TW439003B - Display device - Google Patents

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Shunpei Yamazaki
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 △ 3 9 0 Q 3 A7 ____B7__五、發明說明（1 > 發明背景 發明領域 本發明係指一種顯示裝置，應用於以E L式液晶顯示 器表示之平板顯示器。 相關技 習 供開關 膜電晶 此 入像元 由 遮光機 作爲一 術說明 知平坦顯 之薄膜電 體控制進 結構中* 區中之薄 雜質分散 構）。再 黑矩陣蓋 如此結構具 間產生一電容， 罩膜一般形成於 與罩功能相 陣。 本 遮住薄 示器包 晶體提 出各像 必須提 膜電晶 及穩定 者，通 住像元 以下問 致不良 不規則 關之問 含主動矩陣液晶顯示器，其結構中 供於矩陣形狀之許多像元*並以薄 元電極之電荷。 供一罩機構（遮光機構）防止光進 體》 觀點，目前選用金屬膜爲罩機構（ 常提供用於薄膜電晶體之罩機構亦 電極之周界邊緣區。 題。第一問題爲罩膜與薄膜電晶體 影響薄膜電晶體操作。第二問題爲 之基底上，使罩功能不足。 題同樣適用與像元邊緣重疊之黑矩 發明之目的欲提供一結構解決與罩膜相關之問題以 膜電晶體，達到高性能之主動矩陣顯示器。 發明概述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 4 附件二A 第88117704號專利申請案 4 3 90 0 3 中文說明書修正尾7 .. 民國9〇年2月修正 ------______一 五、發明說明（2 ) 本發明揭示之結構特徵在於包含： 薄膜電晶體，具輸出連接至像元電極； 一層絕緣膜，由樹脂材料構成位於薄膜電晶髖上，及 —罩膜’遮住層絕緣膜上之薄膜電晶體。 本發明結構另一特徵在於包含 —層絕緣膜，由薄膜電晶體上之樹脂材料製成；及 —罩膜，遮住樹脂材料構成之層絕緣膜上之薄膜電晶 體。 本發明結構再一特徵在於包含，多數像元電極爲矩陣 形狀；一黑矩陣蓋住至少一部分之像元電極周界區，黑矩 陣位於樹脂材料構成之一層絕緣膜上。 圖式簡要說明 圖1 A至1D說明一主動矩陣電路之像元部之製造步驟。 圖2 A至2C說明一主動矩陣電路之像元部之製造步驟》 圖3A至3C說明一主動矩陣電路之像元部之製造步驟。 圖4 A至4C說明一主動矩陣電路之像元部之製造步驟。 圖5A至5D說明一主動矩陣電路之像元部之製造步驟· -------------裝--------訂· (請先助讀背S之注-t事項再填寫本真) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 208源極區 211第一中介層絕緣膜 緣膜 215第三中介層絕緣膜 216像素電極 301陽極氧化膜 103主動層 102氧化矽膜 105閘極電極 107多孔陽極氧化膜 107密陽極氧化膜 108源極區 110偏離閘極區 111汲極區 圖號說明 101玻璃基底 104氧化矽膜 1 08源極區 109通道形成區 112第一層絕緣膜 115罩膜 201玻璃基底 2 04氧化矽膜 207罩圖形 21 0通道區 213第二中介靥絕 2 1 4遮光膜 11 3源極電極 1 16第三絕緣膜 2 0 2氧化矽膜 2 0 5結晶矽膜 11 4第二層絕緣膜 1 1 7像素電極 2 0 3閘電極 2 0 6主動層 209汲極區
I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇x297公爱〉 -5 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 3 9 Ο ◦ 3 A? __ Β7___五、發明說明（3 ) 較佳實施例詳細說明 現在說明本發明第一實施例=圖1 Α至1 D及圖2Α 至2 C說明本例所述一主動矩陣液晶顯示器之像元部之製 造步驟。 如圖1A所示，厚3 000A之氧化矽膜1 02作爲 一支承膜而使用電漿C V D程序首先形成於一玻璃基底 1 0 1 上。 其次，形成一非晶矽膜（未圖示），稍後作爲一薄膜 半導體製之開始膜以形成一薄膜電晶體之主動層° 使用電漿CVD程序形成厚5 Ο 0A之非晶矽膜（未 圖示）。 