DE102006048583B3 - Bauelement mit mehreren Kontaktflächen und ein Kontaktierungsverfahren - Google Patents
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Abstract
Ein Bauelement (100) weist einen ersten Anschluss (K1), einen zweiten Anschluss (K2) und zumindest vier mit Kontaktflächen (170, 180) versehenen Seitenflächen, von denen sich jeweils zwei gegenüberliegen, auf. Die Kontaktflächen (170, 180) der sich gegenüberliegenden Seitenflächen sind mit verschiedenen des ersten und zweiten Anschlusses (K1, K2) verbunden.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement mit mehreren Kontaktflächen und ein Kontaktierungsverfahren und insbesondere auf ein justageloses Kontaktierungsverfahren für Bauteile mit zwei Anschlüssen.
- Elektronische Bauelemente finden in zunehmendem Maße Verwendung sowohl in alltäglichen als auch in speziellen Anwendungen. Bei der Herstellung müssen dabei die elektronischen Bauelemente bzw. Halbleiterbauelemente, die üblicherweise als Chips bezeichnet werden, mit einem Substrat verbunden werden. Anstelle der Verbindung von Chip und Substrat werden auch Chip und Chip, Chip und Wafer oder Substrat und Substrat verbunden.
- Viele Halbleiterbauelemente mit geringem Strombedarf weisen eine Zweipol-Anordnung auf. Neben Dioden umfassen typische Beispiele integrierte Schaltungen (ICs) von kontaktlosen Chipkarten oder spezifischer sogenannte Smart-Label. Darunter sind dünne ICs in annähernder Würfelform, eingebettet in dünne Substrate zu verstehen, die ein besonders schnell wachsendes Marktsegment darstellen. Für eine Etikettierung von alltäglichen Produkten, etwa in Supermärkten, sollte ein Smart-Label in Zukunft jedoch sehr viel billiger werden. Einsparpotentiale bieten sich in allen Bereichen der Label-Produktion und die Kosten für Chipmontage können in den nächsten Jahren weiter deutlich reduziert werden.
- Üblicherweise befinden sich Anschlusspads bzw. Kontaktflächen, mit denen eine integrierte Schaltung meist kontaktiert wird, zumeist in Randbereichen auf einer Seite (aktive Seite) des Chips. Für die Kontaktierung mit Standardverfahren bedeutet dies, dass entweder die aktive Seite nach oben, d.h. vom Trägersubstrat weg, oder nach unten zum Trägersubstrat hin schaut. In ersterem Fall erfolgt die Montage des Bauelements meist mittels Kleber und mit anschließender Drahtkontaktierung. Im zweiten Fall spricht man von einer Flip-Chip-Technik. Dabei wird der Chip mit der aktiven Seite und seinen Anschlussflächen nach unten auf entsprechende Anschlussflächen des Substrats gelötet oder geklebt. Um einen sicheren Kontakt zu gewährleisten, werden die Anschlussflächen auf einer oder beiden Seiten mit so genannten Bumps, die metallische Höcker sind, versehen.
- Bei einer Befestigung mittels Kleben wird im Allgemeinen der Kleber unter Einwirkung von Druck ausgehärtet. In der
DE 10 2004 014 214 B3 ist jedoch ein Verfahren beschrieben, welches einen Kleber mit speziellen leitfähigen Teilchen wie beispielsweise Silber (Ag) derart verwendet, dass nur einmal vor dem Aushärten kurzzeitig Druck zur Verdichtung der leitfähigen Teilchen erforderlich ist. - In jüngerer Zeit laufen verstärkt bei kleinen Bauelementen auch Entwicklungen an, um Anforderungen hinsichtlich einer Justiergenauigkeit zu verringern bzw. selbstjustierende Prozesse zu verwenden. Für Letzteres werden Verfahren angewandt, die nach dem Schlüssel-Loch-Prinzip funktionieren. Beispiele hierfür sind trapezoid-geformte Vertiefungen in einem Aufnahmesubstrat, in die entsprechend geformte Chips z.B. mit Hilfe einer Flüssigkeit eingeschwemmt werden. Ein solches Verfahren ist beispielsweise beschrieben in der Offenlegungsschrift
DE 101 05 872 A1 . - Als wesentlicher Nachteil dieser selbstjustierenden Verfahren ist der immer noch nötige Kontaktierprozess zu sehen.
