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經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（3 ) 發明；> 背畳 發明之領域 本發明係大體有關用於記憶陣列的參考電路設計，並 待別有關於一種用來決定瞬間電子可抹可程式設定唯讀記 億體（electrically erasable programmable read only menory; EEPROM)單元之臨界電壓值的參考電路設計，該 電子可抹可程式設定唯讀記億體單元是用在低電壓供應及 多密度記憶陣列中。 先前抟術描沭 用於決定記億單元之臨界電壓的傳統參考電路設計包 括一網合感測比的非程式設定參考單元。圖顯示此種锚合 感測比的參考單元100提供陣列102 —參考值。該感測比由 連接Vcc和陣列單元100之汲棰的同為R值之二平行電阻元 件112及114,以及另外一連接Vcc及陣列元件102之汲極且 其值為R的電阻元件116所提供。參考單元100的汲極提供 一參考输出至比較器（comparator)104的一輸入端。陣列 單元102的汲極提供一陣列單元輸出至比較器1〇4的另一輸 入端。比較器104的輸出表示出陣列單元102之臨界電壓狀 態。 圖中，為讀取陣列單元102的狀態，Vcc應用在參考單 元100及陣列單元102的閛槿。當應用Vcc時，該感测比將 改變和陣列單元102汲極比較的參考單元1〇〇汲極之電壓， 該電壓見於比較器104。因此，該見於比較器之參考單元 100汲極的電壓為Vcc-1/2RId,然而見於比較器之陣列單 裝………-訂……線( {請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐） 3〇^479 A6 B6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 元102汲棰的電壓為Vcc-IdR。Id由參考單元100及陣列單 元102的醮界電壓Vt控制，如M0S電晶醱的飽和方程式Id = K(VGs-Vt)2所示，其中Vgs在此等於Vcc。笛參考單元100 及陣列單元102均為非程式設定，或具備相間的臨界電壓 值Vt,該感測比在至比較器104的參考输出提供一較陣列 單元輪出值高的電懕，使比較器104輸出第一狀態。當程 式設定陣列單元具備一提升至某個位準的臨界電壓，該陣 列單元的Id將下降且該陣列單元的輸出電壓將上升至高於 參考單元的輸出電壓，使得比較器1〇 4輪出第二狀態。 因為該感測比方法是利用將不同的電阻比連接至參考 單元和陣列單元的汲掻，該感測比方法提供了一铕會隨陣 列單元輪出改變的參考輸出，而此陣列單元輸出之改變是 由於電阻元件之溫度和過程的改變和Vcc的改變。 圖3的電路顯示另一傳統參考電路設計，叫偏壓閘極 方法。該偏壓閘極方法提供一比感测比方法更精確的參考 值，因為相對於感澜比方法，該方法之過程、溫度及Vcc 改變的效應更為減低。圖3的電路包括一非程式設定參考 單元100, —陣列單元102，及一和圖1之感測比電路類似 的比較器104。為方便起見，圖3及接下來的圖式中，用 來表示先前圖式中元件的參考數字將同樣纳入採用。 舆圖1中直接提供一電阻比連接至參考單元及陣 列單元102之汲極的感測比方法不同，圖3的電路具有一 連接至參考單元1〇〇之閘極的電阻比來改變卩^。該電阻比 是由一連接Vcc及參考單元1〇〇之閘極之間的電阻元件302 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐) Ά 裝……………：…訂 ： ！ ：% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A6 B6 經濟部t央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（5 ) 和一連接參考單元100之閘掻並接地的電阻元件304所提供 。參考單元100的汲極提供一參考輪出電壓至比較器104的 一輸入。陣列單元102的汲極提供一陣列單元輸出電壓至 比較器104的第二輪人。相同的電阻元件306及308連接Vcc 至參考及陣列單元的輸出以將其Id輸出轉換為比較器104 輸入端的電壓。相對於感測比方法，藉由改變Vgs而非直 接改變Id,過程及溫度對電阻元件的效應以及Vcc的變化， 會在參考單元及陣列單元的輸出之間引起較少的改變。 為讀出圖3中陣列單元102的狀態，一電SVcc直接用 在陣列單元102之閘極，同時並經過電阻元件302及304用 在參考單元100之閘極。當參考單元1〇〇及陣列單元102均 未程式設定，或具有相同的臨界電壓值Vt,電阻元件302 及3 0 4將提供一較低的Vgs,於是參考單元輪出至比較器 104的Id比陣列單元的輸出電流低，使比較器104顯示第一 狀態。當程式設定陣列單元具有一提升至某値位準的臨界 電壓值，該陣列單元的輸出電壓將上升至高於參考單元的 輸出電壓，造成比較器10 4輸出第二狀態。 在如感測比及偏壓閘棰設計的該等參考電路設計中， 由於遇程、溫度及Vcc變化之陣列單元輪出有蘭的參考輸 出之變化，會引起讀取錯誤發生的可能性，在如多密度或 低電壓供應記億體之此種在陣列單元臨界狀態間具有低工 作餘裕（working nargin)的記憶體中更為顯著。圓2顯7F 一排列成單密度、3/2密度及雙密度之典型的多密度記億 體其參考位準及陣列單元臨界電壓狀態。如所示，當密度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐) ? ^......................•玎.............................線( (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（6 ) 增加，參考位準及陣列單元狀態之間的工作餘裕便降低 以單密度為例，〇狀態及參考狀態之間的餘裕為（4.00-2.9 V=1.10V)。 3/2密度之餘裕降低了 50¥(4.00V-3.45V=0.55 V),而雙密度之餘裕則降為0.33V。在低電壓供應記憶體 中的工作餘裕受限，因為Vcc的降低限制了可供陣列單元 臨界狀態使用的範圍。在低工作餘裕下，需要一參考電路 來追踪陣列單元其霉氣特性的變化，以減少可能發生的錯 誤。 發^槪沭 本發明提供一參考追踪陣列單元之電氣特性改變的參 考電路。 本發明為一包括一或多値參考犟元的可程式設定參考 電路，各參考單元具備有一浮動閘極，在受控環境下程式 設定該浮動閘極而定出其臨界電壓值。為讀取陣列單元之 狀態，相同的Vcc電壓值用在陣列單元及參考單元的閘極 。此外，在相同的偏壓狀況下雒持陣列單元及參考單元的 輸出。讀取期間，該參考單元汲棰提供一輪出與陣列單元 汲極的輸出相比較，以決定和參考單元臨界電壓有關的陣 列單元臨界電壓。 本發明進一步包括一種利用偏壓閘極方法來程式設定 參考單元之電路，用來偏壓相關之非程式設定單元。