に平坦面にする工程と、 前記絶縁性樹脂を切断して個別の回路装置に分離する工
    程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記導電箔は銅、アルミニウム、鉄−
    ニッケルのいずれかで構成されることを特徴とする請求
    項１３から請求項１７のいずれかに記載された回路装置
    の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記導電被膜はニッケルあるいは銀メ
    ッキ形成されることを特徴とする請求項１４に記載され
    た回路装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記導電箔に選択的に形成される前記
    分離溝は化学的あるいは物理的エッチングにより形成さ
    れることを特徴とする請求項１３から請求項１７のいず
    れかに記載された回路装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記導電被膜を前記分離溝形成時のマ
    スクの一部として使用することを特徴とする請求項１９
    に記載された回路装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記回路素子は半導体ベアチップ、チ
    ップ回路部品のいずれかあるいは両方が固着されること
    を特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれかに記
    載された回路装置の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記接続手段はワイヤーボンディング
    またはロウ材で形成されることを特徴とする請求項１３
    から請求項１７のいずれかに記載された回路装置の製造
    方法。
24. 【請求項２４】 前記絶縁性樹脂はトランスファーモー
    ルドで付着されることを特徴とする請求項１３から請求
    項１７のいずれかに記載された回路装置の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記絶縁性樹脂はダイシングにより個
    別の回路装置に分離することを特徴とする請求項１５ま
    たは請求項１７に記載された回路装置の製造方法。