- Zur Verringerung der Anforderung an die Justiergenauigkeit wird auf eine Anordnung der Kontakte auf den Seitenflächen bzw. entlang einer oder mehreren Kanten eines Chips zurückgegriffen. Beispiele hierfür sind in der
DE 103 21 214 A1 , derJP 61077352 A US 5 126 286 A beschrieben. Bei diesen Verfahren ist aber immer noch eine Ausrichtung der Kontakte bzw. Kontaktflächen des Chips zu den jeweiligen Anschlussflächen des Substrats nötig. InDE 198 40 248 A1 ist ferner ein Bauelement mit Kontaktflächen an zwei gegenüberliegenden Seiten beschrieben, wohingegenUS 6 370 010 B1 ein Bauelement mit Kontaktflächen an vier Seitenflächen offenbart. - Fertigungstechnisch gesehen bedeuten diese Kontaktierungsverfahren daher immer noch einen hohen Aufwand und damit verbunden hohe Kosten.
- Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement und ein Verfahren zu schaffen, das ein vereinfachtes Kontaktieren ermöglicht.
- Diese Aufgabe wird durch ein Bauelement gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Anspruch 7 gelöst.
- Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass ein vereinfachtes und vorzugsweise orientierungsunabhängiges Kontaktieren eines Bauelements mit zwei Kontakten bzw. Anschlüssen möglich ist, wenn auf den Hauptseitenflächen des Bauelements Kontaktflächen angeordnet sind und die Kontaktflächen auf sich gegenüberliegenden Hauptseitenflächen mit verschiedenen der beiden Anschlüsse des Bauelements verbunden sind.
- Bei einem Ausführungsbeispiel könnte das Bauelement beispielsweise quaderförmig sein, wobei sich gegenüberliegende der größeren Seitenflächen des Quaders jeweils mit verschiedenen Anschlüssen verbunden sind. Die vier Hauptsei tenflächen können beispielsweise zumindest mit einer Toleranz von 20% die gleiche Größe aufweisen. Die kleineren Stirn- bzw. Endflächen können, müssen jedoch nicht entsprechende Kontaktflächen aufweisen. In einem solchen Fall ermöglicht die vorliegende Erfindung eine vereinfachte Kontaktierung, da unerheblich ist, welche der vier Hauptseitenflächen in eine vorbestimmte Richtung zeigt.
- Vorzugsweise weist das Bauteil nur Seitenflächen auf, die gegenüberliegende Seitenflächen besitzen, wobei sich gegenüberliegende Seitenflächen jeweils Kontaktflächen aufweisen, die mit jeweils verschiedenen der beiden Anschlüsse verbunden sind. Somit ist es völlig unerheblich, welche der Seitenflächen in eine vorbestimmte Richtung zeigt, so dass ein orientierungsunabhängiges Kontaktieren möglich ist.
- Um ein im Wesentlichen justageloses Kontaktieren zu ermöglichen, sind bei Ausführungsbeispielen die Anschlussflächen, mit denen das Bauteil kontaktiert wird, größer als die Kontaktflächen, so dass eine sichere Kontaktierung ohne aufwändige Justage möglich ist.
- Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen ist das Bauteil im Wesentlichen würfelförmig, wobei die Seitenflächen gleich groß sein können oder sich die Größe der Seitenflächen um nicht mehr als 20% unterscheiden kann.
- Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen beruht die vorliegende Erfindung somit darauf, dass beispielsweise bei einem würfelähnlichen Bauelement mit nur zwei Kontakten die Anschlussflächen so gestaltet sind, dass jeweils drei wechselseitig angrenzenden Flächen des Würfels einen Kontakt bilden bzw. mit einem Kontakt verbunden sind. Dadurch stehen sich immer auf gegenüberliegenden Flächen automatisch auch die beiden Kontakte gegenüber. Eine Ausrichtung der Kontakte auf dem Bauteil bzw. Bauelement zu den Kontakten auf der Substratseite ist nicht erforderlich und somit ist justageloses Kontaktieren möglich. Diese Montagetechnik ist tolerant gegenüber seitlicher Verschiebung und Verdrehung des Bauelements. Sie ist auch tolerant gegenüber einer Verkippung des Bauelements um 90° um eine beliebige Achse parallel zu einer Seite.
- Ein Einbau oder ein Einsetzen in ein Substrat kann auf verschiedene Weise erfolgen. Bei einer Kontaktierung über eine Ober- und Unterseite wird das Bauteil irgendwo auf der Anschlussfläche des Substrats platziert. Somit hat die Unterseite des Bauteils Kontakt zur Anschlussfläche des Substrats und die gegenüberliegende Oberseite wird über eine zweite Anschlussfläche verbunden. Die zweite Anschlussfläche kann durch eine Faltung des Substrats über das Bauteil gebracht werden oder sie befindet sich auf einem weiteren Substrat, das an anderer Stelle mit dem Substrat verbunden ist.
