JPH0917643A - チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 - Google Patents
チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品Info
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- JPH0917643A JPH0917643A JP16109595A JP16109595A JPH0917643A JP H0917643 A JPH0917643 A JP H0917643A JP 16109595 A JP16109595 A JP 16109595A JP 16109595 A JP16109595 A JP 16109595A JP H0917643 A JPH0917643 A JP H0917643A
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- chip
- pattern
- laser trimming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】外部電極を除いて一部または全部を磁性樹脂の
被膜で被覆することにより、不要輻射を低減し、耐湿性
を向上する。 【構成】外部電極を除いて一部または全部を磁性樹脂の
被膜で被覆したことを特徴とするチップ積層セラミック
フィルタ。
被膜で被覆することにより、不要輻射を低減し、耐湿性
を向上する。 【構成】外部電極を除いて一部または全部を磁性樹脂の
被膜で被覆したことを特徴とするチップ積層セラミック
フィルタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話などの無線通
信機器の高周波回路に使用されるチップ積層セラミック
フィルタおよび複合部品に関する。
信機器の高周波回路に使用されるチップ積層セラミック
フィルタおよび複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の無線通信機器、特に、ディジタル
通信機器においては、高周波回路のフィルタに小型かつ
高特性を要求されるところから、チップ積層セラミック
フィルタおよび複合部品が使用されている。
通信機器においては、高周波回路のフィルタに小型かつ
高特性を要求されるところから、チップ積層セラミック
フィルタおよび複合部品が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無線通信機器、特に、ディジタル通信機器に使用されて
いるチップ積層セラミックフィルタおよび複合部品は、
その表面から不要輻射が生じ、高周波回路で局部発振を
起こしやすいという欠点があった。
無線通信機器、特に、ディジタル通信機器に使用されて
いるチップ積層セラミックフィルタおよび複合部品は、
その表面から不要輻射が生じ、高周波回路で局部発振を
起こしやすいという欠点があった。
【０００４】したがって、本発明は、外部電極を除いて
一部または全部を磁性樹脂の被膜で被覆することによ
り、不要輻射を低減したチップ積層セラミックフィルタ
およびこれを用いた複合部品を提供することを目的とす
る。
一部または全部を磁性樹脂の被膜で被覆することによ
り、不要輻射を低減したチップ積層セラミックフィルタ
およびこれを用いた複合部品を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の課題に対する解
決手段は以下のとおりである。 １．外部電極を除いて一部または全部を、磁性樹脂の被
膜で被覆したことを特徴とするチップ積層セラミックフ
ィルタ。
決手段は以下のとおりである。 １．外部電極を除いて一部または全部を、磁性樹脂の被
膜で被覆したことを特徴とするチップ積層セラミックフ
ィルタ。
【０００６】２．レーザートリミング切断溝を含み、か
つ、外部電極を除いて一部または全部を、磁性樹脂で被
覆したことを特徴とするチップ積層セラミックフィル
タ。
つ、外部電極を除いて一部または全部を、磁性樹脂で被
覆したことを特徴とするチップ積層セラミックフィル
タ。
【０００７】３．高周波回路素子を積層セラミック基板
内に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有
する複合部品であって、前記複合部品の外部電極を除い
て一部または全部を、磁性樹脂の被膜で被覆したことを
特徴とする複合部品。
