JP4506759B2 - 複合電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、積層型の複合電子部品に関する。

従来、この技術の分野における複合電子部品は、例えば、下記特許文献１に開示されている。この公報に記載の複合電子部品は、インダクタ部とコンデンサ部とが積層されたものであり、コンデンサ部は２層のグランド電極層とその間に挟まれた１層のホット電極層とで構成されている。
特開２００５−６４２６７号公報

しかしながら、上述した従来の複合電子部品には、以下に示すような浮遊容量の問題があった。すなわち、コンデンサ部のグランド電極層が、ホット電極層よりもインダクタ部側にあるため、このグランド電極層とインダクタ部との間に比較的大きな浮遊容量が生じていた。

この問題を回避するために、発明者らは、ホット電極層を、グランド電極層よりもインダクタ部側に配置してみた。しかしながら、それでもグランド電極とインダクタ部（第１の積層部）との間の浮遊容量を十分に低減することができなかった。

そこで、本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、浮遊容量をより低減することができる複合電子部品を提供することを目的とする。

本発明に係る複合電子部品は、電極層を含む第１の積層部と、第１の積層部に重なり、グランド電極が形成されたグランド電極層と、ホット電極が形成されたホット電極層とを少なくとも１層ずつ含む第２の積層部とを備え、第２の積層部において、第１の積層部に最も近いグランド電極層と第１の積層部との間にはホット電極層が介在しており、且つ、第１の積層部に最も近いグランド電極層のグランド電極のうち、ホット電極から第１の積層部側に露出している露出部分の少なくとも一部が、露出していない非露出部分の幅よりも狭い狭小部となっている。

この複合電子部品においては、グランド電極層と第１の積層部との間には、ホット電極層が介在している。そのため、グランド電極層のグランド電極と第１の積層部の電極層との間に生じる浮遊容量が、ホット電極層のホット電極によって低減されている。その上、グランド電極の露出部分の少なくとも一部が狭小部となっており、露出部分の面積の縮小化が図られているため、上記浮遊容量が効果的に低減されている。

また、第１の積層部がインダクタが形成されたインダクタ部である態様であってもよい。この場合、本発明に係る複合電子部品はＬ型電子部品となる。

また、ホット電極層には、複数のホット電極が形成されており、グランド電極の狭小部は、隣り合う２つのホット電極の間に設けられている態様であってもよい。

また、グランド電極は直線状に延びた形状を有しており、グランド電極の両端部を結ぶ仮想線上に狭小部が設けられている態様であってもよい。

また、グランド電極の狭小部の幅が、グランド電極の両端部の幅以下である態様であってもよい。

本発明によれば、浮遊容量をより低減することができる複合電子部品が提供される。

以下、添付図面を参照して本発明を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。

本発明に係る複合電子部品として、積層型フィルタ（長さ２．０ｍｍ×幅１．０ｍｍ×
厚さ０．７ｍｍ）を例に以下説明を進める。図１は、本発明の実施形態に係る複合電子部品１０を示す斜視図である。図１に示す複合電子部品１０は、インダクタとバリスタとからそれぞれ構成された４個のＬ型フィルタ素子が並列に設けられた積層型フィルタアレイ部品である。複合電子部品１０は、略直方体の形状の素体１２、四対の端子電極１４ａ，１６ａと、１４ｂ，１６ｂと、１４ｃ，１６ｃと、１４ｄ，１６ｄ、および、一対のグランド端子電極１８ａ，１８ｂから構成されている。

端子電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄは、素体１２の側面である第１の面１２ａに順に設けられており、それぞれ素体１２の積層方向に延びた形状をなしている。同様に、端子電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄは、素体１２に対して第１の面１２ａと反対側の側面である第２の面１２ｂに順に設けられており、それぞれ素体１２の積層方向に延びた形状をなしている。すなわち、端子電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄと端子電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄとは、それぞれ一対の端子電極をなしており、互いに対向するように素体１２の外表面に設けられている。

グランド端子電極１８ａは、素体１２に対して第１の面１２ａおよび第２の面１２ｂに直交する側面である第３の面１２ｃの中央部に設けられており、素体１２の積層方向に延びた形状をなしている。同様に、グランド端子電極１８ｂは、素体１２に対して第３の面１２ｃと反対側の側面である第４の面１２ｄの中央部に設けられており、素体１２の積層方向に延びた形状をなしている。すなわち、グランド端子電極１８ａとグランド端子電極１８ｂとは、それぞれ一対のグランド端子電極をなしており、互いに対向するように素体１２の外表面に設けられている。

