TW381206B - Intermediate potential generating circuit - Google Patents

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TW381206B
TW381206B TW085110769A TW85110769A TW381206B TW 381206 B TW381206 B TW 381206B TW 085110769 A TW085110769 A TW 085110769A TW 85110769 A TW85110769 A TW 85110769A TW 381206 B TW381206 B TW 381206B
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mos transistor
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Youichi Tobita
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Mitsubishi Electric Corp Jp
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Description

五 Μ Β7 經濟部中央操準局員工消費合作社印製 發明説明（2) 相同電阻値，第—節點QN之電位爲咖 面因爲雷阳cc vth D另 方 、、R 彼此具有㈣電阻値，第1點0P 《電位爲1/2VCC+Vth。 第一節點QP 晶體：輸出節點之電位經常變動，開啓輪出級電晶體之電 Q6以維持輸出節點的電位在1/)% 。祕!二如:"述之習知中間電位產生電路:：在-問題， 1出電位很難良好的控制，因爲 |Λ/ ,, 包句日體 <臨限電壓 電左右，而使用低電壓電源，M〇S電晶體之 ==_極大百分比。再者，習知中間電位產生 一缺點，因爲各電晶體料Q6之源閑電壓具有 =’。一貫通電流經輪出級電晶體㈣-流動產 =發明係爲了解決上述問題而產生，且本發明之目的 扼供':種高精準之中間電位產生電路，即使任何雜訊混 入屋生之電位，其能快速地回到預定電位。 本發明之另-目的係提供—種中間電位產生電路，其 不具有貫通電流，因此功率消耗很少。 ’、 “本發明之再—目的係提供—種中間電位產生電路，其 能防止輸出在中間電位四周振遙。 根據本發明之特徵，中間電位產生電路包括·定電壓 產生電路包括在電源電& ^點和接地電位節點間連接之 電屢分配電路，且產生第一和第二電位，其彼此和中間電 位稍微不同；N通道聰電晶體，在電源電位節點和中 間電位節點間連接且接收對應第—電位之電位至其閘極； 本纸張尺度剌t ® ϋ準（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· ----訂---- —I I I . 五 圖 圖 圖 圖 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 發明説明（2 ) ~~'" —----*- 二通道MOS電晶體，在中間電位節點和接地電位節點間連 接且接收對㈣二電以電似其_，·騎徵在於任一 該一 MOS電晶體之背閘係連接至其閘極。 圖式之簡單説明： 第1圖係本發明應用之DRAM的方塊圖。 第 2圖係第1圖緣示之内部電位產生電路群的 方塊圖。 a第3圖係繪示本發明之M〇s電晶體之臨限電壓相關于 背閘和源極間之電壓的特性圖表。 第4圖係本發明之令間電位產生電路的電路圖。 第5圖係本發明之另一例之中間電位產生電路的電路 第6圖係本發明之再—例之中間產生電路的電路圖。 第7圖係本發明之更—例的中間電位產生電路的電路 第8圖係本發明之尚一例的中間電位產生電路的電路 第9圖係本發明之再__例之中間電位產生電路的電路 第1〇圖係習知之中間電位產生電路的電路圖。 所有圖中相似之元件給予相同的數字。 較佳實施例之詳細敘述 第1圖係繪示本發明應用之dram(動態隨機存取言 U體）10 0的方塊圖’包括内部電位產生電路群2 〇 〇、 本紙張尺度適用中國
210X297 公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) POR(Power On Reset電源啓動重置）電路210及包括複數記 憶體儲存單元配置在複數列之記憶體儲存單元陣列 (memory cell array)l01 。/RAS(列位址閃控 Row Address Strobe)緩衝器lio接收自外部施加之外部/RAs信號及輸出 /RAS信號至位址緩衝器丨3〇 ;和/CAS(行位址閃控）緩衝器 120接收自外部施加之外部/Cas信號及輸出/Cas信號至 位址緩衝器130。位址緩衝器13〇接收外部位址信號ext 八^卜0，1，2,........）及/RAS信號，閂鎖外部位址信號extAi， 輸出内部電路用之列位址信號RAi和/RAi，且接收外部位 址信號ext Ai(i=〇,l，2,)及/CAS信號，閂鎖外部位址信 號extAi，及輸出内部電路用之行位址信號CAi*/CAi。 列解碼器數字140自位址緩衝器13〇接收列位址信號 RAi和/RAi且挑選對應的字元線；行解碼器15〇自位址緩 衝态130接收CAi和/CAi信號且挑選對應的感測放大器及 uo電路17Q，其放大數^線上讀出之記憶體儲存單元101 ^電位，且轉移數元線上讀出之記憶體儲存單元101之資 數字I60 ‘示字元驅動器，其用來升壓列解碼器 挑C之字7C線的電位；18〇標示讀寫控制電路，其接收自 卜部族加之寫人致能信號ext/WE及輸出致能信號 加/OE，且輸出用來控制内部電路之讀寫的信號衝；及 ⑽H/〇緩衝器，其自讀寫控制電路刚接收信號 :時自外部施加之資料ext⑽經過資料線轉移至 心別放大器及l/0電路17〇， 楮摊抑々--、 且°買出貝枓ext Dout時自記 U體_存早元讀出資料經 欲大器及^/o電路17〇和 尺度適用中5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 ο 訂 五 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、發明説明（4) " 資料線輸出至I/O接腳。 