内に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有
する複合部品であって、前記複合部品の外部電極を除い
て一部または全部を、磁性樹脂の被膜で被覆したことを
特徴とする複合部品。
【０００８】４．高周波回路素子を積層セラミック基板
内に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有
する複合部品であって、前記複合部品のレーザートリミ
ング切断溝を含み、かつ、外部電極を除いて、一部また
は全部を磁性樹脂の被膜で被覆したことを特徴とする複
合部品。
内に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有
する複合部品であって、前記複合部品のレーザートリミ
ング切断溝を含み、かつ、外部電極を除いて、一部また
は全部を磁性樹脂の被膜で被覆したことを特徴とする複
合部品。
【０００９】また、本発明の課題に対する解決手段は以
下のようにも展開できる。 ５．前記磁性樹脂の被膜は、磁粉と樹脂の体積比率が３
０対７０から７０対３０であることを特徴とする上記１
または上記２に記載のチップ積層セラミックフィルタ。
下のようにも展開できる。 ５．前記磁性樹脂の被膜は、磁粉と樹脂の体積比率が３
０対７０から７０対３０であることを特徴とする上記１
または上記２に記載のチップ積層セラミックフィルタ。
【００１０】６．前記磁性樹脂の被膜の厚みが、１００
μｍ〜３００μｍであることを特徴とする上記１または
上記２に記載のチップ積層セラミックフィルタ。
μｍ〜３００μｍであることを特徴とする上記１または
上記２に記載のチップ積層セラミックフィルタ。
【００１１】７．前記磁性樹脂の被膜は、磁粉と樹脂の
体積比率が３０対７０から７０対３０であることを特徴
とする上記３または上記４に記載のチップ積層セラミッ
ク複合部品。
体積比率が３０対７０から７０対３０であることを特徴
とする上記３または上記４に記載のチップ積層セラミッ
ク複合部品。
【００１２】８．前記磁性樹脂の被膜の厚みが、１００
μｍ〜３００μｍであることを特徴とする上記３または
上記４に記載のチップ積層セラミック複合部品。
μｍ〜３００μｍであることを特徴とする上記３または
上記４に記載のチップ積層セラミック複合部品。
【００１３】
【作用】本発明は、ＬＣ共振回路を有するチップ積層セ
ラミックフィルタ、もしくはこのチップ積層セラミック
フィルタにレーザートリミングを施して中心周波数を調
整したもの、または高周波回路素子を積層セラミック基
板内部に有し、個別実装部品を積層セラミック基板表面
に有する複合部品、もしくはこの複合部品にレーザート
リミングを施して中心周波数を調整したものの外部電極
を除いて、一部または全部を磁性樹脂の被膜で被覆して
いるので、この磁性樹脂の被膜に不要輻射が吸収されて
外部への不要輻射が低減し、近傍の高周波部品での局部
発振が防止される。また、外部からの不要輻射の侵入も
防止される。更に、レーザートリミングをしているもの
にあっては、レーザートリミングによる切断溝が磁性樹
脂の被膜により塞がれて耐湿性が向上する。
ラミックフィルタ、もしくはこのチップ積層セラミック
フィルタにレーザートリミングを施して中心周波数を調
整したもの、または高周波回路素子を積層セラミック基
板内部に有し、個別実装部品を積層セラミック基板表面
に有する複合部品、もしくはこの複合部品にレーザート
リミングを施して中心周波数を調整したものの外部電極
を除いて、一部または全部を磁性樹脂の被膜で被覆して
いるので、この磁性樹脂の被膜に不要輻射が吸収されて
外部への不要輻射が低減し、近傍の高周波部品での局部
発振が防止される。また、外部からの不要輻射の侵入も
防止される。更に、レーザートリミングをしているもの
にあっては、レーザートリミングによる切断溝が磁性樹
脂の被膜により塞がれて耐湿性が向上する。
【００１４】
【実施例】つぎに、本発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明に係るチップ積層セラミッ
クフィルタの一実施例の斜視図である。１０はチップ積
層セラミックフィルタで、その表面には、レーザートリ
ミング切断溝１０ａが設けられ、このレーザートリミン
グ切断溝１０ａを含み、かつ、周辺を除いて、磁粉入り
樹脂（磁性樹脂）被膜１１が設けられている。チップ積
層セラミックフィルタの側面には、入力端子１２ａ、出
力端子１２ｂ、グランド端子１２ｃ、接続端子１２ｓが