- Der elektrische Kontakt kann beispielsweise über Löten oder Kleben hergestellt werden, wobei beim Kleben unterschiedliche Verfahren zum Einsatz kommen können. Beim Kontaktieren mit nicht leitendem Kleber wird der Kontakt durch direkte Verbindung der Kontaktflächen vom Bauteil und Substrat erreicht. Dazu muss unter Druck ausgehärtet werden. Gleiches gilt für die Verwendung eines anisotrop leitfähigen Klebers. Die Anisotropie wird durch leitfähige Kügelchen in einer nicht leitenden Harzmatrix erzeugt. Die Kügelchen werden in den Kontaktbereichen unter Druck leicht verformt und stellen so einen Kontakt her. Auch hier muss mit Druckbeaufschlagung ausgehärtet werden. Die dritte Möglichkeit ist die Verwendung Klebers mit speziellen leitfähigen Teilchen, wie beispielsweise die Verwendung eines schwach Ag gefüllten Klebers. Dabei sind die speziellen leitfähigen Teilchen derart beschaffen, dass nur einmal und zwar vor dem Aushärten kurzzeitig Druck zur Verdichtung der beispielhaften Ag-Teilchen in den Kontaktbereichen benötigt wird. Die Verwendung von Silber ist insbesondere dahin gehend vorteilhaft, da es sehr gut leitfähig ist und auf einen permanenten Druck während des Aushärtens verzichtet werden kann.
- Eine weitere Möglichkeit des Aufbaus besteht darin, das Bauteil in eine Unterbrechung einer Leiterbahn zu platzie ren. Dies kann durch Einschießen des Bauteils in die Leiterbahn oder durch Einstechen oder Einschneiden der Leiterbahn zur Unterbrechung und anschließendem Einbringen des Bauteils erfolgen. Der Kontakt wird dabei über die umgebogenen Leiterbahnen zu den Seitenwänden des Bauteils hergestellt. Zur Fixierung kann es mit einem Klebertropfen und/oder darüber laminierte Folie versehen werden oder das Foliensubstrat leicht geschrumpft werden.
- Die vorliegende Erfindung beschreibt somit ein Bauelement und ein Verfahren, das sich besonders vorteilhaft für die Kontaktierung von zweipoligen, ungehäusten Bauelementen in annähernder Würfelform wie z.B. ICs eignet. Die Kontaktierbereiche auf dem Bauteil sind vorzugsweise so angelegt, dass gegenüberliegende Flächen unterschiedlichen Anschlüssen zugeordnet sind. Damit ist es egal, auf welcher Seite das Bauteil beim Platzieren zu liegen kommt. Es ist immer eine eindeutige Kontaktierung zu den beiden Anschlüssen des Substrats über oben/unten oder links/rechts oder vorne/hinten gegeben. Daher braucht das Bauteil auch nur irgendwo auf der Kontaktmetallisierung mit einer Seitenfläche zu liegen kommen.
- Das Verfahren ist somit sehr leicht und gut automatisierbar. Es ist deshalb insbesondere dort von Interesse, wo es auf sehr kostengünstige Produktion ankommt. Als typische Anwendung sei auf Kontaktierung von ICs in kontaktlosen Chipkarten oder auch deren Untermenge „Smart-Label" hingewiesen. Die möglichen Anwendungen sind aber nicht auf ungehäuste Bauelemente beschränkt. Das Verfahren kann auch auf alle würfelähnlichen Bauteile mit zwei Kontakten angewandt werden.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1a , b, c eine Raumansicht eines würfelförmigen bzw. quaderförmigen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
2 eine Kontaktierung des würfelförmigen Bauelements durch zwei Anschlussflächen eines Substrats unter Verwendung eines nicht leitenden Klebers; -
3 eine Kontaktierung des würfelförmigen Bauelements wie in2 unter Verwendung eines anisotrop leitenden Klebers; -
4 eine Kontaktierung des würfelförmigen Bauelements wie in2 unter Verwendung eines schwach mit Silber gefüllten Klebers; und -
5 eine Verwendung eines würfelförmigen Bauelements als ein Bindeglied zwischen einer unterbrochenen Leiterbahn eines Substrats. - Bevor im Folgenden die vorliegende Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert wird, wird darauf hingewiesen, dass gleiche Elemente in den Figuren mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen sind und dass eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird.
-
1 zeigt eine Raumansicht eines würfelförmigen bzw. quaderförmigen Bauelements100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. - In
1a sind die drei vorderen Seitenflächen110 ,120 und130 gezeigt, wobei sich die Seitenfläche110 parallel zur x,z-Ebene, die Seitenfläche120 parallel zu der y,z-Ebene und die Seitenfläche130 parallel zur x,y-Ebene angeordnet sind. Erfindungsgemäß sind diese drei benachbarten Seitenflächen mit dem ersten Anschluss K1 verbunden (nicht in der Figur gezeigt). In1b sind ebenfalls die hinteren Seitenflächen140 ,150 und160 gezeigt, welche in der1a durch die vorderen Seitenflächen110 ,120 und130 verdeckt sind. Die hintere Seitenfläche140 ist gegenüber zur Seitenfläche130 , die hintere Seitenfläche150 ist gegenüber zur Seitenfläche120 und die hintere Seitenfläche160 ist gegenüber zur Seitenfläche110 angeordnet. Erfindungsgemäß werden die hinteren Seitenflächen140 ,150 und160 mit dem zweiten Anschluss K2 des Bauelements100 verbunden. Im Gegensatz zu dem in1a und1b gezeigten Ausführungsbeispiel sind bei dem in1c gezeigten Ausführungsbeispiel die Seitenflächen parallel zu der x,z-Ebene deutlich kleiner als die anderen Seitenflächen. Bei diesem quaderförmigen Bauelement100 werden nur die Hauptseitenflächen120 und130 mit dem Anschluss K1 und die Hauptseitenflächen140 und150 mit dem Anschluss K2 kontaktiert. Erfindungsgemäß sind auch hier gegenüberliegende Seitenflächen mit verschiedenen der beiden Anschlüsse K1, K2 verbunden. -
1 zeigt nur eine schematische Darstellung, die die Kontaktierung der einzelnen Seitenflächen veranschaulichen soll. Bei einem konkreten Ausführungsbeispiel weisen die einzelnen Seitenflächen Kontaktflächen (nicht gezeigt in1 ) auf, welche mit den beiden Anschlüssen K1, K2 des Bauelements100 verbunden sind. Diese Kontaktflächen nehmen dabei im Allgemeinen nicht die ganze Seitenfläche ein, sondern erstrecken sich nur auf einen Teilbereich der jeweiligen Seitenflächen. Aus der Darstellung von1 ist ersichtlich, wie ein Kontaktieren der Anschlüsse K1 und K2 erfolgen kann. Bei einer möglichen Kontaktierung von oben (positive z-Richtung) und unten (negative z-Richtung), werden automatisch beide Kontakte K1 und K2 des Bauelements100 kontaktiert. Das gleiche ist der Fall, wenn eine Kontaktierung von vorne (negative y-Richtung) und hinten (positive y-Richtung) bzw. von rechts (positive x-Richtung) und links (negative x-Richtung) erfolgt. -
2 zeigt eine Kontaktierung des Bauelements100 durch ein erstes Substrat210 mit einer ersten Anschlussfläche215 und ein zweites Substrat220 mit einer zweiten Anschlussfläche225 . Diese Querschnittsansicht zeigt die x,z-Ebene und das Bauelement100 ist dabei mit gegenüberliegenden Seitenflächen130 ,140 zwischen der ersten und zweiten Anschlussfläche225 ,215 derart gebracht, dass die auf der Seitenfläche130 aufgebrachte Kontaktfläche180 die Anschlussfläche225 kontaktiert. In analoger Weise kontaktiert die auf der Seitenfläche140 aufgebrachte Kontaktfläche170 die Anschlussfläche215 . Der Zwischenraum zwischen dem ersten und dem zweiten Substratteil210 ,220 ist mit einem Klebstoff oder Kleber240 gefüllt, der bei diesem Ausführungsbeispiel nicht leitend ist, so dass die erste und zweite Anschlussfläche215 und225 direkten Kontakt zu den Kontaktflächen170 und180 des Bauelements100 haben. - Die erste und zweite Kontaktfläche
170 ,180 sind bei diesem Ausführungsbeispiel als eine Schicht dargestellt, welche in1 nicht gezeigt wurde und die mit dem ersten und zweiten Anschluss K1 und K2 verbunden sind. Bei der Kontaktierung wird das Bauelement100 mit einer beliebigen Seitenfläche (in2 ist es die Seitenfläche140 ) auf das erste Substratteil210 mit der ersten Anschlussfläche215 gebracht und anschließend wird das zweite Substratteil220 mit der zweiten Anschlussfläche225 auf das Bauelement100 (d.h. auf der gegenüberliegenden Seitenfläche130 des Bauelements100 ) gebracht. Der aufgebrachte, nicht leitende Klebstoff240 wird schließlich unter Druckeinwirkung ausgehärtet. Somit ist die konkrete Lage bzw. Ausrichtung des Bauelements100 auf bzw. an den Anschlussflächen215 ,225 für die Kontaktierung der Anschlüsse K1 und K2 nicht von Bedeutung. Es werden auf jeden Fall beide Anschlüsse K1 und K2 kontaktiert, ohne dass eine weitere Justierung erforderlich ist. -
