KR20080096463A - 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치 - Google Patents

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KR20080096463A
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겐이찌로 야마다
마사유끼 다까기시
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

효과적·효율적인 고주파 어시스트 자기 기록을 가능하게 하는 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 이를 이용한 자기 기록 장치를 제공한다. 적어도 1층의 자성체층을 갖는 제1 스핀 발진층과, 적어도 1층의 자성체층을 갖는 제2 스핀 발진층과, 상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층 사이에 형성된 제1 비자성체층과, 자화 방향이 고정된 강자성체를 포함하는 스핀 편극층과, 상기 제1 및 제2 스핀 발진층과, 상기 비자성체층과, 상기 스핀 편극층을 갖는 적층체에 전류를 통전 가능하게 한 한쌍의 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 소자를 제공한다.
자기 기록 매체, 헤드 슬라이더, 스핀들 모터, 자기 소자, 스핀 발진층, 자성층, 비자성층, 스핀 편극층

Description

자기 소자, 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치{MAGNETIC ELEMENT, MAGNETIC RECORDING HEAD AND MAGNETIC RECORDING DEVICE}
본 발명은, 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치에 관한 것으로, 특히, 고기록 밀도, 고기록 용량, 고데이터 전송 레이트의 데이터 스토리지의 실현에 적합한 고주파 어시스트형의 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치에 관한 것이다.
1990년대에서는, MR(Magneto-Resistive effect) 헤드와 GMR(Giant Magneto-Resistive effect) 헤드의 실용화가 계기로 되어, HDD(Hard Disk Drive)의 기록 밀도와 기록 용량이 비약적으로 증가하였다. 그러나, 2000년대에 들어서고 나서 자기 기록 매체의 열 변동의 문제가 현재화되어 왔기 때문에, 기록 밀도 증가의 스피드가 일시적으로 둔화하였다. 그런데도, 면내 자기 기록보다도 원리적으로 고밀도 기록에 유리한 수직 자기 기록이 2005년에 실용화된 것이 견인력으로 되어, 최근, HDD의 기록 밀도는 연율 40퍼센트 정도의 신장을 보이고 있다.
또한, 최신의 기록 밀도 실증 실험에서는 400Gbits/inch2를 초과하는 레벨이 달성되어 있고, 이대로 상승 기조로 진전하면, 2012년경에는 기록 밀도 1Tbits/inch2에 이를 것으로 예상된다. 그러나, 이러한 높은 기록 밀도의 실현은, 수직 자기 기록 방식을 이용해도, 다시 열 변동의 문제가 현재화되기 때문에, 용이하지는 않다고 생각된다.
이 문제를 해소할 수 있는 기록 방식으로서 「패턴 매체 기록 방식」과 「열 어시스트 자기 기록 방식」이 제안되어 있다. 작금에, 모든 방식이 국내외에서 적극적으로 연구 개발되고 있다. 패턴 매체 기록 방식의 경우에는, 고립화한 20나노미터 이하의 미세 비트 패턴을 나노미터∼서브 나노미터급의 고정밀도이면서 염가로 제조하는 매체 제조 프로세스 기술의 실용화가 급선무이다.
한편, 광 조사에 의한 열 어시스트 자기 기록 방식의 경우에는, 매체 미세 영역을 순간적으로 가열 승온하여 그 보자력을 저하하기 위한 근접장 광 소자와, 그 보자력 저하 부위에 기록 자계를 인가하기 위한 기록 자극을 근접 배치한 하이브리드 구조의 자기 헤드의 실용화가 필수적이다. 또한, 열 어시스트 자기 기록 방식에서는, 통상의 자기 헤드에서는 기입 불가능한 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)가 매우 큰 기록 자성 재료의 개발도 중요하다.
이에 대하여, 열 어시스트 자기 기록 방식과는 다른 기록 방식으로서, 「고주파 어시스트 자기 기록 방식」이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 이는, 기록 신호 주파수와 비교하여 충분히 높은 주파수의 고주파 자계를 자기 기록 매체의 소정 미세 부위에 인가함으로써, 기록 신호 주파수 영역에서의 그 부위의 보자력을 원래의 보자력 Hc1로부터 그 절반 이하의 Hc2로 저하시키는 기술이다. 이와 같이 하여 보자력을 저하시킨 타이밍에서, 동 부위에 기록 자계를 인가함으로써, 보다 고밀도의 기록 포텐셜을 갖는 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)의 자기 매체에의 자기 기록이 가능하게 된다.
특허 문헌1에서는, 고주파 자계 인가 수단으로서, 자극에 결합시킨 코일에 고주파 전류를 통전함으로써 자극을 여진하고, 이 자극으로부터 발생하는 고주파 자계를 자기 기록 매체에 인가하는 방법이 개시되어 있다. 그러나 이 방법으로는, 기록 밀도를 높이기 위해 매체 기록 부위의 사이즈를 작게 하면 할수록, 그 부위에 인가할 수 있는 고주파 자계의 강도가 급격히 감소하기 때문에, 기록 부위의 보자력의 저하가 어려운, 즉 고주파 어시스트 기록이 성립하기 어려워진다고 하는 문제가 있었다.
이를 해결하는 기술로서, 스핀 발진 소자를 고주파 자계 발진원으로서 이용하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌2 및 특허 문헌3).
특허 문헌2 및 특허 문헌3에서는, 고주파 자계의 발생원으로서 스핀 발진 소자를 이용하는 방법이 개시되어 있다. 직류 전류를 통전하면 스핀 편극층을 통과하는 전자의 스핀이 편극한다. 이 편극한 전자류에 의해 스핀 발진층이 스핀 토크를 받음으로써 그 자화가 강자성 공명을 생기게 하고, 그 결과, 스핀 편극층과 비자성층을 개재하여 적층된 스핀 발진층으로 이루어지는 스핀 발진 소자는, 스핀 발진층으로부터 고주파 자계가 발생하게 된다.
이러한 현상은 소자 사이즈가 수십 나노미터 이하로 되면 현저히 나타나기 때문에, 소자로부터 발생하는 고주파 자계가 닿는 범위는, 소자로부터 수십 나노미터 이하의 미소 영역 내에 한정된다. 발진 주파수가 자기 기록 매체의 기록층의 강자성 공명 주파수와 동등하거나, 또는 발진 주파수를 그 근방에 설정하여, 스핀 발진 소자를 기록 자극의 근방에 배치한 자기 기록 헤드를 자기 기록 매체에 근접 대향시키면, 스핀 발진 소자로부터 발생하는 고주파 자계를 매체 기록층의 미세 기록 부위에만 인가할 수 있다. 그 결과, 미세 기록 부위의 보자력만을 저하시킬 수 있다.
이 보자력이 저하하는 타이밍에, 이 기록 부위에 기록 자극을 이용하여 기록 자계를 인가함으로써, 기록 부위만을 자화 반전시키는 것, 즉 정보의 기입이 가능하게 된다.
또한, 스핀 발진 소자의 소비 전력은, 종래의 GMR 소자나 TMR(Tunneling Magneto-Resistive effect) 소자와 마찬가지로 작고, 발열도 약간이며, 더구나 스핀 발진 소자를 기록 자극에 근접 배치한 헤드 구조는 종래의 자기 헤드와 마찬가지의 제조 프로세스로 제작 가능하기 때문에, 제조 코스트도 매우 염가이다. 따라서, 스핀 발진 소자를 이용한 고주파 어시스트 자기 기록 방식은, 장래의 자기 기록 방식으로서 유망하다.
[특허 문헌1] 미국 특허 제6011664호 명세서
[특허 문헌2] 미국 특허 출원 공개 제2005/0023938호 명세서
[특허 문헌3] 미국 특허 출원 공개 제2005/0219771호 명세서
전술한 바와 같이, 스핀 발진 소자를 이용한 고주파 어시스트 자기 기록 방식은, 장래의 고기록 밀도 대응의 자기 기록 방식으로서 유망하다. 그러나, 종래의 스핀 발진 소자를 이용한 경우, 스핀 발진 소자로부터 자기 기록 매체에 인가되는 고주파 자계는, 매체면에 대하여 수직한 방향 성분이 지배적이다. 물론, 매체면의 면내 방향 성분도 포함하지만, 그 공간 분포는 매체면직 성분의 그것과 비교하면 급준하면서 강도도 약하다. 또한, 고주파 어시스트 자기 기록 방식에서도, 통상의 자기 기록 방식과 마찬가지로, 보다 고밀도의 기록을 실현하기 위해서는, 면내 배향 매체보다도 수직 배향 매체쪽이 유리하다.
그런데, 기록층의 보자력을 효율적으로 저감하기 위해서는, 자기 기록층에 대하여 그 자화 용이축(자화의 배향 방향)과 직교하는 방향으로 고주파 자계를 인가하여 자화에 토크 THrf를 주어 강자성 공명(세차 운동)을 일으키게 할 필요가 있다. 자화 용이축에 대하여 평행한 방향으로 고주파 자계를 인가하면, 자화에 유효한 토크가 기능하지 않아 강자성 공명은 생기기 어렵다. 따라서, 수직 기록 매체를 이용하는 경우, 그 보자력을 효율적으로 저하시키기 위해서는, 매체면내 방향 성분이 지배적인 고주파 자계를 기록층에 인가할 필요가 있다.
그런데, 종래 구조의 스핀 발진 소자가 발생하는 고주파 자계는 매체면에 대하여 수직 방향 성분이 지배적이고, 이것이 기록층 자화와 평행하기 때문에, 이 고주파 자계를 인가하여도 그 부위의 자화가 강자성 공명(세차 운동)을 생기게 하기 어려워, 기록 부위 보자력의 효과적 저감이 곤란하다고 하는 문제가 있었다. 따라서, 금후, 고주파 어시스트 자기 기록 방식을 이용함으로써, 보다 고밀도의 정보 기록을 실현하기 위해서는, 수직 배향의 자기 기록 매체에 대하여 매체면의 면내 방향 성분이 지배적인 고주파 자계를 인가할 수 있는 자기 소자와, 이러한 자기 소자를 이용한 자기 기록 헤드의 개발이 기대된다.