設けられている。この図１に示すチップ積層セラミック
フィルタは、図２に示すシート積層工法により、図３に
示すバンドパスフィルタ回路を、形成したものである。
して説明する。図１は本発明に係るチップ積層セラミッ
クフィルタの一実施例の斜視図である。１０はチップ積
層セラミックフィルタで、その表面には、レーザートリ
ミング切断溝１０ａが設けられ、このレーザートリミン
グ切断溝１０ａを含み、かつ、周辺を除いて、磁粉入り
樹脂（磁性樹脂）被膜１１が設けられている。チップ積
層セラミックフィルタの側面には、入力端子１２ａ、出
力端子１２ｂ、グランド端子１２ｃ、接続端子１２ｓが
設けられている。この図１に示すチップ積層セラミック
フィルタは、図２に示すシート積層工法により、図３に
示すバンドパスフィルタ回路を、形成したものである。
【００１５】つぎに、本実施例の回路構成について図３
を参照して説明する。この図３は、ディジタル携帯電話
の１．５ＧＨｚバンドパスフィルタ回路を示すもので、
一次側にはコンデンサＣ１、コンデンサＣ２およびイン
ダクタＬ１により並列共振回路が構成されている。特
に、コンデンサＣ１は周波数調整用である。この並列共
振回路の一端は結合コンデンサＣ３を介して入力端子１
２ａに接続され、他端はグランド端子１２ｃに接続され
ている。また、二次側にはインダクタＬ２、コンデンサ
Ｃ４およびコンデンサＣ５により並列共振回路が構成さ
れている。特に、コンデンサＣ５は周波数調整用であ
る。この並列共振回路の一端は結合コンデンサＣ６を介
して出力端子１２ｂに接続され、他端はグランド端子１
３に接続されている。一次側のインダクタＬ１および二
次側のインダクタＬ２は磁気結合している。
を参照して説明する。この図３は、ディジタル携帯電話
の１．５ＧＨｚバンドパスフィルタ回路を示すもので、
一次側にはコンデンサＣ１、コンデンサＣ２およびイン
ダクタＬ１により並列共振回路が構成されている。特
に、コンデンサＣ１は周波数調整用である。この並列共
振回路の一端は結合コンデンサＣ３を介して入力端子１
２ａに接続され、他端はグランド端子１２ｃに接続され
ている。また、二次側にはインダクタＬ２、コンデンサ
Ｃ４およびコンデンサＣ５により並列共振回路が構成さ
れている。特に、コンデンサＣ５は周波数調整用であ
る。この並列共振回路の一端は結合コンデンサＣ６を介
して出力端子１２ｂに接続され、他端はグランド端子１
３に接続されている。一次側のインダクタＬ１および二
次側のインダクタＬ２は磁気結合している。
【００１６】つぎに、図２を参照して、図３に示す回路
を具体化して、図１に示すチップ積層セラミックフィル
タを実現するシート積層工法について説明する。誘電率
６の低温焼結セラミック材料からなるグリーンシート
を、薄手のものを７枚、厚手のものを２枚用意する。
を具体化して、図１に示すチップ積層セラミックフィル
タを実現するシート積層工法について説明する。誘電率
６の低温焼結セラミック材料からなるグリーンシート
を、薄手のものを７枚、厚手のものを２枚用意する。
【００１７】第１層シート１は、本実施例に係るチップ
積層セラミックフィルタの下層の保護用ダミーシート
で、４側面に入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、グラン
ド端子１３および接続端子１４ａ、１４ｂが設けられて
いる。これらの４側面における各端子の配置は、後述の
各シートにおいても同様である。
積層セラミックフィルタの下層の保護用ダミーシート
で、４側面に入力端子１２ａ、出力端子１２ｂ、グラン
ド端子１３および接続端子１４ａ、１４ｂが設けられて
いる。これらの４側面における各端子の配置は、後述の
各シートにおいても同様である。
【００１８】第２シート２は、その表面にインダクタパ
ターンを印刷しており、一次側のインダクタＬ１のパタ
ーンＬ１ｐおよび二次側のインダクタＬ２のパターンＬ
２ｐが磁気結合できるように近接して設けられている。
パターンＬ１ｐの一端は接続端子１３ａに接続され、他
端はグランド端子１３に接続されている。パターンＬ２
ｐの一端は接続端子１３ｂに接続され、他端はグランド
端子１２ｃに接続されている。
ターンを印刷しており、一次側のインダクタＬ１のパタ
ーンＬ１ｐおよび二次側のインダクタＬ２のパターンＬ
２ｐが磁気結合できるように近接して設けられている。
パターンＬ１ｐの一端は接続端子１３ａに接続され、他
端はグランド端子１３に接続されている。パターンＬ２
ｐの一端は接続端子１３ｂに接続され、他端はグランド
端子１２ｃに接続されている。
【００１９】第３シート３および第４シート４は、ダミ
