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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung,
bei der ein Halbleiterelement auf einer oberen Seite eines Substrats
befestigt ist und ein Gehäuse so vorgesehen ist, dass es
eine seitliche Seite des Substrats umgibt.
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Ein
Halbleiterelement ist auf einer oberen Seite eines isolierenden
Substrats befestigt, wobei die Abmessungen davon durch Stanzen desselben mit
einem Metallstempel bestimmt werden. Ein Gehäuse wird mit
einer seitlichen Seite des isolierenden Substrats verbunden. Das
Gehäuse ist aus PPS (Polyphenylensulfid) zum Beispiel hergestellt.
Eine Klebeverbindung wird zum Verbinden des isolierenden Substrats
mit dem Gehäuse benutzt. Das Gehäuse wird hauptsächlich
zum Zwecke der Benutzung in einer Verpackung/Packung einer Halbleitervorrichtung benutzt
und ist mit dem isolierenden Substrat so verbunden, dass es das
isolierende Substrat bedeckt. Nachdem das Gehäuse mit dem
isolierenden Substrat verbunden ist, wird das Gehäuse mit
einem wärmehärtenden Harz, wie ein Epoxidharz,
so gefüllt, dass das wärmehärtende Harz
an der oberen Seite des isolierenden Substrats anhaftet. Hier wird
das Epoxidharz in das Gehäuse so gefüllt, dass
ein An schluss, der elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden
ist, außerhalb des Epoxidharzes offen liegt. Bei dem oben
beschriebenen Verfahren wird die Halbleitervorrichtung hergestellt.
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5 ist
eine Querschnittsansicht zum Darstellen der herkömmlichen
Halbleitervorrichtung. Eine isolierende Schicht 102 ist
auf einer oberen Seite einer Basisplatte 100 vorgesehen,
und Schaltungsmuster 104 sind auf der isolierenden Schicht 102 vorgesehen.
Ein Satz aus der Basisplatte 100, der isolierenden Schicht 102 und
der Schaltungsmuster 104 wird das isolierende Substrat 106 genannt.
Ein Halbleiterelement 108 wie ein IGBT (bipolarer Transistor
mit isoliertem Gate) ist auf den Schaltungsmustern 104 befestigt.
Das Halbleiterelement 108 und die Schaltungsmuster 104 sind
miteinander über einen Aluminiumdraht 110 verbunden.
Zusätzlich sind ein Hauptanschluss 112 und ein
Signalanschluss 114 auf den Schaltungsmustern 104 befestigt.
Der Hauptanschluss 112 und der Signalanschluss 114 werden
zum Verbinden des Halbleiterelements 108 mit der Außenseite
des Halbleiterelements benutzt.
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Ein
Gehäuse ist mit dem isolierenden Substrat 106 verbunden.
Das isolierende Substrat 106 und das Gehäuse 116 weisen
eine Form auf, dass sie ineinander in Teilen des isolierenden Substrats
und des Gehäuses 116 passen, an denen sie miteinander
verbunden sind. Sie sind mit einer Klebeverbindung 118 der
Siliciumserie verbunden. Die Klebeverbindung 118 ist auf
eine Anbringungsfläche aufgebracht, die auf dem isolierenden
Substrat 106 vorgesehen ist. Nachdem das Gehäuse 116 mit
dem isolierenden Substrat 106 verbunden ist, wird Abdichtsharz 122 in das
Gehäuse 116 gefüllt, und dadurch wird
die Halbleitervorrichtung fertig gestellt.
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Die
Halbleitervorrichtung wird durch verschiedene Verfahren ungleich
dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt. Zum Beispiel ist ein
Verfahren bekannt, bei dem die Packung der Halbleitervorrichtung
durch ein Übertragungsgießverfahren, unter Benutzung
eines wärmehärtenden Harzes gebildet wird. Ebenfalls
ist ein Verfahren bekannt, bei dem die Packung der Halbleitervorrichtung
durch ein Spritzgießverfahren, unter Benutzung eines thermoplastischen
Harzes gebildet wird.
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Zum
Stand der Technik wird auf
JP 2006-15 635 A ,
JP 2008-187 143 A und
JP S59-15 635 A verwiesen.