再使用加熱程序或雷射光照射程序或使用加熱與雷射 光照射混合之程序使非晶矽膜結晶而得結晶矽膜（未圖示 )0 將結晶矽膜（未圖示）製圖形而得一薄膜電晶體之主 動層1 0 3。 接著，進行電漿C VD程序形成厚1 0 0 0A之氧化 矽膜1 0 4藉蓋住圖1 A所示主動層1 0 3而作爲一閘極 絕緣膜。完成圖1 A所示狀態。 接著，使用噴飛程序形成含0. 1 %钪重量而厚 4 Ο 0 0A之鋁膜（未圖示）。此鋁膜稍後作爲閘極電極 〇 形成鋁膜後，於其表面上形成厚1 〇 之密陽極氧 化膜（未圖示）。使用鋁膜爲一電解液中陽極而完成陽極 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 43 90 0 3 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（4 ) 氧化’以液態胺中和含3 %酒石酸之乙二醇溶液而得電解 液。 提供一防蝕罩（未圖示）進行製圖形。因製圖形而成 一閘極電極1 0 5 ^ 形成閘極電極1 0 5後，將防蝕罩（未圖示）留於定 位再進行陽極氧化’使用含3 %草酸之水溶液爲電解液進 行陽極氧化。 陽極氧化僅選擇地發生於閘極電極1 〇 5側面，此乃 因剩下之防蝕罩（未圖示）。此步驟形成之陽極氧化膜具 多孔結構。 因此’一多孔陽極氧化膜1 0 6形成於閘極電極 1 0 5之側面上。 此多孔陽極氧化膜可生長至數y m厚度之等級。可用 陽極氧化時間控制生長大小。 此處陽極氧化膜1 0 6厚度爲6 0 0 0A。 接著，再進行陽極氧化，使用之電解液由以液態胺中 和含3%酒石酸之乙二醇溶液而得。此陽極氧化步驟中， 因電解液透過多孔陽極氧化膜1 0 6，一密陽極氧化膜 107乃形成於閘極電極105附近。 密陽極氧化膜1 0 7之厚度爲5 0 0。此密陽極氧化 膜1 0 7之主要功能乃蓋住閘極電極表面防止後績步驟中 產生凸起或髭紋。 其亦有一功能保持閘極電極1 0 5 ，故當多孔陽極氧 化膜1 0 6稍後除去時其不會同時被蝕刻。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·! I 1訂· ------線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '43 90 0 3 A7 __B7五、發明說明（5 ) 其亦有一功能促進稍後使用多孔陽極氧化膜1 〇 6爲 罩形成之偏離閘極區。 因此，完成圖1B所示狀態。 此狀態中，雜質離子已植入此處植入P (磷）離子 得到N通道式薄膜電晶體》 當於圖1 B所示狀態中植入雜質離子時，雜質離子選 擇地植入1 08及1 1 1所示之區。亦即，區1 〇 8及 1 1 1成高密度雜質區》 雜質離子因閘極電極1 0 5作爲一罩而未植入閘極電 極1 0 5直接下方之區1 0 9中。此區1 09作爲一通道 形成區。 因多孔陽極氧化膜1 0 5及密陽極氧化膜1 0 7作爲 一罩，故雜質離子亦未植入110所示之區。107所示 之區作爲一偏離閘極區，不作爲一源極/汲極區，亦不爲 通道形成區。 尤其 > 偏離閘極區有一功能可緩和通道形成區與汲極 區間形成之電場強度。偏離閘極區之存在使薄膜電晶體之 關閉電流值降低並抑制其劣化。 因此，108所示源極區，109所示通道形成區， 1 1 0所示偏離閘極區及1 1 1所示汲極區以自行對齊方 式形成。 當完成植入雜質離子，選擇地除去多孔陽極氧化膜 1 0 6。然後以雷射光照射進行退火。因雷射光指向高密 雜質區與偏離閘極區間界面附近，因植入雜質離子而受損 ------------ --I-----^<11----- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 8 一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A74 3 9 Q Q 3___B7五、發明說明（6 ) 之接合部可足夠退火。 當完成圖1 B所示狀態’形成厚2 0 0 〇之氧化较膜 1 1 2成爲第一層絕緣膜。 可使用一氮化矽膜或包含一氧化矽膜及一氮化砂膜之 多層膜爲此第一層絕緣膜。 接著，一接觸孔形成於第一層絕緣膜1 1 2中而形成 —源極電極113接觸薄膜電晶體之源極區。因此完成圖 1 C所示狀態。 然後，使用透明聚醯亞胺或丙烯酸樹脂形成第二層絕 緣膜1 1 4。