본 발명은 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 효과적·효율적인 고주파 어시스트 자기 기록을 가능하게 하는 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 이를 이용한 자기 기록 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 적어도 1층의 자성체층을 갖는 제1 스핀 발진층과, 적어도 1층의 자성체층을 갖는 제2 스핀 발진층과, 상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층 사이에 형성된 제1 비자성체층과, 자화 방향이 고정된 강자성체를 포함하는 스핀 편극층과, 상기 제1 및 제2 스핀 발진층과, 상기 비자성체층과, 상기 스핀 편극층을 갖는 적층체에 전류를 통전 가능하게 한 한쌍의 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 소자가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 기록 자극과, 상기 기록 자극과 병설된 상기의 자기 소자와, 자기 재생 소자를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 수직 자기 기록 매체와, 상기의 자기 기록 헤드와, 상기 자기 기록 매체와 상기 자기 기록 헤드를 이격시키고 또는 접촉시킨 상태에서 대치시키면서 상대적으로 이동 가능하게 한 가동 수단과, 상기 자기 기록 헤드를 상기 자기 기록 매체의 소정 기록 위치에 위치 정렬하는 제어 수단과, 상기 자기 기록 헤드를 이용하여 상기 자기 기록 매체에의 신호의 기입과 판독을 행하는 신호 처리 수단을 구비하고, 상기 한쌍의 스핀 발진층의 발진 주파수는, 상기 자기 기록 매체의 기록 자성층을 구성하는 기록 자성립 또는 기록 자성 도트의 강자성 공명 주파수와 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 효과적·효율적인 고주파 어시스트 자기 기록을 가능하게 하는 자기 소자, 자기 기록 헤드 및 이를 이용한 자기 기록 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 중, 마찬가지의 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여서 상세한 설명은 적절히 생략한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자기 소자의 사시도이다.
또한, 도 2는 이 자기 소자를 구비한 자기 기록 헤드의 개략 구성을 도시하는 사시도이다. 또한, 도 3은 이 자기 헤드가 탑재되는 자기 헤드 슬라이더를 예시하는 사시도이다.
도 2에 예시한 바와 같이, 제1 실시 형태에서의 자기 기록 헤드(5)는, 자기 실드층(72a 과 72b) 사이에 GMR 소자나 TMR 소자 등의 자기 재생 소자(71)를 배치한 재생 헤드(70)와, 재생 헤드(70) 상에 절연층(65)을 개재하여 형성된 기입 헤드(60)와, 기입 헤드(60)의 기록 자극(61)에 대하여 절연층(64)을 개재하여 근접 배치한 자기 소자(10)를 구비한다.
이 자기 기록 헤드(5)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 헤드 슬라이더(3)의 공기 유출단의 측면 등에 배치된다. 헤드 슬라이더(3)는, Al2O3/TiC 등으로 이루어지고, 도시하지 않은 자기 디스크 등의 자기 기록 매체 상을 부상 또는 접촉하면서 상대적으로 운동할 수 있도록 설계·가공되어 있다.
기입 헤드(60)는, 주 자극(61)과 리턴 패스(보조 자극)(62)로 이루어지는 자기 코어와, 이를 여자하기 위한 코일(63)을 갖는다. 자기 소자(10)는, 주 자극(61) 상에, Al2O3 등으로 이루어지는 절연층(64)을 개재하여 형성된 제1 전극층(41)과, 자화(301)가 막면에 대하여 대략 평행 방향(도 1의 (a)) 또는 대략 수직 방향(도 1의 (b))으로 배향한 스핀 편극층(30)과, 스핀 투과율이 높은 비자성층(22)(Cu, Au, Ag 등)과, 제1 스핀 발진층(10a)과, 제1 비자성층(21)과, 제2 스핀 발진층(10b)과, 제2 전극층(42)이, 이 순으로 적층된 구조를 갖는다.
제1 전극층(41)과 제2 전극층(42)은, 각각 Ti 또는 Cu 등으로 이루어진다.
제1 스핀 발진층(10a)은, 자화(10a1)가 막면내 방향으로 배향한 자성층에 의해 형성할 수 있다.
제1 비자성층(21)은, Cu 등의 비자성 금속층으로 이루어진다.
제2 스핀 발진층(10b)은, 자화(10b1)가 막면내 방향으로 배향한 자성층에 의해 형성할 수 있다.
제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)은, 제1 비자성층(21)(Cu, Pt, Au, Ag, Pd, Ru 등의 귀금속을 이용하는 것이 바람직하고, Cr, Ru, Rh, Mo, W 등의 비자성 천이 금속을 이용하는 것도 가능함)을 개재하여 서로 반강자성 결합 및/또는 정적 자기 결합을 시킴으로써, 각각의 자화가 서로 반평행하게 되도록 형성되어 있다. 그리고, 자기 헤드의 내부 또는 외부에 적절히 배치된 정전류원(50)을 이용함으로써, 전극층(41)과 전극층(42)을 경유하여 이들 한쌍의 스핀 발진층(10a, 10b)에 소정의 직류 전류를 흘릴 수 있다.
여기서, 전술한 반강자성 결합 및/또는 정적 자기 결합은, 제1 비자성층(21)의 재료와 두께를 적절히 조절함으로써, 어느 한쪽 또는 어느쪽의 결합도 가능하도록 설계하는 것이 가능하다. 또한, 스핀 편극층(30)은 자화 고착층의 사정도 있기 때문에, 스핀 편극층의 자화(301)가 항상 안정되도록, 스핀 편극층(30)과 제1 스핀 발진층(10a)이, 그다지 큰 자기적 결합을 하지 않도록, 비자성층(22)의 재료나 막 두께 등을 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
제1 스핀 발진층(10a), 제2 스핀 발진층(10b)에 이용하는 자성층으로서는, CoFe, CoNiFe, NiFe, CoZrNb, FeN, FeSi, FeAlSi 등의, 비교적, 포화 자속 밀도가 커서 막면내 방향으로 자기 이방성을 갖는 연자성층이나, 막면내 방향으로 자화가 배향한 CoCr계의 자성 합금막 등을 이용할 수 있다. 또한, 제1 비자성층과 제2 비자성층으로서는, Cu, Pt, Au, Ag, Pd, Ru 등의 귀금속을 이용하는 것이 바람직하 고, Cr, Ru, Rh, Mo, W 등의 비자성 천이 금속을 이용하는 것도 가능하다.
스핀 편극층(30)의 재료로서는, 막면직 방향으로 자화 배향한 비교적 CoCrPt, CoCrTa, CoCrTaPt, CoCrTaNb 등의 CoCr계 자성층이나, TbFeCo 등의 RE-TM계 아몰퍼스 합금 자성층이나, Co/Pd, Co/Pt, CoCrTa/Pd 등의 Co 인공 격자 자성층이나, 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)가 필요하면 CoPt계나 FePt계의 합금 자성층이나, SmCo계 합금 자성층 등, 수직 배향성이 우수한 재료를 적절히 이용할 수 있다.
도 4 및 도 5는, 본 실시 형태의 자기 기록 헤드의 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 또한, 도 4에서는, 스핀 편극층(30)의 자화(301)가 막면내 방향인 경우를 예시했지만, 막면직 방향(도 1의 (b) 참조)인 경우도 거의 마찬가지이다.
전극층(42), 한쌍의 스핀 발진층(10b, 10a), 그리고 전극층(41)의 순으로 직류 전류(51)가 통전되면, 그와는 반대 방향으로 전자류(52)가 흐르게 된다. 전극층(41)으로부터 스핀 편극층(30)에 유입하여, 스핀 편극층(30)을 통과하는 전자의 스핀은, 스핀 편극층(30)의 막면에 대하여 대략 평행 방향(또는 대략 수직 방향)으로 배향한 자화(301)의 방향으로 편극된다. 이 편극된 전자류(52)는, 스핀 투과율이 높은 비자성층(22)을 경유하여, 제1 스핀 발진층(10a)에 유입한다.
제1 스핀 발진층(10a)의 자화(10a1)를 막면내 방향으로 배향시키면 자화(10a1)와 자화(301)의 방향이 직교하기 때문에, 자화(10a1)는 큰 스핀 토크를 받음으로써 강자성 공명(자화의 세차 운동)을 일으킨다. 이 때문에, 제1 스핀 발진층(10a) 내에는 그 자기 특성 등에 따라서 수㎓로부터 100㎓를 초과하는 범위 내의 고주파 발진 현상이 생긴다. 이 때, 제1 스핀 발진층(10a) 내에 생긴 고주파 자화 Mrf의 매체면직 방향 성분 Mrf(⊥)에 의해, 제1 스핀 발진층(10a)의 매체 대향면(100)측의 단부에는 고주파 자하가 생긴다.
본 발명자의 검토에 따르면, 스핀 편극층(30)의 자화(301)의 방향이 막면에 대하여 대략 평행 방향이나 대략 수직 방향이어도 이러한 강자성 공명을 생기게 할 수 있고, 본 구체예의 경우에는, 특히, 자화(301)가 막면에 대하여 대략 평행 방향인 경우에, 보다 현저하게 강자성 공명을 생기게 할 수 있는 것이 판명되었다.
다음으로, 제1 스핀 발진층(10a)으로부터 스핀 투과율이 높은 비자성층(21)을 통과한 전자류(52)가 제2 스핀 발진층(10b)에 유입하면, 전술한 제1 스핀 발진층(10a)이 강자성 공명을 일으키게 하는 것과 마찬가지의 원리로 제2 스핀 발진층(10b)에도 강자성 공명이 생긴다. 여기에서, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)은, 이들 사이에 삽입한 비자성층(21)의 재료와 두께를 적절히 선택함으로써, 서로의 자화를 반강자성 결합 및/또는 정적 자기 결합시키면, 제2 스핀 발진층(10b)의 자화(10b1)는 제1 스핀 발진층(10a)의 자화(10a1)에 대하여 항상 반평행 상태로 된다.
이러한 상태가 유지되면 제2 스핀 발진층(10b)의 자화(10b1)와 제1 스핀 발진층(10a)의 자화(10a1)는 역 위상(이후, 「역상」이라고도 표기함)이며 세차 운동한 쪽이 에너지적으로 안정된다. 그 때문에, 제2 스핀 발진층(10b)이 고주파 발진(세차 운동)하면, 제2 스핀 발진층(10b)의 매체 대향면(100)측의 단부에 생기는 고주파 자하는, 전술한 제1 스핀 발진층(10a)의 매체 대향면(100)측의 단부에 생기 는 고주파 자하와는 역상으로 된다. 이 때문에, 이들 한쌍의 스핀 발진층을 매체측에서 보면, 도 5에 도시한 바와 같이, 한쌍의 스핀 발진층의 매체 대향면(100)측의 각각의 단부에는 서로 역상의 고주파 자하가 생긴다. 따라서, 한쌍의 스핀 발진층의 단부로부터는 매체면내 방향 성분 Hrf(x)가 지배적인 고주파 자계가 발생하게 되고, 이를 매체의 기록 자성층(81)에 인가할 수 있다.