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Bei
dem Aufbau der in 5 gezeigten Halbleitervorrichtung
ist ein Freiraum von 0,2 bis 0,5 mm vorgesehen zum Zusammenbau in
Teilen des isolierenden Substrats 106 und dem Gehäuse 116,
an der Stelle, an der sie miteinander verbunden werden. Ebenfalls
ist eine Aufbringungsfläche von 0,5 bis 2,0 mm auf jedem
von dem isolierenden Substrat 106 und dem Gehäuse 116,
zusätzlich zu einer Fläche, vorgesehen zum Sicherstellen
eines Abstands für Isolation, so dass die Klebeverbindung 118 benutzt wird,
um sie zu verbinden. Wie gerade beschrieben wurde, gibt es eine
Notwendigkeit, „eine Form zum Ineinanderpassen” auf
jedem des isolierenden Substrats und des Gehäuses vorzusehen
und einen Freiraum damit auszustatten, und es ist auch notwendig, eine
Anbringungsfläche auf jedem vorzusehen, so dass sie verbunden
werden. Dadurch gibt es ein Problem, dass das isolierende Substrat
größer wird und Kosten des Isolierens höher
werden. Weiter gibt es ein Problem, dass das isolierende Substrat
nicht verkleinert werden kann.
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Auch
wenn die Klebeverbindung zum Verbinden des Gehäuses mit
dem isolierenden Substrat benutzt wird, werden Luftblasen in die Klebeverbindung gemischt.
Dadurch gibt es ein Problem, dass die isolierende Leistung des isolierenden
Substrats verschlechtert wird.
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Das
isolierende Substrat wird auch mit einem metallischen Stempel gestanzt,
so dass die notwendige äußere Form des isolierenden
Substrats gebildet wird. Dadurch gibt es ein Problem, dass ein Riss in
dem isolierenden Substrat durch eine Scherungsspannung usw. während
des Stanzens erzeugt wird.
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Wenn
die Packung durch ein Übertragungsgießverfahren
gebildet wird, wird ein Harzgrat erzeugt. Dadurch gibt es ein Problem,
dass es notwendig ist, einen Schritt des Reinigens eines Harzgrats vorzusehen.
Ebenfalls ist es notwendig, die Abmessungsgenauigkeit einer metallischen
Form zu verbessern. Dadurch gibt es ein Problem, dass die Herstellungskosten
höher werden.
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Wenn
die Packung durch ein Spritzgießverfahren gebildet wird,
wird eine metallische Form mit einer hohen Abmessungsgenauigkeit
nicht benötigt. Daher werden die Herstellungskosten verringert.
Es gibt jedoch ein Problem, dass ein thermoplastisches Harz, das
in einem Spritzgießverfahren benutzt wird, nicht an der
isolierenden Schicht des isolierenden Substrats anhaftet.
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Die
vorliegende Erfindung ist zum Lösen der oben beschriebenen
Probleme gemacht worden, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die verkleinert werden
kann und die hergestellt werden kann, ohne eine isolierende Leistung
zu verschlechtern, durch ein einfaches Verfahren.
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Diese
Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1.
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Die
Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, ein Halbleiterelement
und ein Gehäuse. Das Substrat weist eine obere Seite und
Schaltungsmuster auf der oberen Seite auf. Das Halbleiterelement
ist an den Schaltungsmustern befestigt. Das Gehäuse kontaktiert
eine seitliche bzw. laterale Seite des Substrats und ist so angeordnet,
dass es die seitliche bzw. laterale Seite des Substrats umgibt.
Das Gehäuse ist an der seitlichen bzw. laterale Seite des
Substrats befestigt durch Härtungskontraktion des Gehäuses.
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Bevorzugte
Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
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Weitere
Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden ersichtlich
aus der folgenden detaillierten Beschreibung, wenn sie in Zusammenhang
mit den begleitenden Figuren gelesen wird. Von den Figuren zeigen:
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1 eine
perspektivische Ansicht zum Darstellen einer Halbleitervorrichtung
gemäß einer ersten Ausführungsform;
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2 eine
Querschnittsansicht, die entlang der Linie A-A in 1 genommen
ist;
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3 eine
Querschnittsansicht zum Darstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
zweiten Ausführungsform;
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4 eine
vergrößerte Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung
gemäß der zweiten Ausführungsform zum
Darstellen, dass nur die Basisplatte des isolierenden Substrats
das Gehäuse kontaktiert; und
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5 eine
Querschnittsansicht zum Darstellen der herkömmlichen Halbleitervorrichtung.