由樹脂材料構成之層絕緣膜1 1 4形成一平 坦表面。因此完成圖1 D所示狀態。 接著*如圖2 A所示’一鉻膜形成後定圖形成一罩膜 1 1 5作爲薄膜電晶體之罩膜及黑矩陣。 選擇相對介電常數等於或小於3之材料爲形成第二層 絕綠膜1 1 4之樹脂材料。此膜厚數μιη。此應用以樹脂 材料較有利，因其即使較厚不會延長製造步驟所需時間。 如此結構可防止鉻製之罩膜115與其下之薄膜電晶 體間產生電容。 再者，第二層絕緣膜1 1 4之表面若由樹脂材料製成 可輕易成平坦。如此可防止因表面不規則產生光漏。 當完成圖2 Α所示狀態，使用一樹脂材料，氧化矽膜 或氮化矽膜形成第三層絕緣膜1 1 6。此處，使用與第二 層絕緣膜1 1 4相同之樹脂材料用於第三層絕緣膜1 1 6 — — — — — — — mu— 农·I — I I ! I 訂-ί I I I 11- (請先閱讀背面之注^項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -9 - 4390 0 3 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（7 ) 使用樹脂材料爲第三層絕緣膜有利地解決稍後形成之 像元電極與罩膜間產生之電容問題，並施平其上形成像元 電極之表面。 因此，完成圖2 B所示狀態》因此形成一像元電極 1 1 7乃藉由形成一接觸孔，一構成像元電極之I TO電 極，並進行定圖形》 如此完成圖2 C所示結構。圖2 C所示結構中，位於 薄膜電晶體（尤爲源極電極）與罩膜（及/或黑矩陣） 1 1 5間之層絕緣膜形成小相對介電常數及大厚度。如此 可防止產生不必要電容。 因形成厚樹脂膜爲簡單工業程序，不渉及增加處理時 間，故可完成上成結構。 現在說明本發明第二實施例。 本此特徵在於採用改進第一寶施例結構之結構，提供 更高之可靠性。 如上述，使用如鉻之金屬材料用於罩膜及黑矩陣。由 長期可靠性觀點，須考慮金屬材料之雜質分散及金屬材料 與其他電極或接線間之短路。 尤其，若有一銷孔於圖2 C所示狀態中之層絕緣膜 1 1 6中，罩膜1 1 5 (同時作爲一黑矩陣）與像元電極 1 1 7間產生短路之問題。 欲清除層絕緣膜116中一銷孔之影響之方法爲形成 層絕緣膜116爲一特別多層膜。 但此方法增加製造步驟及製造成本，故不利。 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 窝 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1 〇 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 43 90 0 3 a? __B7五、發明說明（8 ) 本例之結構提供一材料可陽極氧化成罩膜以遮住薄膜 電晶體，並於其上形成第一實施例結構之陽極氧化膜而解 決此問題。 可用鋁或鉅爲供陽極氧化之材料。 尤其，使用鋁可提供較佳罩膜，此乃因其允許陽極氧 化膜著成黑色或類似暗色，使用如鋁框工業產品所用之陽 極氧化膜技術。 圖3 A至3 C略示本例之製造步驟。首先*以圖1 A 至ID所示步驟完成圖ID所示狀態。然後一罩膜115 形成如圖2 A所示。 此處使用鋁爲罩膜1 1 5。於一電解液中陽極氧化形 成一陽極氧化膜3 Ο 1於圖3 A所示罩膜1 1 5之表面上 〇 圖3A顯示用於遮住一薄膜電晶體之罩膜301。但 其通常進一步延伸亦形成一黑矩陣。 當完成圖3 A所示狀態，以一氧化矽膜或氮化矽膜式 由圖3 B所示樹脂材料形成一第三層絕緣膜1 1 6。 此外，使用圖3 C所示I TO形成一像元電極1 1 7 〇 即使一銷孔存於層絕緣膜1 1 6中，陽極氧化膜 3 0 1之存在防止像元電極1 1 7及罩膜1 1 5短路。 此外，因陽極氧化膜3 0 1化學性穩定，由長期可靠 性觀點較佳，因可防止罩膜1 1 5中雜質分散於其周圍^ 現在說明本發明第三實施例。 --I--— — — — — — — I I I ! — I 訂·! 1·線 (請先閱讀背面之注"事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -11 439003 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明說明（9 ) 本例有關一結構改善一像元之孔徑比。逋常一像元結 構須使孔徑比愈大愈好。