여기서, x는 매체 주행 방향을 나타내고, 가령 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)의 자기 특성과 막 두께를 동등하게 선택하면, Hrf(x)는 비자성층(21)의 중앙 바로 아래 근방에서 최대로 되고, 그 바로 아래 위치로부터 X 방향으로 떨어지면 강도가 감쇠한다. 보다 상세하게는, Hrf(x)의 분포(93)의 분해능(반값폭)은, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)과의 막 두께와 포화 자화가 동일하며, 그 막 두께를 t1(=t2)로 하고, 비자성층(21)의 막 두께를 t21로 하고, 한쌍의 스핀 발진층과 자기 기록 매체의 기록층까지의 스페이싱이 t1, t2와 동등 이하이면, 상기한 반값폭은 근사적으로 t1과 t21/2와의 합 즉 (t1+(t21)/2)로 나타낼 수 있다.
일례로서, t1과 t2를 10㎚로 하고, t21로서 1㎚(재료로서는 Ru를 선택하고, 한쌍의 스핀 발진층이 비교적 강한 반강자성 결합을 하는 경우에 상당함)를 선택하면, Hrf(x)의 분포의 반값폭은 10.5㎚ 정도로 된다.
그런데, 도 5에 도시한 바와 같이, 한쌍의 스핀 발진층의 발진 주파수를 매체자화의 강자성 공명 주파수 혹은 그 근방에 설정하여, 자기 헤드를 수직 자기 기록 매체에 대치시키면, 한쌍의 스핀 발진층으로부터는, 기록층 영역(91)(전술한 바 와 같은 분해능에 상당함) 내의 수직자화 M에 대하여 직교하는 방향의 고주파 자계 Hrf(x)가 인가된다. 따라서, 기록층(81)의 기록층 영역(91) 내의 자화가 강자성 공명에 의한 세차 운동을 하기 때문에, 기록층 영역(91) 내의 자화는 매우 반전하기 쉬워진다.
도 6은, 기록층의 자화 용이축과 고주파 자계와의 관계를 설명하기 위한 모식도이다.
기록층(81)의 보자력을 효율적으로 저감하기 위해서는, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 자기 기록층(81)에 대하여 그 자화 용이축(자화의 배향 방향)과 직교하는 방향으로 고주파 자계를 인가하여 자화에 토크 THrf를 주어 강자성 공명(세차 운동)을 일으키게 하는 것이 필요하다. 한편, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 자화 용이축에 대하여 평행한 방향으로 고주파 자계를 인가하면, 자화에 유효한 토크가 기능하지 않아 강자성 공명은 생기기 어렵다. 따라서, 수직 기록 매체를 이용하는 경우, 그 보자력을 효율적으로 저하시키기 위해서는, 매체면의 면내 방향 성분이 지배적인 고주파 자계를 기록층에 인가할 필요가 있다.
그런데, 특허 문헌2 및 3에 개시되어 있는 종래 구조의 스핀 발진층이 발생하는 고주파 자계는 매체면직 방향 성분이 지배적이고, 이것이 기록층 자화와 평행하기 때문에, 이 고주파 자계를 인가해도 그 부위의 자화가 강자성 공명(세차 운동)을 생기게 하기 어려워, 기록 부위 보자력의 효과적 저감이 곤란하다고 하는 문제가 있었다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 따르면, 종래의 자기 기록 방식에서는 기입 곤란한 고보자력의 수직 자기 기록 매체에의 고효율의 고주파 어시스트 자기 기록이 가능해져, 장래의 초고밀도 자기 기록에 적합한 고주파 어시스트 자기 기록 헤드 및 이를 이용한 고주파 어시스트 자기 기록 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 7은, 기록층에서의 보자력의 저하를 예시하는 그래프이다.
수직 자기 기록 매체에서도, 기록층(81)의 매체면에 대하여 평행한 방향으로 고주파 자계를 인가함으로써, 기록층(81)의 보자력 Hc1을 Hc2까지 감소시킬 수 있다. 이와 같이 보자력이 감소한 타이밍에서 한쌍의 스핀 발진층에 근접 배치한 기록 자극(61)으로부터 기록층 영역(91)에 기록 자계를 인가하면, 기록층 영역(91)의 자화가 용이하게 반전하여, 정보의 기입이 완료된다.
본 실시 형태에 따른 보자력의 감소에 대해서는, 고주파 어시스트가 없는 경우의 보자력의 1/2∼1/3 이하의 저하가 가능하다고 생각된다. 따라서, 전술한 바와 같은 한쌍의 스핀 발진층을 이용한 고주파 어시스트 자기 기록을 행하면, 보다 높은 기록 밀도 포텐셜을 갖는 보다 높은 자기 이방성 에너지(즉 고보자력)의 수직 자기 기록 매체를 이용해도, 종래의 기록 자극(61)을 이용한 기록이 가능해져서, HDD 등의 자기 기록 장치의 기록 밀도 향상이 장래에 걸쳐서 계속할 수 있다고 하는 현저한 효과를 얻을 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에서는, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)의 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)는, 일치 또는 대략 일치시키는 것이 바람직하다. 이는, 스핀 발진층의 발진 주파수는 소자의 보다 높은 자기 이방성 에너 지(Ku)의 크기에 의해 결정되고, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)의 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)가 서로 다르면, 한쪽의 소자가 발진해도 다른 쪽의 소자가 발진하지 않게 되어, 전술한 바와 같은 서로 역상의 세차 운동이 성립하지 않게 되기 때문이다.
또한, 보다 고분해능의 고주파 어시스트 자기 기록을 실현하기 위해서는, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)으로부터 발생하는 고주파 자계의 매체면내 방향 성분 Hrf(x)를 매체 주행 방향에 대하여 대칭형으로 하는 것이 바람직하다. 그를 위해서는, 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)의 포화 자화와 막 두께를, 각각 Ms1과 t1, Ms2와 t2로 표기했을 때, 곱 Ms1×t1을 곱 Ms2×t2와 대략 동등하게 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 실시 형태에서의, 여러 실시예에 대하여 설명한다.
도 8은, 본 실시 형태의 실시예의 자기 소자를 도시하는 사시도이다.
본 실시예에서의 자기 소자는, 전극층(41)으로부터 제2 스핀 발진층(10b)(즉 제2 자성층(10b))까지의 구성은 동일하지만, 제2 스핀 발진층(10b) 위에 스핀 투과성이 양호한 예를 들면 Cu 등의 비자성 금속으로 이루어지는 비자성층(23)을 적층하고, 비자성층(23) 상에 스핀 반사층(31)과 전극층(42)이, 이 순으로 적층되어 있다.
여기서, 스핀 반사층(31)의 자화(311)의 방향을 스핀 편극층(30)의 자화(301)의 방향으로 일치시킴으로써, 제2 스핀 발진층(10b)으로부터 비자성층(23)을 통과한 전자류가 스핀 반사층(31)과 비자성층(23)의 계면 부근에서 반사하는 반 사 전자류(53)가 한쌍의 스핀 발진층에 작용함으로써, 특히 제2 스핀 발진층(10b)은 보다 세차 운동을 하기 쉬워지기 때문에, 비교적 작은 직류 전류(51)를 흘려도, 고강도로 급경사이면서 대칭성이 우수한 고주파 자계의 매체면내 방향 성분 Hrf(x)를 발생하는 것이 가능하게 된다.
이하, 이 메카니즘에 대하여 더욱 자세히 설명한다.
한쌍의 스핀 발진층(10a, 10b)은 반강자성 결합 및/또는 정적 자기 결합하고 있기 때문에, 이들 한쌍의 스핀 발진층을 전자류(52)가 통과할 때에, 그 스핀이 반전한다. 계속해서, 스핀 반사층(31)과 비자성층(23)과의 계면에서 전자류(52)가 반사할 때에, 또 한번 전자류(52)의 스핀이 반전한다.
그 때문에, 제1 스핀 발진층(10a)을 통과하여, 스핀 편극층(30)의 자화(301)의 방향과 동일해진 전자류(52)의 스핀을 e↑로 하면, 제2 스핀 발진층(10b)을 통과하는 전자류(52)의 스핀은 역 방향인 e↓로 되고, 또한, 여기서 스핀 반사층(31)의 자화(311)의 방향이 스핀 편극층(30)의 자화(301)의 방향과 동일하게 하면, 반사 전자류(53)의 스핀은 전자류(52)의 스핀과는 역 방향인 e↓로 된다.
그 결과, 제2 스핀 발진층(10b)에서는, 전자류(52)의 스핀 e↓가 증폭되게 된다. 또한, 전술한 증폭은, 한쌍의 스핀 발진층의 자화(10a1 및 10b1)가 막면직 방향으로 배향한 경우에도 마찬가지로 적합하다.
또한, 도 1∼도 7에 관하여 전술한 그 밖의 헤드 구성, 동작 원리, 효과 등은, 본 실시예에서도 마찬가지로 할 수 있다.
도 9는, 본 실시 형태의 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도이 다.
본 실시예의 자기 소자는, 전극층(41)과, 막면에 대하여 대략 평행 방향(도 9의 (a)) 또는 대략 수직 방향(도 9의 (b))으로 자화(301)가 배향한 스핀 편극층(30)과, 스핀 투과성이 양호한 제2 비자성층(22)과, 막면직 방향으로 자화(10a1)가 배향한 제1 스핀 발진층(10a)과, 제1 비자성층(21)과, 막면직 방향으로 자화(10b1)가 배향한 제2 스핀 발진층(10b)과, 전극층(42)이, 이 순으로 적층된 구조를 갖는다.
한쌍의 스핀 발진층의 자화(10a1과 10b1)를 막면직 방향으로 배향시켜도, 스핀 편극층(30)의 자화(301)를 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 대략 수직 방향으로 배향시킴으로써, 한쌍의 스핀 발진층은 발진하는 것이 가능하게 된다. 보다 높은 기록 밀도를 얻기 위해, 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)가 높은 수직 자기 기록 매체를 이용하면, 그 강자성 공명 주파수도 높아지기 때문에, 고주파 어시스트에 이용할 한쌍의 스핀 발진층의 발진 주파수도 높게 할 필요가 있다. 그를 위해서는, 한쌍의 스핀 발진층을 구성하는 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)의 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)도 높게 할 필요가 있다.
