JP7446980B2 - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。
磁気記録装置において、磁性層を含む積層体を用いた磁気ヘッドが設けられる。磁気記録装置において、安定した動作が望まれる。
特開２００２－９２８２６号公報
本発明の実施形態は、安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１磁極と、第２磁極と、前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、第１磁性部材と、前記第１磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、を含む。前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含む。前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿う。前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にある。前記第１非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。前記第１層の前記第１方向に沿う第１層厚さは、前記第１非磁性領域の前記第１方向に沿う第１非磁性領域厚さよりも厚い。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図３は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。 図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの一部を例示する模式的断面図である。 図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図７は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの一部を例示する模式的断面図である。 図８は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。 図９は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。 図１０は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１１は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、第１実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１０と、電気回路２０Ｄと、を含む。例えば、磁気ヘッド１１０に記録部６０が設けられる。後述するように、磁気ヘッド１１０は、再生部を含んでも良い。
磁気記録装置２１０は、磁気記録媒体８０を含んでも良い。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。磁気記録媒体８０は、例えば、垂直記録媒体である。磁気記録媒体８０の例については、後述する。
図１に示すように、磁気ヘッド１１０は、第１磁極３１、第２磁極３２及び積層体２０を含む。積層体２０は、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。第１磁極３１は、例えば、主磁極である。第２磁極３２は、例えば、トレーリングシールドである。実施形態において、第２磁極３２が主磁極で、第１磁極３１がトレーリングシールドでも良い。以下では、第１磁極３１が主磁極で、第２磁極３２がトレーリングシールドとする。
第１磁極３１及び第２磁極３２は、例えば、磁気回路を形成する。例えば、第１磁極３１にコイル３０ｃが設けられる。例えば、第１コイル端子Ｃ１及び第２コイル端子Ｃ２を介して、例えば、記録回路３０Ｄは、コイル３０ｃと電気的に接続される。記録回路３０Ｄから、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗが供給される。例えば、第１磁極３１から、コイル３０ｃに流れる記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が発生する。発生した記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かう。記録磁界の少なくとも一部が、磁気記録媒体８０に印加される。磁気記録媒体８０のうちの、記録磁界が印加された部分の磁化の向きが、記録磁界により制御される。これにより、磁気記録媒体８０に、記録磁界の向きに応じた情報が記録される。例えば、記録磁界の少なくとも一部は、磁気記録媒体８０に向かった後に、第２磁極３２に向かう。
第１磁極３１から第２磁極３２への方向Ｄ１は、例えば、Ｘ軸方向に沿う。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
積層体２０に電流Ｉｄが供給されることが可能である。例えば、後述するように、第１磁極３１及び第２磁極３２を介して、積層体２０に電流Ｉｄが供給される。