第2圖係第1圖緣示之内部電位產生電路群的方 塊圖，及包括用來產生較接地電位Vss低之基板電位、 疋vBB產生電路220，用來產生較Vcc高之升壓電位 < νΡΡ產生電路230，用來產生#作電妹電位㈣細 P〇tentiai)Vcp及數元線預充電位（bit ㈣—哪 P〇temiai)vBL之中間電位i/2Vcc之中間電位產生電路 240，和用來產生參考電壓I之參考電位產生電路㈣。 第2圖繪示之本發明之中間電位產生電路係參照第4 至9圖描述。第4圖中，參考數字2仏標示施加電源電位 VCC之電源電位節點；數字㈣標示接地電位節點，此處 爲施加接地電位Vss ;數字241標示控制電位產生電路， 用來產生一電位(第—及第二輸出電位)對應電晶體之臨限 電壓；數字241_標示中間電位輸出節點；數字MW栌 示N通道MOS電晶體，其在電源電位節點24ia和中間； 位輸出節點241_間連接，且其中間極連接至控制電位產 生電路24!之第-輪出節點24_且背閘連接至其開極； 及數字241P標示p通道細電晶體，其在接地電位節點 24lb和中間電位輸出節點川。m間連接，且其中間極連接 至控制電位產生電路⑷之第二輸出節點24吵且背 接至其閘極。 然後，以下描Μ 4圖之控制電位產生電路如之配 置。爹考數字24U1和24.卜2標示相同電阻値之電阻元件， 且其在電源電位節點241a和電晶冑24hu間串聯連接，以 本纸張尺度適用中國國家標準（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 Μ Μ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5) 下將有描述；數字241nl和241n2標示相同電晶體尺寸之 N通道MOS電晶體，其各爲二極體連接，且其背閘連接至 閱極 N通道MOS電晶體241nl和24ln2在電阻元件 241r2和接地電位節點241b間串聯連接，俾自電阻元件 24U2至接地電位節點241b順向配置。數字24U3和24ir4 標示相同電阻値之電阻元件·，數字241pl和24】p2標示相 同電晶體尺寸之P通道MOS電晶體，其各爲二極體連接， 且其背閘連接至閘極，P通道M〇s電晶體241pl和24ip2 在電源電位節點241a和電阻元件241r3間串聯連接，俾自 電源電位節點241a至電阻元件241r3順向配置。 背閘連接至閘極的M〇s電晶體之臨限電壓將在下文 參照第3圖描述。第3圖概略地繪示M〇s電晶體之臨限電 壓vth的升降相關于背閘和M〇s電晶體之源間之電位差 VBS的圖表。且電位差示于下列表示式（1)。 异宁：Vbs代表背閘電壓（在源電壓的基礎上），κ代表基 板效應常數，及抑代表基板表面電位，及ν()代表當ν沾=〇ν 時之臨限電壓。 ‘ 在第3圖之圖表中，（幻代表一點，該點背閘和m〇s 電晶體之源極間之電位差Vbs和M〇s電晶體之臨限電壓 vth相等。如第3圖所明示者，在習知Vbs= i 5v有可能減 少其臨限電壓自〇.7v至〇 25V，在Vbs=gv因爲^和I 相等其較MOS電晶體之臨限電壓〇 35V少〇 lv。由連接 背閘和MOS電晶體之閘極可得到％尸Vth。下列之敘述 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r .裝. 、-° + K [( 2φΡ + VBS )1/2 — ( 2φκ)
V th \η. (匸奶）八4規格（21〇\ 297公釐） A7 五、發明説明（6) 中，爲了區別，|Vth0|指在連接背開和閘極時，M〇s電θ 體之臨限電壓的絕對値，而丨Vth丨指5V的習知臨^ 電壓。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 I 馬 裝 本个 頁 然後，以下描述上述配置之中間電位產生電路之操 作。背閛連接至其閘極之N通道M 〇 s電晶體2 4丨n丨和2 41 η 2 的臨限電壓的絕對値爲|Vthnd，且ρ通道M〇s電晶體的臨 限電壓的絕對値爲丨Vthp〇|。由於電阻元件24m、24^2和 N通道M0S電晶體241nl、241n2<阻性分配，控制電位 產生電路241 <第一輸出節點241QN產生i/2n“ 之電位。另—方面，由於電阻元件2彻、MW和p通道 MOS電晶體241Ρ1、24ιρ2之阻性分配，控制電位產生電 路24!之第二輸出節點241Qp產生1/2V—之電位。 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 注意N通道M0S電晶體241N之操作，首先，當中間 輸出節點:4lout爲1/2Vcc時，電晶體24m之閘極和源極 間《電壓馬|Vthn0卜且背間和源極間之電壓爲^%_卜由是電 晶體241N之臨限電壓的絕對値爲丨νηΜ丨，使其至開路狀態 和閉路狀態間之邊界狀態。若中間電位輸出節點Μ⑽低 於1/2 VCC，閘極和源極間之電壓變成高於|v_丨，且背閘和 '原極間之電壓髮成高於|ν·()|，因此臨限電壓之絕對値小於 L由是形成較強開路狀態。因此，電荷供應至中間電 位節點241out，且中間電位輸出節點24l〇m之電位上升。 另方面，N通道MOS電晶體241N内，若中間電位輸出 節點241 out鬲於i/2Vcc，閘極和源極間之電壓變成低於 |Vthn()|，且背閘極和源極間之電壓變成低於丨乂^)丨，因此臨限 10 (210X 297公釐） 本紙張尺度適用中 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 —---------- B7 1五、發明湖（7) — — ' ~ '—電恩之絕對値大於|Vthn。卜由是形成較強閉路狀態。因此， 停止供應電荷至中間電位節點241〇ut。 其次，關於P通道MOS電晶體241P之操作，當中間 輪出節·點241_爲1/2Vcc時，電晶體241p《開極和源極 間〈電壓爲-|Vthp()| ’且背閘和其源極間之電壓爲_丨乂—，由 是電晶體24iP之臨限電壓的絕對値爲π—，使其至開路 狀態和閉路狀態間之邊界狀態。 ^再者，P通道MOS電晶體2411>内，若中間電位輸出 節點241〇ut之電位高於1/2Vcc，間接和源極間之電壓降至 低於-丨vthp0|，且背閘和源極間之電壓降至低於—|v_()丨，因此 臨限電愿之絕對値小$Vthp〇|，由是形成較強開路狀賤。因 此，此電荷流出中間電位節點241〇m，且此中間電位輸出 節點241_之電位下降。