KR101676809B1 - 발진기 및 그 동작방법 - Google Patents

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KR101676809B1
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김광석
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김기원
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삼성전자주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B15/00—Generation of oscillations using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, or using superconductivity effects
    • H03B15/006—Generation of oscillations using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, or using superconductivity effects using spin transfer effects or giant magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Abstract

발진기 및 그 동작방법이 개시되어 있다. 개시된 발진기는 서로 인접한 복수의 자유층(free layer)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 자유층 중 적어도 하나의 자기 모멘트(magnetic moment)의 세차운동(precession)에 의해 소정 주파수 대역의 신호가 발생할 수 있다. 이러한 발진기는 외부 자기장 없이 신호를 발생시키는 자기장-프리(magnetic field-free) 발진기일 수 있다. 개시된 발진기는 상기 복수의 자유층으로 스핀토크(spin torque)를 인가하기 위한 고정층(pinned layer)을 더 포함할 수 있다.

Description

발진기 및 그 동작방법{Oscillator and method of operating the same}
발진기 및 그 동작방법에 관한 것이다.
발진기(Oscillator)는 일정한 주기의 신호를 발생시키는 장치로서, 주로 이동통신 단말기, 위성 및 레이더통신 기기, 무선네트워크 기기, 자동차용 통신 기기 등 무선통신 시스템에 사용되고, 아날로그 음향 합성장치 등에도 사용된다.
발진기에서 중요한 요소로는 품질 계수(quality factor), 출력 전력(output power), 위상 노이즈(phase noise) 등이 있다. 품질 계수와 출력 전력은 높을수록, 위상 노이즈는 작을수록 발진기는 우수한 특성을 가질 수 있다. 최근, 통신 기기의 고성능화 및 소형화 요구가 증가하고 동작 주파수 대역이 높아짐에 따라, 소형이면서 높은 품질 계수 및 낮은 위상 노이즈를 갖는 고출력 발진기의 개발이 요구되고 있다.
스핀전달토크(spin transfer torque) 현상을 이용하는 스핀토크 발진기가 제안된 바 있다. 스핀토크 발진기는 기존의 LC(inductor and capacitor) 발진기 및 FBAR(film bulk acoustic resonator) 발진기에 비해 월등히 작은 초박형으로 제조할 수 있고, 비교적 높은 품질 계수를 갖기 때문에, 차세대 발진기로 주목받고 있다.
그러나 종래의 스핀토크 발진기는 고주파 발진을 위해 큰 자기장을 필요로 한다. 예컨대, 수 GHz 정도의 주파수를 발생시키기 위해서는, 수백 Oe(oersted) 정도의 외부 자기장을 인가해 주어야 한다. 하지만 이렇게 큰 외부 자기장을 인가하는 것은 현실적으로 매우 어렵다. 또한 외부 자기장을 인가하기 위한 부가적인 장치는 스핀토크 발진기의 장점인 소형화를 저해하는 요인이 된다.
스핀전달토크(spin transfer torque) 현상을 이용하는 것으로, 외부 자기장을 인가하지 않아도 고주파 신호를 발생할 수 있는 발진기를 제공한다.
상기 발진기의 동작방법을 제공한다.
본 발명의 한 측면(aspect)에 따르면, 자화 방향이 고정된 고정층(pinned layer); 상기 고정층 상에 구비된 제1 분리층(separation layer); 상기 제1 분리층 상에 구비된 제1 자유층(free lyaer); 상기 제1 자유층 상에 구비된 제2 분리층; 및 상기 제2 분리층 상에 구비된 제2 자유층;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 자유층 중 적어도 하나의 자기 모멘트(magnetic moment)의 세차운동(precession)을 이용하여 신호를 발생시키는 발진기가 제공된다.
상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy)을 가질 수 있다.
상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 분리층은 절연층 또는 도전층일 수 있다.
상기 고정층은 SAF(synthetic antiferromagnet) 구조의 일부일 수 있다.
상기 고정층 하면에 반강자성층(antiferromagnetic layer)이 더 구비될 수 있다.
상기 제2 자유층 상에 별도의 분리층과 별도의 자유층이 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.
상기 발진기는 자기장-프리(magnetic field-free) 발진기일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 자화 방향이 고정된 고정층, 상기 고정층 상에 구비된 제1 분리층, 상기 제1 분리층 상에 구비된 제1 자유층, 상기 제1 자유층 상에 구비된 제2 분리층, 및 상기 제2 분리층 상에 구비된 제2 자유층을 포함하는 발진기의 동작방법에 있어서,
상기 발진기에 전류를 인가하는 단계; 및 상기 발진기의 저항 변화를 검출하는 단계;를 포함하는 발진기의 동작방법이 제공된다.
상기 전류는 상기 고정층에서 상기 제1 및 제2 자유층으로 전자가 흐르도록 인가할 수 있다.
상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수평 자기이방성을 가질 수 있다.
상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수직 자기이방성을 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 분리층은 절연층 또는 도전층일 수 있다.
상기 고정층은 SAF 구조의 일부일 수 있다.