일반적으로, 자기 기록 매체의 재료를 중심으로 하는 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)의 자성 재료는, CoCrPt계, CoZrNb계, FePt계, SmCo계 등등, 수직 자기 이방성을 갖는 것이 많다. 따라서, 발진 주파수가 높은 한쌍의 스핀 발진층을 실현하는 데에 있어서 제1 스핀 발진층(10a)과 제2 스핀 발진층(10b)에 막면직 방향으로 자화가 배향한 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)의 자성층을 이용하는 것이 필요해진다. 이에 대하여, 본 실시예에 따르면, 이러한 한쌍의 스핀 발진층에서도, 보다 높은 주파수에서 발진을 생기게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시예에서의 그 밖의 헤드 구성, 동작 원리, 효과 등은, 도 1∼도 7에 관하여 전술한 것과 마찬가지로 할 수 있다.
도 10은 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도이다.
본 실시예의 자기 소자는, 전극층(41)과, 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 대략 수직 방향으로 자화(301)가 배향한 스핀 편극층(30)과, 스핀 투과성이 양호한 제2 비자성층(22)과, 막면직 방향으로 자화가 배향한 제3 자성층(11a)과 막면내 방향으로 자화가 배향한 제4 자성층(10a)이, 이 순으로 적층되어 형성된 제1 스핀 발진층과, 비자성층(21)과, 막면내 방향으로 자화가 배향한 제5 자성층(10b)과 막면직 방향으로 자화가 배향한 제6 자성층(11b)이, 이 순으로 적층하여 형성된 제2 스핀 발진층과, 전극층(42)이, 이 순으로 적층된 구조를 갖는다.
도 9에 관하여 전술한 실시예와 마찬가지로, 제3 자성층(11a)과 제6 자성층(11b)을 보다 높은 자기 이방성 에너지(Ku)의 자성 재료로, 또한 수직 배향하기 쉬운 CoCrPt계, CoZrNb계, FePt계, SmCo계 등으로 이루어지는 자성 재료를 이용하여 제작함으로써, 매우 높은 발진 주파수를 얻을 수 있다. 또한, 제3 자성층(11a)과 제6 자성층(11b)보다는 낮은 자기 이방성 에너지(Ku)이지만, 제3 자성층(11a)과 제6 자성층(11b)보다는 포화 자속 밀도가 높고, 더구나 제3 자성층(11a)과 제6 자성층(11b)보다는 얇은, 예를 들면, 막 두께가 수㎚ 정도인 CoFe 등의 연자성층을 제1 자성층(10a) 및 제2 자성층(10b)에 이용하고, 더구나 제1 비자성층(21)으로서 1㎚ 정도인 극박의 Ru 등을 이용하면, 제4 자성층(10a)과 제5 자성층(10b)에 강한 반강자성 결합을 시키는 것이 가능해져서, 이 결합이 강제력으로 되어 제1 스핀 발진층 전체와 제2 스핀 발진층 전체가 역상으로 세차 운동하는 것이 용이해짐과 함께, 고주파 자계의 매체면내 방향 성분의 강도를 유지하면서 그 분포를 보다 급격하게 할 수 있다. 그 결과, 보다 고밀도 기록에 적합한 고주파 어시스트 자기 기록을 실현할 수 있다고 하는 효과가 얻어진다.
도 11은, 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도이다.
본 실시예의 자기 소자는, 도 10에 관하여 전술한 것의 변형예이다. 즉, 제1 스핀 발진층으로서, 막면내 방향으로 자화가 배향한 제7 자성층(12a)과, 막면직 방향으로 자화가 배향한 제3 자성층(11a)과, 막면내 방향으로 배향한 제4 자성층(10a)이, 이 순으로 형성되어 있다. 또한, 제2 스핀 발진층으로서, 막면내 방향으로 배향한 제5 자성층(10b)과, 막면직 방향으로 배향한 제6 자성층(11b)이, 이 순으로 적층하여 형성되어 있다.
또한, 스핀 편극층(30)은, 막면에 대하여 대략 수직 방향 또는 대략 평행 방향으로 자화(301)가 배향하고 있다.
막 두께가 수㎚ 정도인 CoFe 등의 극박 연자성층을 이용한 제7 자성층(12a)을 형성함으로써, 본 실시예에서의 한쌍의 스핀 발진층은, 보다 낮은 직류 전류(51)라도 한쌍의 스핀 발진층의 고주파 발진을 용이하게 하는 효과가 얻어지며, 더구나 이 전류값을 바꿈으로써, 고주파 발진 주파수를 가변 즉 튜너블하게 하는 것이 가능하게 된다. 이는, 자기 기록 매체의 재료 특성을 바꾸어도, 그에 따라서 전류(51)를 적절히 조절함으로써 적절히 고주파 어시스트 자기 기록하는 것을 가능하게 하는 것이다.
여기서, 제7 자성층(12a)의 포화 자화와 막 두께를 Ms7, t7로 표기했을 때, 곱(Ms7×t7)과 전술한 곱(Ms3×t3)과 전술한 곱(Ms4×t4)와의 합이, 전술한 곱(Ms5×t5)와 전술한 곱(Ms6×t6)과의 합과, 대략 동등함으로써, 고주파 자계의 매체면내 방향 성분 Hrf(x)를 매체 주행 방향에 대하여 대칭이면서 급준화하여, 고분해능의 고주파 어시스트 자기 기록을 가능하게 할 수 있다.
도 12는, 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도이다.
본 실시예의 자기 소자는, 도 11에 관하여 전술한 것의 변형예이다. 즉, 제1 스핀 발진층으로서, 막면내 방향으로 자화가 배향한 제7 자성층(12a)과, 막면직 방향으로 자화가 배향한 제3 자성층(11a)이, 이 순으로 형성되어 있다. 또한, 제2 스핀 발진층으로서, 막면직 방향으로 배향한 제6 자성층(11b)이 형성되어 있다.
또한, 스핀 편극층(30)은, 막면에 대하여 대략 수직 방향 또는 대략 평행 방향으로 자화가 배향하고 있다.
본 실시예에서도, 막 두께가 수㎚ 정도인 CoFe 등의 극박 연자성층을 이용한 제7 자성층(12a)을 형성함으로써, 본 실시예에서의 한쌍의 스핀 발진층은, 보다 낮은 직류 전류(51)에서도 한쌍의 스핀 발진층의 고주파 발진을 용이하게 하는 효과 가 얻어지고, 더구나 이 전류값을 바꿈으로써, 고주파 발진 주파수를 가변 즉 튜너블하게 하는 것이 가능하게 된다. 이는, 자기 기록 매체의 재료 특성을 바꾸어도, 그에 따라서 전류(51)를 적절히 조절함으로써 적절히 고주파 어시스트 자기 기록하는 것을 가능하게 하는 것이다.
이상, 본 실시 형태의 자기 소자의 실시예에 대하여 설명했다.
다음으로, 본 실시 형태의 자기 헤드의 실시예에 대하여 설명한다.
도 13은, 본 실시 형태의 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도이다.
도 1∼도 12에 관하여 전술한 어느 하나의 자기 소자(10)에 형성된 한쌍의 스핀 발진층이 발생하는 고주파 자계의 매체면내 방향 성분의 분포는 미세화·급준화가 가능하며, 기록의 분해능은, 거의 이 고주파 자계 분포에 의해 결정된다. 이 때문에, 도 13에 도시한 바와 같이, 기록 자극(61)의 리딩 엣지측에, 한쌍의 스핀 발진층을 갖는 자기 소자(10)를 근접 배치하여도 전혀 지장은 없다. 즉, 이와 같이 하여도, 자기 기록의 분해능은, 자기 소자(10)에 형성된 한쌍의 스핀 발진층에 의해 결정할 수 있다. 또한, 그 의미로부터, 기록 자극의 트랙 방향의 폭은, 자기 소자(10)에 형성된 한쌍의 스핀 발진층의 트랙 폭 방향의 폭보다도 넓어도 전혀 지장은 없다.
도 14는, 본 실시 형태의 다른 본 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도이다.
또한, 도 15는, 링형 기록 헤드로부터 기록 매체에 인가되는 기록 자계의 매 체면내 방향 성분 Hx(X)와 매체면직 방향 성분 Hy(X)의 해석 결과의 일례를 도시하는 모식도이다. 여기에서, 도면 중의 g는 갭 길이, H0은 갭 내 자계 강도를 의미한다.
또한, 도 16과 도 17은, 각각, 본 실시예에서의 한쌍의 스핀 발진층의 설치 위치를 나타내는 헤드 주요부를 확대한 단면도이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는, 매체 주행 방향(85)을 따라, 자기 헤드 슬라이더(3)의 측벽에 실드형의 GMR 헤드(70)와, 주 자극(61)과 보조 자극(62)과 자기 갭(66)과 코일(63)로 이루어지는 기록 헤드(60)가, 이 순으로 형성되어 있다. 그리고, 한쌍의 스핀 발진층을 갖는 자기 소자(10)는, 기록 헤드(60)의 주 자극(61)과 보조 자극(62) 사이에 형성되는 자기 갭 사이에 배치되어 있다. 즉, 주 자극(61)의 리딩 엣지측에, 한쌍의 스핀 발진층을 갖는 자기 소자(10)가 배치되어 있다.
본 실시예에서도, 자기 기록 매체(80)로서는 수직 자기 기록 매체를 상정하고 있다. 또한, 자기 소자(10)에 형성된 한쌍의 스핀 발진층이 발생하는 고주파 자계의 매체면내 방향 성분의 분포는 미세하면서 급준하기 때문에, 고주파 어시스트 자기 기록의 기록 분해능은 이 고주파 자계의 공간 분포에 의해 결정된다. 따라서, 기록 헤드(60)의 3차원적인 사이즈, 즉 주 자극(61)과 보조 자극(62)의 폭, 두께 등의 사이즈와 자기 갭의 폭(g)은 한쌍의 스핀 발진층(10)의 그것과 비교하여 충분히 크게 할 수 있다. 따라서, 자기 갭의 트랙 폭 방향의 중간 위치 부근에, 한쌍의 스핀 발진층을 갖는 자기 소자(10)를 배치하면, 자기 소자(10)를 이용하여 어시스트한 매체 기록 부위에는 균일하면서 충분히 큰 기록 자계를 인가하는 것이 가능하게 된다.