素体１２には複数の機能層が積層されており、素体１２は、これら複数の機能層の積層方向に沿って第１の積層部（インダクタ部）Ａと第２の積層部（バリスタ部）Ｂとを有している。素体１２における第１の積層部Ａと第２の積層部Ｂとには、それぞれ異なる機能を有する機能層が積層されている。以下では、素体１２の構成を詳細に説明する。

図２は、図１に示す素体を層ごとに分解して示す分解斜視図である。素体１２の第１の積層部Ａには、複数の機能層２０，２１，２２，２３，２４，２５，２２，２３，２６が順に積層されている。各機能層２０〜２６は、その厚さはおよそ２０μｍであり、電気絶縁性を有する材料からなっている。例えば、機能層２０〜２６の材料には、ＺｎＯを主成分とするセラミック材料が適用可能である。機能層を構成するセラミック材料は、ＺｎＯのほか、添加物としてＰｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属元素を含有していてもよい。また、各機能層２０〜２６の構成材料として、フェライト等の磁性体を利用することもできる。

素体１２の第２の積層部Ｂには、複数の機能層２７，２８，２９，３０，３１が順に積層されている。各機能層２７〜３１は、その厚さはおよそ６０μｍであり、誘電性を有する材料からなっている。本実施形態では、機能層２７〜３１は電圧非直線特性を発現する誘電性材料からなっている。例えば、機能層２０〜２６の材料には、ＺｎＯを主成分とするセラミック材料が適用可能である。このセラミック材料中には、添加物として、Ｐｒ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、ＣｏおよびＡｌが更に含まれている。

ここで、機能層２７〜３１は、Ｐｒに加えてＣｏを含むことから、優れた電圧非直線特性、高い誘電率（ε）を有するものとなる。また、Ａｌを更に含むことから、低抵抗となる。機能層２７〜３１は、更なる特性の向上を目的として、添加物として上述したもの以外の金属元素等（例えば、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ等）を更に含有していてもよい。

なお、実際の素体１２では、機能層２０〜２６と機能層２７〜３１とは、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

次に、素体１２の第１の積層部Ａの構成を詳細に説明する。複数の機能層（本発明における電極層）２１，２２，２３，２４，２５，２２，２３，２６の一方の主面上には、それぞれ、パラジウムを主成分とする導体パターン４１，４２，４３，４４，４５，４２，４３，４６が４体ずつ設けられている。４体の導体パターン４１は、それぞれ、機能層２０〜２６の積層方向に直交する方向であって一対のグランド端子電極１８ａ〜１８ｂの対向方向に併置されている。同様に、導体パターン４２〜４６も、それぞれ４体ずつ、一対のグランド端子電極１８ａ〜１８ｂの対向方向に併置されている。

導体パターン４１，４６は端子電極引き出しのために設けられており、導体パターン４２〜４５はインダクタンスを大きくするためにコイル状をなしている。換言すれば、導体パターン４２〜４５は、略長方形の辺に沿って形成されたコの字状をなしている。

４体の導体パターン４１の一端４１ａは、それぞれ、図１に示す第１の面１２ａの一部を形成する機能層２１の一縁に沿って設けられており、図１に示す端子電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄにそれぞれ接続されている。４体の導体パターン４１の他端４１ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４２の一端４２ａにそれぞれ接続されている。４体の導体パターン４２の他端４２ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４３の一端４３ａにそれぞれ接続されており、４体の導体パターン４３の他端４３ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４４の一端４４ａにそれぞれ接続されている。また、４体の導体パターン４４の他端４４ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４５の一端４５ａにそれぞれ接続されており、４体の導体パターン４５の他端４５ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４２の一端４２ａにそれぞれ接続されている。

同様に、４体の導体パターン４２の他端４２ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４３の一端４３ａにそれぞれ接続されており、４体の導体パターン４３の他端４３ｂは、スルーホール導体を介して４体の導体パターン４６の一端４６ａにそれぞれ接続されている。４体の導体パターン４６の他端４６ｂは、それぞれ、図１に示す第２の面１２ｂの一部を形成する機能層２６の一縁に沿って設けられており、図１に示す端子電極１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄにそれぞれ接続されている。