상기 고정층 하면에 반강자성층이 더 구비될 수 있다.
상기 제2 자유층 상에 별도의 분리층과 별도의 자유층이 1회 이상 교대로 적층될 수 있다.
외부 자기장을 인가하지 않아도 고주파 발진이 가능한 스핀토크 발진기를 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발진기를 보여주는 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 발진기의 동작방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발진기의 동작방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 발진기에 전류를 인가했을 때, 시간에 따른 발진기의 저항 변화를 보여주는 그래프이다.
도 9는 도 8을 푸리에 변환(fourier transform)으로 변환한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 발진기의 발진 주파수를 보여주는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발진기를 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호설명 *
AF1 : 반강자성층 F1, F2, F3 : 자유층
S1, S2, S3 : 분리층 SAF1 : SAF 구조
SF1 : 스트레이 필드 SP1 : 스페이서
ST1, ST2 : 스핀토크 P1, P2 : 고정층
I : 전류 e- : 전자
이하, 본 발명의 실시예에 따른 발진기 및 그 동작방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 다소 과장되게 도시된 것이다. 상세한 설명 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발진기를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 고정층(pinned layer)(P1) 상에 복수의 자유층(free layer), 예컨대, 제1 및 제2 자유층(F1, F2)이 적층될 수 있다. 고정층(P1)과 제1 자유층(F1) 사이에 제1 분리층(S1)이 구비될 수 있고, 제1 자유층(F1)과 제2 자유층(F2) 사이에 제2 분리층(S2)이 구비될 수 있다.
고정층(P1)은 자화 방향이 소정 방향으로 고정된 자성층으로서, 예컨대, Co, Fe 및 Ni 중 적어도 하나를 포함하는 강자성(ferromagnetic) 물질로 형성될 수 있다. 상기 강자성 물질은 Co, Fe, Ni 이외에 다른 원소를 더 포함할 수도 있다. 고정층(P1)의 자화 방향을 고정하기 위한 방법은 여러 가지가 있을 수 있다. 예컨대, 고정층(P1)의 자화 방향을 고정시키기 위해, SAF(synthetic antiferromagnet) 구조(미도시) 또는 반강자성층(antiferromagnetic layer)(미도시)을 이용할 수 있다. 이에 대해서는 추후에 보다 상세히 설명한다. 상기 SAF 구조나 반강자성층을 이용하지 않고, 고정층(P1) 자체의 두께를 두껍게 하는 방법으로 자화 방향을 고정시킬 수도 있다. 즉, 부가적인 층의 도움 없이 고정층(P1)의 두께 조절을 통해 자화 방향을 고정시킬 수 있다.
제1 및 제2 자유층(F1, F2)은 자화 방향이 변동 가능한 층으로서, 일반적인 강자성 물질로 형성될 수 있다. 상기 강자성 물질은 Co, Fe 및 Ni 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 그 밖에 다른 원소(예컨대, B, Cr, Pt, Pd 등)를 더 포함할 수도 있다. 제1 및 제2 자유층(F1, F2)의 두께는 0.5∼10 nm 정도, 예컨대, 1∼5 nm 정도일 수 있다. 제1 및 제2 자유층(F1, F2)의 두께는 서로 같을 수 있지만, 경우에 따라서는 다를 수도 있다.
고정층(P1)과 제1 및 제2 자유층(F1, F2)은 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy) 또는 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 가질 수 있다. 도 1에는 고정층(P1)과 제1 및 제2 자유층(F1, F2)이 수평 자기이방성을 갖되, 고정층(P1)의 자화 방향은 X축의 역방향으로 고정되고, 제1 및 제2 자유층(F1, F2)은 X축에 평행한 자화 용이축(magnetization easy axis)을 갖는 경우가 도시되어 있다. 이는 예시적인 것에 불과하다. 즉, 고정층(P1)의 자화 방향과 제1 및 제2 자유층(F1, F2)의 자화 용이축 방향은 도시된 바와 한정되지 않고 다양하게 변화될 수 있다.
제1 및 제2 분리층(S1, S2)은 절연층 또는 도전층일 수 있다. 상기 절연층은, 예컨대, Mg 산화물 또는 Al 산화물과 같은 산화물을 포함할 수 있다. 상기 도전층은, 예컨대, Cu, Al, Au, Ag 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 분리층(S1, S2)의 두께는, 예컨대, 0.5∼3 nm 정도일 수 있다. 제1 및 제2 분리층(S1, S2)이 절연층인 경우, 본 실시예의 발진기는 TMR(tunnel magneto resistance) 구조를 갖는다고 할 수 있고, 제1 및 제2 분리층(S1, S2)이 도전층인 경우, 본 실시예의 발진기는 GMR(giant magneto resistance) 구조를 갖는다고 할 수 있다. 경우에 따라서는, 제1 및 제2 분리층(S1, S2) 중 하나는 절연층이고, 다른 하나는 도전층일 수도 있다.