製造 者最好在測試時將參考單元程式設定，以確保Vcc和溫度 在用偏壓閛極方法來程式設定該等參考臨界電壓時，維持 在黻格的容許度内而消除變動。之後，在利用參考單兀之 ......... .....................................................................¥..................-玎.....................線{ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x297公釐） 6 302479 A6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（7 ) 較鬆之Vcc和溫度容許度下，來程式設定並讀取陣列單元 〇 釀取陣列單元期間，與其使用感測比或僱壓閘極方法 ,不如將參考單元及陣列單元維持在相同的偏壓狀況下， 如此降低了過程改變對參考及陣列單元輸出的效應。因為 Vcc如所讀取的電壓般被相同地用在參考單元及陣列單元 的閘極，在參考單元及陣列單元輸出之間的工作餘裕大體 上不隨Vcc改變而改變。為確保臨界電壓值的改變不隨溫 度改變，陣列單元及參考單元亦最好如核心單元一般被包 括在同一積體電路中。 圖式簡菫說明 本發明將藉助所附圖式作進一步之詳細說明，所附圖 示有： 圖1顯示一種使用感測比方法之記憶體陣列電路以為 參考； 圖2顯示單密度、3/2密度及雙密度記億體所霈之參 考位準； 圖3顯示一使用餳壓閘極方法之記憶體電路以為參考 圖4顯示一陣列單元，配合着本發明之用來讀取該陣 列單元之可程式設定參考單元； 圖5顯示用以程式設定陣列單元和參考單元之電路方 塊圖，該參考單元用於程式設定及讀取陣列單元之過程中 ^.......................玎................…線' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐） Ί A6 B6 Z示制顯 明 6 發圖、 五 之 34-B 設 所 列 il St 體 億 記 度 密 2 / 3 於 用 明 發 本 元 單 考 參 金 黃 及 元 單 考 參 之 ; 列 例陣 施考 實參 的中 路 ¢0 電圖 考示 參顯 定 7 設圖 式 程 圖 路 li 之 路 電 數 計 考 參 中 6 圖 示 ; 顯 圖 0〇 路圖 的 圖圖 示 示 顯顯 ο 11 圔匾 8 6 圖 ; 路 路電 電之 器路 存電 暫考 位參 移衝 之缓 用料 所資 中中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖圖 示 示 顯顯 1 2 11 1Χ 圖圖 6 6 圖圖 路路 霞 tVaj 之之 路路 I Be 壓壓 儸偏 測考 感參 中中 圖圖 示 示 顯顯 3 4 11 11 圖圖 6 6 -*?爾 的1 之 中 ; 其 圖器 路大 電放 之置 路前 I 霄 择 測« 感的 考用 參所 中中 路 霞 {3Γ 的 1 之 中 其 器 大 放 測 感 的 用 所 中 6 圔 示 顯 及15 以 圖 路 it 2ST 取 讀 來 用 中 明 發 本 著 接 I 遘 ο ο 4 元 單 列 陣 示 顯 4 圖 至 11 I 2 ο 4 元 單 考 參 定 設 式 程 可 的 ο ο 4 元 單 列 藉 擇 選 字 在 址 位 字 該 ο ο 4 元 單 列 BP 网 取 讀 而 址 位 字1 用 應 由

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U η a V ο 壓 ο ο e e t g r ο η θ s 極 閘 壓 升 的 示 掲 中 S e a 於 人 明 發 之 明 發 本 由 案 該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐） 8 A6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（9 ) 1993年12月1日提出申請，在此作為參考。陣列單元400 的輸出和本發明中的參考單元402-1至402U-1)之一或多 値輸出連接，並至比較電路406。比較電路40 6输出一信號 指示出陣列單元400的狀態。 雖然陣列單元400被表示為一具有可程式設定臨界電 壓之浮動閘棰的電晶體，陣列單元400亦可為一具固定臨 界電壓之唯讀記億（ROM)電晶體。陣列單元40 0儲存η傾表 示狀態之晦界電壓值的其中之一，如圖2中3/2密度單元 的0 0狀態，0 0.5狀態或1 1狀態。 參考單元402-1至402-U-1)各有一儲存電荷之浮動閘 棰，可程式設定而定出一參考臨界電壓值。η-1個參考單 元全被使用，其中各參考單元被程式設定至一連鑛的饞界 電壓位準，如圃2中3/2密度單元的狀態Α和Β。藉由將參 考單元402-1至402(n-l)及陣列單元400作同樣瘺壓，並應 用相同的電壓Vsel至其閘極，使參考單元402-1至402-(n-1)之臨界電壓可與陣列單元400之臨界電壓相較。 應用遴擇電1873£1^時，比較電路406藉由將陣列單元 400之输出和參考單元402-1至402-U-1)之輸出相較比較 該等臨界電壓。比較電路406之典型電路可見於Barks所申 請之美國專利Ho.5,218,569標題為”Electrically Alterable Nonvolatile Memory With N-Bits Per Memory Cell",及 Sheppard 所申請之美國專利 No.4 ,495, 602標題為"Multi-bit Read Only Memory Circnit",該 二案皆被納入參考。比較電路40 6輸出之比較結果為一具 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 .訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210x297公釐） 9 五、發明説明（j 〇 A6 B6 儲 單 列 40陣 元 將 單以 列用 陣接 由連 可路 被電 能 該 元 ， 位圖 等 。塊 該認方 ， 確的 號所路 倍態電 位狀一 數壓示 之電顯 元界 5 位臨圖 個之 數存 元 單 考 參 之 明 發 本 和 ο ο 4 元 至 1Χ I 2 ο 5 及 \—/ IX i η /ι\ I 2 ο 4 至 至 IX- 2 ο 4 元 單 考 參 之 明 發 本 而 定 設 式 程 η 至 元 單 列 it 释 將 於 5 用路 1 電 02證 驗 定 2 設 50式 及程 元 單 列 i 释 ο 定 設 式 程 ο ο 參 而 定 設 式 程 ο ο 4 元 單 列 it 將 以 用 定 設 式 程 元 單 考 參 將 以 用 6 ο 值 壓 電 界 臨 之 定 設 式 程 可 路具 電-η 證02 驗 定 設 2 式50 程元 元單 單考 考參 5 至 式 程 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 為態 3 值狀如 各 ο , 定 〇 態 設的狀 η 中 1 其或 之態 中狀 態 5 狀ο 個 ο 態 狀 的 中 計 設 度 密 元 單 度 密 2 / 3 中 2 圖 如 種 態 Β 狀和 的 間 之 態 狀 等 該 在 元 單 考 參 由 可 .