CN113393868B - 磁记录装置 - Google Patents

Abstract

提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。

Description

磁记录装置

本申请以日本专利申请2020-041882(申请日2020年3月11日)以及日本专利申请2020-095413(申请日2020年6月1日)为基础，根据该申请享受优先利益。本申请通过参照该申请，包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁记录装置。

背景技术

使用磁头向HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等的磁记录介质记录信息。在磁记录装置中希望提高记录密度。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高记录密度的磁记录装置。

用于解决问题的技术方案

根据本发明的实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括：磁极；第1屏蔽件；以及层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间。所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；第1非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；以及第3非磁性层，其设置在所述磁极与所述第2磁性层之间。所述第2非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。所述第3非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。在所述层叠体中流动的电流为第1电流时的所述层叠体的电阻为第1电阻。在所述层叠体中流动的所述电流为比所述第1电流大的第2电流时，所述层叠体的所述电阻为比所述第1电阻高的第2电阻。在所述层叠体中流动的所述电流为所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时，所述层叠体的所述电阻振荡。在使用所述磁头来对所述磁记录介质记录信息的记录动作中，所述电气电路能够向所述层叠体供给所述第2电流。

根据上述结构的磁记录装置，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。

附图说明

图1是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。

图3的(a)和图3的(b)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

图4的(a)～图4的(c)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

图5的(a)和图5的(b)是例示磁记录装置的特性的示意图。

图6是例示磁记录装置的特性的示意图。

图7的(a)～图7的(c)是例示实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意性剖视图。

图8是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图9是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图10是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。

图11是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。

图12是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

图13是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。

图14的(a)和图14的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

图15是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图16是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

图17是例示磁记录装置的特性的示意图。

图18的(a)～图18的(c)是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意性剖视图。

图19是例示第4实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

标号说明

20层叠体；20D电气电路；21、22第1磁性层、第2磁性层；21M、22M磁化；30磁极；30D记录电路；30F介质相向面；30M磁化；30c线圈；30i绝缘部；31第1屏蔽件；31M磁化；32第2屏蔽件；41～43第1非磁性层～第3非磁性层；60记录部；70再现部；71磁再现元件；72a、72b第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件；80磁记录介质；81磁记录层；82介质基板；83磁化；85介质移动方向；θ1角度；110、119、120磁头；150磁记录装置；154悬架；155臂；156音圈马达；157轴承部；158头万向架组件；159头滑块；159A空气流入侧；159B空气流出侧；160头堆叠组件(head stack assembly)；161支承框架；162线圈；180记录用介质盘；180M主轴马达；181记录介质；190信号处理部；210磁记录装置；AR箭头；D1第1方向；Gn0增益；Gn1、Gn2第1增益、第2增益；Int强度；Iw记录电流；P1参数；R1～R3第1电阻～第3电阻；Rx1、Rx2电阻；T1、T2第1端子、第2端子；W1、W2第1布线、第2布线；f1、f2第1频率、第2频率；ff频率；fp1频率；fw频率；i1～i3第1电流～第3电流；ir1～ir3第1电流范围～第3电流范围；jc1电流；je1电子流；p1峰；t21、t22、t41～t43厚度；tm时间；tm1、tm2第1时刻、第2时刻

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或者概念性的附图，各部分的厚度和宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定限于与现实的情况相同。即使是在表示相同的部分的情况下，有时也根据附图以彼此的尺寸、比率不同的方式来表示。

在本申请说明书和各图中，对与关于前面的附图已经描述过的要素同样的要素标记同一标号，适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的示意性剖视图。

如图2所示，实施方式涉及的磁记录装置210包括磁头110、磁记录介质80以及电气电路20D。在磁记录装置210中进行记录动作。在记录动作中，使用磁头110来向磁记录介质80记录信息。

磁头110包括记录部60。如后所述，磁头110也可以包括再现部。记录部60包括磁极30、第1屏蔽件31以及层叠体20，层叠体20设置在磁极30与第1屏蔽件31之间。

例如，磁极30和第1屏蔽件31形成磁回路。磁极30例如为主磁极。第1屏蔽件31例如为尾随第1屏蔽件。

将从磁记录介质80朝向磁头110的方向作为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向作为X轴方向。将相对于Z轴方向和X轴方向垂直的方向作为Y轴方向。Z轴方向例如对应于高度方向。X轴方向例如对应于下行磁道方向。Y轴方向例如对应于交叉磁道方向。沿着下行磁道方向，磁记录介质80和磁头110相对地进行移动。在磁记录介质80的所希望的位置施加从磁头110产生的磁场(记录磁场)。磁记录介质80的所希望的位置的磁化被控制为与记录磁场相应的方向。由此，在磁记录介质80记录信息。

将从磁极30朝向第1屏蔽件31的方向作为第1方向D1。第1方向D1实质上对应于X轴方向。第1方向D1也可以相对于X轴方向以小的角度倾斜。

如图2所示，设置有线圈30c。在该例子中，线圈30c的一部分处于磁极30与第1屏蔽件31之间。在该例子中，设置有第2屏蔽件32。在X轴方向上，在第2屏蔽件32与第1屏蔽件31之间具有磁极30。线圈30c的其他一部分处于第2屏蔽件32与磁极30之间。在这些多个元件之间设置有绝缘部30i。