도 1에 도시하지는 않았지만, 고정층(P1) 하면에 제1 전극을 구비시킬 수 있고, 제2 자유층(F2) 상면에 제2 전극을 구비시킬 수 있다. 고정층(P1) 및 제2 자유층(F2)의 물질에 따라, 상기 제1 및 제2 전극을 구비시키는 것은 선택적(optional)일 수 있다. 예컨대, 고정층(P1) 및 제2 자유층(F2)의 전기 저항이 충분히 낮은 경우, 고정층(P1) 및 제2 자유층(F2) 자체를 전극으로 사용할 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 전극을 구비시키지 않을 수 있다.
이상에서 설명한 본 실시예에 따른 발진기는 제1 및 제2 자유층(F1, F2) 중 적어도 하나의 자기 모멘트(magnetic moment)의 세차운동(precession)을 이용해서 특정 주파수 대역의 신호를 발생시킬 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 자유층(F1, F2) 중 적어도 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시킬 수 있다. 제1 및 제2 자유층(F1, F2)의 자기 모멘트를 모두 세차운동(precession) 시킬 수도 있다. 자기 모멘트의 세차운동(precession)은 자기 모멘트의 축(axis)이 특정 궤도를 그리면서 회전하는 것을 의미한다. 여기서, 자기 모멘트의 축 방향은 자화 방향과 동일한 것으로 볼 수 있다. 따라서, 자기 모멘트의 세차운동(precession)은 자화 방향의 회전에 대응될 수 있다. 제1 및 제2 자유층(F1, F2) 중 적어도 하나의 자기 모멘트가 세차운동(precession)함에 따라, 고정층(P1)과 자유층(F1, F2) 사이의 전기 저항이 주기적으로 변화될 수 있고, 그 결과, 특정 주파수 대역의 신호가 발생할 수 있다.
본 실시예에 따른 발진기는 서로 인접한 두 개의 자유층(F1, F2)을 갖기 때문에, 외부 자기장의 인가 없이 전류만으로 자유층(F1, F2)의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시킬 수 있다. 일반적으로 자기 모멘트의 세차운동(precession)을 위해서는, 자기 모멘트의 섭동(perturbation)을 위한 전류 유도 스핀전달토크(current-induced spin transfer torque)와 자기 모멘트의 복원력(restoring force)을 제공하는 외부 자기장이 요구된다. 자기 모멘트가 섭동하려는 힘과 소정 위치로 복원하려는 힘이 균형을 이루면서 자기 모멘트의 축(axis)이 특정 궤도를 그리면서 회전할 수 있다. 단일 자유층(single free layer)을 이용하는 스핀토크 발진기(비교예)의 경우, 상기 단일 자유층의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시키기 위해서는, 상기 복원력을 제공하는 외부 자기장을 인가해 주어야 한다. 즉, 상기 단일 자유층의 자화 방향을 한쪽으로 잡아주기 위한 외부 자기장이 요구된다. 그러나 본 실시예에서는 제2 자유층(F2)이 제1 자유층(F1)에, 또는, 제1 자유층(F1)이 제2 자유층(F2)에 상기 외부 자기장과 유사한 에너지(힘)를 인가하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 발진기는 외부 자기장 없이 전류 인가만으로 고주파 신호를 발생시킬 수 있다. 즉, 본 실시예에 따른 발진기는 자기장-프리(magnetic field-free) 발진기일 수 있다. 본 실시예에 따른 발진기의 동작원리에 대해서는 추후에 도 4 내지 도 6을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발진기를 보여준다. 도 2는 고정층(P1)이 SAF 구조(SAF1)의 일부인 경우이고, 도 3은 고정층(P1)의 하면에 반강자성층(AF1)이 구비된 경우이다. SAF 구조(SAF1) 및 반강자성층(AF1)은 고정층(P1)의 자화 방향을 고정하기 위한 수단일 수 있다.
도 2를 참조하면, 고정층(P1)(이하, 제1 고정층)(P1) 하면에 스페이서(spacer)(SP1)와 제2 고정층(P2)이 순차로 구비될 수 있다. 제1 및 제2 고정층(P1, P2)은 서로 반대 방향으로 고정된 자화 방향을 가질 수 있다. 다시 말해, 제1 고정층(P1)과 제2 고정층(P2)은 서로 반대 방향으로 자화될 수 있다. 제1 및 제2 고정층(P1, P2)이 서로 반대 방향으로 고정된 자화 방향을 갖는 것은 두 고정층(P1, P2) 사이의 교환결합(exchange coupling) 특성에 기인한 것일 수 있다. 이러한 교환결합 특성은 스페이서(SP1)의 물질과 두께가 소정의 조건을 만족할 때 나타날 수 있다. 이 경우, 제1 고정층(P1)과 제2 고정층(P2)은 스페이서(SP1)를 사이에 두고 SAF 구조(SAF1)를 형성한다고 할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 제2 고정층(P2) 하면에 제2 고정층(P2)의 자화 방향을 고정하기 위한 반강자성층이 더 구비될 수 있다.
