JP7166204B2 - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。

磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録装置において、記録密度の向上が望まれる。

米国特許出願公開第２０１５／０２２８２９５号明細書

本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、シールドと、磁極と、前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、を含む。前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。

図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図３は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図４は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図５は、第３実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図６は、第３実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図７は、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図８は、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図９は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１０は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１１０及び磁気記録媒体８０を含む。磁気記録装置１５０は、例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）をさらに含んでも良い。

磁気ヘッド１１０は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１１０は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

例えば、磁気ヘッド１１０は、コイル３０ｃを含む。コイル３０ｃの少なくとも一部は、磁極３０と対向する。例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）から記録電流Ｉｗがコイル３０ｃに供給される。これにより、磁極３０から記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が発生する。記録磁界が磁気記録媒体８０に印加され、磁気記録媒体８０の磁化の向きが制御される。これにより、磁気記録媒体８０に情報が記録される。

磁極３０は、例えば、主磁極である。磁極３０は、媒体対向面３０Ｆを含む。媒体対向面３０Ｆは、磁気ヘッド１１０のＡＢＳ（Air Bearing Surface）に沿う。媒体対向面３０Ｆは、磁気記録媒体８０に対向する。

媒体対向面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、クロストラック方向である。

シールド３１は、例えば、「trailing shield」に対応する。シールド３１は、例えば、補助磁極である。シールド３１は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。例えば、サイドシールド（図示しない）などの追加のシールドが設けられても良い。

磁気ヘッド１１０において、第１磁性層１１は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。第２磁性層１２は、第１磁性層１１と磁極３０との間に設けられる。第３磁性層１３は、第２磁性層１２と磁極３０との間に設けられる。

シールド３１から磁極３０への方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１は、例えばＸ軸方向に沿う。

第１磁性層１１は、例えば、ＦｅＮｉ、及び、ＣｏＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層１２及び第３磁性層１３は、例えば、ＦｅＣｏ合金などを含む。これらの磁性層の材料の例については、後述する。

第１非磁性層２１は、シールド３１と第１磁性層１１との間に設けられる。第２非磁性層２２は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第２磁性層１２と第３磁性層１３との間に設けられる。第４非磁性層２４は、第３磁性層１３と磁極３０との間に設けられる。第５非磁性層２５は、第１磁性層１１と第２非磁性層２２との間に設けられる。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２と第２磁性層１２との間に設けられる。第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第６非磁性層２１～２６は、積層体ＳＢに含まれる。

第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、スピンを透過させる層である。

第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、例えば、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、例えば、スピンを消す（または弱める）層である。第２非磁性層２２及び第４非磁性層のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。

第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。これらの非磁性層により、例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。これらの非磁性層により、例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

図１に示すように、磁気ヘッド１１０において、第１電流Ｉ１が流れることが可能である。第１電流Ｉ１は、シールド３１から磁極３０への向きを有する。第１電流Ｉ１は、第１非磁性層２１から第４非磁性層２４への向きを有する。第１電流Ｉ１は、例えば、第１回路１０Ｄから供給される。例えば、第１回路１０Ｄは、シールド３１及び磁極３０と電気的に接続される。

第１電流Ｉ１は、第１非磁性層２１、第１磁性層１１、第５非磁性層２５、第２非磁性層２２、第６非磁性層２６、第２磁性層１２、第３非磁性層２３、第３磁性層１３及び第４非磁性層２４を、第１非磁性層２１から第４非磁性層２４の方向に流れる。

第１電流Ｉ１により、第１電子流Ｊｅ１が流れる。第１電子流Ｊｅ１は、磁極３０からシールド３１への向きに流れる。

磁極３０は、磁極磁化３０Ｍを有する。シールド３１は、シールド磁化３１Ｍを有する。第１磁性層１１は、第１磁性層磁化１１Ｍを有する。第２磁性層１２は、第２磁性層磁化１２Ｍを有する。第３磁性層１３は、第３磁性層磁化１３Ｍを有する。

第１電流Ｉ１（第１電子流Ｊｅ１）により、例えば、第１磁性層磁化１１Ｍは、シールド磁化３１Ｍ及び磁極磁化３０Ｍに対して反転する。これにより、磁極３０で発生した記録磁界は、積層体ＳＢを通過し難くなる。シールド３１と磁極３０との間の磁界（ギャップ磁界）を低減できる。

これにより、記録磁界の多くの部分が、磁気記録媒体８０に向かう。記録磁界が磁気記録媒体８０に効率良く印加される。第１磁性層１１は、例えば、ＭＦＣＬ（Magnetic Field Control Layer）として機能する。