ーシートで、両面には電極パターンなどは設けられては
いないが、４側面に第１シート１と同様に、入力端子１
２ａ、出力端子１２ｂ、グランド端子１３および接続端
子１４ａ、１４ｂが設けられている。
ーシートで、両面には電極パターンなどは設けられては
いないが、４側面に第１シート１と同様に、入力端子１
２ａ、出力端子１２ｂ、グランド端子１３および接続端
子１４ａ、１４ｂが設けられている。
【００２０】第５シート５は、その表面の両側に入力コ
ンデンサＣ３のパターンＣ３ｐと出力コンデンサＣ５の
パターンＣ５ｐを印刷している。パターンＣ３ｐは入力
端子１２ａに接続され、パターンＣ５ｐは出力端子１２
ｂに接続されている。
ンデンサＣ３のパターンＣ３ｐと出力コンデンサＣ５の
パターンＣ５ｐを印刷している。パターンＣ３ｐは入力
端子１２ａに接続され、パターンＣ５ｐは出力端子１２
ｂに接続されている。
【００２１】第６シート６は、その表面の両側に一次側
の並列コンデンサＣ２のパターンＣ２ｐと二次側の並列
コンデンサＣ４のパターンＣ４ｐを印刷している。パタ
ーンＣ２ｐは接続電極１４ａに接続され、パターンＣ４
ｐは接続電極１４ｂに接続されている。
の並列コンデンサＣ２のパターンＣ２ｐと二次側の並列
コンデンサＣ４のパターンＣ４ｐを印刷している。パタ
ーンＣ２ｐは接続電極１４ａに接続され、パターンＣ４
ｐは接続電極１４ｂに接続されている。
【００２２】第７シート７は、その表面の両側に一次側
のグランドパターン１３ａと二次側のグランドパターン
１３ｂを印刷している。これらのグランドパターン１３
ａとグランドパターン１３ｂとは、表面の一つの辺側で
相互接続されて、グランド端子１３にそれぞれ接続され
ている。
のグランドパターン１３ａと二次側のグランドパターン
１３ｂを印刷している。これらのグランドパターン１３
ａとグランドパターン１３ｂとは、表面の一つの辺側で
相互接続されて、グランド端子１３にそれぞれ接続され
ている。
【００２３】第８シート８は、その表面の両側に一次側
の並列コンデンサＣ１のパターンＣ１ｐと二次側の並列
コンデンサＣ５のパターンＣ５ｐを印刷している。パタ
ーンＣ１ｐは接続電極１４ａに接続され、パターンＣ５
ｐは接続電極１４ｂに接続されている。
の並列コンデンサＣ１のパターンＣ１ｐと二次側の並列
コンデンサＣ５のパターンＣ５ｐを印刷している。パタ
ーンＣ１ｐは接続電極１４ａに接続され、パターンＣ５
ｐは接続電極１４ｂに接続されている。
【００２４】第９シート９は、上層の保護用ダミーシー
トで、下層の第１シート１と同様に、その両面には電極
パターンなどは設けられていない。ただ、４側面に入力
端子１２ａ、出力端子１２ｂ、グランド端子１３および
接続端子１４ａ、１４ｂが設けられている。
トで、下層の第１シート１と同様に、その両面には電極
パターンなどは設けられていない。ただ、４側面に入力
端子１２ａ、出力端子１２ｂ、グランド端子１３および
接続端子１４ａ、１４ｂが設けられている。
【００２５】以上、図２に示すように、第１シート１〜
第９シート９上に、図３に示すコンデンサ、インダクタ
等からなる回路を銅ペーストを用いてスクリーン印刷に
よりパターニングした後、第１シートを下にして順次第
９シート９まで積層して圧着し、窒素ガス雰囲気中にお
いて、９８０℃で焼成する。
第９シート９上に、図３に示すコンデンサ、インダクタ
等からなる回路を銅ペーストを用いてスクリーン印刷に
よりパターニングした後、第１シートを下にして順次第
９シート９まで積層して圧着し、窒素ガス雰囲気中にお
いて、９８０℃で焼成する。
【００２６】この圧着および焼成により、図３に示す回
路を具現したチップ積層セラミックフィルタが構成され
ることになる。この場合、図３に示す回路のコンデンサ
は、図２において、次のようにして形成される。一次側
において、コンデンサＣ３は、パターンＣ３ｐとパター
ンＣ２ｐとの間で形成される。コンデンサＣ１はパター
ンＣ１ｐとパターン１３ａとの間で形成される。コンデ
ンサＣ２は、パターンＣ２ｐとパターン１３ａとの間で
形成される。二次側において、コンデンサＣ６はパター
ンＣ６ｐとパターンＣ４ｐとの間で形成される。コンデ
ンサＣ４はパターンＣ４ｐとパターン１３ｂとの間で形
成される。コンデンサＣ５はパターンＣ５ｐとパターン
１３ｂとの間で形成される。
路を具現したチップ積層セラミックフィルタが構成され
ることになる。この場合、図３に示す回路のコンデンサ
は、図２において、次のようにして形成される。一次側
において、コンデンサＣ３は、パターンＣ３ｐとパター