１つの例において、電流Ｉｄにより、積層体２０に含まれる磁性層の磁化の向きが反転する。これにより、記録磁界が効率的に磁気記録媒体８０に印加される。別の例において、電流Ｉｄにより、積層体２０に含まれる磁性層の磁化が発振する。これにより、例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が実施される。
図１（ａ）に示すように、例えば、第２磁性部材２２から第１磁性部材２１への向きを有する電流Ｉｄが積層体２０に流れたときに、積層体２０に含まれる磁性層の磁化の向きが反転する。例えば、第２磁性部材２２から第１磁性部材２１への向きを有する電流Ｉｄが積層体２０に流れたときに、積層体２０から交流磁界が出射する。例えば、第１磁性部材２１から第２磁性部材２２への向きを有する電子流ｊｅが積層体２０に流れたときに、積層体２０に含まれる磁性層の磁化の向きが反転する。例えば、第１磁性部材２１から第２磁性部材２２への向きを有する電子流ｊｅが積層体２０に流れたときに、積層体２０から交流磁界が出射する。
図２に示すように、第１磁極３１は、磁極面３０Ｆを含む。磁極面３０Ｆは、例えば、媒体対向面である。磁極面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）である。磁極面３０Ｆは、例えば、磁気記録媒体８０に対向する。
例えば、磁極面３０Ｆに対して垂直な方向がＺ軸方向に対応する。Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。
図２に示すように、電気回路２０Ｄが、積層体２０に電気的に接続される。この例では、積層体２０は、第１磁極３１及び第２磁極３２と電気的に接続される。磁気ヘッド１１０に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられる。第１端子Ｔ１は、第１配線Ｗ１及び第１磁極３１を介して積層体２０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２配線Ｗ２及び第２磁極３２を介して積層体２０と電気的に接続される。電気回路２０Ｄから、電流Ｉｄ（例えば、直流電流）が積層体２０に供給される。
図２に示すように、記録部６０において、シールド３３が設けられても良い。シールド３３と第２磁極３２との間に第１磁極３１が設けられる。シールド３３、第１磁極３１及び第２磁極３２の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。
図１（ａ）に示すように、磁気ヘッド１１０において、積層体２０は、第１磁性部材２１、第２磁性部材２２、第１層４１を含む。第２磁性部材２２は、第１磁性部材２１と、第２磁極３２との間に設けられる。後述するように、積層体２０において第２層４２などの他の層が設けられても良い。
第１層４１は、第１磁性部材２１と第２磁性部材２２との間に設けられる。第１層４１は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１層４１に含まれる元素（Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む元素）を第１元素とする。第１層４１は、例えば、Ｃｒ層である。第１層４１は、非磁性層である。
第１磁性部材２１から第２磁性部材２２への方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。第１方向は、例えば、図２に例示した方向Ｄ１に沿う。第１方向（Ｘ軸方向）は、例えば積層方向に対応する。第１層４１は、実質的にＸ－Ｙ平面に沿う。
図１（ｂ）に示すように、第１磁性部材２１は、複数の第１磁性領域２１Ｍと、第１非磁性領域２１Ｎと、を含む。複数の第１磁性領域２１Ｍの１つから複数の第１磁性領域２１Ｍの別の１つへの方向は、第１磁極３１から第２磁極３２への第１方向に沿う。第１方向は、例えば、実質的にＸ軸方向でよい。
第１非磁性領域２１Ｎは、複数の第１磁性領域２１Ｍの１つと、複数の第１磁性領域２１Ｍの別の１つと、の間にある。この例では、複数の第１非磁性領域２１Ｎが設けられる。複数の第１磁性領域２１Ｍの１つは、複数の第１非磁性領域２１Ｎの１つと、複数の第１非磁性領域２１Ｎの別の１つと、の間にある。
複数の第１非磁性領域２１Ｎは、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第１非磁性領域２１Ｎに含まれる元素（Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む元素）を第２元素とする。複数の第１非磁性領域２１Ｎは、例えば、Ｃｒ層である。複数の第１磁性領域２１Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第１磁性領域２１Ｍに含まれる元素（Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む元素）を第３元素とする。複数の第１磁性領域２１Ｍは、例えば、ＦｅＣｏ合金、ＦｅＮｉ合金、または、ＦｅＣｏＮｉ合金などを含んで良い。
図１（ａ）に示すように、この例では、積層体２０は、第２層４２を含む。第２層４２は、第２磁性部材２２と第２磁極３２との間に設けられる。第２層４２は、Ｃｕ含む。第２層４２は、例えばＣｕ層である。第２層４２は、非磁性層である。第２層４２が設けられることで、例えば、第２磁極３２の側から注入された偏極電子により、第２磁性層２２の磁化は、第２磁極３２の磁化のＸ軸成分とは反対の向きに反転する。