一方、第１電流Ｉ１（第１電子流Ｊｅ１）及びギャップ磁界により、スピンが第３磁性層１３から第２磁性層１２に注入され、第２磁性層磁化１２Ｍが回転する。第３磁性層１３は、例えば、スピン注入層として機能する。第２磁性層１２は、例えば、発振層として機能する。第２磁性層１２、第３非磁性層２３及び第３磁性層１３を含む積層体は、例えば、ＳＴＯ（Spin Torque Oscillator）として機能する。例えば、第２磁性層１２及び第３磁性層１３において、相互にスピントルクが与えられる。例えば、電流を増加すると、第３磁性層１３の第３磁性層磁化１３Ｍが先に反転し、その後、第２磁性層１２の第２磁性層磁化１２Ｍが発振し始める。第２磁性層磁化１２Ｍが発振し始めると、第３磁性層磁化１３Ｍの反転方向を向きながら発振する。例えば、第２磁性層磁化１２Ｍはギャップ磁界方向に傾いて、実質的に面内で発振する。

ＳＴＯから高周波磁界が発生し、この高周波磁界が磁気記録媒体８０に印加される。磁気記録媒体８０にうちで、高周波が印加された部分において、磁化の向きが変化し易くなる。磁気記録媒体８０の磁化の向きを制御し易くできる。

実施形態においては、第１磁性層１１を設けることで、記録磁界を低減させることなくギャップ磁界が低減できる。これにより、例えば、低い電流密度において、第２磁性層磁化１２Ｍをスピントルクにより回転させることが可能になる。これにより、例えば、記録特性が向上できる。例えば、記録密度を向上できる。例えば、高い信頼性が得易くなる。実施形態においては、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。

例えば、第１磁性層１１により、ＳＴＯに印加されるギャップ磁界が制御できる。例えば、記録磁界と、ＳＴＯに印加されるギャップ磁界と、独立に設計できる。これにより、例えば、ＳＴＯの発振周波数の調整が容易になる。

図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１１１及び磁気記録媒体８０を含む。磁気ヘッド１１１は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１１１は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

磁気ヘッド１１１においては、第１磁性層１１は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。第２磁性層１２は、シールド３１と第１磁性層１１との間に設けられる。第３磁性層１３は、シールド３１と第２磁性層１２との間に設けられる。

第１非磁性層２１は、第１磁性層１１と磁極３０との間に設けられる。第２非磁性層２２は、第２磁性層１２と第１非磁性層２１との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第３磁性層１３と第２非磁性層２２との間に設けられる。第４非磁性層２４は、シールド３１と第３磁性層１３との間に設けられる。第５非磁性層２５は、第２非磁性層２２と第１磁性層１１との間に設けられる。第６非磁性層２６は、第２磁性層１２と第２非磁性層２２との間に設けられる。

この場合も、第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４のそれぞれの、第１方向Ｄ１（シールド３１から磁極３０への方向）に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

図２に示すように、磁気ヘッド１１１においては、磁極３０からシールド３１への第１電流Ｉ１が流れる。第１電流Ｉ１は、第１非磁性層２１から第４非磁性層２４への向きを有する。第１電子流Ｊｅ１は、シールド３１から磁極３０への向きを有する。第１電流Ｉ１は、第１回路１０Ｄから供給される。

磁気ヘッド１１１においても、記録磁界を低減させることなくギャップ磁界が低減できる。例えば、低い電流密度において、第２磁性層磁化１２Ｍをスピントルクにより回転させることが可能になる。例えば、記録特性が向上できる。記録密度を向上できる。例えば、高い信頼性が得易くなる。記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。例えば、ＳＴＯの発振周波数の調整が容易になる。

磁気ヘッド１１０及び１１１において、例えば、第１磁性層１１は、第１非磁性層２１及び第５非磁性層２５と接する。第２非磁性層２２は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６と接する。第２磁性層１２は、第６非磁性層２６及び第３非磁性層２３と接する。第３磁性層１３は、第３非磁性層２３及び第４非磁性層２４と接する。

磁気ヘッド１１０及び１１１において、例えば、第２磁性層１２の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。これにより、第２磁性層１２において、発振し易くなる。例えば、第２磁性層１２の体積と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層１３の体積と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。例えば、第３磁性層１３の厚さは、第２磁性層１２の厚さよりも薄い。これにより、例えば、第２磁性層１２及び第３磁性層１３において、安定した発振が得られる。

（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１２０、磁気記録媒体８０及び回路部１０Ｕを含む。磁気記録装置１５０は、例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）をさらに含んでも良い。