그런데, 수직 자기 기록 매체의 경우, 기록층을 구성하는 자성 입자는 거의 단자구 입자로 생각할 수 있기 때문에, 자성 입자의 보자력 Hc는, 기록 자계 Hw와 자성 입자의 자화 M이 평행일 때 최대로 되고, Hw와 M이 이루는 각이 45도일 때 Hc는 반감한다. 이는 기록 자계를 매체 자화 M에 대하여 비스듬히 인가하면 적은 자계로 자화 반전(기록)을 할 수 있는 것을 의미한다.
도 15에 도시한 바와 같이, 자기 갭을 갖는 링형 기록 헤드의 자기 갭으로부터 매체 기록층에 인가되는 기록 자계의 매체면내 방향 성분(도 14의 X방향 즉 매체 진행 방향)Hx(X)와 매체면직 방향 성분 Hy(X)는, X=0으로 나타내어지는 자기 갭 중심 위치로부터 대략 ±g/10 떨어진 위치에서 Hx(X)와 Hy(X)의 절대값이 동등하게 되는 것을 알 수 있었다. 즉 X=±g/10 부근에서는 수직 자화 매체의 자화는, 경사 45도의 기록 자계를 받게 된다. 따라서, 도 16 또는 도 17에 도시한 바와 같이, 자기 소자(10)의 한쌍의 스핀 발진층의 중심 위치(즉 한쌍의 스핀 발진층을 이격하는 비자성층(21)의 위치)를 자기 갭(66) 내에서 X=±g/10으로 되도록 설정하면, 고주파 자계 Hrf(X)가 가해지는 매체 기록 부위에 45도의 경사 기록 자계를 인가하는 것이 가능해져서, 통상의 수직 방향으로 기록 자계를 인가하는 경우와 비교해서 기록 효율이 배증하게 된다.
또한, 이러한 기록 효율 향상 효과는, 도 2나 도 13에 도시한 실시예에서도, 주 자극(61) 또는 보조 자극(62)에 대한 자기 소자(10)의 한쌍의 스핀 발진층의 위치를 적절히 정함으로써 용이하게 얻을 수 있다.
도 18은, 본 실시 형태의 또 다른 본 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도이다.
본 실시예의 기록 헤드(5)는, 주 자극(61)과 이와 자기 코어(그 전체는 도시하지 않음)를 형성하는 보조 자극(62)과, 주 자극(61) 및 보조 자극(62)을 결합하는 코일(도시하지 않음)을 갖고, 자기 기록 매체는, 수직 자기 기록 매체를 상정하고 있다. 본 실시예에서는, 도 1∼도 12에 관하여 전술한 한쌍의 스핀 발진층을 갖는 자기 소자(10)가, 주 자극(61)의 트랙 폭 방향의 옆에 또한 보조 자극(62)의 상방에서, 주 자극(61)과 보조 자극(62)의 양방에 근접 배치되어 있다.
본 실시예에 따르면, 특히 기록 헤드의 사이즈가, 한쌍의 스핀 발진층(10)에 비교하여 3차원적으로 충분히 큰 경우에는, 자기 소자(10)에 형성된 한쌍의 스핀 발진층에 의해 고주파 어시스트된 매체 기록 부위에 충분한 강도이고 또한 매체 기록층의 자화 M(y 방향)에 대하여 경사 방향(각도:θ)의 기록 자계 Hw를 인가하는 것이 가능하게 된다. 주 자극(61) 및 보조 자극(62)에 대하여, 자기 소자(10)의 한쌍의 스핀 발진층의 위치 관계를 적절히 정함으로써, θ=45°의 Hw를 매체 기록 부위에 인가하는 것도 가능하다. 이에 의해, 도 14∼도 17에 관하여 전술한 실시예와 마찬가지로, 고효율의 정보 기록이 가능하게 된다.
다음으로, 본 발명의 실시 형태에 따른 자기 기록 장치에 대하여 설명한다. 즉, 도 1∼도 18에 관하여 설명한 본 발명의 자기 소자(10) 또는 자기 기록 헤드 는, 예를 들면, 기록 재생 일체형의 자기 헤드 어셈블리에 내장되어, 자기 기록 재생 장치에 탑재할 수 있다.
도 19는, 이러한 자기 기록 재생 장치의 개략 구성을 예시하는 주요부 사시도이다. 즉, 본 발명의 자기 기록 재생 장치(150)는, 로터리 액튜에이터를 이용한 형식의 장치이다. 도 19에서, 기록용 매체 디스크(180)는, 스핀들(152)에 장착되어, 도시하지 않은 구동 장치 제어부로부터의 제어 신호에 응답하는 도시하지 않은 모터에 의해 화살표 A의 방향으로 회전한다. 본 발명의 자기 기록 재생 장치(150)는, 복수의 매체 디스크(180)를 구비한 것으로 하여도 된다.
매체 디스크(180)에 저장하는 정보의 기록 재생을 행하는 헤드 슬라이더(3)는, 도 3에 관하여 전술한 바와 같은 구성을 갖고, 박막 형상의 서스펜션(154)의 선단에 부착되어 있다. 여기에서, 헤드 슬라이더(3)는, 예를 들면, 전술한 어느 하나의 실시 형태에 따른 자기 소자(10) 또는 자기 기록 헤드를 그 선단 부근에 탑재하고 있다.
매체 디스크(180)가 회전하면, 헤드 슬라이더(3)의 매체 대향면(ABS)은 매체 디스크(180)의 표면으로부터 소정의 부상량을 갖고 유지된다. 혹은 슬라이더가 매체 디스크(180)와 접촉하는 소위 「접촉 주행형」이어도 된다.
서스펜션(154)은, 도시하지 않은 구동 코일을 유지하는 보빈부 등을 갖는 액튜에이터 암(155)의 일단에 접속되어 있다.　액튜에이터 암(155)의 타단에는, 리니어 모터의 일종인 보이스 코일 모터(156)가 형성되어 있다. 보이스 코일 모터(156)는, 액튜에이터 암(155)의 보빈부에 감아 올려진 도시하지 않은 구동 코일 과, 이 코일을 사이에 두도록 대향하여 배치된 영구 자석 및 대향 요크로 이루어지는 자기 회로로 구성된다.
　액튜에이터 암(155)은, 스핀들(157)의 상하 2개소에 형성된 도시하지 않은 볼 베어링에 의해 유지되어, 보이스 코일 모터(156)에 의해 회전 섭동이 자유자재로 가능하도록 되어 있다.
도 20은, 액튜에이터 암(155)으로부터 앞의 자기 헤드 어셈블리를 디스크측에서 바라본 확대 사시도이다. 즉, 자기 헤드 어셈블리(160)는, 예를 들면 구동 코일을 유지하는 보빈부 등을 갖는 액튜에이터 암(155)을 갖고, 액튜에이터 암(155)의 일단에는 서스펜션(154)이 접속되어 있다.
서스펜션(154)의 선단에는, 도 1∼도 18에 관하여 전술한 어느 하나의 자기 소자(10) 또는 자기 기록 헤드를 구비하는 헤드 슬라이더(3)가 부착되어 있다. 서스펜션(154)은 신호의 기입 및 판독용의 리드선(164)을 갖고, 이 리드 선(164)과 헤드 슬라이더(3)에 내장된 자기 헤드의 각 전극이 전기적으로 접속되어 있다. 도면 중(165)은 자기 헤드 어셈블리(160)의 전극 패드이다.
본 발명에 따르면, 도 1∼도 18에 관하여 전술한 바와 같은 본 발명의 자기 소자(10) 또는 자기 기록 헤드를 구비함으로써, 종래보다도 높은 기록 밀도로 수직 자기 기록형의 매체 디스크(180)에 정보를 확실하게 기록하는 것이 가능하게 된다.
도 21은 본 실시 형태에서 이용할 수 있는 자기 기록 매체를 예시하는 모식도이다.
즉, 본 구체예의 자기 기록 매체(1)는, 비자성체(87)에 의해 차이로 분리된 자성 디스크리트 트랙(86)을 갖는다. 이 매체(1)가 스핀들 모터(4)에 의해 회전되고, 매체 진행 방향(85)을 향하여 이동할 때에, 도 1∼도 18에 관하여 전술한 자기 기록 헤드(5)에 의해, 기록 자화(84)를 형성할 수 있다.
도 22는, 본 실시 형태에서 이용할 수 있는 다른 하나의 자기 기록 매체를 예시하는 모식도이다.
즉, 본 구체예의 자기 기록 매체(1)는, 비자성체(87)에 의해 차이로 분리된 자성 디스크리트 비트(88)를 갖는다. 이 매체(1)가 스핀들 모터(4)에 의해 회전되고, 매체 진행 방향(85)을 향하여 이동할 때에, 도 1∼도 18에 관하여 전술한 자기 기록 헤드(5)에 의해, 기록 자화(84)를 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 도 21 및 도 22에 도시한 바와 같이, 디스크리트형의 자기 기록 매체(1)에서, 높은 보자력을 갖는 기록층에 대해서도 확실하게 기록할 수 있어, 고밀도이면서 고속인 자기 기록이 가능하게 된다.
이상, 구체예를 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은, 전술한 각 구체예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1∼도 22에 관하여 전술한 각 구체예의 어느 2개 혹은 그 이상을 기술적으로 가능한 범위에서 조합한 것도, 본 발명의 범위에 포함된다.
즉, 본 발명은 각 구체예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 변형하여 실시하는 것이 가능하며, 이들 전부는 본 발명의 범위에 포함된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 자기 소자의 사시도로, 도 1의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우, 도 1의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 2는 자기 소자(10)를 구비한 자기 기록 헤드의 개략 구성을 도시하는 사시도.
도 3은 자기 헤드(5)가 탑재되는 자기 헤드 슬라이더를 예시하는 사시도.
도 4는 본 실시 형태의 자기 기록 헤드의 동작을 설명하기 위한 개념도.
도 5는 본 실시 형태의 자기 기록 헤드의 동작을 설명하기 위한 개념도.
도 6은 기록층의 자화 용이축과 고주파 자계와의 관계를 설명하기 위한 모식도.