도 3을 참조하면, 고정층(P1) 하면에 반강자성층(AF1)이 구비될 수 있다. 반강자성층(AF1)은 원자의 자기 모멘트가 규칙적으로 정방향 및 역방향으로 배열되는 특성을 갖는데, 고정층(P1)의 자화 방향은 그에 인접한 반강자성층(AF1)의 최상부 자기 모멘트 방향으로 고정될 수 있다. 도시된 바와 같이, 반강자성층(AF1)의 최상부 자기 모멘트가 X축의 역방향일 때, 고정층(P1)의 자화는 X축의 역방향으로 고정될 수 있다. 반강자성층(AF1)은, 예컨대, Mn 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 Mn 계열의 물질은 InMn, FeMn 등일 수 있다. 그러나 반강자성층(AF1) 물질은 Mn 계열 물질에 한정되지 않는다. 반강자성 특성을 갖는 물질이면 어느 것이든 반강자성층(AF1) 물질로 사용될 수 있다.
도 4는 도 1의 발진기의 동작방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 4는 제1 동작원리에 따른 것이다.
도 4를 참조하면, 발진기에 전류(I)를 인가함으로써, 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시킬 수 있다. 상기 전류(I)는 제2 자유층(F2)에서 고정층(P1)으로 인가할 수 있다. 이러한 전류(I)에 의해 전자(e-)는 고정층(P1)에서 제1 자유층(F1)을 거쳐 제2 자유층(F2)으로 흐를 수 있다. 고정층(P1)을 통과하여 제1 자유층(F1)으로 흐르는 전자(e-)는 고정층(P1)과 동일한 스핀 방향을 갖고 제1 자유층(F1)에 제1 방향(X축의 역방향)의 제1 스핀토크(spin torque)(ST1)를 인가할 수 있다. 제1 스핀토크(ST1)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트가 섭동(perturbation)할 수 있다. 또한, 제1 자유층(F1)을 거쳐 제2 자유층(F2)에 도달한 전자(e-)의 적어도 일부는 제2 자유층(F2)에서 제1 자유층(F1)으로 되돌아올 수 있다. 이렇게 제2 자유층(F2)에서 제1 자유층(F1)으로 되돌아오는 전자(e-)는 제1 자유층(F1)에 제2 방향(X축 방향)의 제2 스핀토크(spin torque)(ST2)를 인가할 수 있다. 제2 스핀토크(ST2)의 방향은 제1 스핀토크(ST1)와 반대일 수 있다. 제2 스핀토크(ST2)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트에 복원력(restoring force)이 인가될 수 있다. 따라서, 제1 스핀토크(ST1)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트가 섭동하려는 힘과 제2 스핀토크(ST2)에 의해 상기 자기 모멘트가 복원하려는 힘이 균형을 이루면서 상기 자기 모멘트의 축(axis)이 특정 궤도를 그리면서 회전할 수 있다. 상기 자기 모멘트가 세차운동(precession)함에 따라, 발진기의 전기 저항이 주기적으로 변화될 수 있고, 그 결과, 특정 주파수 대역의 신호가 발진될 수 있다.
도 5는 도 1의 발진기의 동작방법을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5는 제2 동작원리에 따른 것이다.
도 5를 참조하면, 도 4와 유사하게 발진기에 전류(I)를 인가하여 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시킬 수 있다. 전류(I)에 의해 고정층(P1)을 통과하여 제1 자유층(F1)으로 흐르는 전자(e-)는 고정층(P1)과 동일한 스핀 방향을 갖고 제1 자유층(F1)에 제1 방향(X축의 역방향)의 제1 스핀토크(spin torque)(ST1)를 인가할 수 있다. 제1 스핀토크(ST1)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트가 섭동할 수 있다. 또한, 제2 자유층(F2)으로부터 제1 자유층(F1)에 제1 스핀토크(ST1)와 반대 방향의 스트레이 필드(stray field)(SF1)가 인가될 수 있다. 스트레이 필드(stray field)(SF1)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트에 복원력(restoring force)이 인가될 수 있다. 그러므로 제1 스핀토크(ST1)에 의해 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트가 섭동하려는 힘과 스트레이 필드(stray field)(SF1)에 의해 상기 자기 모멘트가 복원하려는 힘이 균형을 이루면서 상기 자기 모멘트가 세차운동(precession) 할 수 있고, 그 결과, 특정 주파수 대역의 신호가 발진될 수 있다.
도 4를 참조하여 설명한 제1 동작원리, 즉, 서로 반대 방향의 제1 및 제2 스핀토크(ST1, ST2)에 의해 세차운동(precession)이 유도되는 원리와, 도 5를 참조하여 설명한 제2 동작원리, 즉, 서로 반대 방향의 제1 스핀토크(ST1)와 스트레이 필드(stray field)(SF1)에 의한 세차운동(precession)이 유도되는 원리 중 적어도 하나에 의해 본 실시예에 따른 발진기가 동작될 수 있다.