又，另—方面，若中間電位輸出 知點241〇ut低於1/2Vcc，間奸源極間之電壓變成高於_ lvthp山且背間和源極間之電屢變成高於_丨^，因此臨 限電壓之絕對値大於|Vthp()丨，由是形成較強閉路狀態。因 此，停止自中間電位節點241〇ut流出電荷。 〃如上所述’藉由自電源電位節點2仏至中間電位輸出 知點241_供應電荷或藉由自中間電位輪出節點 至接地電位節點241b流出電荷，中間電位輸出節點2偏 之電位自動變成1/2VCC，且此電位不改變。 第5圖係緣示另一中間電位產生電路。第5圖中，參 考數字242a標示施加電源電位Vcc之電原電位節點；數字 鳩標示接地電位節點，此處爲旅加接地電位Vss ;數字11 本紙張尺錢财關家標準（CNS ) Λ4規格（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 1Θ線 242 ‘不控制電位產主電路，用 ，则電晶體⑽電壓;數字 電位輪出節點；數字24脚亍N、…0加W中間 電源電位節點24ΛΓ 通 電晶體，其在 ^點242a和中間電位輸出節點242⑽間連接， 242〇νΓΪ達接至控制電位產生電路242之第一輸出節點 電日體接至其間極；及數字242Ρ標示ρ通道m〇s 叫體’其在接地電位節點242b和中間電 242Γ間連接，且其中閘極連接至控制電位產生電路242 <第-輸出節點242QP且背間連接至其開極。 第5圖所示之中間電位產生電路和第々圖所示之 電位產生電路之不同處位在於㈣電位產生電路242之配 置，因此以下描述控制電位產生電路242之配置。參考數 字242rl和242Γ2標示相同電阻値之電阻元件，電阻元件 242f 1在電源電位節點242a和控制電位產生電路⑷之第 -輸出節點242QN間連接，而電阻元件24μ在接地電位 節點242b和控制電位產生電路242之第二輸出節點2 間連接。數字242nl標示二極體連接之N通道職電晶 體’且其背㈣接至祕；數字242ρΐ標示二極體連接之 P通道MOS電晶體，且其背間連#至間極。n通道μ〇§ 電晶體242ΓΠ和P通道MOS電晶體242pl在第—輪出節點 242QN和第二輸出節點242QP間串聯連接，俾自第一輸出 節點242QN至第二輸出節點242QP順向配置。 接著以下描述上述配置之第5圖之中間電位產生電路 之動作。13: N通€ MOS電晶體之臨限電壓的絕對値爲 12 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
I I ___________B7 五、發明説明（9 ) 丨Vthn〇|，而P通道MOS電晶體之臨限電壓之絕對値爲丨Vthp〇h 由於電阻元件242rl、242r2和N通道MOS電晶體242nl 及P通道MOS電晶體242p 1之阻性分配，控制電位產生電 路 242 之第一輸出節點 242QN 產生 l/2Vcc+l/2(|Vtlip0|+ 丨Vthnol)之電位。另一方面，由於阻性分配，第二輸出節點 242QP 產生 1/2乂(^一1/2(丨乂〇113。丨+丨¥_〇丨)之電位。 注意N通道MOS電晶體242N之操作，首先，當中間 輪出節點242_之電位爲i/2vcc+1/2(丨Vthp〇HVthn〇丨)時，閑 極和源極間之電壓爲|Vthn〇|，且背閘和源極間之電壓亦爲 ivthn0|，由是臨限電壓的絕對値爲丨Vthn〇丨，使其至開路狀態和 閉路狀態間之邊界狀態。若中間電位輪出節點242〇如之電 位降土低於1/2\^(：+1/2(丨\^1_丨-丨\/\1111〇丨）時，閘極和源極間之 電壓變成高於|Vthn()|，且背極和源極間之電壓變成高於 jvthn0|，因此臨限電壓之絕對値小於丨Vthn〇丨，由是形成較=開 路狀態。因此，電荷供應至中間電位節點242〇加，且中間 電位輸出節點242〇ut之電位上升。另一方面，N通道m〇Bs 電晶體242N内，若中間電位輸出節點242〇m之電位升至 π於l/2Vcc+l/2(|Vthp〇|-|VthnQ|)，閘柩和源極間之電壓變成 低於丨Vthnd，且背閘和源極間之電壓變成低於丨％丨_丨，因此臨 限電壓之絕對値大於丨V,hll()l，由是形成較強閉路狀態。因 此，停止供應電荷至中間電位節點242mlt。 〜 ' 其次，關於P通道MOS電晶體242P之操作，當中ρ 242out^€^4 l/2Vcc+l/2(,Vthp(HVth^ , ^ 極和源極間之電壓爲_|Vthp〇|，且背鬧和其源極間之電壓爲 13
m^n ^ϋκ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----- .I 1 HVthp0|，由是臨限電壓的筚 態和閉路狀態収邊界^㈣爲〜丨’使其至開路狀 再者，P通道MOS電晶體242p内，若中間電位輪出 杯 m β 升阿於 1/2Vcc+i/2(lv【hP〇HV(ilI1〇l)，閘 =源招間之電壓降至低於―Vthpf)|，且背間極源極間之電 於Η%丨，因此臨限電壓<絕對値小於Ή 疋形成較強開路狀態。因此，此電荷流出中間電位節點 242_，且此中間電位輸出節點.242。以電位下降。又: 方面’右電仫輸出節點2420ut <電位降至低於 l/2Vcc+l/2(|Vthp〇Hvthn〇1) ，間極和源極間之電壓變成*於 且背閘和源極間之電壓變成高於n因二 限電壓之絕對値大於iv_l，由是形成較強閉路狀態。因 此，停止自中間電位節點242out流出電荷。 *如上所述，藉由自電源電位節點灿至中間電位輪出 節點242_供應電荷或藉由中間電位輸出節點⑷⑽至 地電位節點流出電荷，中間電位輸出節點川_之 =i:2Vr+1/2GVth 鳥携 H電位輸出知點242〇ut恒輸出，且此電位不改變。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第6圖係繪示本發明另一實施例之中間電位產生電 路。第6圖中，參考數字243a標示施加電源電位〜之電 源電位節點；數字243b標示接地電位節點，此處爲施加接 電位Vss，數字243標示控制電位產生電路，用來產生 一電位(第一及第二輸出電位)對應電晶體之臨限電壓；數 字243_標示中間電位輸出節·點；數字2彻標示N通道 14