ンＣ２ｐとの間で形成される。コンデンサＣ１はパター
ンＣ１ｐとパターン１３ａとの間で形成される。コンデ
ンサＣ２は、パターンＣ２ｐとパターン１３ａとの間で
形成される。二次側において、コンデンサＣ６はパター
ンＣ６ｐとパターンＣ４ｐとの間で形成される。コンデ
ンサＣ４はパターンＣ４ｐとパターン１３ｂとの間で形
成される。コンデンサＣ５はパターンＣ５ｐとパターン
１３ｂとの間で形成される。
【００２７】つぎに、図１に示すように、焼成済みのチ
ップ積層セラミックフィルタ１０にレーザートリミング
を施す。１０ａがそのレーザートリミング切断溝であ
る。このレーザートリミングは、図２において、第８シ
ート８に形成されているパターンＣ１ｐおよびパターン
Ｃ５ｐに対して第９パターン９上から行い、このパター
ンＣ１ｐおよびパターンＣ５ｐを一部切除することによ
り、コンデンサＣ１およびコンデンサＣ５の容量を減少
させてフィルタの中心周波数を微調整する。
ップ積層セラミックフィルタ１０にレーザートリミング
を施す。１０ａがそのレーザートリミング切断溝であ
る。このレーザートリミングは、図２において、第８シ
ート８に形成されているパターンＣ１ｐおよびパターン
Ｃ５ｐに対して第９パターン９上から行い、このパター
ンＣ１ｐおよびパターンＣ５ｐを一部切除することによ
り、コンデンサＣ１およびコンデンサＣ５の容量を減少
させてフィルタの中心周波数を微調整する。
【００２８】つぎに、レーザートリミングを施したチッ
プ積層セラミックフィルタ１０の表面に、レーザートリ
ミング切断溝１０ａを含み、かつ、周辺部を除いて、磁
粉入り樹脂（磁性樹脂）被膜１１を形成する。そして、
本実施例のチップ積層セラミックフィルタが完成する。
この磁粉入り樹脂被膜１１を形成する目的は、前記レー
ザートリミングにより第９シート９、第８シート８等に
切断溝が形成されており、このままでは、湿度などによ
り電気的特性が劣化するおそれがあるので、この切断溝
を塞いでフィルタの電気的特性の劣化を防止すること
と、不要輻射の防止を図ることにある。
プ積層セラミックフィルタ１０の表面に、レーザートリ
ミング切断溝１０ａを含み、かつ、周辺部を除いて、磁
粉入り樹脂（磁性樹脂）被膜１１を形成する。そして、
本実施例のチップ積層セラミックフィルタが完成する。
この磁粉入り樹脂被膜１１を形成する目的は、前記レー
ザートリミングにより第９シート９、第８シート８等に
切断溝が形成されており、このままでは、湿度などによ
り電気的特性が劣化するおそれがあるので、この切断溝
を塞いでフィルタの電気的特性の劣化を防止すること
と、不要輻射の防止を図ることにある。
【００２９】上記実施例においては、磁粉入り樹脂被膜
３はチップ積層セラミックフィルタ１の表面に、レーザ
ートリミング切断溝を含み、その周辺部を除いた中央部
に設けたが、外部電極を除いて全部に設けてもよい。
３はチップ積層セラミックフィルタ１の表面に、レーザ
ートリミング切断溝を含み、その周辺部を除いた中央部
に設けたが、外部電極を除いて全部に設けてもよい。
【００３０】つぎに、本実施例に用いる磁粉入り樹脂被
膜の具体的組成比率を表１に示す。併せて、これらの磁
粉入り樹脂被膜が図１記載の形状に被覆されたチップ積
層セラミックフィルタを用いて計測した不要輻射特性、
インサーションロスおよび接着強度を表１に示す。
膜の具体的組成比率を表１に示す。併せて、これらの磁
粉入り樹脂被膜が図１記載の形状に被覆されたチップ積
層セラミックフィルタを用いて計測した不要輻射特性、
インサーションロスおよび接着強度を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】なお、表１において、Ｏ印は通常の取扱
い、引っ掻き、機械的強度、熱的衝撃などにおいて問題
ないことを示す。×印は前記各項目に問題があることを
示す。また、磁粉と樹脂との混合割合は体積比率（％）
である。磁粉入り樹脂被膜の膜厚は、Ｎｉ−Ｚｎが１５
０μｍ、Ｍｎ−Ｚｎが２５０μｍである。この膜厚につ
いては、１００μｍでは不要輻射の効果にばらつきが生
じ、３００μｍ以上では強度にばあらつきが生じるの
で、前記厚みにより実施した。磁粉は１ＭＨｚでの透磁
率が、Ｎｉ−Ｚｎで３０、Ｍｎ−Ｚｎで４００のものを
用いた。不要輻射の測定は１ｍの距離で行った。
い、引っ掻き、機械的強度、熱的衝撃などにおいて問題
ないことを示す。×印は前記各項目に問題があることを
示す。また、磁粉と樹脂との混合割合は体積比率（％）
である。磁粉入り樹脂被膜の膜厚は、Ｎｉ−Ｚｎが１５