裝 2 ο 4 至 存 儲 4 ο 5 路 證 驗 定 設 式 程 元 單 列 辜—1 定 設 式 程 ο ο 4 元 單 列 I 释 將 以 極 汲 和 極 閘 的 Ο 設 40式 元程 單元 列單 陣列 至陣 接 ο .1 18 ,、ΤΓ 元 單 考 參 至 接 wwii 遘 亦 出 輸 的 元 單 考 50參 路及 電列 證陣 驗 較 BOQ 定比 以 極 汲 的 Π- 2 ο 5 至 元 單 列 Μ 將 否 是 定 決 而 列 il 阔 的 法 方 元 單 度 密 多 定 設 式 程 合 結 ο 了 定 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 由 述 前 在 路 BE 型 典 的 路 i !pBT 證 驗 設定 式設 程式 地程 當元 適單 利 專 國 之 2 中 9 6 證 驗 定 設 式 程 元 單 考 參 2 ο 4 至 T- I 2 ο 4 元 單 考 參 i / 以 極

I 0 申 所 S 汲 和 極 蘭 等 該 ίο至 "妾 描接 J4I .ii 及 6 示50 顯路 已電 元 單 考 參 和 至 路 »1 證 驗 定 設 式 程 元 單 考 參 該 ο 定 設 式 程 能 使 以 壓 證 驗 並 定 設 式 程 應 供 來 法 方 統 傳 用以 使 得 06元 13 單 考 參 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x297公釐） ^02479 A6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（11 ) 程式設定。該參考單元程式設定驗證電路50 6更使用一種 利用偏壓閘極方法之電路來偏壓有關非程式設定單元之各 値參考單元，以驗證適當的程式設定。電路更提供依序通 過各參考位元以致能被程式設定之參考單元之一適當的位 元線及字線。 製造者最好是在測試時利用參考程式設定-驗證電路 506將參考單元程式設定，如此Vcc和溫度維持在嚴格的容 許度内，以消除在利用鴒壓閘楠方法設定參考臨界電壓時 的改變。稍後在較鬆之Vcc和溫度容許度内，利用陣列程 式設定驗證電路504將陣列單元程式設定。 圖6顯示本發明之程式設定參考電路的一實施例，此 是為圖2中之3/2密度記慷陣列所設計。圖6包括組成圖 5中之參考單元程式驗證電路，結合包含欲被程式設定之 參考單元的參考陣列600的各組件。為了減少需用於將參 考單元程式設定之電路的數量及複雜性，圖6中的電路設 計為一次行一個參考單元程式設定。 _6的電路中包括程式設定驗證信號電路602，該電 路在收到一 PRREF信號之際指出該等參考單元將被程式設 定，其交替産生程式設定及驗證信號，將各參考單元程式 設定。在程式設定供應如信號VPR0G期間，一程式設定電 壓用至參考單元的汲極。一信號VPX交替承載一程式設定 電壓及一驗證電壓至一參考單元的閘極以使該參考單元程 式設定。在讀取或驗證陣列單元之程式設定期間，VPX承 載一讀取電壓。在驗證期間，宣稱一信號VERIFY。在程式 ^........-..........…-可..............................^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（12 ) 設定期間，宣稱一信號PGM。用於將一單一浮動閘極記億 單元程式設定之傳統電路可用來提供程式設定驗證信號電 路602。如此之傳統電路在先前討論過，由Banks所申請之 美國專利No.5,218,569中有所描述。 為順序通過所有的參考單元並引導程式設定及驗證電 壓至一選出的單元，提供一控制邏輯，使能有適當的參考 位元線及參考字線。該控制邐輯由一參考計數電路604結 合一些混合邏輯所組成。參考計數電路604在收到PRREP信 號之際，便開始順序排列，並提供一行倍號（C 〇 L 〇 - C 0 L 3 ) 及一列信號（R0W0-R0W5)以指出那一個參考單元應接收程 式設定及驗證電壓。當一信號RDS0-RDS03及VERIFY被提供 而指出前一單元己適當地程式設定，參考計數電路604顒 序排列至下一値參考單元位元。 資料级衡參考電路606及感測锔應電路608將參考計數 電路604以解碼行及列信號输出，以提供程式設定及驗證 電壓至一選定之參考單元。該資料緩衝參考電路606在收 到PRREF及PGM之際，便將行信號（C0L0-C0L3)解碼以將參 考位元線（REPBL0-REFBL3)其中之一上的程式設定電壓信 號VPR0G引導至參考陣列其中一行參考單元的汲極°該 感測偏颸電路608,在收到PRREF後，便將列信號（R0W0-R0W3)解碼，以將參考宇線（REFWL0-REFWL5)其中之一上的 程式設定及驗證電壓信號VPX引導至參考陣列其中一列 參考單元的閘極。在一陣列單元之讀取或驗證期間，感濟1 偏壓霣路608亦接收一鑛取信號以供應至所有的字線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐） 1 ϋ " f...............................................................裝；....................ΤΓ.....................象 (請先閲讀背面之注意事項再璜窝本頁) 經濟部t央標準局貝工消费合作社印製 A6 B6五、發明説明（13 ) 在陣列單元之程式設定期間，該感測禳壓電路6〇8接收PGM 而停止作用。 參考陣列600之其中一個位元提供作為将該等參考位 元程式設定的參考單元。該位元稱作黃金參考單元。為了 要利用《壓閘極方法偏壓黃金參考單元的閘極，參考 霉路610所提供的多個電阻比其中之一可連接在通至黃金 參考單元之蘭槿的主宇線（easter word line; MSTRWL)。 參考鴒鑒電路610其電阻比之挑選由參考計數電路604送出 的行倍號（C0L0-C0L3)所控制。 為驗證一參考信號是否已適當地程式設定好，該程式 設定參考電路包括參考感澜電路612,叠接前置放大器 δ 1 4 ,及感測放大器6 1 6。當V E R I F Y及P R ϋ E F被宣稱，該參 考慼測電路612將行信號（C0L0-C0L3)解碼，以提供一驅動 (enable)信號（REFSEN0-REFSEN4)來驅動電路614之適當盤 接前置放大器及電路616之感測放大器。