如图2所示，从记录电路30D向线圈30c供给记录电流Iw。从磁极30向磁记录介质80施加与记录电流Iw相应的记录磁场。

如图2所示，磁极30包括介质相向面30F。介质相向面30F例如为ABS(Air BearingSurface，空气支承面)。介质相向面30F例如与磁记录介质80相对向。介质相向面30F例如沿着X－Y平面。

如图2所示，电气电路20D电连接于层叠体20。在该例子中，层叠体20与磁极30以及第1屏蔽件31电连接。在磁头110设置有第1端子T1以及第2端子T2。第1端子T1经由第1布线W1以及磁极30与层叠体20电连接。第2端子T2经由第2布线W2以及第1屏蔽件31与层叠体20电连接。从电气电路20D例如向层叠体20供给电流(例如直流电流)。

如图1所示，层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1非磁性层41、第2非磁性层42以及第3非磁性层43。第2磁性层22处于磁极30与第1磁性层21之间。第1非磁性层41设置在第2磁性层22与第1磁性层21之间。第2非磁性层42设置在第1磁性层21与第1屏蔽件31之间。第3非磁性层43设置在磁极30与第2磁性层22之间。

例如，第2非磁性层42包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第2非磁性层42例如作为使极化后的自旋进行传播的层发挥功能。

第3非磁性层43包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。第3非磁性层43例如作为使极化后的自旋进行衰减的层发挥功能。

例如，第1非磁性层41包含第1材料或者第2材料。第1材料包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第2材料包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd中的至少一种。例如，根据层叠体20所包括的多个层的条件，第1非磁性层41也可以包括上述的第1材料或者第2材料。

如图1所示，例如从电气电路20D(参照图2)供给至层叠体20的电流jc1具有从第1屏蔽件31朝向磁极30的方向。电流jc1具有从第1磁性层21朝向第2磁性层22的方向。电子流je1具有从磁极30朝向第1屏蔽件31的方向。

例如，在未向层叠体20供给电流jc1时，第1磁性层21的磁化的方向与磁极30的磁化的方向以及第1屏蔽件31的磁化的方向实质上相同。从磁极30发出的磁场(记录磁场)的一部分朝向磁记录介质80。另一方面，从磁极30发出的磁场(记录磁场)的其他一部分不朝向磁记录介质80，而是通过层叠体20进入第1屏蔽件31。因此，从磁极30发出的记录磁场中的朝向磁记录介质80的比例少。

当向层叠体20供给电流jc1时，第1磁性层21的磁化的方向相对于磁极30的磁化的方向以及第1屏蔽件31的磁化的方向反转。由此，从磁极30发出的磁场(记录磁场)会难以朝向层叠体20。因此，从磁极30发出的记录磁场中的朝向磁记录介质80的比例比未向层叠体20供给电流jc1的情况下的该比例高。从磁极30发出的记录磁场被有效地施加于磁记录介质80。

当磁极30与第1屏蔽件31之间的距离(记录间隙)变短时，该现象变得更显著。通过使用这样的层叠体20，即使是在记录间隙变小了的情况下，也能够实施良好的记录。根据实施方式，能够减小能进行良好的记录的记录间隙。根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。

另一方面，具有MAMR(Microwave Assisted Magnetic Recording，微波辅助磁记录)，在该MAMR中，将从包括多个磁性层的层叠体产生的高频磁场施加于磁记录介质80，在局部上对磁记录介质80的磁特性进行控制来进行记录。在MAMR中，通过磁性层的磁化的振荡来产生高频磁场。

与此相对，在实施方式中，第1磁性层21的磁化相对于磁极30的磁化以及第1屏蔽件31的磁化而反转。通过与MAMR不同的动作，从磁极30发出的磁场被有效地施加于磁记录介质80。

以下，对实施方式涉及的磁头110的特性的例子进行说明。

图3的(a)和图3的(b)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

这些图以示意的方式示出实施方式涉及的在层叠体20中流动的电流jc1的大小与层叠体20的电阻之间的关系。这些图的横轴为电流jc1的大小。图3的(a)的纵轴为层叠体20的电阻Rx1。

如图3的(a)所示，当电流jc1变大时，电阻Rx1变大。如图3的(a)所示，能够将电流jc1的大小分为第1电流范围ir1、第2电流范围ir2以及第3电流范围ir3。第3电流范围ir3处于第1电流范围ir1与第2电流范围ir2之间。

在第1电流范围ir1和第2电流范围ir2中，电阻Rx1相对于电流jc1的大小，按照二次函数进行变化。认为这是由于层叠体20的温度随着电流jc1变大而上升。

第3电流范围ir3中的电阻Rx1的变化与温度的上升的影响不同。认为第3电流范围ir3中的电阻Rx1的变化是由于基于磁性层的磁化的反转率的磁阻效应。

在图3的(b)中，除去图3的(a)中的二次函数的变化(温度的影响)，示出了电流jc1的大小与电阻Rx2的关系。如图3的(b)所示，在除去了二次函数的影响的情况下，在第1电流范围ir1中，电阻Rx2实质上为一定。或者，在第1电流范围ir1中，与第3电流范围ir3相比，电阻Rx2缓慢地变化。在第3电流范围ir3中，电阻Rx2变化。在第2电流范围ir2中，电阻Rx2实质为一定。或者，在第2电流范围ir2中，与第3电流范围ir3相比，电阻Rx2缓慢地变化。

