JP2023023433A - 磁気記録装置 - Google Patents

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Masayuki Takagishi
鶴美 永澤
Tsurumi Nagasawa
知幸 前田
Tomoyuki Maeda
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Abstract

【課題】記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記録装置は、磁気ヘッド及び制御部を含む。磁気ヘッドは、第１磁極と、磁性層を含む磁気素子と、コイルと、を含む。制御部は、磁気素子及びコイルと電気的に接続される。制御部は、コイルに記録電流を供給し磁気素子に素子電流を供給可能である。記録電流は、第１極性の第１期間と、第１極性とは異なる第２極性の第２期間と、第１期間から第２期間へ移行する第３期間と、第２期間から第１期間へ移行する第４期間と、を含む。素子電流は、直流成分と、交流成分と、を含む。第１期間における交流成分は、第２期間における交流成分、第３期間における交流成分、及び、第４期間における交流成分と同じである。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気記録装置に関する。
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気記録装置において、記録密度の向上が望まれる。
特開２００８－２７７５８６号公報
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供する。
実施形態によれば、磁気記録装置は、磁気ヘッド及び制御部を含む。前記磁気ヘッドは、第１磁極と、第１磁性層を含む磁気素子と、コイルと、を含む。前記制御部は、前記磁気素子及び前記コイルと電気的に接続される。前記制御部は、前記コイルに記録電流を供給し前記磁気素子に素子電流を供給可能である。前記記録電流は、第１極性の第１期間と、前記第１極性とは異なる第２極性の第２期間と、前記第１期間から前記第２期間へ移行する第３期間と、前記第２期間から前記第１期間へ移行する第４期間と、を含む。前記素子電流は、直流成分と、交流成分と、を含む。前記第１期間における前記交流成分は、前記第２期間における前記交流成分、前記第３期間における前記交流成分、及び、前記第４期間における前記交流成分と同じである。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気記録装置の特性を例示する模式図である。 図４は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。 図５は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、磁気記録装置の動作を例示する模式図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。 図８は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図９は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図１０は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。 図１２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１３は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１４は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。 図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部を拡大して示している。
図１に示すように、実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１０及び制御部７５を含む。磁気記録装置２１０は、磁気記録媒体８０を含んでも良い。磁気記録装置２１０において、少なくとも記録動作が行われる。記録動作において、磁気ヘッド１１０を用いて磁気記録媒体８０に情報が記録される。
磁気ヘッド１１０は、記録部６０を含む。後述するように、磁気ヘッド１１０は、再生部を含んでも良い。記録部６０は、第１磁極３１、磁気素子２０及びコイル３０ｃを含む。この例では、磁気ヘッド１１０は、第２磁極３２を含む。磁気素子２０は、第１磁極３１と第２磁極３２との間に設けられる。
例えば、第１磁極３１及び第２磁極３２は、磁気回路を形成する。第１磁極３１は、例えば、主磁極である。第２磁極３２は、例えば、トレーリングシールドである。第１磁極３１がトレーリングシールドで、第２磁極３２が主磁極でも良い。
磁気記録媒体８０から磁気ヘッド１１０への方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｚ軸方向は、例えばハイト方向に対応する。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向に対応する。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向に対応する。ダウントラック方向に沿って、磁気記録媒体８０と磁気ヘッド１１０とが相対的に移動する。磁気記録媒体８０の所望の位置に、磁気ヘッド１１０から生じる磁界（記録磁界）が印加される。磁気記録媒体８０の所望の位置の磁化が、記録磁界に応じた方向に制御される。これにより、磁気記録媒体８０に情報が記録される。
第１磁極３１から第２磁極３２への方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１は、実質的にＸ軸方向に沿う。実施形態において、第１方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に対して傾斜しても良い。傾斜の角度は、例えば、０度を超え１０度以下である。
この例では、コイル３０ｃの一部は、第１磁極３１と第２磁極３２との間にある。この例では、シールド３３が設けられている。Ｘ軸方向において、シールド３３と第２磁極３２との間に第１磁極３１がある。コイル３０ｃの別の一部が、シールド３３と第１磁極３１との間にある。これらの複数の要素の間に、絶縁部３０ｉが設けられる。シールド３３は、例えば、リーディングシールドである。磁気ヘッド１１０は、サイドシールド（図示しない）を含んでも良い。
図１（ａ）に示すように、記録回路３０Ｄから、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗが供給される。第１磁極３１から、記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が磁気記録媒体８０に印加される。
図１（ａ）に示すように、第１磁極３１は、媒体対向面３０Ｆを含む。媒体対向面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）である。媒体対向面３０Ｆは、例えば、磁気記録媒体８０に対向する。媒体対向面３０Ｆは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿う。
図１（ａ）に示すように、電気回路２０Ｄが、磁気素子２０に電気的に接続される。この例では、磁気素子２０は、第１磁極３１及び第２磁極３２と電気的に接続される。磁気ヘッド１１０に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられる。第１端子Ｔ１は、第１配線Ｗ１及び第１磁極３１を介して磁気素子２０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２配線Ｗ２及び第２磁極３２を介して磁気素子２０と電気的に接続される。電気回路２０Ｄから、例えば、素子電流ｉｃが磁気素子２０に供給される。
磁気素子２０は、第１磁性層２１を含む。この例では、図１（ｂ）に示すように、磁気素子２０は、第１磁性層２１、第１非磁性層４１及び第２非磁性層４２を含む。図１（ｂ）においては、絶縁部３０ｉは省略されている。例えば、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図１（ｂ）に示すように、このような磁気素子２０に素子電流ｉｃが供給される。素子電流ｉｃは、例えば、上記の電気回路２０Ｄから供給される。図１（ｂ）に示すように、素子電流ｉｃは、第１磁性層２１から第２磁性層２２への向きを有する。図１（ｂ）に示すように、素子電流ｉｃに伴う電子流ｊｅは、第２磁性層２２から第１磁性層２１への向きを有する。
例えば、しきい値以上の素子電流ｉｃが磁気素子２０を流れることで、磁気素子２０の磁化が発振する。磁気素子２０は、例えばＳＴＯ（Spin-Torque Oscillator）として機能する。発振に伴い、磁気素子２０から交番磁界（例えば高周波磁界）が発生する。磁気素子２０で発生した交番磁界が磁気記録媒体８０に印加され、磁気記録媒体８０への書き込みがアシストされる。例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が実施可能である。
このように、制御部７５は、磁気素子２０及びコイル３０ｃと電気的に接続される。制御部７５は、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗを供給し、磁気素子２０に素子電流ｉｃを供給可能である。
以下、記録電流Ｉｗ及び素子電流ｉｃの例について説明する。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図２（ａ）の縦軸は、記録電流Ｉｗである。図２（ｂ）の縦軸は、素子電流ｉｃである。
図２（ａ）に示すように、記録電流Ｉｗは、第１極性または第２極性の期間を含む。第１極性は、正及び負の一方である。第２極性は、第１極性とは異なる。第２極性は、正及び負の他方である。記録電流Ｉｗは、第１極性の第１期間ＳＴ１と、第２極性の第２期間ＳＴ２と、を含む。記録電流Ｉｗは、第１期間ＳＴ１から第２期間ＳＴ２へ移行する第３期間ＳＴ３と、第２期間ＳＴ２から第１期間ＳＴ１へ移行する第４期間ＳＴ４と、を含む。
１つの例において、第１期間ＳＴ１が、記録される情報の１及び０の一方に対応し、第２期間ＳＴ２が、記録される情報の１及び０の他方に対応する。
別の例において、第３期間ＳＴ３が、記録される情報の１及び０の一方に対応し、第４期間ＳＴ４が、記録される情報の１及び０の他方に対応しても良い。この場合、極性の変化が記録される情報に対応する。
第１～第４期間ＳＴ１～ＳＴ４のそれぞれの長さは、記録される情報の内容に応じて変化する。このような記録電流Ｉｗがコイル３０ｃに供給される。これにより、記録電流Ｉｗに応じた記録磁界が第１磁極３１及び第２磁極３２の少なくともいずれかから発生する。発生した記録磁界が磁気記録媒体８０に印加される。磁気記録媒体８０において、記録磁界が印加された部分の磁化の向きが制御される。例えば、磁化の向きが、記録される情報に対応する。実施形態において、例えば、垂直磁気記録が行われる。
図２（ｂ）に示すように、素子電流ｉｃは、直流成分ｉＤＣ及び交流成分ｉＡＣを含む。交流成分ｉＡＣは、例えば変調成分である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、交流成分ｉＡＣは、記録電流Ｉｗの状態とは関係なく実質的に一定である。
例えば、第１期間ＳＴ１における交流成分ｉＡＣは、第２期間ＳＴ２における交流成分ｉＡＣ、第３期間ＳＴ３における交流成分ｉＡＣ、及び、第４期間ＳＴ４における交流成分ｉＡＣと同じである。例えば、カップリングなどの影響による交流成分ｉＡＣの変化は無視して良い。