連接霄路614中被 驅動之叠接前置放大器以接收被程式設定之參考單元的位 元線（REFBL0-REFBL3)的電流，而提供一受驅動的參考單 元输出電壓（SAREF0-SAREF3)。連接另外一電路6 14的畳接 前置放大器，以在收到了驅動信號UEFSEH0-REFSEN4)時， 接收黃金參考單元之位元線（G0LBL)的電流，以提供一黃 金參考單元輸出電壓（S A R E F 4 )。電路6 1 6中受驅動的感測 放大器將受驅動之參考單元輪出霉懕（SAREF0-SAREF3)與 黃金參考單元输出電壓（SAREF4)相比較，然後输出一信號 (RDS00-RES03)指出該受驅動之參考單元輪出電壓及黃金 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐) Γ3~ ' ............................................................ ............裝......................訂.....................C f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（14 ) 參考單元輸出電壓是否大體相等。 圖6中組件的詳細電路顯示在其後的圖式中，後面将 作描述。 兹者陲别600 _7顯示圖6之參考陣列600中的參考單元及黃金參 考單元的電路。字線（REFWL0-REFWL5)連接至參考單元的 閘極，而位元線（REFBL0-REFBL3)連接至參考單元的汲極 。該等參考單元具有可程式設定一預定臨界電壓值的浮動 閘極。 如八位元輸出之3/2密度設計所需，圖6的電路包括 總共二十四個參考單元。如見圖2中3/2密度設計值，需 要四個參考單元提供四値參考單元位元線輸出至一陣列單 元。二參考單元提供在讀取以決定一陣列單元之臨界電壓 狀態期間所需的參考狀態A和B值。另外二個參考單元提供 驗證一陣列單元適當的程式設定所需的0 0狀態及0 〇.5 將態等值，而1 1狀態為未程式設定狀態。至六値相異陣 列單元的四锢位元線輸出之六種不同組合，需由四個參考 單元之六種組合提供，以提供一八位元輸出。3/2密度設 計使用六個陣列單元以提供一八位元输出，因為每個陣列 單元儲存三種可能狀態之其一，而非如單密度中的二種可 能狀態，只裔六掴單元來餘存用來表示八位元的可能值。 圖7的電路更包括有一字線（MSTRWL)連接及一位元線 (G0LBL)連接的黃金參考單元。該黃金位元具有一 uv消除 浮動閘極維持非程式設定。圖7的參考單元最好如使用該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐) ΓΤ ........—....................................................................裝....................訂...........i-c (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 30^479 A6 B6 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（15 ) 等參考單元以程式設定及讀取的陣列軍元，作為同一積醱 電路上的核心單元，以使參考單元及陣列單元之間的變異 不随溫度及遇程改變。 珐老計黻當路B04 圜8顯示圏6中之參考計數電路604的電路圆。為提 供一計數器，圖8的窜路包括多偏移位暫存器801-806。 為使計數同步，將VERIFY信號用於移位器801的CLK輸入， 及經過一反相器810用於移位器801的CLKB输人。RDS00_ RDS03信號由NOR閘812及反相器814接收並作OR番擇，以提 供移位器801的DATA输人。當驗證了 一位元已程式設定， RDS00-RDS03信號的其中之一將被宣稱，使得移位器801的 Q及QB在VERIFY倍號的下降邊線交換狀態。 移位器801的0及QB输出分別接至移位器802的CLKB及 CLK输人。此外，移位器802及803的Q及QB输出分別接至移 位器803及804的CLK及CLKB輸人，同時移位器802，803及 804的QB输出反餓至各自的DATA輸人。移位器802，803及 804的Q及QB输出各自造出QB〇, «Π, 〇10，Q2RQ20输 出。該01及Q2输出逋接至接到移位器805之CLK輸入的 HAND閘816,同時該NAND閘816的輸出經過反相器818連接 至移位器805的CLKB輪人。該移位器805的Q及0B輸出連接 至移位器806的CLK及CLKB輪人，同時移位器805及806的 QB输出反饋至其各自的DATA输人。移位器804及805的Q及 QB输出各自形成Q3，QB3，Q4及QB4輪出。 為提供R0W0-R0W5及C0L0-C0L3等輸出信號，提供了如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐） 1 5 裝......................訂.....................象 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（16 ) 連接至移位器802-806之Q1-Q4及QB1-QB4輸出的邏輯電路 。如所示，邏輯霉路820連接至數艏Q0-Q2及QB0-QB2輸出 的組合以順序排列通過列位元U0W0-R0W5),同時連接至 邏輯電路82 2的Q3, QB3, Q4及QB4輸出之組合控制被驅動 的行（C0L0-L0L3)進行資料更新。 為了在進入程式設定參考模式之際重設該等移位暫存 器，移位暫存器801, 805和806之重設端建接以接收經過 反相器810的PRREP信號補充。此外，在進入程式設定參考 模式之際，移位暫存器802-804接收經過NAND閘824的 PRREF信號補充。當被驅動之行進行資料更新時，《AND閑 8 16的输出更經過NAND閘824而連接以重設移位暫存器80 2-804 〇 匾9顙示圖8中的移位暫存器80 1 -806的霉路。圓9 的移位皙存器包括二個閂（latch)902及904。電晶體906具 一電流路徑，將DATA輸入信號網合至閂902的輪人。霉晶 體906具有連接至CLK信號的閘極。閂902之输人更經遇電 晶體908而接地，該S晶體90 8具有連接至RESET輸入的閑 棰。電晶艨910具有一電流路徑，將閂902的输出網合至由 CLKB輸入連接其闞極而加以控制的閂904。問9 0 4的输入更 經過由RESET輸人控制的電晶體912而連接至Vcc。R 904的 输出提供了該移位器的Q輪出，同時QB輪出是由問904的输 出經過一反相器914而提供。 咨料锞衝兹者鬣路6立止 圖10顯示圖6中的賫料緩衡參考電路606的電路圖。 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS)甲4規格（210X297公釐) 1~6 裝...................