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Im
Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Gleiche Bezugszeichen
bezeichnen gleiche Komponenten in den Zeichnungen, und die jeweils
redundante Beschreibung wird nicht wiederholt.
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Erste Ausführungsform
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Die
vorliegende Erfindung wird unten unter Bezugnahme auf 1 und 2 beschrieben. Identische
Materialien und identische und entsprechende Elemente werden durch
die gleichen Bezugszeichen als die entsprechenden Elemente bezeichnet.
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1 ist
eine perspektivische Ansicht zum Darstellen einer Halbleitervorrichtung
gemäß einer ersten Ausführungsform. Die
Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform
weist ein Gehäuse 40 und ein Abdichtharz 36 auf,
das in das Gehäuse 40 gefüllt ist. Wie
im Einzelnen unten erörtert wird, ist ein Halbleiterelement
innerhalb des Gehäuses 40 und des Abdichtharzes 36 vorgesehen.
Ein Hauptanschluss 12 und ein Signalanschluss 14,
die elektrisch mit dem Halbleiterelement verbunden sind, liegen außerhalb
des Gehäuses 40 und des Abdichtharzes 36 offen.
Löcher, entsprechend zu den Schraubenlöschern
des Gehäuses 40, sind in dem Hauptanschluss 12 vorgesehen.
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2 ist
eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie A-A in 1 genommen
ist. Ein Halbleiterelement 28 ist auf einem isolierenden
Substrat 26 zum Abstrahlen von Wärme von dem Halbleiterelement 28 angebracht.
Das isolierende Substrat 26 weist eine Basisplatte 20,
eine isolierenden Schicht 22, die auf einer oberen Seite
der Basisplatte 20 vorgesehen ist, und Schaltungsmuster 24,
die auf der isolierenden Schicht 22 vorgesehen sind, auf.
Die Basisplatte 20 ist aus einem Metall wie Cu, Al hergestellt,
und eine Rückseite der Basisplatte 20 liegt zu der
Außenseite offen. Die isolierenden Schicht 22 enthält
Teilchenmaterie, die aus AlN, BN, Al2O3 und Siliciumoxid hergestellt ist, so dass
eine thermische Leitfähigkeit erzielt wird. Die Schaltungsmuster 24 sind
durch Ätzen einer Metallschicht gebildet, die Cu, Al usw.
gebildet ist. Das Halbleiterelement 28 ist an dem Schaltungsmuster 24 durch
Löten befestigt, und die Wärme des Halbleiterelements 28 wird
durch die Basisplatte 20 abgestrahlt.
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Weiter
ist das Halbleiterelement 28 elektrisch mit dem Schaltungsmuster 24 über
einen Aluminiumdraht 30 verbunden. Das Halbleiterelement 28 ist elektrisch
mit externen Vorrichtungen über den Hauptanschluss 12 und
den Signalanschluss 14 verbunden, die an dem Schaltungsmuster 24 befestigt sind.
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Das
Gehäuse 40 ist so angeordnet, dass es das isolierende
Substrat 26 umgibt zum Schützen des Halbleiterelements 28 und
zum Erzielen der Festigkeit der Packung der Halbleitervorrichtung.
Das Gehäuse 40 ist aus PPS hergestellt und durch
ein Spritzgießverfahren gebildet. Wie in 2 gezeigt ist,
kontaktiert das Gehäuse 40 eine seitliche oder
laterale Seite der Basisplatte 20. Der Kontaktabschnitt zwischen
dem Gehäuse 40 und der Basisplatte 20 ist als
ein Kontaktbereich 41 in 2 dargestellt.
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Nachdem
das oben beschriebene Gehäuse 40 an dem isolierenden
Substrat 26 befestigt ist, wird das Abdichtharz 36 in
das Gehäuse 40 so eingefüllt, dass das
Halbleiterelement 28 usw. innerhalb des Gehäuses 40 abgedichtet
werden. Das Abdichtharz ist aus einem Epoxidharz hergestellt, das
ein wärmehärtendes Harz ist.
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Wenn
das Abdichtharz 36 in das Gehäuse 40 gefüllt
ist, dient das Gehäuse 40 als Barriere für
das Abdichtharz 36.