도 7은 기록층에서의 보자력의 저하를 예시하는 그래프.
도 8은 본 실시 형태의 실시예의 자기 소자를 도시하는 사시도로, 도 8의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우, 도 8의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 9는 본 실시 형태의 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도로, 도 9의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우, 도 9의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 10은 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도로, 도 10의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우, 도 10의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 11은 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도로, 도 11의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우, 도 11의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 12는 본 실시 형태의 또 다른 실시예에서의 자기 소자를 도시하는 사시도로, 도 12의 (a)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향한 경우, 도 12의 (b)는 스핀 편극층(30)의 자화가 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향한 경우의 도면.
도 13은 본 실시 형태의 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도.
도 14는 본 실시 형태의 다른 본 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도.
도 15는 링형 기록 헤드로부터 기록 매체에 인가되는 기록 자계의 매체면내 방향 성분 Hx(X)와 매체면직 방향 성분 Hy(X)의 해석 결과의 일례를 도시하는 모식도.
도 16은 본 실시예에서의 한쌍의 스핀 발진층의 형성 위치를 나타내는 헤드 주요부를 확대한 단면도.
도 17은 본 실시예에서의 한쌍의 스핀 발진층의 형성 위치를 나타내는 헤드 주요부를 확대한 단면도.
도 18은 본 실시 형태의 또 다른 본 실시예의 자기 헤드의 주요부를 도시한 사시도.
도 19는 자기 기록 재생 장치의 개략 구성을 예시하는 주요부 사시도.
도 20은 액튜에이터 암(155)으로부터 앞의 자기 헤드 어셈블리를 디스크측에서 바라 본 확대 사시도.
도 21은 본 실시 형태에서 이용할 수 있는 자기 기록 매체를 예시하는 모식도.
도 22는 본 실시 형태에서 이용할 수 있는 또하나의 자기 기록 매체를 예시하는 모식도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 자기 기록 매체 3 : 헤드 슬라이더
4 : 스핀들 모터 5 : 자기 기록 헤드
10 : 자기 소자 10a, 10b : 스핀 발진층(자성층)
11a, 11b, 12a : 자성층 21, 22, 23 : 비자성층
30 : 스핀 편극층 31 : 스핀 반사층
41, 42 : 전극층 50 : 정전류원
51 : 직류 전류 52 : 전자류
53 : 반사 전자류 60 : 기록 헤드
61 : 주 자극(기록 자극) 62 : 보조 자극
63 : 코일 64, 65 : 절연층
66 : 자기 갭 70 : 재생 헤드
71 : 자기 재생 소자 72a : 자기 실드층
80 : 자기 기록 매체 81 : 자기 기록층
84 : 기록 자화 85 : 매체 주행 방향
86 : 자성 디스크리트 트랙 87 : 비자성체
88 : 자성 디스크리트 비트 91 : 기록층 영역
100 : 매체 대향면 150 : 자기 기록 재생 장치
152, 157 : 스핀들 154 : 서스펜션
155 : 액튜에이터 암 156 : 보이스 코일 모터
160 : 자기 헤드 어셈블리 164 : 리드선
180 : 매체 디스크

Claims (21)

  1. 적어도 1층의 자성체층을 갖는 제1 스핀 발진층과,
    적어도 1층의 자성체층을 갖는 제2 스핀 발진층과,
    상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층 사이에 형성된 제1 비자성체층과,
    자화 방향이 고정된 강자성체를 포함하는 스핀 편극층과,
    상기 제1 및 제2 스핀 발진층과, 상기 비자성체층과, 상기 스핀 편극층을 갖는 적층체에 전류를 통전 가능하게 한 한쌍의 전극
    을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층은, 서로 반강자성 결합 및/또는 정적 자기 결합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층의 자기 이방성 에너지와 상기 제2 스핀 발진층의 자기 이방성 에너지는, 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층의 포화 자화를 Ms1, 막 두께를 t1로 하고,
    상기 제2 스핀 발진층의 포화 자화를 Ms2, 막 두께를 t2로 했을 때,
    (Ms1×t1)과 (Ms2×t2)는, 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 스핀 발진층으로부터 보아 상기 제1 스핀 발진층과는 반대측에 제3 비자성체층을 개재하여 스핀 반사층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층의 자화는, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 배향하고 있고,
    상기 스핀 편극층의 자화는, 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 대략 수직 방향으로 배향하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층과 상기 제2 스핀 발진층의 자화는, 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 배향하고 있고,
    상기 스핀 편극층의 자화는, 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 대략 수직 방향으로 배향하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층은, 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 자화가 배향한 제3 자성층과, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 자화가 배향한 제4 자성층을 갖고,
    상기 제2 스핀 발진층은, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 자화가 배향한 제5 자성층과, 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 자화가 배향한 제6 자성층을 갖고,
    상기 제4 자성층과 상기 제5 자성층 사이에 상기 제1 비자성체층이 적층되고,
    상기 스핀 편극층은, 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 수직 방향으로 자화가 배향하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 자성층과 상기 제6 자성층의 자기 이방성 에너지는, 대략 동등하고,
    상기 제4 자성층과 상기 제5 자성층의 자기 이방성 에너지는, 대략 동등하고,
    상기 제4 자성층과 상기 제5 자성층의 자기 이방성 에너지는, 상기 제3 자성층과 상기 제6 자성층 중 어느 하나의 자기 이방성 에너지보다도 작고,
    상기 제4 자성층과 상기 제5 자성층의 막 두께는, 상기 제3 자성층과 상기 제6 자성층 중 어느 하나의 막 두께보다도 작은
    것을 특징으로 하는 자기 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제4 자성층과 상기 제5 자성층의 자기 이방성 에너지는, 상기 제3 자성층과 상기 제6 자성층 중 어느 하나의 자기 이방성 에너지보다도 작고,
    상기 제3 자성층의 포화 자화를 Ms3, 막 두께를 t3으로 하고,
    상기 제4 자성층의 포화 자화를 Ms4, 막 두께를 t4로 하고,
    상기 제5 자성층의 포화 자화를 Ms5, 막 두께를 t5로 하고,
    상기 제6 자성층의 포화 자화를 Ms6, 막 두께를 t6으로 했을 때,
    (Ms3×t3)과 (Ms4×t4)와의 합은, (Ms5×t5)와 (Ms6×t6)과의 합과 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스핀 발진층은, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 자화가 배향한 제7 자성층과, 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 자화가 배향한 제3 자성층과, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 자화가 배향한 제4 자성층을, 이 순으로 적층하여 형성되고,
    상기 제2 스핀 발진층은, 막면에 대하여 대략 평행 방향으로 자화가 배향한 제5 자성층과, 막면에 대하여 대략 수직 방향으로 자화가 배향한 제6 자성층의 자성층을, 이 순으로 적층하여 형성되고,
    상기 스핀 편극층은, 막면에 대하여 대략 평행 방향 또는 대략 수직 방향으로 자화가 배향하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제3 자성층의 포화 자화를 Ms3, 막 두께를 t3으로 하고,
    상기 제4 자성층의 포화 자화를 Ms4, 막 두께를 t4로 하고,
    상기 제5 자성층의 포화 자화를 Ms5, 막 두께를 t5로 하고,
    상기 제6 자성층의 포화 자화를 Ms6, 막 두께를 t6으로 하고,
    상기 제7 자성층의 포화 자화를 Ms7, 막 두께를 t7로 했을 때,
    (Ms7×t7)과 (Ms3×t3)과 (Ms4×t4)와의 합은, (Ms5×t5)와 (Ms6×t6)과의 합과 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 소자.
  13. 기록 자극과,
    상기 기록 자극과 병설된 제1항의 자기 소자와,
    자기 재생 소자
    를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 기록 자극의 트레일링측에 상기 자기 소자가 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 기록 자극의 리딩측에 상기 자기 소자가 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기록 자극의 기록 트랙 폭 방향의 폭은, 상기 제1 및 제2 스핀 발진층의 기록 트랙 폭 방향의 폭보다도 큰 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 기록 자극은, 주 자극과 보조 자극을 갖고,
    상기 주 자극과 상기 보조 자극 사이에, 상기 자기 소자가 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 기록 자극은, 주 자극과 보조 자극을 갖고,
    상기 주 자극의 기록 트랙 폭 방향의 측방으로서, 상기 보조 자극의 트레일링측에 상기 자기 소자가 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 헤드.