磁気ヘッド１２０は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１２０は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

第１磁性層１１は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。第２磁性層１２は、第１磁性層１１と磁極３０との間に設けられる。第３磁性層１３は、第２磁性層１２と磁極３０との間に設けられる。

第１非磁性層２１は、シールド３１と第１磁性層１１との間に設けられる。第２非磁性層２２は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第２磁性層１２と第３磁性層１３との間に設けられる。第４非磁性層２４は、第３磁性層１３と磁極３０との間に設けられる。第５非磁性層２５は、第１磁性層１１と第２非磁性層２２との間に設けられる。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２と第２磁性層１２との間に設けられる。

回路部１０Ｕは、第１回路１０Ｄ及び第２回路２０Ｄを含む。第１回路１０Ｄは、第１電流Ｉ１を供給可能である。第１電流Ｉ１は、シールド３１から第２非磁性層２２への向きを有する。第１電流Ｉ１は、第１非磁性層２１から第２非磁性層２２への向きを有する。第２回路２０Ｄは、第２電流Ｉ２を供給可能である。第２電流Ｉ２は、第２非磁性層２２から磁極３０への向きを有する。第２電流Ｉ２は、第２非磁性層２２から第４非磁性層２４への向きを有する。第１電流Ｉ１に基づく第１電子流Ｊｅ１の向きは、第１電流Ｉ１の向きと反対である。第２電流Ｉ２に基づく第２電子流Ｊｅ２の向きは、第２電流Ｉ２の向きと反対である。

例えば、磁気ヘッド１２０は、第１～第３端子Ｔ１～Ｔ３を含む。第１端子Ｔ１は、シールド３１と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、磁極３０と電気的に接続される。第３端子Ｔ３は、第２非磁性層２２と電気的に接続される。

第１回路１０Ｄの一端は、第１端子Ｔ１と電気的に接続される。第１回路１０Ｄの他端は、第３端子Ｔ３と電気的に接続される。第２回路２０Ｄの一端は、第２端子Ｔ２と電気的に接続される。第２回路２０Ｄの他端は、第３端子Ｔ３と電気的に接続される。

第１電流Ｉ１により、第１磁性層１１の第１磁性層磁化１１Ｍは、シールド磁化３１Ｍ及び磁極磁化３０Ｍに対して反転する。第２電流Ｉ２により、第２磁性層磁化１２Ｍが回転する。第２磁性層１２は、発振する。

回路部１０Ｕは、第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とを互いに独立して制御可能である。これにより、第１電流Ｉ１によりギャップ磁界を低減しつつ、ＳＴＯの発振周波数を第２電流Ｉ２により、調整し易くできる。これにより、記録密度を向上し易くできる。例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。

例えば、製造プロセスの変動などに起因して、ＳＴＯの発振周波数は変動する場合がある。このような場合に、第１電流Ｉ１及び第２電流Ｉ２を独立して制御することで、発振周波数の調整が容易になる。

磁気ヘッド１２０において、第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、例えば、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４のそれぞれの、第１方向Ｄ１（シールド３１から磁極３０への方向）に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

磁気ヘッド１２０において、例えば、第１磁性層１１は、第１非磁性層２１及び第５非磁性層２５と接する。第２非磁性層２２は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６と接する。第２磁性層１２は、第６非磁性層２６及び第３非磁性層２３と接する。第３磁性層１３は、第３非磁性層２３及び第４非磁性層２４と接する。

図４は、第２実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１２１、磁気記録媒体８０及び回路部１０Ｕを含む。磁気記録装置１５０は、例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）をさらに含んでも良い。

磁気ヘッド１２１は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１２０は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

磁気ヘッド１２１においては、第１磁性層１１は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。第２磁性層１２は、第１磁性層１１と磁極３０との間に設けられる。第３磁性層１３は、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。

第１非磁性層２１は、シールド３１と第１磁性層１１との間に設けられる。第２非磁性層２２は、第１磁性層１１と第３磁性層１３との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第３磁性層１３と第２磁性層１２との間に設けられる。第４非磁性層２４は、第２磁性層１２と磁極３０との間に設けられる。第５非磁性層２５は、第１磁性層１１と第２非磁性層２２との間に設けられる。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２と第３磁性層１３との間に設けられる。

この例においても、回路部１０Ｕは、第１電流Ｉ１を供給可能な第１回路１０Ｄ、及び、第２電流Ｉ２を供給可能な第２回路２０Ｄを含む。第１電流Ｉ１は、第１非磁性層２１から第２非磁性層２２への向きを有する。第２電流Ｉ２は、第４非磁性層２４から第２非磁性層２２への向きを有する。回路部１０Ｕは、第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とを互いに独立して制御可能である。

