JP2007164934A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気的に書き換え可能なメモリセルの配列1と、前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセル2と、前記リファレンスセルに閾値を設定する設定回路と、前記リファレンスセルに閾値として設定された値の判定基準となる、異なる基準値をそれぞれ有する複数の基準セル3とを備え、前記設定回路は、前記リファレンスセル2への閾値の書き込み回路8,12と、前記書き込み回路8,12による書き込みの結果、前記リファレンスセル2へ書き込まれた閾値が前記複数の基準セル3のいずれかの基準値に達したか否かを判定する判定部4と、前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセル2へ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する制御回路6とを具備した半導体記憶装置である。
【選択図】図2
Description
レータ310を使用する。
以下、本発明の実施形態の骨子を説明する。本実施形態の半導体装置は、既存の自動書き換え回路を流用して、リファレンスセルの閾値を自動で、すなわち、半導体装置自体に内蔵する制御シーケンスで設定する。この閾値設定をプログラムと呼ぶ。
図2に、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を示す。
図2のように、この半導体装置は、不揮発性のメモリセルを配列したメモリセルアレイ1(本発明のメモリセルの配列に相当)と、メモリセルアレイ1から読み出すべきデータのアドレスが入力されるアドレスバッファ7と、入力されたアドレスにしたがってメモリセルアレイ1のワード線(列)を選択するロウデコーダ11と、メモリセルアレイ1のカラム(行)を選択するカラムデコーダ13と、メモリセルアレイ1に含まれるメモリセルからのデータ読み出しのときに、保持されているデータが0か1かを判定する判定基準となる閾値を保持する読み出し時参照セルアレイ2(図2には、Read Refセルアレイと記載)と、メモリセルアレイ1のメモリセルから読み出されたデータに対応する電流と、読み出し時参照セルアレイ2のメモリセルから読み出されたデータに対応する電流とを
比較して比較結果を増幅するセンスアンプ14と、センスアンプ14の出力信号を外部への出力データとして出力とし、外部からメモリセルアレイ1への書き込みデータを入力データとして受け付けるデータ入出力インターフェース5(図2では、データI/Oと記載)と、メモリセルアレイ1のデータ書き換え(消去またはデータ書き込み)のときに、センスアンプ14の出力信号からデータ書き換えが完了したか否かを判定する確認部4(図2では、Verifyデータ判定と記載、本発明の判定部に相当)と、メモリセルアレイ1からのデータの読み出し、メモリセルアレイ1へのデータの書き込みを制御する書き換えステートマシン6(本発明の制御回路に相当)と、読み出し時参照セルアレイ2への閾値の設定および読み出しのときに、ワード線に電圧を供給するワード線ドライバ12(図2では、WL Driverと記載)と、ワード線ドライバ12に対して、読み出し時参照セルアレイ2へのワード線電圧を供給するDAコンバータ8(デジタルアナログ変換器、図2ではDACと記載)と、読み出し時参照セルアレイ2への閾値の設定時に設定完了か否かを判定する基準となる基準値を有する基準セルアレイ3とを有している。
読み出し時参照セルアレイ2のリファレンスセル(書き込み対象のセル)の出力電流(ビット線電流)と基準セルの出力電流(ビット線電流)とを比較して、その結果を確認部4に通知する。確認部4は、いわゆるコンパレータであり、センスアンプ14の出力結果を判定して、0または1(リファレンスセルに書き込まれた値が、基準セルの保持する値に達したか否か、あるいは、基準セルの保持する値を超えたか否か)を書き換えステートマシン6に報告する。書き換えステートマシン6は、確認部4からの報告(0,1)に基づき、さらなる書き込みを繰り返すか、終了するかを判定する。
図2での読み出し時参照セルアレイ2を構成するリファレンスセルが保持する閾値の書き換えは下記のように行われる。閾値の書き換えは、基本的には、閾値の消去と、閾値の書き込み(プログラム)に分けることができる。
以下、図2(および図1)の構成において、従来から適用されていたデータ書き換え手順を説明する。
昇圧回路9とレギュレータ10により消去確認電圧を生成し、リファレンスセルと消去確認用の基準セル(基準セルアレイ3に含まれる)を使用してセンスアンプ14により読み出しを行う。その読み出しデータを確認部4で判定してPass/Failの情報を書き換えステートマシン6に戻す。Passの場合は、プログラム確認へ移行し、Failの場合は消去を行う。ここで、Passとは、判定の結果、すでにデータが消去済みであることが確認された場合をいう。また、Failとは、判定の結果、データが消去されずに保存されていた場合をいう。