  19. 수직 자기 기록 매체와,
    제13항의 자기 기록 헤드와,
    상기 자기 기록 매체와 상기 자기 기록 헤드를 이격시키고 또는 접촉시킨 상태에서 대치시키면서 상대적으로 이동 가능하게 한 가동 수단과,
    상기 자기 기록 헤드를 상기 자기 기록 매체의 소정 기록 위치에 위치 정렬하는 제어 수단과,
    상기 자기 기록 헤드를 이용하여 상기 자기 기록 매체에의 신호의 기입과 판독을 행하는 신호 처리 수단
    을 구비하고,
    상기 한쌍의 스핀 발진층의 발진 주파수는, 상기 자기 기록 매체의 기록 자성층을 구성하는 기록 자성립 또는 기록 자성 도트의 강자성 공명 주파수와 대략 동등한 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 수직 자기 기록 매체는, 서로 인접하는 기록 트랙끼리가 비자성 부재를 개재하여 형성된 디스크리트 트랙 매체인 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 수직 자기 기록 매체는, 비자성 부재를 개재하여 고립한 기록 자성 도 트가 규칙적으로 배열 형성된 디스크리트 비트 매체인 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210121195A (ko) * 2019-02-13 2021-10-07 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 기록 장치 및 기록 방법

Families Citing this family (88)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008277586A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 磁気素子、磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
KR20080108016A (ko) * 2007-06-07 2008-12-11 가부시끼가이샤 도시바 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치
US8994587B2 (en) 2010-05-14 2015-03-31 Qualcomm Incorporated Compressed sensing for navigation data
JP4358279B2 (ja) 2007-08-22 2009-11-04 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP4919901B2 (ja) * 2007-09-04 2012-04-18 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP2009070439A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP2009080875A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP4929108B2 (ja) * 2007-09-25 2012-05-09 株式会社東芝 磁気ヘッドおよび磁気記録装置
JP2009080878A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置
US20090310244A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Tdk Corporation Thin-film magnetic head for microwave assist and microwave-assisted magnetic recording method
JP5377893B2 (ja) 2008-06-19 2013-12-25 株式会社東芝 磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置
JP5361259B2 (ja) 2008-06-19 2013-12-04 株式会社東芝 スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010003353A (ja) 2008-06-19 2010-01-07 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010040126A (ja) 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
US20100073809A1 (en) * 2008-09-25 2010-03-25 Seagate Technology Llc X-amr assisted recording on high density bpm media
JP5173750B2 (ja) * 2008-11-06 2013-04-03 株式会社東芝 スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP5558698B2 (ja) 2008-11-28 2014-07-23 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録装置及び磁気記録方法
JP5448438B2 (ja) 2008-12-19 2014-03-19 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ 磁気リード・ヘッド
JP5451096B2 (ja) * 2009-02-04 2014-03-26 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ 磁気ヘッド
US9305586B2 (en) 2009-02-04 2016-04-05 HGST Netherlands B.V. Microwave-assisted magnetic recording device and method of formation thereof
JP5219046B2 (ja) * 2009-04-09 2013-06-26 国立大学法人東北大学 マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置
US8432644B2 (en) * 2009-06-25 2013-04-30 HGST Netherlands B.V. Spin torque oscillator sensor enhanced by magnetic anisotropy
JPWO2011027396A1 (ja) * 2009-09-03 2013-01-31 株式会社東芝 磁気記録再生装置
JP4923092B2 (ja) * 2009-10-15 2012-04-25 株式会社日立製作所 磁気記録媒体初期化装置
US8164861B2 (en) * 2009-12-11 2012-04-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Spin torque oscillator sensor employing antiparallel coupled oscilation layers
US8085490B2 (en) * 2009-12-23 2011-12-27 Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. Slider fly-height control in a hard disk drive
JP4975836B2 (ja) * 2010-02-19 2012-07-11 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置
JP2011210332A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Toshiba Corp 磁気ヘッド、およびこれを備えたディスク装置
JP4951095B2 (ja) 2010-06-30 2012-06-13 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
KR101676809B1 (ko) * 2010-08-13 2016-11-16 삼성전자주식회사 발진기 및 그 동작방법
JP5412405B2 (ja) * 2010-11-16 2014-02-12 株式会社日立製作所 マイクロ波アシスト磁気記録用スピントルクオシレータ
US8274811B2 (en) * 2010-11-22 2012-09-25 Headway Technologies, Inc. Assisting FGL oscillations with perpendicular anisotropy for MAMR
JP5787524B2 (ja) 2011-01-07 2015-09-30 株式会社東芝 記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録装置
JP5039223B1 (ja) 2011-04-15 2012-10-03 株式会社東芝 磁気ヘッド、これを備えたヘッドジンバルアッセンブリ、およびディスク装置
JP5319746B2 (ja) * 2011-08-30 2013-10-16 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、およびこれを備えたディスク装置
JP5306431B2 (ja) * 2011-09-09 2013-10-02 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
JP5172004B1 (ja) 2011-09-20 2013-03-27 株式会社日立製作所 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP5892771B2 (ja) * 2011-11-16 2016-03-23 株式会社東芝 高周波磁界発生素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2013120610A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Toshiba Corp 磁気記録ヘッドおよびこれを備えた磁気記録装置
JP5808273B2 (ja) 2012-03-01 2015-11-10 株式会社日立製作所 磁気ヘッド、ヘッド駆動制御装置、磁気記憶装置、その制御方法
JP5606482B2 (ja) 2012-03-26 2014-10-15 株式会社東芝 磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気ヘッドの製造方法
JP5784542B2 (ja) * 2012-04-12 2015-09-24 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、およびこれを備えたディスク装置
JP5902025B2 (ja) 2012-04-23 2016-04-13 株式会社日立製作所 マイクロ波アシスト磁気記録によるサーボパターン、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、及びその製造方法
JP5902037B2 (ja) * 2012-05-25 2016-04-13 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、及び磁気記録再生装置
US8941196B2 (en) * 2012-07-10 2015-01-27 New York University Precessional reversal in orthogonal spin transfer magnetic RAM devices
US8879205B2 (en) * 2012-11-13 2014-11-04 HGST Netherlands B.V. High spin-torque efficiency spin-torque oscillator (STO) with dual spin polarization layer
US8953283B2 (en) 2012-11-29 2015-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head, magnetic head assembly, and magnetic recording/reproduction apparatus
US9135933B2 (en) 2013-11-08 2015-09-15 HGST Netherlands B.V. Tapered write head for MAMR
JP6442978B2 (ja) * 2013-12-18 2018-12-26 Tdk株式会社 磁気記録再生装置
US9064508B1 (en) * 2014-03-17 2015-06-23 HGST Netherlands B.V. Pile spin-torque oscillator with AF-mode oscillation for generating high AC-field in microwave-assisted magnetic recording
CN105096963B (zh) * 2014-04-25 2018-06-26 华为技术有限公司 写装置及磁性存储器
JP2015210831A (ja) * 2014-04-25 2015-11-24 株式会社東芝 高周波発振デバイス、これを備えた磁気記録ヘッド、およびディスク装置
JP2015210835A (ja) * 2014-04-25 2015-11-24 株式会社東芝 磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置
JP2016012387A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 株式会社東芝 高周波アシスト記録ヘッドおよびこれを備えた磁気記録装置
JP6092162B2 (ja) * 2014-07-25 2017-03-08 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP2016048591A (ja) * 2014-08-27 2016-04-07 株式会社東芝 磁気ディスク装置、及び磁気ヘッドの評価方法
US9305574B1 (en) * 2014-09-23 2016-04-05 HGST Netherlands B.V. Negative-polarization spin-torque-oscillator
US9595917B2 (en) * 2015-08-05 2017-03-14 Qualcomm Incorporated Antiferromagnetically coupled spin-torque oscillator with hard perpendicular polarizer
JP2017045490A (ja) * 2015-08-25 2017-03-02 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、およびこれを備えたディスク装置
CN106558321A (zh) * 2015-09-25 2017-04-05 Hgst荷兰有限公司 负极化自旋转矩振荡器
JP2017091596A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 株式会社東芝 ディスク装置および記録ヘッドの駆動方法
US9934797B2 (en) * 2016-04-26 2018-04-03 Tdk Corporation Multilayer element including base multilayer body, magnetic sensor and microwave assisted magnetic head
US10891974B1 (en) * 2017-06-07 2021-01-12 Sandisk Technologies Llc Magnetic head with current assisted magnetic recording and method of making thereof
US10896690B1 (en) 2017-06-07 2021-01-19 Sandisk Technologies Llc Magnetic head with current assisted magnetic recording and method of making thereof
US10997988B1 (en) 2017-06-23 2021-05-04 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording head with non-magnetic conductive structure
US10839844B1 (en) 2018-06-18 2020-11-17 Western Digital Technologies, Inc. Current-assisted magnetic recording write head with wide conductive element in the write gap
JP7039419B2 (ja) * 2018-08-24 2022-03-22 株式会社東芝 磁気ヘッドおよびこれを備えるディスク装置
JP6896681B2 (ja) * 2018-08-24 2021-06-30 株式会社東芝 磁気ディスク装置
US11017801B1 (en) 2018-10-09 2021-05-25 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic head with assisted magnetic recording and method of making thereof
US10891975B1 (en) 2018-10-09 2021-01-12 SanDiskTechnologies LLC. Magnetic head with assisted magnetic recording and method of making thereof
JP7166204B2 (ja) * 2019-03-11 2022-11-07 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
US11049513B1 (en) * 2019-03-27 2021-06-29 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic recording head with non-magnetic conductive structure surrounding a main pole and contacting a spin torque oscillator
JP7319505B2 (ja) * 2019-09-06 2023-08-02 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
US11437059B2 (en) * 2019-11-07 2022-09-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic head and magnetic recording device with stacked body material configurations
JP7379271B2 (ja) * 2020-06-01 2023-11-14 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP7383576B2 (ja) 2020-07-01 2023-11-20 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
EP3992654A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-04 Hitachi, Ltd. Spin-torque oscillator magnetic field sensor
JP7465224B2 (ja) 2021-02-12 2024-04-10 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP7465229B2 (ja) 2021-02-25 2024-04-10 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP7465230B2 (ja) 2021-02-25 2024-04-10 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2022182326A (ja) 2021-05-28 2022-12-08 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2023020022A (ja) 2021-07-30 2023-02-09 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2023023433A (ja) 2021-08-05 2023-02-16 株式会社東芝 磁気記録装置
US11817134B2 (en) 2021-10-25 2023-11-14 Tdk Corporation Magnetic recording head and magnetic disk drive
US11636874B1 (en) 2021-10-25 2023-04-25 Tdk Corporation Magnetic recording head having a magnetic pole and a write shield
JP2023083663A (ja) 2021-12-06 2023-06-16 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2023121240A (ja) * 2022-02-21 2023-08-31 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2023173965A (ja) 2022-05-27 2023-12-07 株式会社東芝 磁気記録装置

Family Cites Families (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4103315A (en) * 1977-06-24 1978-07-25 International Business Machines Corporation Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films
DE3728237A1 (de) * 1987-08-25 1989-03-09 Philips Patentverwaltung Verfahren zum schreiben von binaerer information in eine magnetooptische speicherschicht und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