例えば、第１電流Ｉ１によりギャップ磁界を低減しつつ、ＳＴＯの発振周波数を第２電流Ｉ２により、調整し易くできる。記録密度を向上し易くできる。例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。発振周波数の調整が容易になる。

磁気ヘッド１２１において、第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４のそれぞれの、厚さ（シールド３１から磁極３０への方向に沿う厚さ）は、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

磁気ヘッド１２１において、例えば、第１磁性層１１は、第１非磁性層２１及び第５非磁性層２５と接する。第２非磁性層２２は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６と接する。第３磁性層１３は、第６非磁性層２６及び第３非磁性層２３と接する。第２磁性層１２は、第３非磁性層２３及び第４非磁性層２４と接する。

磁気ヘッド１２０及び１２１において、例えば、第２磁性層１２の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。これにより、第２磁性層１２において、発振し易くなる。例えば、第２磁性層１２の体積と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層の体積と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。例えば、第３磁性層１３の厚さは、第２磁性層１２の厚さよりも薄い。これにより、例えば、第２磁性層１２及び第３磁性層１３において、安定した発振が得られる。

（第３実施形態）
図５は、第３実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図５に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１３０、磁気記録媒体８０及び回路部１０Ｕを含む。磁気記録装置１５０は、例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）をさらに含んでも良い。

磁気ヘッド１３０は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１３０は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

磁極３０は、媒体対向面３０Ｆを含む。シールド３１から磁極３０への第１方向Ｄ１は、媒体対向面３０Ｆに沿う。媒体対向面３０Ｆは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿う。

第１磁性層１１の第１方向Ｄ１における位置は、シールド３１の第１方向Ｄ１における位置と、磁極３０の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。

第２磁性層１２は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。媒体対向面３０Ｆと交差する方向を第２方向Ｄ２とする。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｚ軸方向に沿う。第２磁性層１２の第２方向Ｄ２における位置は、媒体対向面３０Ｆを含む平面（Ｘ－Ｙ平面に沿う平面）の第２方向Ｄ２における位置と第１磁性層１１の、第２方向Ｄ２における位置との間にある。

第３磁性層１３は、第２磁性層１２と磁極３０との間に設けられる。

第１磁性層１１と磁極３０との間に、第１非磁性層２１が設けられる。第２非磁性層２２は、シールド３１と第２磁性層１２との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第２磁性層１２と第３磁性層１３との間に設けられる。第４非磁性層２４は、第３磁性層１３と磁極３０との間に設けられる。第５非磁性層２５と第１非磁性層２１との間に第１磁性層１１が設けられる。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２と第２磁性層１２との間に設けられる。

磁気ヘッド１３０においては、第１磁性層１１は、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体とは別に設けられる。第１磁性層１１に流れる第１電流Ｉ１と、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体に流れる第２電流Ｉ２と、は、互いに独立して制御可能である。

磁気ヘッド１３０においては、第１磁性層１１に流れる第１電流Ｉ１により、第１磁性層磁化１１Ｍが、シールド磁化３１Ｍ及び磁極磁化３０Ｍの向きに対して反転する。ギャップ磁界が増大する。

例えば、第１電流Ｉ１によりギャップ磁界を増大しつつ、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体に流れる第２電流Ｉ２によりＳＴＯの発振周波数を調整し易くできる。記録密度を向上し易くできる。例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。発振周波数の調整が容易になる。

磁気ヘッド１３０を含む磁気記録装置１５０は、回路部１０Ｕを含んでも良い。回路部１０Ｕは、第１電流Ｉ１を供給可能な第１回路１０Ｄと、第２電流Ｉ２を供給可能な第２回路２０Ｄと、を含む。第１電流Ｉ１は、第１磁性層１１から第１非磁性層２１への向きへの向きを有する。第１電流Ｉ１は、磁極３０から第１非磁性層２１への向きを有する。第２電流Ｉ２は、第２非磁性層２２から第４非磁性層２４への向きを有する。第２電流Ｉ２は、シールド３１から磁極３０への向きを有する。回路部１０Ｕは、第１電流Ｉ１と第２電流Ｉ２とを互いに独立して制御可能である。

この例では、導電層２１ｅが設けられている、導電層２１ｅと第１非磁性層２１との間に第１磁性層１１がある。

例えば、磁気ヘッド１３０は、第１～第３端子Ｔ１～Ｔ３を含む。第１端子Ｔ１は、シールド３１と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、磁極３０と電気的に接続される。第３端子Ｔ３は、導電層２１ｅと電気的に接続される。

