KR20030017462A - 내부 및 외부 광학 요소 사용에 의한 발광 다이오드에서의광 적출 향상 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적출 효율을 증가시키기 위해서 LED상이나 LED내에 광 적출 구조체(26)를 갖는 신규한 LED에 관한 것이다. 신규한 광 적출 구조체(26)는 빛이 패키지로 탈출하기에 적합한 방향으로 빛을 반사, 굴절 또는 산란시키기 위한 표면을 제공한다. 그 구조체는 광 적출 요소(42, 44, 46, 48, 50, 52) 어레이 또는 디스퍼서층(112, 122, 134, 144, 152, 162)일 수 있다. 광 적출 요소는 다양한 형상을 가질 수 있고 또한 다양한 위치에 배치될 수 있어, 종래의 LED를 능가하게 LED의 효율을 증가시킨다. 디스퍼서층은 빛 산란 센터를 제공하고 또한 다양한 위치에 배치될 수 있다. 광 적출 요소 어레이를 갖는 신규한 LED는 표준 공정 기술로 제조되어, 표준 LED와 유사한 비용으로 매우 쉽게 양산될 수 있다. 디스퍼서층을 갖는 신규한 LED는 신규한 방법으로 제조될 수 있고, 또한 매우 쉽게 양산될 수 있다.

Description

내부 및 외부 광학 요소 사용에 의한 발광 다이오드에서의 광 적출 향상{ENHANCED LIGHT EXTRACTION IN LEDS THROUGH THE USE OF INTERNAL AND EXTERNAL OPTICAL ELEMENTS}
발광 다이오드(Light Emitting diode : LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환시키는 중요한 고체 소자의 일종으로서, 일반적으로 2개의 상반된 도핑층 사이에 개재된 반도체 재료의 활성층을 포함한다. 2개의 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 그곳에서 재결합되어 빛이 발생된다. 활성 영역에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출 표면을 통해 반도체 칩 밖으로 탈출한다. LED의 패키징은 일반적으로 탈출하는 빛을 희망하는 출력 방출 형태로 지향시키는 데 사용된다.
반도체 재료가 개선됨에 따라, 반도체 소자의 효율 또한 향상되고 있다. 신규한 LED는 자외선에서 호박색(amber)까지의 스펙트럼에서 효율적인 조도를 허용하는 InAlGaN과 같은 재료로 만들어지고 있다. 신규한 LED의 대다수는 종래의 발광체에 비해 전기 에너지를 빛으로 변환함에 있어서 보다 효율적이며, 보다 신뢰할 수있다. LED가 개선됨에 따라, 교통 신호기, 옥외 및 옥내 디스플레이, 자동차 전조등 및 미등, 종래의 옥내 조명 장치 등 많은 응용 분야에서 종래의 발광체를 대체할 것으로 예상된다.
그러나, 종래의 LED는 활성층에서 발생되는 빛을 모두 방출할 수 없어 그 효율이 제한된다. LED가 구동되면, 빛이 활성층으로부터 (모든 방향으로) 방출되어 여러 상이한 각도로 방출 표면에 도달한다. 전형적인 반도체 재료는 대기(n = 1.0) 또는 인캡슐레이팅 에폭시(n ≒ 1.5)에 비해 높은 굴절률(n ≒ 2.2 - 3.8)을 갖는다. 스넬(Snell)의 법칙에 의하면, (표면 법선 방향에 대해) 일정한 임계 각도보다 작은 각도로 굴절률이 높은 영역에서 굴절률이 낮은 영역으로 이동하는 빛은 굴절률이 더 낮은 영역으로 방출된다. 임계 각도 이상의 각도로 표면에 도달하는 빛은 방출되지 않고 내부 전반사(Total Internal Reflection : TIR)된다. LED의 경우, TIR 빛은 흡수될 때까지 LED내에서 계속 반사될 수 있다. 이러한 현상 때문에, 종래의 LED에서 발생되는 빛은 그 대부분이 방출되지 않아, 그 효율을 저하시킨다.
TIR 빛의 퍼센티지를 줄이기 위한 방법 중 하나는 LED 표면에 랜덤 텍스처링(random texturing) 형태로 빛 산란 센터(light scattering center)를 생성하는 것이다. [Shnitzer, et al., "30% External Quantum Efficiency From Surface Textured, Thin Film Light Emitting Diodes", Applied Physics Letters 63, Pgs. 2174-2176 (1993)]. 랜덤 텍스처링은 반응성 이온 에칭 중에 마스크로서 LED 표면에 직경이 1미크론 이하인 폴리스티렌 구체(sphere)를 이용함으로써 그 표면에 패터닝된다. 텍스처링된 표면은 랜덤한 간섭 효과로 인해 스넬의 법칙에 의한예상과 다르게 빛을 굴절 및 반사시키는 빛의 파장과 비슷한 특징을 갖는다. 이러한 접근법은 9% - 30%의 방출 효율 향상을 보여준다.
표면 텍스처링의 단점 중 하나는 전기 전도성이 나쁜 텍스처링된 전극층, 예컨대 p형 GaN을 갖는 LED에서 효과적인 전류 스프레딩(spreading)을 방해할 수 있다는 점이다. 더 작은 소자, 즉 전기 전도성이 좋은 소자의 경우에는, 전류는 p형층 콘택과 n형층 콘택으로부터 각각의 층의 도처로 스프레딩될 것이다. 더 큰 소자, 즉 전기 전도성이 나쁜 재료로 이루어진 소자의 경우에는, 전류는 p형층 콘택과 n형층 콘택으로부터 각각의 층의 도처로 스프레딩될 수 없다. 그 결과, 활성층의 일부분은 전류를 경험할 수 없어 빛을 방출할 수 없을 것이다. 다이오드 영역을 따라 전류를 균일하게 주입하기 위해서, 전도성 재료의 스프레딩층을 표면에 증착할 수 있다. 그러나, 이러한 스프레딩층은 흔히 빛이 투과될 수 있도록 광학적으로 투명할 필요가 있다. LED 표면이 랜덤한 표면 구조를 가질 경우, 효과적으로 얇고 광학적으로 투명한 전류 스프레더를 쉽게 증착할 수 없다.
LED로부터의 광 적출을 증가시키기 위한 방법 중 다른 하나는 주기적으로 패터닝된 방출 표면 또는 내부 경계면을 포함하는 것인데, 이것은 내부에 갇히는 각도의 빛을 그 표면의 형상 및 주기에 의해 결정되는 규정 모드로 재지향시킨다. Krames 등의 미국 특허 제5,779,924호를 보라. 이러한 기술은 랜덤하게 텍스처링된 표면의 특수한 경우로서, 간섭 효과가 더 이상 랜덤하지 않고 그 표면이 빛을 특정 모드 또는 방향으로 결합시킨다. 이러한 접근법의 단점 중 하나는 LED 빛의 단일 파장과 비슷하게 그 표면의 형상 및 패턴이 균일하고 매우 작아야 하기 때문에 상기와 같은 구조로 만들기가 어려울 수 있다는 점이다. 이러한 패턴은 또한 전술한 바와 같이 광학적으로 투명한 전류 스프레딩층을 증착함에 있어서 어려움을 드러낼 수 있다.
또한, LED의 방출 표면을 중심에 방출층을 갖는 반구형으로 형성함으로써 광 적출을 증가시킬 수 있다. 이러한 구조는 광 방출량을 증가시키는 반면에, 그 제조가 매우 어렵다. Scifres와 Burnham의 미국 특허 제 3,954,534호에는 LED 어레이를 각각의 LED 위에 각각의 반구를 갖도록 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 반구들을 기판에 형성하고 그 위에 다이오드 어레이를 성장시킨다. 다음에, 다이오드 및 렌즈 구조체를 에칭하여 기판으로부터 분리한다. 이러한 방법의 단점 중 하나는 기판 경계면에 그 구조체를 형성한 후 그 구조체를 기판으로부터 분리함으로써 제조 비용이 증가된다는 점이다. 또한, 각각의 반구는 그 위에 바로 방출층을 갖는데, 이것은 정확한 제조를 요구한다.
미국 특허 제5,793,062호에는 콘택과 같은 흡수 영역으로부터 멀리 빛을 재지향시키고 또한 LED 표면을 향하여 빛을 재지향시키기 위한 광학적 비흡수층을 포함함으로써 LED로부터의 광 적출을 향상시키기 위한 구조체가 개시되어 있다. 이러한 구조체의 단점 중 하나는 많은 재료계(material system)에 있어서 제조하기 어려울 수 있는 언더컷 스트레이트 앵글 층(undercut strait angle layer)으로 광학적 비흡수층을 형성해야 한다는 점이다.
광 적출을 향상시키기 위한 또 다른 방법은 광자를 LED 방출 표면상의 박막 금속층내에서 표면 플라즈몬 모드로 결합한 후, 방사 모드로 다시 방출하는 것이다. [Knock et al., "Strongly Directional Emission From AlGaAs/GaAs Light Emitting Diodes", Applied Physics Letter 57, Pgs. 2327-22329 (1990)]. 이러한 구조체는 반도체로부터 방출된 광자를 금속층에서 표면 플라즈몬으로 결합한 후, 최종적으로 적출되는 광자로 다시 결합하는 것에 달려 있다. 이러한 소자의 단점 중 하나는 주기적인 구조체가 깊이가 얕은 홈(< 0.1 ㎛)을 갖는 1차원 괘선 격자이기 때문에 제조하기가 어렵다는 점이다. 또한, 광자에서 표면 플라즈몬으로의 변환 매커니즘과 표면 플라즈몬에서 대기 광자로의 변환 매커니즘의 비효율성으로 인해서 전체 외부 양자 효율(1.4% - 1.5%)이 낮다는 점이다. 이러한 구조체는 또한 전술한 바와 같이 전류 스프레딩층에 있어서 동일한 어려움을 드러낸다.
또한, LED 칩의 측표면을 비스듬하게 하여 절두형 역피라미드 형태로 구현함으로써 광 적출을 향상시킬 수 있다. 이러한 비스듬한 측표면은 기판 재료에 갇히는 TIR 빛에게 방출 표면을 제공한다. [Krames, et al., "High Power Truncated Inverted Pyramid(Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P/GaP Light Emitting Diodes Exhibiting > 50% External Qauntum Efficiency", Applied Physics Letters 75 (1999)]. 이러한 접근법은 InGaAlP 재료계에 있어서 35% - 50%의 외부 양자 효율의 증가를 보여왔다. 이러한 접근법은 상당한 양의 빛이 기판에 갇히는 소자에 있어서 효과적이다. 사파이어 기판에 성장된 GaN 소자에 있어서는, 빛의 대부분이 GaN막에 갇히기 때문에 LED 칩의 측표면을 비스듬하게 하여도 광 적출을 향상시킬 수 없다.
광 적출을 향상시키기 위한 또 다른 접근법은 광자 재순환(recycling)이다.[Shnitzer, et al., "Ultrahigh Spontaneous Emission Quantum Efficiency, 99.7% Internally and 72% Externally, From AlGaAs/GaAs/AlGaAs Double Heterostructures", Applied Physics Letters 62, Pgs. 131-133 (1993)]. 이러한 방법은 전자와 정공에서 빛으로의 변환과 빛에서 전자와 정공으로의 변환이 쉽게 이루어지는 고효율의 활성층을 갖는 LED에 달려 있다. TIR 빛은 LED 표면으로 반사되어 활성층에 부딪치면, 그곳에서 전자-정공 쌍으로 다시 변환된다. 활성층의 고효율 때문에, 전자-정공 쌍은 거의 즉시 빛으로 재변환되어 랜덤한 방향으로 다시 방출될 것이다. 재순환되는 빛의 일부는 임계 각도내에서 LED 방출 표면에 부딪쳐 탈출할 것이다. 반면에, 활성층으로 다시 반사되는 빛은 전술한 동일한 과정을 다시 거쳐 나간다. 이러한 접근법의 단점 중 하나는 광손실이 매우 낮은 재료의 LED에서만 사용될 수 있고, 표면에 흡수 전류 스프레딩층을 갖는 LED에서는 사용될 수 없다는 점이다.
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, 구체적으로는 그것의 광 적출을 향상시키기 위한 신규한 구조체에 관한 것이다.
도 1은 제2 스프레더층상에 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 2는 기판의 표면상에 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 3은 신규한 LED와 일체형을 이루는 어레이로 형성될 수 있는 LEE의 기본 형상의 단면도.
도 4는 기판과 제1 스프레더층 사이의 경계면에 형성되는 내부 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 5는 제1 스프레더층내에 형성되는 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 6은 공간(void)으로 형성되는 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 7은 제1 스프레더층과의 경계면에서 기판내에 형성되는 LEE 어레이를 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 8은 제2 스프레더층상에 형성되는 표면 디스퍼서층을 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 9는 기판상에 형성되는 표면 디스퍼서층을 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 10은 기판과의 경계면에서 제1 스프레더층내에 형성되는 내부 디스퍼서층을 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 11은 제1 스프레더층내에 형성되는 내부 디스퍼서층을 갖는 신규한 LED의 단면도.
도 12는 내부 디스퍼서층이 에피택셜 성장 중에 인시투(in-situ)로 형성되는 신규한 LED의 단면도.
도 13은 또한 내부 디스퍼서층이 에피택셜 성장 중에 인시투로 형성되는 신규한 LED의 단면도.
도 14는 기판의 표면상에 LEE 어레이를 갖는 신규한 플립칩 장착형 LED의 단면도.
도 15는 LED의 층들 중 어느 한 층내에 형성되는 표면 디스퍼서층을 갖는 신규한 플립칩 장착형 LED의 단면도.
본 발명은 빛이 LED으로부터 탈출할 확률을 증가시키기 위해서 LED의 노출 표면상이나 LED내에 배치되는 광 적출 구조체를 갖는 신규한 LED를 제공함으로써, LED의 광 적출과 전체적인 효율을 증가시킨다. 신규한 LED는 쉽게 제조될 수 있고, 광 적출을 위한 수많은 새로운 옵션 및 조합을 제공한다.
신규한 LED는 일반적으로 p형층, n형층 및 p형층과 n형층 사이의 활성층을 갖는 LED 구조체를 포함한다. LED 구조체는 제1 스프레더층과 제2 스프레더층 사이에 개재된다. 스프레더층은 전류가 효율적으로 활성층으로 주입될 수 있도록 소자의 면을 따라 전류를 공급하는 반도체층 또는 전도체층이다. 광 적출 구조체는 신규한 LED(또는 기판)상에 또는 내에 배치된다. 광 적출 구조체는 공간 변화 굴절률을 제공하고 또한 LED내에 갇힌 빛을 굴절 또는 반사하여 탈출시킬 수 있는 표면을 제공한다. 대부분의 실시예들에 있어서, LED 구조체와 전류 스프레딩층은 LED 구조체의 맞은 편에서 제1 스프레더층에 인접한 기판상에 성장된다. 제1 및 제2 스프레더층상에는 각각 콘택이 포함되며, 그 콘택들 양단에 바이어스가 인가되면 LED 구조체의 활성층에서 빛이 방출된다. 광 적출 구조체는 바람직하게는 LED층들에 평행한 면에 배치되고 실질적으로 LED 영역을 커버한다.
광 적출 구조체는 바람직하게는 광 적출 요소(LEE) 어레이 또는 디스퍼서층(disperser layer)이다. 노출 표면상에 LEE 어레이를 갖는 실시예들에 있어서, LEE 어레이는 LED의 인캡슐레이팅 재료보다 굴절률이 높은 재료로 형성된다. LEE는 다양한 방법을 통해 형성될 수 있고, 또한 다른 상태로 갇힌 빛을 탈출시키기 위한 다양한 표면을 제공할 수 있다.
선택적으로, 신규한 LED는 LED내에 배치되는 LEE 어레이를 포함할 수 있다. 내부 LEE 어레이는 또한 공간 변화 굴절률을 제공하도록 형성된다. LEE 어레이는 LED 성장 공정 중에 형성되며, LEE 어레이가 성장된 후에 그 위에 나머지 LED 구조체층들이 에피택셜 증착 기술에 의해 성장됨으로써, LED내에 LEE 어레이가 내장된다. 에피택셜층 또는 기판에 다른 상태로 갇히는 광선은 LEE 어레이와 상호 작용하여, LED를 탈출할 수 있는 광선으로 굴절 및/또는 반사된다.
신규한 LED의 또 다른 실시예는 LED의 노출 표면상의 디스퍼서층을 포함하는데, 그 디스퍼서층은 LED 인캡슐레이팅 재료보다 굴절률이 높은 재료로 형성된다. LED상의 디스퍼서층에 부딪친 빛은 탈출 방향으로 산란될 가능성이 높다. 표면 재료로 광 디스퍼서층을 형성함으로써 반도체 표면에의 거친 패터닝으로 인한 문제점이 제거되며, Schnitzer에 의한 작업보다 많은 이점을 제공한다.
선택적으로, 신규한 LED는 LED내에 배치되는 디스퍼서층을 포함할 수 있다. 디스퍼서층은 LED의 에피택셜 성장 전에 기판에 또는 기판상에 형성되거나, LED 에피택셜 구조체내에 형성될 수 있다. 디스퍼서층은 빛을 산란시킬 수 있도록 기판 및/또는 에피택셜 재료와 다른 굴절률을 갖는 재료로 이루어진다.
상기 실시예들 대부분은 또한 플립칩 장착 기술에 의해 장착될 수 있고, 기판이 LED의 주된 방출 표면이 된다.
본 발명의 이러한 특징 및 다른 특징과 이점은 첨부된 도면과 함께 다음의 상세한 설명에 의해 당업자에게 명확해질 것이다.
제1 실시예
도 1은 본 발명에 따라 구성된 신규한 LED(10)의 제1 실시예를 보여준다. 신규한 LED(10)는 2개의 상반된 도핑층(14, 15)과 그것들 사이에 개재된 활성층(13)으로 구성된 LED 구조체(12)를 갖는다. 바람직한 LED 구조체(12)에 있어서는, 상층(14)은 p형이고 하층(15)은 n형이지만, 이와는 상반되게 상층(14)과 하층(15)을 도핑할 수 있다. 신규한 LED(10)는 전류를 제1 콘택 패드(18)에서 LED 구조체의 하층(15)으로 스프레딩하는 전도성 재료로 이루어진 제1 스프레딩층(16)을 갖는다. 제1 콘택 패드(18)는 또한 바람직한 실시예의 하층(15)이 n형이기 때문에 n 콘택 패드로 칭해진다. LED 구조체의 상층(14)에는 또한 전류를 제2 콘택(22)에서 LED 구조체의 상층(14)으로 스프레딩하는 전도성 재료로 이루어진 제2 스프레딩층(20)이 포함된다. 제2 콘택(22)은 또한 바람직한 LED 구조체(12)의 상층(14)이 p형이기 때문에 p 콘택으로 칭해진다. LED 구조체, 스프레딩층 및 콘택은 제1 스프레딩층이 기판(24)에 인접하도록 기판(24)상에 형성된다.
기판(24)은 여러 재료들로 이루어질 수 있고 또한 전기 전도성일 수 있다. 기판(24)이 전기 전도성일 경우, 기판(24)이 제1 스프레더의 역할을 하며 그 기판(24)상에 직접 콘택(28)이 증착될 수 있다. 전류는 기판(24)을 통해 LED 구조체(12)의 하층으로 스프레딩된다.
표면 LEE 어레이(26)는 표준 반도체 공정 기술에 의해 제2 스프레딩층(20)상에 형성된다. LEE(26)는 정상적으로 갇힌 TIR 빛이 투과 또는 굴절 및 탈출할 수 있는 표면을 제공함으로써, LED(10)의 효율을 증가시킨다. 그러한 효율을 증가시키기 위해서는, LEE(26)는 LED 인캡슐레이팅 재료(n1)보다 높은 굴절률(n2)을 가져야 한다. 더 높은 굴절률(n2)은 더 많은 빛이 LEE로 진입하여 정상적으로 인캡슐레이팅 재료로 진입할 수 있도록 해준다. LEE의 형상화된 표면은 더 많은 빛이 인캡슐레이팅 재료로 탈출할 수 있도록 해준다. 신규한 LED(10)의 장점 중 하나는 LED가 분리되기 전에 표준 공정 기술에 의해 LED 웨이퍼상에 형성될 수 있기 때문에 제조하기가 쉽다는 점이다.
신규한 LED(10)는 AlInGaN 재료로 만들어지는 것이 바람직하다. 제2 스프에더(20)는 바람직하게는 Pd, Pt, Pd/Au, Pt/Au, Ni/Au, NiO/Au 또는 그들의 합금 등 얇은 반투명 금속이고 바람직하게는 p형 AlInGaN인 LED 구조체의 상층(14)에 증착된다. 제2 스프레더(20)는 여러 종래 방법, 바람직하게는 증발법(evaporation) 또는 스퍼터링법에 의해 신규한 LED(10)상에 증착될 수 있다. 제1 스프레더(16)는 n형 AlInGaN으로 만들어지는 것이 바람직하며, 콘택을 위해 반응성 이온 에칭에 의해 노출될 수 있다. 기판(24) 또는 제1 스프레더(16)에 대한 콘택(18 또는 28)으로서 Ni, Al/Ni/Au, Al/Ti/Au 또는 Al/Pt/Au가 사용된다.
기판(24)으로서 사파이어, AlN, SiC 또는 GaN이 사용될 수 있는데, SiC와 GaN은 전도성이고 AlN과 사파이어는 절연성이다. SiC는 GaN과 같은 Ⅲ족 질화물에 상당히 가까운 결정 격자 일치 구조(match)를 갖고 있어 고품질의 Ⅲ족 질화물막 특성을 갖는다. SiC는 또한 대단히 높은 열전도성을 갖고 있어 Ⅲ족 질화물 소자의 총출력 전력이 기판의 열방산에 의해 제한되지 않는다(사파이어상에 형성된 일부 소자와 같이). SiC 기판은 미국 노스 캘리포니아 더럼에 소재한 Cree Research,Inc.로부터 입수할 수 있으며, 그 제조 방법은 미국 재발행 특허 제34,861호, 미국 특허 제4,946,547호 및 제5,200,022호에 뿐만 아니라 과학 문헌에 개시되어 있다.
LEE(26)는 다음과 같은 방법으로 소자상에 형성되는 것이 바람직하다. LEE 재료는 증발법, 화학 기상 증착법(CVD) 또는 스퍼터링법에 의해 표면상에 증착된다. LEE 재료로는 SiC, SiNx, AlN, SiOxNy, Si3N4, ZnSe, TiO2, Ta2O5, GaN 또는 SiO가 바람직한데, 가장 바람직한 것은 ZnSe, TiO2, SiNx, AlN 및 GaN이다. LEE의 두께는 100 ㎚ - 10 ㎛ 범위가 바람직하다. LEE 재료가 증착된 후에는, 포토레지스트와 같은 감광성 폴리머가 마스크로서 먼저 노광 및 현상된다.
다음에, LEE(26)는 2가지 방법으로 LEE 재료로 형성될 수 있다. 첫째로, 습식 화학 에칭으로 마스크를 통해 LEE 재료를 에칭해 버릴 수 있다. 이러한 에칭은 마스크층을 언더컷(undercut)해서 LEE 구조체를 형성한다. 둘째로, 오븐에서 마스크를 리플로우(reflow)해서 마스크에 곡선 또는 직선 기울기(grade)를 형성할 수 있다. 다음에, 반응성 이온 에칭으로 마스크의 패턴을 LEE 재료에 전사해서 최종 LEE 구조체를 형성한다. 어레이 패턴은 규칙적 또는 사실상 불규칙적이며, 각각의 LEE간의 간격은 1 ㎛ - 50 ㎛ 범위가 바람직하다.
또한 다른 방법을 이용해서 LEE 구조체를 형성할 수 있으며, 이러한 기술들은 모든 LED 재료계에 적용할 수 있다. 또한, 전술한 LEE 형성은 LEE 어레이를 형성하는 다음의 실시예들 모두에서 사용될 수 있다.
제2 실시예
도 2는 본 발명에 따라 구성된 신규한 LED(30)의 제2 실시예를 보여준다. 이것은 도 1의 LED(10)와 유사하며, 동일한 LED 구조체(12), 제1 스프레더(14), 기판(24), 제2 스프레더(16), n 콘택(18) 및 p 콘택(22)을 갖는다. 또한 기판(24)이 전도성일 경우, 기판(24)상에 n 콘택(23)을 가질 수 있다.
그러나, 이 실시예에 있어서는, LEE(32)는 제1 스프레더(16) 맞은 편의 기판(24) 표면상에 형성된다. LED(10)처럼, 소자 제조 중이나 소자 제조 후에, 그러나 최소한 다이(die)가 분리되기 전에 LEE(32)가 형성된다. 광 적출을 향상시키기 위해서는, LEE의 굴절률(n2)은 LEE용 인캡슐레이팅 재료의 굴절률(n1)보다 커야한다. 도 1의 신규한 LED(10)에 사용된 바람직한 재료 및 제조 공정은 이 실시예에서도 사용될 수 있다.
선택적으로, LEE(32)는 기판(24)에 형성될 수 있다. 이것은 특히 AlInGaN 기반의 LED 구조체를 갖는 SiC 기판에 적용될 수 있다. LEE는 에칭 마스크를 통해 반응성 이온 에칭에 의해 기판에 직접 형성되거나, 레이저 또는 절단기(saw)로 기판을 절단해서 기판에 직접 형성된다. 이 경우 LEE의 깊이는 1 ㎛ - 200 ㎛ 범위가 바람직하고, LEE간의 간격은 1 ㎛ - 200 ㎛ 범위가 바람직하다.
이러한 신규한 LED(20)는 특히 대부분의 빛이 기판 영역내에 갇히는 LED, 예컨대 SiC 기판상의 GaN 기반의 LED의 경우에 적용할 수 있다. LEE(32)를 어레이 형태로 형성함으로써, 신규한 LED(10, 20)는 전술한 Krames 등에 의해 개시된 절두형 역피라미드 공정에 비해 더 큰 LED 칩 크기로 확대할 수 있는 이점을 갖는다.
최상의 광 적출을 제공하기 위해서 신규한 LED의 모든 실시예에서 상이한 형상을 사용할 수 있다. 도 3은 LEE 어레이에서 사용할 수 있는 형상의 상이한 예에 대한 단면도를 보여준다. LEE(42, 44, 46)는 곡선 표면을 갖는 반면에, LEE(48, 50, 52, 54)는 구분적으로 직선인(piecewise linear) 표면을 갖는다. 소정의 실시예에서 최상의 광 적출을 제공하기 위해서 형상을 선택 및 조절할 수 있다. 상이한 형상은 LEE 재료 및/또는 마스크층과 표준 습식 화학 에칭, 건식 에칭, 레이저 또는 웨이퍼 절단 기술과의 상이한 조합에 의해 형성된다. 도면에 도시된 형상은 단지 가능한 형상의 소수에 불과하며, 본 발명의 범위는 도시된 형상으로 제한되지 않는다.
제3 실시예
도 4는 본 발명에 따라 구성된 신규한 LED(60)의 제3 실시예를 보여준다. 이것은 또한 LED 구조체(62), 제1 스프레더층(64), 기판(66), n 콘택(68), 제2 스프레더(70) 및 p 콘택(72)을 가지며, 모두 LED(10, 20)에서 배치된 것과 유사하게 배치된다. 그러나, 이 실시예에 있어서는, LEE(74)는 LED 소자 내부에, 바람직하게는 기판(66)과 제1 스프레더(64) 사이의 경계면에 어레이 형태로 형성된다. LEE 재료는 정상적으로 갇히는 빛을 LED(60)로부터 탈출시킬 수 있는 방향으로 재지향시킬 수 있는 반사 및 굴절을 제공할 수 있도록, 제2 스프레더 재료의 굴절률(n1)과 다른 굴절률(n2)을 가져야 한다.
LEE(74)는 포토레지스트 마스크를 이용해서 LEE 재료를 습식 화학 에칭해서 형성하는 것이 바람직하다. 내부 LEE 어레이를 형성하기 위해서는, LEE 위에 에피택셜 재료를 재성장시켜야 한다. 이것은 바람직하게는 MOCVD(Metal-OrganicChemical Vaper Deposition), VPE(Vapor Phase Epitaxy) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy)에 의해 행해지는데, 가장 바람직한 것은 MOCVD이다. 마스크 재료로는 SiO2, SiN2, Si3N4, TiO2, AlN 및 SiO가 바람직하다. LEE 마스크 재료의 두께는 0.1 ㎛ - 10 ㎛ 범위가 바람직하고, LEE간의 간격은 1 ㎛ - 50 ㎛ 범위가 바람직하다. 또한, 내부 LEE는 LED 구조체내의 상이한 위치에 배치될 수도 있다.
제4 및 제5 실시예
도 5는 본 발명에 따라 구성된 신규한 LED(70)의 제4 실시예를 보여준다. 이것은 상기 실시예와 동일한 LED 구조체(72), 스프레더층(75, 76), 기판(78) 및 콘택(80, 82)을 갖는다. 그러나, 이 실시예에 있어서는, LEE(86)를 형성하기 전에 에피택셜 재료층(84)을 기판상에 성장시킨다. 에피택셜층(84)은 MOCVD, VPE 또는 MBE에 의해 성장된다. 다음에, 에피택셜층의 표면상에 LEE(86)를 어레이 형태로 형성하고, LEE(86) 위에 나머지 제2 스프레더(75)를 형성한다. 이 실시예는 LEE 어레이 위에 LED 구조체(76)를 재성장시키기가 용이하지만, 한가지 별도의 에피택셜 성장 단계를 필요로 한다.
LED 층들 중 어느 한 층내에 LEE를 갖는 GaN 기반의 LED에 있어서는, LEE 재료 위에의 재성장은 MOCVD 성장 시스템에서 LEO(Lateral Epitaxial Overgrowth)에 의해 달성될 수 있다. 이것은 표준 평면 성장보다 우수한 재료 품질을 제공하고, 그 결과 광 적출에 부가적인 이득으로서 LED 방출이 증가된다.
또한, LEO 공정은 도 6의 본 발명에 따라 구성된 LED(90)의 또 다른 실시예에 적용된다. 이 실시예에 있어서, LEO 성장 조건은 마스크 재료(94) 위에 LEE 공간(92)을 형성하도록 조절된다. 공간(92)은 제1 스프레더층(96) 내부의 직선(또는 곡선) LEE로서의 역할을 한다. 공간, 즉 LEE는 내부에 갇히는 빛을 재지향시켜 광 적출을 향상시킨다. 반도체 재료에서의 공간 형성은 Fini에 의해 증명되었다. [Fini et al., "High Quality Coalescence of Laterally Overgrown GaN Stripes on GaN/Sapphire Seed Layers", Applied Physics Letters 75, 12, Pgs. 1706-1708 (1999)].
제6 실시예
도 7은 전술한 LED와 동일한 층들을 갖는 신규한 LED(100)의 제6 실시예를 보여준다. 이 실시예에 있어서는, LEE(102)가 기판(104)과 제1 스프레더(106) 사이의 경계면에, 그러나 기판(104)내에 어레이 형태로 배치된다. LEE(102)는 습식 화학 에칭 또는 건식 에칭 기술에 의해 마스크를 통해 기판(104)을 에칭함으로써 기판(104)내에 직접 형성된다. 다음에, 에칭된 영역에 LEE를 성장시키고, 그 LEE 위에 MOCVD, VPE 또는 MBE에 의해 LED의 나머지 층을 성장시킨다. LEE는 에피택셜 재료의 재성장 후에 기판에 남겨진 공간이거나 또는 에칭된 영역내에 채워진 에피택셜 재료일 수 있다.
제7 실시예
도 8은 LED 구조체(114)의 에피택셜면 위의 제2 전류 스프레딩층(116) 위에 디스퍼서층(112)을 갖는 신규한 LED(110)의 제7 실시예를 보여준다. 또한, 기판, LED층 및 LED 콘택은 이전의 실시예들에서 설명한 것과 동일한 타입이다. 최상의효율을 위해서는, 디스퍼서층은 LED 인캡슐레이팅 재료의 굴절률(n1)보다 더 큰 굴절률(n2)을 가져야 한다. 일반적으로, 굴절률 n2가 더 커질수록, 광 적출 효율도 향상된다. 디스퍼서층의 입자는 그 인접한 입자들간의 간격이 20 ㎛ - 1 ㎛이어야 한다. 그 입자 크기는 20 ㎚ - 1 ㎛이어야 한다. 선택적으로, 디스퍼서층은 상이한 굴절률을 갖는 재료층에의 일련의 구멍일 수 있다.
디스퍼서(112)는 몇가지 상이한 방법에 의해 형성될 수 있다. 첫번째 방법은 LED 구조체의 표면을 희망하는 굴절률을 갖는 미소 구체(microsphere)로 직접 코팅하는 것이다. 미소 구체로는 ZnSe 또는 TiO2또는 굴절률이 높고 광흡수도가 낮은 재료가 바람직하다. LED는 용매 또는 물에 담겨진 구체를 스프레잉 또는 스핀 코팅함으로써 코팅될 수 있다.
두번째 방법은 먼저 증발법, CVD 또는 스퍼터링법에 의해서 LED 표면 위에 디스퍼서 재료를 균일하게 또는 거의 균일하게 증착한다. 바람직한 재료는 SiN, AlN, ZnSe, TiO2및 SiO이다. 다음에, 그 표면 위에 마스크 재료를 코팅하는데, 마스크 재료로는 실리카 또는 폴리스티렌 미소 구체나, 스핀 코팅된 포토레지스트와 같은 얇은 폴리머층이 바람직하다. 마스크 재료는 디스퍼서 재료를 습식 화학 에칭하기 위한 마스크로서 사용되거나, RIE와 같은 건식 에칭을 위한 제거 가능한 마스크(ablative mask)로서 사용된다. 패턴을 디스퍼서 재료에 전사한 후에, 남아 있는 마스크 재료를 제거함으로써, LED 표면상에 디스퍼서가 남게 된다.
여기서 제시된 실시예들은 Schnitzer 등에 의해 기재 및 설명된 LED를 개선한 것이다. 상기 실시예들은 디스퍼서층을 반도체 재료에 에칭할 필요가 없다는 이점을 제공한다. 이 때문에, 디스퍼서 기술을 GaN 기반의 재료계와 함께 쉽게 사용할 수 있는데, 여기서 제1 스프레더 재료는 통상적으로 쉽게 인터럽트될 수 없는 매우 얇은 금속층이다.
제8 실시예
도 9는 도 8의 LED(110)를 변형한 신규한 LED(120)를 보여준다. LED(120)는 동일한 LED층을 갖지만, 이 실시예에서는 디스퍼서층(122)이 기판(124)의 하면에 적용된다. 이러한 접근법은 특히 기판의 굴절률이 LED 에피택셜층과 유사한, 예컨대 SiC상에 AlInGaN 에피택셜층이 형성된 LED에 적용될 수 있다.
제9 및 제10 실시예
도 10 및 도 11은 각각의 디스퍼서층(134, 144)이 제1 스프레더층(132, 142)내에 각각 배치된 신규한 LED(30, 140)를 각각 보여준다. 이러한 실시예들에 있어서, 디스퍼서층의 굴절률(n2)은 빛이 산란될 수 있도록 제1 스프레더층의 굴절률(n1)과 상이해야 한다. 이 디스퍼서층의 재료로는 실리카 또는 TiO2미소 구체가 바람직하다.
도 10의 LED(130)에 있어서, 디스퍼서층(134)은 기판(136)과 제1 스프레더(132) 사이의 경계면에 배치된다. 다음에, 그 디스퍼서층 위에 MOCVD, VPE 또는 MBE에 의해 LED층이 성장된다. 도 11의 LED(140)에 있어서는, 디스퍼서층(144)은 제1 스프레더층(142)내에 배치된다. 먼저 제1 스프레층을 성장시킨 다음에, 디스퍼서층(144)을 형성한다. 다음에, 그 디스퍼서층 위에 나머지 제1 스프레더와 LED층을 성장시킨다.
디스퍼서층은 또한 LED 구조체의 층들과 기판을 포함한 LED(130, 140)의 다른 층내에 형성될 수 있다. 디스퍼서층은 또한 다른 방법에 의해 그리고 다른 재료로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명은 도시된 디스퍼서층의 배치로 제한되지 않는다.
제11 실시예들
디스퍼서층은 또한 MOCVD가 에피택셜 성장 툴로서 사용될 경우 인시투(in-situ) 기술에 의해 LED에 형성될 수 있다. 이 기술은 특히 GaN 기반의 LED에 적용할 수 있다. 도 12 및 도 13은 각각 디스퍼서층(152, 162)이 제1 스프레더층(154, 164)에 인시투로 형성되는 LED(150, 160)를 보여준다. LED(150)에 있어서, 기판(155)은 SiC 또는 사파이어로 이루어지고, 제1 스프레더(154)는 AlxInyGa1-x-yN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1)으로 이루어진 재료가 유착되지 않은 섬들의 형태(uncoalesced islands)로 형성된다. 제1 스프레더 성장의 초기 단계 중에, 섬들(156)을 형성한다. 섬들(156)이 유착되기 전에 성장을 정지시키고, 그 섬들 위에 및/또는 그 섬들 사이에 AlGaN, SiO2또는 SiN 등 굴절률이 낮은 층(152)을 증착해서, 요구되는 굴절률의 불연속성을 형성한다. 다음에, 계속해서 정상적으로 성장시켜, 제1 스프레더층과 LED 구조체를 마무리한다.
LED(160)에 있어서는, 섬들에 의해 불연속성을 형성하는 대신에, 제1 스프레더층 성장의 초기 단계 중에 성장 조건을 변경시켜 그 표면을 거칠게 형성할 수 있다. AlInGaN 기반의 LED에 있어서, 디실린(disiline)의 흐름을 증가시키거나, 암모니아의 흐름을 변화시키거나, 또는 상기 제1 층의 성장률을 증가시킴으로써, 에피택셜층을 거칠게 성장시킬 수 있다. 거칠게 형성한 후에는, 굴절률이 낮은 AlGaN 또는 다른 유전체층을 증착한다. 다음에, 계속해서 정상적으로 성장시켜, 제1 스프레더층과 LED 구조체를 마무리한다.
전술한 디스퍼서층은 LED 구조체의 층들과 기판을 포함한 다른 층에 배치될 수 있으며, 본 발명은 도시된 디스퍼서층의 배치로 제한되지 않는다.
플립칩 실시예들
마지막으로, 전술한 모든 실시예들에 있어서, 플립칩 접착(bonding) 기술에 의해 소자들을 장착할 수 있다. 도 14는 그러한 구성으로 접착된 신규한 LED(170)를 보여준다. LED 구조체(172)를 전도성 반사층(175)으로 코팅한 후, 그 반사층(175)에 전도성 접착 매체에 의해 제2 스프레더층(189)을 부착한다. 다음에, 그 제2 스프레더층(189)에 서브마운트(176)를 장착한다. 서브마운트(176) 상에는 p 콘택(188)이 포함되며, p 콘택(188)은 또한 제2 스프레더층에 접착된다. p 콘택(188)에 인가된 전류는 제2 스프레더층과 LED 구조체의 상층으로 스프레딩된다.
서브마운트(176) 상에는 또한 n 콘택층(178)이 포함되며, n 콘택층(178)은 또한 제2 전도성 접착층(182)을 통해 제1 스프레더층(180)에 결합된다. n 콘택(178)으로부터의 전류는 접착층(182)을 통해 제1 스프레더층(180)과 LED 구조체의 하층으로 흐른다. LEE(186)는 기판(184)의 하면에 형성된다.
빛은 주로 기판(184)을 통해 LED(170)로부터 방출되는데, 이러한 구조체로부터의 광 적출은 사용되는 LEE 어레이 또는 디스퍼서의 타입에 따라 종래의 접착 구조체를 능가하게 향상될 수 있다. 여기서, 재지향된 빛은 LEE(186)를 통과하자마자 바로 칩을 탈출할 수 있기 때문에, 재지향된 후에 기판을 통해 되돌아오는 빛의 광학적 손실의 가능성이 줄어들게 된다.
도 15는 LED(170)와 유사한 플립칩 접착을 이용한 신규한 LED(190)를 보여준다. 그러나, LED(190)는 LEE 대신에, 제2 스프레더(194)와 반사층(196)의 경계면에 디스퍼서층(192)을 갖는다.
몇몇 바람직한 실시예들을 참조해서 상당히 상세하게 본 발명을 설명하였지만, 다른 실시 형태들로 가능하다. 당업자는 또한 LEE 어레이를 이용한 다른 LED 구성을 구상할 수 있다. 신규한 LED는 LEE 어레이와 디스퍼서층의 상이한 조합을 가질 수 있다. LEE는 상이한 형상, 크기, 인접한 LEE들간의 간격을 가질 수 있고, 또한 상이한 위치에 배치될 수도 있다. 유사하게, 디스퍼서층은 상이한 재료로 이루어질 수 있고, 또한 상이한 위치에 배치될 수도 있다. 그러므로, 첨부된 청구 범위의 정신 및 범위는 전술한 바람직한 실시예들로 제한되지 않는다.

Claims (40)

  1. 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드(LED)에 있어서,
    에피택셜 성장 p형층(14)과, 에피택셜 성장 n형층(15)과, 상기 에피택셜 성장 p형층(14)과 상기 에피택셜 성장 n형층(15) 사이의 에피택셜 성장 활성층(13)을 갖는 LED 구조체(12)와;
    상기 LED 구조체(12)에 인접한 제1 스프레더층(spreader layer)(16)과;
    상기 제1 스프레더층(16)의 맞은 편에서 상기 LED 구조체(12)에 인접한 제2 스프레더층(20)과;
    상기 LED와 일체형으로 배치되며, 상기 LED내에 갇히는 빛을 분산, 반사 및/또는 상기 LED 밖으로 굴절시킬 수 있는 표면을 제공하는 광 적출 구조체(26)
    를 포함하는 LED.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 LED 구조체(12)의 맞은 편에서 상기 제1 스프레더층(16)에 인접한 기판(24)을 더 포함하는 LED.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판(24)은 전기 전도성이고 스프레더층(16)의 역할을 하는 것인 LED.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(26)는 상기 층들에 평행한 면에 배치되고 실질적으로 상기 LED를 커버하는 것인 LED.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(26)는 광 적출 요소(LEE) 어레이를 포함하는 것인 LED.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 LEE(42, 44, 46)는 곡선 표면을 갖는 것인 LED.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 LEE(48, 50, 52, 54)는 구분적으로 직선인(piecewise linear) 표면을 갖는 것인 LED.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체는 디스퍼서층(disperser layer)(112, 122, 134, 144, 152, 162)을 포함하는 것인 LED.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 디스퍼서층은 미소 구체층(112, 122, 134, 144)을 포함하는 것인 LED.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 미소 구체층(112, 122, 134, 144)은 상기 LED층들과 다른 굴절률을 갖는 것인 LED.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 디스퍼서층은 상기 LED내의 거친 재료층(roughened layer of material)(152, 162)을 포함하는 것인 LED.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 거친 재료층(152, 162)은 상기 LED와 다른 굴절률을 갖는 것인 LED.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(26)는 상기 LED 구조체(12)의 맞은 편에서 상기 제2 스프레더층(20)상에 배치되는 것인 LED.
  14. 제4항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(32)는 상기 제1 스프레더층(16)의 맞은 편에서 상기 기판(24)의 표면상에 배치되는 것인 LED.
  15. 제4항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(74, 86, 94, 102)는 상기 LED층들 내부에 배치되는 것인 LED.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(74, 86, 94, 102)는 상기 LED층들과 다른 굴절률을 갖는 것인 LED.
  17. 제2항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(74)는 상기 기판(66)과 상기 제1 스프레더층(64) 사이의 경계면상에, 실질적으로는 상기 제1 스프레더층(64)내에 배치되는 것인 LED.
  18. 제2항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(86)는 상기 제1 스프레더층(75)내에 배치되는 것인 LED.
  19. 제2항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(102)는 상기 기판(104)과 상기 제1 스프레더층(106) 사이의 경계면상에, 실질적으로는 상기 기판(104)내에 배치되는 것인 LED.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스프레더층(16)상의 제1 콘택(18)과 상기 제2 스프레더층(20)상의 제2 콘택(22)을 더 포함하며,
    상기 콘택(18, 22) 양단에 인가된 바이어스는 상기 LED(13)에서 빛을 방출시키는 것인 LED.
  21. 제2항에 있어서,
    상기 기판(24)은 전도성이고,
    상기 LED는 상기 기판(24)상의 제1 콘택(28)과 상기 제2 스프레더층(20)상의 제2 콘택(22)을 더 포함하며,
    상기 콘택(18, 22) 양단에 인가된 바이어스는 상기 활성층(13)에서 빛을 방출시키는 것인 LED.
  22. 제2항에 있어서,
    서브마운트(176)와;
    상기 LED 구조체(172)상에 배치된 반사층(174)과;
    상기 서브마운트(176)상에 배치되고 상기 LED 구조체(172)의 맞은 편에서 상기 반사층(174)에 부착된 제2 스프레더층(189)을 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 전도성층(188, 182) 양단에 인가된 바이어스는 상기 활성층에서 빛을 방출시키고, 상기 기판은 주된 방출 표면인 것인 LED.
  23. 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드(LED)에 있어서,
    p형층(14)과;
    n형층(15)과;
    상기 p형층(14)과 상기 n형층(15) 사이의 활성층(13) - 상기 p형층(14)과 상기 n형층(15) 중 하나는 상층이고 다른 하나는 하층임 - 과;
    상기 하층에 인접한 제1 스프레더층(16)과;
    상기 상층상의 제2 스프레더층(20)과;
    상기 스프레더층(16, 20)상에 각각 배치된 전기 콘택(18, 22) - 상기 콘택(18, 22) 양단에 인가된 바이어스는 상기 활성층(13)에서 빛을 방출시킴 - 과;
    상기 제1 스프레더층(16)에 인접한 기판(24)과;
    상기 층들과 일체형으로 배치되고, 상기 층들에 평행하게 이어지고, 실질적으로 상기 LED를 커버하며, 상기 LED내에 갇히는 빛을 분산, 반사 및/또는 상기 LED 밖으로 굴절시킬 수 있는 표면을 제공하는 광 적출 구조체(26)
    를 포함하는 LED.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체는 곡선 또는 구분적으로 직선인 표면을 갖는 광 적출 요소(LEE) 어레이(42, 44, 46, 48, 50, 52, 54)를 포함하는 것인 LED.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체는 디스퍼서층(112, 122, 134, 144, 152, 162)을 포함하는 것인 LED.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 디스퍼서층(152, 162)은 상기 LED내의 거친 재료층을 포함하는 것인 LED.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(26)는 상기 상층의 맞은 편에서 상기 제2 스프레더층(20)상에 배치되는 것인 LED.
  28. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(32)는 상기 제1 스프레더층(16)의 맞은 편에서 상기 기판(24)의 표면상에 배치되는 것인 LED.
  29. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(74, 86, 94, 102)는 상기 LED층들 내부에 배치되는 것인 LED.
  30. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(74)는 상기 기판(66)과 상기 제1 스프레더층(64) 사이의 경계면상에, 실질적으로는 상기 제1 스프레더층(64)내에 배치되는 것인 LED.
  31. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(86)는 상기 제1 스프레더층(75)내에 배치되는 것인 LED.
  32. 제23항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(102)는 상기 기판(104)과 상기 제1 스프레더층(106) 사이의 경계면상에, 실질적으로는 상기 기판(104)내에 배치되는 것인 LED.
  33. 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드(LED)에 있어서,
    에피택셜 성장 p형층과, 에피택셜 성장 n형층과, 상기 에피택셜 성장 p형층과 상기 에피택셜 성장 n형층 사이의 에피택셜 성장 활성층을 갖는 LED 구조체(172)와;
    상기 LED 구조체(172)상에 배치된 반사층(175)과;
    상기 반사층(175)상에 배치된 제2 스프레더층(189)과;
    상기 제2 스프레더층(189)상에 배치된 서브마운트(176)와;
    상기 반사층(174)의 맞은 편에서 상기 LED 구조체(172)에 인접한 제1 스프레더층(180)과;
    상기 LED와 일체형으로 배치되고, 상기 LED 구조체(172)에 평행하게 이어지고, 실질적으로 상기 LED를 커버하는 광 적출 구조체(186)
    를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 스프레더층(189, 180) 양단에 인가된 바이어스는 상기 활성층에서 빛을 방출시키고, 상기 기판(184)은 주된 빛 방출 표면인 것인 LED.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(186)는 곡선 또는 구분적으로 직선인 표면을 갖는 광 적출 요소(LEE) 어레이를 포함하는 것인 LED.
  35. 제33항에 있어서,
    상기 광 적출 구조체(186)는 디스퍼서층을 포함하는 것인 LED.
  36. 제33항에 있어서,
    상기 서브마운트(176)상에 배치되고 상기 제2 스프레더층(189)에 인접한 p 콘택(188)과,
    상기 서브마운트(176)와 상기 제1 스프레더층(180) 사이의 전도성 매체(182)와,
    상기 서브마운트(176)상에 배치되고 상기 전도성 매체(182)에 인접한 n콘택(178)을 더 포함하며,
    상기 p 콘택(188)과 상기 n 콘택(178) 양단에 인가된 바이어스는 상기 LED 구조체(172)에서 빛을 방출시키는 것인 LED.
  37. 광 적출을 향상시키기 위한 내부 디스퍼서층을 갖는 발광 다이오드를 성장시키는 방법에 있어서,
    반도체 재료를 성장시키기 위해서 반응기(reactor)에 기판(155)을 배치하는 단계와;
    상기 기판(155)상에 거친 표면을 갖는 제1 반도체층(164)을 성장시키는 단계와;
    상기 반도체층의 성장을 정지시키는 단계와;
    상기 거친층상에 반도체 재료의 디스퍼서층(162)을 성장시키는 단계로서, 상기 디스퍼서층은 상기 제1 층과 다른 굴절률을 갖는 것인 단계와;
    상기 디스퍼서층(162)상에 제2 층을 성장시키는 단계로서, 상기 제2 층은 상기 제1 층(164)과 유사한 굴절률을 갖는 것인 단계와;
    상기 제2 층상에 반도체 발광 구조체(72)를 성장시키는 단계
    를 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 AlInGaN 기반이고,
    상기 제1 층은 디실린(disiline)의 흐름을 증가시키거나, 암모니아의 흐름을 변화시키거나, 또는 상기 제1 층의 성장률을 증가시킴으로써, 거칠게 성장되는 것인 방법.
  39. 제36항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 제1 스프레더층(164)을 갖고,
    상기 디스퍼서층(162)은 상기 스프레더층(164)내에 성장되는 것인 방법.
  40. 광 적출을 향상시키기 위한 내부 디스퍼서층을 갖는 AlInGaN 발광 다이오드를 제조하는 방법에 있어서,
    반도체 재료를 성장시키기 위해서 반응기에 기판(155)을 배치하는 단계와;
    상기 기판(155)상에 AlxInyGa1-x-yN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1)으로 이루어진 재료의 유착되지 않은 섬들(uncoalesced islands)(156)을 성장시키는 단계와;
    상기 섬들(156)의 성장을 정지시키는 단계와;
    상기 유착되지 않은 섬들(156)상에 디스퍼서층(152)을 증착하는 단계로서, 상기 디스퍼서층은 상기 고농도 도핑된 GaN 재료와 다른 굴절률을 갖는 것인 단계와;
    상기 디스퍼서층상에 AlxInyGa1-x-yN(0 ≤x ≤1, 0 ≤y ≤1)으로 이루어진 재료의 층(154)을 성장시키는 단계로서, 상기 층은 평탄한 표면을 갖는 것인 단계와;
    상기 층(154)상에 발광 구조체(72)를 성장시키는 단계
    를 포함하는 방법.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7470938B2 (en) 2004-03-30 2008-12-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
KR101047718B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101079415B1 (ko) * 2004-02-27 2011-11-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2011149163A1 (ko) * 2010-05-27 2011-12-01 고려대학교 산학협력단 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101102998B1 (ko) * 2010-02-03 2012-01-05 정명영 발광다이오드 칩
KR101286418B1 (ko) * 2006-02-16 2013-07-19 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 3족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101317632B1 (ko) * 2007-04-17 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101335342B1 (ko) * 2004-06-22 2013-12-02 버티클 인코퍼레이티드 향상된 광 출력을 갖는 수직 구조 반도체 디바이스
KR101346803B1 (ko) * 2012-05-15 2014-01-03 포항공과대학교 산학협력단 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법
KR101348470B1 (ko) * 2006-03-30 2014-01-06 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 발광 소자
US9246054B2 (en) 2006-05-08 2016-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same

Families Citing this family (496)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6380628B2 (en) * 1999-08-18 2002-04-30 International Business Machines Corporation Microstructure liner having improved adhesion
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7064355B2 (en) 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2004513484A (ja) * 2000-11-02 2004-04-30 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 放出型ディスプレイの輝度向上
JP2002208541A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Shiro Sakai 窒化物系半導体装置及びその製造方法
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6984841B2 (en) * 2001-02-15 2006-01-10 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
US6987613B2 (en) 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
US6897704B2 (en) * 2001-05-25 2005-05-24 Thunder Creative Technologies, Inc. Electronic isolator
EP1596443B1 (en) * 2001-05-29 2015-04-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting element
JP3548735B2 (ja) * 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6563142B2 (en) * 2001-07-11 2003-05-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Reducing the variation of far-field radiation patterns of flipchip light emitting diodes
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
JP5800452B2 (ja) * 2001-07-24 2015-10-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4356723B2 (ja) * 2001-07-24 2009-11-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TW576864B (en) * 2001-12-28 2004-02-21 Toshiba Corp Method for manufacturing a light-emitting device
US20060175625A1 (en) * 2002-05-28 2006-08-10 Ryoji Yokotani Light emitting element, lighting device and surface emission illuminating device using it
JP2004056088A (ja) * 2002-05-31 2004-02-19 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6878969B2 (en) * 2002-07-29 2005-04-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
DE10234977A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
DE10245631B4 (de) 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
DE10245628A1 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7071494B2 (en) 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
US7492092B2 (en) * 2002-12-17 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Self-emitting element, display panel, display apparatus, and method of manufacturing self-emitting element
KR20050113200A (ko) * 2003-02-26 2005-12-01 크리, 인코포레이티드 복합 백색 광원 및 그 제조 방법
US7105861B2 (en) 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7521854B2 (en) 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7084434B2 (en) 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7274043B2 (en) 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US7262550B2 (en) 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7667238B2 (en) 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7074631B2 (en) 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
EP2264798B1 (en) 2003-04-30 2020-10-14 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7714345B2 (en) * 2003-04-30 2010-05-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having coplanar electrical contacts adjacent to a substrate surface opposite an active region and methods of forming the same
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2005005557A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子の製造方法
JP2005019541A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Rohm Co Ltd 光半導体装置
TWI330413B (en) 2005-01-25 2010-09-11 Epistar Corp A light-emitting device
CN1306625C (zh) * 2003-07-16 2007-03-21 璨圆光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
WO2005018008A1 (ja) * 2003-08-19 2005-02-24 Nichia Corporation 半導体素子
DE10346605B4 (de) * 2003-08-29 2022-02-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
DE10340271B4 (de) * 2003-08-29 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschicht-Leuchtdiodenchip und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1658643B1 (de) * 2003-08-29 2018-11-14 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungemittierendes halbleiterbauelement
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
EP1668687A4 (en) * 2003-09-19 2007-11-07 Tinggi Tech Private Ltd FABRICATION OF A CONDUCTIVE METAL LAYER ON SEMICONDUCTOR DEVICES
WO2005029573A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-31 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
US8604497B2 (en) 2003-09-26 2013-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting thin-film semiconductor chip
JP4093943B2 (ja) * 2003-09-30 2008-06-04 三洋電機株式会社 発光素子およびその製造方法
KR100714639B1 (ko) * 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
US7070301B2 (en) 2003-11-04 2006-07-04 3M Innovative Properties Company Side reflector for illumination using light emitting diode
TWI250669B (en) * 2003-11-26 2006-03-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
WO2005064666A1 (en) * 2003-12-09 2005-07-14 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US7189591B2 (en) * 2003-12-19 2007-03-13 Nitto Denko Corporation Process for producing light-emitting semiconductor device
US7090357B2 (en) 2003-12-23 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Combined light source for projection display
JP2005191099A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置
KR100581831B1 (ko) 2004-02-05 2006-05-23 엘지전자 주식회사 발광 다이오드
US7300177B2 (en) 2004-02-11 2007-11-27 3M Innovative Properties Illumination system having a plurality of light source modules disposed in an array with a non-radially symmetrical aperture
US7246923B2 (en) 2004-02-11 2007-07-24 3M Innovative Properties Company Reshaping light source modules and illumination systems using the same
US7427146B2 (en) 2004-02-11 2008-09-23 3M Innovative Properties Company Light-collecting illumination system
TWM271252U (en) * 2004-12-14 2005-07-21 Niching Ind Corp Package structure of light-emitting device
JP4868709B2 (ja) * 2004-03-09 2012-02-01 三洋電機株式会社 発光素子
JP2005259891A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
EP1730790B1 (en) * 2004-03-15 2011-11-09 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
US7385226B2 (en) * 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
TWI237402B (en) * 2004-03-24 2005-08-01 Epistar Corp High luminant device
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
EP1756875A4 (en) * 2004-04-07 2010-12-29 Tinggi Technologies Private Ltd FABRICATION OF A RETROFLECTIVE LAYER ON SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DIODES
US7064356B2 (en) 2004-04-16 2006-06-20 Gelcore, Llc Flip chip light emitting diode with micromesas and a conductive mesh
KR100730114B1 (ko) * 2004-04-19 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
JP2005354020A (ja) * 2004-05-10 2005-12-22 Univ Meijo 半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
US7101050B2 (en) 2004-05-14 2006-09-05 3M Innovative Properties Company Illumination system with non-radially symmetrical aperture
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7582910B2 (en) * 2005-02-28 2009-09-01 The Regents Of The University Of California High efficiency light emitting diode (LED) with optimized photonic crystal extractor
US7345298B2 (en) * 2005-02-28 2008-03-18 The Regents Of The University Of California Horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (DFB) lasers by growth over a patterned substrate
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
US8227820B2 (en) 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7161188B2 (en) * 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
US7795623B2 (en) * 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100649494B1 (ko) * 2004-08-17 2006-11-24 삼성전기주식회사 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
US20060038188A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US7390097B2 (en) 2004-08-23 2008-06-24 3M Innovative Properties Company Multiple channel illumination system
KR20070046024A (ko) * 2004-08-31 2007-05-02 각코우호우징 메이조다이가쿠 반도체 발광 소자 제조 방법 및 반도체 발광 소자
JP2006100787A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置および発光素子
US7476910B2 (en) * 2004-09-10 2009-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US7737459B2 (en) * 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US7304425B2 (en) 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US7329982B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20060091411A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7404756B2 (en) 2004-10-29 2008-07-29 3M Innovative Properties Company Process for manufacturing optical and semiconductor elements
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
KR100682872B1 (ko) * 2004-12-08 2007-02-15 삼성전기주식회사 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR100624449B1 (ko) * 2004-12-08 2006-09-18 삼성전기주식회사 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법
US20070145386A1 (en) * 2004-12-08 2007-06-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
FI118196B (fi) * 2005-07-01 2007-08-15 Optogan Oy Puolijohderakenne ja puolijohderakenteen valmistusmenetelmä
US9130114B2 (en) 2005-01-11 2015-09-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication
US7473936B2 (en) * 2005-01-11 2009-01-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7897420B2 (en) * 2005-01-11 2011-03-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7563625B2 (en) * 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7524686B2 (en) * 2005-01-11 2009-04-28 Semileds Corporation Method of making light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US7186580B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7692207B2 (en) * 2005-01-21 2010-04-06 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7170100B2 (en) 2005-01-21 2007-01-30 Luminus Devices, Inc. Packaging designs for LEDs
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
CN100431182C (zh) * 2005-01-28 2008-11-05 晶元光电股份有限公司 发光组件
JP2006222288A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp 白色ｌｅｄ及びその製造方法
US7652299B2 (en) * 2005-02-14 2010-01-26 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
US9508902B2 (en) 2005-02-21 2016-11-29 Epistar Corporation Optoelectronic semiconductor device
US8097897B2 (en) 2005-06-21 2012-01-17 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
US7291864B2 (en) * 2005-02-28 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Single or multi-color high efficiency light emitting diode (LED) by growth over a patterned substrate
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
KR100712753B1 (ko) * 2005-03-09 2007-04-30 주식회사 실트론 화합물 반도체 장치 및 그 제조방법
JP2006310721A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Yokohama National Univ 自発光デバイス
KR100588377B1 (ko) * 2005-05-10 2006-06-09 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
CN101176214A (zh) * 2005-05-12 2008-05-07 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光光源
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
CN100452452C (zh) * 2005-05-17 2009-01-14 财团法人工业技术研究院 备有发光二极管的翻转侧置结构的发光装置
KR100638819B1 (ko) 2005-05-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 광추출효율이 개선된 수직구조 질화물 반도체 발광소자
KR100654533B1 (ko) * 2005-05-24 2006-12-06 엘지전자 주식회사 광 추출용 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조방법
TWI248691B (en) * 2005-06-03 2006-02-01 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode and method of fabricating thereof
CN100423303C (zh) * 2005-06-09 2008-10-01 璨圆光电股份有限公司 发光二极管及其制造方法
CN100343983C (zh) * 2005-06-09 2007-10-17 华南师范大学 用于红外光探测的雪崩光电二极管的二次封装装置
US8163575B2 (en) * 2005-06-17 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices
WO2007102627A1 (en) * 2005-07-06 2007-09-13 Lg Innotek Co., Ltd Nitride semiconductor led and fabrication metho thereof
EP1905104A1 (en) * 2005-07-11 2008-04-02 Gelcore LLC Laser lift-off led with improved light extraction
KR100900525B1 (ko) * 2005-08-19 2009-06-02 한빔 주식회사 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR100958590B1 (ko) * 2005-08-19 2010-05-18 한빔 주식회사 광추출 효율을 높인 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
US20070018186A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
US8674375B2 (en) * 2005-07-21 2014-03-18 Cree, Inc. Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction
KR100668964B1 (ko) * 2005-09-27 2007-01-12 엘지전자 주식회사 나노 홈을 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
JP4950999B2 (ja) * 2005-10-07 2012-06-13 オスラム シルヴェニア インコーポレイテッド 透光性のヒートシンクを有するｌｅｄ
US7391059B2 (en) 2005-10-17 2008-06-24 Luminus Devices, Inc. Isotropic collimation devices and related methods
US7388233B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-17 Luminus Devices, Inc. Patchwork patterned devices and related methods
US7348603B2 (en) * 2005-10-17 2008-03-25 Luminus Devices, Inc. Anisotropic collimation devices and related methods
US20070085098A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Luminus Devices, Inc. Patterned devices and related methods
SG131803A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
TWI451597B (zh) * 2010-10-29 2014-09-01 Epistar Corp 光電元件及其製造方法
KR100703158B1 (ko) * 2005-10-24 2007-04-06 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
JP2007123381A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 半導体発光素子
JP2007150259A (ja) * 2005-11-02 2007-06-14 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US7977703B2 (en) * 2005-11-22 2011-07-12 Rohm Co., Ltd. Nitride semiconductor device having a zinc-based substrate
KR100640497B1 (ko) * 2005-11-24 2006-11-01 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
US8729580B2 (en) * 2005-12-06 2014-05-20 Toshiba Techno Center, Inc. Light emitter with metal-oxide coating
SG133432A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
BRPI0620397A2 (pt) 2005-12-22 2011-11-16 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação
US7798678B2 (en) * 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
US20100084679A1 (en) * 2006-01-06 2010-04-08 Epistar Corporation Light-emitting device
US20080128734A1 (en) * 2006-01-06 2008-06-05 Epistar Corporation Light-emitting device
JP2007194289A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体発光デバイス及びその製造方法
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
JP2009524247A (ja) 2006-01-20 2009-06-25 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド ルミファー膜を空間的に分離することにより固体光発光素子におけるスペクトル内容をシフトすること
KR101241477B1 (ko) 2006-01-27 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US7622746B1 (en) * 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
SE529711C2 (sv) * 2006-03-22 2007-11-06 Aamic Ab Fluorescensläsare
KR101198763B1 (ko) * 2006-03-23 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 기둥 구조와 이를 이용한 발광 소자 및 그 형성방법
CN101432895B (zh) 2006-04-24 2012-09-05 克利公司 侧视表面安装式白光led
KR100828873B1 (ko) * 2006-04-25 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7955531B1 (en) 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
KR100780233B1 (ko) 2006-05-15 2007-11-27 삼성전기주식회사 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
KR100735470B1 (ko) * 2006-05-19 2007-07-03 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
KR100755591B1 (ko) * 2006-06-22 2007-09-06 고려대학교 산학협력단 질화물계 발광소자의 제조방법
US20070295951A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Jen-Inn Chyi Light-emitting diode incorporating an array of light extracting spots
TWI309481B (en) 2006-07-28 2009-05-01 Epistar Corp A light emitting device having a patterned substrate and the method thereof
WO2008027692A2 (en) * 2006-08-02 2008-03-06 Abu-Ageel Nayef M Led-based illumination system
US7674639B2 (en) * 2006-08-14 2010-03-09 Bridgelux, Inc GaN based LED with etched exposed surface for improved light extraction efficiency and method for making the same
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
WO2008024385A2 (en) 2006-08-23 2008-02-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
KR100796522B1 (ko) 2006-09-05 2008-01-21 삼성전기주식회사 전자소자 내장형 인쇄회로기판의 제조방법
DE102006057747B4 (de) 2006-09-27 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper
DE102007004302A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
KR20080048318A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 삼성전자주식회사 산란부를 구비하는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
WO2008070604A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008070607A1 (en) 2006-12-04 2008-06-12 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
KR100869962B1 (ko) * 2006-12-07 2008-11-24 한국전자통신연구원 전류 확산층을 포함하는 발광소자의 제조방법
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
JP5082752B2 (ja) * 2006-12-21 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
EP3223313B1 (en) 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
TWI396297B (zh) * 2007-01-24 2013-05-11 Tera Xtal Technology Corp 發光二極體結構及其製造方法
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
JP5176334B2 (ja) * 2007-02-01 2013-04-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TWI321366B (en) 2007-02-09 2010-03-01 Huga Optotech Inc Epi-structure with uneven multi-quantum well and the method thereof
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
CN102347405A (zh) * 2007-03-08 2012-02-08 医药及科学传感器公司 用于恶劣环境的发光二极管
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
US20080283503A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Cheng-Yi Liu Method of Processing Nature Pattern on Expitaxial Substrate
KR101393785B1 (ko) * 2007-05-21 2014-05-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR101283261B1 (ko) * 2007-05-21 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
DE102007028223A1 (de) * 2007-06-20 2009-01-02 Touchtek Corporation, Chunan Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
WO2009002129A2 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
JP5493252B2 (ja) * 2007-06-28 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US8179034B2 (en) 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
CN101743488B (zh) 2007-07-17 2014-02-26 科锐公司 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8617997B2 (en) * 2007-08-21 2013-12-31 Cree, Inc. Selective wet etching of gold-tin based solder
US11114594B2 (en) * 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
JP2010541295A (ja) * 2007-10-08 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長コンバータが接合された発光ダイオード
KR101361029B1 (ko) * 2007-10-19 2014-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8575633B2 (en) 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US8536584B2 (en) 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
TWI401818B (zh) * 2007-11-21 2013-07-11 Univ Nat Cheng Kung Surface plasmon resonance enhanced light emitting device and its preparation method
JP5045418B2 (ja) * 2007-11-28 2012-10-10 三菱化学株式会社 ＧａＮ系ＬＥＤ素子、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法およびＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用テンプレート
KR20100097205A (ko) * 2007-12-10 2010-09-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 단순화된 광 추출을 갖는 하향-변환된 발광 다이오드
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
KR100947676B1 (ko) * 2007-12-17 2010-03-16 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
TW200929593A (en) * 2007-12-20 2009-07-01 Nat Univ Tsing Hua Light source with reflective pattern structure
US20090166654A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Zhiyin Gan Light-emitting diode with increased light efficiency
CN102163667B (zh) * 2008-01-14 2014-04-16 晶元光电股份有限公司 半导体发光结构
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
DE102008015551A1 (de) * 2008-03-25 2009-10-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit planarer Kontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2280427B1 (en) * 2008-04-25 2013-08-21 LG Innotek Co., Ltd Light emitting diode
US8664747B2 (en) * 2008-04-28 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding
US20100200880A1 (en) * 2008-06-06 2010-08-12 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor wafers and semiconductor devices and methods of making semiconductor wafers and devices
US8395168B2 (en) * 2008-06-06 2013-03-12 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Semiconductor wafers and semiconductor devices with polishing stops and method of making the same
EP2303039A4 (en) * 2008-06-11 2011-08-31 Susanne Gardner BEVERAGES COMPOSED FROM WINE STUFFS
TWI420693B (zh) * 2008-07-17 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
TW201005997A (en) * 2008-07-24 2010-02-01 Advanced Optoelectronic Tech Rough structure of optoeletronics device and fabrication thereof
US8384115B2 (en) * 2008-08-01 2013-02-26 Cree, Inc. Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips
JP2008277871A (ja) * 2008-08-22 2008-11-13 Showa Denko Kk Ｌｅｄランプ
EP2164302A1 (de) 2008-09-12 2010-03-17 Ilford Imaging Switzerland Gmbh Optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
US7825427B2 (en) * 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
US9070827B2 (en) 2010-10-29 2015-06-30 Epistar Corporation Optoelectronic device and method for manufacturing the same
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR101009651B1 (ko) * 2008-10-15 2011-01-19 박은현 3족 질화물 반도체 발광소자
US20100102352A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
US9051177B2 (en) * 2008-10-27 2015-06-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Active optical limiting semiconductor device and method with active region transparent to light becoming opaque when not biased
US20100110551A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 3M Innovative Properties Company Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer
KR101007113B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101064016B1 (ko) 2008-11-26 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8017963B2 (en) * 2008-12-08 2011-09-13 Cree, Inc. Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
US20100202129A1 (en) * 2009-01-21 2010-08-12 Abu-Ageel Nayef M Illumination system utilizing wavelength conversion materials and light recycling
KR101097878B1 (ko) 2009-02-11 2011-12-23 전북대학교산학협력단 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR101134810B1 (ko) 2009-03-03 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
DE102009020127A1 (de) * 2009-03-25 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
US8704257B2 (en) * 2009-03-31 2014-04-22 Epistar Corporation Light-emitting element and the manufacturing method thereof
US8529102B2 (en) * 2009-04-06 2013-09-10 Cree, Inc. Reflector system for lighting device
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8741715B2 (en) * 2009-04-29 2014-06-03 Cree, Inc. Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication
JP2012526392A (ja) 2009-05-05 2012-10-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 抽出効率を向上させた再発光半導体構造
KR101047617B1 (ko) * 2009-05-21 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102009023351A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
US20100327300A1 (en) * 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
KR20110018563A (ko) * 2009-08-18 2011-02-24 우리엘에스티 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
TWI405409B (zh) * 2009-08-27 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 低電壓差動訊號輸出級
US9362459B2 (en) 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
KR101096301B1 (ko) 2009-10-26 2011-12-20 고려대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 제조방법
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US8525221B2 (en) * 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
JP2010045418A (ja) * 2009-11-27 2010-02-25 Showa Denko Kk 発光素子の製造方法
JP2010056564A (ja) * 2009-11-27 2010-03-11 Showa Denko Kk 発光素子の製造方法及び発光素子
TWI415300B (zh) * 2009-12-24 2013-11-11 Hk Applied Science & Tech Res 半導體晶圓及半導體裝置及製造半導體晶圓及裝置之方法
KR100993074B1 (ko) 2009-12-29 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
TWI502768B (zh) * 2009-12-31 2015-10-01 Epistar Corp 光電半導體裝置及其製造方法
KR101028251B1 (ko) * 2010-01-19 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9117954B2 (en) * 2010-03-09 2015-08-25 European Nano Invest Ab High efficiency nanostructured photovoltaic device manufacturing
US8642368B2 (en) * 2010-03-12 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Enhancement of LED light extraction with in-situ surface roughening
JP2010147505A (ja) * 2010-03-16 2010-07-01 Showa Denko Kk 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2010135856A (ja) * 2010-03-16 2010-06-17 Showa Denko Kk 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2010135855A (ja) * 2010-03-16 2010-06-17 Showa Denko Kk 発光素子の製造方法及び発光素子
WO2011125311A1 (ja) * 2010-04-01 2011-10-13 パナソニック株式会社 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
CN102222748B (zh) * 2010-04-16 2014-07-16 清华大学 发光二极管
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
CN101859860B (zh) * 2010-05-04 2013-04-10 厦门市三安光电科技有限公司 具有双反射层的铝镓铟磷系发光二极管的制备方法
US20120018755A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 The Regents Of The University Of California Light emitting devices with embedded void-gap structures through bonding of structured materials on active devices
US9389408B2 (en) 2010-07-23 2016-07-12 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope and methods of measuring patterned substrates
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
WO2012026695A2 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with improved luminous efficiency
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US8980730B1 (en) 2010-09-14 2015-03-17 Stc.Unm Selective nanoscale growth of lattice mismatched materials
TWI501421B (zh) * 2010-09-21 2015-09-21 Epistar Corp 光電元件及其製造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101259482B1 (ko) * 2010-09-24 2013-05-06 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광다이오드
CN102130251B (zh) * 2010-09-28 2014-09-03 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
US9293653B2 (en) 2010-10-08 2016-03-22 Guardian Industries Corp. Light source with light scattering features, device including light source with light scattering features, and/or methods of making the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
JP5625725B2 (ja) * 2010-10-18 2014-11-19 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
KR20120040448A (ko) * 2010-10-19 2012-04-27 삼성엘이디 주식회사 수직형 발광 소자
US8192051B2 (en) 2010-11-01 2012-06-05 Quarkstar Llc Bidirectional LED light sheet
KR20130128420A (ko) 2010-11-18 2013-11-26 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 폴리실라잔 결합층을 포함하는 발광 다이오드 성분
KR101274651B1 (ko) 2010-11-30 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
JP5589812B2 (ja) 2010-12-06 2014-09-17 豊田合成株式会社 半導体発光素子
JPWO2012093601A1 (ja) * 2011-01-07 2014-06-09 三菱化学株式会社 エピタキシャル成長用基板およびＧａＮ系ＬＥＤデバイス
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8410726B2 (en) 2011-02-22 2013-04-02 Quarkstar Llc Solid state lamp using modular light emitting elements
US8314566B2 (en) 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
DE102011012928A1 (de) * 2011-03-03 2012-09-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
KR20120116231A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 (주)버티클 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9245874B2 (en) 2011-04-18 2016-01-26 Cree, Inc. LED array having embedded LED and method therefor
TWI470829B (zh) * 2011-04-27 2015-01-21 Sino American Silicon Prod Inc 磊晶基板的製作方法、發光二極體，及其製作方法
TWI429030B (zh) * 2011-05-16 2014-03-01 Sino American Silicon Prod Inc 發光二極體基板與發光二極體
TWI438932B (zh) * 2011-05-27 2014-05-21 Nat Univ Tsing Hua 準直性發光元件與其製造方法
TW201351696A (zh) * 2011-05-31 2013-12-16 Aceplux Optotech Inc 高光取出率發光二極體的製作方法
CN102820386B (zh) * 2011-06-11 2017-01-25 昆山中辰矽晶有限公司 磊晶基板的制造方法、发光二极体及其制造方法
US9142741B2 (en) 2011-06-15 2015-09-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10522714B2 (en) 2011-06-15 2019-12-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
KR20140047070A (ko) 2011-06-15 2014-04-21 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 역전된 대면적 광 추출 구조들을 갖는 디바이스
US9337387B2 (en) 2011-06-15 2016-05-10 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with improved extraction
US10319881B2 (en) 2011-06-15 2019-06-11 Sensor Electronic Technology, Inc. Device including transparent layer with profiled surface for improved extraction
US9741899B2 (en) 2011-06-15 2017-08-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Device with inverted large scale light extraction structures
US10170668B2 (en) 2011-06-21 2019-01-01 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved current spreading and light extraction and associated methods
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US8686429B2 (en) 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US8395165B2 (en) 2011-07-08 2013-03-12 Bridelux, Inc. Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US20130026480A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
CN103563483A (zh) * 2011-07-27 2014-02-05 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
US8916906B2 (en) 2011-07-29 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon
US8865565B2 (en) 2011-08-02 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Toshiba LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US9343641B2 (en) 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
US9142743B2 (en) 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
US20130032810A1 (en) 2011-08-03 2013-02-07 Bridgelux, Inc. Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
US8564010B2 (en) 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US8669585B1 (en) 2011-09-03 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US10032956B2 (en) 2011-09-06 2018-07-24 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
WO2013033841A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Trilogy Environmental Systems Inc. Hybrid desalination system
US9324560B2 (en) 2011-09-06 2016-04-26 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned substrate design for layer growth
US8558247B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Toshiba Techno Center Inc. GaN LEDs with improved area and method for making the same
US8686430B2 (en) 2011-09-07 2014-04-01 Toshiba Techno Center Inc. Buffer layer for GaN-on-Si LED
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
KR20130035658A (ko) * 2011-09-30 2013-04-09 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드 소자용 기판 제조 방법
US8957440B2 (en) 2011-10-04 2015-02-17 Cree, Inc. Light emitting devices with low packaging factor
US8552465B2 (en) 2011-11-09 2013-10-08 Toshiba Techno Center Inc. Method for reducing stress in epitaxial growth
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8809875B2 (en) 2011-11-18 2014-08-19 LuxVue Technology Corporation Micro light emitting diode
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
EP2780954B1 (en) * 2011-11-18 2019-10-16 Apple Inc. Method of forming a micro led structure
CN103137816B (zh) * 2011-12-03 2015-09-30 清华大学 发光二极管
CN103137803B (zh) * 2011-12-03 2015-08-26 清华大学 发光二极管
CN103137812B (zh) * 2011-12-03 2015-11-25 清华大学 发光二极管
CN103137804B (zh) * 2011-12-03 2015-09-30 清华大学 发光二极管
WO2013095037A1 (ko) * 2011-12-23 2013-06-27 서울옵토디바이스(주) 발광다이오드 및 그 제조 방법
FR2985609B1 (fr) 2012-01-05 2014-02-07 Commissariat Energie Atomique Substrat structure pour leds a forte extraction de lumiere
JP5606465B2 (ja) * 2012-02-01 2014-10-15 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
WO2013116631A1 (en) 2012-02-02 2013-08-08 The Procter & Gamble Company Light emitting laminate and method of making thereof
WO2013121347A1 (en) 2012-02-16 2013-08-22 Koninklijke Philips N.V. Optical element for uniform lighting
TWI484663B (zh) * 2012-03-14 2015-05-11 Genesis Photonics Inc 半導體發光元件及其製作方法
US20150084058A1 (en) * 2012-03-19 2015-03-26 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device grown on a silicon substrate
TWI523269B (zh) 2012-03-30 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN103367595B (zh) * 2012-03-30 2016-02-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制造方法
TWI528579B (zh) 2012-04-18 2016-04-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體元件
TW201347231A (zh) 2012-05-04 2013-11-16 Lextar Electronics Corp 發光二極體元件
JP2012169667A (ja) * 2012-05-11 2012-09-06 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
CN103682005B (zh) * 2012-09-12 2016-12-07 顾玉奎 Led磊晶制程
US8814376B2 (en) 2012-09-26 2014-08-26 Apogee Translite, Inc. Lighting devices
US9000414B2 (en) * 2012-11-16 2015-04-07 Korea Photonics Technology Institute Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures
US8896008B2 (en) 2013-04-23 2014-11-25 Cree, Inc. Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes
CN110246946B (zh) 2013-06-04 2023-04-21 科锐Led公司 发光二极管介质镜
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
KR102075644B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 조명시스템
US10139059B2 (en) 2014-02-18 2018-11-27 DMF, Inc. Adjustable compact recessed lighting assembly with hangar bars
US11060705B1 (en) 2013-07-05 2021-07-13 DMF, Inc. Compact lighting apparatus with AC to DC converter and integrated electrical connector
US9964266B2 (en) 2013-07-05 2018-05-08 DMF, Inc. Unified driver and light source assembly for recessed lighting
US11255497B2 (en) 2013-07-05 2022-02-22 DMF, Inc. Adjustable electrical apparatus with hangar bars for installation in a building
US11435064B1 (en) 2013-07-05 2022-09-06 DMF, Inc. Integrated lighting module
US10753558B2 (en) 2013-07-05 2020-08-25 DMF, Inc. Lighting apparatus and methods
US10563850B2 (en) 2015-04-22 2020-02-18 DMF, Inc. Outer casing for a recessed lighting fixture
US10551044B2 (en) 2015-11-16 2020-02-04 DMF, Inc. Recessed lighting assembly
JP6248786B2 (ja) * 2014-04-25 2017-12-20 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
US9548419B2 (en) 2014-05-20 2017-01-17 Southern Taiwan University Of Science And Technology Light emitting diode chip having multi microstructure substrate surface
WO2015181671A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Koninklijke Philips N.V. Light-emitting device with patterned substrate
KR102199995B1 (ko) * 2014-06-02 2021-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP6617401B2 (ja) * 2014-09-30 2019-12-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
CA2931588C (en) 2015-05-29 2021-09-14 DMF, Inc. Lighting module for recessed lighting systems
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
KR102382440B1 (ko) 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
FR3038451B1 (fr) * 2015-06-30 2017-07-21 Commissariat Energie Atomique Dispositif electroluminescent.
KR102393374B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법
CN108369977B (zh) 2015-10-01 2021-06-15 克利公司 低光学损失倒装芯片固态照明设备
USD851046S1 (en) 2015-10-05 2019-06-11 DMF, Inc. Electrical Junction Box
US10461221B2 (en) 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
US10770440B2 (en) 2017-03-15 2020-09-08 Globalfoundries Inc. Micro-LED display assembly
CN106992231B (zh) * 2017-04-06 2019-05-21 厦门三安光电有限公司 氮化物半导体元件及其制作方法
USD905327S1 (en) 2018-05-17 2020-12-15 DMF, Inc. Light fixture
US10488000B2 (en) 2017-06-22 2019-11-26 DMF, Inc. Thin profile surface mount lighting apparatus
WO2018237294A2 (en) 2017-06-22 2018-12-27 DMF, Inc. THIN-PROFILE SURFACE MOUNTING LIGHTING DEVICE
JP6719424B2 (ja) * 2017-06-26 2020-07-08 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
EP3662514A1 (en) 2017-08-03 2020-06-10 Cree, Inc. High density pixelated-led chips and chip array devices, and fabrication methods
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US11067231B2 (en) 2017-08-28 2021-07-20 DMF, Inc. Alternate junction box and arrangement for lighting apparatus
CA3083359A1 (en) 2017-11-28 2019-06-06 DMF, Inc. Adjustable hanger bar assembly
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US10879431B2 (en) 2017-12-22 2020-12-29 Lumileds Llc Wavelength converting layer patterning for LED arrays
WO2019133669A1 (en) 2017-12-27 2019-07-04 DMF, Inc. Methods and apparatus for adjusting a luminaire
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
USD877957S1 (en) 2018-05-24 2020-03-10 DMF Inc. Light fixture
CA3103255A1 (en) 2018-06-11 2019-12-19 DMF, Inc. A polymer housing for a recessed lighting system and methods for using same
USD903605S1 (en) 2018-06-12 2020-12-01 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
WO2020013563A1 (ko) * 2018-07-09 2020-01-16 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
DE102018119622A1 (de) * 2018-08-13 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11201265B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
WO2020072592A1 (en) 2018-10-02 2020-04-09 Ver Lighting Llc A bar hanger assembly with mating telescoping bars
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
USD864877S1 (en) 2019-01-29 2019-10-29 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box with a lighting module mounting yoke
USD901398S1 (en) 2019-01-29 2020-11-10 DMF, Inc. Plastic deep electrical junction box
USD1012864S1 (en) 2019-01-29 2024-01-30 DMF, Inc. Portion of a plastic deep electrical junction box
US11251406B2 (en) 2019-03-07 2022-02-15 Vitro Flat Glass Llc Borosilicate light extraction region
USD966877S1 (en) 2019-03-14 2022-10-18 Ver Lighting Llc Hanger bar for a hanger bar assembly
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
DE102019112762A1 (de) * 2019-05-15 2020-11-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelement mit vergrabenen dotierten bereichen und verfahren zur herstellung eines bauelements
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
WO2021051101A1 (en) 2019-09-12 2021-03-18 DMF, Inc. Miniature lighting module and lighting fixtures using same
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11674795B2 (en) 2019-12-18 2023-06-13 Lumileds Llc Miniature pattern projector using microLEDs and micro-optics
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CA3124976A1 (en) 2020-07-17 2022-01-17 DMF, Inc. Polymer housing for a lighting system and methods for using same
USD990030S1 (en) 2020-07-17 2023-06-20 DMF, Inc. Housing for a lighting system
US11585517B2 (en) 2020-07-23 2023-02-21 DMF, Inc. Lighting module having field-replaceable optics, improved cooling, and tool-less mounting features
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3954534A (en) 1974-10-29 1976-05-04 Xerox Corporation Method of forming light emitting diode array with dome geometry
DE2633191A1 (de) 1976-07-23 1978-01-26 Siemens Ag Lumineszenzstrahlung erzeugendes bauelement mit grosser strahlungsausbeute
JPS6430277A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Hitachi Ltd Light convergent type light-emitting device
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
JP3152708B2 (ja) * 1991-12-12 2001-04-03 株式会社東芝 半導体発光素子
JP3139890B2 (ja) 1992-08-25 2001-03-05 三菱電線工業株式会社 半導体発光素子
GB2270199B (en) * 1992-08-25 1995-05-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd Semiconductor light emitting element
US5359208A (en) 1993-02-26 1994-10-25 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Chip package with microlens array
JP2778405B2 (ja) * 1993-03-12 1998-07-23 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH06338630A (ja) 1993-05-28 1994-12-06 Omron Corp 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置
TW253999B (ko) 1993-06-30 1995-08-11 Hitachi Cable
JP3316062B2 (ja) * 1993-12-09 2002-08-19 株式会社東芝 半導体発光素子
JPH07176788A (ja) 1993-12-17 1995-07-14 Sharp Corp 発光ダイオード
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JP3257286B2 (ja) * 1994-10-17 2002-02-18 日立電線株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3633018B2 (ja) 1995-02-16 2005-03-30 昭和電工株式会社 半導体発光装置
US5814839A (en) * 1995-02-16 1998-09-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same
US5614734A (en) * 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JPH0936431A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Toshiba Corp 半導体発光素子
DE19629920B4 (de) * 1995-08-10 2006-02-02 LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3233569B2 (ja) * 1996-03-22 2001-11-26 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3448441B2 (ja) * 1996-11-29 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光装置
JP3439063B2 (ja) * 1997-03-24 2003-08-25 三洋電機株式会社 半導体発光素子および発光ランプ
JPH10270758A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
JP2998696B2 (ja) * 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH11121795A (ja) * 1997-10-16 1999-04-30 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JPH11220171A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
GB9807692D0 (en) * 1998-04-14 1998-06-10 Univ Strathclyde Optival devices
EP0977277A1 (en) * 1998-07-28 2000-02-02 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Devices for emitting radiation with a high efficiency and a method for fabricating such devices
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6614056B1 (en) * 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
CA2393081C (en) 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
EP1256750A4 (en) 2000-02-18 2003-05-07 Hitachi Ltd FLOW LIMITATION VALVE, MOTOR TYPE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP3595277B2 (ja) * 2001-03-21 2004-12-02 三菱電線工業株式会社 ＧａＮ系半導体発光ダイオード

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101079415B1 (ko) * 2004-02-27 2011-11-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7470938B2 (en) 2004-03-30 2008-12-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
KR101335342B1 (ko) * 2004-06-22 2013-12-02 버티클 인코퍼레이티드 향상된 광 출력을 갖는 수직 구조 반도체 디바이스
KR101286418B1 (ko) * 2006-02-16 2013-07-19 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 3족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101348470B1 (ko) * 2006-03-30 2014-01-06 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 발광 소자
US9246054B2 (en) 2006-05-08 2016-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
US9837578B2 (en) 2006-05-08 2017-12-05 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having light extraction structure and method for manufacturing the same
KR101317632B1 (ko) * 2007-04-17 2013-10-10 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
KR101047718B1 (ko) * 2008-11-26 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US8154041B2 (en) 2008-11-26 2012-04-10 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US8710528B2 (en) 2008-11-26 2014-04-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR101102998B1 (ko) * 2010-02-03 2012-01-05 정명영 발광다이오드 칩
WO2011149163A1 (ko) * 2010-05-27 2011-12-01 고려대학교 산학협력단 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101346803B1 (ko) * 2012-05-15 2014-01-03 포항공과대학교 산학협력단 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법

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