KR20010051698A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010051698A
KR20010051698A KR1020000067680A KR20000067680A KR20010051698A KR 20010051698 A KR20010051698 A KR 20010051698A KR 1020000067680 A KR1020000067680 A KR 1020000067680A KR 20000067680 A KR20000067680 A KR 20000067680A KR 20010051698 A KR20010051698 A KR 20010051698A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
field effect
effect transistor
current
gate
insulated gate
Prior art date
Application number
KR1020000067680A
Other languages
English (en)
Inventor
야마기시마치오
유모토아키라
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노부유끼, 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 이데이 노부유끼
Publication of KR20010051698A publication Critical patent/KR20010051698A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes

Abstract

본 발명에 관한 장치는 화소 내부의 능동 소자의 특성 불균일에 의존하지 않고, 안정되고 또한 정확하게 각 화소의 발광 소자에 원하는 전류를 공급하는 동시에, 전류 리크를 억제한다.
각 화소는 주사선 scanA가 선택되었을 때 데이터선 data로부터 신호 전류 Iw를 수용하는 수용용 트랜지스터 TFT3와, 수용된 신호 전류 Iw의 전류 레벨을 일단 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환용 트랜지스터 TFT1과, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 발광 소자 OLED에 흐르게 하는 구동용 트랜지스터 TFT2로 이루어진다. TFT1은 TFT3에 의해 수용된 신호 전류 Iw를 자신의 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 레벨을 자신의 게이트에 발생시키고, 용량 C는 TFT1의 게이트에 발생된 전압 레벨을 유지한다. TFT2는 C로 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 발광 소자 OLED에 흐르게 한다. 이 때, TFT2는 그 임계 전압이 TFT1의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있고, 리크 전류를 억제한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 전계 발광 (EL) 소자 등의 전류에 의해 휘도가 제어되는 발광 소자를 각 화소마다 구비한 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 각 화소 내에 설치된 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 등의 능동 소자에 의해 발광 소자에 공급하는 전류량이 제어된다. 이른바 액티브 매트릭스형 화소 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 서브스레시홀드 레벨의 리크 전류의 억제 기술에 관한 것이다.
일반적으로 액티브 매트릭스형 화상 표시 장치에서는 다수의 화소를 매트릭스형으로 배열하고, 부여된 휘도 정보에 따라 화소마다 광 강도를 제어함으로써 화상을 표시한다. 전기 광학 물질로서 액정을 사용한 경우에는 각 화소에 기입되는 전압에 따라 화소의 투과율이 변화된다. 전기 광학 물질로서 유기 전계 발광 재료를 사용한 액티브 매트릭스형 화소 표시 장치에서도, 기본적인 동작은 액정을 사용한 경우와 동일하다. 그러나, 액정 디스플레이와 상이하게 유기 EL 디스플레이는 각 화소에 발광 소자를 갖는다. 이른바 자발광형(自發光型)이며, 액정 디스플레이에 비해 화상의 가시성이 높고, 백라이트가 필요하지 않고, 응답 속도가 빠른 등의 이점을 갖는다. 개개의 발광 소자의 휘도는 전류량에 의해 제어된다. 즉, 발광 소자가 전류 구동형 또는 전류 제어형이라고 하는 점에서 액정 디스플레이 등은 크게 상이하다.
액정 디스플레이와 마찬가지로, 유기 EL 디스플레이도 그 구동 방식으로서 단순 매트릭스 방식과 액티브 매트릭스 방식이 가능하다. 전자는 구조가 단순하지만 대형이면서 고정세의 디스플레이의 실현이 어렵기 때문에, 액티브 매트릭스 방식의 개발이 활발히 행해지고 있다. 액티브 매트릭스 방식은 각 화소에 형성한 발광 소자에 흐르는 전류를 화소 내부에 형성한 능동 소자(일반적으로는 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 일종인 박막 트랜지스터, 이하 TFT라고 하는 경우가 있음)에 의해 제어한다. 상기 액티브 매트릭스 방식의 유기 EL 디스플레이는 예를 들면 일본국 특개평(特開平)8(1996)-234683호 공보에 개시되어 있고, 1화소분의 등가 회로를 도 6에 나타낸다. 화소는 발광 소자 OLED, 제1 박막 트랜지스터 TFT1, 제2 박막 트랜지스터 TFT2 및 유지 용량 C로 이루어진다. 발광 소자는 유기 전계 발광(EL) 소자이다. 유기 EL 소자는 많은 경우 정합성이 있기 때문에, OLED(유기 발광 다이오드)라고 불리는 것이 있고, 도면에서는 발광 소자 OLED로서 다이오드의 신호를 이용하고 있다. 단, 발광 소자는 반드시 발광 소자 OLED에 한정되는 것은 아니며, 소자에 흐르는 전류량에 의해 휘도가 제어되는 것이면 된다. 또, 발광 소자는 반드시 정합성이 요구되는 것을 아니다. 도시의 예에서는 P채널형 TFT2의 소스를 Vdd(전원 전위)로 하고, 발광 소자 OLED의 캐소드(음극)는 접지 전위에 접속되는 한편, 애노드(양극)는 TFT2의 드레인에 접속되어 있다. 한편, N채널형 TFT1의 게이트는 주사선 scan에 접속되고, 소스는 데이터선 data에 접속되고, 드레인은 유지 용량 C 및 TFT2의 게이트에 접속되어 있다.
화소를 동작시키기 위해, 먼저, 주사선 scan을 선택 상태로 하고, 데이터 data에 휘도 정보를 나타내는 데이터 전위 Vw를 인가하면, TFT1이 도통(導通)되고, 유지 용량 C가 충전 또는 방전되고, TFT2의 게이트 전위는 데이터 전위 Vw에 일치한다. 주사선 scan을 비선택 상태로 하면, TFT1이 오프로 되고, TFT2는 전기적으로 데이선 data로부터 분리되지만, TFT2의 게이트 전위는 유지 용량 C에 의해 안정적으로 유지된다. TFT2를 통하여 발광 소자 OLED에 흐르는 전류는 TFT2의 게이트/소스간 전압 Vgs에 따른 값으로 되고, 발광 소자 OLED는 TFT2를 통하여 공급되는 전류량에 따른 휘도로 계속해서 발광한다.
그런데, TFT2의 드레인/소스간에 흐르는 전류를 Ids로 하면, 이것이 OLED에 흐르는 구동 전류이다. TFT2가 포화 영역에서 동작하는 것으로 하면, Ids는 다음의 식으로 나타낸다.
Ids=μ·Cox·W/L/2(Vgs-Vth)2
=μ·Cox·W/L/2(Vw-Vth)2…(1)
여기서 Cox는 단위 면적당 게이트 용량이며, 다음의 식으로 부여된다.
Cox=ε0·εr/d …(2)
(1)식 및 (2)식 중, Vth는 TFT2의 임계값을 나타내고, μ는 캐리어의 이동도를 나타내고, W는 채널 폭을 나타내고, L은 채널 길이를 나타내고, ε0는 진공의 유전율을 나타내고, εr은 게이트 절연막의 비유전율을 나타내고, d는 게이트 전극의 두께이다.
(1)식에 의하면, 화소에 기입하는 전위 Vw에 의해 Ids를 제어할 수 있고, 결과로서 발광 소자 OLED의 휘도를 제어할 수 있게 된다. 여기서, TFT2를 포화 영역에서 동작시키는 이유는 다음과 같다. 즉, 포화 영역에 있어서는 Ids는 Vgs만으로 제어되고, 드레인/소스간 전압 Vds에는 의존하지 않기 때문에, OLED의 특성 불균일에 의해 Vds가 변동되어도 소정량의 구동 전류 Ids를 OLED에 흐르게 할 수 있기 때문이다.
전술한 바와 같이, 도 6에 나타낸 화소의 회로 구성에서는 한번 Vw의 기입을 행하면, 다음에 다시 기입될 때까지 1주사 사이클(프레임) 동안, OLED는 일정한 휘도로 발광을 계속한다. 상기와 같은 화소를 도 7과 같이 매트릭스형으로 다수 배열하면, 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성할 수 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 종래의 표시 장치는 소정의 주사 사이클(예를 들면, NTSC 규격에 따른 프레임 주기)로 화소(25)를 선택하기 위한 주사선 scan1 내지 scanN과, 화소(25)를 구동하기 위한 휘도 정보(데이터 전위 Vw)를 부여하는 데이터선 data가 매트릭스형으로 배치되어 있다. 주사선 scan1 내지 scanN은 주사선 구동 회로(21)에 접속되는 한편, 데이터선 data는 데이터선 구동 회로(22)에 접속된다. 주사선 구동 회로(21)에 의해 주사선 scan1 내지 scanN을 차례대로 선택하면서, 데이터선 구동 회로(22)에 의해 데이터선 data로부터 Vw의 기입을 반복함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있다. 단순 매트릭스형 표시 장치에서는, 각 화소에 포함되는 발광 소자는 선택된 순간에만 발광하는 데에 반하여, 도 7에 나타낸 액티브 매트릭스형 표시 장치에서는 기입 종료 후에도 각 화소(25)의 발광 소자가 발광을 계속하기 때문에, 단순 매트릭스형에 비해 발광 소자의 구동 전류의 레벨을 낮출 수 있는 등의 점에서, 특히 대형 고정세의 디스플레이에서는 유리해진다.