このように、素体１２の積層方向に隣り合う導体パターン４２〜４６同士がそれぞれ直列に接続されて、４体のインダクタ導体４８ａ，４８ｂ，４８ｃ，４８ｄを形成している。

次に、素体１２の第２の積層部Ｂの構成を詳細に説明する。上述したように、第２の積層部Ｂは、５層の機能層２７〜３１で構成されている。そして、５層の機能層２７〜３１のうち、真ん中に位置する機能層２９には、その主面にグランド電極５１がパターン印刷により形成されており、その機能層２９と上下で隣り合う２層の機能層２８，３０それぞれには、その主面に２つのホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂがパターン印刷により形成されている。なお、グランド電極５１とホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂとは、焼成後においておよそ５０μｍだけ離間している。

以下、説明の便宜上、グランド電極５１が形成された機能層２９をグランド電極層と称する。また、ホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂが形成された機能層２８，３０のうち、グランド電極層２９より第１の積層部Ａ側の機能層２８を第１のホット電極層２８と称し、もう一方の機能層３０を第２のホット電極層と称する。

次に、図３を参照して、上述したグランド電極５１及びホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂの形状とそれらの位置関係について説明する。ここで、図３は積層された機能層の平面図であり、（ａ）は第１のホット電極層２８とグランド電極層２９とが積層された状態を示した平面図、（ｂ）はグランド電極層２９と第２のホット電極層３０とが積層された状態を示した平面図である。

図３（ａ）に示すように、第１のホット電極層２８の２つのホット電極５２Ａ，５２Ｂは同一形状を有しており、いずれも容量電極部５２ａと引出電極部５２ｂとで構成されている。

第１のホット電極層２８に形成された２つのホット電極５２Ａ，５２Ｂの各容量電極部５２ａは、同一形状を有し、第１のホット電極層２８の長手方向（図３のＸ方向）に沿って延びる略矩形状となっており、その四隅が曲線的に面取りされている。また、これら２つの容量電極部５２ａは、Ｘ方向に延びる第１のホット電極層２８の中心線Ｃ１に沿って並んでおり、且つ、それぞれがこの中心線Ｃ１に関して対称となるように配置されている。さらに、２つの容量電極部５２ａは、第１のホット電極層２８の短手方向（図３のＹ方向）に延びる第１のホット電極層２８の中心線Ｃ２に関しても対称となるように配列されている。すなわち、第１のホット電極層２８の２つの容量電極部５２ａは、中心線Ｃ１に関して対称形状となっており、且つ、中心線Ｃ２に関して対称に配置されている。

ホット電極５２Ａ，５２Ｂの各引出電極部５２ｂは、対応する容量電極部５２ａから素体１２の第２の面１２ｂに対応する縁まで延びる等幅ライン状の部分であり、一旦斜め方向に引き出された後、Ｙ方向に沿って縁まで延びて、第２の面１２ｂに形成された端子電極１６ｂ，１６ｄと電気的に接続されている。

グランド電極層２９のグランド電極５１は、Ｘ方向に並ぶ２つの本体部５１ａ，５１ｂと、本体部５１ａ，５１ｂから両縁までＸ方向に沿って延びる一対の端部５１ｃ，５１ｄと、本体部５１ａ，５１ｂとの間でＸ方向に沿って延びる接続部とによって構成されている。

本体部５１ａ，５１ｂはそれぞれ、上述したホット電極５２Ａ，５２Ｂの容量電極部５２ａに対応する領域に、容量電極部５２ａと略同一の形状で形成されている。すなわち、本体部５１ａ，５１ｂは、グランド電極層２９の長手方向（図３のＸ方向）に沿って延びる略矩形状となっており、Ｘ方向に延びる中心線Ｃ１に沿って並んでいる。そして、本体部５１ａ，５１ｂは、中心線Ｃ１に関して対称形状となっており、且つ、中心線Ｃ２に関して対称に配置されている。そのため、ホット電極５２Ａ，５２Ｂの容量電極部５２ａと、グランド電極５１の本体部５１ａ，５１ｂとが、重畳している。なお、本体部５１ａ，５１ｂのＹ方向に関する幅はともにＤ１となっている。

端部５１ｃ，５１ｄは、本体部５１ａ，５１ｂを挟むように中心線Ｃ１上に並んで配置されており、本体部５１ａ，５１ｂからグランド電極層２９の両縁までＸ方向に沿って延びる矩形状の部分である。そして、端部５１ｃ，５１ｄは、本体部５１ａ，５１ｂから素体１２の第３の面１２ｃ及び第４の面１２ｄまで電極を引き出す引出電極部として機能しているおり、端部５１ｃは第３の面１２ｃに形成されたグランド端子電極１８ａと電気的に接続されており、端部５１ｄは第４の面１２ｄに形成されたグランド端子電極１８ｂと電気的に接続されている。なお、両端部５１ｃ，５１ｄのＹ方向に関する幅はともにＤ１より狭いＤ２となっている。