3 zeigt eine Kontaktierung des würfelförmigen Bauelements100 , welches sich von der Kontaktierung, die in2 beschrieben wurde, nur dahingehend unterscheidet, dass hier ein Klebstoff310 , der leitfähige Kügelchen bzw. Teilchen320 enthält, verwendet wird. Das würfelförmige Bauelement100 mit den Kontaktfläche170 ,180 ist also wieder zwischen einem Substratteil210 und einer ersten Anschlussfläche215 und einem zweiten Substratteil220 mit einer zweiten Anschlussfläche225 gebracht, so dass die erste Anschlussfläche215 und die zweite Anschlussfläche225 auf gegenüberliegenden Seitenflächen des würfelförmigen Bauelements100 angeordnet sind. - Bei diesem Ausführungsbeispiel besteht jedoch im Allgemeinen kein direkter Kontakt zwischen der ersten Anschlussfläche
215 mit der ersten Kontaktfläche170 und der zweiten Anschlussfläche225 mit der zweiten Kontaktfläche180 . Stattdessen befinden sich dazwischen die leitfähigen Kügelchen320 , die den elektrischen Kontakt zwischen der ersten Anschlussfläche215 und der Kontaktfläche170 bzw. zwischen der zweiten Anschlussfläche225 und der Kontaktfläche180 herstellen. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Klebstoff oder Kleber310 unter Druckbeaufschlagung ausgehärtet, wobei sich die Kügelchen330 , die sich zwischen der ersten Anschlussfläche215 und dem Kontaktfläche170 bzw. zwischen der zweiten Anschlussfläche225 und dem Kontaktfläche180 befinden, verformen. - Die Seitenflächen des Bauelements
100 sind vorzugsweise im Wesentlichen parallel, wobei die Verwendung von leitfähigen Kügelchen320 dahin gehend vorteilhaft ist, dass eventuelle Unebenheiten bzw. Abweichungen von der Parallelität ausgeglichen werden können. Bei der konkreten Ausgestaltung ist darauf zu achten, dass die Dichte der leitfähigen Teilchen bzw. Kügelchen320 in dem Kleber310 keinen Kurzschluss zwischen der ersten Anschlussfläche215 und der zweiten Anschlussfläche225 erzeugen, d.h. die Dichte der leitfähigen Teilchen320 muss im Kleber entsprechend niedrig sein. -
4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches sich von dem in3 beschriebenen Ausführungsbeispiel dadurch unter scheidet, dass ein Kleber410 verwendet wird, welcher mit speziellen leitfähigen Teilchen420 (beispielsweise schwach mit Silber) gefüllt ist. Das würfelförmige Bauelement100 mit den Kontaktfläche170 ,180 ist also wieder zwischen einem Substratteil210 und einer ersten Anschlussfläche215 und einem zweiten Substratteil220 mit einer zweiten Anschlussfläche225 gebracht, so dass die erste Anschlussfläche215 und die zweite Anschlussfläche225 auf gegenüberliegenden Seitenflächen des würfelförmigen Bauelements100 angeordnet sind. - Die speziellen leitfähigen Teilchen
420 (d.h. der beispielhafte Silberanteil) führen dazu, dass bei diesem Ausführungsbeispiel braucht der Kleber410 nicht unter Druckeinwirkung ausgehärtet werden braucht, sondern dass vor dem Aushärten nur ein einmaliger Druck ausgeübt werden braucht, der eine Verdichtung der Teilchen420 zwischen der ersten Anschlussfläche215 und der Kontaktfläche170 und der zweiten Anschlussfläche225 und der Kontaktfläche180 bewirkt. Eine dadurch verursachte Verklumpung430 der Teilchen420 in dem Zwischenraum zwischen den Anschlussflächen215 ,225 und den Kontaktflächen170 ,180 stellt einen ausreichenden elektrischen Kontakt auch bei Abwesenheit einer weiteren Druckbeaufschlagung sicher. -