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Das
Gehäuse 40 wird gemäß der vorliegenden
Ausführungsform an der Basisplatte 20 befestigt, wie
unten beschrieben wird. Wenn die Basisplatte 20 aus einem
Kupfermaterial hergestellt ist, ist der Koeffizient der linearen
(Wärme-)Ausdehnung der Basisplatte 20 extrem niedrig
(ungefähr 16,7 ppm/K). Andererseits ist das Gehäuse 40 aus
PPS hergestellt, ein Koeffizient des Gießschrumpfens davon
beträgt ungefähr 0,1–0,7%, und daher
tritt signifikante Aushärtungskontraktion in dem Gehäuse 40 auf.
Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das Gehäuse 40 so
angeordnet, dass es die laterale Seite der Basisplatte 20 umgibt,
durch ein Spritzgießverfahren. Wenn daher die Aushärtungskontraktion
in dem Gehäuse 40 auftritt, wird das Gehäuse 40 an
der lateralen Seite der Basisplatte 20 ohne einen Raum
zwischen dem Gehäuse 40 und der Basisplatte 20 in dem
Kontaktbereich 41 befestigt. Daher wird eine Klebeverbindung
nicht zum Befestigen der Basisplatte 20 an dem Gehäuse 40 bei
der vorliegenden Ausführungsform benutzt.
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Wie
oben beschrieben wurde, wird Klebeverbinden nicht zum Fixieren der
Basisplatte 20 an dem Gehäuse 40 bei
der vorliegenden Ausführungsform benutzt. Daher muss kein „Freiraum” vorgesehen werden,
wie er in 5 gezeigt ist, und es ist nicht notwendig,
eine „Aufbringungsfläche” für
die Klebeverbindung sowohl auf dem isolierenden Substrat als auch
auf dem Gehäuse vorzusehen. Als Resultat kann die Halbleitervorrichtung
verkleinert werden. Ebenfalls wird die isolierende Leistung der
Halbleitervorrichtung daran gehindert, aufgrund der Luftblasen verschlechtert
zu werden, die in die Klebeverbindung gemischt sind, da die Klebeverbindung
nicht benutzt wird.
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Daher
ist in einer Situation, in der ein Aufbau gemäß der
vorliegenden Erfindung verwendet wird, der Kriechabstand zwischen
einer Position des Schaltungsmusters 24 am nächsten
zu dem Umfang des isolierenden Substrats 26 und der Basisplatte 20 gleich „dem
Abstand zum Sicherstellen zur Isolierung gemäß der
Arbeitsspannung”. Daher gibt es keine Notwendigkeit, eine
Anbringungsfläche usw. zusätzlich vorzusehen.
Wenn z. B. die Halbleitervorrichtung gemäß der
vorliegenden Ausführungsform in dem Produkt benutzt wird,
das eine Quellenspannung von 440 V aufweist, ist der Abstand zum
Sicherstellen für die Isolierung nicht weniger als 2,5
mm unter einer Bedingung, dass das isolierende Substrat mit einem Epoxidharz
abgedichtet ist.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform ist das Gehäuse
unter Benutzung eines Spritzgießverfahrens gebildet. Bei
einem Spritzgießverfahren wird ein Harz mit einer Schmelzviskosität
von weniger als 100 Pa × s benutzt. Daher wird ein Harzgrat
daran gehindert, dass er erzeugt wird. Daher gibt es keine Notwendigkeit,
einen Schritt des Reinigens eines Harzgrats vorzusehen, und die
Herstellungskosten werden reduziert. Auch eine Abmessungsgenauigkeit
einer Metallform, die bei dem Spritzgießverfahren benutzt
wird, ist niedriger als die bei dem Übertragungsgießverfahren.
Als Resultat werden die Herstellungskosten der Metallform verringert.
Weiterhin ist bei der vorliegenden Ausführungsform ein
Harz, das als ein Abdichtharz benutzt wird, ein Epoxidharz, das
als ein wärmehärtendes Harz benutzt wird. Das Problem,
ein Abdichtharz nicht an der isolierenden Schicht anhaftet, kann
gelöst werden. Dieses vergrößert die
Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung. Auf diese Weise
wird ein Spritzgießverfahren, das ein Harzgrat verhindern
kann und die Kosten einer Metallform verringern kann, zum Bilden
des Gehäuses 40 be nutzt. Ebenfalls wird ein wärmehärtendes
Harz, das an der isolierenden Schicht anhaften kann, als ein Abdichtharz
benutzt.
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Da
eine Metallform billiger erzeugt wird, werden der Hauptanschluss
und der Signalanschluss von einer oberen Seite der Halbleitervorrichtung durch
Verwenden einer metallischen Gleitform herausgezogen.