도 4 및 도 5에서는 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트가 세차운동(precession) 하는 원리에 대해 설명하였지만, 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 자유층(F2)의 자기 모멘트도 세차운동(precession) 할 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 제2 자유층(F2)에도 스핀토크(spin torque) 및 그와 반대 방향의 스트레이 필드(stray field)가 인가될 수 있고, 그에 따라, 제2 자유층(F2)의 자기 모멘트도 세차운동(precession) 할 수 있다. 제2 자유층(F2)에 인가되는 스트레이 필드(stray field)는 제1 자유층(F1)으로부터 인가된 것일 수 있다. 제1 자유층(F1)의 자기 모멘트의 방향이 변화됨에 따라 제1 자유층(F1)에서 제2 자유층(F2)으로 인가되는 스트레이 필드(stray field)의 방향이 주기적으로 변화될 수 있고, 또한, 제1 자유층(F1)에서 제2 자유층(F2)으로 인가되는 스핀토크의 방향도 주기적으로 변화될 수 있다. 따라서 제2 자유층(F2)의 자기 모멘트도 세차운동(precession) 할 수 있다. 제2 자유층(F2)의 자기 모멘트의 세차운동(precession)은 다시 제1 자유층(F1)의 세차운동(precession)에 영향을 줄 수 있다. 이렇게 제1 및 제2 자유층(F1, F2)의 자기 모멘트는 서로에게 영향을 주면서 세차운동(precession) 할 수 있다.
도 4 내지 도 6에 도시한 자기 모멘트의 세차운동(precession)의 방향은 예시적인 것에 불과하다. 자유층(F1, F2)의 물질 및 두께 등에 따라 세차운동(precession)의 방향은 달라질 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 따르면 인접한 적어도 두 개의 자유층(F1, F2)을 사용함으로써, 외부 자기장을 인가하지 않아도 소정 대역의 고주파 신호를 발진할 수 있는 발진기를 구현할 수 있다. 이러한 발진기는 외부 자기장을 인가하기 위한 장치를 요구하지 않기 때문에 컴팩트(compact)하게 구성될 수 있으며, 간단한 방법으로 동작될 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 발진기는 복수의 자유층(F1, F2) 한 쪽에 구비된 고정층(P1)을 포함하기 때문에, 고정층(P1)으로부터 자유층(F1, F2)으로 스핀토크가 안정적으로 제공될 수 있다. 즉, 고정층(P1)은 소정 방향의 스핀을 갖는 전자를 자유층(F1, F2)으로 인가하는 역할을 할 수 있다. 따라서 본 실시예에 따른 발진기는 고정층(P1)이 없는 경우에 비하여 동작이 용이할 수 있고, 넓은 동작 윈도우(window)를 가질 수 있다. 또한 고정층(P1)은 출력 파워(output power)를 높이는 역할을 할 수 있다. 이는 고정층(P1)이 있을 때, 그렇지 않은 경우보다 세차운동(precession)에 따른 발진기의 저항 변화량이 커질 수 있기 때문이다. 고정층(P1)과 제1 자유층(F1) 사이의 저항 변화량이 제1 자유층(F1)과 제2 자유층(F2) 사이의 저항 변화량보다 상대적으로 매우 클 수 있다. 이는 고정층(P1)에 의해 발진기의 출력 파워(output power)가 크게 증가된다는 것을 의미한다. 이와 같이, 본 실시예에서 고정층(P1)은 발진을 위한 스핀토크를 안정적으로 유도하는 역할을 함과 동시에, 출력 파워(output power)를 높이는 역할을 할 수 있다.
부가해서, 본 실시예에 따른 발진기는 동작 전류(도 4 내지 도 6의 전류(I))의 조건에 따라 발진 주파수가 달라지는 주파수 조절가능(frequency tunable) 발진기일 수 있다. 본 실시예에 따른 발진기는 외부 자기장 없이 전류만으로 동작될 수 있으므로, 외부 자기장을 이용하는 경우보다 주파수 조절이 용이할 수 있다. 또한 기존의 LC 발진기의 경우, 주파수 조절범위(tuning range)가 약 10% 미만으로 작지만, 본 실시예에 따른 발진기는 전류에 따라 주파수가 용이하게 조절되고 동작 전류의 윈도우(window)도 넓기 때문에, 넓은 조절범위(wide tuning range)(예컨대, 수십 내지 수백 % 정도)를 가질 수 있다. 아울러서, 본 실시예에 따른 발진기의 발진 주파수는 발진기를 구성하는 층들의 두께, 물질 등에 따라서도 조절될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발진기의 동작방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7은 도 1과 연계하여 설명한다.
도 7을 참조하면, 발진기에 전류를 인가하여 제1 및 제2 자유층(F1, F2) 중 적어도 하나의 자기 모멘트를 세차운동(precession) 시킬 수 있다(S10). 제1 및 제2 자유층(F1, F2) 중 적어도 하나의 자기 모멘트가 세차운동(precession) 하는 동안, 발진기의 전기 저항의 변화를 검출할 수 있다(S20). 상기 세차운동(precession)에 의해 발진기의 전기 저항은 주기적으로 변화될 수 있다. 상기 발진기의 전기 저항의 변화에 의해, 소정 주파수를 갖는 신호가 발생될 수 있다(S30).
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 발진기에 전류를 인가했을 때, 시간 경과에 따른 발진기의 저항 변화를 보여준다. 이때 사용한 발진기는 도 2의 구조를 갖고, 인가된 전류의 세기는 약 30 MA/㎠ 였다.