爲得大之像元孔徑化，必須提供 具較寬面稹之像元電極。 但如此嘗試有其嚴格限制，若像元電極重疊薄膜電晶 體或接線1其間將產生一電容。 本例提供之結構可降低產生一電容之問題。 圖4 A至4 C顯示本例結構之製造步驟。圖4 A及4 B所示步驟與圖3 A及3 B所示相同。 首先，鋁製罩膜1 1 5如圖4A所示形成。301所 示之陽極氧化膜形成於罩膜115表面上。 此外，如圖4 B所示形成第三層絕緣膜1 1 6。層絕 緣膜116由一樹脂材料形成。 再使用圖4C所示I T ◦形成像元電極1 1 7。像元 電極1 1 7與薄膜電晶體重畳。如此使像元之孔徑比最大 〇 根據圖4 C所示結構，可用小相對介電常數（與氧化 矽膜或氮化矽膜相比）之樹脂材料以增加之厚度形成層絕 緣膜1 1 4及1 1 6。如此可降低上述電容之問題。 此外，可增加像元電極之面積得到較大之像元孔徑比 〇 雖然於前述例中採用頂閘式薄膜電晶體，此例4中說 明製造底閘式薄膜電晶體之方法，其中閘極電極較主動層 接近基底 根據第四實施例製造步驟示於圖5 (A)至5(D) — — — — — — — — — — ---I I I I I ^ «—mil — (請先閱讀背面之注"·事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 439003 A7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ____B7__五、發明說明（10 ) 。首先，如圖5 (A)所示，一氧化矽膜202作爲一基 膜以噴飛形成一玻璃基底2 Ο 1上。再以鋁形成閘極電極 2 0 3 ° 此閘極電極中，銃以0.18重量％合於鋁中。其他 雜質濃度愈低愈好。前述欲抑止突起如小凸或髭紋因後續 步驟中鋁過度生長而起。 然後，作爲一閘極絕緣膜之氧化矽膜2 0 4以電漿 CVD形成500Α。 然後，以電漿CVD形成未圖示之非晶矽膜（稍後形 成結晶矽膜）成形成薄膜電晶體之主動層之起始膜。可用 低壓熱CVD取代電漿CVD » 然後，以雷射光照射使非晶矽膜（未圖示）結晶，而 得結晶矽膜2 0 5 ，因此得到圖5 (Α)所示結構。 得到圖5 (Α)所示結構後，進行定圖形成一主動層 2 0 6» 然後，形成一氮化矽膜（未圖示），使用閘極電極由 基底後表面側對其照射光而形成氮化矽膜製之罩圖形 2 0 7。 如下形成罩圖形2 0 7 $ 首先，使用閘極電極圖式由基底2 0 1後表面側照射 光而形成一防蝕罩圖形。再者’以灰化退出防蝕罩圖形。 使用退出之防蝕罩圖形（未圓示）對氮化矽膜定圖形而得 以2 0 7代表之圖式。因此得到圖5 ( Β)所示結構。 然後，使用罩圖式2 0 7進行雜質摻入。例如，使用 ------------Μ--------^--------- V (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 - 43 90 0 3 A7 B7 五、發明說明（11 ) P (磷）爲摻劑，使用電漿摻入爲摻入法。 此步驟中，區208及09摻入P。區2 1 0未摻入 P。 完成摻入後，由上進行雷射光照射激發摻入區，並對 因摻入離子衝擊受損者進行退火。 因此，如圖5 (C)所示，區208形成一源極區。 此外，區2 0 9形成一汲極區。此外，區2 1 0形成一通 道區。 然後，一氮化矽膜以電漿CVD形成爲厚2 0 〇 0A 之第一間層絕緣膜211。 可使用氧化矽膜，氮氧化矽膜或包含氧化矽膜及氮化 膜之多層膜（其中之一疊於另一上）取代氮化矽單膜成爲 所用之第一間層絕緣膜。 然後，形成一接觸孔於第一間層絕緣膜2 1中源極區 2 0 8，形成一源極電極以供接觸於源極區2 0 8。因此 ，可得圖5(C)所示結構。 然後，如圖5 (D)所示，具一平表面之第二間層絕 緣膜2 1 3由一透明聚醯亞胺樹脂或丙烯酸樹脂構成。如 可使用旋轉覆層法爲膜形成法。 然後，形成一鉻膜於第二間層絕緣膜2 1 3上，並定 圖形成一遮光膜214作爲薄膜電晶體之遮光膜及黑矩陣 。然後以與第二間層絕緣膜213相同之材料形成第三間 層絕緣膜2 1 5。 抵達汲極區2 0 9之接觸孔形成於第一至第三間層絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----—II訂-! •線 -14 - 439003 A7 B7 五、發明說明（12 ) 緣膜211 ’ 213 ，215中。