第２回路２０Ｄの一端は、第１端子Ｔ１と電気的に接続される。第２回路２０Ｄの他端は、第３端子Ｔ３と電気的に接続される。第１回路１０Ｄの一端は、第２端子Ｔ２と電気的に接続される。第１回路１０Ｄの他端は、第３端子Ｔ３と電気的に接続される。

磁気ヘッド１３０において、第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４のそれぞれの、第１方向Ｄ１（シールド３１から磁極３０への方向）に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

磁気ヘッド１３０において、例えば、第１磁性層１１は、第１非磁性層２１及び第５非磁性層２５と接する。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２及び第２磁性層１２と接する。第２磁性層１２は、第６非磁性層２６及び第３非磁性層２３と接する。第３磁性層１３は、第３非磁性層２３及び第４非磁性層２４と接する。

図６は、第３実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態において、磁気記録装置１５０は、磁気ヘッド１３１、磁気記録媒体８０及び回路部１０Ｕを含む。磁気記録装置１５０は、例えば、記録電流回路（第３回路３０Ｄ）をさらに含んでも良い。

磁気ヘッド１３１は、シールド３１、磁極３０、第１～第３磁性層１１～１３、及び、第１～第４非磁性層２１～２４を含む。この例では、磁気ヘッド１３１は、第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６をさらに含む。

シールド３１から磁極３０への第１方向Ｄ１は、磁極３０の媒体対向面３０Ｆに沿う。 第１磁性層１１の第１方向Ｄ１における位置は、シールド３１の第１方向Ｄ１における位置と、磁極３０の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。

第２磁性層１２は、シールド３１と磁極３０との間に設けられる。媒体対向面３０Ｆと交差する第２方向Ｄ２における第２磁性層１２の位置は、媒体対向面３０Ｆを含む平面の第２方向Ｄ２における位置と、第１磁性層１１の第２方向Ｄ２における位置との間にある。

第３磁性層１３は、シールド３１と第２磁性層１２との間に設けられる。

第１磁性層１１と磁極３０との間に第１非磁性層２１が設けられる。第２非磁性層２２は、第２磁性層１２と磁極３０との間に設けられる。第３非磁性層２３は、第３磁性層１３と第２磁性層１２との間に設けられる。第４非磁性層２４は、シールド３１と第３磁性層１３との間に設けられる。第５非磁性層２５と第１非磁性層２１との間に第１磁性層１１が設けられる。第６非磁性層２６は、第２非磁性層２２と第２磁性層１２との間に設けられる。

磁気ヘッド１３１においても、第１磁性層１１は、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体とは別に設けられる。第１磁性層１１に流れる第１電流Ｉ１と、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体に流れる第２電流Ｉ２と、は、互いに独立して制御可能である。第１電流Ｉ１は、第１磁性層１１から第１非磁性層２１への向きを有する。第２電流Ｉ２は、第２非磁性層２２から第４非磁性層２４への向きを有する。

磁気ヘッド１３１においては、第１磁性層１１に流れる第１電流Ｉ１により、第１磁性層磁化１１Ｍが、シールド磁化３１Ｍ及び磁極磁化３０Ｍの向きに対して反転する。ギャップ磁界が増大する。

例えば、第１電流Ｉ１によりギャップ磁界を増大しつつ、第２磁性層１２及び第３磁性層１３を含む積層体に流れる第２電流Ｉ２によりＳＴＯの発振周波数を調整し易くできる。記録密度を向上し易くできる。例えば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供できる。発振周波数の調整が容易になる。

例えば、磁気ヘッド１３１は、第１～第３端子Ｔ１～Ｔ３を含む。第３端子Ｔ３は、導電層２１ｅと電気的に接続される。第２回路２０Ｄは、第１端子Ｔ１及び第３端子Ｔ３と電気的に接続される。第１回路１０Ｄは、第２端子Ｔ２及び第３端子Ｔ３と電気的に接続される。

磁気ヘッド１３１において、第１非磁性層２１及び第３非磁性層２３は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層２２及び第４非磁性層２４のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６のそれぞれの、第１方向Ｄ１に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。第５非磁性層２５及び第６非磁性層２６の少なくともいずれかが設けられても良い。例えば、第１磁性層１１におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、第２磁性層１２におけるダンピングの増加が抑制される。例えば、動作電流密度が低減する。例えば、長い寿命が得られる。

磁気ヘッド１３１において、例えば、第１磁性層１１は、第１非磁性層２１及び第５非磁性層２５と接する。第３磁性層１３は、第４非磁性層２４及び第３非磁性層２３と接する。第２磁性層１２は、第３非磁性層２３及び第６非磁性層２６と接する。第６非磁性層２６は、第２磁性層１２及び第２非磁性層２２と接する。