可.....................泰 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（17 ) 圖10的m路在進入程式設定參考棋式時接收PRREF信號， 來自程式設定驗證信號電路602而指出一程式設定信號被 匾用的PGM信號，以及來自圓6所示之參考計數電路604输 出的C0L0-C0L3信號。該PRREF及PGM信號和各C0L0-C0L3信 號一起連接至各個HAND閘1001-1004,以在PRREF, PGM及 一鋇別的C0L0-C0L3输人動作時，驅動缓衝器1011-1014其 中之一。當其値別的缓衝器被驅動時，缓衡器1011-1014 自圖6中的程式設定-驗證信號電路602接收高《壓VPR0G 信號，並把VPR0G提供給一健別的參考單元位元線（ R E F B L 0 - R E F B L 3 )。當無 V P R 0 G 供應時，該 R E F B L 0 - R E F B L 3 输 出呈現一高阻抗。 缓衝器1011-1014具有相同的電路，故将只描述緩衝 器1011的電路。緩衝器1011在P -型通道電晶體〗022的閛棰 接收一來自NAND閘1001之输出的選擇輪入信號，該電晶髏 1022具有一電流路徑將VPR0G耦合至REFBL1。因此，當未 遘揮該缓衝器時，電晶體1022在線REPBL1上提供一高阻抗 输出。一 η-型通道電晶醭1 024連接在電晶體1022的閘棰和 NAHD閘1001的輸出之間，而該電晶體的閘極連接至VPR0G， 以在萬一 VPR0G降至低於Vcc時，提供保護。由於VPR0G具 一明顯高於Vcc的值，為防止VPR0G的反饋，一其闞極連接 至Vcc的η-型通道電晶體1026連接在電晶體1022的閘極和 NAND閘1001的输出之間。另一 Ρ -型通道電晶體1028將 VPR0GSJ合至電晶體1022的输入，以確保緩衝電路在 未被選擇時，電晶體1022維持斷路。電晶醱1〇28具有一由 ................................................................一......................^.......................玎.....................I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CHS)甲4规格（210x297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（1 8 ) 反相器1030所控制的閘極，反相器1〇3〇具有一輸入連接至 電晶體1 0 22的輪入，並由vpR〇f^窿電源。如國1〇及其後 圖式所顯示，有~祈線連接電晶體的汲極與源極如同電 極《11022，此指〜p型通道電晶鱧，但n型通道電晶體則無 析線。 感潮福壓 圖110顯示圖16中之感澜鴒壓霉路608的電路園。當進 入程式設定參考棋式，國110的電路接收pRREMg號以及 接收由鼸6中之參考計數電路604输出的R0W0-R0W5倍號。 該PRREF信號連同各摘R0W0-R0W5信號連接至各^NANDfc() 110卜1106的输入，以在當PRREp信號及一倨別的R〇w〇_ R0V5输人動作時，驅動緩衝器nil-1116的其中一個。缕 衝器1111-1116_流自圖6中之程式設定驗證信號電路602 接收在VRX之上的程式設定及驗證電壓，並將νρχ繙合至一 餹別的參考單元字線（REFWL0-REFWL5),在其缓衝器被驅 動時。典型上未被選擇的字線是接地的。 在進入讀取或驗證模式時，圖110的電路更接收一 READ信號以決定一陣列單元的狀態。PGM信號亦經過反相 器1108而被接收，用來指出VPX信號未被應用以將一陣列 單元程式設定或消除。更有通過反相器1109的PRREF信號 之接收，以指出參考單元的驗證未發生。該READ信號及反 向器1108和1109的输出供至HAND閘1110的輸入。在讀取一 陣列單元期間，缓衝器1U1-1116接收一 ®VPX之上的讀取 或驗證電壓，並將VPX信號供至所有的參考單元字線（ …. .................................................................裝......................訂...................:泰 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐） 18 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（19 ) REFWL0-REFWL5)〇 缓衝器111卜1116具有相同的電路，故將只描述缓街 器1111之11路。级衝器1111在NAHD閘1118之输入接收一來 自HAND閘1101及1110之輸出的選擇输入信號。NAND閛 1118的輸出經遇反相器1120供至由電晶醱1122及1124組成 的反相器之輪入。反相器1122, 1124提供REFWL0倍號。上 拉電晶體1122在反相器1120输出為低時，將VPX信號級合 至REPWL0输出。下拉電晶醱1124在反相器1120輪出為高時 ，將REFWL0輸出網合至地。電晶體1126具有一連接在VPX 及反相器1122, 1124输入之間的電流路徑，並具有一連接 至REFWL0输出的閘極，以確保在缓衝器1111未被遘擇時， 電晶體1122為斷路。由於在程式設定期間，vpx具有一明 顯高於Vcc的值，為防止反鑲，一 η-通道霉晶體1128連接 在反相器1122, 1124的输入及反相器1120的输出之間，該 霄晶體並具有一建接至Vcc的閘極。 金者雷路610 圖12顯示圖6中之參考槭壓路610的電路圓。W12的電 路接收由團6中之參考計數電路604所输出的C0L0-C0L3信號 。C0L0-C0L3經過反相器121 1-1214連接至P-型通道電晶醱 1201-1204的閘極，以按照C0L0-C0L3信號之蘧擇，將一罨 阻比網合至黄金參考單元之閘棰MSTRWL。該電阻比是由分 別在一傾接一僱的電阻1221-1225和MSTRWL之間的電晶體 1201-1204之電流路徑所造成。 如先前討論的，圖12的電路利用锚壓閘棟方法來驗證 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐) _ …：：.....................................................^ 裝......................訂.....................良 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部t央標準局員工消费合作社印製 A6 B6 五、發明説明（2〇 ) 參考單元有杏被適當地程式設定。