然後於第三間層絕緣膜 2 1 5表面上形成I TQ (銥鍚氧化物）膜，定圖形成像 元電極2 1 6。 . 經前述步驟完成圖5(D)所示薄膜電晶體。 使用所揭示本發明，可提供一有效罩膜於一主動矩陣 顯示器之像元結構中，並具有高性能之主動矩陣顯示器" 本發明可應用於主動矩陣顯示器之E L式顯示器等。 已說明本發明之特定實施例，但熟習此技術者可予以 修改而不脫本發明範圍。因此所附申請專利範圍包含所有 落入本發明精神範圍之各式變化。 請 先 閱 讀 皆 注 項 再 填 寫裝 本衣 頁I w I I I I 1 I 訂 --------d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用_國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15 -

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 439003 ^ 附件一Α 第88117704號專利申請$ ' 中文申請專利範圍修正g 民國卯年2月修正 p-____广〜08 ^ 2 ΙΛ__ 六、申請私.' 1 .—種主動矩賢$含： —薄膜電晶體位於一基體上且包含一源極區，一汲極 區，一位於該源極區及該汲極區之間的通道區，及—間極 電極位於該通道區附近而具有一閘極絕緣膜位於其間； 一中介層絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區，該汲 極區*該通道區，該閘極絕緣膜及該閘極電極之上； 一像素電極包含I T ◦位於該中介層絕緣膜之上且與 該源極區及該汲極區中之一者連接， 一 E L層位於該像素電極之上，·及 —黑色矩陣包含一金屬覆蓋該像素電極的周圍區域的 至少一部份： 其中該黑色矩陣的該金靥包含由鋁，鉬及鉻所組成的 群組中所選出之一材質。 2 . —種主動矩陣E L顯示器包含： —薄膜電晶體位於一基體上且包含一源極區，一汲極 區| —位於該源極區及該汲極區之間的通道區，及一閘極 電極位於該通道區附近而具有一閘極絕緣膜位於其間； 一中介層絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區，該汲 極區，該通道區，該閘極絕緣膜及該閘極電極之上； —像素電極位於該中介層絕緣膜之上且與該源極區及 該汲極區中之一者連接，及 一 E L層位於該像素電極之上；及 一黑色矩陣包含一金屬覆蓋該像素電極的周圍區域的 至少一部份， 本紙張尺度遙用中國國家梂準< CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ---------^------1T------^ (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本艽) I - I i I J - · I I A8 B8 C8 D8 4 3 90 0 3 六、申請專利範圍 其中該黑色矩陣的該金牖包含由鋁*鉬及鉻所組成的 群組中所選出之一材質· 3. —種主動矩陣EL顯示器包含： —薄膜電晶體位於一基體之上且包含一閘電極，一閘 絕緣膜位於該閘電極之上，一源極區，一汲極區* —通道 區位於該源極區及該汲極區之間且在該閘絕緣膜之上； 一中介層絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區，該汲 極區，該通道區，該閘極絕緣膜及該閘極電極之上； 一像素電極包含I TO位於該中介層絕緣膜之上且與 該源極區及該汲極區中之一者連接， 一 E L層位於該像素電極之上；及 一黑色矩陣包含一金屬覆蓋該像素電極的周圍區域的 至少一部份， 其中該黑色矩陣的該金屬包含由鋁，鉅及鉻所組成的 群組中所選出之一材質》 4. —種主動矩陣EL顯示器包含： —薄膜電晶體位於一基體之上且包含一閘電極* —閘 絕緣膜位於該閘m極之上，一源極區* 一汲極區，一通道 區位於該源極區及該汲極區之間且在該閘絕緣膜之上： 一中介餍絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區•該汲 極區，該通道區，該閛極絕緣膜及該閘極電極之上： —像素電極位於該中介層絕緣膜之上且與該源極區及 該汲極區中之一者連接，及 一 E L層位於該像素電極之上；及 本紙張尺度遑用中國a家標準{ CNS ) A4規格（2〗0X297公釐） ---------^------tr------0 <請先閱讀背面之注意寧項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 3 90 0 3 i D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ! I —黑 色矩 陣 包 含 金 羼 覆 蓋 該 像 素 電 極 的 周 圍 區 域 的 1 1 至 少 —部 份 9 1 1 其中 該 黑 色 矩 陣 的 該 金 屬 包 含 由 鋁 » 鉅 及 鉻所組成 的 1 | 請 1 | 群 組 中所 選 出 之 -- 材 質 0 Μ I I 讀 1 5 . — 種 主 動 矩 陣 E L 顯 示 器 包 含 * 背 1 1 乏 1 一薄 膜 電 晶 體 位 於 —* 基 體 上 且 包 含 源 極 區 -- 汲 極 注 意 1 區 一位 於 該 源 極 區 及 該 汲極 區 之 間 的 通道 區 9 及 一 閘 極 寧 項 1 1 再 | 電 極 位於 該 通 道 區 附近而 具有 一 閘 極絕 緣膜位於 其 間 ： 填 寫 1 裝 一中 介 層絕緣 膜包含 氮 化矽被 設 置 於 該 源 極 區 » 該 汲 頁 1 ! 極 區 ，該 通 道 區 該 閘 極絕 緣 膜 及 該 閘 極 電 極 之 上 1 1 一像素 電 極 位 於 該 中 介 層 絕 緣膜 之 上 且 與 該 源 極 區 及 1 I 該 汲 極區 中 之 —k 者 連 接 1 訂 1 一 E L 層 位 於 該 像 索 電 極 之 上 及 1 1 1 '罩 膜 用 以 遮 蔽 該 像 素薄 膜 電 晶 體 FUZ. 〇 1 1 6 . —. 種 主 動 矩 陣 E L 顯 示 器 包 含 1 1 一薄 膜 電 晶 體 位 於 —. 基 體 上 且 包 含 一 源 極 區 ~* 汲 極 線 1 區 一位於 該 源 極 區 及 該 汲 極 區 之 間 的 通 道 區 及 一 閘 極 1 1 電 極 位於 該 通 道 區 附 近 而 具 有 —. 閘 極 絕 緣 膜 位 於 其 間 1 1 ——中 介 層 絕 緣 膜 包 含 氮 化矽 被 設 置 於 該 源 極 區 該 汲 1 極 區 ，該 逋 道 區 該 閘 極 絕 緣 膜 及 該 閘 極 電 極 之上 ϊ 1 1 一像 素 電 極 位 於 該 中 介 層 絕 緣 膜 之 上 且 與 該 源 極 區 及 1 1 1 該 汲 極區 中 之 一 者 連 接 及 1 1 -E L 層 位 於 該 像 素 電 極 之 上 t 及 1 I 一罩 膜 包 含 一 金 屬 用 以 遮 蔽 該 像 素 薄 膜 電 晶 體 1 1 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） 一 3 — 4 3 9〇〇3 A8 Bg C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 其中該黑色矩陣的該金靥包含由鋁，鉅及鉻所組成的 群組中所選出之一材質。 7 . —種主動矩陣E L顯示器包含： 一像素薄膜電晶體位於一基體之上且包含一閘電極， 一閘絕緣膜位於該閘電極之上，一源極區，一汲極區* 一 通道區位於該源極區及該汲極區之間且在該閘絕緣膜之上 » 一中介層絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區，該汲 極區，該通道區，該閘極絕緣膜及該閘極電極之上； —像素電極位於該中介層絕緣膜之上且與該源極區及 該汲極區中之一者連接， 一 E L層位於該像素層電極之上，及 —罩膜用以遮蔽該像素薄膜電晶體》 8.—種主動矩陣EL顯示器包含： —像素薄膜電晶體位於一基體之上且包含一閘電極， 一閘絕緣膜位於該閘電極之上，一源極區，一汲極區，一 通道區位於該源極區及該汲極區之間且在該閘絕緣膜之上 * 一中介層絕緣膜包含氮化矽被設置於該源極區，該汲 極區，該通道區，該閘極絕緣膜及該閘極電極之上： 一像素電極位於該中介層絕緣膜之上且與該源極區及 該汲極區中之一者連接，及 一 E L層位於該像素電極之上：及 —罩膜包含一金靥用以遮蔽該像素薄膜電晶體| ---------^------,訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 439003 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消贷合作社印製 六、申請專利範圍 其中該黑色矩陣的該金屬包含由鋁•钽及鉻所組成的 群組中所選出之一材質· 9. 