例如如图3的(b)所示，在层叠体20中流动的电流jc1为第1电流i1时的层叠体20的电阻Rx2为第1电阻R1。第1电流i1处于第1电流范围ir1。

如图3的(b)所示，在层叠体20中流动的电流jc1为第2电流i2时，层叠体20的电阻Rx2为第2电阻R2。第2电流i2比第1电流i1大。第2电流i2处于第2电流范围ir2。第2电阻R2比第1电阻R1高。

在为第1电流i1与第2电流i2之间的第3电流i3时，层叠体20的电阻Rx2为第3电阻R3。第3电流i3处于第3电流范围ir3。

例如，在电流jc1为第1电流i1或者第2电流i2时，电阻Rx2实质上不振荡。例如，在电流jc1为第3电流i3时，电阻Rx2会振荡。第1电流i1、第2电流i2以及第3电流i3具有从第1磁性层21朝向第2磁性层22的方向。

图4的(a)～图4的(c)是例示第1实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

这些图例示了对电阻Rx2的信号的一部分进行FFT(Fast Fourier Transform，快速傅里叶变换)处理而得到的信号。电阻Rx2的信号包含在时间上变化的成分(高频成分)和在时间上实质不变化的成分(时间上的平均值的成分)。在FFT处理中，电阻Rx2的在时间上变化的成分被进行处理。这些图的横轴为频率ff。纵轴为信号的强度Int。图4的(a)对应于电流jc1为第1电流i1时。图4的(b)对应于电流jc1为第3电流i3时。图4的(c)对应于电流jc1为第2电流i2时。

如图4的(b)所示，在电流jc1为第3电流i3时，在一个频率fp1下观测到峰p1。该峰对应于在层叠体20中产生高频的振荡这一情况。例如，反映磁化的振荡状态，有时由磁阻效应产生的FFT信号也会在多个频率产生。例如，反映磁化的振荡状态，由磁阻效应产生的FFT信号有时分布于大范围的频率。

如图4的(a)和图4的(c)所示，在电流jc1为第1电流i1或者第2电流i2时，未明确地观测到峰p1。在这些电流下，实质上不产生对MAMR有效的磁化振荡。

这样，在层叠体20中流动的电流jc1为第1电流i1与第2电流i2之间的第3电流i3时，层叠体20的电阻Rx2会振荡。

在实施方式中，使用具有这样的特性的层叠体20来进行记录动作。

在实施方式中，在使用磁头110来向磁记录介质80记录信息的记录动作中，电气电路20D能够向层叠体20供给上述的第2电流i2。通过在供给如上述那样的第2电流i2的同时，进行从记录电路30D向线圈供给记录电流Iw的记录动作，与不供给第2电流i2而进行记录动作的情况相比，能够增加从磁极30朝向磁记录介质80的记录磁场的量。能够减小能进行良好的记录的记录间隙。根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。

图5的(a)和图5的(b)是例示磁记录装置的特性的示意图。

图5的(b)例示了参考例的磁头119中的特性的模拟结果。在磁头119中，未设置第2磁性层22和第3非磁性层43，而设置有第1磁性层21。在磁头119中，第1非磁性层41与磁极30相接。在磁头119中，第1磁性层21的磁性厚度(厚度与饱和磁化之积)为4nmT。通过在磁头119中也向层叠体供给大的电流(第2电流i2)，第1磁性层21的磁化反转。图5的(b)例示了对在向层叠体供给这样的第2电流i2的同时使记录电流Iw进行了反转时的第1磁性层21的磁化方向的变化进行模拟而得到的结果。

图5的(a)例示了实施方式涉及的磁头110中的特性的模拟结果。图5的(a)例示了对将在向层叠体20供给上述的第2电流i2的同时使记录电流Iw进行了反转时的第1磁性层21和第2磁性层22合计后的磁化的响应进行模拟而得到的结果。

图5的(a)和图5的(b)的横轴为时间tm。在第1时刻tm1和第2时刻tm2，记录电流Iw的极性反转。图5的(a)和图5的(b)的纵轴为与磁化的反转量对应的参数P1。参数P1对应于第1磁性层21中的Mst(饱和磁化与厚度之积)和外部磁场的方向的内积(inner product)。在参数P1为正时，第1磁性层21的磁化的方向与磁极30的磁化的方向相同。在参数P1为负时，第1磁性层21的磁化的方向与磁极30的磁化的方向相反。在参数P1为负时，从磁极30发出的记录磁场难以通过第1磁性层21，而被施加于磁记录介质80的记录磁场增加。参数P1为负的状态对应于优选的状态。在参数P1为负时，将不向层叠体20供给电流时作为了基准的增益会上升。

如图5的(b)所示，在磁头119中，在紧接着记录磁场的极性反转的时刻(第1时刻tm1或者第2时刻tm2)之后，参数P1为正，当经过时间时成为负。在磁头119中，例如能得到如下效果：在从记录磁场的极性反转的时刻起大约0.2ns以上之后，记录磁场会上升。在磁头119中，在记录磁场的频率低、极性反转后的时间tm长的情况下，能得到增益的上升。在磁头119中，在记录磁场的频率高的情况下，应用正的参数P1，因此，难以获得所希望的增益。

如图5的(a)所示，在实施方式涉及的磁头110中，在紧接着记录磁场的极性反转的时刻(第1时刻tm1或者第2时刻tm2)之后，参数P1为负，当经过时间时成为正。在磁头110中，在记录磁场的频率高、且极性反转后的时间tm短的情况下，能得到增益的上升。

在实施方式中，当记录磁场的频率变高时，所得到的增益变高。

图6是例示磁记录装置的特性的示意图。

在图6中关于实施方式涉及的磁头110和参考例的磁头119例示了记录磁场的频率与增益的关系。图6的横轴为记录磁场的频率fw。频率fw对应于记录电流Iw的频率。图6的纵轴为将不向层叠体20供给电流时作为了基准的增益Gn0。

如图6所示，在磁头110中，当频率fw变高时，增益Gn0上升。在磁头119中，当频率fw变高时，增益Gn0降低。

如图6所示，将频率fw为第1频率f1时的增益Gn0作为第1增益Gn1。将频率fw为第2频率f2时的增益Gn0作为第2增益Gn2。第1增益Gn1对应于第1强度相对于第2强度之比。第1强度对应于在与所记录的信息对应的记录电流Iw为第1频率f1时的记录动作中、电气电路20D不向层叠体20供给第2电流i2时的记录于磁记录介质80的信号的再现强度。第2强度对应于在记录电流Iw为第1频率f1时的记录动作中、电气电路20D向层叠体20供给了第2电流i2时的记录于磁记录介质80的信号的再现强度。

第2增益Gn2对应于第3强度相对于第4强度之比。第3强度对应于在与所记录的信息对应的记录电流Iw为比第1频率f1高的第2频率f2时的记录动作中、电气电路20D不向层叠体20供给第2电流i2时的记录于磁记录介质80的信号的再现强度。第4强度对应于在记录电流Iw为第2频率f2时的记录动作中、电气电路20D向层叠体20供给了第2电流i2时的记录于磁记录介质80的信号的再现强度。

在实施方式中，第2增益Gn2(即第4强度相对于第3强度的第2比)比第1增益Gn1(即第2强度相对于第1强度的第1比)高。

在实施方式中，能够在高频率且高速的记录动作时得到高的记录能力。能够更有效地提高记录密度。

图7的(a)～图7的(c)是例示实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意性剖视图。

如图7的(a)所示，在一个例子中，磁极30的磁化30M的方向和第1屏蔽件31的磁化31M的方向是一个方向(在该例子中为右方向)。第1磁性层21的磁化21M的方向和第2磁性层22的磁化22M的方向为该方向(右方向)。

如图7的(b)所示，例如根据所记录的信息的变化，磁极30的磁化30M的方向和第1屏蔽件31的磁化31M的方向反转为其他方向(在该例子中为左方向)。在磁化30M和磁化31M反转时的中途阶段，第1磁性层21的磁化21M的方向和第2磁性层22的磁化22M的方向旋转成为相互相反。

并且，如图7的(c)所示，在磁化30M和磁化31M反转时的稳定状态下，第1磁性层21的磁化21M的方向成为右方向，第2磁性层22的磁化22M的方向成为左方向。

图8是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

图8例示了磁头110。

如图8所示，第1磁性层21具有厚度t21。第2磁性层22具有厚度t22。第1非磁性层41具有厚度t41。第2非磁性层42具有厚度t42。第3非磁性层43具有厚度t43。这些厚度是沿着第1方向D1的长度。如已经说明的那样，第1方向D1也可以相对于X轴方向倾斜。

在实施方式中，第1磁性层21的厚度t21例如为2nm以上且8nm以下。通过厚度t21为2nm以上时，例如能够有效地增大朝向磁记录介质80的磁场。通过厚度t21为8nm以下，例如容易得到高效的磁化反转。

第2磁性层22的厚度t22例如为2nm以上且4nm以下。当厚度t22为2nm以上时，在高速动作时容易得到更高的增益。通过厚度t22为4nm以下，容易得到稳定的动作。

通过适当地设定第2非磁性层42的厚度t42，例如能够有效地对极化后的自旋进行传播。在实施方式中，厚度t42例如为2nm以上且5nm以下。厚度t42也可以根据第2非磁性层42的材料等来进行设定。

通过适当地设定第3非磁性层43的厚度t43，例如能够有效地对极化后的自旋进行衰减。在实施方式中，厚度t41例如为2nm以上且6nm以下。厚度t41也可以根据第3非磁性层43的材料等来进行设定。

在第1非磁性层41包含第1材料(选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种)的情况下，第1非磁性层41的厚度t41例如为1nm以上且5nm以下。通过适当地设定第1非磁性层41的第1材料以及厚度t41，例如能够增大高速动作时的增益。

在第1非磁性层41包含第2材料(选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd中的至少一种)的情况下，第1非磁性层41的厚度t41例如为1nm以上且5nm以下。通过适当地设定第1非磁性层41的第2材料以及厚度t41，例如能够增大高速动作时的增益。

第1磁性层21和第2磁性层22例如包含具有正极化的磁性材料。第1磁性层21和第2磁性层22包含Fe、Co以及Ni中的至少任一种。

(第2实施方式)

图9是例示第2实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

如图9所示，在第2实施方式中，磁记录装置210包括磁头120、磁记录介质80以及电气电路20D(参照图2)。

磁头120包括磁极30、第1屏蔽件31以及层叠体20。层叠体20设置在磁极30与第1屏蔽件31之间。层叠体20包括第1磁性层21、第2磁性层22、第1非磁性层41、第2非磁性层42以及第3非磁性层43。

第2磁性层22设置在第1磁性层21与第1屏蔽件31之间。第1非磁性层41设置在第1磁性层21与第2磁性层22之间。第2非磁性层42设置在磁极30与第1磁性层21之间。第3非磁性层43设置在第2磁性层22与第1屏蔽件31之间。