図１（ａ）に示すように、積層体２０は、第２磁極側磁性層２５ｂを含む。第２磁極側磁性層２５ｂは、第２層４２と第２磁極３２との間に設けられる。第２磁極側磁性層２５ｂは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁極側磁性層２５ｂは、第２磁極３２と同様の材料を含んでも良い。この場合、第２磁極側磁性層２５ｂは、第２磁極３２の一部と見なされても良い。第２層４２及び第２磁極側磁性層２５ｂは必要に応じて設けられ、省略されても良い。第２磁極側磁性層２５ｂの厚さ（例えば、Ｘ軸方向に沿う長さ）は、薄いことが好ましい。第２磁極側磁性層２５ｂの厚さは、例えば、０．１５ｎｍ以上３ｎｍ以下である。
図１（ａ）に示すように、積層体２０は、第３層４３をさらに含んでも良い。第３層４３は、第１磁極３１と第１磁性部材２１との間に設けられる。第３層４３は、例えば、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３層４３は、例えば、下地層として機能する。第３層４３が設けられることで、例えば、第１磁極３１と第１磁性部材２１との間の磁気結合が実質的に遮断され易くなる。第３層４３は必要に応じて設けられ、省略されても良い。
実施形態においては、第１磁性部材２１において、第３元素（Ｆｅなど）を含む複数の第１磁性領域２１Ｍの間に、第２元素（Ｃｒなど）を含む第１非磁性領域２１Ｎが設けられる。例えば、複数の第１磁性領域２１Ｍと、複数の第１非磁性領域２１Ｎと、が交互に設けられても良い。このような構成により、第１磁性部材２１は、安定した大きな負のスピン分極を有することができる。
例えば、第３元素（Ｆｅなど）、及び、第２元素（Ｃｒなど）を含む合金においては、互いに非固溶の平衡状態を示す。この合金においては、第３元素を含む領域（例えば粒子）と、第２元素を含む領域（例えば粒子）と、に分離して混じり合う傾向がある。第３元素（Ｆｅなど）を含む領域（例えば粒子）が小さい場合は、負のスピン分極が生じ易い。例えば、ＦｅとＣｒとの界面における負のスピン分極が加算される。これにより、負のスピン分極が生じ易い。
一方、熱などが加わると、スピン分極は、正になりやすい。これは、熱が加わることで、第３元素（Ｆｅなど）を含む領域（例えば粒子）が大きくなり、さらに、第３元素を含む複数の領域の間の距離が長くなることが原因であると考えられる。例えば、Ｆｅ粒子が大きくなることで、正のスピン分極が大きくなる。ＦｅとＣｒとの界面の量（単位体積あたりの面積）が減少し、ＦｅとＣｒとの界面における負のスピン分極が減少する。
このように、第３元素（例えばＦｅなど）と、第２元素（例えばＣｒ）と、を含む合金においては、熱処理などにおいてスピン分極の極性が変化し、スピン分極は正になりやすい。
これに対して、実施形態においては、例えば、第３元素（例えばＦｅなど）を含む２つの第１磁性領域２１Ｍの間に、第２元素（例えばＣｒなど）を含む第１非磁性領域２１Ｎと、が交互に並ぶ。例えば、第１磁性領域２１Ｍが層状であり、第１非磁性領域２１Ｎも層状である。これにより、熱処理が行われても、これらの領域は安定である。これらの領域が混じり合うことが抑制できる。第１磁性領域２１Ｍの厚さが十分に薄いことで、負のスピン分極が維持される。第１磁性領域２１Ｍと第１非磁性領域２１Ｎとの間の界面は安定であり、高い密度で存在できる。第１非磁性領域２１Ｎの厚さが十分に薄いことで、隣り合う複数の第１磁性領域２１Ｍの磁化は一体となる。これにより、例えば、第１磁性部材２１は、安定して負のスピン分極を有することができる。同様に、第２磁性部材２２も、負のスピン分極を安定して有することができる。
実施形態においては、このような第１磁性部材２１及び第２磁性部材２２と、第１層４１と、が組み合わされる。積層体２０に電流Ｉｄが供給されると、例えば、第１磁性部材２１は、例えば、スピン注入層として機能する。第２磁性部材２２の磁化が、変化（例えば発振）する。積層体２０に含まれる磁性部材の磁化が変化（発振）することで、交流磁界が生じる。交流磁界は、例えば、高周波磁界である。交流磁界が磁気記録媒体８０に印加され、ＭＡＭＲが実施される。
第３層４３が設けられない場合、または、第３層４３がスピン拡散し易い材料（例えばＣｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｐｔなどと、を含む材料）を含む場合、第１磁性部材２１の磁化は実質的に固定され、第２磁性部材２２の磁化が変化する。第３層４３が設けられ、スピン拡散し難い材料（例えば、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つなど）を含む場合、第１磁性部材２１の磁化及び第２磁性部材２２の磁化が変化する。例えば、記録磁界が効率的に磁気記録媒体８０に印加される。
第１磁性部材２１は、例えば、負のスピン注入層である。この場合、第２磁極３２の側からの正のスピン注入と、第１磁性部材２１からの負のスピン注入と、が重畳される。例えば、第１磁性部材２１が正のスピン分極を有する場合は、第２磁極３２の側からの正のスピン注入と、第１磁性部材２１からの正のスピン注入と、が互いに打ち消し合うように作用する。実施形態においては、上記のような第１磁性部材２１を用いることで、第２磁性部材２２の磁化が、効果的に変化（例えば発振）反転する。
実施形態においては、熱処理などが行われた後も、第１磁性部材２１及び第２磁性部材２２における磁気的特性が安定であり、高い耐熱性が得られる。実施形態によれば、安定した動作が可能な磁気ヘッドが提供できる。