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Wenn
die Halbleitervorrichtung, bei der ein Anschluss von einer lateralen
Seite heraus gezogen wird, durch ein Übertragungsgießverfahren
produziert wird, ist die Halbleitervorrichtung so ausgelegt, dass
sie dünn ist, so dass eine Form, die einen Schlag bei dem
Gießen des Harzes bildet, daran gehindert wird, zuzunehmen.
Dieses ist nicht wünschenswert im Hinblick auf den Kriechabstand.
Andererseits wird bei der vorliegenden Ausführungsform
ein solches Problem gelöst, und der Kriechabstand ist ausreichend
zum Sicherstellen der Isolierung.
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Verschiedene Änderungen
können an dem Aufbau der Halbleitervorrichtung ausgeführt
werden, ohne dass der Umfang der vorliegenden Erfindung verlassen
wird. Zum Beispiel ist ein Substrat, das für die Halbleitervorrichtung
angewendet wird, nicht auf das isolierende Substrat 26 begrenzt,
das bei der vorliegenden Ausführungsform beschrieben worden
ist. Ein Substrat, ein Abschnitt, der das Gehäuse kontaktiert,
das aus einem Material mit einer kleineren Aushärtungskontraktion
als das Gehäuse hergestellt ist, kann als ein Substrat
ausreichen, das für die Halbleitervorrichtung angewendet
wird. Zum Beispiel ist ein Material des Gehäuses 40 nicht
auf PPS begrenzt. Ein Material wird als ein Material des Gehäuses 40 so lange
verwendet, so lange es eine ausreichende Aushärtungskontraktion
aufweist, dass es an dem isolierenden Substrat 26 befestigt
wird. Das Gehäuse 40 wird be vorzugt aus einem
thermoplastischen Harz, zum Verhindern eines Harzgrats, hergestellt. Das
Gehäuse 40 braucht jedoch nicht aus einem thermoplastischen
Harz hergestellt zu werden, zum Erzielen „eines Vorteils
des Verkleinerns der Halbleitervorrichtung” der vorliegenden
Ausführungsform.
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Zum
Beispiel ist das Abdichtharz 36 nicht auf Epoxidharz begrenzt.
Das Abdichtharz 36 wird verwendet, so lange es ein wärmehärtendes
Harz ist.
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Zweite Ausführungsform
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Die
zweite Ausführungsform wird unten, unter Bezugnahme auf 3 und 4 beschrieben. 3 ist
eine Querschnittsansicht zum Darstellen einer Halbleitervorrichtung
gemäß der zweiten Ausführungsform. Die
vorliegende Ausführungsform ist identisch zu der ersten
Ausführungsform in einem Aufbau, dass Aushärtungskontraktion
in dem Gehäuse auftritt, das so angeordnet ist, dass es
eine laterale Seite des isolierenden Substrats so umgibt, dass das
Gehäuse an der lateralen Seite der Basisplatte befestigt
wird. Ebenfalls ist die vorliegende Ausführungsform identisch
zu der ersten Ausführungsform in einem Aufbau, dass ein
isolierendes Substrat 52 der vorliegenden Ausführungsform
eine Basisplatte 50, eine isolierende Schicht 22,
die auf einer oberen Seite der Basisplatte 50 vorgesehen
ist, und Schaltungsmuster 24, die auf der isolierenden
Schicht 22 vorgesehen sind, aufweist. Eine Form der Basisplatte 50 unterscheidet
sich jedoch von der der ersten Ausführungsform. Genauer,
die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von
der ersten Ausführungsform darin, dass ein Abschnitt der
lateralen Seite der Basisplatte 50, die ein Gehäuse 40 kontaktiert, eine
Form aufweist, dass sie einen spitzen Winkel mit einer Rückseite
der Basisplatte 50 bildet.
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Ein
isolierendes Substrat wird durch Herstellen eines großen
ursprünglichen Substrats und Vereinzeln des großen
ursprünglichen Substrats in Substrate gebildet, von denen
jedes einen Durchmesser aufweist, wie er notwendig ist, so dass
jede der Halbleitervorrichtungen benutzt wird. Die Vereinzelung wird
hauptsächlich durch Stanzen mit einem Metallstempel durchgeführt.
Es gibt jedoch ein Problem, dass ein Riss in der isolierenden Schicht
durch eine Scherspannung usw., während des Stanzens erzeugt
wird. Der Riss ist unerwünscht zum Sicherstellen einer
isolierenden Leistung der Halbleitervorrichtung.