5 zeigt eine Querschnittsansicht eines weiteren Ausführungsbeispieles der vorliegenden Erfindung, bei dem das würfelförmige Bauelement100 durch eine unterbrochene Leiterbahn510 , die auf einem Substrat520 aufgebracht ist, kontaktiert wird. Es ist ein linker Teil des Substrats520a mit einem linken Teil der Leiterbahn510a gezeigt, der von einem rechten Teil des Substrats520b mit einem rechten Teil der Leiterbahn510b durch eine Unterbrechung bzw. Vertiefung530 getrennt ist. Der linke Teil der Leiterbahn510a und der rechte Teil der Leiterbahn510b erstrecken sich dabei auch entlang eines Randbereichs540a und540b der Vertiefung530 . Zur Kontaktierung des würfelförmigen Bauelements100 wird das Bauelement100 in die Vertiefung530 eingesetzt, so dass die linke unterbrochene Leiterbahn510a und die rechte unterbrochene Leiterbahn510b Anschlüsse auf gegenüberliegenden Seiten (in diesem Beispiel die Seiten120 und150 ) des würfelförmigen Bauelements100 kontaktieren. Dadurch ist eine Verbindung zwischen dem ersten Teil der unterbrochenen Leiterbahn510a und der Kontaktfläche170 und zwischen dem rechten Teil der Leiterbahn510b und der Kontaktfläche180 hergestellt. - Bei diesem Ausführungsbeispiel kann die Vertiefung
530 entweder vor dem Einsetzen des würfelförmigen Bauelements100 erzeugt werden, beispielsweise durch ein Einstechen oder ein Einschneiden der Leiterbahn510 , oder die Unterbrechung530 kann auch dadurch erzeugt werden, dass das Bauelement100 unter Druckeinwirkung in das Substrat520 gedrückt wird, so dass die Leiterbahn510 unterbrochen wird und gleichzeitig ein Kontakt zwischen den Kontaktflächen170 ,180 und dem rechten und linken Teil der Leiterbahn510b ,510a hergestellt wird. - Um dem Bauelement
100 einen ausreichenden Halt zu bieten, kann vor dem Einsetzen des Bauelements100 die Vertiefung530 mit einem Klebstoff mit optional enthaltenen leitfähigen Teilchen aufgefüllt werden bzw. nach dem Einsetzen des Bauelements100 kann ein entsprechender Klebstoff aufgebracht werden. Im Weiteren kann ein mechanischer Halt auch dadurch hergestellt werden, dass eine Folie bzw. eine zusätzliche Schicht auf die Leiterbahn510 und das Bauelement100 aufgebracht wird. - Bei weiteren Ausführungsbeispielen kann ein stabiler Kontakt zwischen der Kontaktfläche
170 und der ersten Anschlussfläche215 bzw. zwischen der Kontaktfläche180 und der zweiten Anschlussfläche225 kann auch durch eine Lötverbindung hergestellt werden. - Bei Vorhandensein eines ausreichenden Drucks, so dass das Bauelement
100 zwischen dem ersten Substratteil210 und dem zweiten Substratteil220 fixiert ist, kann auf eine Verwendung von Klebstoff bzw. einer Lötverbindung verzichtet werden. Das erste Substratteil210 und das zweite Substratteil220 können Teil eines gemeinsamen Substrats sein, welches durch Falten übereinander gelegt wird, bzw. das erste Substratteil210 und das zweite Substratteil220 können Teile von verschiedenen Substraten sein. - Zusammenfassend beschreibt die vorliegende Erfindung ein Bauelement und ein Verfahren, das sich besonders vorteilhaft für die Kontaktierung von zweipoligen Bauelementen
100 in annähernder Würfelform eignet. Die Kontaktflächen170 ,180 auf dem Bauteil100 sind wie gesagt so angelegt, dass immer gegenüberliegende Flächen unterschiedlichen Kontaktbereichen zugeordnet sind. Die Form und Gestalt der Kontaktflächen170 ,180 kann dabei variieren. Neben schichtförmiger Gestaltung ist es auch möglich, die Kontaktflächen170 ,180 als einzelne oder mehrere Kontaktpunkte zu gestalten. - Ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass es egal ist, auf welcher Seite das Bauteil
100 beim Kontaktieren zu liegen kommt. Das Verfahren ist somit sehr leicht und gut automatisierbar. Es ist deshalb insbesondere dort von Interesse, wo es auf sehr kostengünstige Produktion ankommt.
Claims (20)
- Bauelement (
100 ) mit folgenden Merkmalen: einem ersten Anschluss (K1); einem zweiten Anschluss (K2); und zumindest vier mit Kontaktflächen (170 ,180 ) versehenen Seitenflächen, von denen sich jeweils zwei gegenüberliegen, wobei die Kontaktflächen (170 ,180 ) der sich gegenüberliegenden Seitenflächen mit verschiedenen des ersten und zweiten Anschlusses (K1, K2) verbunden sind. - Bauelement (
100 ) gemäß Anspruch 1, das zumindest zwei weitere sich gegenüberliegende mit weiteren Kontaktflächen versehenen Seitenflächen aufweist, wobei die weiteren Kontaktflächen mit verschiedenen des ersten und zweiten Anschlusses (K1, K2) verbunden sind. - Bauelement (
100 ) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Bauelement (100 ) ein Polyeder mit zumindest zwei Paaren sich gegenüberliegender Seitenflächen ist, wobei Kantenlängen der Seitenflächen der Paare sich gegenüberliegender Seitenflächen sich innerhalb eines Toleranzbereiches von 20% entsprechen. - Bauelement (
100 ) gemäß Anspruch 3, wobei das Bauelement (100 ) würfelförmig ist. - Bauelement (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Kontaktflächen (170 ,180 ) durch Schichten gebildet sind, die auf die Seitenflächen aufgebracht sind. - Bauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Kontaktflächen jeweils einen Anteil von mehr als 50%, 60%, 70%, 80% oder 90% der zugeordneten Seitenflächen bedecken.
- Verfahren zum Kontaktieren eines Bauelements (
100 ), das einen ersten und zweiten Anschluss (K1, K2) und zumindest vier mit Kontaktflächen (170 ,180 ) versehenen Seitenflächen, von denen sich jeweils zwei gegenüberliegen, aufweist, wobei die Kontaktflächen (170 ,180 ) der sich gegenüberliegenden Seitenflächen mit verschiedenen des ersten und zweiten Anschlusses (K1, K2) verbunden sind, mit folgendem Schritt: (a) Anordnen des Bauelements (100 ), einer ersten Anschlussfläche (215 ) und einer zweiten Anschlussfläche (225 ) derart, dass die erste und die zweite Anschlussfläche (215 ,225 ) zwei der sich auf gegenüberliegenden Seitenflächen befindlichen Kontaktflächen (170 ,180 ) kontaktieren. - Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem der Schritt (a) folgende Schritte aufweist: (a1) Bereitstellen zumindest eines ersten Trägerteils (
210 ) mit einer ersten Anschlussfläche (215 ) und einer zweiten Trägerteils (220 ) mit einer zweiten Anschlussfläche (225 ); (a2) Aufbringen des Bauelements (100 ) mit einer beliebigen der zumindest vier Seitenflächen auf das erste Trägerteil (210 ), so dass die Kontaktfläche (170 ) auf der beliebigen Seitenfläche durch die erste Anschlussfläche (215 ) des ersten Trägerteils (210 ) kontaktiert wird; und (a3) Anordnen des zweiten Trägerteils (220 ) relativ zu dem Bauelement (100 ), so dass die Kontaktfläche (180 ) auf der beliebigen Seitenfläche des Bauelementes (100 ) gegenüberliegenden Seitenfläche die zweite Anschlussfläche (225 ) kontaktiert. - Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei der Schritt (a3) ein Falten eines Substrats aufweist, so dass das erste und zweite Trägerteil (
210 ,220 ) durch Abschnitte des Substrats gebildet sind. - Verfahren gemäß Anspruch 8 oder Anspruch 9, wobei das erste und zweite Trägerteil (
210 ,220 ) separate Substrate sind. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei der Schritt (a2) und/oder der Schritt (a3) ferner ein Löten der einen Kontaktfläche (
170 ) an die erste Anschlussfläche (215 ) und/oder der gegenüberliegenden Kontaktfläche (180 ) an die zweite Anschlussfläche (225 ) umfasst. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem der Schritt (a2) und/oder der Schritt (a3) ferner ein Kleben der einen Kontaktfläche (
170 ) an die erste Anschlussfläche (215 ) und/oder der gegenüberliegenden Kontaktfläche (180 ) an die zweite Anschlussfläche (225 ) umfasst. - Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem der Schritt des Klebens eine Verwendung eines Klebers (
310 ;410 ) mit leitfähigen Teilchen (320 ;420 ) umfasst. - Verfahren gemäß Anspruch 7, bei dem der Schritt (a) ein Einbringen des Bauelements (
100 ) zwischen sich gegenüberliegenden Anschlussflächen (540a ,540b ), so dass die Kontaktflächen (170 ,180 ) auf sich gegenüberliegenden Seiten des Bauelements (100 ), die sich gege nüberliegende Anschlussflächen (540a ,540b ) kontaktieren, aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem die sich gegenüberliegenden Anschlussflächen durch Leiterbahnabschnitte (
540a ,540b ) gebildet sind. - Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem die sich gegenüberliegenden Anschlussflächen durch Biegen von Leiterbahnabschnitten (
540a ,540b ) während des Einbringens des Bauelements (100 ) erzeugt werden. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, welches ferner einen Schritt eines Klebens aufweist, so dass das Bauelement (
100 ) zwischen den Anschlussflächen (540a ,540b ) fixiert wird. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17, bei dem das Bauelement (
100 ) in eine Vertiefung (530 ) eingebracht wird, und das ein Fixieren des Bauelements (100 ) in der Vertiefung (530 ) aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 18, bei dem der Schritt des Fixierens ein Verschließen der Vertiefung (
530 ) mit einem Klebetropfen oder einer Folie aufweist. - Verfahren gemäß Anspruch 18 oder Anspruch 19, bei dem der Schritt des Fixierens einen Schritt eines Schrumpfens einer Folie oder eines Foliensubstrats aufweist.
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---|---|
US (1) | US8331100B2 (de) |
DE (1) | DE102006048583B3 (de) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177352A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE19840248A1 (de) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Schaltungschip mit spezifischer Anschlußflächenanordnung |
US6370010B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit |
DE10105872A1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-09-05 | Infineon Technologies Ag | Anordnung mit einem Trägersubstrat mit mindestens einem Chip, Matrixdisplay und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Trägersubstrat mit mindestens einem Chip |
DE10321214A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen elektrischer Kontaktierungselemente auf einen Chip eines Chip-Wafers und Chip |
DE102004014214B3 (de) * | 2004-03-23 | 2005-09-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Verbinden eines Chips und eines Substrats |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748537A (en) * | 1986-04-24 | 1988-05-31 | Rogers Corporation | Decoupling capacitor and method of formation thereof |
US5126286A (en) | 1990-10-05 | 1992-06-30 | Micron Technology, Inc. | Method of manufacturing edge connected semiconductor die |
FR2691836B1 (fr) * | 1992-05-27 | 1997-04-30 | Ela Medical Sa | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs comportant au moins une puce et dispositif correspondant. |
JPH07169649A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Tdk Corp | 積層貫通型コンデンサアレイ |
US7408249B2 (en) * | 1998-02-06 | 2008-08-05 | Tessera Technologies Hungary Kft. | Packaged integrated circuits and methods of producing thereof |
US6545346B2 (en) * | 2001-03-23 | 2003-04-08 | Intel Corporation | Integrated circuit package with a capacitor |
SG119185A1 (en) * | 2003-05-06 | 2006-02-28 | Micron Technology Inc | Method for packaging circuits and packaged circuits |
US7817397B2 (en) * | 2005-03-01 | 2010-10-19 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
-
2006
- 2006-10-13 DE DE102006048583A patent/DE102006048583B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-24 US US11/844,513 patent/US8331100B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6177352A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE19840248A1 (de) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Fraunhofer Ges Forschung | Schaltungschip mit spezifischer Anschlußflächenanordnung |
US6370010B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit |
DE10105872A1 (de) * | 2001-02-09 | 2002-09-05 | Infineon Technologies Ag | Anordnung mit einem Trägersubstrat mit mindestens einem Chip, Matrixdisplay und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Trägersubstrat mit mindestens einem Chip |
DE10321214A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Aufbringen elektrischer Kontaktierungselemente auf einen Chip eines Chip-Wafers und Chip |
DE102004014214B3 (de) * | 2004-03-23 | 2005-09-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Verbinden eines Chips und eines Substrats |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080088006A1 (en) | 2008-04-17 |
US8331100B2 (en) | 2012-12-11 |
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