磁気ヘッド１３０及び１３１において、例えば、第２磁性層１２の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層１３の厚さ（第１方向Ｄ１に沿う厚さ）と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。これにより、第２磁性層１２において、発振し易くなる。例えば、第２磁性層１２の体積と、第２磁性層１２の第２飽和磁束密度と、の積は、第３磁性層１３の体積と、第３磁性層１３の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい。例えば、第３磁性層１３の厚さは、第２磁性層１２の厚さよりも薄い。これにより、例えば、第２磁性層１２及び第３磁性層１３において、安定した発振が得られる。

磁気ヘッド１３０において、第２磁性層１２と第１磁性層１１との間の第２方向Ｄ２に沿う距離は、例えば、第１磁性層１１の第２方向Ｄ２に沿う長さの１／２以上である。磁気ヘッド１３１において、第３磁性層１３と第１磁性層１１との間の第２方向Ｄ２に沿う距離は、例えば、第１磁性層１１の第２方向Ｄ２に沿う長さの１／２以上である。

図７及び図８は、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図７に例示する磁気ヘッド１４０のように、磁気ヘッド１１０の構成において、積層体ＳＢの積層方向（第１方向Ｄ１）が媒体対向面３０Ｆを含む平面（例えば、Ｘ－Ｙ平面）に対して傾斜しても良い。図８に例示する磁気ヘッド１４１のように、磁気ヘッド１１１の構成において、積層体ＳＢの積層方向が媒体対向面３０Ｆを含む平面（例えば、Ｘ－Ｙ平面）に対して傾斜しても良い。磁気ヘッド１４１においては、第２磁性層１２の体積が、第３磁性層１３の体積よりも大きくし易い。

このような積層方向（第１方向Ｄ１）の傾斜は、第１～第３実施形態に係る任意の磁気記録ヘッドに適用されても良い。

実施形態において、磁極３０は、例えば、ＦｅＣｏ合金、または、ＦｅＣｏＮｉ合金などを含む。

シールド３１は、例えば、ＦｅＣｏ合金またはＦｅＣｏＮｉ合金などを含む。

第２磁性層１２及び第３磁性層１３の少なくともいずれかは、例えば、ＦｅＣｏ合金、ホイスラー合金、［Ｆｅ／Ｃｏ］人工格子、［ＦｅＣｏＮｉ／Ｎｉ］人工格子、及び、［Ｃｏ／Ｐｔ］人工格子の少なくともいずれかを含む。第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかは、ＦｅＣｏ合金膜、ホイスラー合金膜、［Ｆｅ／Ｃｏ］人工格子膜、［ＦｅＣｏＮｉ／Ｎｉ］人工格子膜、及び、［Ｃｏ／Ｐｔ］人工格子膜の少なくとも２つを含む積層膜を含んでも良い。

磁気記録媒体８０は、例えば、ＣｏＣｒＰｔ－ＳｉＯ_２グラニュラ膜を含む。

実施形態に係る磁気ヘッドは、磁気記録媒体８０に、瓦書き記録またはインタレース記録を行っても良い。記録密度をさらに向上できる。

以下、本実施形態に係る磁気記録装置の例について説明する。
図９は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図９は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

図１０は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１０に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに設けられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を含んでも良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。

ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。

アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１１（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。図１１（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図１１（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。

図１１（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。

サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。

磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。

本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。

例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。

本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を含む。

実施形態は、以下の構成（例えば、技術案）を含んでも良い。
（構成１）
シールドと、
磁極と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
を備え、
前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、磁気ヘッド。

（構成２）
前記第１非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第１電流が流れる、構成１記載の磁気ヘッド。

（構成３）
シールドと、
磁極と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第１非磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記シールドと前記第３磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
を備え、
前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、磁気ヘッド。

（構成４）
前記第１非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第１電流が流れる、構成３記載の磁気ヘッド。

（構成５）
前記第２非磁性層と前記第１磁性層との間に設けられた第５非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
をさらに備え、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層のそれぞれの、前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、構成１～４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成６）
シールドと、
磁極であって、前記磁極は、媒体対向面を含み、前記シールドから前記磁極への第１方向は前記媒体対向面に沿う、前記磁極と、
第１磁性層であって、前記第１磁性層の前記第１方向における位置は、前記シールドの前記第１方向における位置と、前記磁極の前記第１方向における位置と、の間にある、前記第１磁性層と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第２磁性層であって、前記媒体対向面と交差する第２方向における前記第２磁性層の位置は、前記媒体対向面を含む平面の前記第２方向における位置と、前記第１磁性層の前記第２方向における位置との間にある、前記第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
第５非磁性層であって、前記第５非磁性層と前記第１非磁性層との間に前記第１磁性層が設けられた前記第５非磁性層と、
前記第２非磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
を備えた磁気ヘッド。