도 8을 참조하면, 발진기의 저항이 일정한 주기를 갖고 반복해서 변화되는 것을 확인할 수 있다. 이때, 저항변화량(ΔR)은 대략 0.8∼0.9 ㏀ 정도였다.
도 9는 도 8을 푸리에 변환(fourier transform)으로 변환한 그래프로서, 본 발명의 실시예에 따른 발진기의 발진 주파수를 보여준다.
도 9를 참조하면, 3.2 GHz 정도의 고주파 신호가 발진되는 것을 확인할 수 있다. 인가된 전류의 세기 및 발진기의 구성에 따라 발진 주파수는 달라질 수 있다.
도 1 내지 도 3에서는 발진기가 두 개의 자유층(F1, F2)을 구비한 경우에 대해 도시하였지만, 다른 실시예에 따르면, 세 개 이상의 자유층을 사용할 수도 있다. 그 일례가 도 10에 도시되어 있다. 도 10의 구조는 도 1에서 변형된 것이다.
도 10을 참조하면, 고정층(P1) 상에 제1 내지 제3 자유층(F1, F2, F3)이 순차로 구비될 수 있다. 고정층(P1)과 제1 자유층(F1) 사이에 제1 분리층(S1)이, 제1 자유층(F1)과 제2 자유층(F2) 사이에 제2 분리층(S2)이, 제2 자유층(F2)과 제3 자유층(F3) 사이에 제3 분리층(S3)이 구비될 수 있다. 도 10의 구조는 도 1의 제2 자유층(F2) 상에 제3 분리층(S3)과 제3 자유층(F3)이 추가로 적층된 구조라 할 수 있다. 도 10의 제3 자유층(F3) 상에 별도의 분리층과 별도의 자유층을 1회 이상 교대로 더 적층할 수 있다. 도 2 및 도 3의 구조에서도 세 개 이상의 자유층을 사용할 수 있다.
전술한 실시예에서는 자유층(F1, F2, F3)과 고정층(P1, P2)이 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy)을 갖는 경우에 대해서 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 자유층(F1, F2, F3)과 고정층(P1, P2)이 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 갖는 경우에도, 발명의 사상 및 원리는 동일하게 적용될 수 있다. 상기 수직 자기이방성 물질을 사용하는 경우, 세차운동의 궤도와 방향은 달라질 수 있다.
부가적으로, 전술한 실시예에 따른 발진기의 원리를 역으로 적용하면, 고주파 신호를 DC 신호로 변환하는 RF 검출기(detector)를 구현할 수 있다. 즉, 도 1 내지 도 3 및 도 10의 구조는 발진기가 아닌 RF 검출기에 적용될 수 있다. 발진기의 원리를 역으로 적용하면 RF 검출기를 구현할 수 있다는 것은 당업자에게 잘 알려진바, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 구체적인 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 도 1 내지 도 3 및 도 10의 구조는 다양하게 변형될 수 있음을 알 수 있을 것이고, 그 동작방법도 다양하게 변화될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 예컨대, 발진기를 구성하는 층들 사이에 또는 발진기의 상하면 중 적어도 하나에 다른 물질층을 추가적으로 구비시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.

Claims (16)

  1. 자화 방향이 고정된 고정층(pinned layer);
    상기 고정층 상에 구비된 제1 분리층(separation layer);
    상기 제1 분리층 상에 구비된 제1 자유층(free lyaer);
    상기 제1 자유층 상에 구비된 제2 분리층; 및
    상기 제2 분리층 상에 구비된 제2 자유층;을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 자유층 중 적어도 하나의 자기 모멘트(magnetic moment)의 세차운동(precession)을 이용하여 신호를 발진하도록 구성되고,
    상기 고정층은 상기 제1 자유층에 제1 스핀토크(spin torque)를 인가하도록 구성되고, 상기 제2 자유층은 상기 제1 자유층에 제2 스핀토크 및 제1 스트레이 필드(stray field) 중 하나를 인가하도록 구성되며, 상기 제2 스핀토크 및 제1 스트레이 필드는 상기 제1 스핀토크와 반대 방향을 갖는 발진기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수평 자기이방성(in-plane magnetic anisotropy)을 갖는 발진기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수직 자기이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 갖는 발진기.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 분리층은 절연층 또는 도전층인 발진기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정층은 SAF(synthetic antiferromagnet) 구조의 일부인 발진기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정층 하면에 반강자성층(antiferromagnetic layer)이 더 구비된 발진기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 자유층 상에 별도의 분리층과 별도의 자유층이 1회 이상 교대로 적층된 발진기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 발진기는 자기장-프리(magnetic field-free) 발진기인 것을 특징으로 하는 발진기.