該镰壓閘極方法將一電 阻比網合至黃金參考單元的閘極，並將黃金參考單元之輸 出比較一程式設定之參考單元的輪出，以決定該參考單元 的浮動閘極是否被充電至一適當的臨界電壓位準。該方法 利用根據M0S電晶體飽和公式ID = K(VGS-Vt)2,該黃金單元 將會飽和的事實，因此利用一電阻比將閘極電壓Vgis降低 至一固定數值，將提供一與被程式設定之參考單元相等的 電流至一所要求的臨界電壓值Vt。 例如，利用偏壓閘極方法，如果在可程式設定臨界電 壓值之一艏最大範圍4.0V至1.8V中，要求臨界電壓之間要 有一 .55V的差值，圖2所示的3/2密度陣列中，四値參考臨 界電壓值將被程式設定在3.45V, 2.90V, 2.35V及1.80V。 為將第一個參考單元程式設定至3.45V,選擇一電阻比以 在VCC— . 55V偏壓黃金參考單元閘極。不同的電阻比被陸 鑛選擇來鵂壓黃金參考單元的閘極，以將其餘的參考單元 程式設定。泣意，如先前所討論的，因為使用偏壓閘極方 法，程式設定的臨界電壓會随著Vcc改變而彼此改變，故 製造者最好在測試時作程式設定，以維持Vcc在嚴格的容 許度内。同樣地，為確保臨界電壓彼此保持不變，製造者 較願把溫度控制在駸格的容許度内。 兹老威瀨當路612 圖13顯示圖6中之參考感測電路612的電路園。圖13的 電路提供一驅動信號UEPSEN0-REPSEN4)以驅動電路614的 #接前置放大器及電路616的一感測放大器，以驗證現在 一 ：： 裝：—訂 —：良 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐） 20 A6 B6 302479 五、發明説明（21 ) S擇的參考單元是否有適酋地程式設定好。該R E F S Ε Ιί 0-REFSEN4信號在VERIFY被宣稱並收到PRREP信號時被提供。 為保存電力，來自參考計數電路604的行信號（C0L0-C0L3) 被用來選出只有必要的REFSEN0-REFSEK4輸出，以驅動用 來驗證所選擇之參考單元是否被適當地程式設定的鲞接前 置放大器及感澜放大器。 圓13的電路在NAND閛1 302的输人接收VERIFY及 PRREF信號。該NAND閘1302的輸出，連同各镧經遇反相器 1321-1 324的（：010-(：01^3信號，分別連接至《01{閘1311-1314的输人。該等1<01?蘭1311-1314的输出提供1^「5£«0-REFSEN3输出倍號。N0R閘1311-1314的输出更經由N0R閘 1 3 2 6及反相器1 3 2 8作0R選擇，以提供一 REFSEN4信號，該 信號用來在REFSEN0-REFSEN3信號其中之一動作時•堪動 連接至黃金參考單元的纒接前置放大器。 叠接前譽放大器614 圖14顯示在圖6中叠接前置放大器614所用之該等β接 前置放大器其中一個的電路圖。圖6之II接前置放大器 614包括五個如圖14所示的疊接前置放大器。四個叠接前 置放大器用來接收各個位元線輸出REFBL0-liEFBL3，並且 另一叠接前置放大器接收G0LBL輸出。該等《接前置放大 器在驗證過程期間，將一接收自位元線的電流轉換成輸出 霣壓SAREF1-SAREF4。各疊接前置放大器分別自參考感测 電路612接收一驅動信號REFSEN0-REFSEN4以如前述般驅動 驗證過程。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐) 2T .......................................... .........ί.…袭.......................TrIt (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A6 B6 五、發明説明（22 ) 如所示，圓14的電路接收代表一特定的位元線信號（ REFBL0-REFBL3或 GOLBL)的一储 REFBLi信號，及代表一 REFSEN0-REFSEN4驅動信號的一個REFSENi信號。输出 SAREFi是代表特定的SAREF0-SAREF4倍號输出。圖14中之 β接前置放大器由具有一連接、SAREFi输出之汲極的叠接 電晶體1 402所提供。 該前置放大器是由REPSENi之互補所驅動，此 REFSEIU是經遇反相器1408而供至一驅動霣晶體1404的閛 極所提供的。該醍動電晶體1404是在Vcc和SAREFi输出之 間，和一 η -型通道位準移位電晶體1418及一 P -型通道負載 電晶體1406串接在一起。為叠接電晶體1 402提供镉 REFSENi的互補信號更經過反相器1408而供至切換霣晶體 1410的閘極。電晶體1410是在Vcc和疊接電晶體1402的閘 棰之間，和一反餾負載電晶體1 42 0串接在一起。為使前置 放大器在不提供REFSENi的互補信號時不動作，提供一其 閘極連接至反相器1408之輪出的η -型通道切換霉晶體 1412,以將叠接電晶體1 402的閘極縝合至地。 該REFBLi信號經過一電晶體1414而供至曼接電晶體 1402的源極，以在SAREFi輸出被放大。當前置放大器動作 .............................................................(.....................^.......................ΤΓ.....................4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 時 艤 瞪 MB 晶 i QiSr R 受 極 閘 的 晶 i 由 0 而 進 ο 動 0 理 所 體 晶 電 接« 該 自 來 由 壓 偏 之 2 ο 4 11 體 晶 電 接« 具體 6 ! 1 晶 14電 體至 晶接 電連 〇 極 供汲 提一 所 ， 饋極 反源 的的 極02 源1.4 之體 2 1 ο 晶 4 i 1 霉 棰 源 的 地 接 一 有 ο 4 至及 接以 連極 極閘 閘的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210X297公釐） 22 ^0^479 A6 B6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（23 ) 威消I协女戡filfi 園15顯示用於園6中之感澜放大器616的其中一餹感測 放大器電路。_ 6的感澜放大器616包括四倨如圖15所示的 感測放大器。該等四僱感測放大器是用來比較一受_動之 參考單元輸出電壓（SAREF0-SAREP3)與黃金參考單元輸出 電壓（SAREF4)。感測放大器输出信號（RDS00-RDS03)指出 一被程式設定之單元是否被完全程式設定好。 如所示，圖15的電路接收來自一被遘定之參考單元， 而代表一特定叠接前置放大器輸出（SAREF0_SAREP3)的一 個SAREFi信號，及一來自連接至黃金參霣路之畳接前置放 大器的一侮SAREF4倍號。