DE102006033023A1 - Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents
Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006033023A1 DE102006033023A1 DE102006033023A DE102006033023A DE102006033023A1 DE 102006033023 A1 DE102006033023 A1 DE 102006033023A1 DE 102006033023 A DE102006033023 A DE 102006033023A DE 102006033023 A DE102006033023 A DE 102006033023A DE 102006033023 A1 DE102006033023 A1 DE 102006033023A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- grid
- punched grid
- semiconductor device
- punched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Haltesubstrat, an dem mindestens ein Halbleiter befestigt ist, der mit einer Leiterstruktur verbunden ist, wobei das Haltesubstrat und die Leiterstruktur von einem Stanzgitter (2) gebildet sind.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Haltesubstrat, an dem mindestens ein Halbleiter befestigt ist, der mit einer Leiterstruktur verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Haltesubstrat und die Leiterstruktur von einem Stanzgitter gebildet ist.
- Stand der Technik
- Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, einen oder mehrere Halbleiter auf ein Substrat, welches elektrische Leiterbahnen aufweist, zu kleben und nach vorgegebener Schaltung mit Kupfer-Leiterbahnen zu bonden. Um die Handhabung des so bestückten Substrats zu verbessern, wird das Substrat und der oder die Halbleiter zumindest teilweise in einem Spritzguss-Verfahren eingehaust beziehungsweise gemoldet.
- Offenbarung der Erfindung
- Erfindungsgemäß ist das Haltesubstrat und die Leiterstruktur von einem Stanzgitter gebildet. Das Stanzgitter übernimmt hierbei also zwei Funktionen: Zum Einen bietet es eine Leiterstruktur von elektrischen Leitungen und zum Anderen wirkt das Stanzgitter aufgrund seiner hohen Steifigkeit gleichzeitig als Haltesubstrat. Dies bietet bei der Herstellung der Halbleiteranordnungen den einfachen Vorteil, dass ein Bauelement weniger notwendig ist, wodurch sowohl Montagezeit als auch Herstellungskosten verringert werden. Darüber hinaus ist gegenüber in dem Stand der Technik eine bessere Wärmeabfuhr von dem Halbleiter durch das Stanzgitter möglich. Dabei bietet das Stanzgitter eine zu dem Substrat aus dem Stand der Technik vergleichbare Steifigkeit, sodass die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung in Bezug auf Robustheit und Stabilität einer Halbleiteranordnung aus dem Stand der Technik entspricht.
- Vorteilhafterweise ist der Halbleiter auf das Stanzgitter geklebt. Dies stellt eine besonders einfache und kostengünstige Art der Befestigung des Halbleiters auf dem Stanzgitter dar.
- Vorteilhafterweise ist der Halbleiter auf das Stanzgitter gelötet, wodurch eine sehr sichere Befestigung entsteht. Der Halbleiter kann dadurch unter Umständen gleichzeitig elektrisch kontaktiert werden.
- Zweckmäßigerweise ist der Halbleiter mit dem Stanzgitter durch Ronden elektrisch verbunden. Die beim Ronden verwendeten, hauchdünnen Drähte oder Bändchen ermöglichen eine hohe Schwingungsbelastung der Halbleiteranordnung, ohne dass sich elektrische Kontakte lösen.
- Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist der Halbleiter und das Stanzgitter zumindest teilweise durch ein Spritzguss-Verfahren eingehaust. Bei diesem sogenannten "Molden" werden die entsprechenden Bauelemente mit einem nichtleitenden Material direkt umspritzt, wobei das Material anschließend aushärtet, sodass die Halbleiteranordnung als ein kompaktes, geschlossenes und robustes Bauelement verwendet werden kann. Vor allem bei der Handhabung der Halbleiteranordnung bietet das umspritzte Gehäuse den feinen, beim Ronden verwendeten Drähten einen Schutz vor Beschädigungen, sodass die Halbleiteranordnung wesentlich einfacher in Bezug auf Sicherheit gehandhabt werden kann. Vorteilhafterweise ist die Halbleiteranordnung einseitig eingehaust beziehungsweise gemoldet, sodass die unbestückte Rückseite des Stanzgitters frei zugänglich ist. Dadurch ist eine gute Kühlung der Halbleiteranordnung gewährleistet und ein Trennen von Materialbrücken, die das Stanzgitter zu Montagezwecken zusammenhalten, und ein partielles Trennen von Leiterbahnen auch im eingehausten Zustand noch möglich.