  9. 청구항 1에 기재된 발진기의 동작방법에 있어서,
    상기 발진기에 전류를 인가하는 단계; 및
    상기 발진기의 저항 변화를 검출하는 단계;를 포함하는 발진기의 동작방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전류는 상기 고정층에서 상기 제1 및 제2 자유층으로 전자가 흐르도록 인가하는 발진기의 동작방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수평 자기이방성을 갖는 발진기의 동작방법.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 고정층과 상기 제1 및 제2 자유층은 수직 자기이방성을 갖는 발진기의 동작방법.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 분리층은 절연층 또는 도전층인 발진기의 동작방법.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 고정층은 SAF(synthetic antiferromagnet) 구조의 일부인 발진기의 동작방법.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 고정층 하면에 반강자성층(antiferromagnetic layer)이 더 구비된 발진기의 동작방법.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 9 항에 있어서,
    상기 제2 자유층 상에 별도의 분리층과 별도의 자유층이 1회 이상 교대로 적층된 발진기의 동작방법.
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JP2011147502A JP5878311B2 (ja) 2010-08-13 2011-07-01 発振器及びその動作方法
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8450818B2 (en) 2009-06-18 2013-05-28 Dmitri E. Nikonov Methods of forming spin torque devices and structures formed thereby
US8796794B2 (en) 2010-12-17 2014-08-05 Intel Corporation Write current reduction in spin transfer torque memory devices
US8604886B2 (en) 2010-12-20 2013-12-10 Intel Corporation Spin torque oscillator having multiple fixed ferromagnetic layers or multiple free ferromagnetic layers
US8320080B1 (en) * 2011-05-31 2012-11-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Three-terminal spin-torque oscillator (STO)
EP2821248B1 (en) 2012-02-29 2019-02-06 Bridgestone Corporation Tire
US8908330B1 (en) 2012-12-21 2014-12-09 Western Digital Technologies, Inc. Spin torque oscillator for microwave assisted magnetic recording with optimal geometries
US9355654B1 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Western Digital Technologies, Inc. Spin torque oscillator for microwave assisted magnetic recording with increased damping
KR102078849B1 (ko) * 2013-03-11 2020-02-18 삼성전자 주식회사 자기저항 구조체, 이를 포함하는 자기 메모리 소자 및 자기저항 구조체의 제조 방법
TWI680598B (zh) * 2015-05-22 2019-12-21 國立研究開發法人科學技術振興機構 脈衝產生裝置
US9595917B2 (en) 2015-08-05 2017-03-14 Qualcomm Incorporated Antiferromagnetically coupled spin-torque oscillator with hard perpendicular polarizer
JP6588860B2 (ja) * 2016-05-13 2019-10-09 株式会社東芝 発振器及び演算装置
US10601368B2 (en) * 2016-05-19 2020-03-24 Seagate Technology Llc Solid state microwave generator
US10110165B2 (en) 2016-05-19 2018-10-23 Seagate Technology Llc Solid state microwave generator
SE540812C2 (en) * 2016-11-02 2018-11-20 Johan Aakerman Ab Spin oscillator device and mutually synchronized spin oscillator device arrays
JP6980191B2 (ja) * 2017-10-23 2021-12-15 株式会社デンソー 磁気抵抗素子および検波器
CN109411993A (zh) * 2018-12-28 2019-03-01 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器
US11239016B2 (en) 2020-05-29 2022-02-01 Western Digital Technologies, Inc. Spin torque oscillator with an antiferromagnetically coupled assist layer and methods of operating the same
US11171605B1 (en) 2020-05-29 2021-11-09 Western Digital Technologies, Inc. Spin torque oscillator with an antiferromagnetically coupled assist layer and methods of operating the same
CN112038483A (zh) * 2020-09-08 2020-12-04 中国科学院微电子研究所 一种振荡器及其制造方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6560077B2 (en) 2000-01-10 2003-05-06 The University Of Alabama CPP spin-valve device
KR100506064B1 (ko) 2002-12-21 2005-08-03 주식회사 하이닉스반도체 자기저항 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이
US7054119B2 (en) 2003-06-18 2006-05-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Coupled ferromagnetic systems having modified interfaces
US7161829B2 (en) 2003-09-19 2007-01-09 Grandis, Inc. Current confined pass layer for magnetic elements utilizing spin-transfer and an MRAM device using such magnetic elements
JP4737437B2 (ja) * 2004-03-05 2011-08-03 日本電気株式会社 トグル型磁気ランダムアクセスメモリ
US7471491B2 (en) 2004-03-30 2008-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic sensor having a frequency filter coupled to an output of a magnetoresistance element
US7088609B2 (en) 2004-05-11 2006-08-08 Grandis, Inc. Spin barrier enhanced magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same
US7057921B2 (en) 2004-05-11 2006-06-06 Grandis, Inc. Spin barrier enhanced dual magnetoresistance effect element and magnetic memory using the same