接続部５１ｅは、中心線Ｃ１上において一対の本体部５１ａ，５１ｂの間に介在し、本体部５１ａと本体部５１ｂとの間をＸ方向に沿って延びる矩形状の部分である。すなわち、接続部５１ｅは、両本体部５１ａ，５１ｂ同士を電気的に接続している。この接続部５１ｅのＹ方向に関する幅は、上述した端部５１ｃ，５１ｄと同じＤ２となっている。

このように、グランド電極層２９のグランド電極５１は直線状に延びた形状（矩形状）を有しており、その両端部５１ｃ，５１ｄを結ぶ中心線（仮想線）Ｃ１上に接続部５１ｅが設けられている。

図３（ｂ）に示すように、第２のホット電極層３０の２つのホット電極５３Ａ，５３Ｂは、第１のホット電極層２８同様、同一形状を有しており、いずれも容量電極部５３ａと引出電極部５３ｂとで構成されている。

第２のホット電極層３０に形成された２つのホット電極５３Ａ，５３Ｂの各容量電極部５３ａは、第１のホット電極層２８のホット電極５２Ａ，５２Ｂの容量電極部５２ａと同一の形状を有している。すなわち、ホット電極５３Ａ，５３Ｂはそれぞれ、第２のホット電極層３０の長手方向（図３のＸ方向）に沿って延びる略矩形状となっており、その四隅が曲線的に面取りされている。また、これら２つの容量電極部５３ａは、Ｘ方向に延びる第２のホット電極層３０の中心線Ｃ１に沿って並んでおり、且つ、それぞれがこの中心線Ｃ１に関して対称となるように配置されている。さらに、２つの容量電極部５３ａは、第２のホット電極層３０の短手方向（図３のＹ方向）に延びる第２のホット電極層３０の中心線Ｃ２に関しても対称となるように配列されている。すなわち、第２のホット電極層３０の２つの容量電極部５３ａは、中心線Ｃ１に関して対称形状となっており、且つ、中心線Ｃ２に関して対称に配置されている。

ホット電極５３Ａ，５３Ｂの各引出電極部５３ｂは、対応する容量電極部５３ａから素体１２の第２の面１２ｂに対応する縁まで延びる等幅ライン状の部分であり、一旦斜め方向に引き出された後、Ｙ方向に沿って縁まで延びて、第２の面１２ｂに形成された端子電極１６ａ，１６ｃと電気的に接続されている。

ここで、発明者らが、本発明に想到する前の試作段階における複合電子部品の第２の積層部のホット電極とグランド電極との位置関係について、図４を参照しつつ説明する。図４は、試作段階における複合電子部品の第２の積層部Ｂの一部分の積層状態を示した平面図である。図４において、符号５４は、グランド電極層２９に形成された試作段階におけるグランド電極を示している。

図４に示すように、試作段階におけるグランド電極５４は、Ｘ方向に均一の幅Ｄで延びる矩形状を有している。つまり、グランド電極５４は、第１のホット電極層２８のホット電極５２Ａ，５２Ｂに対応する領域５４ａ，５４ｂの幅、ホット電極５２Ａ，５２Ｂより外側の領域５４ｃ，５４ｄの幅、及び、ホット電極５２Ａ，５２Ｂの間の領域５４ｅの幅が同一となっている。

発明者らは、このようなグランド電極５４では、第１の積層部Ａの電極層２１，２２，２３，２４，２５，２２，２３，２６との間に、比較的大きな浮遊容量が生じてしまう問題について、鋭意研究を重ねた末、本実施形態に係るようなグランド電極５１に想到した。すなわち、発明者らは、試作段階のグランド電極５４では、グランド電極５４のうち、ホット電極５２Ａ，５２Ｂから第１の積層部Ａ側に露出している露出部分（すなわち、領域５４ｃ、領域５４ｄ及び領域５４ｅ）の面積が大きかったために、この露出部分５４ｃ，５４ｄ，５４ｅと第１の積層部Ａとの間に大きな浮遊容量が発生しているとの知見を得て、この露出部分５４ｃ，５４ｄ，５４ｅの幅を、露出していない非露出部分（すなわち、領域５４ａ及び領域５４ｂ）の幅よりも狭くしたグランド電極５１を見出した。