該_15的電路更接收代表一 REFSEN0-REFSEH3驅動信號的REFSEHi信號，並輪出一 RDSOi信號代表一特定的RDS01-RDS03输出。 圈15中的感測放大器是一個由REPSENi信號_動的撤 分放大器1500。該感澍放大器比較SAREPI&SAREF4信號， 並當SAREFi之信超過SAREF4時，輸出RDSOi信號。 儘管本發明已在在上述詳細描述，此純為指導一在該 領域中具一般技術之人如何製造及使用本發明。許多修正 將歸入本發明的範疇之内，而此範疇由後述之申請專利範 園所界定。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS)甲4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 7 7 7 7 A B c D 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範® 1. 一種參考電路，用以決定在記憶陣列中之一陣列單元 所儲存之多锢可能狀態中之一狀態，該參考電路包括： 一可程式設定參考單元，該參考單元具有一浮動 閘極儲存一程式設定至預定位準之電荷。 2. 如申請專利範圍第1項之參考電路，其中該參考單元及 陣列單元大體上有相同之偏壓。 3. 如申請專利範圍第1項之參考電路，其中供應至陣列單 元之閘極以決定該陣列單元所儲存之狀態的選擇電壓， 亦供應至參考單元之閘極。 4. 如申請專利範圍第3項之參考電路，其中當該選擇電壓 改變時，在多個可能的陣列單元狀態之間的工作餘裕 大體上並不改變。 5. 如申請範圍第1項之參考電路，其中參考單元及陣列單 元如核心單元般被包在單一積體電路上，以致參考單 元及陣列單元大體上具有相等的熱擴散速率。 6 . —種記憶體，包括： 一陣列單元，具有一閘極，一輸出，及一設定至 η個陣列臨界電壓值之其中之一的陣列臨界電壓值； η-1個可程式設定參考單元，每舾參考單元具有一 閘極，一輸出1,及一浮動閘極儲存有電荷以允許一參 考臨界電壓值可被程式設定，各個參考單元具有其參 考臨界電壓值，該值被程式設定在η個陣列臨界電壓值 之其中相鄰二個不同值之間； 一選擇器，用以供應一選擇電壓至陣列單元的閘 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂. •綠· D7 六、申請專利範® 考 參 及 出 輸 的 元 單 列 il 收 及接 以以 合 極鍋 閑’ 的置 元裝 單較 考比 參 一 及 極 出 指 以 。 號留 信保 一趴體 双一兀億 提單 β 置列>8 之 裝陣 i 項 較為 6 比者第 該何圍 > . 範 出中利 輸值專 的壓請 元電申 單界如 個 η 臨考 列參 陣 定 設 式 程 可 中 其 壓 槭 之 同 相 有 上 體 大第 元圍 單範 列利 陣專 及請 元申 單如 8 體 億 記 之 項 之 元 單 列 I 於 用 中 其 極 閘 之 元 單 考 參 定 設 〇 式值 程之 可同 於相 用有 和具 , 上 壓體 電大 擇壓 選電 的擇 極選 閘的 豔 憶 記 之 項 6 考 參 定 設 式 程 可 中 其 路有 電具 體上 積體 之大 一 元 單單 在列 包陣 被及 般元 元單 單 考 心參 核定 第如設 圍元式 範單程 利列可 專陣致 請及以 申元 ， 如單上 9 — 輸 項 〇 6 元 率第單 速圍列 散範陣 擴利在 熱專 ， 的請時 同申變 相如改 值 之 壓 f -Ip? 擇 選 當 中 其 體 億 記 之 作Η 的 間 之 出 輸 元 單 考 參 及 {請先閑讀背面之注意事項再填寫本I·) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 有 存 儲 棰 閘 動 .， 浮值 1 壓 及電 極界 閘臨 一 列 有陣 : 具 一 括 ，.定 C 包元設 變 ，單式 不體列程 持億陣許 維記一允 裕種 以 餘一 荷 有 具 元 單 考 參 定 設 式 程 各 元 單 考 參 定 設 式 程 個 η 參 定 設 式 程一 許 允 以 荷 有 存 辯 極 蘭 M3 浮 及 極 閘 定 設 式 程 被 值 壓 a— 界 臨 考 極 閘1 有 具 元 單 考 參 取 讀 各 元 單 考 參 取 讀 個 11 - η 考 參 取 讀一 定 設 式 程 許 允 以 荷 Be ipc 有 存 儲 極 閘 肋 浮1 及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210x297公釐) 25 D7 六、申請專利範面 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 設is#式考g相 及界 及自 等來定 壓 式參 式^程參£^二 定臨π 極來 該用1電 程定 程I:,的及g在 設列 閘及 及出彼 證 或設 用Iπ同定 U 定 式陣 #.，的出 出指中 驗 取式 使Η不設 W設 程到。止元輸及輸號 考。讀程。 替考種式將式 用直 為單元以元信 參者當等壓 交^¾η程以程 使，㈣等列單.，單一厂 中少中該偏 來定成用Τ3,值；替極 相陣列出列供 其為其，之 用設定使 1 壓間交閘 Μ 壓至陣輸陣提定 ，動，元同 ,式設替單電之，動式電壓一元該置 體變體單相 置程式交考界值置浮 _ 界電到單收裝 憶壓億考有 裝frcg及U臨壓裝的η臨擇得考接較程 記電記參上 證等元以取考電證元由考選以參以bb阔 之證之取體 驗該單，讀參界驗單和參一，取合該n1¾驗1¾讀大 定於考值1®取臨定列至定應極讀繙，的11列11等元 設壓參壓1Ί-讀考設陣定設供閘的，出元第陣第該單 式電定電等之參式於設式-的元置輸單 圍較圍，列 ;程證設界該元定程壓式程器元單裝元列 範顯範元陣 值考驗式臨於單設列電程之擇單考較單陣 利明利單該 壓參考程考壓考式陣證被個選考參比考定 專值專列及 電一參ηβ參電參程一驗值一 一參取一參設。請一請陣元 界 及等定證取的 列壓的 取讀 取式個申有申定單 臨 定該設驗讀鄰 陣電定 讀各 讀程 一 如具如設考I ♦ · ! (請先閑讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公釐) 26 _ D7_ 六、申請專利範® 14.如申請專利範圍第11項之記憶體，其中用至陣列單元 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 L 在 極 考在取。改輸 元元極 選 0¾.，證設式用驗 間 參包讀率壓元 單單汲 序-C、 元驗式程以一 之定被 ，速電單 考考其 順出7C,單定程全壓應 元 設般元散擇考。