KR100697779B1 (ko) 2005-03-05 2007-03-20 한국과학기술연구원 Ｓｏｉ기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자및 그 제조방법
JP4677589B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-27 独立行政法人科学技術振興機構 伝送回路一体型マイクロ波発生素子並びにマイクロ波検出方法、マイクロ波検出回路、マイクロ波検出素子及び伝送回路一体型マイクロ波検出素子
JP2006319259A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Fujitsu Ltd 強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置
US7224601B2 (en) 2005-08-25 2007-05-29 Grandis Inc. Oscillating-field assisted spin torque switching of a magnetic tunnel junction memory element
JP4886268B2 (ja) 2005-10-28 2012-02-29 株式会社東芝 高周波発振素子、ならびにそれを用いた車載レーダー装置、車間通信装置および情報端末間通信装置
FR2892871B1 (fr) 2005-11-02 2007-11-23 Commissariat Energie Atomique Oscillateur radio frequence a courant elelctrique polarise en spin
US7610674B2 (en) 2006-02-13 2009-11-03 Headway Technologies, Inc. Method to form a current confining path of a CPP GMR device
US7732881B2 (en) 2006-11-01 2010-06-08 Avalanche Technology, Inc. Current-confined effect of magnetic nano-current-channel (NCC) for magnetic random access memory (MRAM)
US7678475B2 (en) 2006-05-05 2010-03-16 Slavin Andrei N Spin-torque devices
JP2007305629A (ja) 2006-05-08 2007-11-22 Fuji Electric Holdings Co Ltd スピン注入型磁化反転素子
US7616412B2 (en) 2006-07-21 2009-11-10 Carnegie Melon University Perpendicular spin-torque-driven magnetic oscillator
JP4633689B2 (ja) 2006-08-23 2011-02-16 シャープ株式会社 マイクロ波発振素子及びその製造方法、並びに該マイクロ波発振素子を備えたマイクロ波発振装置
JP4996187B2 (ja) 2006-09-25 2012-08-08 株式会社東芝 磁性発振素子
US7589600B2 (en) * 2006-10-31 2009-09-15 Seagate Technology Llc Spin oscillator device
WO2008101545A1 (en) 2007-02-21 2008-08-28 Commissariat A L'energie Atomique Spin-transfer torque oscillator
JP2008277586A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Toshiba Corp 磁気素子、磁気記録ヘッド及び磁気記録装置
US7994865B1 (en) 2007-06-27 2011-08-09 Marvell International Ltd. Even order distortion cancellation in single-ended input, differential output amplifiers using feedback
KR100866973B1 (ko) 2007-07-13 2008-11-05 이화여자대학교 산학협력단 자기 메모리 셀
KR20090011247A (ko) 2007-07-25 2009-02-02 삼성전자주식회사 디스크 디펙트 목록 생성 방법, 디스크 디펙트 목록 저장매체, 및 하드디스크 드라이브 제어 방법
US7982275B2 (en) 2007-08-22 2011-07-19 Grandis Inc. Magnetic element having low saturation magnetization
JP2009080875A (ja) 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録装置
JP5233234B2 (ja) 2007-10-05 2013-07-10 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2009099741A (ja) 2007-10-16 2009-05-07 Fujitsu Ltd 強磁性トンネル接合素子、強磁性トンネル接合素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記憶装置、及び磁気メモリ装置
KR100929315B1 (ko) 2007-10-31 2009-11-27 주식회사 하이닉스반도체 수직형 스핀 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP5278876B2 (ja) 2007-10-31 2013-09-04 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロ波発振素子および検出素子
JP5224803B2 (ja) 2007-12-26 2013-07-03 株式会社日立製作所 磁気メモリ及び磁気メモリの書き込み方法
JP5036585B2 (ja) * 2008-02-13 2012-09-26 株式会社東芝 磁性発振素子、この磁性発振素子を有する磁気ヘッド、および磁気記録再生装置
JP4724196B2 (ja) 2008-03-25 2011-07-13 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP4978553B2 (ja) 2008-05-12 2012-07-18 ソニー株式会社 発振デバイス、通信装置、及び磁性素子による発振方法
KR101114281B1 (ko) 2008-05-15 2012-03-05 고려대학교 산학협력단 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및고주파 자기장 생성 소자
US7795984B2 (en) 2008-06-04 2010-09-14 Seagate Technology, Llc Magnetic oscillator with multiple coherent phase output
US20090303779A1 (en) 2008-06-05 2009-12-10 Young-Shying Chen Spin Torque Transfer MTJ Devices with High Thermal Stability and Low Write Currents
US8053244B2 (en) 2008-08-13 2011-11-08 Seagate Technology Llc Magnetic oscillator based biosensor
US20100308923A1 (en) 2009-06-04 2010-12-09 Seagate Technology Llc Magnetic voltage controlled oscillator
US8692343B2 (en) * 2010-04-26 2014-04-08 Headway Technologies, Inc. MR enhancing layer (MREL) for spintronic devices
US8581672B2 (en) 2010-05-14 2013-11-12 Nokia Corporation Frequency synthesis
KR20120015943A (ko) 2010-08-13 2012-02-22 삼성전자주식회사 발진기 및 상기 발진기의 동작 방법

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Publication number Publication date
KR20120021723A (ko) 2012-03-09
US20120038430A1 (en) 2012-02-16
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CN102377388B (zh) 2015-11-18
CN102377388A (zh) 2012-03-14
US8421545B2 (en) 2013-04-16
JP5878311B2 (ja) 2016-03-08

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