第2非磁性层42包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第3非磁性层43包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。

如图9所示，在第2实施方式中，从电气电路20D(图2参照)供给至层叠体20的电流jc1具有从磁极30朝向第1屏蔽件31的方向。电流jc1具有从第1磁性层21朝向第2磁性层22的方向。电子流je1具有从第1屏蔽件31朝向磁极30的方向。

与第1实施方式同样地，在层叠体20中流动的电流jc1为第1电流i1时的层叠体20的电阻Rx2为第1电阻R1(参照图3的(b))。在层叠体20中流动的电流jc1为比第1电流i1大的第2电流i2时，层叠体20的电阻Rx2为比第1电阻R1高的第2电阻R2。在层叠体20中流动的电流jc1为第1电流i1与第2电流i2之间的第3电流i3时，层叠体20的电阻Rx2会振荡(参照图4的(b))。

在使用磁头120来向磁记录介质80记录信息的记录动作中，电气电路20D能够向层叠体20供给第2电流i2。

在包括磁头120的磁记录装置210中，也能够提供能提高记录密度的磁记录装置。

在磁头120中可以应用关于磁头110说明过的结构、材料以及厚度。例如，第1非磁性层41可以包含第1材料或者第2材料。第1材料包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第2材料包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、以及Pd中的至少一种。第1非磁性层的厚度例如为1nm以上且5nm以下。第2非磁性层42的厚度例如为1nm以上且5nm以下。第3非磁性层43的厚度例如为2nm以上且6nm以下。第1磁性层21和第2磁性层22例如包含Fe和Co中的至少任一种。例如，第1磁性层21和第2磁性层22包含具有正极化的材料。第1磁性层21的厚度例如为2nm以上且8nm以下。第2磁性层22的厚度为2nm以上且4nm以下。

以下，对实施方式涉及的磁记录装置210所包括的磁头以及磁记录介质80的例子进行说明。

图10是例示实施方式涉及的磁头的示意性剖视图。

如图10所示，在实施方式涉及的磁头(例如磁头110)中，从第1屏蔽件31朝向磁极30的第1方向D1也可以相对于X轴方向倾斜。第1方向D1对应于层叠体20的层叠方向。X轴方向沿着磁极30的介质相向面30F。将第1方向D1与介质相向面30F之间的角度设为角度θ1。角度θ1例如为15度以上且30度以下。角度θ1也可以为0度。

在第1方向D1相对于X轴方向倾斜的情况下，层的厚度对应于沿着第1方向D1的长度。第1方向D1相对于X轴方向倾斜的结构可以被应用于第1实施方式或者第2实施方式涉及的任意的磁头。

图11是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。

如图11所示，实施方式涉及的磁头110与磁记录介质80被一起使用。在该例子中，磁头110包括记录部60和再现部70。通过磁头110的记录部60，向磁记录介质80记录信息。通过再现部70，将记录于磁记录介质80的信息再现。

磁记录介质80例如包括介质基板82和设置在介质基板82上的磁记录层81。磁记录层81的磁化83由记录部60进行控制。

再现部70例如包括第1再现磁屏蔽件72a、第2再现磁屏蔽件72b以及磁再现元件71。磁再现元件71设置在第1再现磁屏蔽件72a与第2再现磁屏蔽件72b之间。磁再现元件71能够输出与磁记录层81的磁化83相应的信号。

如图11所示，磁记录介质80在介质移动方向85的方向上相对于磁头110相对地进行移动。通过磁头110，在任意的位置控制与磁记录层81的磁化83对应的信息。通过磁头110，在任意的位置再现与磁记录层81的磁化83对应的信息。

图12是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

图12例示了头滑块。

磁头110设置于头滑块159。头滑块159例如包含Al₂O₃/TiC等。头滑块159一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质进行相对的运动。

头滑块159例如具有空气流入侧159A和空气流出侧159B。磁头110配置在头滑块159的空气流出侧159B的侧面等。由此，磁头110一边在磁记录介质上悬浮或者与磁记录介质接触，一边相对于磁记录介质进行相对的运动。

图13是例示实施方式涉及的磁记录装置的示意性立体图。

图14的(a)和图14的(b)是例示实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性立体图。

如图13所示，在实施方式涉及的磁记录装置150中使用旋转(rotary)致动器。记录用介质盘180安装于主轴马达180M。记录用介质盘180利用主轴马达180M在箭头AR的方向上进行旋转。主轴马达180M对来自驱动装置控制部的控制信号进行响应。本实施方式涉及的磁记录装置150也可以具备多个记录用介质盘180。磁记录装置150也可以包括记录介质181。记录介质181例如是SSD(Solid State Drive，固态驱动器)。记录介质181例如可使用闪速存储器等的非易失性存储器。例如，磁记录装置150也可以混合式HDD(Hard DiskDrive)。

头滑块159进行记录于记录用介质盘180的信息的记录和再现。头滑块159设置在薄膜状的悬架154的前端。在头滑块159的前端附近设置有实施方式涉及的磁头。

当记录用介质盘180旋转时，由悬架154产生的按压压力和在头滑块159的介质相向面(ABS)产生的压力平衡。头滑块159的介质相向面与记录用介质盘180的表面之间的距离成为预定的悬浮量。在实施方式中，头滑块159也可以与记录用介质盘180接触。例如，也可以应用接触走行型。