換言すると、上述したグランド電極５１は、ホット電極５２Ａ，５２Ｂから第１の積層部Ａ側に露出している露出部分（両端部５１ｃ，５１ｄ及び接続部５１ｅ）が、露出していない非露出部分（本体部５１ａ，５１ｂ）の幅よりも狭い狭小部となっている。そのため、上記露出部分の狭小部に対応する両端部５１ｃ，５１ｄ及び接続部５１ｅの幅Ｄ２が、上記非露出部分に対応する本体部５１ａの幅Ｄ１よりも狭くなっている。

そして、グランド電極５１に、このような狭小部５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを設けることによって、ホット電極５２Ａ，５２Ｂから第１の積層部Ａ側に露出する（すなわち、第１の積層部Ａのインダクタ導体４８ａ，４８ｂ，４８ｃ，４８ｄと直接対面する）グランド電極５１の面積が有意に縮小されて、その結果、上記浮遊容量が効果的に低減される。

さらに、上記浮遊容量の低減により、複合電子部品１０の４つのフィルタ素子のバリスタ部分における静電容量のバラツキが抑制されることが、以下に示す発明者らによる実験の結果より明らかとなった。

実験としては、図３に示した配置関係を有する第２の積層部を備える複合電子部品と同等の電子部品＃１と、図４に示した配置関係を有する第２の積層部を備える複合電子部品と同等の電子部品＃２とを用い、これらの電子部品＃１，＃２（長さ２．０ｍｍ×幅１．０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍ（第２の積層部厚さ０．５ｍｍ））のホット電極とグランド電極との間の静電容量をそれぞれＣＨ１〜４として測定した。なお、電子部品＃１，＃２のバリスタ部を構成する誘電性材料には、ＺｎＯ、Ｐｒ_６Ｏ_１１、ＣｏＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３、ＳｉＯ_２、Ｋ_２ＣＯ_３及びＡｌ_２Ｏ_３を含む材料（誘電率４５６）を採用した。また、各電子部品のホット電極の容量電極部の寸法は、０．６ｍｍ（電子部品の長手方向における長さ）×０．３５ｍｍ（電子部品の短手方向における長さ）とした。

その測定結果は、下の表１に示すとおりであった。なお、表１の電子部品＃１のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４はそれぞれ、図３に示すホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂにおける静電容量に対応している。また、表１の電子部品＃２のＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４はそれぞれ、図４に示すホット電極５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂにおける静電容量に対応している。

この表１からわかるとおり、電子部品＃１においては、ＣＨ１〜４における静電容量が略同一になっている。一方、電子部品＃２においては、ＣＨ１〜４のうち、ＣＨ２，３の静電容量が他の２つのＣＨに比べて大きくなっている。

これは、上述したとおり、電子部品＃１では、グランド電極の露出部分の面積の縮小化が図られているために静電容量の均一化が図られており、一方、電子部品＃２では、グランド電極の露出部分の面積の縮小化が図られていないために静電容量のバラツキが生じているものと考えられる。

以上で詳細に説明したように、上述した複合電子部品１０においては、第２の積層部Ｂのグランド電極５１に、上記狭小部５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを設けることによって、ホット電極５２Ａ，５２Ｂから第１の積層部Ａ側に露出するグランド電極５１の面積が有意に縮小されて、上記浮遊容量が効果的に低減されている。

なお、上記浮遊容量は、第１の積層部Ａに最も近いグランド電極層による影響が大きいため、第２の積層部Ｂが複数のグランド電極層２９を含む場合には、少なくとも第１の積層部Ａに最も近いグランド電極層のグランド電極に上記狭小部５１ｃ，５１ｄ，５１ｅを設ける必要がある。

また、狭小部５１ｃ，５１ｄ，５１ｅの幅は、本体部５１ａ，５１ｂより狭い幅の範囲内で適宜増減することができる。また、狭小部５１ｃ，５１ｄ，５１ｅのうちの接続部５１ｅの幅を、両端部５１ｃ，５１ｄの幅以下に設定することにより、より効果的に露出部分の面積を縮小することができ、さらなる浮遊容量の低減を実現することができる。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、グランド電極の接続部が、必ずしも、両端部を結ぶ仮想線上にが設けられている必要はなく、図５に示すように、グランド電極の接続部の位置をＹ方向に移動させることも可能である。すなわち、図５に示すグランド電極５１Ａにおいては、本体部５１ａと本体部５１ｂとを接続する接続部５１ｆは、本体部５１ａ，５１ｂの一方の縁に沿っている。つまり、接続部５１ｆは、そのＹ方向に関する位置が、上述したグランド電極５１の接続部５１ｅと比較すると、図５の下側に向かう方向に変更されている。このようなグランド電極５１Ａを有するグランド電極層２９を備えた複合電子部品であっても、複合電子部品１０同様、上述した理由により浮遊容量の低減を実現することができる。