本纸張尺度賴巾_家轉（CNS 五 A7 B7 、發明説明（11 ) --~- 则電晶體’其在電源電位節點243a和中間 點243〇ut間連接，且其中閑極連接至控制電位產生電^ 243疋第—輸出節點24_且背間連接至其間極；及數字 243P爲標示P通道M〇s電晶體，其在接地電位節點 和中間電位輸出節點243〇ut間連接，且其中間極連接至抄 =電位屋生電路243之第二輸出節點24_且背閘連接至 其間極。 第6圖所示之中間電位產生電路和第*圖或第$圖所 示之中間電位產生電以不㈣錢㈣妹產生電路 243之配置，因此以下描述㈣電位產生轉243之配置。 電阻兀件243rl和243r2係相同電阻植之電阻元件，其自 電源電位節點243a串聯連接。複數N通道m〇s電晶體 243η1、243η2、243Π3及243n4，其各爲二極體連接，且 其背閘連接至閘極，在電阻元件2伽和接地電位節點 243b間串聯連接，俾自電阻元件24μ至接地電位節點 243b順向配置，由是電阻元件2伽、通道應 電晶體243nl、243n2、24m 243n4形成電壓分配電 路243c’用來自節點243(}1產生電位i/2Vcc+2“ 第-電壓分配電路243d中，複數？通道M〇s電晶體 243pl、243P2、243P3和243P4,各爲二極體連接且各背 閘連接至閘極’其係在電源電位節點灿和電阻元件 渐3間串聯連接，俾自電源電位節點243a至電阻元件 243r3間順向置。相同電阻値之電阻元件2咖和⑷r4 自MOS電晶體243P4和接地電位節點㈣串聯連接，由 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 , , B7 五、發明説明（12) 是電阻元件243r3、243r4和P通道MOS電晶體243pl、 243p2、243p3及243p4形成電壓分配電路243d，用來自 節點 243q2 產生電位 l/2Vcc-2|Vthp0|。 參考數字243r5和243r6標示相同電阻値之電阻元 件，和數字243p5及243p6分別標示二極體連接之P通道 MOS電晶體，其各背閘連接至閘極，且在電源電位節點 243a和電阻元件243r5間串聯連接俾自電源電位節點243a 至電阻元件243r5順向配置。數字243n5和243n6分別標 示二極體連接之N通道MOS電晶體，其各背閘極接至閘 極且在電阻元件243r6和接地電位節點243b間串聯連接俾 自電阻元件243r6和接地電位節點243b順向配置。此P通 道 MOS 電晶體 243p5、243p6、電阻元件 243r5、243r6 及N通道MOS電晶體243n5、243n6形成電壓分配電路 243e，用來自電阻元件243r5和243r6之連接節點243q3 產生電位 l/2Vcc+(|Vthn〇HVthp0|)。 參考數字243n7標示N通道MOS電晶體，其在電源電 位節點243a和控制電位電路243之第一輸出節點243QN 間連接，且閘極連接至出現電位l/2Vcc-2|Vthll()|之節點 243ql，且背閘連接至閘極，且數字243p7標示P通道MOS 電晶體，其在接地電位節點243b和控制電位電路243之第 一輸出節點243QN間連接，且閘極連接至出現電位 1/2乂^+(|¥_。卜|乂_。丨）之節點243q3，且背閘連接至閘極。 此N通道MOS電晶體243n7和P通道MOS電晶體243p7 形成電位產生電路243f，用來輸出電位l/2Vcc+|Vthn0丨至節 16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
C 裝· -5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 , , B7 五、發明説明（13) 點 243QN。 再者，參考數字243n8標示N通道MOS電晶體，其在 電源電位節點243a和控制電位電路243之第二輸出節點 243QP間連接，且閘極連接至出現電位l/2Vcc+(|Vthn0|-|Vthp〇|)之節點243q3 ，且背閘連接至閘極，且數字243p8 標示P通道MOS電晶體，其在接地電位節點243b和控制 電位電路243之第二輸出節點243QP間連接。且閘極連接 至出現電位l/2Vcc-2|Vthp〇|之節點243q2，且背閘連接至閘 極。此N通道MOS電晶體243n8和P通道MOS電晶體243p8 形成電位產生電路243g，用來輸出電位l/2Vcc-|Vthp〇|至節 點243QP。且電壓分配電路243c、243d和234e形成電位 產生電路243h ，用來分別輸出三電位l/2Vcc+2|Vthn〇h l/2Vcc+(iVthn〇HVthp0|)及 l/2Vcc-2|Vthp0| 至節點 243ql 、 243q3 及 243q2 〇 然後，以下描述上述配置之第6圖之中間電位產生電 路。因爲電位產生電路243f之Ν通道MOS電晶體243η7 在閘極接收自電壓分配電路243c之電位l/2Vcc+2|Vthn0|， 當控制電位產生電路243之第一輸出節點243QN之電位爲 l/2Vcc+|Vthn()|時，閘極和源極間之電壓爲|Vthll〇|，且背閘和 源極間之電壓爲|Vthll()|，由是臨限電壓之絕對値爲丨Vthn0|，其 在開路狀態和閉路狀態間之邊界狀態。再者，當第一輸出 節點243QN之電位低於l/2Vcc+|Vthll()|時，N通道MOS電 晶體243n7之閘極和源極間之電壓變成高於|Vth„()|，且背極 和源極間之電壓也變成高於|VthllC)|，因此臨限電壓之絕對値 17 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 A7 , , B7 五、發明説明（14 ) 小於丨Vthn〇丨，由是形成較強開路狀態。另一方面，當第一輸 .出節點243QN之電位高於l/2Vcc+|Vthn0|時，N通道MOS 電晶體243n7之產生和源極間之電壓變成低於|Vthn〇卜且背 閘極和源極間之電壓變成低於|Vthn〇|，因此N通道MOS電 晶體243n7之臨限電壓之絕對値大於|Vthn()|，由是N通道 MOS電晶體243n7内形成較強閉路狀態。 關於P通道MOS電晶體243p7，當控制電位產生電路 243之第一輸出節點243QN爲l/2Vcc+|Vthn0|時，閘極和源 極間之電壓爲-|Vthp0|，且背閘和其源極間之電壓爲-|Vthp0卜由是臨限電壓的絕對値爲|Vthpo卜其爲開路狀態和閉 路狀態間之邊界狀態。再者，另一方面，當第一輸出節點 243QN之電位高於l/2Vcc+|Vthn〇|時，閘極和源極間之電壓 降至低於-|Vthp〇|，且背閘和源極間之電壓降至低於-|Vthp0|，因此臨限電壓之絕對値小於|Vthp()|，由是形成較強開 路狀態。