悬架154与臂155(例如致动器臂)的一端连接。臂155例如具有线轴(bobbin)部等。线轴部保持驱动线圈。在臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156是线性马达的一种。音圈马达156例如包括驱动线圈和磁回路。驱动线圈卷绕于臂155的线轴部。磁回路包括永磁体和相向磁轭。在永磁体和相向磁轭之间设置有驱动线圈。悬架154具有一端和另一端。磁头设置在悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。

臂155由滚珠轴承保持。滚珠轴承设置在轴承部157的上下的2个部位。臂155能够利用音圈马达156进行旋转和滑动。磁头能够移动到记录用介质盘180的任意位置。

图14的(a)例示了磁记录装置的一部分的结构，是头堆叠组件160的放大立体图。

图14的(b)是例示成为头堆叠组件160的一部分的磁头组件(头万向架组件：HGA)158的立体图。

如图14的(a)所示，头堆叠组件160包括轴承部157、头万向架组件158以及支承框架161。头万向架组件158从轴承部157延伸。支承框架161从轴承部157延伸。支承框架161延伸的方向与头万向架组件158延伸的方向相反。支承框架161对音圈马达156的线圈162进行支承。

如图14的(b)所示，头万向架组件158具有从轴承部157延伸的臂155和从臂155延伸的悬架154。

在悬架154的前端设置有头滑块159。在头滑块159设置有实施方式涉及的磁头。

实施方式涉及的磁头组件(头万向架组件)158包括实施方式涉及的磁头、设置有磁头的头滑块159、悬架154以及臂155。头滑块159设置于悬架154的一端。臂155与悬架154的另一端连接。

悬架154例如具有信号的记录和再现用的导线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于调整悬浮量的加热器用的导线(未图示)。悬架154例如也可以具有用于自旋转移矩振荡器用等的导线(未图示)。这些导线与设置于磁头的多个电极电连接。

在磁记录装置150中设置有信号处理部190。信号处理部190使用磁头进行对于磁记录介质的信号的记录和再现。信号处理部190中，信号处理部190的输入输出线例如连接于头万向架组件158的电极焊盘，与磁头电连接。

实施方式涉及的磁记录装置150包括磁记录介质、实施方式涉及的磁头、可动部、位置控制部以及信号处理部。可动部能够在使磁记录介质与磁头分离或者接触的状态下相对地进行移动。位置控制部使磁头对准磁记录介质的预定记录位置。信号处理部进行使用了磁头的对于磁记录介质的信号的记录和再现。

例如，作为上述的磁记录介质，可使用记录用介质盘180。上述的可动部例如包括头滑块159。上述的位置控制部例如包括头万向架组件158。

实施方式也可以包括以下的技术方案。

(技术方案1)

一种磁记录装置，具备：

磁头；

磁记录介质；以及

电气电路，

所述磁头包括：

磁极；

第1屏蔽件；以及

层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，

所述层叠体包括：

第1磁性层；

第2磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；

第1非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；以及

第3非磁性层，其设置在所述磁极与所述第2磁性层之间，

所述第2非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第3非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种，

在所述层叠体中流动的电流为第1电流时的所述层叠体的电阻为第1电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为比所述第1电流大的第2电流时，所述层叠体的所述电阻为比所述第1电阻高的第2电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时，所述层叠体的所述电阻振荡，

在使用所述磁头来对所述磁记录介质记录信息的记录动作中，所述电气电路能够向所述层叠体供给所述第2电流。

(技术方案2)

根据技术方案1所述的磁记录装置，所述第2电流具有从所述第1磁性层朝向所述第2磁性层的方向。

(技术方案3)

一种磁记录装置，具备：

磁头；

磁记录介质；以及

电气电路，

所述磁头包括：

磁极；

第1屏蔽件；以及

层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，

所述层叠体包括：

第1磁性层；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；

第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；以及

第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1屏蔽件之间，

所述第2非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第3非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种，

在所述层叠体中流动的电流为第1电流的所述层叠体的电阻为第1电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为比所述第1电流大的第2电流时，所述层叠体的所述电阻为比所述第1电阻高的第2电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时，所述层叠体的所述电阻振荡，

在使用所述磁头来对所述磁记录介质记录信息的记录动作中，所述电气电路能够向所述层叠体供给所述第2电流。

(技术方案4)

根据技术方案3所述的磁记录装置，所述第2电流具有从所述第1磁性层朝向所述第2磁性层的方向。

(技术方案5)

根据技术方案1～4中任一项所述的磁记录装置，

所述第1非磁性层包含第1材料或者第2材料，

所述第1材料包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第2材料包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd中的至少一种。

(技术方案6)

根据技术方案5所述的磁记录装置，

所述第1非磁性层包含所述第1材料，

所述第1非磁性层的厚度为1nm以上且5nm以下。

(技术方案7)

根据技术方案5所述的磁记录装置，

所述第1非磁性层包含所述第2材料，

所述第1非磁性层的厚度为1nm以上且5nm以下。

(技术方案8)

根据技术方案1～7中任一项所述的磁记录装置，所述第2非磁性层的厚度为1nm以上且5nm以下。

(技术方案9)

根据技术方案1～8中任一项所述的磁记录装置，所述第3非磁性层的厚度为2nm以上且6nm以下。

(技术方案10)

根据技术方案1～9中任一项所述的磁记录装置，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含Fe和Co中的至少任一种。

(技术方案11)

根据技术方案1～10中任一项所述的磁记录装置，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有正极化的材料。

(技术方案12)