０μｍ、Ｍｎ−Ｚｎが２５０μｍである。この膜厚につ
いては、１００μｍでは不要輻射の効果にばらつきが生
じ、３００μｍ以上では強度にばあらつきが生じるの
で、前記厚みにより実施した。磁粉は１ＭＨｚでの透磁
率が、Ｎｉ−Ｚｎで３０、Ｍｎ−Ｚｎで４００のものを
用いた。不要輻射の測定は１ｍの距離で行った。
【００３３】この表１により、磁粉と樹脂との混合比率
が、磁粉Ｎｉ−Ｚｎおよび磁粉Ｍｎ−Ｚｎの場合におい
ても、３０対７０から７０対３０の場合が、不要輻射が
−４ｄＢｄ以下に抑えられ、インサーションロスは多少
増加するが許容できる範囲であり、接着強度も良好であ
ることが理解できる。
が、磁粉Ｎｉ−Ｚｎおよび磁粉Ｍｎ−Ｚｎの場合におい
ても、３０対７０から７０対３０の場合が、不要輻射が
−４ｄＢｄ以下に抑えられ、インサーションロスは多少
増加するが許容できる範囲であり、接着強度も良好であ
ることが理解できる。
【００３４】つぎに、図４および図５を参照して本発明
の他の実施例の複合部品について説明する。図４はその
斜視図、図５は図４に示す複合部品の等価回路図で、特
に、ディジタル携帯電話の１．５ＧＨｚバンドパスフィ
ルタ回路と、これに続く高周波増幅回路とを示すもので
ある。
の他の実施例の複合部品について説明する。図４はその
斜視図、図５は図４に示す複合部品の等価回路図で、特
に、ディジタル携帯電話の１．５ＧＨｚバンドパスフィ
ルタ回路と、これに続く高周波増幅回路とを示すもので
ある。
【００３５】まず、図５において、バンドパスフィルタ
回路Ａは前記実施例の図３と同様なので、その説明を省
略する。したがって、その後段に接続されている高周波
増幅回路Ｂについて説明する。前段のバンドパスフィル
タ回路Ａの出力は、ストリップラインＳ１を介して、ト
ランジスタＴｒのベースに入力される。トランジスタＴ
ｒのベースと電源端子１２ｃとの間には、バイアス抵抗
Ｒ１が接続され、トランジスタＴｒのコレクタはコンデ
ンサＣ８を介して出力端子１２ｄに接続されている。ま
た、トランジスタＴｒのコレクタと電源端子１２ｃとの
間には、ストリップラインＳ２が接続されている。トラ
ンジスタＴｒのエミッタとグランド１３との間には、バ
イパスコンデンサＣ７および帰還抵抗Ｒ２が並列接続さ
れている。
回路Ａは前記実施例の図３と同様なので、その説明を省
略する。したがって、その後段に接続されている高周波
増幅回路Ｂについて説明する。前段のバンドパスフィル
タ回路Ａの出力は、ストリップラインＳ１を介して、ト
ランジスタＴｒのベースに入力される。トランジスタＴ
ｒのベースと電源端子１２ｃとの間には、バイアス抵抗
Ｒ１が接続され、トランジスタＴｒのコレクタはコンデ
ンサＣ８を介して出力端子１２ｄに接続されている。ま
た、トランジスタＴｒのコレクタと電源端子１２ｃとの
間には、ストリップラインＳ２が接続されている。トラ
ンジスタＴｒのエミッタとグランド１３との間には、バ
イパスコンデンサＣ７および帰還抵抗Ｒ２が並列接続さ
れている。
【００３６】つぎに、図４を参照して、図５に示す回路
を具体化した複合部品について説明する。第１実施例に
用いたグリーンシートよりは横幅の広いグリーンシート
で、誘電率６の低温焼結セラミック材料からなるもの、
を９枚用意する。これらのグリーンシートの表面の一方
側に、前記実施例と同様に、図５のＡに示す回路パター
ンを形成する。回路パターンの形成された９枚のグリー
ンシートを積層して圧着した後、焼成して図４に示すよ
うな複合部品２０を構成する。
を具体化した複合部品について説明する。第１実施例に
用いたグリーンシートよりは横幅の広いグリーンシート
で、誘電率６の低温焼結セラミック材料からなるもの、
を９枚用意する。これらのグリーンシートの表面の一方
側に、前記実施例と同様に、図５のＡに示す回路パター
ンを形成する。回路パターンの形成された９枚のグリー
ンシートを積層して圧着した後、焼成して図４に示すよ
うな複合部品２０を構成する。
【００３７】この複合部品２０の表面の他方側に、図５
に示す回路部品を印刷あるいは面実装して形成する。図
４において、Ｓ１およびＳ２はストリップライン、Ｒ１
およびＲ２はチップ抵抗、Ｔｒはチップトランジスタ、
Ｃ７およびＣ８はチップコンデンサである。１２ｃは電
源端子、１２ｄは出力端子、１３はグランド端子であ
る。なお、コンデンサＣ６とスリップラインＳ１とは、
バイアホールにより接続されている。
に示す回路部品を印刷あるいは面実装して形成する。図
４において、Ｓ１およびＳ２はストリップライン、Ｒ１
およびＲ２はチップ抵抗、Ｔｒはチップトランジスタ、