액티브 매트릭스형 유기 EL 디스플레이에 있어서는, 능동 소자로서 일반적으로 유리 기판상에 형성된 TFT(Thin Film Transistor, 박막 트랜지스터)가 사용되지만, 이는 다음의 이유에 의한다. 즉, 유기 EL 디스플레이는 직시형이라는 성질상, 그 사이즈는 비교적 대형으로 되고, 비용이나 제조 설비의 제약 등으로부터, 능동 소자의 형성을 위해 단결정 실리콘 기판을 사용하는 것은 현실적이지 않다. 상기 사정으로부터, 액티브 매트릭스형 유기 EL 디스플레이에서는 비교적 대형의 유리 기판이 사용되고, 능동 소자로서는 그 위에 형성하는 것이 비교적 용이한 TFT가 사용되는 것이 보통이다. 그러나, TFT의 형성에 사용되는 비결정질 실리콘이나 폴리실리콘은 단결정 실리콘에 비해 결정성이 불량하고, 도통 기구의 제어성이 불량하므로, 형성된 TFT는 특성의 불균일이 큰 점이 알려져 있다. 특히, 비교적 대형의 유리 기판상에 폴리실리콘 TFT를 형성하는 경우에는 유리 기판의 열 변형 등의 문제를 피하기 위해, 통상, 레이저 어닐법이 이용되지만, 큰 유리 기판에 균일하게 레이저 에너지를 조사하는 것은 어려워, 폴리실리콘의 결정화의 상태가 기판 내의 장소에 따라 불균일을 발생시키는 것을 피할 수 없다.
이 결과, 동일 기판상에 형성된 TFT라도 그 Vth(임계값)가 화소에 따라 수백mV, 경우에 따라서는 1V 이상 불균일한 것도 드물지 않다. 이 경우, 예를 들면 상이한 화소에 대하여 동일 신호 전위 Vw를 기입해도 화소에 따라 Vth가 불균일한 결과, 상기 기재한 (1)식에 따라, OLED에 흐르는 전류 Ids는 화소마다 크게 불균일하여 완전히 원하는 값으로부터 벗어나는 결과로 되고, 디스플레이로서 고화질을 기대할 수 없다. 이는 Vth뿐만 아니라, 캐리어 이동도 μ 등 (1)식의 각 매개변수의 불균일에 대해서도 동일한 점을 말할 수 있다. 또, 상기의 각 매개변수의 불균일은 전술한 바와 같은 화소간의 불균일뿐 아니라, 제조 로트마다, 또는 제품에 따라서도 어느 정도 변동되는 것을 피할 수 없다. 상기와 같은 경우는 OLED에 흐르게 해야 할 원하는 전류 Ids에 대하여, 데이터선 전위 Vw를 어떻게 설정해야 할 것인가에 대해 제품별로 (1)식의 각 매개변수의 완성에 따라 결정할 필요가 있으나, 이는 디스플레이의 양산 변동에 있어서는 비현실적일 뿐 아니라, 환경 온도에 따른 TFT의 특성 변동, 또한 장기간의 사용에 의해 발생되는 TFT 특성의 경시 변화에 대해서는 대책을 강구하는 것이 매우 어렵다.
도 1은 본 발명에 관한 표시 장치를 구성하는 화소 회로의 실시 형태를 나타낸 회로도.
도 2는 박막 트랜지스터의 게이트 길이와 임계 전압의 관계를 나타낸 그래프.
도 3은 본 발명에 관한 표시 장치의 구성예를 나타낸 단면도.
도 4는 도 1에 나타낸 실시 형태에 있어서의 각 신호의 파형예를 나타낸 파형도.
도 5는 도 1의 실시 형태에 관한 화소 회로를 사용한 표시 장치의 구성예를 나타낸 블록도.
도 6은 종래의 화소 회로의 예를 나타낸 회로도.
도 7은 종래의 표시 장치의 구성예를 나타낸 블록도.
본 발명은 전술한 문제점을 감안하여 이루어진 화소 회로 및 그 구동 방법에 관한 것이며, 그 목적은 화소 내부의 능동 소자의 특성 불균일에 의존하지 않고, 안정되고 정확하게 가가 화소의 발광 소자에 원하는 전류를 공급하고, 그 결과로서 고품위의 화상을 표시하는 것이 가능한 표시 장치를 제공하는 데에 있다. 특히, OLED를 구동하는 TFT에 흐르는 서브스레시홀드 레벨의 리크 전류를 억제하여 화소의 미발광을 방지하고, 이로써 고품위의 화상 표시를 달성하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 다음의 수단을 강구하였다. 즉, 본 발명은 주사선을 차례대로 선택하는 주사선 구동 회로와, 휘도 정보에 따른 전류 레벨을 갖는 신호 전류를 생성하여 순차적으로 데이터선에 공급하는 전류원을 포함하는 데이터선 구동 회로와, 각 주사선 및 각 데이터선의 교차부에 배치되어 있는 동시에 구동 전류의 공급을 받아 발광하는 전류 구동형 발광 소자를 포함하는 복수의 화소를 구비한 표시 장치로서, 당해 화소는 당해 주사선이 선택될 때 당해 데이터선으로부터의 신호 전류를 수용하는 수용부와, 수용된 신호 전류의 전류 레벨을 일단 전류 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환부와, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 당해 발광 소자에 흐르게 하는 구동부를 포함하고, 상기 변환부는 게이트, 소스, 드레인 및 채널을 구비한 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와, 상기 게이트에 접속된 용량을 포함하고 있고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 수용부에 의해 수용된 신호 전류를 상기 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 전류를 상기 게이트에 발생시키고, 상기 용량은 게이트에 발생된 전압 레벨로 유지하고, 상기 구동부는 게이트, 드레인, 소스 및 채널을 구비한 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 용량에 유지된 전압 레벨을 게이트에 수용하고 그에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류 채널을 통하여 상기 발광 소자에 흐르게 하고, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 임계 전압이 화소내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다도 낮아지지 않도록 설정되어 있다. 구체적으로는 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 길이가 화소 내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧아지지 않도록 설정되어 있다. 또는, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 절연막이 화소 내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막보다 얇아지지 않도록 설정되어 있다. 또는, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 채널에 주입되는 불순물 농도를 조정하여 그 임계 전압이 화소 내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있다. 바람직하게는 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하고, 그 게이트에 인가된 전압 레벨과 임계 전압의 차에 따른 구동 전류를 상기 발광 소자에 흐르게 한다. 또, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트가 직접 접속되어 커런트 미러(current mirror) 회로를 구성하고, 신호 전류의 전류 레벨과 구동 전류의 전류 레벨이 비례 관계가 되도록 한다. 또, 상기 변환부는 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 삽입된 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고, 상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 신호 전류의 전류 레벨을 전압 레벨로 변환할 때 도통하고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트를 전기적으로 접속하여 소스를 기준으로 하는 전압 레벨을 게이트에 발생시키는 한편, 상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 전압 레벨을 상기 용량에 유지할 때 차단되고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 및 이에 접속된 상기 용량을 드레인으로부터 분리한다. 바람직하게는 상기 발광 소자는 유기 전계 발광 소자를 사용한다. 바람직하게는 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 및 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 다결정 반도체 박막으로 소스, 드레인 및 채널을 형성한 박막 트랜지스터이다.
본 발명의 화소 회로는 다음의 특징을 갖는다. 첫째로 화소로의 휘도 정보의 기입은 휘도에 따른 크기의 신호 전류를 데이터선에 흐르게 함으로써 행해지고, 그 전류는 화소 내부의 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 소스·드레인 사이를 흐르고, 결과 그 전류 레벨에 따른 게이트·소스간 전압을 발생시킨다. 둘째로, 상기에서 발생시킨 게이트·소스간 전압, 또는 게이트 전위는 화소 내부에 형성된, 또는 기생적으로 존재하는 용량의 작용에 의해 유지되고, 기입 종료 후에도 소정 기간 대체로 그 레벨을 유지한다. 셋째로, OLED에 흐르는 전류는 그것과 직렬로 접속된 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 자체, 또는 그것과는 별도로 화소 내부에 설치되고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와 게이트를 공통 접속된 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 의해 제어하고, OLED 구동 시의 게이트·소스간 전압이 제1 특징에 의해 발생시킨 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트·소스간 전압과 대체로 동등하다. 넷째로, 기입 시에는 제1 주사선에 의해 제어되는 수용용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 의해 데이터선과 화고 내부가 도통하고, 제2 주사선에 의해 제어되는 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 의해 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트·드레인 사이가 단락된다. 이상 정리하면, 종래예에 있어서는 휘도 정보가 전압값의 형태로 부여된 데에 대하여 본 발명의 표시 장치에 있어서는 전류값의 형태로 부여되는 것, 즉 전류 기입형인 것이 현저한 특징이다.
본 발명은 이미 전술한 바와 같이 TFT의 특성 불균일에 의존하지 않고, 정확하게 원하는 전류를 OLED에 흐르게 하는 것을 목적으로 하지만, 상기 제1 내지 제4 특징에 따라, 본 목적을 달성할 수 있는 이유를 다음에 설명한다. 그리고, 이하 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 TFT1, 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 TFT2, 수용용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 TFT3, 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 TFT4라 한다. 단, 본 발명은 TFT(박막 트랜지스터)에 한정된 것은 아니며, 단결정 실리콘 기판이나 SIO 기판에 작성되는 단결정 실리콘 트랜지스터 등 광범위하게 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 능동 소자로서 채용 가능하다. 그러면, 휘도 정보의 기입 시, TFT1에 흐르게 하는 신호 전류를 Iw, 그 결과 TFT1에 발생하는 게이트·소스간 전압을 Vgs라고 한다. 기입 시는 TFT4에 의해 TFT1의 게이트·드레인간이 단락되어 있기 때문에, TFT1은 포화 영역에서 동작한다. 따라서, Iw는 다음의 식으로 부여된다.
Iw=μ1·Cox1·W1/L1/2(Vgs-Vth1)2…(3)
여기서, 각 매개변수의 의미는 상기 (1)식의 경우에 준한다. 다음에, OLED에 흐르는 전류를 Idrv라고 하면, Idrv는 OLED와 직렬로 접속되는 TFT2에 의해 전류 레벨이 제어된다. 본 발명에서는 그 게이트·소스간 전압이 (3)식의 Vgs에 일치하기 때문에, TFT2가 포화 영역에서 동작한다고 가정하면 다음의 식이 성립한다.
Idrv=μ2·Cox2·W2/L2/2(Vgs-Vth2)2…(4)
각 매개변수의 의미는 상기 (1)식의 경우에 준한다. 그리고, 절연 게이트 전계 효과형 박막 트랜지스터가 포화 영역에서 동작하기 위한 조건은 Vds를 드레인·소스간 전압으로 하여 일반적으로 다음의 식에서 부여된다.
│Vds│〉│Vgs-Vth│ …(5)
여기서, TFT1과 TFT2는 작은 화소 내에 근접하여 형성되므로, 대략 μ1=μ2 및 Cox1=Cox2이며, 특별히 고안을 짜내지 않는 한 Vth1=Vth2라고 생각된다. 그리하면, 이 때 (3)식 및 (4)식으로부터 용이하게 다음의 식이 유도된다.
Idrv/Iw=(W2/L2)/(W1/L1) …(6)
여기서, 주의해야할 점은 (3)식 및 (4)식에 있어서, μ, Cox, Vth의 값 자체는 화소별, 제품별, 또는 제조 로트마다 불균일한 것이 보통이지만, (6)식은 이들 매개변수를 포함하지 않기 때문에, Idrv/Iw의 값은 이들의 불균일에 의존하지 않는다는 것이다. 만일 W1=W2, L1=L2로 설계하면, Idrv/Iw=1, 즉 Iw와 Idrv가 동일한 값으로 된다. 즉, TFT의 특성 불균일에 의존하지 않고, OLED에 흐르는 구동 전류 Idrv는 정확하게 신호 전류 Iw와 동일하게 되므로, 결과로서 OLED의 발광 휘도를 정확하게 제어할 수 있다.
이상과 같이, 교환용 TFT1의 Vth1과 구동용 TFT2의 Vth2는 기본적으로 동일하기 때문에, 양 TFT 상호의 공통 전위에 있는 게이트에 대하여 컷오프 레벨의 신호 전압이 인가되면, TFT1 및 TFT2 모두 비도통 상태로 될 것이다. 그러나, 실제로는 화소 내에서도 매개변수의 불균일 등의 요인에 의해, Vth1보다보 Vth2가 낮아지고 마는 경우가 있다. 이 때에는 구동용 TFT2에 서브스레시홀드 레벨의 리크 전류가 흐르기 때문에, OLED는 미발광을 띤다. 상기 미발광에 의해 화면의 콘트라스트가 저하되어 표시 특성이 손상된다. 그래서, 본 발명에서는 특히, 구동용 TFT2의 임계 전압 Vth2가 화소 내에서 대응하는 변환용 TFT1의 임계 전압 Vth1보다 낮아지지 않도록 설정되어 있다. 예를 들면, TFT2의 게이트 길이 L2를 게이트 길이 L1보다도 길게 하여 이들의 박막 트랜지스터의 공정 매개변수가 변동되어도, Vth2가 Vth1보다도 낮아지지 않게 한다. 이로써, 미소한 전류 리크를 억제하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명에 의한 화소 회로의 예이다. 이 회로는 신호 전류가 흐르는 변환용 트랜지스터 TFT1, 유기 EL 소자 등으로 이루어지는 발광 소자에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동용 트랜지스터 TFT2 외, 예를 들면 Mo-Ta로 이루어지는 제1 주사선 scanA의 제어에 의해 화소 회로와 예를 들면 Al로 이루어지는 데이터선 data를 접속 또는 차단하는 수용용 트랜지스터 TFT3, 예를 들면 Mo-Ta로 이루어지는 제2 주사선 scanB의 제어에 의해 기입 기간 중에 TFT1의 게이트·드레인을 단락하는 스위치용 트랜지스터 TFT4, TFT1의 게이트·소스간 전압을 기입 종료 후에도 유지하기 위한 TFT의 MOS 구조와 동일한 구조의 용량 C, 및 발광 소자 OLED로 이루어진다. 도 1에서 TFT3는 NMOS, 그 외의 트랜지스터는 PMOS로 구성되어 있으나, 이는 일례로서 반드시 상기한 바와 같을 필요는 없다. 용량 C는 그 한쪽의 단자는 TFT1의 게이트에 접속되고, 다른 쪽의 단자는 Vdd(전원 전위)에 접속되어 있으나, Vdd에 한정되지 않고 임의의 일정 전위라도 된다. OLED의 캐소드(음극)는 접지 전위에 접속되어 있다.
기본적으로 본 발명에 관한 표시 장치는 주사선 scanA 및 scanB를 차례대로 선택하는 주사선 구동 회로와, 휘도 정보에 따른 전류 레벨을 갖는 신호 전류 Iw를 생성하여 순차적으로 데이터선 data에 공급하는 전류원 CS를 포함하는 데이터선 구동 회로와, 각 주사선 scanA, scanB 및 각 데이터선 data의 교차부에 배치되어 있는 동시에, 구동 전류의 공급을 받아 발광하는 전류 구동형 발광 소자 OLED를 포함하는 복수의 화소를 구비하고 있다. 특징 사항으로서 도 1에 나타낸 당해 화소는 당해 주사선 scanA가 선택되었을 때 당해 데이터선 data로부터의 신호 전류 Iw를 수용하는 수용부와, 수용된 신호 전류 Iw의 전류 레벨을 일단 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환부와, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 당해 발광 소자 OLED에 흐르게 하는 구동부로 이루어진다. 구체적으로는 상기 수용부는 수용용 트랜지스터 TFT3로 이루어진다. 상기 변환부는 게이트, 소스, 드레인 및 채널을 구비한 변환용 박막 트랜지스터 TFT1과 그 게이트에 접속된 용량 C를 포함하고 있다. 변환용 박막 트랜지스터 TFT1은 수용부에 의해 수용된 신호 전류 Iw를 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 레벨을 게이트에 발생시키고, 용량 C는 게이트에 발생된 전압 레벨을 유지한다. 또한, 상기 변환부는 변환용 박막 트랜지스터 TFT1의 드레인과 게이트 사이에 삽입된 스위치용 박막 트랜지스터 TFT4를 포함하고 있다. 스위치용 박막 트랜지스터 TFT4는 신호 전류 Iw의 전류 레벨을 전압 레벨로 변환할 때 도통하고, 변환용 박막 트랜지스터 TFT1의 드레인과 게이트를 전기적으로 접속하여 소스를 기준으로 하는 전압 레벨을 TFT1의 게이트에 발생시킨다. 또, 스위치용 박막 트랜지스터 TFT4는 전압 레벨을 용량 C로 유지할 때 차단되고, 변환용 박막 트랜지스터 TFT1의 게이트 및 이에 접속된 용량 C를 TFT1의 드레인으로부터 분리한다.
또한, 상기 구동부는 게이트, 드레인, 소스 및 채널을 구비한 구동용 박막 트랜지스터 TFT2를 포함하고 있다. 구동용 박막 트랜지스터 TFT2는 용량 C로 유지된 전압 레벨을 게이트에 수용하고 그에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 채널을 통하여 발광 소자 OLED에 흐르게 한다. 변환용 박막 트랜지스터 TFT1의 게이트와 구동용 박막 트랜지스터 TFT2의 게이트가 직접 접속되어 커런트 미러 회로를 구성하고, 신호 전류 Iw의 전류 레벨과 구동 전류의 전류 레벨이 비례 관계로 되도록 하였다. 구동용 박막 트랜지스터 TFT2는 포화 영역에서 동작하고, 그 게이트에 인가된 전압 레벨과 임계 전압의 차에 따른 구동 전류를 발광 소자 OLED에 흐르게 한다.
본 발명의 특징 사항으로서 구동용 박막 트랜지스터 TFT2는 그 임계 전압이 화소 내에서 대응하는 변환용 박막 트랜지스터 TFT1의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있다. 구체적으로는 TFT2는 그 게이트 길이가 TFT1의 게이트 길이 보다 짧아지지 않도록 설정되어 있다. 또는 TFT2는 그 게이트 절연막이 화소 내에서 대응하는 TFT1의 게이트 절연막보다 얇아지지 않도록 설정해도 된다. 또는, TFT2는 그 채널에 주입되는 불순물 농도를 조정하여 임계 전압이 화소 내에서 대응하는 TFT1의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정해도 된다. 만일 TFT1과 TFT2의 임계 전압이 동일해지도록 설정한 경우, 공통으로 접속된 양 박막 트랜지스터의 게이트에 컷오프 레벨의 신호 전압이 인가되면, TFT1 및 TFT2는 양쪽 모두 오프 상태로 될 것이다. 그러나, 실제로는 화소 내에도 약간이지만 공정 매개변수의 불균일이 있고, TFT1의 임계 전압보다 TFT2의 임계 전압이 낮아지는 경우가 있다. 이 때에는 컷오프 레벨 이하의 신호 전압이라도 서브스레시홀드 레벨의 미약한 전류가 구동용 TFT2에 흐르기 때문에, OLED는 미발광하고 화면의 콘트라스트 저하가 나타난다. 그래서, 본 발명에서는 TFT2의 게이트 길이를 TFT1의 게이트 길이보다도 길게 하고 있다. 이로써, 박막 트랜지스터의 공정 매개변수가 화소 내에서 변동되어도 TFT2의 임계 전압이 TFT1의 임계 전압보다도 낮아지지 않게 한다.
도 2는 박막 트랜지스터의 게이트 길이 L과 임계 전압 Vth의 관계를 나타낸 그래프이다. 게이트 길이 L이 비교적 짧은 단채널 효과 영역 A에서는 게이트 길이 L의 증가에 따라 Vth가 상승한다. 한편, 게이트 길이 L이 비교적 큰 억제 영역 B에서는 게이트 길이 L에 관계없이 Vth는 대략 일정하다. 상기 특성을 이용하여 본 발명에서는 TFT2의 게이트 길이를 TFT1의 게이트 길이보다도 길게 하고 있다. 예를 들면, TFT1의 게이트 길이가 7㎛인 경우, TFT2의 게이트 길이를 10㎛정도로 한다. TFT1의 게이트 길이가 단채널 효과 영역 A에 속하는 한편, TFT2의 게이트 길이가 억제 영역(B)에 속하도록 해도 된다. 이로써, TFT2에 있어서의 단채널 효과를 억제할 수 있는 동시에, 공정 매개변수의 변동에 의한 임계 전압 저감을 억제할 수 있다. 이상에 의해, TFT2에 흐르는 서브스레시홀드 레벨의 리크 전류를 억제하여 OLED의 미발광을 억제하여 콘트라스트 개선에 기여할 수 있다. 구체적으로는 패턴 설계 시에 상기와 같이 설정하면 되기 때문에, 여분의 공정도 필요로 하지 않아 TFT2의 게이트 길이를 TFT1의 게이트 길이보다 길게 할 수 있다.
도 3은 도 1에 나타낸 화소 회로의 단면 구조를 모식적으로 나타내고 있다. 단, 도시를 용이하게 하기 위해, OLED와 TFT2만을 나타내고 있다. OLED는 예를 들면, Mg-Ag로 이루어지는 반사 전극(10), 유기 EL층(11) 및 예를 들면 ITO로 이루어지는 투명 전극(12)을 단계대로 겹친 것이다. 반사 전극(10)은 화소마다 분리되어 있고 OLED의 애노드로서 기능한다. 투명 전극(12)은 화소 사이에서 공통으로 접속되어 있고, OLED의 캐소드로서 기능한다. 즉, 투명 전극(12)은 소정의 전원 전위 Vdd에 공통으로 접속되어 있다. 유기 EL층(11)은 예를 들면 정공 수송층과 전자 수송층을 겹친 복합막으로 되어 있다. 예를 들면, 애노드(정공 주입 전극)로서 기능하는 반사 전극(10) 위에 정공 수송층으로서 Diamyne를 증착하고, 그 위에 전자 수송층으로서 Alq3를 증착하고, 또한 그 위에 캐소드(전자 주입 전극)로서 기능하는 투명 전극(12)을 형성한다. 그리고, Alq3는 8-하이드록시 퀴놀린 알루미늄(8-hydroxy quinoline aluminum)을 나타내고 있다. 상기와 같은 적층 구조를 갖는 OLED는 일례에 지나지 않는다. 상기 구성을 갖는 OLED의 애노드/캐소드 사이에 순방향의 전압(10V 정도)을 인가하면, 전자나 정공 등의 캐리어의 주입이 일어나고, 발광이 관측된다. OLED의 동작은 정공 수송층으로부터 주입된 정공과 전자 수송층으로부터 주입된 전자로부터 형성된 여기자에 의한 발광이라 생각된다.
한편, TFT2는 유리 등으로 이루어지는 기판(1) 상에 형성된 예를 들면, Mo-Ta로 이루어지는 게이트 전극(2)과 그 상면에 겹쳐진 예를 들면 SiO2로 이루어지는 게이트 절연막(3)과 이 게이트 절연막(3)을 통하여 게이트 전극(2)의 상방으로 겹쳐진 반도체 박막(4)으로 이루어진다. 상기 반도체 박막(4)은 예를 들면 레이저 재결정화된 다결정 실리콘 박막으로 이루어진다. TFT2는 OLED에 공급되는 전류의 통로로 되는 소스 S, 채널 Ch 및 드레인 D를 구비하고 있다. 채널 Ch는 정확히 게이트 전극(2)의 바로 위에 위치한다. 상기 기부 게이트 구조의 TFT2는 예를 들면 PSG로 이루어지는 층간 절연막(5)에 의해 피복되어 있고, 그 위에는 예를 들면 Al로 이루어지는 소스 전극(6) 및 드레인 전극(7)이 형성되어 있다. 이들의 위에는 예를 들면 SiN으로 이루어지는 별도의 층간 절연막(9)을 통하여 전술한 OLED가 형성되어 있다. 그리고, 도 3의 예에서는 TFT2의 드레인에 OLED의 애노드를 접속하기 위해, TFT2로서 P채널 박막 트랜지스터를 사용하고 있다.
여기서, TFT2의 게이트 길이 L은 TFT1(도시하지 않음)의 게이트 길이보다도 길어지도록 설정되어 있다. 또는, TFT2의 게이트 절연막(3)의 두께 d를 TFT1의 게이트 절연막의 두께보다도 크게 해도 된다. 박막 트랜지스터의 임계 전압은 게이트 절연막의 두께가 커질수록 상승한다. 구체적으로는 예를 들면, TFT1의 게이트 절연막의 두께가 200nm일 때 d를 220nm로 하면, 임계 전압은 수백mV 정도로 조정된다. 이 경우, 게이트 절연막의 두께 조정은 에칭과 포토리소그래피로 행하면 된다. 경우에 따라서는, TFT2의 채널 Ch에 불순물을 선택적으로 주입하여 임계 전압을 조정해도 된다. P채널의 TFT2의 경우 그 임계 전압을 보다 상승시키는 쪽으로 이동하기 때문에, 불순물 P 또는 As를 채널 Ch에 선택적으로 도핑하면 된다. 그리고, TFT1, TFT3, TFT4는 OLED, 유기 EL층, 투명 전극을 형성하지 않을 뿐이며, 그 구조는 TFT2와 기본적으로 동일하다.
다음에, 도 4를 참조하여 도 1에 나타낸 화소 회로의 구동 방법을 간단히 설명한다. 먼저, 기입 시에는 제1 주사선 scanA, 제2 주사선 scanB를 선택 상태로 한다. 도 4의 예에서는 scana를 저레벨, scanB를 고레벨로 하고 있다. 양 주사선이 선택된 상태에서 데이터선 data에 전류원 CS를 접속함으로써, TFT1에 휘도 정보에 따른 신호 전류 Iw가 흐른다. 전류원 CS는 휘도 정보에 따라 제어되는 가변 전류원이다. 이 때, TFT1의 게이트·드레인 사이는 TFT4에 의해 전기적으로 단락되어 있기 때문에 (5)식이 성립하고, TFT1은 포화 영역에서 동작한다. 따라서, 그 게이트·소스 사이에는 (3)식에서 부여되는 전압 Vgs가 발생된다. 다음에, scanA, scanB을 비선택 상태로 한다. 상세하게는, 먼저 scanB를 저레벨로 하여 TFT4를 오프 상태로 한다.이로써 Vgs가 용량 C에 의해 유지된다. 다음에 scanA를 고레벨로 하여 오프 상태로 함으로써, 화소 회로와 데이터선 data가 전기적으로 차단되기 때문에, 그 후는 데이터선 data을 통하여 별도의 화소로의 기입을 행할 수 있다. 여기서, 전류원 CS가 신호 전류의 전류 레벨로서 출력하는 데이터는 scanB가 비선택으로 되는 시점에서는 유효할 필요가 있으나, 그 후는 임의의 레벨(예를 들면, 다음 화소의 기입 데이터)로 되어도 된다. TFT2는 TFT1과 게이트 및 소스가 공통으로 접속되어 있고, 또한 모두 작은 화소 내부에 근접하여 형성되어 있기 때문에, TFT2가 포화 영역에서 동작하고 있으면, TFT2를 흐르는 전류는 (4)식에서 부여되고, 이것이 즉 OLED에 흐르는 구동 전류 Idrv로 된다. TFT2를 포화 영역에서 동작시키기 위해서는 OLED에서의 전압 하강을 고려해도 (5)식이 성립하도록, 충분한 전원 전위를 Vdd에 부여하면 된다.
도 5는 도 1의 화소 회로를 매트릭스형으로 배열하여 구성한 표시 장치의 예이다. 그 동작은 이하에 설명한다. 먼저, 수직 스타트 펄스 VSP가 이동 레지스터를 포함하는 예를 들면 TFT로 이루어지는 주사선 구동 회로 A21과 동일하게 이동 레지스터를 포함하는 TFT로 이루어지는 주사선 구동 회로 B23에 입력된다. 주사선 구동 회로 A21, 주사선 구동 회로 B23는 VSP를 받은 후, 수직 클록(VCKA, VCKB)에 동기하여 각각 제1 주사선 scanA1∼scanAN, 제2 주사선 scanB1∼scanBN을 차례대로 선택한다. 각 데이터선 data에 대응하여 전류원 CS가 예를 들면 TFT로 이루어지는 데이터선 구동 회로(22) 내에 형성되어 있고, 휘도 정보에 따른 전류 레벨에서 데이터선을 구동한다. 전류원 CS는 도시한 전압/전류 변환 회로로 이루어지고, 휘도 정보를 나타내는 전압에 따라 신호 전류를 출력한다. 신호 전류는 선택된 주사선상의 화소에 흐르고, 주사선 단위로 전류 기입이 행해진다. 각 화소는 그 전류 레벨에 따른 강도로 발광을 개시한다. 단, VCKA는 VCKB에 대하여 연장 회로(24)에 의해 약간 연장되어 있다. 이로써, 도 4에 나타낸 바와 같이, scanB가 scanA에 앞서 비선택으로 된다.
본 발명의 화소 회로, 및 그 구동법에 의하면, 능동 소자(TFT 등)의 특성 불균일에 의존하지 않고, 데이터선으로부터의 신호 전류 Iw에 정확하게 비례(또는 대응)하는 구동 전류 Idrv를 전류 구동형 발광 소자(유기 EL 소자 등)에 흐르게 하는 것이 가능하다. 상기와 같은 화소 회로를 매트릭스형으로 다수 배치함으로써, 각 화소를 정확하게 원하는 휘도로 발광시킬 수 있기 때문에, 고품위의 액티브 매트릭스형 표시 장치를 제공하는 것이 가능하다. 특히, 구동용 TFT의 임계 전압을 변환용 TFT의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정함으로써, 발광 소자에 흐르는 리크 전류를 억제하고, 이로써 발광 소자의 미발광을 억제한다. 이로써, 유기 EL 디스플레이 등 전류 구동형 표시 장치의 콘트라스트를 개선하여 화질을 높이는 것이 가능해진다.

Claims (27)

  1. 주사선을 차례대로 선택하는 주사선 구동 회로와, 휘도 정보에 따른 전류 레벨을 갖는 신호 전류를 생성하여 순차적으로 데이터선에 공급하는 전류원을 포함하는 데이터선 구동 회로와, 각 주사선 및 각 데이터선의 교차부에 배치되어 있는 동시에, 구동 전류의 공급을 받아 발광하는 전류 구동형 발광 소자를 포함하는 복수의 화소를 구비하는 표시 장치로서,
    당해 화소는 당해 주사선이 선택되었을 때 당해 데이터선으로부터의 신호 전류를 수용하는 수용부와, 수용된 신호 전류의 전류 레벨을 일단 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환부와, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 당해 발광 소자에 흐르게 하는 구동부를 포함하고,
    상기 변환부는 게이트, 소스, 드레인 및 채널을 구비한 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와, 상기 게이트에 접속한 용량을 포함하고 있고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 수용부에 의해 수용된 신호 전류를 상기 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 레벨을 상기 게이트에 발생시키고, 상기 용량은 상기 게이트에 발생된 전압 레벨을 유지하고,
    상기 구동부는 게이트, 드레인, 소스 및 채널을 구비한 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 용량에 유지된 전압 레벨을 게이트에 수용하고 그에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 채널을 통하여 상기 발광 소자에 흐르게 하고,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 임계 전압이 화소 내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있는
    표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 길이가 화소내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧아지지 않도록 설정되어 있는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 절연막이 화소내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막보다 얇아지지 않도록 설정되어 있는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 채널에 주입되는 불순물 농도를 조정하여 그 임계 전압이 화소 내에서 대응하는 변환용 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하고, 그 게이트에 인가된 전압 레벨과 임계 전압의 차에 따른 구동 전류를 상기 발광 소자에 흐르게 하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트가 직접 접속되어 커런트 미러(current mirror) 회로를 구성하고, 신호 전류의 전류 레벨과 구동 전류의 전류 레벨이 비례 관계가 되도록 하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 변환부는 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 삽입된 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고,
    상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 신호 전류의 전류 레벨을 전압 레벨로 변환할 때 도통하고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트를 전기적으로 접속하여 소스를 기준으로 하는 전압 레벨을 게이트에 발생시키는 한편,
    상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 전압 레벨을 상기 용량에 유지할 때 차단되고 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 및 이에 접속된 상기 용량을 드레인으로부터 분리하는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유기 전계 발광 소자를 사용하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 및 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 다결정 반도체 박막으로 소스, 드레인 및 채널을 형성하는 박막 트랜지스터인 표시 장치.
  10. 휘도 정보에 따른 전류 레벨의 신호 전류를 공급하는 데이터선과 선택 펄스를 공급하는 주사선의 교차부에 배치되고, 구동 전류에 의해 발광하는 전류 구동형 발광 소자를 구동하는 화소 회로로서,
    상기 주사선으로부터의 선택 펄스에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 신호 전류를 수용하는 수용부와, 수용된 신호 전류의 전류 레벨을 일단 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환부와, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 당해 발광 소자에 흐르게 하는 구동부를 포함하고,
    상기 변환부는 게이트, 소스, 드레인 및 채널을 구비한 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와, 상기 게이트에 접속한 용량을 포함하고 있고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 수용부에 의해 수용된 신호 전류를 상기 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 레벨을 상기 게이트에 발생시키고, 상기 용량은 상기 게이트에 발생된 전압 레벨을 유지하고,
    상기 구동부는 게이트, 드레인, 소스 및 채널을 구비한 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 용량에 유지된 전압 레벨을 게이트에 수용하고 그에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 채널을 통하여 상기 발광 소자에 흐르게 하고,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 임계 전압이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮게 설정되어 있는
    화소 회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 길이가 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧아지지 않도록 설정되어 있는 화소 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 절연막이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막보다 얇아지지 않도록 설정되어 있는 화소 회로.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 채널에 주입되는 불순물 농도를 조정하여 그 임계 전압이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정되어 있는 화소 회로.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하고, 그 게이트에 인가된 전압 레벨과 임계 전압의 차에 따른 구동 전류를 상기 발광 소자에 흐르게 하는 화소 회로.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트가 직접 접속되어 커런트 미러 회로를 구성하고, 신호 전류의 전류 레벨과 구동 전류의 전류 레벨이 비례 관계가 되도록 하는 화소 회로.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 변환부는 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 삽입된 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 포함하고 있고,
    상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 신호 전류의 전류 레벨을 전압 레벨로 변환할 때 도통하고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트를 전기적으로 접속하여 소스를 기준으로 하는 전압 레벨을 게이트에 발생시키는 한편,
    상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 전압 레벨을 상기 용량에 유지할 때 차단되고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 및 이에 접속된 상기 용량을 드레인으로부터 분리하는 화소 회로.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유기 전계 발광 소자를 사용하는 화소 회로.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 및 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 다결정 반도체 박막으로 소스, 드레인 및 채널을 형성한 박막 트랜지스터인 화소 회로.
  19. 휘도 정보에 따른 전류 레벨의 신호 전류를 공급하는 데이터선과 선택 펄스를 공급하는 주사선의 교차부에 배치되고, 구동 전류에 의해 발광하는 전류 구동형 발광 소자를 구동하는 발광 소자의 구동 방법으로서,
    상기 주사선으로부터의 선택 펄스에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 신호 전류를 수용하는 수용 단계와, 수용된 신호 전류의 전류 레벨을 일단 전압 레벨로 변환하여 유지하는 변환 단계와, 유지된 전압 레벨에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 당해 발광 소자에 흐르게 하는 구동 단계를 포함하고,
    상기 변환 단계는 게이트, 소스, 드레인 및 채널을 구비한 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터와 상기 게이트에 접속한 용량을 사용하는 단계를 포함하고 있고, 이 단계에 있어서, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 이 수용 단계에 따라 수용된 신호 전류를 상기 채널에 흐르게 하여 변환된 전압 레벨을 상기 게이트에 발생시키고, 상기 용량은 상기 게이트에 발생된 전압을 유지하고,
    상기 구동 단계는 게이트, 드레인, 소스 및 채널을 구비한 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 사용하는 단계를 포함하고 있고, 이 단계에 있어서, 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 용량에 유지된 전압 레벨을 게이트에 수용하고 그에 따른 전류 레벨을 갖는 구동 전류를 채널을 통하여 상기 발광 소자에 흐르게 하고,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 임계 전압이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지도록 설정하는
    발광 소자의 구동 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 길이가 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 길이보다 짧아지지 않도록 설정하는 발광 소자의 구동 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 그 게이트 절연막이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막보다 얇아지지 않도록 설정하는 발광 소자의 구동 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 채널에 주입되는 불순물 농도를 조정하여 그 임계 전압이 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 임계 전압보다 낮아지지 않도록 설정하는 발광 소자의 구동 방법.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 포화 영역에서 동작하고, 그 게이트에 인가된 전압 레벨과 임계 전압의 차에 따른 구동 전류를 상기 발광 소자에 흐르게 하는 발광 소자의 구동 방법.
  24. 제19항에 있어서,
    상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트와 상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트가 직접 접속되어 커런트 미러 회로를 구성하고, 신호 전류의 전류 레벨과 구동 전류의 전류 레벨이 비례 관계가 되도록 하는 발광 소자의 구동 방법.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 변환 단계는 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에 삽입된 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터를 사용하는 단계를 포함하고 있고,
    이 단계에 있어서, 상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터가 신호 전류의 전류 레벨을 전압 레벨로 변환할 때 도통하고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 드레인과 게이트를 전기적으로 접속하여 소스를 기준으로 하는 전압 레벨을 게이트에 발생시키는 한편,
    상기 스위치용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 전압 레벨을 상기 용량에 유지할 때 차단되고, 상기 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 및 이에 접속된 상기 용량을 드레인으로부터 분리하는 발광 소자의 구동 방법.
  26. 제19항에 있어서,
    상기 발광 소자는 유기 전계 발광 소자를 사용하는 발광 소자의 구동 방법.
  27. 제19항에 있어서,
    상기 구동용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 및 변환용 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터는 다결정 반도체 박막으로 소스, 드레인 및 채널을 형성한 박막 트랜지스터를 사용하는 발광 소자의 구동 방법.