參參在 中輸#~考設替完電供 單式元單擴選參變的個接 元由^參式交被定間 考程單考熱當取不壓各連 單藉 & 的程之否設期 L 參- 參中心參的中讀持電之 B 考路 序一使是式證 取其核定同其，維界中EF參電 Ϊ 順應，元程驗 R 持 讀，如設相，出裕臨元 個數 一供極單一在 至 體元式有體輸餘之單 I 多計 — 下 ，閘考供及 及 用 億單程具憶的作元考 等考 i 至路的參提以 , 選 和。記列等上記元工單參 i 該參纟列電元該間 ， 上值之陣該體之單的列個 W 在該*排號單證期極 體的項及致大項考間陣多 Ϊ , ,1 序信考驗定汲 大同 1 元以元 1 參之取等 ε 硌元丨順證參及設的 在" 壓相第單 ，單第定出讀該 電單 時驗定元式元 電有圍考上列圍設輸來 ，自 數考纟號定特單程單 0 信 擇具範參路陣範式元用置L':計參 W 信設該考在考 選壓利取電及利程單個裝FW括考的Roso式至參並參 的電專讀醱元專在列多定RE包參定 一RD程供定，定 .， 極擇請 、積單誚 ，陣將設一置一特及一 一以特好特壓 閑選申元一考申時及種式有裝 一號到 壓該定該電 之的如單單參如變出一程具該 出信收 電定設於證 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公釐) 27 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ^0^479 B7 C7 ____D7_ 六、申請專利範面 一感測偏壓電路，接收ROW信號及程式設定驗證電 壓，並由ROW信號控制而將程式設定驗證電壓繙合至該 特定參考單元的REFWL連接； 一資料缓衝參考電路，接收C0L信號及程式設定電 壓，並由C0L信號控制而將程定設定電壓網合至該特定 參考單元的REFBL連接； 一黃金位元單元，具有一 MSTRWL連接在其閘極及 一 GO LBL連接在其汲極； 一參考槭壓電路，具有多個電阻比，各電阻比縝 合在一讀取電壓及MSTRWL連接之間，而由C0L信號所控 制；以及 一比較電路，接收C0L信號，驗證信號及該特定參 考單元之來自G0LBL連接的G0LBL信號和來自REFBL連接 的REFBL信號，並在驗證信號曦用時將G0LBL信號比較 REFBL信號，而當G0LBL信號大體上等於REFBL信號的電 釅時輸出RDS0信號。 18. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該等多锢參考單 元亦用於程式設定一陣列單元之臨界電壓值。 19. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該比較電路包含： 一參考感测電路，接收C0L倍號及驗證信號，並當 驗證倍號應用時輸出一 REFSEN信號表示該C0L信號； 一第一前置放大器，接收REFSEM言號及REFBL信號 ，並當REFSEN信號應用時，輸出一 SAREF電壓表示該 REFBL信號； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *装· •訂· •綠· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)甲4規格(210x297公釐） 2 8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範® 一第二前置放大器，接收REFSEN信號及GOLBL信號 ，並當REFSEN信號應用時輸出一 SAREPGB電壓表示 GOLBL信號； 一感測放大器，接收SAREF電壓及SAREFGB電壓， 並在該SAREF電壓及該SAREFGB電壓大體相等時，輸出 RDSO信號。 20.—種程式設定η値參考單元之方法，包括之依次步驟為 (a) 選擇η個參考單元中的第一個作為選定之參考單元， 及η個電阻比中的第一個作為選定之電阻比； (b) 锶合該選定之電阻比至黃金位元單元的閘極； (c) 使用一程式設定電壓，以增加儲存在該選定之參考 單元的浮動閘極的電荷； (d) 使用一參考驗證電壓至該選定之參考單元的閘極， 及經該選定之電阻比至該黃金位元的閘極，以製造 一選定參考單元輸出及一黃金位元單元輸出； (e) 比較該選定參考單元輸出及該黃金位元單元輸出， 並且如果該選定參考單元輸出沒有大致和該黃金位 元單元輸出相等，則進行到步驟（c ); (f) 選擇該等η個參考單元中之下一個建績的參考單元 作為選定之參考單元，及該等η個電阻比中之下一 個連鑛的電阻比作為選定之電阻比，而如果在該等 η値參考單元中的第η個參考單元尚未在前被選定， 則進行到步驟（b )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公釐）2 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .装· •訂· •線· 六、申請專利範面 21. —種程式設定一陣列單元之方法，包括步驟有： (a) 在多個參考單元中選擇一參考單元，該參考單元具 有一浮動閘極儲存一電荷值代表陣列單元將被程式 設定； (b) 應用一程式設定電壓以增加儲存在該陣列單元之浮 動閘極上的電荷； (c) 應用一陣列驗證電壓至一參考單元之閘極及該陣列 單元之閘極，以造出一參考單元輸出及一陣列單元 輸出；以及 (d) 比較該參考單元輸出及該陣列單元輸出，而如果該 陣列單元輸出沒有大體等於該參考單元輸出，則進 行至步驟（b )。 22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中是根據申請專利 範圍第20項之方法而程式設定該參考單元。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該參考驗證電壓 具一值，該值改變明顯少於該陣列驗證電壓。 24. —種讀取儲存η個陣列臨界電壓值其中之一的一陣列單 元之方法，包括步驟有： 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閑讀背面之注意事項再填窝本頁} 應用一謓取電壓至一陣列單元的閘極以産生一陣 列單元輸出； 應用該讀取電壓至多個參考單元閘極以産生各個 參考單元輸出，每値參考單元具有一浮動閘極儲存不 同的電荷，以允許一參考臨界電壓可被程式設定，每 連缠的參考單元具有其參考臨界電壓值，該值被程式設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公菠）30 302479 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範面 定在η個陣列臨界電壓值其中二個連缠不同的值之間； 及 以 提中 並值 、壓 出 r 界 輸臨 車陣 考個 參 η 等留 該保 及 一兀 出 單 輸列 元陣 單該 列出 陣指 該以 較號 比 信 1 供 範元考 。和 單參 個專列等 一 請陣該 那申該於 的如於用

   用 中 其 和 上 農 a·: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公釐) 31