根据技术方案1～11中任一项所述的磁记录装置，所述第1磁性层的厚度为2nm以上且8nm以下。

(技术方案13)

根据技术方案1～12中任一项所述的磁记录装置，所述第2磁性层的厚度为2nm以上且4nm以下。

(技术方案14)

根据技术方案1～13中任一项所述的磁记录装置，

在与所述信息对应的记录电流为第1频率时的所述记录动作中，所述电气电路不向所述层叠体供给所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第1强度，

在所述记录电流为所述第1频率时的所述记录动作中，所述电气电路向所述层叠体供给了所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第2强度，

在与所述信息对应的记录电流为比所述第1频率高的第2频率时的所述记录动作中，所述电气电路不向所述层叠体供给所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第3强度，

在所述记录电流为所述第2频率时的所述记录动作中，所述电气电路向所述层叠体供给了所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第4强度，

所述第4强度相对于所述第3强度的第2比高于所述第2强度相对于所述第1强度的第1比。

(技术方案15)

根据技术方案14所述的磁记录装置，所述磁头包括被供给所述记录电流的线圈。

(第3实施方式)

图15是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

如图15所示，在第3实施方式涉及的磁记录装置210的磁头111中，层叠体20在第1磁性层21、第2磁性层22、第1非磁性层41、第2非磁性层42以及第3非磁性层43之外还包括第3磁性层23和第4非磁性层44。磁头111中的除此以外的结构与磁头110的结构是同样的。以下，对磁头111的例子进行说明。

如图15所示，第3磁性层23设置在第1非磁性层41与第1磁性层21之间。第4非磁性层44设置在第3磁性层23与第1磁性层21之间。第3磁性层23包含第1元素和第2元素，所述第1元素包含Fe、Co以及Ni中的至少一种，所述第2元素包含选自Cr、V、Mn、Ti以及Sc中的至少一种。第3磁性层23例如具有正极化。

第1磁性层21和第2磁性层22例如包含Fe、Co以及Ni中的至少任一种。例如，包含具有正极化的磁性材料。例如，第1磁性层21和第2磁性层22不包含第2元素。或者，第1磁性层21和第2磁性层22所包含的第2元素的浓度比第3磁性层23所包含的第2元素的浓度低。

在磁头111中，例如第1非磁性层41包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第1非磁性层41例如作为使极化后的自旋进行传播的层来发挥功能。

在磁头111中，例如第2非磁性层42包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第2非磁性层42例如作为使极化后的自旋进行传播的层来发挥功能。

在磁头111中，例如第3非磁性层43包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。第3非磁性层43例如作为使极化后的自旋进行衰减的层来发挥功能。

在磁头111中，例如第4非磁性层44包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。第4非磁性层44例如作为使极化后的自旋进行衰减的层来发挥功能。

在这样的结构的磁头111中，能得到更高的增益。

图16是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意图。

图16例示了第3实施方式涉及的磁头111中的特性的模拟结果。例示了对将在向层叠体20供给第2电流i2的同时使记录电流Iw进行了反转时的第1磁性层21、第2磁性层22以及第3磁性层23合计后的磁化的响应进行模拟而得到的结果。在图16中，横轴为时间tm。在第1时刻tm1和第2时刻tm2，记录电流Iw的极性反转。在图16中，纵轴为与磁化的反转量对应的参数P1。在参数P1为负时，将不向层叠体20供给电流时作为了基准的增益会上升。

如图16所示，在磁头111中，在紧接着记录磁场的极性反转的时刻(第1时刻tm1或者第2时刻tm2)之后，参数P1为负，当经过时间时成为正。在磁头111中，在记录磁场的频率高、极性反转后的时间tm短的情况下，能得到增益的上升。

如图16所示，在磁头111中，能得到参数P1的绝对值的最大值的时间tm为0.45ns。另一方面，在图5的(a)所例示的磁头110中，能得到参数P1的绝对值的最大值的时间tm为0.4ns。磁极30中的磁化在从记录磁场的极性反转的时刻(第1时刻tm1或者第2时刻tm2)起稍稍之后的时刻反转。磁头111中的第1磁性层21的磁化的反转时刻与磁极30中的磁化的反转时刻更加一致。由此，能得到更高的增益。

图17是例示磁记录装置的特性的示意图。

图17在磁头110和磁头119之外还关于磁头111例示了记录磁场的频率与增益的关系。图17的横轴为记录磁场的频率fw。频率fw对应于记录电流Iw的频率。图17的纵轴是将不向层叠体20供给电流时作为了基准的增益Gn0。

如图17所示，在磁头111中，与磁头110相比，即使是低的频率fw，也能得到高的增益Gn0。在第3实施方式中，能够在高频率且高速的记录动作时得到高的记录能力。能够更有效地提高记录密度。

图18的(a)～图18的(c)是例示第3实施方式涉及的磁记录装置的特性的示意性剖视图。

这些图例示了磁头111中的磁化方向的变化的例子。如这些图所示，例如，第3磁性层23的磁化23M与第2磁性层22的磁化22M联动。

(第4实施方式)

图19是例示第4实施方式涉及的磁记录装置的一部分的示意性剖视图。

如图19所示，在第4实施方式涉及的磁记录装置210的磁头121中，层叠体20在第1磁性层21、第2磁性层22、第1非磁性层41、第2非磁性层42以及第3非磁性层43之外还包括第3磁性层23和第4非磁性层44。磁头121中的除此以外的结构与磁头120的结构是同样的。以下，对磁头121的例子进行说明。

在磁头121中，第3磁性层23设置在第1非磁性层41与第1磁性层21之间。第4非磁性层44设置在第3磁性层23与第1磁性层21之间。第3磁性层23包含第1元素和第2元素，所述第1元素包含Fe、Co以及Ni中的至少一种，所述第2元素包含选自Cr、V、Mn、Ti以及Sc中的至少一种。

第1非磁性层41包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第2非磁性层42包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种。第3非磁性层43包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。第4非磁性层44包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。

在具有这样的结构的磁头121中，也能得到更高的增益。

在磁头111和磁头121中，第3磁性层23的厚度例如为1nm以上且5nm以下。第4非磁性层44的厚度例如为1nm以上且5nm以下。这些厚度为沿着第1方向D1的长度。如已经说明过的那样，第1方向D1也可以相对于X轴方向倾斜。

根据实施方式，能够提供能提高记录密度的磁记录装置。

在本申请说明书中，“垂直”以及“平行”并不仅是严格的垂直以及严格平行，还可以包含例如制造工程中的偏差等，只要实质上垂直以及实质上平行即可。

以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于磁记录装置所包括的磁头、磁极、第1屏蔽件、层叠体、磁性层、非磁性层以及布线等的各要素的具体结构，只要本领域技术人员能够通过从公知的范围中适当地进行选择来同样地实施本发明、并获得同样的效果，就包含在本发明的范围中。

对于在技术上可行的范围内组合各具体例的任意2个以上的要素而得到方案，只要包含本发明的宗旨，就也包含在本发明的范围内。

另外，对于本领域技术人员能够基于作为本发明的实施方式所描述过的磁记录装置来适当地进行设计变更来实施的全部磁记录装置，只要包含本发明的宗旨，就也属于本发明的范围。

另外，应该了解到：本领域技术人员能够在本发明的思想的范畴中想到各种变更例以及修正例，那些变更例以及修正例也属于本发明的范围。

对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (10)

1.一种磁记录装置，具备：

磁头；

磁记录介质；以及

电气电路，

所述磁头包括：

磁极；

第1屏蔽件；以及

层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，

所述层叠体包括：

第1磁性层；

第2磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；

第1非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；以及

第3非磁性层，其设置在所述磁极与所述第2磁性层之间，

所述第2非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第3非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种，

在所述层叠体中流动的电流为第1电流时的所述层叠体的电阻为第1电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为比所述第1电流大的第2电流时，所述层叠体的所述电阻为比所述第1电阻高的第2电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时，所述层叠体的所述电阻振荡，

在使用所述磁头来对所述磁记录介质记录信息的记录动作中，所述电气电路能够向所述层叠体供给所述第2电流，

所述第2电流具有从所述第1磁性层朝向所述第2磁性层的方向。

2.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第1非磁性层包含第1材料或者第2材料，

所述第1材料包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第2材料包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh以及Pd中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述层叠体还包括：

第3磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第1磁性层之间；和

第4非磁性层，其设置在所述第3磁性层与所述第1磁性层之间，

所述第3磁性层包含第1元素和第2元素，所述第1元素包含Fe、Co以及Ni中的至少一种，所述第2元素包含选自Cr、V、Mn、Ti以及Sc中的至少一种，

所述第1非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第4非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第2非磁性层的厚度为1nm以上且5nm以下。

5.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第3非磁性层的厚度为2nm以上且6nm以下。

6.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第1磁性层和所述第2磁性层包含Fe和Co中的至少任一种。

7.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第1磁性层的厚度为2nm以上且8nm以下。

8.根据权利要求1所述的磁记录装置，

所述第2磁性层的厚度为2nm以上且4nm以下。

9.根据权利要求1所述的磁记录装置，

在与所述信息对应的记录电流为第1频率时的所述记录动作中，所述电气电路不向所述层叠体供给所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第1强度，

在所述记录电流为所述第1频率时的所述记录动作中，所述电气电路向所述层叠体供给了所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第2强度，

在与所述信息对应的记录电流为比所述第1频率高的第2频率时的所述记录动作中，所述电气电路不向所述层叠体供给所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第3强度，

在所述记录电流为所述第2频率时的所述记录动作中，所述电气电路向所述层叠体供给了所述第2电流时的记录于所述磁记录介质的信号的强度为第4强度，

所述第4强度相对于所述第3强度的第2比高于所述第2强度相对于所述第1强度的第1比。

10.一种磁记录装置，具备：

磁头；

磁记录介质；以及

电气电路，

所述磁头包括：

磁极；

第1屏蔽件；以及

层叠体，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间，

所述层叠体包括：

第1磁性层；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；

第1非磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；

第2非磁性层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间；以及

第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1屏蔽件之间，

所述第2非磁性层包含选自Cu、Ag、Au、Al以及Cr中的至少一种，

所述第3非磁性层包含选自Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr以及Pd中的至少一种，

在所述层叠体中流动的电流为第1电流时的所述层叠体的电阻为第1电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为比所述第1电流大的第2电流时，所述层叠体的所述电阻为比所述第1电阻高的第2电阻，

在所述层叠体中流动的所述电流为所述第1电流与所述第2电流之间的第3电流时，所述层叠体的所述电阻振荡，

在使用所述磁头来对所述磁记录介质记录信息的记录动作中，所述电气电路能够向所述层叠体供给所述第2电流，

所述第2电流具有从所述第1磁性层朝向所述第2磁性层的方向。

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