KR101361029B1 - 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 내부에 갖고 형성된 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.

또한, 본 발명은 상기 질화물 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.

질화물, 반도체, 양자점, 광추출

Description

질화물 반도체 소자 및 그 제조방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 발광다이오드(LED), 레이저다이오드(LD) 등의 발광소자, 태양전지, 광센서 등의 수광소자, 또는 트랜지스터, 파워디바이스 등의 전자디바이스에 사용되는 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근, GaN 등의 Ⅲ-Ⅴ 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화화적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 청색 또는 녹색 파장대의 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 이러한 발광 소자는 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다. 상기 Ⅲ-Ⅴ 질화물 반도체는 통상 In_XAl_YGa_{1 -X- Y}N (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)의 조성식을 갖는 GaN계 물질로 이루어져 있다.

그러면, 이하 도 1을 참조하여 상기와 같이 Ⅲ-Ⅴ 질화물 반도체를 사용한 종래의 질화물 반도체 소자(LED)에 대하여 상세하게 설명한다.

도 1은 종래 기술에 따른 질화물 반도체 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따라 질화물 반도체를 사용한 LED 소자는, 광투과성 기판(100) 상에 GaN으로 된 버퍼층(110), n형 클래드층(120), 단일 양자 우물(SQW) 구조의 InGaN 또는 InGaN을 함유하는 다중 양자 우물(MQW) 구조의 활성층(130), p형 클래드층(140)이 순차 적층된 발광 구조물을 기본 구조로 가진다.

그리고, 상기 p형 클래드층(140)과 활성층(130)은 일부 메사 식각(mesa etching) 공정에 의하여 그 일부 영역이 제거된 바, n형 클래드층(120)의 일부 상면이 노출되어 있다.

상기 노출된 n형 클래드층(120)의 상면에는 n형 전극(170)이 형성되어 있고, p형 클래드층(160) 상에는 ITO 등으로 이루어진 투명 도전체층(150)과 p형 전극(160)이 순차 적층된 구조로 형성되어 있다.

그런데, 상기 질화물 반도체 소자는 발광 구조물의 서로 다른 층 즉, n형 클래드층(120), 활성층(130) 및 p형 클래드층(140)들 간의 굴절률의 차이로 인해 전반사각이 생기게 되며, 이로 인해 전반사각 이상의 각으로 방출된 광은 발광 구조물 내에서 내부 반사 등을 통해 흡수되거나 소멸되어 광 출력이 저하되는 문제가 있다.

따라서, 상기 질화물 반도체 소자의 전반사로 인해 발광 구조물 내부에서 소멸되는 광의 양을 감소시키고, 광의 외부 추출 효율을 증가시킬 수 있는 질화물 반도체 소자 관련 기술의 개발이 계속적으로 요구되고 있다.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 발광 구조물 내에 복수의 양자점을 MOCVD 공정을 통해 형성함으로써, 상기 복수의 양자점을 통해 발광 구조물을 구성하는 층들 간에 서로 다른 굴절률 차이로 인해 발생된 전반사각으로 인해 활성층에서 방출된 광이 발광 구조물 내부로 흡수 또는 소멸되는 것을 방지할 수 있는 질화물 반도체 소자를 제공하는 데 있다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 질화물 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 양자점 형 태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 내부에 갖고 형성된 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성된 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자에서, 상기 n형 클래드층은 MOCVD 증착 방법으로 형성되고, 상기 입자덩어리는 상기 n형 클래드층을 형성하는 중 MOCVD 증착 방법으로 인-시츄(in-situ)로 형성된 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자에서, 상기 입자덩어리는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소(ternary) 또는 사원소(quaternary)로 형성된 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자에서, 상기 기판과 n형 클래드층의 계면에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자에서, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 불균일하게 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자에서, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 균일하게 형성되는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치된 복수의 질화물계 입자덩어리는 다층으로 이루어질 수 있다.

상기한 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 내부에 갖는 n형 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 n형 클래드층 상에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 p형 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 p형 클래드층과 활성층 및 n형 클래드층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 클래드층의 상면 일부를 노출시키는 단계와, 상기 노출된 n형 클래드층 상에 n형 전극을 형성하는 단계 및 상기 p형 클래드층 상에 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층을 형성하는 공정 중에 인-시츄로 MOCVD 증착 방법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 입자덩어리는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소 또는 사원소로 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 불균일하게 형성하게 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 균일하게 형 성하는 것이 바람직하며, 보다 구체적으로, 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치하도록 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치된 복수의 질화물계 입자덩어리는 다층으로 형성될 수 있다.

또한, 상기 본 발명의 질화물 반도체 소자의 제조방법에서, 상기 기판 상에 n형 클래드층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명은 n형 클래드층 내에 위치하는 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 통해 발광 구조물 내부에서 흡수 및 소멸되는 광의 양을 감소시켜 발광 효율을 높여 고출력 특성을 확보할 수 있다.

또한, 본 발명은 n형 클래드층 형성 중 인-시츄로 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 형성함으로써, 발광 구조물을 이루는 질화물 반도체의 성장 초기 부분에서 발생되는 전위(dislocation)를 감소시켜 질화물 반도체 소자의 휘도 향상 및 ESD 내압을 증가시킬 수 있다.

본 발명의 질화물 반도체 소자 및 그의 제조방법에 대한 구체적인 기술적 구 성에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조하여 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.

질화물 반도체 소자의 구조

도 2를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 구조에 대하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 구조를 나타낸 단면도이다.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자는, 광투과성인 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 버퍼층(110), n형 클래드층(120), 활성층(130) 및 p형 클래드층(140)이 순차 적층되어 이루어진 발광 구조물을 포함하고, 특히, 본 발명에 따른 상기 n형 클래드층(120) 내부에는 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)가 형성되어 있다.

상기 기판(100)은 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에, 기판(100)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(110)은, 상기 n형 클래드층(120)을 성장하기 전에 상기 기판(100)과의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, 일반적으로 GaN 또는 Ga을 포함한 질화물로 형성되어 있으며, 이는 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략 가능하다.

상기 n형 및 p형 클래드층(120, 140)과 활성층(130)은, In_XAl_YGa_{1 -X- Y}N 조성식(여기서, 0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.

보다 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층(120)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, 상기 n형 클래드층(120) 내부에는 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)가 형성되어 있으며, 이는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소 또는 사원소로 형성될 수 있다.

본 발명에 따른 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)는 상기 n형 클래드층(120)을 형성하는 공정 중에 인-시츄(in-situ)로 MOCVD 증착 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이는 불균일 또는 균일하게 형성될 수 있다.

본 실시예에서는 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)가 상기 n형 클래드층(120) 내에 상기 기판(100) 표면에 대하여 평행하게 위치하도록 형성된 상태 즉, 균일하게 형성된 상태를 도시하 고 있다. 한편, 도시하지는 않았으나, 상기 n형 클래드층(120) 내에 상기 기판(100) 표면에 대하여 평행하게 위치된 복수의 질화물계 입자덩어리(125)는 다층으로 이루어질 수 있다.

따라서, 본 발명은 상기 n형 클래드층(120) 내에 형성된 복수의 질화물계 입자덩어리(125)를 요철부로 이용하여 상기 발광 구조물을 이루는 층의 서로 다른 굴절률로 인한 내부 전반사를 최소화하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 상기 n형 클래드층(120) 내에 형성된 복수의 질화물계 입자덩어리(125)를 통해 발광 구조물을 이루는 질화물 반도체의 성장 초기 부분에서 발생되는 전위(dislocation)를 감소시켜 ESD 내압을 증가시킬 수 있다.

상기 활성층(130)은 복수개의 양자우물층과 복수개의 양자장벽층이 교번하여 적층된 다중양자우물(Multi-Quantum Well) 구조 또는 단일양자우물 구조로 이루어질 수 있다.

상기 p형 클래드층(140)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다.

그리고, 상기 p형 클래드층(140) 및 활성층(130)의 일부는 메사 식각(mesa etching)으로 제거되어, 저면에 위치하는 n형 클래드층(120)의 일부를 노출하고 있다.

상기 메사 식각에 의해 노출된 n형 질화물 반도체층(120) 상의 소정 부분에는 반사 역할 및 전극 역할을 동시에 하는 n형 전극(160)이 형성되어 있고, 상기 p 형 질화물 반도체층(140) 상에는 전류를 확산시키기 위한 투명 도전체층(150) 및 p형 전극(160)이 순차 형성되어 있다.

상기 투명 도전체층(150)은, 전류 주입 면적을 증가시켜 전류확산 효과를 향상시키기 위한 층으로 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 및 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 이루어질 수 있으며, 공정 조건 및 소자의 특성에 따라 생략 가능하다.

질화물 반도체 소자의 제조방법

본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 제조방법에 대하여 도 3a 내지 3d 및 앞서 설명한 도 2를 참고로 하여 상세히 설명한다.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다.

우선, 도 3a에 도시한 바와 같이, 기판(100) 상에 버퍼층(110) 및 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)를 내부에 갖는 n형 클래드층(120)을 순차적으로 형성한다.

여기서, 상기 기판(100)은 바람직하게는, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성하며, 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride, AlN)로 형성할 수 있 다.

상기 버퍼층(110)은 상기 기판(100)과 n형 클래드층(120)의 격자정합을 향상시키기 위한 층으로, GaN 계열 또는 SiC 계열의 버퍼층을 더 형성할 수 있으며, 이는 공정 조건 및 소자 특성에 따라 생략 가능하다.

상기 n형 클래드층(120)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 물질일 수 있으며, MOCVD 증착 방법을 통해 형성한다.

보다 구체적으로, 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)를 내부에 갖는 n형 클래드층(120)은 먼저, n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 n형 클래드층(120)의 일부인 제1 n형 클래드층(120a)를 MOCVD 증착 방법을 통해 형성한 다음, 그 위에 MOCVD 증착 방법을 통해 인-시츄로 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리(125)를 형성한다. 이때, 상기 입자덩어리(125)는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소 또는 사원소로 형성될 수 있다.

그런 다음, 상기 입자덩어리(125)가 형성된 제1 n형 클래드층(120a) 상에 계속하여 MOCVD 증착 방법을 통해 인-시츄로 제2 n형 클래드층(120b)을 형성한다. 이때, 상기 입자덩어리(125)는 후술하는 활성층에서 발생된 광이 발광 구조물 내에서 전반사되어 흡수 및 소멸되는 것을 방지하는 요철부 역할을 하는 것으로써, 규칙 또는 불규칙한 형태로 공정 조건 및 소자의 특성에 따라 변경하여 형성할 수 있다.

그런 다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화 물계 입자덩어리(125)를 내부에 갖는 n형 클래드층(120) 상에 활성층(130) 및 p형 클래드층(140)을 순차적으로 형성한다.

상기 활성층(130) 및 p형 클래드층(140)은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 물질일 수 있으며, 유기금속화학 증착 공정과 같은 공지의 질화물 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.

이어서, 도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 n형 클래드층(120)의 일부 영역이 노출되도록 상기 p형 클래드층(140)과 활성층(130) 및 n형 클래드층(120)의 일부 영역을 제거하는 메사 식각(mesa etching) 공정을 실시한다.

그런 다음, 도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 p형 클래드층(140) 상에 전류를 확산시키기 위한 투명 도전체층(150) 및 p형 전극(160)을 순차적으로 형성한다.

상기 투명 도전체층(150)은, 전류 주입 면적을 증가시켜 전류확산 효과를 향상시키기 위한 층으로 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 및 TCO(Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 막으로 이루어짐이 바람직하며, 공정 조건 및 소자의 특성에 따라 생략 가능하다.

이어서, 본 발명은 도 2에 도시한 바와 같이 상기 노출된 n형 클래드층(120) 상에 n형 전극(170)을 형성한다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실 시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

도 1은 종래 기술에 따른 질화물 반도체 소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 구조를 나타낸 단면도.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 110 : 버퍼층

120 : n형 클래드층 125 : 입자덩어리

130 : 활성층 140 : p형 클래드층

150 : 투명도전체층 160 : p형 전극

170 : n형 전극

Claims (17)

1. 기판;

   상기 기판 상에 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 내부에 갖고 형성된 n형 클래드층;

   상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층;

   상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층;

   상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 전극; 및

   상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며,

   상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 n형 클래드층은 MOCVD 증착 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
3. 제2항에 있어서,

   상기 입자덩어리는 상기 n형 클래드층을 형성하는 중 MOCVD 증착 방법으로 인-시츄(in-situ)로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
4. 제1항에 있어서,

   상기 입자덩어리는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소 또는 사원소로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
5. 제1항에 있어서,

   상기 기판과 n형 클래드층의 계면에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 제1항에 있어서,

   상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치된 복수의 질화물계 입자덩어리는 다층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
10. 기판 상에 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리를 내부에 갖는 n형 클래드층을 형성하는 단계;

    상기 n형 클래드층 상에 활성층을 형성하는 단계;

    상기 활성층 상에 p형 클래드층을 형성하는 단계;

    상기 p형 클래드층과 활성층 및 n형 클래드층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 클래드층의 상면 일부를 노출시키는 단계;

    상기 노출된 n형 클래드층 상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및

    상기 p형 클래드층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,

    상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.
11. 제10항에 있어서,

    상기 양자점 형태로 이루어진 복수의 질화물계 입자덩어리는 상기 n형 클래드층을 형성하는 공정 중에 인-시츄로 MOCVD 증착 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.
12. 제10항에 있어서,

    상기 입자덩어리는 Al, Ga, In으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나의 원소를 포함한 질화물 또는 이들을 혼합시킨 삼원소 또는 사원소로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제
16. 제10항에 있어서,

    상기 n형 클래드층 내에 상기 기판 표면에 대하여 평행하게 위치된 복수의 질화물계 입자덩어리는 다층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.
17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.

    상기 기판 상에 n형 클래드층을 형성하는 단계 이전에,

    상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조방법.

Images