KR20010039561A - 적층 커패시터, 배선 기판, 및 고주파 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (33)
- 두 개의 대향하는 주면들과 상기 두 개의 대향하는 주면들을 연결하는 네 개의 측면들을 포함한 커패시터 몸체와;상기 주면들과 실질적으로 평행하게 연장하도록 상기 커패시터 몸체 내에 배치된 복수개의 유전체층들과;상기 커패시터 몸체 내에 배치되고 상기 유전체층들 중의 하나를 사이에 두고 서로 대향하는 적어도 한 쌍의 제 1 및 제 2 내부 전극들과;상기 커패시터 몸체의 적어도 하나의 측면상에 배치된 제 1 측면 단자 전극과 제 2 측면 단자 전극; 및상기 커패시터 몸체의 적어도 하나의 주면상에 제공된 적어도 하나의 주면 단자 전극을 포함하는 적층 커패시터로서,상기 제 1 내부 전극과 제 2 내부 전극은 그것들의 각 말단부에서 상기 제 1 측면 단자 전극 및 제 2 측면 단자 전극과 각각 전기적으로 접속되고,상기 제 1 내부 전극과 제 2 내부 전극 중의 하나는 상기 유전체층을 관통하는 비아홀 도체를 통해 상기 주면 단자 전극과 전기적으로 접속됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 측면 단자 전극과 상기 제 2 측면 단자 전극은 두 개의 측면들 각각에 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 측면 단자 전극과 상기 제 2 측면 단자 전극은 네 개의 측면들 각각에 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 측면 단자 전극과 상기 제 2 측면 단자 전극은 측면들 각각에 서로 인접하게 배열됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 4항에 있어서, 상기 제 1 측면 단자 전극과 상기 제 2 측면 단자 전극은 네 개의 측면들을 포함한 커패시터 몸체의 주변부를 따라 각각 인접하게 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 주면 단자 전극은 상기 두 개의 주면들 각각에 제공됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 비아홀 도체는 비아홀 도체가 상기 내부 전극과 접속되지 않고 내부 전극으로부터 전기적으로 분리되도록 상기 내부 전극을 관통하는 부분을 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 주면 단자 전극은 상기 제 1 내부 전극 및 제 2 내부 전극과 각각 전기적으로 접속되는 제 1 주면 단자 전극과 제 2 주면 단자 전극을 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 8항에 있어서, 상기 제 1 주면 단자 전극과 제 2 주면 단자 전극은 한쪽 주면에만 제공됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 8항에 있어서, 상기 제 1 주면 단자 전극과 제 2 주면 단자 전극은 상기 두 개의 주면들 각각에 제공됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 9항에 있어서, 상기 주면들 각각에서, 상기 제 1 주면 단자 전극에 가장 근접하게 배치된 것은 상기 제 2 주면 단자 전극이고, 상기 제 2 주면 단자 전극에 가장 근접하게 배치된 것은 상기 제 1 주면 단자 전극임을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 8항에 있어서, 상기 제 1 주면 단자 전극은 한쪽 주면상에 배치되고 상기 제 2 주면 단자 전극은 다른쪽 주면상에 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 8항에 있어서, 상기 비아홀 도체는, 제 1 비아홀이 상기 제 2 내부 전극과 전기적으로 분리되도록 상기 제 1 내부 전극과 상기 제 1 주면 단자 전극을 전기적으로 접속시키는 제 1 비아홀 도체, 및 제 2 비아홀이 상기 제 1 내부 전극과 전기적으로 분리되도록 상기 제 2 내부 전극과 상기 제 2 주면 단자 전극을 전기적으로 접속시키는 제 2 비아홀 도체를 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 측면 단자 전극들은 두 개의 인접한 측면들에 걸쳐지는 전극을 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 주면은 실질적으로 정방형임을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 있어서, 상기 적층 커패시터는 마이크로프로세싱 유닛 (microprocessing unit) 내의 마이크로프로세싱 유닛 칩의 디커플링 커패시터 (decoupling capacitor)를 형성하도록 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 1항에 따른 적층 커패시터가 탑재됨을 특징으로 하는 배선 기판.
- 제 17항에 있어서, 마이크로프로세싱 유닛 칩이 탑재됨을 특징으로 하는 배선 기판.
- 제 1항에 따른 적층 커패시터를 포함함을 특징으로 하는 고주파 회로.
- 두 개의 대향하는 주면들과 상기 두 개의 대향하는 주면들을 연결하는 네 개의 측면들을 포함한 커패시터 몸체와;상기 주면들과 실질적으로 평행하게 연장되도록 상기 커패시터 몸체 내에 배치된 복수개의 유전체층들과;상기 네 개의 측면들의 각각에 교대로 배치된 복수개의 제 1 및 제 2 극성 단자 전극들; 및상기 두 개의 주면들 중의 적어도 하나 위에 제공된 적어도 하나의 제 1 극성 단자 전극과 적어도 하나의 제 2 극성 단자 전극을 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 네 개의 측면들 위에 제공된 상기 제 1 및 제 2 극성 단자 전극들의 총수는 적어도 세 개임을 특징으로 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 네 개의 측면들 위에 제공된 상기 제 1 및 제 2 극성 단자 전극들의 총수는 적어도 네 개임을 특징으로 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 제 1 극성 단자 전극들 중의 하나는 네 개의 측면들을 포함한 커패시터 몸체의 주변부를 따라 상기 제 2 극성 단자 전극들 중의 하나에 인접하게 형성됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 제 1 극성 단자 전극들 중의 적어도 두 개와 상기 제 2 극성 단자 전극들 중의 적어도 두 개는 상기 두 개의 대향하는 주면들 중의 적어도 하나 위에 제공됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 24항에 있어서, 상기 제 1 극성 단자 전극들 중의 적어도 두 개와 상기 제 2 극성 단자 전극들 중의 적어도 두 개는, 상기 제 1 극성 단자 전극들 중의 하나가 상기 두 개의 대향하는 주면들 중의 적어도 하나를 따라 상기 제 2 극성 단자 전극들 중의 하나에 인접하게 형성되도록, 교대로 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 적층 커패시터는, 상기 커패시터 몸체 내에 배치되고 상기 유전체층들 중의 하나를 사이에 두고 서로 대향하며 상기 제 1 및 제 2 극성 단자 전극들과 각각 전기적으로 접속된 적어도 한 쌍의 제 1 및 제 2 내부 전극들을 더 포함함을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 적어도 하나의 제 1 극성 단자 전극과 적어도 하나의 제 2 극성 단자 전극은 상기 두 개의 대향하는 주면들 각각에 제공됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 극성 단자 전극들 중의 적어도 하나는 두 개의 인접한 측면들에 걸쳐짐을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 커패시터 몸체는 실질적으로 정방형임을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 있어서, 상기 적층 커패시터는 마이크로프로세싱 유닛 내의 마이크로프로세싱 유닛 칩의 디커플링 커패시터를 형성하도록 배치됨을 특징으로 하는 적층 커패시터.
- 제 20항에 따른 적층 커패시터가 탑재됨을 특징으로 하는 배선 기판.
- 제 31항에 있어서, 마이크로프로세싱 유닛 칩이 탑재됨을 특징으로 하는 배선 기판.
- 제 20항에 따른 적층 커패시터를 포함함을 특징으로 하는 고주파 회로.
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