另一方面，當第一輸出節點243QN之電位低於 l/2Vcc+|Vthn。丨時，閘極和源極間之電壓變成高於-|Vthp0|，且 背閘極源極間之電壓變成高於-|Vthp()|，而臨限電壓之絕對 値大於|Vthp()|，由是形成較強閉路狀態。 如上所述，藉由電位產生電路243f内之N通道MOS 電晶體243n7和P通道MOS電晶體243p7至控制電位產生 電路243之第一輸出節點243QN供應電荷或藉由自控制電 位產生電路243之第一輸出節點243QN流出電荷，控制電 位產生電路243之第一輸出節點243QN之電位變成 l/2Vcc+!Vthn〇! ° 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（15) ~~~~~一'' —--- 因爲電位產生電路243g之N通道则電晶體池8 自電壓分配電路243e在閘極接收電位1/2Vc^Vth^_ |Vthp0丨），當控制電位產生電路243之第二輸出節點243Qp 之電位爲l/2Vcc-|Vthp〇|時，閛極和源極間之電壓爲丨， 且背閉和源極間之電壓爲|Vthn()| ’由是臨限電壓之絕對値爲 ivthn0丨，其在開路狀態和閉路狀態間之邊界狀態。再者，當 第二輸出節點243QP之電位低於l/2VccHVthp〇i時，N通道 MOS電晶體243n8之閘極和源極間之電壓變成高於 |Vthn〇1，且背閘和源極間之電壓也變成高於丨Vthn()丨，而臨限電 壓之絕對値小於丨Vthn〇|，由是形成較強開路狀態。另一方 面，當第二輸出節點24SQP之電位高於1/2Vcc一丨Vt_丨時， 閘極和源極間之電壓變成低於丨Vthn〇|，且背鬧和源極^之電 壓變成低於|VthnG|，而臨限電壓之絕對値大於丨VthnQ|，由是形 成較強閉路狀態。 關於P通道MOS電晶體243p8，因爲電位產生電路 243g内之p通道m〇s電晶體243p8自電壓分配電路243d 在閘極接收電位1/2Vcc—2|VthpQ丨，當控制電位產生電路243 疋第二輸出節點243QP之電位爲i/2Vcc—丨Vthp〇丨時，間極和 源極間之電壓爲HVthp0|，且背閘和源極間之電壓爲_丨％叶。丨 ’由是臨限電壓之絕對値爲丨Vthp〇丨，其在開路狀態和閉路狀 態間之邊界狀態。P通道MOS電晶體243p8内，當第二輪 出節點243QP之電位高於1/2 VccHVtl_丨時，閘極和源極間 之電壓降至低於HVthp〇丨，且背閘和源極間之電壓降至低於 HVthp„h而臨限電壓之絕對値小於丨Vthp〇1，由是形成較強開 本紙張尺度適用中關家縣（CNS ) M規格（21Q>< 297公 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ , , Β7 五、發明説明（16) 路狀態。再者，當第二輸出節點243QP之電位低於 1/2 Vcc-|Vthp〇丨時，閘極和源極間之電壓變成高於-|Vthp〇|，且 背閘和源極間之電壓變成高於-|Vthp〇丨，而臨限電壓之絕對 値大於|Vthp〇|，由是此P通道MOS電晶體243p8内形成較 強閉路狀態。 以此方式，藉由由電位產生電路243g内之N通道MOS 電晶體243n8和P通道MOS電晶體243p8至控制電位產生 電路243之第二輸出節點243QP供應電荷或藉由自控制電 位產生電路243之第二輸出節點243QP流出電荷，控制電 位產生電路243之第二輸出節點243QP之電位變成 l/2Vcc-|Vthp0|。 當中間電位輸出節點243out低於1/2VCC時，其閘極連 接至控制電位產生電路243之第一輸出節點243QN之N遒 道MOS電晶體243N藉由自電源電位節點243a供應電荷至 中間電位輸出節點操作上升中間電位輸出節點243out之電 位。另一方面，當中間電位輸出節點243out高於1/2VCC 時，其閘極連接至控制電位產生電路243之第二輸出節點 243QP之P通道MOS電晶體243P藉由自中間電位輸出節 點243out流出電荷至接地電位節點243b操作降低中間電 位輸出節點243out之電位。以此方式，藉由供應中間電位 輸出節點243out電荷或藉由自中間電位輸出節點243out 流出電荷，產生中間電位1/2 Vcc且維持不變。 第7圖係繪示本發明再一實施例之中間電位產生電 路。第7圖中，參考數字244a標示施加電源電位Vcc之電 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ο 裝- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 ( B7五、發明説明（17) 源電位節點；數字244b標示接地電位節點，此處爲施加接 地電位Vss ;數字244標示控制電位產生電路，用來產生 二電位（第一及第二輸出電位）對應電晶體之臨限電壓；數 字244 out標示中間電位輸出節點；數字244N標示N通道 MOS電晶體，其在電源電位節點244a和中間電位輸出節 點244out間連接，且其·中閘極連接至第一輸出節點244QN 且背閘連接至閘極；及數字244P爲標示P通道MOS電晶 體，其在接地電位節點244b和中間電位輸出節點244out 間連接，且其中閘極速接至第二輸出節點241QP且背閘連 接至閘極。 第7圖所示之中間電位產生電路和第4至6圖所示之 中間電位產生電路之不同處在於控制電位產生電路244之 配置，因此以下描述控制電位產生電路244之配置。參考 數字244rl和244r2標示相同電阻値之電阻元件；數字 244nl和244n2分別標示二極體連接之N通道MOS電晶 體，其各背閘連接至閘極；及數字244pl和244p2分別標 示二極體連接之P通道MOS電晶體，且其各背閘連接至閘 極。N通道MOS電晶體244nl和P通道MOS電晶體244pl 在節點244ql和節點244q3間串聯連接，俾自節點244ql 至節點244q3順向配置，且N通道MOS電晶體244n2和P 通道MOS電晶體244p2在節點244q3和節點244q2間串聯 連接，俾自節點244q3至節點244q2順向配置，藉以形成 電位產生電路244h，用來分別輸出三電位1/2Vcc+|Vthn0|+ |Vthp0丨、l/2Vcc及l/2Vcc-丨Vthn。HVthp0丨至節點 243ql、 21 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