Ｃ７およびＣ８はチップコンデンサである。１２ｃは電
源端子、１２ｄは出力端子、１３はグランド端子であ
る。なお、コンデンサＣ６とスリップラインＳ１とは、
バイアホールにより接続されている。
【００３８】本実施例においても、前記実施例と同様
に、複合部品２０のコンデンサＣ１およびコンデンサＣ
５に対しレーザートリミングを上層から施す。１０ａが
そのレーザートリミング切断溝である。
に、複合部品２０のコンデンサＣ１およびコンデンサＣ
５に対しレーザートリミングを上層から施す。１０ａが
そのレーザートリミング切断溝である。
【００３９】つぎに、レーザートリミングを施した複合
部品２０の表面のＬＣ共振回路部分に、磁粉入り樹脂
（磁性樹脂）被膜１１を形成する。そして、本実施例の
チップ積層セラミック複合部品が完成する。この磁粉入
り樹脂被膜１１を形成する目的、効果は前記実施例と同
様である。なお、本実施例においてはＬＣ共振回路部分
のみ磁性樹脂出被覆しているが、高周波増幅回路部分も
被覆してもよい。
部品２０の表面のＬＣ共振回路部分に、磁粉入り樹脂
（磁性樹脂）被膜１１を形成する。そして、本実施例の
チップ積層セラミック複合部品が完成する。この磁粉入
り樹脂被膜１１を形成する目的、効果は前記実施例と同
様である。なお、本実施例においてはＬＣ共振回路部分
のみ磁性樹脂出被覆しているが、高周波増幅回路部分も
被覆してもよい。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、ＬＣ共振回路を有するチップ
積層セラミックフィルタ、または、このチップ積層セラ
ミックフィルタを内蔵する複合部品の一部または全部
を、外部電極を除いて磁性樹脂の被膜で被覆しているの
で、この磁性樹脂の被膜に不要輻射が吸収されて外部へ
の不要輻射が低減し、近傍の高周波部品での局部発振が
防止される。また、外部からの不要輻射の侵入も防止さ
れる。更に、レーザートリミングをしているものにあっ
ては、レーザートリミングによる切断溝が磁性樹脂の被
膜により塞がれ耐湿性が向上する。
積層セラミックフィルタ、または、このチップ積層セラ
ミックフィルタを内蔵する複合部品の一部または全部
を、外部電極を除いて磁性樹脂の被膜で被覆しているの
で、この磁性樹脂の被膜に不要輻射が吸収されて外部へ
の不要輻射が低減し、近傍の高周波部品での局部発振が
防止される。また、外部からの不要輻射の侵入も防止さ
れる。更に、レーザートリミングをしているものにあっ
ては、レーザートリミングによる切断溝が磁性樹脂の被
膜により塞がれ耐湿性が向上する。
【図１】 本発明に係るチップ積層セラミックフィルタ
の一実施例の斜視図
の一実施例の斜視図
【図２】 図１に示すチップ積層セラミックフィルタを
製造するシート積層工法の展開斜視図
製造するシート積層工法の展開斜視図
【図３】 図１に示すチップ積層セラミックフィルタの
等価回路図図
等価回路図図
【図４】 本発明に係る複合部品の一実施例の斜視図
【図５】 図４に示す複合部品の等価回路図
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８ コ
ンデンサ Ｌ１、Ｌ２ イ
ンダクタ Ｓ１、Ｓ２ ス
トリップライン Ｒ１、Ｒ２ 抵
抗 Ｔｒ ト
ランジスタ １０ チップ積層セラミックフ
ィルタ １０ａ レーザートリミング切断
溝 １１ 磁粉入り樹脂（磁性樹
脂）被膜 １２ａ 入力端子 １２ｂ、１２ｄ 出力端子 １２ｃ 電源端子 ２０ 複合部品
ンデンサ Ｌ１、Ｌ２ イ
ンダクタ Ｓ１、Ｓ２ ス
トリップライン Ｒ１、Ｒ２ 抵
抗 Ｔｒ ト
ランジスタ １０ チップ積層セラミックフ
ィルタ １０ａ レーザートリミング切断
溝 １１ 磁粉入り樹脂（磁性樹
脂）被膜 １２ａ 入力端子 １２ｂ、１２ｄ 出力端子 １２ｃ 電源端子 ２０ 複合部品
Claims (4)
- 【請求項１】 外部電極を除いて一部または全部を、磁
性樹脂の被膜で被覆したことを特徴とするチップ積層セ
ラミックフィルタ。 - 【請求項２】 レーザートリミング切断溝を含み、か
つ、外部電極を除いて一部または全部を、磁性樹脂で被
覆したことを特徴とするチップ積層セラミックフィル
タ。 - 【請求項３】 高周波回路素子を積層セラミック基板内
に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有す
る複合部品であって、前記複合部品の外部電極を除いて
一部または全部を、磁性樹脂の被膜で被覆したことを特
徴とする複合部品。 - 【請求項４】 高周波回路素子を積層セラミック基板内
に有し、表面実装部品を積層セラミック基板表面に有す
る複合部品であって、前記複合部品のレーザートリミン
グ切断溝を含み、かつ、外部電極を除いて、一部または
全部を磁性樹脂の被膜で被覆したことを特徴とする複合
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16109595A JPH0917643A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16109595A JPH0917643A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917643A true JPH0917643A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15728518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16109595A Pending JPH0917643A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | チップ積層セラミックフィルタおよび複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917643A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001060839A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
| WO2003100970A1 (fr) * | 2002-05-29 | 2003-12-04 | Ajinomoto Co.,Inc. | Circuit resonnant serie lc, carte comportant ce circuit et procedes de fabrication dudit circuit |
| WO2003100971A1 (fr) * | 2002-05-29 | 2003-12-04 | Ajinomoto Co.,Inc. | Circuit resonnant lc parallele, carte multicouches incorporant un circuit resonnant parallele lc, et leur procedes de production |
| JP2008172096A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Tdk Corp | 複合電子部品 |
| JP2014120759A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | コモンモードフィルタ及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP16109595A patent/JPH0917643A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001060839A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | ３端子フィルタ、受信モジュール及び携帯無線機 |
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| JP2008172096A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Tdk Corp | 複合電子部品 |
| US7529077B2 (en) | 2007-01-12 | 2009-05-05 | Tdk Corporation | Composite electronic component |
| JP4506759B2 (ja) * | 2007-01-12 | 2010-07-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 複合電子部品 |
| JP2014120759A (ja) * | 2012-12-13 | 2014-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | コモンモードフィルタ及びその製造方法 |
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