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Zum
Vermeiden dieses Problems wird eine Maßnahme unternommen,
zum Vergrößern des Abstands zwischen einer Position
des Schaltungsmusters am nächsten zu dem Umfang des isolierenden Substrats
und der lateralen Seite der Basisplatte und zum Vergrößern
eines Gebiets eines Metallstempels, der zum Stanzen des isolierenden
Substrats benutzt wird. Dadurch wird die Spannung in der isolierenden Schicht
verhindert. In diesem Fall gibt es jedoch ein Problem, dass das
isolierende Substrat größer wird, die Kosten des
isolierenden Substrats werden höher, und die Halbleitervorrichtung
kann nicht verkleinert werden.
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In
einer Situation, in der die Halbleitervorrichtung gemäß der
vorliegenden Ausführungsform verwendet wird, kann das obige
Problem gelöst werden. Eine Form der lateralen Seite der
Basisplatte 50, die sich in einem stumpfen Winkel zu der
Rückseite der Basisplatte 50 befindet, wird durch
Furchen sowohl der oberen Seite (die Seite des Schaltungsmusters 24)
als auch der Bodenseite des ursprünglichen Substrats der
Basisplatte 50 mit ei ner scharfen V-förmigen Klinge
und Unterteilen des ursprünglichen Substrats an dem Ende
gebildet. Dadurch wird die oben beschriebene Sorge des Risses erleichtert,
und die Kosten des isolierenden Substrats werden durch Verkleinern
desselben verringert. Als Resultat werden die Herstellungskosten
der Halbleitervorrichtung verringert. Unterteilen des ursprünglichen
Substrats ohne Stanzen durch einen Metallstempel wird durch verschiedene
Verfahren ungleich dem oben beschriebenen Verfahren durchgeführt.
Zusätzlich zu dem Vorteil des Verkleinerns des isolierenden
Substrats wird in einer Situation, in der die Form der Basisplatte 50,
gemäß der vorliegenden Ausführungsform, verwendet
wird, eine Kontaktfläche zwischen der lateralen Seite der
Basisplatte 50 und dem Gehäuse 40 vergrößert
im Vergleich zu einer Situation, in der die laterale Seite der Basisplatte 50 eben
ist. D. h., ein Kontaktbereich 54, gemäß der
vorliegenden Ausführungsform, ist größer
als der Kontaktbereich 41, der in 2, gemäß der
ersten Ausführungsform, gezeigt ist. Daher wird das Anhaften
der Basisplatte 50 und des Gehäuses 40 verbessert.
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In
der vorliegenden Ausführungsform ist es wünschenswert,
im Hinblick auf die Isolierungsleistung, dass nur die Basisplatte
des isolierenden Substrats das Gehäuse kontaktiert. Dies
wird unten, unter Bezugnahme auf 4, beschrieben. 4 ist eine
vergrößerte Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung
gemäß der zweiten Ausführungsform zum
Darstellen, dass nur die laterale Seite der Basisplatte 60 in
der lateralen Seite des isolierenden Substrats 64 das Gehäuse
kontaktiert. Wie aus 4 klar ersichtlich ist, kontaktiert
die isolierende Schicht 22 nicht der Gehäuse 40 (dieses
ist als ein Nicht-Kontaktebereich 62 gezeigt). Die isolierende Schicht 22 steht
in Kontakt mit einem Abdichtharz 36, das ein wärmehärtendes
Harz ist. Da die Anhaftung zwischen der isolierenden Schicht 22 und
dem Abdichtharz 36 stark ist, kann die Halbleitervorrichtung erzielt
werden, mit hervorragender Isolationsleistung.
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Mindestens
die Änderungen, die äquivalent zu der ersten Ausführungsform
sind, können auch bei der zweiten Ausführungsform
durchgeführt werden.
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Die
hauptsächlichen Vorteile der vorliegenden Erfindung, die
oben im Einzelnen beschrieben wurde, können wie folgt zusammengefasst
werden:
Die vorliegende Erfindung macht es möglich,
eine Halbleitervorrichtung herzustellen, deren Isolationsfähigkeit
verbessert ist und die verkleinert ist, wobei ein einfaches Verfahren
benutzt wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2006-15635
A [0006]
- - JP 2008-187143 A [0006]
- - JP 59-15635 A [0006]