如申請專利範圍第1項的顯示器其中該黑色矩陣 的該金靥包含由鋁，钽及鉻所組成的群組中所選出的材料 a 10. 如申請專利範圍第2項的顯示器其中該黑色矩 陣的該金屬包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材 料。 1 1 .如申請專利範圍第3項的顯示器其中該黑色矩 陣的該金靥包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的衬 料。 12. 如申請專利範圍第4項的顯示器其中該黑色矩 陣的該金羼包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材 料。 13. 如申請專利範圍第5項的顯示器其中該罩膜的 該金屬包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材料。 14. 如申請專利範圍第6項的顯示器其中該罩膜的 該金屬包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材料。 15. 如申請專利範圍第7項的顯示器其中該罩膜的 該金羼包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材料* 16. 如申請專利範圍第8項的顯示器其中該罩膜的 該金屬包含由鋁、鈦及鉻所組成的群組中所選出的材料》 17. 如申請專利範圍第1項的顯示器其中該主動矩 陣E L顯示器爲一主動矩陣場致發光顯示器。 ---------裝— (請先閱讀背面.之注意事項再蛾寫本瓦) 訂 線 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CMS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 439003六、申請專利範圍 1 8 .如 陣E L顯示器 1 9 .如 陣E L顯示器 2 0 ·如 陣E L顯示器 2 1 .如 陣E L顯示器 2 2 .如 陣E L顯示器 2 3 .如 陣E L顯示器 2 4 ·如 陣E L顯示器 2 5 .如 絕緣膜包含氮 2 6 .如 絕緣膜包含氮 2 7 ·如 絕緣膜包含氮 2 8 .如 絕緣膜包含氮 2 9 .如 絕緣膜包含氮 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 申請專利範 爲一主動矩 A8 B8 C8 D8 圍第2項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器* 圍第3項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器。 圍第4項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器。 圍第5項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器* 圍第6項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器。 圍第7項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器》 圍第8項的顯示器其中該主動矩 陣場致發光顯示器。 圍第1項的顯示器其中該中介層 申請專利範 化矽。 申請專利範圍第2項的顯示器其中該中介層 化矽。 申請專利範圍第3項的顯示器其中該中介層 化矽》 申請專利範圍第4項的顯示器其中該中介層 化矽。 申請專利範圍第5項的顯示器其中該中介層 化矽。 本紙佚尺度適用中國國家揉準（〇见）人4規格（210父297公鼇） ---------潔-- 冉填 (請先W讀背面之注意事項再^寫本頁) 、-!! 6
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