実施形態において、例えば、第１磁性部材２１の厚さを厚さｔ２１（図１（ａ）参照）とする。第２磁性部材２２の厚さを厚さｔ２２（図１（ａ）参照）とする。これらの厚さは、積層方向（第１方向であり、例えばＸ軸方向）に沿う長さである。実施形態において、厚さｔ２１は、厚さ２２よりも薄いことが好ましい。図１（ａ）においては、図を見やすくするために、厚さｔ２１が厚さｔ２２よりも厚く描かれている。第１磁性部材２１の厚さｔ２１は、例えば、１．５ｎｍ以上４ｎｍ以下である。第２磁性部材２２の厚さｔ２２は、例えば、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
図１（ａ）に示すように、第１層４１の第１方向に沿う厚さを第１層厚さｔ４１とする。図１（ｂ）に示すように、第１非磁性領域２１Ｎの第１方向に沿う厚さを第１非磁性領域厚さｔＮ１とする。第１方向は、第１磁性部材２１から第２磁性部材２２への方向である。第１方向は、積層方向である。実施形態においては、第１層厚さｔ４１は、第１非磁性領域厚さｔＮ１よりも厚い。第１非磁性領域厚さｔＮ１が薄いことで、上記のように、負のスピン分極が安定して得られる。例えば、第１層厚さｔ４１は、第１非磁性領域厚さｔＮ１の１倍を超え、１６．７倍以下である。例えば、第１層厚さｔ４１は、第１非磁性領域厚さｔＮ１の１．２倍以上１０倍以下である。
実施形態において、第１非磁性領域厚さｔＮ１は、例えば、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。負のスピン分極が安定して得られる。第１非磁性領域厚さｔＮ１が０．１５ｎｍ以上であることで、例えば、均一な膜が得やすくなる。第１非磁性領域厚さｔＮ１が０．８ｎｍ以下であることで、例えば、界面の密度を高めることができ、高い負のＭＲ比が得易くなる。
複数の第１磁性領域２１Ｍの１つの第１方向に沿う厚さを第１磁性領域厚さｔＭ１とする。第１磁性領域厚さｔＭ１は、例えば、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。負のスピン分極が安定して得られる。第１磁性領域厚さｔＭ１が０．１５ｎｍ以上であることで、例えば、均一な膜が得やすくなる。第１磁性領域厚さｔＭ１が０．８ｎｍ以下であることで、例えば、界面の密度を高めることができ、高い負のＭＲ比が得易くなる。
実施形態において、第１層厚さｔ４１は、例えば、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であることが好ましい。第１層厚さｔ４１は、例えば、０．８ｎｍ以上１．２ｎｍ以下であることがより好ましい。
以下、第１層厚さｔ４１と特性との関係の例について説明する。
図３は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図３に示す例では、第２磁性部材２２は、ＮｉＦｅを含む。ＮｉＦｅは正のスピン分極を有する。積層体２０には、Ｘ軸方向（図１（ａ）参照）に沿う磁界が印加される。図３の横軸は、第１層厚さｔ４１である。縦軸は、ＭＲ比ＲＭＲである。第１層厚さｔ４１が４ｎｍから１．１ｎｍに減少するにつれて、負のＭＲ比ＲＭＲの絶対値が増大する。ＭＲ比ＲＭＲの絶対値の増大は、スピントルク効率が良くなることを意味する。スピントルク効率が良くなることで、例えば、第２磁性部材２２の磁化の向きを小さな電流で変化し易くなる。
一方、磁気ヘッドの作製において、第１層厚さｔ４１が４ｎｍの場合は、研磨加工に際して第１層４１が削れ難く、磁極面３０Ｆ（例えば媒体対向面）に凹凸が発生し易い。この場合、長時間の使用により、ヘッドが壊れ易い。第１層厚さｔ４１が０．７ｎｍの場合、ＭＲ比は実質的に０である。これは、第１層厚さｔ４１が０．７ｎｍの場合、第１磁性部材２１と第２磁性部材２２とが互いに強く磁気結合して、第２磁性部材２２の磁化が実質的に変化しないことが原因であると考えられる。
このことから、第１層厚さｔ４１は、例えば、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下であることが好ましい。
第１層厚さｔ４１は、例えば、０．８ｎｍ以上１．２ｎｍ以下であることがより好ましい。例えば、ＲＫＫＹ磁気ヘッド結合と、界面凹凸に起因する平行磁気結合と、が打ち消すように作用し易くなる。これにより、第１層４１と第１磁性部材２１との間の磁気結合を抑制できる。
Ｃｒなどを含む第１層４１の第１層厚さｔ４１が２．５ｎｍ以下であることで、例えば、研磨が容易になり、形状を高精度で制御し易くなる。
既に説明したように、第１磁性部材２１は、複数の第１非磁性領域２１Ｎを含んでも良い。複数の第１磁性領域２１Ｍの１つは、複数の第１非磁性領域２１Ｎの１つと、複数の第１非磁性領域２１Ｎの別の１つと、の間にある。実施形態において、複数の第１磁性領域２１Ｍの数（すなわち、積層数）は、２以上２０以下である。複数の第１磁性領域２１Ｍの数が２以上であることで、例えば、複数の界面によるＭＲ比ＲＭＲの絶対値の増大効果が明確になる。複数の第１磁性領域２１Ｍの数が２０以上において、ＭＲ比ＲＭＲの絶対値の増大効果は小さくなる。複数の第１磁性領域２１Ｍの数が２０以上において、２つの磁極の間の距離が過度に長くなり、記録密度の向上が困難になる。