JPH0520635A (ja) 1991-07-11 1993-01-29 Fujitsu Ltd 磁気ヘツドおよび磁気デイスク装置
JP3022023B2 (ja) * 1992-04-13 2000-03-15 株式会社日立製作所 磁気記録再生装置
US5576915A (en) * 1993-03-15 1996-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof
JPH07244801A (ja) 1994-03-07 1995-09-19 Hitachi Ltd スピン加熱記録方法およびその装置
JPH0845029A (ja) * 1994-08-01 1996-02-16 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド
US5898546A (en) * 1994-09-08 1999-04-27 Fujitsu Limited Magnetoresistive head and magnetic recording apparatus
US6011664A (en) * 1995-08-31 2000-01-04 Carnegie Mellon University Techniques for ultrahigh density writing with a probe on erasable magnetic media
US5695864A (en) * 1995-09-28 1997-12-09 International Business Machines Corporation Electronic device using magnetic components
KR100274522B1 (ko) * 1996-03-14 2001-01-15 니시무로 타이죠 멀티자기헤드및이것을구비한자기디스크장치
US5869963A (en) * 1996-09-12 1999-02-09 Alps Electric Co., Ltd. Magnetoresistive sensor and head
JPH10302211A (ja) * 1997-01-14 1998-11-13 Sony Corp 磁気ヘッド及びその製造方法
JP3255872B2 (ja) * 1997-04-17 2002-02-12 アルプス電気株式会社 スピンバルブ型薄膜素子及びその製造方法
US5748399A (en) * 1997-05-13 1998-05-05 International Business Machines Corporation Resettable symmetric spin valve
JPH11316919A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Hitachi Ltd スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP3400378B2 (ja) * 1999-03-26 2003-04-28 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドを用いた回転ヘッド組立体
JP2001118217A (ja) * 1999-10-14 2001-04-27 Alps Electric Co Ltd スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
US6519119B1 (en) * 1999-11-03 2003-02-11 Seagate Technology, Llc Structure for current perrpendicular to plane giant magnetoresistive read heads
US6621664B1 (en) * 2000-02-28 2003-09-16 Seagate Technology Llc Perpendicular recording head having integrated read and write portions
US6583969B1 (en) * 2000-04-12 2003-06-24 International Business Machines Corporation Pinned layer structure having nickel iron film for reducing coercivity of a free layer structure in a spin valve sensor
JP2002032903A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Alps Electric Co Ltd 垂直磁気記録用薄膜磁気ヘッド
JP2002100005A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Toshiba Corp 磁気ヘッド
US6580589B1 (en) * 2000-10-06 2003-06-17 International Business Machines Corporation Pinned layer structure for a spin valve sensor having cobalt iron (CoFe) and cobalt iron oxide (CoFeO) laminated layers
JP3833512B2 (ja) 2000-10-20 2006-10-11 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子
US6937446B2 (en) * 2000-10-20 2005-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element, magnetic head and magnetic recording and/or reproducing system
US20020051330A1 (en) * 2000-11-01 2002-05-02 Seagate Technology Llc High resistance CPP transducer in a read/write head
US6922316B2 (en) * 2000-11-10 2005-07-26 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
US6809900B2 (en) * 2001-01-25 2004-10-26 Seagate Technology Llc Write head with magnetization controlled by spin-polarized electron current
JP3861197B2 (ja) 2001-03-22 2006-12-20 株式会社東芝 記録媒体の製造方法
CN100520915C (zh) * 2001-07-24 2009-07-29 希捷科技有限公司 用于高各向异性介质的写入磁头
US7532434B1 (en) * 2001-09-06 2009-05-12 Schreck Erhard T Recessed write pole for perpendicular recording
JP2003152239A (ja) * 2001-11-12 2003-05-23 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ
JP3680035B2 (ja) * 2002-03-29 2005-08-10 株式会社東芝 磁気記録装置及び磁気記録方法
US7119990B2 (en) * 2002-05-30 2006-10-10 Komag, Inc. Storage device including a center tapped write transducer
JP2004171733A (ja) * 2002-11-06 2004-06-17 Alps Electric Co Ltd 磁気ヘッドおよびそれを備えた磁気テープ装置ならびに磁気ヘッドの製造方法
JP3989368B2 (ja) 2002-12-12 2007-10-10 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP4873338B2 (ja) 2002-12-13 2012-02-08 独立行政法人科学技術振興機構 スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
KR100663857B1 (ko) * 2002-12-13 2007-01-02 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 스핀 주입 디바이스 및 이를 사용한 자기 장치, 그리고이들에 사용되는 자성 박막
JP4317717B2 (ja) * 2003-01-22 2009-08-19 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 垂直記録用薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置
JP4116913B2 (ja) 2003-03-26 2008-07-09 Ｔｄｋ株式会社 垂直磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置
JP3889374B2 (ja) * 2003-04-10 2007-03-07 アルプス電気株式会社 磁気ヘッド装置および前記磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置
JP2004335931A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Alps Electric Co Ltd Ｃｐｐ型巨大磁気抵抗効果素子
JP2005025831A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Toshiba Corp 高周波発振素子、磁気情報記録用ヘッド及び磁気記憶装置
JP2005108315A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Toshiba Corp 垂直磁気記録方式のディスクドライブ及び磁気ヘッド
US20050110004A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction with improved tunneling magneto-resistance
US7256955B2 (en) * 2004-03-17 2007-08-14 Seagate Technology Llc High frequency assisted writing
JP4050245B2 (ja) 2004-03-30 2008-02-20 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置
US7471491B2 (en) * 2004-03-30 2008-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic sensor having a frequency filter coupled to an output of a magnetoresistance element
US7322095B2 (en) 2004-04-21 2008-01-29 Headway Technologies, Inc. Process of manufacturing a four-sided shield structure for a perpendicular write head
US7466525B2 (en) * 2004-09-03 2008-12-16 Tdk Corporation Magnetic sensing element including laminated film composed of half-metal and NiFe alloy as free layer
JP2006147023A (ja) 2004-11-18 2006-06-08 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7161753B2 (en) * 2005-01-28 2007-01-09 Komag, Inc. Modulation of sidewalls of servo sectors of a magnetic disk and the resultant disk
US7397633B2 (en) * 2005-03-01 2008-07-08 Seagate Technology, Llc Writer structure with assisted bias
JP4677589B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-27 独立行政法人科学技術振興機構 伝送回路一体型マイクロ波発生素子並びにマイクロ波検出方法、マイクロ波検出回路、マイクロ波検出素子及び伝送回路一体型マイクロ波検出素子
JP4585353B2 (ja) 2005-03-31 2010-11-24 株式会社東芝 磁性発振素子、磁気センサ、磁気ヘッドおよび磁気再生装置
JP4098786B2 (ja) * 2005-03-31 2008-06-11 株式会社東芝 磁気センサおよび磁気記録再生装置
JP4032062B2 (ja) * 2005-07-15 2008-01-16 アルプス電気株式会社 垂直磁気記録ヘッド
KR100682949B1 (ko) 2005-07-27 2007-02-15 삼성전자주식회사 갭 실드를 포함하는 수직 자기 기록 헤드 및 수직 자기 기록 장치
US7973349B2 (en) * 2005-09-20 2011-07-05 Grandis Inc. Magnetic device having multilayered free ferromagnetic layer
JP4886268B2 (ja) 2005-10-28 2012-02-29 株式会社東芝 高周波発振素子、ならびにそれを用いた車載レーダー装置、車間通信装置および情報端末間通信装置
US7461933B2 (en) * 2005-12-07 2008-12-09 Xerox Corporation Sheet heater assembly having air bearing platelets
US7486475B2 (en) * 2005-12-14 2009-02-03 International Business Machines Corporation Magnetic data system having bias circuit with bias resistor
US7911882B2 (en) * 2005-12-16 2011-03-22 Tdk Corporation Thin-film magnetic head with near-field-light-generating layer
JP4193847B2 (ja) 2006-01-20 2008-12-10 Ｔｄｋ株式会社 近接場光発生層及び熱膨張突出層を備えた薄膜磁気ヘッド及びこれを備えたヘッドジンバルアセンブリ、磁気ディスク装置
US7473478B2 (en) 2005-12-30 2009-01-06 Tdk Corporation Oscillator
US7732881B2 (en) * 2006-11-01 2010-06-08 Avalanche Technology, Inc. Current-confined effect of magnetic nano-current-channel (NCC) for magnetic random access memory (MRAM)
JP2006209960A (ja) 2006-03-13 2006-08-10 Toshiba Corp 磁気記録再生装置
JP2006209964A (ja) 2006-03-27 2006-08-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ディスク装置
US7616412B2 (en) * 2006-07-21 2009-11-10 Carnegie Melon University Perpendicular spin-torque-driven magnetic oscillator
JP4231068B2 (ja) 2006-08-14 2009-02-25 株式会社東芝 磁気ヘッド及び磁気記録装置
US20080112087A1 (en) 2006-11-14 2008-05-15 Seagate Technology Llc WAMR writer with an integrated spin momentum transfer driven oscillator for generating a microwave assist field
US20080117545A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-22 Seagate Technology Llc Data storage system with field assist source
US7724469B2 (en) * 2006-12-06 2010-05-25 Seagate Technology Llc High frequency field assisted write device
US20080218891A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Seagate Technology Llc Magnetic recording device with an integrated microelectronic device
JP2008277586A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 磁気素子、磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
KR20080108016A (ko) * 2007-06-07 2008-12-11 가부시끼가이샤 도시바 자기 기록 헤드 및 자기 기록 장치
JP4358279B2 (ja) * 2007-08-22 2009-11-04 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
US8994587B2 (en) 2010-05-14 2015-03-31 Qualcomm Incorporated Compressed sensing for navigation data
JP4919901B2 (ja) * 2007-09-04 2012-04-18 株式会社東芝 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP4818234B2 (ja) * 2007-09-05 2011-11-16 株式会社東芝 磁気記録再生装置
JP2009064500A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気ディスク装置
JP2009070439A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
JP2009080875A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP2009080878A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置
JP4996406B2 (ja) * 2007-09-25 2012-08-08 株式会社東芝 増幅器、無線送信装置および無線受信装置
JP4929108B2 (ja) * 2007-09-25 2012-05-09 株式会社東芝 磁気ヘッドおよび磁気記録装置
US8049567B2 (en) * 2007-11-01 2011-11-01 Johan Persson Circuit for phase locked oscillators
US8057925B2 (en) * 2008-03-27 2011-11-15 Magic Technologies, Inc. Low switching current dual spin filter (DSF) element for STT-RAM and a method for making the same
US9449618B2 (en) * 2008-04-21 2016-09-20 Seagate Technology Llc Microwave assisted magnetic recording system
JP5361259B2 (ja) 2008-06-19 2013-12-04 株式会社東芝 スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010003353A (ja) 2008-06-19 2010-01-07 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP5377893B2 (ja) * 2008-06-19 2013-12-25 株式会社東芝 磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置
JP2010020857A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP2010040126A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP5173750B2 (ja) * 2008-11-06 2013-04-03 株式会社東芝 スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
JP5558698B2 (ja) * 2008-11-28 2014-07-23 株式会社東芝 磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録装置及び磁気記録方法
US8446690B2 (en) * 2009-08-17 2013-05-21 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording write head with spin torque oscillator for fast switching of write pole magnetization

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210121195A (ko) * 2019-02-13 2021-10-07 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 기록 장치 및 기록 방법

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