- Vorteilhafterweise ist der Halbleiter ein Leistungshalbleiter.
- Vorteilhafterweise ist der Halbleiter ein Logikmodul.
- Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist der Halbleiter ein MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).
- Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer Halbleiteranordnung, wie sie oben beschrieben wurde, wobei ein Halbleiterelement auf einem vorhandenen, noch nicht zertrennten Stanzgitter befestigt wird. Ein Stanzgitter, das beispielsweise aus einem Kupferblech gestanzt wird, weinst zwischen manchen seiner Leiterbahnen schmale Materialbrücken auf, die die Leiterbahnen und somit das Stanzgitter zusammenhalten. Solange diese Materialbrücken nicht zertrennt werden, kann das Stanzgitter als ein Bauelement gehandhabt werden. Somit bietet das noch nicht zertrennte Stanzgitter eine stabile Basis für das darauf zu befestigende Halbleiterelement.
- Vorteilhafterweise wird anschließend das Halbleiterelement mit dem Stanzgitter elektrisch verbunden, wobei dies vorteilhafterweise durch Ronden geschieht.
- Erfindungsgemäß werden der Halbleiter und, zumindest teilweise, das Stanzgitter in einem Spritzguss-Verfahren eingehaust beziehungsweise gemoldet. Dabei wird der entsprechende Teil der Halbleiteranordnung mit nicht leitendem Material umspritzt, das nach dem Aushärten die Halbleiteranordnung zusammenhält und stützt. Dadurch entstehen die oben beschriebenen Vorteile bezüglich der Handhabung der Halbleiteranordnung. Vorteilhafterweise wird die Halbleiteranordnung einseitig eingehaust beziehungsweise gemoldet, sodass die unbestückte Rückseite des Stanzgitters frei bleibt, wodurch eine gute Kühlung der Halbleiteranordnung gewährleistet wird.
- Zweckmäßigerweise wird das noch nicht zertrennte Stanzgitter nach dem Einhausen beziehungsweise Molden zertrennt, sodass die Leiterbahnen des Stanzgitters nach vorgegebener Schaltung wirken, wobei dazu im Wesentlichen die das Stanzgitter zusammenhaltenden Materialbrücken zertrennt werden. Durch die einseitige Einhausung der Halbleiteranordnung ist das Stanzgitter auf der Rückseite für Trennwerkzeuge gut erreichbar. Außer den Materialbrücken werden vorteilhafterweise auch eine oder mehrere der Leiterbahnen selbst partiell oder ganz zertrennt. Nach dem Zertrennen werden die dann separaten Leiterbahnen des Stanzgitters durch die Einhausung gehalten und gestützt.
- Vorteilhafterweise wird das Stanzgitter durch Sägen zertrennt.
- Vorteilhafterweise wird das Stanzgitter durch Fräsen zertrennt.
- Vorteilhafterweise wird das Stanzgitter mittels eines Lasertrennverfahrens zertrennt.
- Natürlich schließt die Erfindung auch weitere, dem Fachmann geläufige Trennverfahren, wie zum Beispiel Stanzen oder Schneiden, ein.
- Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung betreffen ebenso Halbleiteranordnungen, bei denen unterschiedliche Halbleiter, wie zum Beispiel ein Leistungshalbleiter und ein Logikmodul, auf einem Stanzblech aufgebracht werden.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Im Folgenden soll die Erfindung anhand von drei Zeichnungen näher erläutert werden. Dazu zeigen
-
1 eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung in einer Draufsicht, -
2 die Haltleiteranordnung in einem eingehausten/gemoldeten Zustand und -
3 die Halbleiteranordnung mit einem zertrennten Stanzgitter. - Ausführungsform(en) der Erfindung
- Die
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung1 in einer Draufsicht. Die Halbleiteranordnung1 weist ein Stanzgitter2 auf, das aus mehreren Leiterbahnen3 besteht, die teilweise über Materialbrücken4 miteinander verbunden sind, wobei hier nicht alle Leiterbahnen3 mit Bezugszeichen versehen sind. Das Stanzgitter2 weist dabei eine im Wesentlichen rechteckförmige Grundform auf. An seiner Oberseite weist das Stanzgitter drei Leiterbahnenden5 auf, die als Anschlussstecker ausgebildet sind. An seiner Unterseite weist das Stanzgitter2 mehrere Leiterbahnen3 auf, die als schmale Kontaktzungen6 ausgebildet sind. Diese werden ebenfalls durch Materialbrücken4 an dem übrigen Stanzgitter2 gehalten. An seiner rechten Seite weist das Stanzgitter2 ebenfalls steckerartig ausgebildete Leiterbahnenden7 auf. An seiner linken Seite weist das Stanzgitter2 einen Vorsprung8 mit einer Aussparung9 auf, die beispielsweise zum Positionieren oder Befestigen der Halbleiteranordnung1 mittels einer in die Aussparung9 geführten Schraube dient. Denselben Zweck erfüllt eine, in einer Leiterbahn10 ausgebildete Öffnung11 auf der rechten Seite des Stanzgitters2 . - Auf der Vorderseite des Stanzgitters
2 sind mehrere Leistungshalbleiter13 und ein Logikmodul14 aufgebracht. Durch die Materialbrücken4 bildet das Stanzgitter2 eine stabile Basis, auf der die Leistungshalbleiter13 und das Logikmodul14 beispielsweise mittels Kleben oder Löten aufgebracht werden können. Ein Teil der Materialbrücken4 , der unter anderem die Kontaktzungen6 hält und mit den Leiterbahnenden5 und dem Vorsprung8 in Verbindung steht, ist wie ein im Wesentlichen rechteckförmiger Steg12 um einen wesentlichen, die Leistungshalbleiter13 und das Logikmodul14 umfassenden, Teil des Stanzgitters2 herum ausgebildet. - Durch Ronden, insbesondere durch Draht- und/oder Bändchenbonden, werden die Leistungshalbleiter
13 und das Logikmodul14 mittels hauchdünner Drähte15 beziehungsweise Bändchen15' mit den Leiterbahnen3 des noch nicht zertrennten Stanzgitters2 elektrisch verbunden. Auch ein Teil der Leiterbahnen3 des Stanzgitters2 sind untereinander mittels Bond-Bändchen15' verbunden. - Um die Handhabung der Halbleiteranordnung
1 zu vereinfachen, wird diese zumindest teilweise in einem Spritzguss-Verfahren eingehaust beziehungsweise gemoldet, wie in2 dargestellt. Eine durch das Molden entstandene Einhausung16 umschließt dabei das Logikmodul14 , die Leistungshalbleiter13 und einen Teil der Leiterbahnen3 vollständig und wird durch die den Steg12 bildenden Materialbrücken4 seitlich begrenzt. Der Steg12 dient beim Spritzguss-Verfahren außerdem als Dichtfläche für ein verwendetes Spritzwerkzeug. Durch das Spritzguss-Verfahren werden die einzelnen Komponenten der Halbleiteranordnung1 hinterspritzt, sodass diese, nach dem Aushärten des beim Spritzguss-Verfahren verwendeten Materials, von der Einhausung16 gestützt und gehalten werden. Die Einhausung16 bietet dabei außerdem den Schutz vor Beschädigungen oder auch Verschmutzung der Komponenten der Halbleiteranordnung1 . Insbesondere ist dies von Bedeutung für die hauchdünnen Drähte15 . - Außerdem bietet die Einhausung