例えば、交流成分ｉＡＣは、振幅ｉＡＣＰを有する。例えば、第１期間ＳＴ１における振幅ｉＡＣＰは、第２期間ＳＴ２における振幅ｉＡＣＰ、第３期間ＳＴ３における振幅ｉＡＣＰ、及び、第４期間ＳＴ４における振幅ｉＡＣＰと実質的に同じである。例えば、カップリングなどの影響による振幅ｉＡＣＰの変化は無視して良い。
例えば、交流成分ｉＡＣは、周波数ｆｄを有する。例えば、第１期間ＳＴ１における周波数ｆｄは、第２期間ＳＴ２における周波数ｆｄ、第３期間ＳＴ３における周波数ｆｄ、及び、第４期間ＳＴ４における周波数ｆｄと実質的に同じである。例えば、カップリングなどの影響による周波数ｆｄの変化は無視して良い。
このような素子電流ｉｃは磁気素子２０に供給されることで、磁気素子２０で生じる交番磁界の周波数成分の分布が広くなる。これにより、例えば、磁気素子２０の加工のばらつきなどに起因する交番磁界の周波数の変動の影響が実用的に抑制できる。交番磁界の周波数成分の分布が広くなることで、例えば、磁気記録媒体８０の磁気共鳴周波数が変動した場合も、磁気記録媒体８０は交番磁界と共鳴し易くなる。実用的に安定したＭＡＭＲが実施できる。実施形態によれば、実用的に記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供できる。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気記録装置の特性を例示する模式図である。
これらの図は、磁気素子２０から生じる交番磁界のＦＦＴ（Fast Fourier Transform）特性のシミュレーション結果を例示している。これらの図の横軸は、周波数ｆ１である。これらの図の縦軸は、強度Ｐ１（パワー密度）である。図３（ａ）において、素子電流ｉｃは、直流成分ｉＤＣ及び交流成分ｉＡＣを含む。この例では、交流成分ｉＡＣの振幅ｉＡＣＰは、直流成分ｉＤＣの１／２である。この条件は、５０％の変調率に対応する。図３（ｂ）においては、素子電流ｉｃは、直流成分ｉＤＣを含み、交流成分ｉＡＣを含まない。変調率は、０％である。
図３（ｂ）に示すように、素子電流ｉｃが交流成分ｉＡＣを含まない場合、交番磁界の強度Ｐ１は、約３６ＧＨｚに鋭いピークを有する。この場合、例えば、磁気素子２０の加工のばらつきなどにより、交番磁界のピーク周波数が敏感に変動する。例えば、交番磁界のピーク周波数が、磁気記録媒体８０の磁気共鳴周波数とずれ易い。例えば、磁気記録媒体８０の磁気共鳴周波数が変動した場合も、磁気共鳴周波数は、交番磁界のピーク周波数とずれ易い。このため、効果的なＭＡＭＲが実施し難い。
これに対して、図３（ａ）に示すように、素子電流ｉｃが交流成分ｉＡＣを含む場合、交番磁界の強度Ｐ１は、約２６ＧＨｚ～約４４ＧＨｚの広い範囲で高い。例えば、磁気素子２０の加工のばらつきなどが生じた場合も、交番磁界の周波数特性に生じる変化が小さい。加工のばらつきなどによる影響が、実用的に抑制できる。例えば、磁気記録媒体８０の磁気共鳴周波数が変動した場合も、磁気記録媒体８０は交番磁界と安定して共鳴できる。実用的に安定したＭＡＭＲが実施できる。
このように、素子電流ｉｃが交流成分ｉＡＣを含むことで、交番磁界は、広い周波数成分を含むようになる。これにより、実用的に記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供できる。
図４は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
図４の横軸は、交流成分ｉＡＣの周波数ｆｄ（変調周波数）である。縦軸は、バンド幅ＢＷ１である。バンド幅ＢＷ１は、上記の強度Ｐ１が１０－２を超える周波数の範囲（最高の周波数と最低の周波数との差）である。図４において、周波数ｆｄが０の条件は、交流成分ｉＡＣを含まない場合に対応する。この例では、ｉＡＣＰ／ｉＤＣ＝１／２であり、変調率は５０％である。
図４に示すように、周波数ｆｄが０．２ＧＨｚ以上７ＧＨｚ以下のときに、大きなバンド幅ＢＷ１が得られる。周波数ｆｄが０．２ＧＨｚ以上１．６ＧＨｚ以下のときに、特に大きなバンド幅が得られる。
実施形態において、交流成分ｉＡＣの周波数ｆｄは、０．２ＧＨｚ以上７ＧＨｚ以下であることが好ましい。これにより、交番磁界の周波数成分が効果的に広がる。実施形態において、周波数ｆｄが０．２ＧＨｚ以上１．６ＧＨｚ以下であることがさらに好ましい。交番磁界の周波数成分が効果的にさらに広がる。
実施形態において、交流成分ｉＡＣの周波数ｆｄは、素子電流ｉｃが交流成分ｉＡＣを含まない場合（例えば図３（ｂ）参照）に磁気素子２０から生じる交番磁界の強度Ｐ１が最高となる周波数の１／５以下であることが好ましい。交番磁界の周波数成分が効果的にさらに広がる。図３（ｂ）の例では、素子電流ｉｃが交流成分ｉＡＣを含まない場合に磁気素子２０から生じる交番磁界の強度Ｐ１が最高となる周波数は、約３６ＧＨｚである。
図５は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
図５の横軸は、変調比ＲＲ１である。変調比ＲＲ１は、交流成分ｉＡＣの振幅ｉＡＣＰの、直流成分ｉＤＣの絶対値に対する比（ｉＡＣＰ／ｉＤＣ）である。縦軸はバンド幅ＢＷ１である。この例では、交流成分ｉＡＣの周波数ｆｄは、３ＧＨｚである。
図５に示すように、変調比ＲＲ１が高くなるとバンド幅ＢＷ１が大きくなる。実施形態において、変調比ＲＲ１（交流成分ｉＡＣの振幅ｉＡＣＰの、直流成分ｉＤＣの絶対値に対する比）は、例えば、０．１以上である。交番磁界の周波数成分が効果的に広がる。
実施形態において、変調比ＲＲ１（交流成分ｉＡＣの振幅ｉＡＣＰの、直流成分ｉＤＣの絶対値に対する比）は、例えば、０．５以上でも良い。交番磁界の周波数成分がより効果的に広がる。
実施形態において、変調比ＲＲ１（交流成分ｉＡＣの振幅ｉＡＣＰの、直流成分ｉＤＣの絶対値に対する比）は、例えば、２．０以下である。この場合、素子電流ｉｃが正であり、負にならない。
実施形態において、磁気素子２０における素子電流ｉｃの電流密度は、例えば、５×１０８Ａ／ｃｍ２以下であることが好ましい。これにより、磁気素子２０の特性が安定しやすい。例えば、磁気素子２０の損傷が抑制される。
上記の例では、交流成分ｉＡＣは、正弦波状である。実施形態において、交流成分ｉＡＣは任意の波形を有して良い。
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、磁気記録装置の動作を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、時間ｔｍである。これらの図の縦軸は、素子電流ｉｃである。
図６（ａ）に示す例において、交流成分ｉＡＣは、方形波状である。交流成分ｉＡＣは、三角波状でも良い。図６（ａ）に示す例において、交流成分ｉＡＣは、のこぎり歯状の形状を有する。のこぎり歯状の形状において、立ち上がりの波形が、立ち下がりの波形と異なる。実施形態において、交流成分ｉＡＣは任意の波形を有して良い。
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、時間ｔｍである。図７（ａ）の縦軸は、記録電流Ｉｗである。図７（ｂ）の縦軸は、素子電流ｉｃである。
図７（ａ）に示すように、記録電流Ｉｗは、第１～第４期間ＳＴ１～ＳＴ４を含む。図７（ｂ）に示すように、素子電流ｉｃの交流成分ｉＡＣの位相は、第３期間ＳＴ３及び第４期間ＳＴ４と同期している。例えば、記録電流Ｉｗが０となる時刻に、交流成分ｉＡＣの位相が同期する。このように、実施形態において、第３期間ＳＴ３及び第４期間ＳＴ４の少なくともいずれかに、交流成分ｉＡＣの位相が同期しても良い。同期することで、例えば、カップリングなどの影響により意図した時刻に無用のノイズが発生することが抑制される。より安定したＭＡＭＲが実施できる。
図８は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１１において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられた第２磁性層２２と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられた第３非磁性層４３と、を含む。
磁気ヘッド１１１の１つの例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１１の別の例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図９は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１２において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられた第２磁性層２２と、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられた第３磁性層２３と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、第２磁性層２２と第３磁性層２３との間に設けられた第３非磁性層４３と、第３磁性層２３と第２磁極３２との間に設けられた第４非磁性層４４と、含む。
磁気ヘッド１１２の１つの例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１２の別の例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図１０は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１３において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられた第２磁性層２２と、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられた第３磁性層２３と、第３磁性層２３と第２磁極３２との間に設けられた第４磁性層２４と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、第２磁性層２２と第３磁性層２３との間に設けられた第３非磁性層４３と、第３磁性層２３と第４磁性層２４との間に設けられた第４非磁性層４４と、第４磁性層２４と第２磁極３２との間に設けられた第５非磁性層４５と、を含む。
磁気ヘッド１１３の１つの例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層４５は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１３の別の例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層４５は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１３の別の例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層４５は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１３の別の例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第５非磁性層４５は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
図１１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１４において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられ第２磁極３２と接する第２磁性層２２と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、を含む。
磁気ヘッド１１４において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図１１（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１５において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられた第２磁性層２２と、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられ第２磁極３２と接する第３磁性層２３と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、第２磁性層２２と第３磁性層２３との間に設けられた第３非磁性層４３と、を含む。
磁気ヘッド１１５において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
図１１（ｃ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１６において、磁気素子２０は、第１磁性層２１と、第１磁性層２１と第２磁極３２との間に設けられた第２磁性層２２と、第２磁性層２２と第２磁極３２との間に設けられた第３磁性層２３と、第３磁性層２３と第２磁極３２との間に設けられ第２磁極３２と接する第４磁性層２４と、第１磁極３１と第１磁性層２１との間に設けられた第１非磁性層４１と、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に設けられた第２非磁性層４２と、第２磁性層２２と第３磁性層２３との間に設けられた第３非磁性層４３と、第３磁性層２３と第４磁性層２４との間に設けられた第４非磁性層４４と、を含む。
磁気ヘッド１１６の１つの例において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
磁気ヘッド１１６において、第１磁性層２１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層２２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３磁性層２３は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４磁性層２４は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含む。第１非磁性層４１は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２非磁性層４２は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３非磁性層４３は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４非磁性層４４は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
上記の各種の磁気ヘッドにおいて、磁性層がＣｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを含む場合、磁性層は負のスピン分極を有する。磁性層がＣｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つを実質的に含まない場合、磁性層は正のスピン分極を有する。
図１２は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド（例えば、磁気ヘッド１１０）は、磁気記録媒体８０と共に用いられる。この例では、磁気ヘッド１１０は、記録部６０及び再生部７０を含む。磁気ヘッド１１０の記録部６０により、磁気記録媒体８０に情報が記録される。再生部７０により、磁気記録媒体８０に記録された情報が再生される。
磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３が記録部６０により制御される。
再生部７０は、例えば、第１再生磁気シールド７２ａ、第２再生磁気シールド７２ｂ、及び磁気再生素子７１を含む。磁気再生素子７１は、第１再生磁気シールド７２ａと第２再生磁気シールド７２ｂとの間に設けられる。磁気再生素子７１は、磁気記録層８１の磁化８３に応じた信号を出力可能である。
図１２に示すように、磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５の方向に、磁気ヘッド１１０に対して相対的に移動する。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が制御される。磁気ヘッド１１０により、任意の位置において、磁気記録層８１の磁化８３に対応する情報が再生される。
図１２に示すように、コイル３０ｃは、第２磁極３２の周りに設けられても良い。第２磁極３２が第１磁極３１と共に磁気回路を形成する。コイル３０ｃにより、第１磁極３１及び第２磁極３２が励磁される。図１（ａ）に関して説明したように、コイル３０ｃは、第１磁極３１の周りに設けられても良い。
図１３は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１３は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
図１４は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１４に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
図１５（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図１５（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
図１５（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
図１５（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントランスファトルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１磁極と、第１磁性層を含む磁気素子と、コイルと、を含む磁気ヘッドと、
前記磁気素子及び前記コイルと電気的に接続され、前記コイルに記録電流を供給し前記磁気素子に素子電流を供給可能な制御部と、
を備え、
前記記録電流は、第１極性の第１期間と、前記第１極性とは異なる第２極性の第２期間と、前記第１期間から前記第２期間へ移行する第３期間と、前記第２期間から前記第１期間へ移行する第４期間と、を含み、
前記素子電流は、直流成分と、交流成分と、を含み、前記第１期間における前記交流成分は、前記第２期間における前記交流成分、前記第３期間における前記交流成分、及び、前記第４期間における前記交流成分と同じである、磁気記録装置。
（構成２）
前記交流成分の振幅の前記直流成分の絶対値に対する比は、０．１以上である、構成１に記載の磁気記録装置。
（構成３）
前記交流成分の振幅の前記直流成分の絶対値に対する比は、０．５以上である、構成１に記載の磁気記録装置。
（構成４）
前記交流成分の周波数は、０．２ＧＨｚ以上７ＧＨｚ以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成５）
磁気記録媒体をさらに備え、
前記交流成分の周波数は、前記素子電流が前記交流成分を含まない場合に前記磁気素子から生じる交番磁界の強度が最高となる周波数の１／５以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成６）
前記磁気素子における前記素子電流の電流密度は、５×１０８Ａ／ｃｍ２以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成７）
前記第３期間及び前記第４期間の少なくともいずれかに、前記交流成分の位相が同期する、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成８）
前記磁気素子は、交番磁界を発生させる、構成１～７のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成９）
前記磁気ヘッドは、第２磁極をさらに含み、
前記磁気素子は、第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた、構成１～８のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
（構成１０）
前記磁気素子は、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１１）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１２）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１３）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１４）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１５）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第４磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第５非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１６）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第４磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第５非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１７）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第４磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第５非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１８）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
前記第４磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第５非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第５非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成１９）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられ前記第２磁極と接する第２磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成２０）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられ前記第２磁極と接する第３磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成２１）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられ前記第２磁極と接する第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成２２）
前記磁気素子は、
前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３磁性層と、
前記第３磁性層と前記第２磁極との間に設けられ前記第２磁極と接する第４磁性層と、
前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
前記第２磁性層と前記第３磁性層との間に設けられた第３非磁性層と、
前記第３磁性層と前記第４磁性層との間に設けられた第４非磁性層と、
をさらに含み、
前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つと、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｉ及びＳｃよりなる群から選択された少なくとも１つと、を含み、
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成９に記載の磁気記録装置。
（構成２３）
前記直流成分は、前記第１磁極から前記第２磁極への向きを有する、構成１０～２２のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気記録装置が提供できる。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッド及び磁気記録装置に含まれる、磁極、磁気素子、磁性層、非磁性層、及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
２０…磁気素子、 ２０Ｄ…電気回路、 ２１～２４…第１～第４磁性層、 ３０Ｄ…記録回路、 ３０Ｆ…媒体対向面、 ３０ｃ…コイル、 ３０ｉ…絶縁部、 ３１、３２…第１、第２磁極、 ３３…シールド、 ４１～４５…第１～第５非磁性層、 ６０…記録部、 ７０…再生部、 ７１…磁気再生素子、 ７２ａ、７２ｂ…第１、第２再生磁気シールド、 ７５…制御部、 ８０…磁気記録媒体、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 １１０～１１６…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ２１０…磁気記録装置、 ＡＲ…矢印、 ＢＷ１…バンド幅、 Ｄ１…第１方向、 Ｉｗ…記録電流、 Ｐ１…強度、 ＲＲ１…変調比、 ＳＴ１～ＳＴ４…第１～第４期間、 Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、 Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、 ｆ１、ｆｄ…周波数、 ｉＡＣ…交流成分、 ｉＡＣＰ…振幅、 ｉＤＣ…直流成分、 ｉｃ…素子電流、 ｊｅ…電子流、 ｔｍ…時間

Claims (10)

  1. 第１磁極と、第１磁性層を含む磁気素子と、コイルと、を含む磁気ヘッドと、
    前記磁気素子及び前記コイルと電気的に接続され、前記コイルに記録電流を供給し前記磁気素子に素子電流を供給可能な制御部と、
    を備え、
    前記記録電流は、第１極性の第１期間と、前記第１極性とは異なる第２極性の第２期間と、前記第１期間から前記第２期間へ移行する第３期間と、前記第２期間から前記第１期間へ移行する第４期間と、を含み、
    前記素子電流は、直流成分と、交流成分と、を含み、前記第１期間における前記交流成分は、前記第２期間における前記交流成分、前記第３期間における前記交流成分、及び、前記第４期間における前記交流成分と同じである、磁気記録装置。
  2. 前記交流成分の振幅の前記直流成分の絶対値に対する比は、０．１以上である、請求項１に記載の磁気記録装置。
  3. 前記交流成分の振幅の前記直流成分の絶対値に対する比は、０．５以上である、請求項１に記載の磁気記録装置。
  4. 前記交流成分の周波数は、０．２ＧＨｚ以上７ＧＨｚ以下である、請求項１～３のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
  5. 前記第３期間及び前記第４期間の少なくともいずれかに、前記交流成分の位相が同期する、請求項１～４のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
  6. 前記磁気素子は、交番磁界を発生させる、請求項１～５のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
  7. 前記磁気ヘッドは、第２磁極をさらに含み、
    前記磁気素子は、第１磁極と前記第２磁極との間に設けられた、請求項１～６のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
  8. 前記磁気素子は、
    前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２非磁性層と、
    をさらに含み、
    前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項７に記載の磁気記録装置。
  9. 前記磁気素子は、
    前記第１磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第２磁性層と、
    前記第１磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
    前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、
    前記第２磁性層と前記第２磁極との間に設けられた第３非磁性層と、
    をさらに含み、
    前記第１磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つ、または、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第２非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
    前記第３非磁性層は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項７に記載の磁気記録装置。
  10. 前記直流成分は、前記第１磁極から前記第２磁極への向きを有する、請求項８または９に記載の磁気記録装置。
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