C •裝' 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
、發明説明（18) 243q3 及 244q2 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 數字244n3標示N通道MOS電晶體，其在電源電位節 點244a和控制電壓產生電路244之第一輸出節點244qn 之間連接，且其中閘極連接至節點，且背閘連接至 間極；數字244p3標示P通道M〇s電晶體，其在接地電位 節點244b和控制電壓產生電路244之第一輪出節點244qn 間連接，且其中閘極連接至節點244q3，且背閘連接至閘 桎。N通道MOS電晶體244n3和P通道MOS電晶體244p3 形成電位產生電路244f。數字244114標示N通道M0S電 w體，其在電源電位節點244a和控制電壓產生電路244之 第二輸出節點243QP之間連接，且其中閘極連接至節點 244q3，且背閘連接至閘極;且數字244p4標示p通道m〇s 電曰日體，其在接地電位節點244b和控制電壓產生電路244 之第二輸出節點244QP間連接；且其中閘極連接至節點 244q2，且背閘速接至閘極。N通道M〇s電晶體和 P通道MOS電晶體244p4形成電位產生電路244g。 然後’以下描述上述配置之第7圖之中間電位產生電 路。在此設N通道MOS電晶體之臨限電壓之絕對値爲 丨Vthnol，且P通道MOS電晶體之臨限電壓之絕對値爲丨〇丨。 因爲電位產生電路244f内之N通道MOS電晶體244n3自 電位產生電路244h在閘極接收電位1/2Vee+丨， 當控制電壓產生電路244之第一輸出節點244QN之電位爲 1/2Vcc+|Vthp0丨時，N通道MOS電晶體24如3内之閘極和源 極間之電壓爲ivthn0|，且背閘和源極間之電壓爲丨Vthn〇|，由是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I— I mr (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ο -—"、1T- .— J·..-- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ' 五、發明説明（19) ^ -- N通道MOS電晶體244n3之臨限電壓之絕對値爲丨， 其在開路狀態和閉路狀態間之邊界狀態。若第一輸出節點 244QN之電位變成低於iQVcc+IVthpol，N通道M〇s電晶 體243n3内之閘極和源極間之電壓變成高於丨丨，且背閘 和源極間之電壓變成高於丨Vthn〇丨，而控制電壓產生電路244 之臨限電壓之絕對値小於丨Vthn〇卜由是形成較強開路狀態。 另一方面，若第一輸出節點244QN之電位變成高於 AVcc+IVthpol，閘極和源極間之電壓變成低於丨乂化⑽丨，且背閘 和源極間之電壓變成低於丨Vthn()|，而N通道電晶體 244n3之臨限電壓之絕對値大於丨Vthn〇|，由是形成較強閉路 狀態。 關於P通道MOS電晶體24知3因爲p通道M〇s電晶 體自電位產生電路244h在閛極接收電位1/2¥沈，當控钿 電壓產生電路244之第一輸出節點244qN之電位爲 l/2Vcc+|Vthp。丨時，1>通道1^〇3電晶體244p3之閘極和源極 間之電壓爲—丨VthpQ丨，且背閘和源極間之電壓爲-丨Vthp()|，由 疋此P通道MOS電晶體244p3之臨限電壓之絕對値爲 |Vthp0|’其在開路狀態和閉路狀態間之邊界狀態。若控制電 壓產生電路之第一輸出節點244qN之電位變成高於 lUVcc+IVthpoi，244p3之閘極和源極間之電壓降至低於_ |Vthp〇|，且背閘和源極間之電壓降至低於—丨丨，而p通道 MOS電晶體244p3臨限電壓之絕對値小於|Vthp。丨，由是形成 較強開路狀態。另一方面，若控制電壓產生電路244之第 一輸出節點244QN之電位變成低於i/2Vcc+|Vthp〇|時，閘極 23 本紙張尺度適用中國國篆^ ( CNS )八4规格（21〇^^公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -·. . -------1J------ -裝--1---1 ί 訂 I.--- Φ---1----------- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ___________B7 , 五、發明説明_( 20 ) ' 一 '—~〜--- 和源極間之電壓變成高於-|Vthp0|，且背閘和源拯間 风巧於—丨Vthp〇1，而P通道MOS電晶體244P3之臨限 之絕對値大於丨Vthpol，由是形成較強閉路狀態。 以此方式，藉由經電位產生電路244f内之N通道M〇s 電晶體244n3和p通道M〇s電晶體244p3控制電鏖產生電 路244之第一輪出節點244QN供應電荷或藉由自控制電壓 產生電路244之第—輸出節點244QN流出電荷，控制電壓 產生電路244之第—輸出節點244QN之電位變成ι/2ν |Vthp0| 〇 再者’因爲電位產生電路244g之N通道MOS電晶體 244n4自電位產生電路244h在閘極接收電位1/2VCC，當第 一輸出知點244Qp之電位爲l/2Vcc-|Vthn。丨時，閘極和源極 之電壓爲|Vthn0|，且背閘和源極間之電壓爲丨ν_。丨，由是n 通道M〇S電晶體244n4之臨限電壓之絕對値爲|Vthn〇|，其 在開路狀態和閉路狀態間之邊界狀態。若第二輸出節點 244QP之電位變成低於1/2 Vcc-|Vthn()|，N通道MOS電晶體 244n4内之間極和綠極間之電壓變成高於丨Vthn0|，且背閘和 源極間之電壓變成高於|Vthn〇|，而N通道MOS電晶體244n4 <臨限電壓之絕對値小於丨Vthn〇卜由是形成較強開路狀態。 若第二輸出節點244qp之電位變成高Kl/iVcc-|Vthn。丨，閘極 和源極間之電壓變成低於丨Vthn〇丨，且背閘和源極間之電壓變 成低於|Vthn0卜而臨限電壓之絕對値大於|VthnQ|，由是形成較 強閉路狀態。 再者，因爲電位產生電路244g内之P通遒MOS電晶 本紙張尺度適用中國國家標率（CNSi ) M规格（210X297公釐） (，.請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____B7 ' 五、發明説明-(21 ) ~' 體244P4自電位產生電路244h在閘極接收電位1/2Vcc_ 丨Vthn〇HVthp〇卜當控制電壓產生電路244之第二輪出節點 244QP之電位爲l/2VccHVthn〇|時，閘極和源極間之電壓爲 -ivthp0|，且背間和源極間之電壓爲—丨ν_〇|，由是p通道m〇s 電晶體244P4之臨限電壓之絕對値爲丨VthpQ|，其在開路狀態 和閉路狀態間之邊界狀態。第二輸出節點244QP之電位高 於l/2Vcc-|Vthn〇|，閘極和源極間之電屢降至低於一丨％。丨， 且背閘和源極間之電壓降至低於-|VthpG|，而P通趲M〇S電 晶體244p4之臨限電壓之絕對値小於丨Vthp(^，由是形成較強 開路狀態。另一方面，第二輪出節點電位變成低於 l/2Vcc-|Vthn()|，閘極和源極間之電壓變成高於_%_丨，且背 閘和源極間之電磨變成高於-|Vthp〇卜而p通道m〇S電晶體 244p4之臨限電壓之絕對値大於丨vthp()|，由是形成較強閉卷 狀態。 以此方式，藉由經電位產生電路244g内之N通道MOS 電晶體244n4和P通道MOS電晶體244p4至控制電屢產生 電路244之第二輸出節點244QP供應電荷或藉由自控制電 壓產生電路244之第二輸出節點244QP流出電荷，控制電 壓產生電路244之第二輸出節點244QP之電位變成 1/2 VccHVthn。丨，且此電位不改變。 當中間電位輸出節點244out低於l/2Vcc+|Vthp〇HVthll〇l 時，其閘極連接至控制電位產生電路244之第一輸出節點 244QN之N通道MOS電晶體244N藉由自電源電位節點 244a供應電荷至中間電位輸出節點244out操作上升中間 .25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之.注意事項再填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 , , B7 五、發明説明（22 ) 電位輸出節點244out之電位。另一方面，當中間電位輸出 節點244out高於l/2Vcc+|Vthp〇HVthn〇丨時，其閘極連接至控 制電位產生電路244之第二輸出節點244QP之P通道MOS 電晶體244P藉由自中間電位輸出節點244out流出電荷至 接地電位節點244b操作降低中間電位輸出節點244out之 電位。 以此方式，藉由供應電荷至中間電位輸出節點244out 或藉由自中間電位輸出節點244out流出電荷，產生中間電 位i/:Vcc且維持不變。 上述配置之中間電位產生電路内，因爲各MOS電晶體 之臨限電壓|Vthn〇丨和丨Vthp〇|很小，能做高精準產生之電壓之良 好控制。 又，以下描述第8圖本發明另一實施例之中間電位差 生電路。第8圖中，控制電壓產生電路245以方塊圖繪示， 因爲其和第4至第7圖繪示之中間電位產生電路的控制電 壓產生電路相同配置。N通道MOS電晶體245N，其在電 源電位節點245a和中間電位輸出節點245out間連接，且 其中閘極連接至參考電位節點245QN且背閘連接至其閘 極，控制電位產生電路245輸出三種參考電位Vrefl， l/2Vcc+|Vthn〇i、1/2¥。。+1/2(|¥邮。|+|¥—。|)或 l/2Vcc+|Vthp0| 至參考電位節點245QN。P通道MOS電晶體2MP，其在 中間電位輸出節點245out和接地電位節點245b間連接， 且其中閘極連接至參考電位節點245QP且背閘連接至中間 電位輸出節點245out，控制電位產生電路245輸出三種參 26 (請先閱讀背面之·江意事項再填寫本頁) -裝· -\β 本紙張尽度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明丨23). 考電位 Vref2，l/2Vcc-|Vth—、1/2Vcc_1/2(丨Vthp〇|+|Vthn〇|)或 l/2VccHVthn〇l 0 此中間電位產生電路和第4至第7圖所示之中間電位 產生電路之不同處在於P通道MOS電晶體245P之背閘連 接至中間電位輸出貞P點245out而非閘極。因此P通道MOS 電晶體245P之臨限電壓之絕對値爲|Vthp|，其較丨VthpQ丨大。 然後’以下描述中間電位產生電路之操作。當中間電 位輸出節點245〇ut之電位比vref2+|Vthp丨高時，因爲Ρ通道 MOS電晶體245P之間極和源極間之電位比_|vthp丨低，p通 道MOS電晶體245P在開路狀態，由是自中間電位輸出節 點245out流出電荷，且中間電位輸出節點245out之電位下 降。當電位比Vref2+|Vthp丨低時，因爲p通道MOS電晶體245P 之閘極和源極間之電位比-|Vthp丨高，P通道MOS電晶鈕 245P在閉路狀態，由是停止自中間電位輸出節點245out 流出電荷。 以此方式，中間電位輸出節點245out之電位變成 Vrefl+|Vthn0|及Vref2+|Vthp|間之中間電位。更具體地説，當如 第4或第5圖所繪示配置控制電位產生電路245時，電位 變成 l/2Vcc+|Vthn〇HVthn0|和 l/2VccHVthp0|+|Vthp丨間之中間電 位；當如第6圖所示配置時，電位變成l/2Vcc+l/2(|Vtiip0|+ |Vthn〇l)HVthn〇l和 l/2Vcc_l/2(丨Vthp〇HVthn〇丨) + |Vthp丨間之中間電 位；且當如第7圖所示配置時，電位變成l/2Vcc+|Vthp0|-|Vihn0丨和l/2Vcc-|Vthn〇MVthp丨間之中間電位。 當中間電位輸出節點245out之電位如上所述爲Vrefl- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 _____B7__ 【 五、發明説明丨24). |Vthn0|和Vref2+|Vthp|間之中間電位時，因爲N通道M〇s電晶 體245N和P通道MOS電晶體245P皆在閉路狀態，貫通電 流自電源電位節點245a經N通道MOS電晶體245N至接 地電位節點245b，能抑制中間電位輸出節點245〇加和p 通道MOS電晶體245P，達到小功率消耗之中間電位產生 電路。 再，當中間電位輸出節點245mit之電位爲VrefHVthn〇丨 和Vref2+|Vthp丨間之中間電位時’因爲N_通道MOS電晶體 245N和P通道MOS電晶體245P皆在閉路狀態，能防止在 中間電位四周振盪之輸出。 第9圖係繪示本發明另一實施例之中間電位產生電 路。第9圖中，控制電壓產生電路246和第4至第6圖繪 示之中間電位產生電路之配置相同。1ST通道]VIOS電晶II 246N，其在電源電位節點246a和中間電位輸出節點246out 間連接’且其中閘極連接至參考電位節點246QN且背閛連 接至其閛極，控制電位產生電路246輸出三種參考電位
Vrefl，l/2Vcc+|Vthnd、l/2Vcc+l/2(|Vthp〇|+|Vthn〇[)或 1/2VCC+ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 |Vthp〇|。P通道MOS電晶體246P，其在中間電位輸出節點 246out和接地電位節點：246b間連接，且其中閘極連至參考 電位節點246QP且背閘連接至電源電位節點246a，控制 電位產生電路246輸出三種參考電位义必，；^、“-IVthpol、1/2VCC—l/2(|VthP〇|+|Vtim〇l)或.1/2VCC—lVthn0|。
此中間電位產生電路和第4至第7圖及第8圖所示之 中間電位產生電路之不同處在於卩通道M〇S電晶體246P 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）'-- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（25). 之背閘連接至電源電位輸出節點246a而非閘極。因此P通 道MOS電晶體246P之臨限電壓之絕對値爲|VthpPl，其較 |Vthp〇丨和|Vthp丨大。因此，中間電位輸出節點246out之電位變 成VrefHVthn〇^ Vref2+|Vthpp|間之中間電位。更具體地説， 當如第4或第5圖所繪示配置控制電位產生電路246時， 電位變成丨/|乂(^+丨¥—0|-丨¥〇111〇丨和1/2乂。(：-丨乂〇11)0丨+丨¥~1)丨間之中間 電位；當如第6圖所示配置時，電位變成l/2Vcc+l/2(|Vthp〇| +|Vthn0|)-|Vthn0|和 l/2Vcc-l/2(|Vthp0|+|Vthn0|)+|Vthpp|間之中間 電位；且當如第.7圖所示配置時，電位變成 1/2\^。+丨\^1^0丨-丨\^1111〇丨和1/2\^-丨'\^1111〇丨+丨\^11即丨間之中間電位。 當中間電位輸出節點246out之電位如上所述爲vrefl_ IVthno丨和Vref2+|Vthpp丨間之中間電位時，因爲N通道MOS電 晶體246N和P通道MOS電晶體246P皆在閉路狀態，貫遍 電流自電源電位節點246a經N通道MOS電晶體246N至 接地電位節點246b，能抑制中間電位輪出節點246〇ut和p 通道MOS電晶體.246P ’達.到小功率消耗之中間電位產生 電路。 再，當中間電位輸出節點246〇ut之電位爲Vi_efl_|Vthn。丨 和vref2+ivthpp丨間之中間電位時，因爲N通道M〇s電晶體 246N和P通道MOS電晶體246P皆在閉路狀態，能防止在 中間電位四周振盪之輸出。且N通道Mos電晶體246N和 P通道MOS電晶體246P皆在閉略狀態，中間電位輸出節 點之電位寬度和第8圖之中間電位產生電路相較加長，產 生較有效之小功率消耗。 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂™---

Claims (1)

  1. 、申請專利範圍 1.一種中間電位產生電路，包括： —㈣電位產生電路，其包括—連接在1 點和-接地電位節顧連接之電壓分配電路，及產生二 及第二輸出電位，其彼此稍不同於-中間電位之位準；一 一 N通道MOS電晶體，在電源電位節 :出節點間連接，其開極接收對應該第一锋出電 - P通道MOS電晶體，在中間電位輪出節點和接 位知點間連接，其間極接收對應該第二輪出電位之電位； 及 ， 二Μ Ο S電晶體之任-之背閘係連接至其間極。 2·如申請專利範圍第丨销料中間電位產生電路， - MOS電晶體之另一之背閘係連接至其閘極。 3」如申請專縣㈣】項所述 <中間電位產生電路， 一 MOS電晶體之另一之背間俗读拉^；、、丄 出節點。 連接至琢中間電位輪. -裝—1 (聲先閱讀背面之注意事項再填寫本頁.} • V11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4.如申請專利範圍第η所述之中間電位產生電路， -MOS電晶體之另一之背間連接至該電源電位節 •點0 、，如申請專利鶴卜頁所述之中間電位產生電路， 該控制電位產生電路包括一串聯連接體，其包括： 二具有相同電阻値之電阻；及 ^少二MOS電晶體’其在相同順向各爲二極體連接且 其閘連接至其閘極。 30
    b .--1- I HI ----- - —I · 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
    A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 6.如㈣專職圍第5項所逑切間電位產生電路， 孩控制電位產生電路包括： -第-串聯連接體’在該電綠電位節點和 點《間連接，具有相同電阻値之第―及第二電阻和至^ N通道MQS電晶體，其在相_向各爲二極體連接且立 閘連接至其閘極； ’、a -第二串聯連接體，在該電線電位節點,和接地電位節 連接，具有至少二p通道⑽電晶體，其在相同順 極體Γ且其背閘連接至其間極，及具有相同電 阻値<第三及第四電阻；和 ，該第一電位產生節點連接至該第—及第二電逮 接節點，且該第二電位產生節點連接至該第三及 間之連接節點。 电r 、、7·如申料職®第5简述之中間電位產 該定電壓產生電路包括： 一串聯連接體具有-第-電阻、N通道 體、P通道娜電晶體，及一第二電阻，在該電 點和接地電位節點間連接；和 該第-電位產生節點連接至該第一電阻和 MOS電晶體間之連接節點，及該第二電位產生節點 該第二電阻和P通道M〇s電晶體間之連接節點。 土 31 本紙張尺度適用中國國象標準（CNS )从祕公釐) c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁：)
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