実施形態において、複数の第１非磁性領域２１Ｎの１つは、第１層４１と接して良い。別の例において、複数の第１磁性領域２１Ｍの１つは、第１層４１と接して良い。
以下、第２磁性部材２２の例について説明する。
１つの例において、第２磁性部材２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性部材２２は、例えば、ＦｅＣｏ合金、ＦｅＮｉ合金、または、ＦｅＣｏＮｉ合金などを含んで良い。
図４は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１においては、第２磁性部材２２は、複数の層の積層構造を有する。例えば、第２磁性部材２２は、負のスピン分極を有する。
図５は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの一部を例示する模式的断面図である。
図５は、磁気ヘッド１１１における第２磁性部材２２の例を示している。図５に示すように、この例では、第２磁性部材２２は、複数の第２磁性領域２２Ｍと、第２非磁性領域２２Ｎと、を含む。複数の第２磁性領域２２Ｍの１つから複数の第２磁性領域２２Ｍの別の１つへの方向は、上記の第１方向（積層方向）に沿う。第２非磁性領域２２Ｎは、複数の第２磁性領域２２Ｍの上記の１つと、複数の第２磁性領域２２Ｍの上記の別の１つと、の間にある。第２非磁性領域２２Ｎは、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第２磁性領域２２Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性部材２２は、複数の第２非磁性領域２２Ｎを含んでも良い。複数の第２磁性領域２２Ｍの１つは、複数の第２非磁性領域２２Ｎの１つと、複数の第２非磁性領域２２Ｎの別の１つと、の間にある。
例えば、第２非磁性領域２２Ｎの第１方向に沿う第２非磁性領域厚さｔＮ２は、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。複数の第２磁性領域２２Ｍの１つの第１方向に沿う第１磁性領域厚さｔＭ２は、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。
図６は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１２においては、積層体２０は、第１磁性部材２１、第２磁性部材２２、第１層４１、第２層４２、第３層４３及び第２磁極側磁性層２５ｂに加えて、第３磁性部材２３及び第４層４４を含む。
第３磁性部材２３は、第１磁極３１と１磁性部材２１との間に設けられる。第４層４４は、第３磁性部材２３と第１磁性部材２１との間に設けられる。例えば、第３磁性部材２３は、負のスピン分極を有する。
図７は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの一部を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、第３磁性部材２３は、複数の第３磁性領域２３Ｍと、第３非磁性領域２３Ｎと、を含む。複数の第３磁性領域２３Ｍの１つから複数の第３磁性領域２３Ｍの別の１つへの方向は、第１方向（例えば積層方向）に沿う。第３非磁性領域２３Ｎは、複数の第３磁性領域２３Ｍの上記の１つと、複数の第３磁性領域２３Ｍの上記の別の１つと、の間にある。第３非磁性領域２３Ｎは、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第３磁性領域２３Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性部材２３は、複数の第３非磁性領域２３Ｎを含んでも良い。複数の第３磁性領域２３Ｍの１つは、複数の第３非磁性領域２３Ｎの１つと、複数の第３非磁性領域２３Ｎの別の１つと、の間にある。
例えば、第３非磁性領域２３Ｎの第１方向に沿う第３非磁性領域厚さｔＮ３は、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。複数の第３磁性領域２３Ｍの１つの第１方向に沿う第１磁性領域厚さｔＭ３は、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であることが好ましい。
実施形態において、例えば、第３磁性部材２３の厚さを厚さｔ２３（図７参照）とする。厚さｔ２３は、厚さｔ２１以上であることが好ましい。厚さｔ２３は、厚さｔ２２よりも薄いことが好ましい。厚さｔ２２は、例えば、１．５ｎｍ以上４ｎｍ以下である。
第４層４４は、例えば、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
以下、実施形態に係る磁気ヘッド及び磁気記録装置に関するいくつかの例について説明する。
図８は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
図８に示すように、第１磁極３１から第２磁極３２への方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に対して傾斜しても良い。方向Ｄ１は、積層体２０の積層方向（第１方向）に対応する。Ｘ軸方向は、第１磁極３１の磁極面３０Ｆに沿う。方向Ｄ１と磁極面３０Ｆとの間の角度を角度θ１とする。角度θ１は、例えば、１５度以上３０度以下である。角度θ１は、０度でも良い。
図９は、実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的斜視図である。
図９に示すように、磁気ヘッド１１０は、例えば、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３が記録部６０により制御される。
再生部７０は、例えば、第１再生シールド７２ａ、第２再生シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、磁気記録層８１の磁化８３に応じた信号を出力可能である。
図９に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が再生される。
図１０は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１０は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体８０の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体８０に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図１１は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１１に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を含んでも良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）が設けられる。
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１２（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図１２（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図１２（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
図１２（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）が設けられる。
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば磁気ヘッド１１０）と、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えば発振素子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１磁極と、
第２磁極と、
前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
を備え、
前記積層体は、
第１磁性部材と、
前記第１磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
を含み、
前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記第１非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１層の前記第１方向に沿う第１層厚さは、前記第１非磁性領域の前記第１方向に沿う第１非磁性領域厚さよりも厚い、磁気ヘッド。
（構成２）
前記第１層厚さは、前記第１非磁性領域厚さの１倍を越え１６．７倍以下である、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
前記第１層厚さは、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である、構成２記載の磁気ヘッド。
（構成４）
前記第１層厚さは、０．８ｎｍ以上１．２ｎｍ以下である、構成２記載の磁気ヘッド。
（構成５）
第１非磁性領域厚さは、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である、構成２～４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記複数の第１磁性領域の前記１つの前記第１方向に沿う第１磁性領域厚さは、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である、構成１～５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記第１磁性部材は、複数の前記第１非磁性領域を含み、
前記複数の第１磁性領域の１つは、前記複数の第１非磁性領域の１つと、前記複数の第１非磁性領域の別の１つと、の間にある、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成８）
前記複数の第１磁性領域の数は、２以上２０以下である、構成７記載の磁気ヘッド。
（構成９）
前記複数の第１非磁性領域の１つは、前記第１層と接した、構成７または８に記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記複数の第１磁性領域の１つは、前記第１層と接した、構成１～９のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１１）
前記積層体は、前記第２磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２層を含み、
前記第２層は、Ｃｕ含む、構成１～１０のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１２）
前記積層体は、前記第２層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁極側磁性層を含み、
前記第２磁極側磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１１記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第３層を含み、
前記第３層は、Ｔａ、Ｒｕ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。構成１～１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）
前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第３磁性部材をさらに含み、
前記第３磁性部材は、複数の第３磁性領域と、第３非磁性領域と、を含み、
前記複数の第３磁性領域の１つから前記複数の第３磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記第３非磁性領域は、前記複数の第３磁性領域の前記１つと、前記複数の第３磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記第３非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記複数の第３磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１５）
前記第２磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１６）
前記第２磁性部材は、複数の第２磁性領域と、第２非磁性領域と、を含み、
前記複数の第２磁性領域の１つから前記複数の第２磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２非磁性領域は、前記複数の第２磁性領域の前記１つと、前記複数の第２磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
前記第２非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記複数の第２磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１７）
前記第２磁性部材は、複数の前記第２非磁性領域を含み、
前記複数の第２磁性領域の１つは、前記複数の第２非磁性領域の１つと、前記複数の第２非磁性領域の別の１つと、の間にある、構成１６記載の磁気ヘッド。
（構成１８）
前記第２磁性部材から前記第１磁性部材への向きを有する電流が前記積層体に流れたときに、前記積層体から交流磁界が出射する、構成１～１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１９）
構成１～１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
電気回路と、
を備え、
前記電気回路は、前記磁気ヘッドに電流を供給可能であり、
前記電流は、前記第２磁性部材から前記第１磁性部材への向きを有する、磁気記録装置。
（構成２０）
前記積層体に前記電流が流れたときに、前記積層体から交流磁界が出射する、構成１９記載の磁気記録装置。
実施形態によれば、安定した動作が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる、磁極、磁性部材、磁性領域、非磁性領域、積層体、磁性層及び非磁性層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
２０…積層体、 ２０Ｄ…電気回路、 ２１～２３…第１～第３磁性部材、 ２１Ｍ、２２Ｍ、２３Ｍ…第１、第２、第３磁性領域、 ２１Ｎ、２２Ｎ、２３Ｎ…第１、第２、第３非磁性領域、 ２５ｂ…第２磁極側磁性層、 ３０Ｄ…記録回路、 ３０Ｆ…磁極面、 ３０ｃ…コイル、 ３０ｉ…絶縁部、 ３１…第１磁極、 ３２…第２磁極、 ３３…シールド、 ４１～４４…第１～第４層、 ６０…記録部、 ７０…再生部、 ７１…磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ…第１、第２再生シールド、 ８０…磁気記録媒体、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 θ１…角度、 １１０…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ２１０…磁気記録装置、 ＡＲ…矢印、 Ｃ１、Ｃ２…第１、第２コイル端子、 Ｄ１…方向、 Ｉｄ…電流、 Ｉｗ…記録電流、 ＲＭＲ…ＭＲ比、 Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、 Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、 ｊｅ…電子流、 ｔ４１…第１層厚さ、 ｔＭ１、ｔＭ２、ｔＭ３…第１、第２、第３磁性領域厚さ、 ｔＮ１、ｔＮ２、ｔＮ３…第１、第２、第３非磁性領域厚さ

Claims (9)

  1. 第１磁極と、
    第２磁極と、
    前記第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた積層体と、
    を備え、
    前記積層体は、
    第１磁性部材と、
    前記第１磁性部材と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性部材と、
    前記第１磁性部材と前記第２磁性部材との間に設けられ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む第１層と、
    を含み、
    前記第１磁性部材は、複数の第１磁性領域と、第１非磁性領域と、を含み、
    前記複数の第１磁性領域の１つから前記複数の第１磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１磁極から前記第２磁極への第１方向に沿い、
    前記第１非磁性領域は、前記複数の第１磁性領域の前記１つと、前記複数の第１磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
    前記第１非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記複数の第１磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第１層の前記第１方向に沿う第１層厚さは、前記第１非磁性領域の前記第１方向に沿う第１非磁性領域厚さよりも厚い、磁気ヘッド。
  2. 前記第１層厚さは、０．８ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である、請求項１記載の磁気ヘッド。
  3. 第１非磁性領域厚さは、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
  4. 前記複数の第１磁性領域の前記１つの前記第１方向に沿う第１磁性領域厚さは、０．１５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  5. 前記第１磁性部材は、複数の前記第１非磁性領域を含み、
    前記複数の第１磁性領域の１つは、前記複数の第１非磁性領域の１つと、前記複数の第１非磁性領域の別の１つと、の間にある、請求項１～４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  6. 前記積層体は、前記第１磁極と前記第１磁性部材との間に設けられた第３磁性部材をさらに含み、
    前記第３磁性部材は、複数の第３磁性領域と、第３非磁性領域と、を含み、
    前記複数の第３磁性領域の１つから前記複数の第３磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
    前記第３非磁性領域は、前記複数の第３磁性領域の前記１つと、前記複数の第３磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
    前記第３非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記複数の第３磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１～５のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  7. 前記第２磁性部材は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１～６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  8. 前記第２磁性部材は、複数の第２磁性領域と、第２非磁性領域と、を含み、
    前記複数の第２磁性領域の１つから前記複数の第２磁性領域の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
    前記第２非磁性領域は、前記複数の第２磁性領域の前記１つと、前記複数の第２磁性領域の前記別の１つと、の間にあり、
    前記第２非磁性領域は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記複数の第２磁性領域は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１～７のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
  9. 請求項１～８のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
    電気回路と、
    を備え、
    前記電気回路は、前記磁気ヘッドに電流を供給可能であり、
    前記電流は、前記第２磁性部材から前記第１磁性部材への向きを有する、磁気記録装置。
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