16 auf einfache Art und Weise eine Isolierung der Komponenten der Halbleiteranordnung1 . Die Leiterbahnenden5 und7 , der Vorsprung8 , der ebenfalls als elektrisch leitendes Kontaktelement wirken kann, und die Abschnitte der Kontaktzungen6 , die sich außerhalb der Einhausung16 befinden, bilden so die Anschlusskontakte für die in der Einhausung16 befindlichen Komponenten der Halbleiteranordnung1 . Vorteilhafterweise wird die Halbleiteranordnung1 einseitig eingehaust, sodass die Rückseite des Stanzgitters2 frei bleibt und Wärme von der Halbleiteranordnung gut abgeführt werden kann. - Die so ausgebildete Halbleiteranordnung
1 ist noch nicht funktionsfähig, da die Leiterbahnen3 noch durch die Materialbrücken4 miteinander verbunden sind, was zu Kurzschlüssen und erheblichen Fehlfunktionen führen würde. Da die Leiterbahnen3 , die Leistungshalbleiter13 und das Logikmodul14 durch die Einhausung16 zusammengehalten werden, sind die Materialbrücken4 nicht mehr notwendig und können, wie in3 gezeigt, entfernt werden. Zusätzlich werden vorteilhafterweise Teile des Stanzgitters partiell zertrennt, sodass wie beispielsweise dargestellt, aus einem Leiterbahnende7 zwei getrennte Leiterbahnen17 und18 entstehen, die durch einen Spalt19 voneinander getrennt sind. Auch im Bereich der Einhausung16 wird das Stanzgitter2 partiell getrennt, sodass das Stanzgitter2 nach vorgegebener Schaltung wirkt. Dies ist möglich durch die einseitige Einhausung16 des Stanzgitters2 , da das Stanzgitter2 für ein Trennwerkzeug von der unbestückten Rückseite gut erreichbar ist. Das Zertrennen der Materialbrücken4 und das partielle Zertrennen des Stanzgitters2 geschieht vorteilhafterweise durch Sägen, Fräsen, Lasern und/oder anderen, dem Fachmann bekannten Zertrennungsverfahren. - Eine derartige Halbleiteranordnung
1 bietet den Vorteil, dass im Vergleich zum Stand der Technik weniger Bauteile und eine geringere Montagezeit notwendig sind, wodurch die Herstellungskosten der Halbleiteranordnung1 gesenkt werden. - Dabei bleibt die Steifigkeit und Robustheit der Halbleiteranordnung
1 durch das Stanzgitter2 und die Einhausung16 bestehen. Darüber hinaus wird die Wärmeabfuhr von den Leistungshalbleitern13 und dem Logikmodul14 durch das Stanzgitter2 verbessert.
Claims (15)
- Halbleiteranordnung mit einem Haltesubstrat, an dem mindestens ein Halbleiter befestigt ist, der mit einer Leiterstruktur verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Haltesubstrat und die Leiterstruktur von einem Stanzgitter (
2 ) gebildet ist. - Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter auf das Stanzgitter (
2 ) geklebt ist. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter auf das Stanzgitter (
2 ) gelötet ist. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter mit dem Stanzgitter (
2 ) durch Ronden elektrisch verbunden ist. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter und das Stanzgitter (
2 ) zumindest teilweise durch ein Spritzguss-Verfahren eingehaust sind. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter als Leistungshalbleiter (
13 ) ausgebildet ist. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter als Logikmodul (
14 ) ausgebildet ist. - Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter als MOSFET ausgebildet ist.
- Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Halbleiter auf einem noch nicht zertrennten Stanzgitter befestigt wird.
- Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter mit dem Stanzgitter durch Ronden elektrisch verbunden wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter und, zumindest teilweise, das Stanzgitter in einem Spritzguss-Verfahren eingehaust werden.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Stanzgitter nach dem Einhausen zertrennt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Stanzgitter durch Sägen zertrennt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Stanzgitter durch Fräsen zertrennt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Stanzgitter mittels eines Lasertrennverfahrens zertrennt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006033023A DE102006033023A1 (de) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006033023A DE102006033023A1 (de) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006033023A1 true DE102006033023A1 (de) | 2008-01-24 |
Family
ID=38830582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006033023A Ceased DE102006033023A1 (de) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102006033023A1 (de) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5395800A (en) * | 1992-01-30 | 1995-03-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement |
US5998856A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US20050056916A1 (en) * | 2000-01-31 | 2005-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd., A Japan Corporation | Circuit device and manufacturing method of circuit device |
US6882047B2 (en) * | 2001-10-19 | 2005-04-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips therein |
US6946724B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-09-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device and method of manufacture thereof |
WO2006048836A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Inner bridges for chip-to-chip interconnections in a multi-chip ic package |
US7053469B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-05-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-07-17 DE DE102006033023A patent/DE102006033023A1/de not_active Ceased
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5395800A (en) * | 1992-01-30 | 1995-03-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement |
US5998856A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US20050056916A1 (en) * | 2000-01-31 | 2005-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd., A Japan Corporation | Circuit device and manufacturing method of circuit device |
US6882047B2 (en) * | 2001-10-19 | 2005-04-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips therein |
US6946724B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-09-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device and method of manufacture thereof |
US7053469B2 (en) * | 2004-03-30 | 2006-05-30 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Leadless semiconductor package and manufacturing method thereof |
WO2006048836A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-11 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Inner bridges for chip-to-chip interconnections in a multi-chip ic package |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19926128B4 (de) | Leistungs-Halbleiterbauteil-Gehäuse | |
DE112005003614B4 (de) | Halbleiterbaugruppe für ein Schaltnetzteil und Verfahren zu dessen Montage | |
EP1429385B1 (de) | Gehäuse für Leistungshalbleitermodule | |
EP0599194A1 (de) | Elektronikmodul in Flachbauweise | |
WO2017032772A1 (de) | Laserbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
EP2163145B1 (de) | Elektronikmodul und verfahren zur herstellung eines elektronikmoduls | |
DE602005005646T2 (de) | Piezoelektrischer Resonator und Anordnung mit dem in ein Gehäuse eingeschlossenen Resonator | |
DE102009055882A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
EP2566308B1 (de) | Verfahren zur Bestückung einer Leiterplatte | |
DE112008000234T5 (de) | Vorgeformte Clip-Struktur | |
DE10129388A1 (de) | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1622237A1 (de) | Optisches oder elektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102018121403A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten Platine | |
EP1784864B1 (de) | Elektrische baugruppe | |
DE202011100820U1 (de) | Leistungshalbleiter | |
DE102017129924B4 (de) | Verkapseltes, anschlussleiterloses package mit zumindest teilweise freiliegender innenseitenwand eines chipträgers, elektronische vorrichtung, verfahren zum herstellen eines anschlussleiterlosen packages und verfahren zum herstellen einer elektronischen vorrichtung | |
EP0696818B1 (de) | Halbleiterbauelement mit isolierendem Gehäuse | |
DE2925509A1 (de) | Packung fuer schaltungselemente | |
DE4441052A1 (de) | Trägerelement für einen IC-Baustein zum Einsatz in Chipkarten | |
DE112018005048T5 (de) | Chip mit integrierter schaltung (ic), der zwischen einem offset-leiterrahmen-chip-befestigungspad und einem diskreten chip-befestigungspad befestigt ist | |
DE102006033023A1 (de) | Halbleiteranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE102005001151B4 (de) | Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen | |
EP1330148A2 (de) | Elektrisches Gerät | |
DE102010008618A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
WO2021185598A1 (de) | Gehäuse für ein optoelektronisches halbleiterbauelement und optoelektronisches halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20130527 |
|
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |