JP2001343931A

JP2001343931A - 表示装置

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Publication number: JP2001343931A
Application number: JP2001084408A
Authority: JP
Inventors: Naoaki Furumiya; 直明古宮
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2021-03-23
Also published as: JP3374133B2

Abstract

(57)【要約】【課題】表示装置のオフ時に、瞬間的にＥＬ素子が多
大に発光してしまい、発光層の劣化を招くことを防止で
きる表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】各画素に有機ＥＬ素子６０と、これを制
御するＴＦＴ３０，４０とを備える表示装置において、
シーケンシャル回路３５０を設け、装置がオフした時に
有機ＥＬ素子６０への電源電圧Ｐvddの供給を停止して
から、各有機ＥＬ素子６０を制御するＴＦＴを駆動する
ためのドライバ８０，９０への電源電圧Ｈvdd，Ｖvddの
供給を停止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子に供給す
る電流を制御する薄膜トランジスタ（Thin FilmTransis
tor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えた表示装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を
用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装
置として注目されている。

【０００３】また、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transist
or：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示装
置も研究開発されている。

【０００４】図２に一般的なＥＬ表示装置の等価回路図
を示す。

【０００５】図２に示すように、ＥＬ表示パネルは絶縁
性基板１０上に、走査信号を供給する垂直側ドライバ８
０に接続された複数の走査信号線８１と、データ信号を
供給する水平側ドライバ９０から出力されるサンプリン
グパルスのタイミングに応じてサンプリングトランジス
タＳＰ１，・・・，ＳＰｋ，ＳＰｋ+1，・・・，ＳＰｎ
がオンし、データ入力線９２のデータ信号Ｓｉｇが供給
される複数のデータ信号線９１とが配置されている。ま
たそれらの両信号線８１，９１の交差部近傍には、それ
らの両信号線８１，９１に接続されたスイッチング用Ｔ
ＦＴ３０と、そのスイッチング用ＴＦＴ３０に接続され
た素子駆動用ＴＦＴ４０と、この素子駆動用ＴＦＴ４０
に印加された電圧に応じて素子駆動電源線１００から電
流を供給されて発光する有機ＥＬ素子６０が配置されて
いる。

【０００６】また、ＴＦＴ３０とＴＦＴ４０の間には保
持容量７０が設けられ、その一方の電極７１はＴＦＴ３
０のソース１１ｓに接続されており、他方の電極７２は
各表示画素２００において共通の電位が印加されてい
る。

【０００７】また、水平側ドライバ９０には、水平側ス
タートパルスＳＴＨ等のタイミング信号等が供給され、
また垂直側ドライバ８０には垂直側スタートパルス等の
タイミング信号等が供給される。

【０００８】更に、各ドライバ８０，９０には、それぞ
れのドライバを駆動させるための駆動電圧Ｈvdd，Ｖvdd
が供給される。この駆動電圧Ｈvdd，Ｖvddによって、各
ドライバを構成するシフトレジスタが駆動することにな
る。

【０００９】ここで、スタート信号に基づいて、水平側
ドライバ９０から順次サンプリングパルスが出力され、
このサンプリングパルスに応じてサンプリングトランジ
スタＳＰがオンしデータ入力線９２のデータ信号Ｖdata
1がデータ信号線９１に供給される。また、ゲート信号
がゲート信号線８１から第１のＴＦＴ３０のゲート１３
に入力され、第１のＴＦＴ３０がオンする。それによっ
てデータ信号がＴＦＴ３０のソース１１ｓに流れ、その
ときの電圧Ｖdata2が第２のＴＦＴ４０のゲート４３に
印加され、第２のＴＦＴ４０はオンして、ゲート電圧Ｖ
data2に応じて、素子駆動電源線１００から電流がＥＬ
素子６０に流れてＥＬ素子６０が発光する。

【００１０】ここで、ＴＦＴをスイッチング用及び素子
駆動用として備えた有機ＥＬ表示装置について説明す
る。

【００１１】図３はこの有機ＥＬ表示装置の表示画素付
近を示す平面図を示し、図４（ａ）に図３中のＡ−Ａ線
に沿った断面図を示し、図４（ｂ）に図３中のＢ−Ｂ線
に沿った断面図を示す。

【００１２】図３に示すように、ゲート信号線８１とデ
ータ信号線９１とに囲まれた領域に表示画素が形成され
ている。両信号線の交差部付近にはスイッチング用の第
１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソ
ース１１ｓは後述の保持容量電極線５４との間で容量を
なす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子駆動用の
第２のＴＦＴ４０のゲート４３に接続されている。第２
のＴＦＴのソース４１ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１
Ｒに接続され、他方のドレイン４１ｄは有機ＥＬ素子６
０に供給される電流源である素子駆動電源線１００に接
続されている。

【００１３】また、ＴＦＴの付近には、ゲート信号線８
１と並行に保持容量電極線５４が配置されている。この
保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜１２を介してＴＦＴ３０のソース１１ｓと接続さ
れた容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成して
いる。この保持容量は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極
４３に印加される電圧を保持するために設けられてい
る。

【００１４】図４に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する
基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び
有機ＥＬ素子を順に積層形成して成る。

【００１５】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３０について説明する。

【００１６】図４（ａ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ＣＶＤ
法等を用いて成膜した非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）
にレーザ光を照射して多結晶化して、能動層である多結
晶シリコン膜（ｐ−Ｓｉ膜）１１とする。そのｐ−Ｓｉ
膜１１上にゲート絶縁膜１２が積層されている。そして
その上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの
高融点金属からなるゲート電極１３を兼ねた走査信号線
８１、保持容量線５４及び素子駆動電源線１００が形成
されている。

【００１７】そして、ゲート絶縁膜１２、ゲート電極１
３、素子駆動電源線１００及び保持容量電極線５４上の
全面には、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積
層された層間絶縁膜１４が形成されており、能動層の第
１領域であるドレイン１１ｄに対応して設けたコンタク
トホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極１５が
設けられる。なお、データ信号線９１がこのドレイン電
極１５を兼用している。また、能動層の第２領域である
ソース１１ｓもドレイン領域１１ｄと同様に不純物イオ
ンを注入して形成されている。更に全面に有機樹脂から
成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１６が形成されてい
る。

【００１８】次に、有機ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴであ
る第２のＴＦＴ４０について説明する。

【００１９】図４（ｂ）に示すように、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、第１の
ＴＦＴ３０の能動層と同時に形成したｐ−Ｓｉ膜からな
る能動層４１、ゲート絶縁膜１２及びＣｒ、Ｍｏなどの
高融点金属からなるゲート電極４３が順に形成されてお
り、能動層４１には、チャネル４１ｃと、このチャネル
４１ｃの両側に能動層の第１領域であるドレイン４１ｄ
及び能動層の第２領域であるソース４１ｓが設けられて
いる。そして、能動層４１及びゲート絶縁膜１２上の全
面に、ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ₂膜の順に積層さ
れた層間絶縁膜１４を形成し、ドレイン４１ｄに対応し
て設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆
動電源Ｐvddに接続された素子駆動電源線１００が配置
されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を
平坦にする平坦化絶縁膜１６を備えている。そして、そ
の平坦化絶縁膜１６のソース４１ｓに対応した位置にコ
ンタクトホールが形成されており、このコンタクトホー
ルを介してソース４１ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の
陽極６１を平坦化絶縁膜１６上に設けている。

【００２０】有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極
から成る陽極６１、後述するような発光素子層６６、マ
グネシウム・インジウム合金などからなる陰極６７がこ
の順で積層形成されている。発光素子層６６は例えば、
ＭＴＤＡＴＡ（4,4,4-tris(3-methylphenylphenylamin
o)triphenylamine）などから成る第１ホール輸送層６
２、及びＴＰＤ（N,N-diphenyl-N,N-di(3-methylpheny
l) -1,1-biphenyl-4,4-diamine）などからなる第２ホー
ル輸送層６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を
含むＢｅｂｑ2（bis(10-hydr oxybenzo[h]quinolinato)
beryllium）などから成る発光層６４及びＢｅｂｑ2など
から成る電子輸送層６５からなる。なお、陽極６１のエ
ッジと陰極６７との短絡を防止するために絶縁膜６８が
形成されている。有機ＥＬ素子６０は一例として以上の
ような構成であり、この有機ＥＬ素子６０が実質的に表
示画素（発光領域）を成している。

【００２１】また有機ＥＬ素子は、陽極から注入された
ホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で
再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子
が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から
光が放たれ、この光が透明な陽極から透明絶縁基板を介
して外部へ放出されて発光する。

【００２２】ここで、図２に示した各ドライバ８０，９
０を駆動するための駆動電圧Ｈvdd，Ｖvdd、及び素子駆
動電源Ｐvddを発生させるための電源回路３００につい
て説明する。

【００２３】図５に、従来の電源回路のブロック図を示
す。

【００２４】同図に示すように、電源回路３００は、各
ドライバ８０，９０を駆動するための駆動電圧Ｈvdd，
Ｖvddを発生するドライバ駆動電圧発生回路３２０、及
び素子駆動電圧Ｐvddを発生する素子駆動電圧発生回路
３３０とから成っている。各駆動電圧発生回路３２０，
３３０は、ＤＣ／ＤＣコンバータから成っており、電源
３１０の電圧、例えば１５Ｖの電圧を１２Ｖにする。

【００２５】この各駆動電圧発生回路３２０，３３０の
電圧が、それぞれ両ドライバ８０，９０、及び素子駆動
電源線１００に供給される。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＥＬ
表示装置においては、この表示装置の使用を止めるため
に表示装置をオフにした際に、電源回路３００について
は電源３１０及び回路３２０，３３０を停止するだけで
あり、素子駆動電圧Ｐvddよりも先に第２のＴＦＴ４０
のゲートに印加される電圧Ｖdata2が下がると、第２の
ＴＦＴ４０による制御ができないのに、電源線１００か
らＥＬ素子６０に瞬間的に多大な電流が流れてしまい、
有機ＥＬ素子６０の発光層６６の劣化を招いてしまうと
いう欠点があった。

【００２７】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、表示装置のオフ時に瞬間的にＥ
Ｌ素子が多大に発光してしまい、発光層の劣化を招くこ
とを防止できる表示装置を提供することを目的とする。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数のゲート信号線に走査信号を供給する垂直ドライバ
と、前記複数のゲート信号に交差した複数のドレイン信
号線にデータ信号を供給する水平ドライバと、該両信号
線の交差部近傍に該両信号線に接続したスイッチング素
子と、該スイッチング素子に接続された発光素子と、該
発光素子に電流を供給する素子駆動電源線とを備えた表
示装置であって、前記両ドライバを駆動する電圧の該両
ドライバへの供給を停止する前に、前記素子駆動電源線
への電圧の供給を停止するシーケンス回路を備えたもの
である。

【００２９】また、上述の表示装置は、前記スイッチン
グ素子は、第１及び第２のスイッチング素子から成って
おり、該第１のスイッチング素子の能動層の第１領域は
前記データ信号線に、ゲートは前記走査信号線に、能動
層の第２領域は前記第２のスイッチング素子のゲートに
それぞれ接続されており、前記第２のスイッチング素子
の能動層の第１領域は前記素子駆動電源線に、能動層の
第２領域は前記発光素子の一方の電極に接続されている
表示装置である。

【００３０】さらに、上述の表示装置は、前記シーケン
ス回路は、前記両ドライバを駆動する電圧の該両ドライ
バへの供給後に、前記素子駆動電源線への電圧を供給す
る表示装置である。

【００３１】さらにまた、上述の表示装置は、前記シー
ケンス回路は、第１及び第２のトランジスタ、第１及び
第２の抵抗、及び前記第１のトランジスタと前記第２の
トランジスタとを接続した第３の抵抗を備え、前記第１
のトランジスタのエミッタは素子駆動電源発生回路に接
続された前記第１の抵抗に、ベースは電源に、コレクタ
はグランドに接続されており、前記第２のトランジスタ
のエミッタは前記両ドライバを駆動する駆動電源発生回
路に接続された前記第２の抵抗に、ベースは前記第１の
トランジスタのエミッタに接続された第３の抵抗及び一
方をグランドに接続した容量の他方に、コレクタはグラ
ンドに接続されている表示装置である。

【００３２】また、上述の表示装置は、前記発光素子
は、エレクトロルミネッセンス素子である表示装置であ
る。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明の表示装置について以下に
説明する。なお、有機ＥＬ表示装置に本発明を採用した
場合について示すが、表示パネルは図２に示した回路構
成と同じであるので表示パネルについての説明は省略す
る。

【００３４】図１に、本発明の表示装置の電源回路の回
路図を示す。

【００３５】同図に示すように、電源回路３００は、電
源３１０に接続され垂直ドライバ８０及び水平ドライバ
９０を駆動するための電圧を発生させるドライバ駆動電
圧発生回路３２２と、同じく電源３１０に接続され発光
素子を駆動させる素子駆動電圧発生回路３３２と、シー
ケンシャル回路３５０とを有する。

【００３６】シーケンシャル回路３５０は、第１のトラ
ンジスタＱ１及び第２のトランジスタＱ２、並びに抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及び容量Ｃ１から成っている。第１及
び第２のトランジスタＱ１，Ｑ２はいずれも本実施の形
態においてはＰＮＰトランジスタで構成されている。

【００３７】第１のトランジスタＱ１は、そのエミッタ
が、素子駆動電源発生回路３３２に接続された第１の抵
抗Ｒ１に、ベースが電源３１０に、コレクタがグランド
に接続されている。

【００３８】また、第２のトランジスタＱ２は、そのエ
ミッタが、水平及び垂直ドライバを駆動するドライバ駆
動電圧発生回路３２２に接続された第２の抵抗Ｒ２に接
続されており、ベースは、第１のトランジスタＱ１のエ
ミッタに第３の抵抗Ｒ３を介して接続され、またグラン
ドとの間に設けられた容量Ｃ１に接続されており、コレ
クタはグランドに接続されている。

【００３９】表示装置をオンして電源から電圧を表示装
置に供給すると、図１の電源回路３００から電圧Ｈvd
d，Ｖvddが図２において説明した両ドライバ８０，９０
に供給されて両ドライバ８０，９０が駆動状態になると
ともに、素子駆動電源線１００に素子を駆動するための
電圧Ｐvddが印加された状態となる。例えば、電源３１
０の電圧は２０Ｖであり、そのときのドライバ駆動電圧
Ｈvdd，Ｖvddは１５Ｖ、素子駆動電圧Ｐvddは１２Ｖで
ある。

【００４０】この駆動状態となった両ドライバ８０，９
０には、スタートパルスＳＴＨ，ＳＴＶ等の表示を行う
のに必要な各信号が入力される。

【００４１】そして、スタートパルスＳＴＨに基づくサ
ンプリングパルスに応じてサンプリングトランジスタＳ
Ｐ１，・・・，ＳＰk，ＳＰk+1，・・・，ＳＰｎが順に
オンしデータ入力線９２のデータ信号Ｖdata1が各デー
タ信号線９１に供給される。また、スタートパルスＳＴ
Ｖに基づいてゲート信号がゲート信号線８１から第１の
ＴＦＴ３０のゲート１３に入力され、第１のＴＦＴ３０
がオンする。それによってデータ信号がＴＦＴ３０のソ
ース１１ｓに流れ、そのときの電圧Ｖdata2が第２のＴ
ＦＴ４０のゲート４３に印加され、第２のＴＦＴ４０の
ゲートがオンしその電圧Ｖdata2に応じて、素子駆動電
源線１００の電流がＥＬ素子６０に流れてＥＬ素子６０
が発光する。

【００４２】ここで、図１において表示装置をオンした
場合の電源回路３００の動作について説明する。

【００４３】装置をオンさせることにより、まず電源３
１０がオンし、発生した電源電圧が素子駆動電圧発生回
路３３２、ドライバ駆動電圧発生回路３２２及び第１の
トランジスタＱ１のベースに供給される。

【００４４】素子駆動電圧発生回路３３２に電圧が供給
されると、素子駆動電圧Ｐvddが発生して、素子駆動電
源線１００に供給される。

【００４５】また、ドライバ駆動電圧発生回路３２２に
電圧が供給されると、ドライバ駆動電圧Ｈvdd，Ｖvddが
発生して、両ドライバ８０，９０に供給される。

【００４６】上述のように、第１のトランジスタＱ１は
ＰＮＰトランジスタであるので電源３１０がオンしても
オンしない。

【００４７】従って、電源３１０がオンすると、素子駆
動電圧発生回路３３２から、素子駆動電圧Ｐvddが素子
駆動電源線１００に供給されるとともに、ドライバ駆動
電圧発生回路３２２が、ドライバ駆動電圧Ｈvdd，Ｖvdd
を発生して、両ドライバ８０，９０に供給される。

【００４８】次に、図１において、表示装置をオフした
場合の電源回路３００の動作について説明する。

【００４９】装置のオフにより、まず電源３１０がオフ
されると、素子駆動電圧発生回路３３２、ドライバ駆動
電圧発生回路３２２がオフする。

【００５０】電源３１０がオフすると、第１のトランジ
スタＱ１のベースが「ロウ(Low)」電圧になるため、第
１のトランジスタＱ１はオンする。すると、素子駆動電
源線１００に印加されていた素子駆動電圧Ｐvddに応じ
た電流は、第１の抵抗Ｒ１及び第１のトランジスタＱ１
のエミッタ−コレクタ間を介してグランドに流れ出る。
このとき、第１の抵抗Ｒ１及び容量Ｃ２によって決まる
時定数の調整によりトランジスタＱ１の動作後、素子駆
動電源電圧Ｐvddが低下するタイミングを所望のタイミ
ングに制御する。

【００５１】また、電源３１０がオフされることによ
り、第１のトランジスタＱ１がオンすることでこのトラ
ンジスタＱ１のエミッタ電位が低下し、このエミッタに
接続された第３の抵抗Ｒ３を介して接続された第２のト
ランジスタＱ２のベースには、「Low」電位が印加され
ることになるため、第２のトランジスタＱ２はオンす
る。それによって、両ドライバ８０，９０にドライバ駆
動電圧Ｈvdd、Ｖvddを供給する電源ライから第２の抵抗
Ｒ２及び第２のトランジスタＱ２のエミッタからコレク
タを介してグランドに電流が流れる。このとき、第２の
抵抗Ｒ２及び容量Ｃ３によって決まる時定数の調整によ
り、トランジスタＱ２の動作後、ドライバ駆動電圧Ｈvd
d、Ｖvddが低下するタイミングを所望のタイミングに制
御する。

【００５２】このように、電源３１０をオフした場合に
は、まず第１のトランジスタＱ１がオンし、その後に第
２のトランジスタＱ２がオンすることになる。即ち、ま
ず、第１のトランジスタＱ１がオンすることにより素子
駆動電源線１００に印加された電荷が第１のトランジス
タＱ１を介してグランドに流れる。第１のトランジスタ
Ｑ１がオンした後に、第３の抵抗Ｒ３、容量Ｃ１等に応
じて決まる期間が経過すると第２のトランジスタＱ２が
オンすることにより両ドライバ８０，９０に印加された
電荷が第２のトランジスタＱ２を介してグランドに流れ
る。

【００５３】このように、まず素子駆動電圧Ｐvddの供
給が停止し、その後にドライバ駆動電圧Ｈvdd，Ｖvddの
供給が停止される。従って、第２のＴＦＴ４０のゲート
４３への電圧印加の停止前に、素子駆動電源線１００へ
の電圧の供給を停止することができる。

【００５４】以上のように、上述の有機ＥＬ素子６０を
有する表示装置において、本実施の形態では、装置のオ
フ時にはまずこの有機ＥＬ素子６０に第２ＴＦＴ４０を
介して電流を供給する素子駆動電源電圧Ｐvddがオフ制
御される。従って、第２のＴＦＴ４０がオン状態で、先
に各有機ＥＬ素子６０に流れる電流が停止し、その後ド
ライバ電源がオフされることにより第１のＴＦＴ３０及
び第２のＴＦＴ４０がオフされる。

【００５５】このような順番で表示装置をオフすること
により、装置のオフ時に有機ＥＬ素子６０，特に発光素
子層６６への多大な電流が流れることを防止できるた
め、発光素子層６６ひいては有機ＥＬ素子６０の劣化を
防止することができる。

【００５６】なお、以上の説明において、装置のオン時
には、ドライバへの電源電圧Ｈvdd,Ｖvddの供給開始タ
イミングと、素子駆動電源線への電源電圧Ｐvddの供給
開始タイミングについては、ほぼ同時であるものとして
いる。しかし、本発明はこれに限定されるものではな
く、シーケンス回路３５０はドライバの電源電圧を供給
してから、素子駆動電源線へ電源電圧Ｐvddを供給して
も良い。

【００５７】

【発明の効果】本発明の表示装置によれば、表示装置を
オフした際に、発光素子に瞬間的に多大な電流が流れて
しまい、発光素子の劣化を招くことを防止できる表示装
置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置の駆動回路図である。

【図２】一般的なＥＬ表示装置の回路図である。

【図３】一般的なＥＬ表示装置の表示画素近傍の平面図
である。

【図４】図３のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線に沿ったＥＬ表示
装置の断面図である。

【図５】従来の表示装置の駆動回路図である。

【符号の説明】

１０絶縁性基板１１ｓ第１のＴＦＴのソース１１ｄ第１のＴＦＴのドレイン１３第１のＴＦＴのゲート３０第１のＴＦＴ４０第２のＴＦＴ４１ｓ第２のＴＦＴのソース４１ｄ第２のＴＦＴのドレイン４３第２のＴＦＴのゲート６０ＥＬ素子６１陽極６２陰極６６発光素子層８０ゲートドライバ８１ゲート信号線９０ドレインドライバ９１データ信号線９２データ入力線２００表示画素３００電源回路３２２ドライバ駆動電圧発生回路３３２素子駆動電圧発生回路３５０シーケンス回路Ｑ１第１のトランジスタＱ２第２のトランジスタＲ１第１の抵抗Ｒ２第２の抵抗Ｒ３第３の抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のゲート信号線に走査信号を供給す
る垂直ドライバと、前記複数のゲート信号に交差した複
数のドレイン信号線にデータ信号を供給する水平ドライ
バと、該両信号線の交差部近傍に該両信号線に接続した
スイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された
発光素子と、該発光素子に電流を供給する素子駆動電源
線とを備えた表示装置であって、前記両ドライバを駆動
する電圧の該両ドライバへの供給を停止する前に、前記
素子駆動電源線への電圧の供給を停止するシーケンス回
路を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】前記スイッチング素子は、第１及び第２
のスイッチング素子から成っており、該第１のスイッチ
ング素子の能動層の第１領域は前記データ信号線に、ゲ
ートは前記走査信号線に、能動層の第２領域は前記第２
のスイッチング素子のゲートにそれぞれ接続されてお
り、前記第２のスイッチング素子の能動層の第１領域は
前記素子駆動電源線に、能動層の第２領域は前記発光素
子の一方の電極に接続されていることを特徴とする請求
項１に記載の表示装置。
【請求項３】前記シーケンス回路は、前記両ドライバ
を駆動する電圧の該両ドライバへの供給後に、前記素子
駆動電源線への電圧を供給することを特徴とする請求項
１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】前記シーケンス回路は、第１及び第２の
トランジスタ、第１及び第２の抵抗、及び前記第１のト
ランジスタと前記第２のトランジスタとを接続した第３
の抵抗を備え、前記第１のトランジスタのエミッタは素
子駆動電源発生回路に接続された前記第１の抵抗に、ベ
ースは電源に、コレクタはグランドに接続されており、
前記第２のトランジスタのエミッタは前記両ドライバを
駆動する駆動電源発生回路に接続された前記第２の抵抗
に、ベースは前記第１のトランジスタのエミッタに接続
された第３の抵抗及び一方をグランドに接続した容量の
他方に、コレクタはグランドに接続されていることを特
徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表
示装置。
【請求項５】前記発光素子は、エレクトロルミネッセ
ンス素子であることを特徴とする請求項１乃至４のうち
いずれか１項に記載の表示装置。