消去確認がFailした場合に、消去を行う。その際は、昇圧回路9とレギュレータ10により消去時に使用する電圧を生成し、リファレンスセルの保持するデータを消去し、上記1の消去確認を行う。このようにして、リファレンスセルの保持するデータの消去が確認されるまで、消去確認と消去が繰り返される。
昇圧回路9とレギュレータ10および、DAコンバータ8(あらかじめレジスタに設定した値により電圧値が変わる)によりプログラム確認電圧を生成し、リファレンスセルとプログラム確認用の基準セル(基準セルアレイ3に含まれる)を使用してセンスアンプ14により読み出しを行う。その読み出しデータを確認部4で判定してPass/Failの情報を書き換えステートマシン6に戻す。
プログラム確認がFailした場合、プログラムを行う。その際は、昇圧回路9とレギュレータ10および、DAコンバータ8(あらかじめレジスタに設定した値により電圧値が変わる)によりプログラムに使用する電圧を生成し、プログラム確認がPassしなかったリファレンスセルをプログラムする(閾値を設定する)。プログラム後は上記3.のプ
ログラム確認を行う。このようにして、リファレンスセルの保持するデータのプログラムが確認されるまで、プログラム確認とプログラムが繰り返される。
図3に、上記のシーケンスにて一定のゲート電圧、一定のドレイン電圧、および一定のプログラムパルス幅でプログラムした場合のリファレンスセルの閾値変動を示す。
は、ポイント105を通過するようになる。しかし、この時点でまだREADVで示される曲線よりも左側にゲート電圧−ドレイン電流特性曲線があるため、このリファレンスセルに対するプログラムは完全でないと判定されることになる。
3A.プログラム確認1
本実施形態では、プログラム確認用の基準セルを2個あるいは複数用意し、1個の基準セルはリファレンスセルが保持すべき閾値(最終的な目標値)を保持する。一方、それ以外の基準セルは消去確認時のレベルと最終的な目標値との間の中間レベルの基準値を保持する。これは、例えば、メモリセルのフローティングゲートへの電荷の注入量が異なる基準セルを用意すればよい。
プログラム確認1がFailした場合、上記4.と同様のプログラム(この工程をプログラム1と呼ぶ)を行う。プログラム1後は上記3Aのプログラム確認1を行う。
昇圧回路9とレギュレータ10によりプログラム確認電圧を生成し、リファレンスセルとプログラム確認用の基準セル(最終的な閾値設定時の目標値を保持する)を使用してセンスアンプ14により読み出しを行う。その読み出しデータを確認部4で判定してPass/Failの情報を書き換えステートマシン6に戻す。Passの場合は、リファレンスセルへの閾値の設定を終了し、Failの場合はプログラム2を行う。
プログラム確認2がFailした場合、上記4と同様のプログラムを行う。ただし、プログラム時の電圧はプログラム1よりも低いゲート電圧またはドレイン電圧(あるいは、その両方を低い値)にしてプログラム確認2がPassしなかったリファレンスセルをプログラムする。プログラム後は上記5.のプログラム確認2を行う。
両方を低い値)にしてリファレンスセルをプログラムする。したがって、図4に示すように、中間レベル(READV1で示される曲線)から最終的な閾値の目標値(READV2で示される曲線)まで、1回のプログラムによる書き込み量(電荷注入量)の増分が小さくなる。その結果、プログラムによる閾値変動(フローティングゲートへの書き込み1回当たりの電荷注入量)が少なくなり、精度よく所望の設定値にリファレンスセルへ閾値を設定することが可能になる。
上記3Aから6では、リファレンスセルが保持する閾値をプログラムときの確認の基準となる基準セル(最終的な目標値を保持した基準セル)と、そのような最終的な目標値と消去確認時のレベルとの中間レベルの値を保持した基準セルとを用意した。そして、そのような複数の基準セルによって閾値の途中のレベルを作ってプログラム確認を実行し、プログラム時のゲート、ドレイン等電圧値を変更し、あるいは、プログラムする信号のパルス幅を変更した。しかし、本発明の実施はこのような構成およびシーケンスには限定されない。
値となるドレイン電流を大きくすることができる。あるいは、見かけ上、基準セルのスレショールド電圧が低くすることができる。
本実施形態は、以下の発明の態様(付記と呼ぶ)を開示する。
(付記1)
電気的に書き換え可能なメモリセルの配列と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルと、
前記リファレンスセルに閾値を設定する設定回路と、
前記リファレンスセルに閾値として設定された値の判定基準となる、異なる基準値をそれぞれ有する複数の基準セルとを備え、
前記設定回路は、前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路と、前記書き込み回路による書き込みの結果、前記リファレンスセルへ書き込まれた閾値が前記複数の基準セルのいずれかの基準値に達したか否かを判定する判定部と、前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する制御回路とを具備した半導体記憶装置。(1)
(付記2)
前記複数の基準セルは、第1基準値を有する第1基準セルと第2基準値を有する第2基準セルとを含み、
前記制御回路は、前記リファレンスセルの値が第1基準値に達していないと判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルとし、前記リファレンスセルの値が第1基準値に達していると判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルよりも弱い第2レベルに制御する付記1に記載の半導体記憶装置。(2)
(付記3)
前記書き込み信号は、前記リファレンスセルのワード線電圧である付記1または2に記載の半導体記憶装置。
(付記4)
前記書き込み信号は、前記リファレンスセルのドレイン電圧である付記1または2に記載の半導体記憶装置。
(付記5)
前記制御回路は、前記書き込み信号のパルス幅を制御する付記1または2に記載の半導体記憶装置。
(付記6)
電気的に書き換え可能なメモリセルの配列と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルと、
前記リファレンスセルに閾値を設定する設定回路と、
前記リファレンスセルに閾値として設定された値の判定基準となる基準値を有する基準セルと、
前記基準セルから基準値を読み出すときの基準ワード線電圧を制御する電圧制御回路と、を備え、
前記設定回路は、前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路と、前記リファレンスセルに書き込まれた閾値が前記基準ワード線電圧をそれぞれ異なる値に設定して前記基準セルから読み出されたそれぞれの基準値のいずれかに達したか否かを判定する判定部と、前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する制御回路とを具備した半導体記憶装置。(3)
(付記7)
前記基準ワード線電圧は、第1基準電圧と前記第1基準電圧より強い第2基準電圧とを含み、
前記制御回路は、前記リファレンスセルの値が第1基準電圧によって読み出された前記基準値に達していないと判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルとし、前記リファレンスセルの値が第1基準電圧によって読み出された前記基準値に達していると判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルよりも弱い第2レベルに制御するとともに前記第2基準電圧によって前記基準値を前記基準セルから読み出す付記6に記載の半導体記憶装置。
(付記8)
前記書き込み信号は、前記リファレンスセルのワード線電圧である付記1または2に記載の半導体記憶装置。
(付記9)
前記書き込み信号は、前記リファレンスセルのドレイン電圧である付記6または7に記載の半導体記憶装置。
(付記10)
前記制御回路は、前記書き込み信号のパルス幅を制御する付記6または7に記載の半導体記憶装置。
(付記11)
電気的に書き換え可能なメモリセルの配列を形成する工程と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルを形成する工程と、
前記リファレンスセルに閾値として設定される値の判定基準となる、異なる基準値を有する複数の基準セルを形成する工程と、
前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路を形成する工程と、
前記書き込み回路による書き込みの結果、前記リファレンスセルの閾値が前記複数の基準セルのいずれかの基準値に達したか否かを判定する工程と、
前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する工程とを具備した半導体記憶装置の製造方法。(4)
(付記12)
電気的に書き換え可能なメモリセルの配列を形成する工程と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルを形成する工程と、
前記リファレンスセルの閾値として設定される値の判定基準となる基準値を有する基準セルを形成する工程と、
前記基準セルから基準値を読み出すときの基準ワード線電圧を制御する電圧制御回路を形成する工程と、
前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路を形成する工程と、
前記リファレンスセルの閾値が前記基準ワード線電圧をそれぞれ異なる値に設定して前記基準セルから読み出されたそれぞれの基準値のいずれかに達したか否かを判定する工程と、
前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する工程とを具備した半導体記憶装置の製造方法。(5)
2 読み出し時参照セルアレイ
3 基準セルアレイ
4 確認部
5 データ入出力インターフェース
6 書き換えステートマシン
7 アドレスバッファ
8 DAコンバータ
9 昇圧回路
10 レギュレータ
12 ワード線ドライバ
14 センスアンプ
Claims (5)
- 電気的に書き換え可能なメモリセルの配列と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルと、
前記リファレンスセルに閾値を設定する設定回路と、
前記リファレンスセルに閾値として設定された値の判定基準となる、異なる基準値をそれぞれ有する複数の基準セルとを備え、
前記設定回路は、前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路と、前記書き込み回路による書き込みの結果、前記リファレンスセルへ書き込まれた閾値が前記複数の基準セルのいずれかの基準値に達したか否かを判定する判定部と、前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する制御回路とを具備した半導体記憶装置。 - 前記複数の基準セルは、第1基準値を有する第1基準セルと第2基準値を有する第2基準セルとを含み、
前記制御回路は、前記リファレンスセルの値が第1基準値に達していないと判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルとし、前記リファレンスセルの値が第1基準値に達していると判断された場合に、前記書き込み信号を第1レベルよりも弱い第2レベルに制御する請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 電気的に書き換え可能なメモリセルの配列と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルと、
前記リファレンスセルに閾値を設定する設定回路と、
前記リファレンスセルに閾値として設定された値の判定基準となる基準値を有する基準セルと、
前記基準セルから基準値を読み出すときの基準ワード線電圧を制御する電圧制御回路と、を備え、
前記設定回路は、前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路と、前記リファレンスセルに書き込まれた閾値が前記基準ワード線電圧をそれぞれ異なる値に設定して前記基準セルから読み出されたそれぞれの基準値のいずれかに達したか否かを判定する判定部と、前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する制御回路とを具備した半導体記憶装置。 - 電気的に書き換え可能なメモリセルの配列を形成する工程と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルを形成する工程と、
前記リファレンスセルに閾値として設定される値の判定基準となる、異なる基準値を有する複数の基準セルを形成する工程と、
前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路を形成する工程と、
前記書き込み回路による書き込みの結果、前記リファレンスセルの閾値が前記複数の基準セルのいずれかの基準値に達したか否かを判定する工程と、
前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する工程とを具備した半導体記憶装置の製造方法。 - 電気的に書き換え可能なメモリセルの配列を形成する工程と、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すときに比較の基準となる閾値を有するリファレンスセルを形成する工程と、
前記リファレンスセルの閾値として設定される値の判定基準となる基準値を有する基準
セルを形成する工程と、
前記基準セルから基準値を読み出すときの基準ワード線電圧を制御する電圧制御回路を形成する工程と、
前記リファレンスセルへの閾値の書き込み回路を形成する工程と、
前記リファレンスセルの閾値が前記基準ワード線電圧をそれぞれ異なる値に設定して前記基準セルから読み出されたそれぞれの基準値のいずれかに達したか否かを判定する工程と、
前記それぞれの基準値にしたがって、前記リファレンスセルへ閾値を再度設定するときの書き込み信号を制御する工程とを具備した半導体記憶装置の製造方法。
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Citations (4)
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JPH07192478A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-07-28 | Advanced Micro Devicds Inc | メモリアレイ内のメモリセルによって記憶される複数個の可能な状態における1つの状態を定めるための基準、メモリ、アレイセルのしきい値電圧を読出すのに用いられる複数個の基準セルをプログラムするための装置、n個の基準セルをプログラムする方法、およびアレイセルを読出す方法 |
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- 2005-12-16 JP JP2005362911A patent/JP2007164934A/ja active Pending
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