（構成７）
シールドと、
磁極であって、前記磁極は、媒体対向面を含み、前記シールドから前記磁極への第１方向は前記媒体対向面に沿う、前記磁極と、
第１磁性層であって、前記第１磁性層の前記第１方向における位置は、前記シールドの前記第１方向における位置と、前記磁極の前記第１方向における位置と、の間にある、前記第１磁性層と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第２磁性層であって、前記媒体対向面と交差する第２方向における前記第２磁性層の位置は、前記媒体対向面を含む平面の前記第２方向における位置と、前記第１磁性層の前記第２方向における位置との間にある、前記第２磁性層と、
前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記シールドと前記第３磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
第５非磁性層であって、前記第５非磁性層と前記第１非磁性層との間に前記第１磁性層が設けられた前記第５非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
を備えた磁気ヘッド。

（構成８）
前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層のそれぞれの、前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、構成６または７に記載の磁気ヘッド。

（構成９）
前記第２磁性層の前記第１方向に沿った第２厚さと、前記第２磁性層の第２飽和磁束密度と、の積は、前記第３磁性層の前記第１方向に沿った第３厚さと、前記第３磁性層の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい、構成１～８のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１０）
前記第２磁性層の体積と、前記第２磁性層の第２飽和磁束密度と、の積は、前記第３磁性層の体積と、前記第３磁性層の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい、構成１～９のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成１１）
構成６～８のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
回路部と、
を備え、
前記回路部は、
前記第１磁性層から前記第１非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、
前記第２非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、
を含み、
前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。

（構成１２）
シールドと、
磁極と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第１非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、前記第２非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。

（構成１３）
前記第１磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第５非磁性層と、
前記第２非磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
をさらに備え、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層のそれぞれの、前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、構成１２記載の磁気記録装置。

（構成１４）
シールドと、
磁極と、
前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第１非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、前記第４非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、を含む回路部と、
を備え、
前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。

（構成１５）
前記第１磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第５非磁性層と、
前記第２非磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
をさらに備え、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層のそれぞれの、前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、構成１４記載の磁気記録装置。

（構成１６）
前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、構成１２～１５のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

（構成１７）
前記第２磁性層の前記第１方向に沿った第２厚さと、前記第２磁性層の第２飽和磁束密度と、の積は、前記第３磁性層の前記第１方向に沿った第３厚さと、前記第３磁性層の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい、構成１２～１６のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

（構成１８）
前記第２磁性層の体積と、前記第２磁性層の第２飽和磁束密度と、の積は、前記第３磁性層の体積と、前記第３磁性層の第３飽和磁束密度と、の積よりも大きい、構成１２～１７のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

（構成１９）
前記第１磁性層は、ＦｅＮｉ、及び、ＣｏＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１２～１８のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

（構成２０）
第３回路をさらに備え、
前記磁気ヘッドは、コイルをさらに含み、
前記第３回路は、前記コイルに記録電流を供給する、構成１２～１９のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

（構成２１）
前記第２磁性層の厚さは、前記第３磁性層の厚さよりも薄い、構成１～１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。

（構成２２）
前記第２磁性層の厚さは、前記第３磁性層の厚さよりも薄い、構成１２～２０のいずれか１つに記載の磁気記録装置。

実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、シールド、磁性層、導電層、絶縁層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記録装置及び磁気ヘッドを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記録装置及び磁気ヘッドも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０Ｄ…第１回路、 １０Ｕ…回路部、 １１～１３…第１～第３磁性層、 １１Ｍ～１３Ｍ…第１～第３磁性層磁化、 ２０Ｄ…第２回路、 ２１～２６…第１～第６非磁性層、 ２１ｅ…導電層、 ３０…磁極、 ３０Ｄ…第３回路、 ３０Ｆ…媒体対向面、 ３０Ｍ…磁極磁化、 ３０ｃ…コイル、 ３１…シールド、 ３１Ｍ…シールド磁化、 ８０…磁気記録媒体、 １１０、１１１、１２０、１２１、１３０、１３１、１４０、１４１…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ＡＲ…矢印、 Ｄ１、Ｄ２…第１、第２方向、 Ｉ１、Ｉ２…第１、第２電流、 Ｉｗ…記録電流、 Ｊｅ１、Ｊｅ２…第１、第２電子流、 ＳＢ…積層体、 Ｔ１～Ｔ３…第１～第３端子

Claims (12)

1. シールドと、
   磁極と、
   前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
   前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
   前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
   前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
   前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
   前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
   を備え、
   前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、磁気ヘッド。
2. 前記第１非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第１電流が流れる、請求項１記載の磁気ヘッド。
3. シールドと、
   磁極と、
   前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
   前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第２磁性層と、
   前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
   前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記第１磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
   前記第３磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
   前記シールドと前記第３磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
   を備え、
   前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、
   前記第１非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第１電流が流れる、磁気ヘッド。
4. 前記第２磁性層の厚さは、前記第３磁性層の厚さよりも薄い、請求項１～３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
5. 第５非磁性層及び第６非磁性層の少なくともいずれかをさらに備え、
   前記第５非磁性層は、前記第２非磁性層と前記第１磁性層との間に設けられ、
   前記第６非磁性層は、前記第２磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられ、
   前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
   前記第５非磁性層及び前記第６非磁性層のそれぞれの、前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、請求項１～４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
6. シールドと、
   磁極であって、前記磁極は、媒体対向面を含み、前記シールドから前記磁極への第１方向は前記媒体対向面に沿う、前記磁極と、
   第１磁性層であって、前記第１磁性層の前記第１方向における位置は、前記シールドの前記第１方向における位置と、前記磁極の前記第１方向における位置と、の間にある、前記第１磁性層と、
   前記シールドと前記磁極との間に設けられた第２磁性層であって、前記媒体対向面と交差する第２方向における前記第２磁性層の位置は、前記媒体対向面を含む平面の前記第２方向における位置と、前記第１磁性層の前記第２方向における位置との間にある、前記第２磁性層と、
   前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
   前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
   前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
   前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
   第５非磁性層であって、前記第５非磁性層と前記第１非磁性層との間に前記第１磁性層が設けられた前記第５非磁性層と、
   前記第２非磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
   を備えた磁気ヘッド。
7. シールドと、
   磁極であって、前記磁極は、媒体対向面を含み、前記シールドから前記磁極への第１方向は前記媒体対向面に沿う、前記磁極と、
   第１磁性層であって、前記第１磁性層の前記第１方向における位置は、前記シールドの前記第１方向における位置と、前記磁極の前記第１方向における位置と、の間にある、前記第１磁性層と、
   前記シールドと前記磁極との間に設けられた第２磁性層であって、前記媒体対向面と交差する第２方向における前記第２磁性層の位置は、前記媒体対向面を含む平面の前記第２方向における位置と、前記第１磁性層の前記第２方向における位置との間にある、前記第２磁性層と、
   前記シールドと前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
   前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第１非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第２非磁性層と、
   前記第３磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
   前記シールドと前記第３磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
   第５非磁性層であって、前記第５非磁性層と前記第１非磁性層との間に前記第１磁性層が設けられた前記第５非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記第２非磁性層との間に設けられた第６非磁性層と、
   を備えた磁気ヘッド。
8. 請求項６または７に記載の磁気ヘッドと、
   回路部と、
   を備え、
   前記回路部は、
   前記第１磁性層から前記第１非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、
   前記第２非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、
   を含み、
   前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。
9. シールドと、
   磁極と、
   前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
   前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
   前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第３磁性層と、
   前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
   前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
   前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
   前記第３磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
   前記第１非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、前記第２非磁性層から前記第４非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、を含む回路部と、
   を備え、
   前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。
10. シールドと、
    磁極と、
    前記シールドと前記磁極との間に設けられた第１磁性層と、
    前記第１磁性層と前記磁極との間に設けられた第２磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３磁性層と、
    前記シールドと前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
    前記第３磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
    前記第２磁性層と前記磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
    前記第１非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第１電流を供給可能な第１回路と、前記第４非磁性層から前記第２非磁性層への向きを有する第２電流を供給可能な第２回路と、を含む回路部と、
    を備え、
    前記回路部は、前記第１電流と前記第２電流とを互いに独立して制御可能である、磁気記録装置。
11. 前記第１非磁性層及び前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍo、Ｃｒ、Ｔｂ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＲｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２非磁性層及び前記第４非磁性層のそれぞれの、前記シールドから前記磁極への第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である、請求項９または１０に記載の磁気記録装置。
12. 第３回路をさらに備え、
    前記磁気ヘッドは、コイルをさらに含み、
    前記第３回路は、前記コイルに記録電流を供給する、請求項８に記載の磁気記録装置。

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