KR1020000067680A 1999-11-18 2000-11-15 표시 장치 KR20010051698A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32763799A JP2001147659A (ja) 1999-11-18 1999-11-18 表示装置
JP99-327637 1999-11-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010051698A true KR20010051698A (ko) 2001-06-25

Family

ID=18201285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000067680A KR20010051698A (ko) 1999-11-18 2000-11-15 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6501466B1 (ko)
EP (1) EP1102234A3 (ko)
JP (1) JP2001147659A (ko)
KR (1) KR20010051698A (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452114B1 (ko) * 2002-04-15 2004-10-12 한국과학기술원 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치
KR100469070B1 (ko) * 2002-02-19 2005-02-02 재단법인서울대학교산학협력재단 능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조
KR100475002B1 (ko) * 2001-11-09 2005-03-11 샤프 가부시키가이샤 표시장치 및 그의 구동방법
KR100640049B1 (ko) * 2002-06-07 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치
KR100774951B1 (ko) * 2006-06-14 2007-11-09 엘지전자 주식회사 전계발광소자
KR100868642B1 (ko) * 2002-07-19 2008-11-12 매그나칩 반도체 유한회사 능동 방식 유기 ｅｌ 디스플레이 장치
KR100879109B1 (ko) * 2001-07-16 2009-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
KR100906964B1 (ko) * 2002-09-25 2009-07-08 삼성전자주식회사 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널
KR100910688B1 (ko) * 2001-10-10 2009-08-04 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 화상 표시장치
KR100936632B1 (ko) * 2002-03-26 2010-01-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR100958347B1 (ko) * 2001-10-31 2010-05-17 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 전기-광학 디스플레이를 위한 디스플레이 드라이버

Families Citing this family (354)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2317640A1 (en) * 1998-01-06 1999-07-15 Trustees Of Boston University Decorated red blood cells
JP2000310969A (ja) * 1999-02-25 2000-11-07 Canon Inc 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法
JP4126909B2 (ja) * 1999-07-14 2008-07-30 ソニー株式会社 電流駆動回路及びそれを用いた表示装置、画素回路、並びに駆動方法
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
TW522454B (en) * 2000-06-22 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
ATE470923T1 (de) * 2000-07-07 2010-06-15 Seiko Epson Corp Stromabtastschaltung für organische elektrolumineszenzanzeige
US6879110B2 (en) 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
US7015882B2 (en) * 2000-11-07 2006-03-21 Sony Corporation Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display
JP2003195815A (ja) 2000-11-07 2003-07-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2002182612A (ja) * 2000-12-11 2002-06-26 Sony Corp 画像表示装置
JP2002189445A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Sony Corp 画像表示装置とその駆動方法
JP3593982B2 (ja) * 2001-01-15 2004-11-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
US6753654B2 (en) 2001-02-21 2004-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance
JP4831874B2 (ja) 2001-02-26 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
WO2002075709A1 (fr) * 2001-03-21 2002-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Circuit permettant d'actionner un element electroluminescent a matrice active
US6661180B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
US6693385B2 (en) 2001-03-22 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a display device
JP3608613B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
US7112844B2 (en) * 2001-04-19 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3610923B2 (ja) * 2001-05-30 2005-01-19 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP2003005710A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Nec Corp 電流駆動回路及び画像表示装置
JP2003043994A (ja) 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc アクティブマトリックス型ディスプレイ
US7012597B2 (en) * 2001-08-02 2006-03-14 Seiko Epson Corporation Supply of a programming current to a pixel
US6876350B2 (en) 2001-08-10 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic equipment using the same
KR100819138B1 (ko) * 2001-08-25 2008-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 구동장치 및 그 구동방법
CN101257743B (zh) 2001-08-29 2011-05-25 株式会社半导体能源研究所 发光器件及这种发光器件的驱动方法
TWI221268B (en) * 2001-09-07 2004-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of driving the same
JP4075505B2 (ja) * 2001-09-10 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子装置、及び電子機器
TW563088B (en) 2001-09-17 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
WO2003034381A2 (en) * 2001-09-20 2003-04-24 Pioneer Corporation Drive circuit for light emitting elements
JP3810725B2 (ja) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
CN102290005B (zh) 2001-09-21 2017-06-20 株式会社半导体能源研究所 有机发光二极管显示装置的驱动方法
SG120075A1 (en) 2001-09-21 2006-03-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
JP4176790B2 (ja) * 2001-09-28 2008-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP3691475B2 (ja) * 2001-09-28 2005-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG120888A1 (en) 2001-09-28 2006-04-26 Semiconductor Energy Lab A light emitting device and electronic apparatus using the same
SG120889A1 (en) 2001-09-28 2006-04-26 Semiconductor Energy Lab A light emitting device and electronic apparatus using the same
SG111968A1 (en) 2001-09-28 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100945467B1 (ko) 2001-10-09 2010-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위칭소자, 표시장치, 그 스위칭소자를 사용한 발광장치및 반도체장치
US6777885B2 (en) 2001-10-12 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Drive circuit, display device using the drive circuit and electronic apparatus using the display device
DE10151440C1 (de) * 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
US7365713B2 (en) 2001-10-24 2008-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US7456810B2 (en) * 2001-10-26 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and driving method thereof
US7742064B2 (en) 2001-10-30 2010-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof
US7576734B2 (en) 2001-10-30 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same
US7180479B2 (en) 2001-10-30 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line drive circuit and light emitting device and driving method therefor
US7193619B2 (en) * 2001-10-31 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit and light emitting device
TWI261217B (en) 2001-10-31 2006-09-01 Semiconductor Energy Lab Driving circuit of signal line and light emitting apparatus
KR100433216B1 (ko) * 2001-11-06 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 구동장치 및 방법
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4149168B2 (ja) * 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US20030103022A1 (en) * 2001-11-09 2003-06-05 Yukihiro Noguchi Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element
JP4202012B2 (ja) 2001-11-09 2008-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電流記憶回路
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003177709A (ja) 2001-12-13 2003-06-27 Seiko Epson Corp 発光素子用の画素回路
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US6847171B2 (en) * 2001-12-21 2005-01-25 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device compensated pixel driver circuit
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003195810A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Casio Comput Co Ltd 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法
KR100426031B1 (ko) * 2001-12-29 2004-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR100453633B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기 전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
KR100453635B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
GB2384100B (en) * 2002-01-09 2005-10-26 Seiko Epson Corp An electronic circuit for controlling the current supply to an element
JP3953330B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003295825A (ja) * 2002-02-04 2003-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003308030A (ja) 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP4024557B2 (ja) 2002-02-28 2007-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
SG110023A1 (en) 2002-03-01 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Display device, light emitting device, and electronic eqipment
JP2003332058A (ja) * 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP2003257645A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2003075256A1 (fr) * 2002-03-05 2003-09-12 Nec Corporation Affichage d'image et procede de commande
JP2003258094A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP3923341B2 (ja) 2002-03-06 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその駆動方法
CN100517422C (zh) * 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
JP3837344B2 (ja) * 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
KR100461467B1 (ko) * 2002-03-13 2004-12-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
TW575851B (en) * 2002-03-22 2004-02-11 Ind Tech Res Inst Elemental circuit for active matrix of current driving device
KR100643563B1 (ko) * 2002-03-26 2006-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
KR100488835B1 (ko) * 2002-04-04 2005-05-11 산요덴키가부시키가이샤 반도체 장치 및 표시 장치
US6930328B2 (en) 2002-04-11 2005-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3637911B2 (ja) 2002-04-24 2005-04-13 セイコーエプソン株式会社 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法
JP2003316321A (ja) * 2002-04-25 2003-11-07 Dainippon Printing Co Ltd 表示装置および電子機器
JP4357413B2 (ja) 2002-04-26 2009-11-04 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Ｅｌ表示装置
WO2003092165A1 (fr) 2002-04-26 2003-11-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Circuits a semi-conducteur destines a commander par courant un affichage et affichage correspondant
CN1662946A (zh) 2002-04-26 2005-08-31 东芝松下显示技术有限公司 El显示设备的驱动方法
TWI360098B (en) * 2002-05-17 2012-03-11 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
SG119186A1 (en) 2002-05-17 2006-02-28 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
US7170479B2 (en) 2002-05-17 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US7184034B2 (en) 2002-05-17 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4693338B2 (ja) * 2002-05-17 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7474285B2 (en) 2002-05-17 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus and driving method thereof
JP4034122B2 (ja) 2002-05-31 2008-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び素子基板
JP3918642B2 (ja) 2002-06-07 2007-05-23 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動方法
KR100441530B1 (ko) * 2002-06-11 2004-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2004070293A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器
WO2004001713A1 (ja) * 2002-06-19 2003-12-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 表示装置
JP4610843B2 (ja) 2002-06-20 2011-01-12 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4123084B2 (ja) * 2002-07-31 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電気光学装置、及び電子機器
JP3829778B2 (ja) * 2002-08-07 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電気光学装置、及び電子機器
JP4103500B2 (ja) 2002-08-26 2008-06-18 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
TW558699B (en) * 2002-08-28 2003-10-21 Au Optronics Corp Driving circuit and method for light emitting device
TWI318490B (en) 2002-08-30 2009-12-11 Semiconductor Energy Lab Current source circuit, display device using the same and driving method thereof
JP2004109991A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 表示駆動回路
JP2004145278A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP4144462B2 (ja) * 2002-08-30 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4416456B2 (ja) * 2002-09-02 2010-02-17 キヤノン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置
TW571281B (en) * 2002-09-12 2004-01-11 Au Optronics Corp Driving circuit and method for a display device and display device therewith
KR100450761B1 (ko) * 2002-09-14 2004-10-01 한국전자통신연구원 능동 구동형 유기 이엘 다이오드 디스플레이 패널 회로
JP2004139042A (ja) 2002-09-24 2004-05-13 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP2004117820A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp 電子回路、電子装置及び電子機器
JP2004145300A (ja) 2002-10-03 2004-05-20 Seiko Epson Corp 電子回路、電子回路の駆動方法、電子装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP4467909B2 (ja) * 2002-10-04 2010-05-26 シャープ株式会社 表示装置
JP2004138803A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置及び電子機器
CN100375144C (zh) * 2002-11-06 2008-03-12 三菱电机株式会社 采样保持电路以及使用它的图像显示装置
EP1571643A4 (en) * 2002-11-20 2009-11-25 Toshiba Matsushita Display Tec ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
JP4409821B2 (ja) 2002-11-21 2010-02-03 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Ｅｌ表示装置
JP3707484B2 (ja) 2002-11-27 2005-10-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2004191752A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2004198493A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Seiko Epson Corp 電子回路の駆動方法、電子装置の駆動方法、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
US7271784B2 (en) 2002-12-18 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP3810364B2 (ja) 2002-12-19 2006-08-16 松下電器産業株式会社 表示装置用ドライバ
JP4350370B2 (ja) 2002-12-27 2009-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路及び電子機器
TWI405156B (zh) 2003-01-06 2013-08-11 Semiconductor Energy Lab 電路、顯示裝置及電子機器
US7333099B2 (en) 2003-01-06 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic circuit, display device, and electronic apparatus
JP4053433B2 (ja) 2003-01-07 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 電流出力ｄａコンバータ回路、表示装置及び電子機器
JP4170293B2 (ja) 2003-01-17 2008-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6975293B2 (en) * 2003-01-31 2005-12-13 Faraday Technology Corp. Active matrix LED display driving circuit
JP4048969B2 (ja) * 2003-02-12 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法及び電子機器
CN100418123C (zh) * 2003-02-24 2008-09-10 奇美电子股份有限公司 显示装置
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
JP3952965B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-01 カシオ計算機株式会社 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4502585B2 (ja) * 2003-03-03 2010-07-14 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4338997B2 (ja) 2003-03-17 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP2004294865A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 表示回路
JP3912313B2 (ja) * 2003-03-31 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 画素回路、電気光学装置および電子機器
JP2004318093A (ja) 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 発光ディスプレイ及びその駆動方法及びエレクトロルミネッセンス表示回路及びエレクトロルミネッセンスディスプレイ
JP2004303522A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Fujitsu Display Technologies Corp 表示装置及びその製造方法
KR100497247B1 (ko) * 2003-04-01 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100497246B1 (ko) * 2003-04-01 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP2005128476A (ja) * 2003-04-17 2005-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
CN100357999C (zh) * 2003-04-24 2007-12-26 友达光电股份有限公司 有机发光二极管的驱动电路
CN100367333C (zh) * 2003-04-24 2008-02-06 友达光电股份有限公司 驱动有机发光二极管的方法
JP5122131B2 (ja) * 2003-04-25 2013-01-16 統寶光電股▲ふん▼有限公司 アクティブマトリクスディスプレイパネルを駆動する方法および装置
US6919681B2 (en) * 2003-04-30 2005-07-19 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US6961032B2 (en) * 2003-05-06 2005-11-01 Eastman Kodak Company Reducing the effects of shorts in pixels of an active matrix organic electroluminescent device
KR100812846B1 (ko) 2003-05-07 2008-03-11 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 전류 출력형 반도체 장치, 표시 장치 구동용 소스 드라이버, 표시 장치, 신호 입출력 방법
CN1820295A (zh) * 2003-05-07 2006-08-16 东芝松下显示技术有限公司 El显示装置及其驱动方法
JP4425574B2 (ja) * 2003-05-16 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
JP3772889B2 (ja) 2003-05-19 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその駆動装置
JP4016962B2 (ja) 2003-05-19 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法
JP2005010747A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2005017977A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Casio Comput Co Ltd 電流生成供給回路及び該電流生成供給回路を備えた表示装置
JP4346350B2 (ja) * 2003-05-28 2009-10-21 三菱電機株式会社 表示装置
CN100353399C (zh) * 2003-05-29 2007-12-05 友达光电股份有限公司 主动式有机电激发光显示单元
JP2004361753A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
TWI253614B (en) 2003-06-20 2006-04-21 Sanyo Electric Co Display device
US8378939B2 (en) * 2003-07-11 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7961160B2 (en) 2003-07-31 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device
US8937580B2 (en) * 2003-08-08 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of light emitting device and light emitting device
JP2005099712A (ja) 2003-08-28 2005-04-14 Sharp Corp 表示装置の駆動回路および表示装置
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
US7633470B2 (en) 2003-09-29 2009-12-15 Michael Gillis Kane Driver circuit, as for an OLED display
US7310077B2 (en) * 2003-09-29 2007-12-18 Michael Gillis Kane Pixel circuit for an active matrix organic light-emitting diode display
US7193588B2 (en) * 2003-09-29 2007-03-20 Wintek Corporation Active matrix organic electroluminescence display driving circuit
JP4049085B2 (ja) * 2003-11-11 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法、画素回路および電子機器
KR100600865B1 (ko) * 2003-11-19 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 전자파차폐수단을 포함하는 능동소자표시장치
JP2005181975A (ja) * 2003-11-20 2005-07-07 Seiko Epson Corp 画素回路、電気光学装置および電子機器
JP3922246B2 (ja) * 2003-11-21 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電流生成回路、電流生成回路の制御方法、電気光学装置および電子機器
JP3966270B2 (ja) 2003-11-21 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 画素回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器
JP4785373B2 (ja) * 2003-11-27 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR100578791B1 (ko) * 2003-11-29 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
DE10360816A1 (de) 2003-12-23 2005-07-28 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Schaltung und Ansteuerverfahren für eine Leuchtanzeige
MXPA06007060A (es) * 2003-12-23 2006-09-04 Thomson Licensing Dispositivo para exhibir imagenes sobre una matriz activa.
US7405713B2 (en) 2003-12-25 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic equipment using the same
JP2005242323A (ja) * 2004-01-26 2005-09-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US7339560B2 (en) * 2004-02-12 2008-03-04 Au Optronics Corporation OLED pixel
US7173585B2 (en) 2004-03-10 2007-02-06 Wintek Corporation Active matrix display driving circuit
JP4687943B2 (ja) 2004-03-18 2011-05-25 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置
JP4665419B2 (ja) 2004-03-30 2011-04-06 カシオ計算機株式会社 画素回路基板の検査方法及び検査装置
JP2005308857A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法
US6977470B2 (en) * 2004-04-28 2005-12-20 Au Optronics Corp. Current-driven OLED pixel
KR100627333B1 (ko) 2004-04-29 2006-09-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 이엘 발광셀 및 그 제조 방법
TWI288900B (en) 2004-04-30 2007-10-21 Fujifilm Corp Active matrix type display device
KR101057206B1 (ko) * 2004-04-30 2011-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
JP4660116B2 (ja) 2004-05-20 2011-03-30 三洋電機株式会社 電流駆動画素回路
TWI272560B (en) * 2004-05-21 2007-02-01 Au Optronics Corp Data driving circuit and active matrix organic light emitting diode display
JP2005340721A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Anelva Corp 高誘電率誘電体膜を堆積する方法
KR100658616B1 (ko) 2004-05-31 2006-12-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US20050275352A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Au Optronics Corporation. Redundant storage capacitor and method for repairing OLED pixels and driving circuits
KR100636503B1 (ko) * 2004-06-25 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 제조방법
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
EP2348351A1 (en) 2004-07-14 2011-07-27 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and drive circuit thereof
KR100592641B1 (ko) 2004-07-28 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 화소 회로 및 그것을 채용한 유기 발광 표시 장치
US7046225B2 (en) * 2004-08-06 2006-05-16 Chen-Jean Chou Light emitting device display circuit and drive method thereof
US7053875B2 (en) * 2004-08-21 2006-05-30 Chen-Jean Chou Light emitting device display circuit and drive method thereof
US7589706B2 (en) * 2004-09-03 2009-09-15 Chen-Jean Chou Active matrix light emitting device display and drive method thereof
US7105855B2 (en) * 2004-09-20 2006-09-12 Eastman Kodak Company Providing driving current arrangement for OLED device
US7589707B2 (en) * 2004-09-24 2009-09-15 Chen-Jean Chou Active matrix light emitting device display pixel circuit and drive method
WO2006038174A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Chen-Jean Chou Light emitting device display and drive method thereof
JP2008521033A (ja) * 2004-11-16 2008-06-19 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド アクティブマトリクス型発光デバイス表示器のためのシステム及び駆動方法
CA2490848A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-16 Arokia Nathan Pixel circuit and driving method for fast compensated programming of amoled displays
US7116058B2 (en) * 2004-11-30 2006-10-03 Wintek Corporation Method of improving the stability of active matrix OLED displays driven by amorphous silicon thin-film transistors
WO2006059813A1 (en) 2004-12-03 2006-06-08 Seoul National University Industry Foundation Picture element structure of current programming method type active matrix organic emitting diode display and driving method of data line
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
JP5128287B2 (ja) 2004-12-15 2013-01-23 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド 表示アレイのためのリアルタイム校正を行う方法及びシステム
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
CA2495726A1 (en) * 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR20060091157A (ko) * 2005-02-14 2006-08-18 매그나칩 반도체 유한회사 전원라인의 전압 감소를 방지할 수 있는 이미지센서 및 이미지센서의 전원라인 배치 방법
US7190122B2 (en) 2005-03-01 2007-03-13 Eastman Kodak Company OLED display with improved active matrix circuitry
CN100419839C (zh) * 2005-03-02 2008-09-17 立锜科技股份有限公司 操作被动矩阵式有机发光二极管显示器面板的方法及电路
JP2006251049A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びアレイ基板
WO2006098176A1 (ja) 2005-03-15 2006-09-21 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置
JP4962682B2 (ja) * 2005-03-16 2012-06-27 カシオ計算機株式会社 発光駆動回路及び表示装置
KR101152120B1 (ko) 2005-03-16 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
EP1729280B1 (en) 2005-03-31 2013-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic apparatus and driving method of the display device
US7907137B2 (en) 2005-03-31 2011-03-15 Casio Computer Co., Ltd. Display drive apparatus, display apparatus and drive control method thereof
JP2006285116A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Eastman Kodak Co 駆動回路
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
KR101160830B1 (ko) * 2005-04-21 2012-06-29 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
TWI272040B (en) * 2005-06-01 2007-01-21 Au Optronics Corp Electroluminescence display and pixel array thereof
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
KR100635509B1 (ko) 2005-08-16 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
US7642109B2 (en) * 2005-08-29 2010-01-05 Eastman Kodak Company Electrical connection in OLED devices
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
KR100666640B1 (ko) 2005-09-15 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
EP1764770A3 (en) 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR101324756B1 (ko) 2005-10-18 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그의 구동방법
US20070126667A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. El display apparatus and method for driving el display apparatus
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
KR20090006057A (ko) 2006-01-09 2009-01-14 이그니스 이노베이션 인크. 능동 매트릭스 디스플레이 회로 구동 방법 및 시스템
US20070176538A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Eastman Kodak Company Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry
TWI306358B (en) * 2006-02-17 2009-02-11 Himax Tech Inc Organic light emitting display and pixel circuit thereof
KR100965022B1 (ko) * 2006-02-20 2010-06-21 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 Ｅｌ 표시 장치 및 ｅｌ 표시 장치의 구동 방법
JP4821381B2 (ja) * 2006-03-09 2011-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US8254865B2 (en) 2006-04-07 2012-08-28 Belair Networks System and method for frequency offsetting of information communicated in MIMO-based wireless networks
US20090117859A1 (en) * 2006-04-07 2009-05-07 Belair Networks Inc. System and method for frequency offsetting of information communicated in mimo based wireless networks
US7881690B2 (en) * 2006-04-07 2011-02-01 Belair Networks Inc. System and method for zero intermediate frequency filtering of information communicated in wireless networks
WO2007118332A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
US7554261B2 (en) * 2006-05-05 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electrical connection in OLED devices
JP5275551B2 (ja) * 2006-06-02 2013-08-28 富士フイルム株式会社 電流制御型駆動回路および表示装置
JP2008010744A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Canon Inc 表示素子及び表示システム
KR101202041B1 (ko) 2006-06-30 2012-11-16 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 유기발광다이오드 표시소자 및 그 구동방법
TWI385621B (zh) 2006-08-01 2013-02-11 Casio Computer Co Ltd 顯示驅動裝置及其驅動方法、以及顯示裝置及其驅動方法
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP2008046427A (ja) 2006-08-18 2008-02-28 Sony Corp 画像表示装置
WO2008029717A1 (en) * 2006-09-05 2008-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Organic light emitting display device
JP4658016B2 (ja) * 2006-10-27 2011-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4415983B2 (ja) * 2006-11-13 2010-02-17 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP2008151963A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5665256B2 (ja) * 2006-12-20 2015-02-04 キヤノン株式会社 発光表示デバイス
JP2008227182A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Fujifilm Corp 表示装置
JP2008225101A (ja) 2007-03-13 2008-09-25 Fujifilm Corp 表示装置
US7919352B2 (en) * 2007-04-10 2011-04-05 Global Oled Technology Llc Electrical connection in OLED devices
US8513678B2 (en) * 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2008298970A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Canon Inc 有機ｅｌ画素回路及びその駆動方法
US20090101980A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 International Business Machines Corporation Method of fabricating a gate structure and the structure thereof
GB0721567D0 (en) * 2007-11-02 2007-12-12 Cambridge Display Tech Ltd Pixel driver circuits
JP2009128756A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Oki Semiconductor Co Ltd 電流ドライバ装置
WO2009127065A1 (en) 2008-04-18 2009-10-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
KR101258260B1 (ko) 2010-04-16 2013-04-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
TWI421836B (zh) * 2010-05-12 2014-01-01 Au Optronics Corp 顯示裝置及其顯示方法以及電流驅動元件的驅動電路
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
WO2012156942A1 (en) 2011-05-17 2012-11-22 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
CN106910464B (zh) 2011-05-27 2020-04-24 伊格尼斯创新公司 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路
CN103597534B (zh) 2011-05-28 2017-02-15 伊格尼斯创新公司 用于快速补偿显示器中的像素的编程的系统和方法
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (en) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
WO2014174427A1 (en) 2013-04-22 2014-10-30 Ignis Innovation Inc. Inspection system for oled display panels
DE112014003719T5 (de) 2013-08-12 2016-05-19 Ignis Innovation Inc. Kompensationsgenauigkeit
CN103474024B (zh) * 2013-09-06 2015-09-16 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及显示器
JP6562608B2 (ja) * 2013-09-19 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器、及び電子機器の駆動方法
KR102049793B1 (ko) 2013-11-15 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
CN104751775B (zh) * 2013-12-27 2017-10-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 带有补偿功能的像素电路和驱动方法及显示电路
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CN105070250A (zh) * 2015-09-23 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种像素驱动电路及其驱动方法和显示装置
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
KR20210155038A (ko) 2020-06-12 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 유기 발광 표시 장치
CN111710304B (zh) * 2020-07-17 2021-12-07 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示设备
CN113506538B (zh) * 2021-07-16 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282419A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 素子駆動装置および方法、画像表示装置
KR20010001282A (ko) * 1999-06-03 2001-01-05 구본준 전기발광소자
EP1102234A2 (en) * 1999-11-18 2001-05-23 Sony Corporation Active matrix type display apparatus and drive circuit thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
US5952789A (en) 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
KR20050084509A (ko) 1997-04-23 2005-08-26 사르노프 코포레이션 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를동작시키는 방법
US6229508B1 (en) 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282419A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 素子駆動装置および方法、画像表示装置
KR20010001282A (ko) * 1999-06-03 2001-01-05 구본준 전기발광소자
EP1102234A2 (en) * 1999-11-18 2001-05-23 Sony Corporation Active matrix type display apparatus and drive circuit thereof

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100879109B1 (ko) * 2001-07-16 2009-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
US7649516B2 (en) 2001-07-16 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100910688B1 (ko) * 2001-10-10 2009-08-04 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 화상 표시장치
KR100958347B1 (ko) * 2001-10-31 2010-05-17 캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드 전기-광학 디스플레이를 위한 디스플레이 드라이버
KR100475002B1 (ko) * 2001-11-09 2005-03-11 샤프 가부시키가이샤 표시장치 및 그의 구동방법
KR100469070B1 (ko) * 2002-02-19 2005-02-02 재단법인서울대학교산학협력재단 능동 매트릭스 유기물 발광 다이오드 디스플레이 화소구조
KR100936632B1 (ko) * 2002-03-26 2010-01-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR100452114B1 (ko) * 2002-04-15 2004-10-12 한국과학기술원 화소 회로 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치
KR100640049B1 (ko) * 2002-06-07 2006-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자의 구동방법 및 장치
KR100868642B1 (ko) * 2002-07-19 2008-11-12 매그나칩 반도체 유한회사 능동 방식 유기 ｅｌ 디스플레이 장치
KR100906964B1 (ko) * 2002-09-25 2009-07-08 삼성전자주식회사 유기 전계발광 구동 소자와 이를 갖는 유기 전계발광 표시패널
KR100774951B1 (ko) * 2006-06-14 2007-11-09 엘지전자 주식회사 전계발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001147659A (ja) 2001-05-29
US6501466B1 (en) 2002-12-31
EP1102234A3 (en) 2001-09-12
EP1102234A2 (en) 2001-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010051698A (ko) 표시 장치
KR100888004B1 (ko) 전류 구동 회로 및 그것을 사용한 표시 장치, 화소 회로,및 구동 방법
US7193591B2 (en) Current drive circuit and display device using same, pixel circuit, and drive method
US9245481B2 (en) Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device
KR101152120B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
EP1585100B1 (en) Electroluminescent display device and pixel circuit therefor
KR101142994B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
US6583581B2 (en) Organic light emitting diode display and operating method of driving the same
US7864140B2 (en) Light-emitting display
TWI453720B (zh) 半導體裝置
US20030128200A1 (en) Active matrix display and active matrix organic electroluminescence display
US7619593B2 (en) Active matrix display device
US20050093791A1 (en) Pixel driving circuit of an organic light emitting diode display panel
US20030107560A1 (en) Active-matrix display, active-matrix organic electroluminescent display, and methods of driving them
US8730134B2 (en) Pixel circuit and display device
KR20060101401A (ko) 반도체 장치, 표시 장치 및 그 구동 방법 및 전자 기기
KR20060054603A (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
US20020011973A1 (en) Display device
JP2001343931A (ja) 表示装置
Leroy Addressing OLED Microdisplays
JP2007179040A (ja) 半導体装置
KR20120107430A (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee