JP4886268B2 - 高周波発振素子、ならびにそれを用いた車載レーダー装置、車間通信装置および情報端末間通信装置 - Google Patents
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Description
本実施例においては図1に示した構造を有する高周波発振素子(CCP−CPP素子)の具体例について説明する。本実施例の高周波発振素子は、図示しない基板上に下記の膜を順次積層することによって製造される。
下地層12:Ta[5nm]/Ru[2nm]
ピニング層13:Pt50Mn50[15nm]
磁化固着層(ピン層)14:Co90Fe10[3.6nm]/Ru[0.9nm]/Fe50Co50[3nm]
金属層15:Cu[0.5nm]
スペーサー層16:Al2O3絶縁層21およびCu電流パス22(Al90Cu10[1nm]を成膜した後、希ガスのイオンビームを照射する酸化前の前処理(PIT)およびイオンビームアシスト酸化(IAO)を行うことにより形成)
金属層17:Cu[0.25nm]
磁性発振層18:Co90Fe10[1nm]/Ni83Fe17[3.5nm]
キャップ層19:Cu[1nm]/Ru[10nm]
上電極20。
図8に変形例に係るCCP−CPP発振素子の斜視図を示す。このCCP−CPP発振素子は、図示しない基板上に、下電極11、下地層12、第1のピニング層131、第1の磁化固着層(シンセティックピン層)141、第1の中間層161、磁性発振層18、第2の中間層162、第2の磁化固着層(シンセティックピン層)142、第2のピニング層132、キャップ層19、および上電極20を積層した構造を有する。
図9に他の変形例に係るCCP−CPP発振素子の斜視図を示す。このCCP−CPP発振素子は、図示しない基板上に、下電極11、下地層12、第1のピニング層131、第1の磁化固着層(シンセティックピン層)141、第1の中間層161、第1の磁性発振層181、第2の中間層162、第2の磁性発振層182、第3の中間層163、第2の磁化固着層(シンセティックピン層)142、第2のピニング層132、キャップ層19、および上電極20を積層した構造を有する。
本実施例では、複数の高周波発振素子を並列に接続した高周波集積回路について説明する。図10(a)および(b)に、本実施例における高周波集積回路の平面図および積層構造を示す。図10(b)に示すように、Si基板51上に増幅器としてのCMOSトランジスタ52が形成され、CMOSトランジスタ52上にCCP−CPP発振素子53が形成されている。図10(a)に示すように、Si基板51の表面に複数のCCP−CPP発振素子53が規則的に配列されている。通常、CMOS製造プロセスはCCP−CPP発振素子の製造プロセスに比較して、高温の工程を含むので、図10(b)のような積層構造が採用される。すなわち、Si基板51上にCMOSトランジスタ52を形成し、表面の平坦化やコンタクトの形成を行った後、CCP−CPP発振素子53を形成する。
本実施例では、複数の高周波発振素子を直列に接続した高周波集積回路について説明する。この高周波集積回路の平面図および積層構造は図10(a)および(b)に示したのと同様である。すなわち、Si基板上にCMOSトランジスタおよびCCP−CPP発振素子が形成されており、Si基板の表面に複数のCCP−CPP発振素子が規則的に配列されている。図14に示すように、複数のCCP−CPP発振素子53a、53b、53c、53d、53eが、電源54と直列に接続されて高周波集積回路を形成している。このように複数のCCP−CPP発振素子を直列に接続すると発振出力を上げることができる。
図15に、本発明に係る高周波発振素子を用いたミリ波(またはマイクロ波)帯域の車載レーダーのシステム構成を示す。このシステムは、本発明に係る高周波発振素子を有するミリ波送受信モジュール61、送受信モジュール61の信号を処理するアナログ回路62、A/D(アナログ・ディジタル)変換およびD/A(ディジタル・アナログ)変換を行うコンバーター63、ディジタルシグナルプロセッサー(DSP)64、および外部との送受信を行う通信機構65を有する。
図21に本実施例に係る車間通信装置を示す。各自動車110のフロントおよびバックに、本発明に係るCCP−CPP発振素子を含む車載レーダー装置100をそれぞれ一機ずつ装着する。この装置では、自動車110間で双方向通信を行い、車間距離を一定に保って各車が走行するよう制御でき、ITS(Intelligent Transport System)を実現できる。
図22に本実施例に係る情報端末間通信装置を示す。本発明に係るCCP−CPP発振素子を含む送受信装置105を個々の携帯情報端末120に装着し、双方向の簡易近距離通信を行うことができる。高周波を用いるため情報量が大きく、近距離で高速な無線データ通信を行うのは非常に便利である。
Claims (16)
- 磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、
電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、
前記磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する中間層と、
前記磁化固着層、中間層および磁性発振層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極と
を有する高周波発振素子であって、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であることを特徴とする高周波発振素子。 - 磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁化固着層と、
電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、
磁化方向が実質的に一方向に固着された第2の磁化固着層と、
前記第1の磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する第1の中間層と、
前記磁性発振層と前記第2の磁化固着層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する第2の中間層と、
前記第1の磁化固着層、第1の中間層、磁性発振層、第2の磁化固着層および第2の中間層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極と
を有する高周波発振素子であって、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であることを特徴とする高周波発振素子。 - 複数の高周波発振素子を含み、各々の高周波発振素子は、磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、前記磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する中間層と、前記磁化固着層、中間層および磁性発振層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極とを有し、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であり、
前記複数の高周波発振素子は、前記中間層における電流パスの占有率が異なり、発振周波数が異なることを特徴とする高周波集積回路。 - 磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の磁化固着層と、
電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、
前記磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する中間層と、
前記磁化固着層、中間層および磁性発振層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極と、
前記積層膜に磁場を印加する磁場印加機構と
を有する高周波発振素子であって、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であることを特徴とする高周波発振素子。 - 前記磁場印加機構が、前記積層膜に流される電流の向きと平行に配置された配線であることを特徴とする請求項4に記載の高周波発振素子。
- 前記磁場印加機構が、前記積層膜に流される電流の向きと直交して配置された配線であることを特徴とする請求項4に記載の高周波発振素子。
- 前記磁場印加機構として、さらに、前記積層膜の横に配置されたハードバイアス層を有することを特徴とする請求項5に記載の高周波発振素子。
- 同一基板上に形成され、電気的に直列に接続された複数の高周波発振素子を含み、各高周波発振素子は、磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、前記磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する中間層と、前記磁化固着層、中間層および磁性発振層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極とを有し、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であることを特徴とする高周波集積回路。
- 同一基板上に形成され、電気的に並列に接続された複数の高周波発振素子を含み、各高周波発振素子は、磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、電流を流すことにより磁化の発振現象を起こす磁性発振層と、前記磁化固着層と前記磁性発振層との間に設けられた、絶縁層と前記絶縁層を膜厚方向に貫通する複数の電流パスとを有する中間層と、前記磁化固着層、中間層および磁性発振層を含む積層膜の膜面に垂直に電流を流す1対の電極とを有し、前記高周波発振素子のサイズは1辺の長さLが40〜100nmであり、前記電流パスの直径Dは1〜6nmであり、前記中間層の膜面内における前記電流パスの占有率は3〜50%であることを特徴とする高周波集積回路。
- 前記複数の高周波発振素子は、それぞれ半導体トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする請求項8または9記載の高周波集積回路。
- 請求項1、2、4、5、6または7に記載の高周波発振素子を含む車載レーダー装置。
- 複数の自動車に搭載された請求項1、2、4、5、6または7に記載の高周波発振素子を含み、前記自動車間の車間距離を維持するように自動車を誘導する車間通信装置。
- 複数の情報端末に搭載された請求項1、2、4、5、6または7に記載の高周波発振素子を含み、前記情報端末間の近距離通信を可能にする情報端末間通信装置。
- 請求項3、8、9、または10に記載の高周波集積回路を含む車載レーダー装置。
- 複数の自動車に搭載された請求項3、8、9または10に記載の高周波集積回路を含み、前記自動車間の車間距離を維持するように自動車を誘導する車間通信装置。
- 複数の情報端末に搭載された請求項3、8、9または10に記載の高周波集積回路を含み、前記情報端末間の近距離通信を可能にする情報端末間通信装置。
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