また、図６に示すように、狭小部としてブランク部５１ｇを備えるグランド電極５１Ｂを採用することも可能である。すなわち、図６に示すグランド電極５１Ｂにおいては、上述したグランド電極５１の本体部５１ａ，５１ｂ及び端部５１ｃ，５１ｄのみがパターニングされており、本体部５１ａと本体部５１ｂとの間にはパターニングされていないブランク部５１ｇが形成されている。このようなグランド電極５１Ｂを有するグランド電極層２９を備えた複合電子部品であっても、複合電子部品１０同様、上述した理由により浮遊容量の低減を実現することができる。特に、グランド電極５１では、グランド電極５１の接続部５１ｅに相当する部分に露出部分がないため、より効果的に浮遊容量の低減を図ることができる。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、複合電子部品として、Ｌ型積層型フィルタについてのみ説明したが、適宜π型積層型フィルタに変更してもよい。また、上述の複合電子部品を、バリスタ機能を有するフィルタとして説明したが、コンデンサ機能を有するフィルタ（ＬＣフィルタ）としての利用も可能である。

図１は、本発明の実施形態に係る複合電子部品を示す斜視図である。 図２は、図１に示した複合電子部品の分解斜視図である。 図３は、積層された機能層の平面図であり、（ａ）は第１のホット電極層とグランド電極層とが積層された状態を示した平面図、（ｂ）はグランド電極層と第２のホット電極層とが積層された状態を示した平面図である。 図４は、試作段階における複合電子部品のバリスタ部の一部分の積層状態を示した平面図である。 図５は、上述した実施形態とは異なる態様のグランド電極を示した平面図である。 図６は、上述した実施形態とは異なる態様のグランド電極を示した平面図である。

符号の説明

１０…複合電子部品、２１〜３１…機能層、２８，３０…ホット電極層、２９…グランド電極層、５１，５１Ａ，５１Ｂ…グランド電極、５２Ａ，５２Ｂ，５３Ａ，５３Ｂ…ホット電極、５１ｃ，５１ｄ…端部、５１ｃ，５１ｄ，５１ｅ，５１ｆ，５１ｇ…狭小部、Ａ…第１の積層部、Ｂ…第２の積層部。

Claims (3)

1. 積層される各電極層上に並列に４体ずつ設けられる各導体パターンが前記電極層の積層方向に隣り合う同士それぞれ直列に接続されて４体のインダクタ導体が形成される第１の積層部と、
   前記第１の積層部と前記積層方向に対向配置される第１のホット電極層と、前記第１のホット電極層に対して前記第１の積層部から前記積層方向に離れて配置される第２のホット電極層と、前記第１及び第２のホット電極層の間に積層されるグランド電極層とを有する第２の積層部とを備え、
   前記第２の積層部において、前記第１及び第２のホット電極層上には２つのホット電極がそれぞれ形成されると共に、前記グランド電極層上には前記第１のホット電極層の前記２つのホット電極の容量電極部それぞれに重畳する２つの本体部及び前記２つの本体部を接続する接続部を含むグランド電極が形成され、且つ、前記接続部は、前記第１の積層部と対向配置される前記第１のホット電極層の互いに離間する前記２つのホット電極の間から前記第１の積層部側に露出して、前記積層方向から見て、前記４体のインダクタ導体のうち中央の２体のインダクタ導体の一部と重なるように配置され、
   前記接続部の幅が、前記グランド電極のうち、前記第１のホット電極層の前記２つのホット電極から前記第１の積層部側に露出していない非露出部分の幅よりも狭いことを特徴とする、複合電子部品。
2. 前記グランド電極は直線状に延びた形状を有しており、前記グランド電極の両端部を結ぶ仮想線上に前記接続部が設けられている、請求項１に記載の複合電子部品。
3. 前記グランド電極の前記接続部の幅が、前記グランド電極の両端部の幅以下である、請求項２に記載の複合電子部品。

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