JPH09294042A - 積層型分波器 - Google Patents
積層型分波器Info
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- JPH09294042A JPH09294042A JP25072996A JP25072996A JPH09294042A JP H09294042 A JPH09294042 A JP H09294042A JP 25072996 A JP25072996 A JP 25072996A JP 25072996 A JP25072996 A JP 25072996A JP H09294042 A JPH09294042 A JP H09294042A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規な構造を有し、小型で高性能な分波器を
得る。 【構成】 セラミック絶縁層を積層一体化して構成され
る積層体であって、２個のインダクタンス成分及び２個
のコンデンサ成分を構成し、該インダクタンス成分とコ
ンデンサ成分とが並列に接続された２個のノッチ回路が
内部に構成された積層体から成る分波器。
得る。 【構成】 セラミック絶縁層を積層一体化して構成され
る積層体であって、２個のインダクタンス成分及び２個
のコンデンサ成分を構成し、該インダクタンス成分とコ
ンデンサ成分とが並列に接続された２個のノッチ回路が
内部に構成された積層体から成る分波器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯で
使用される分波器に関し、特にデュアルバンド携帯電話
のバンド分波に使用される分波器に関するものである。
使用される分波器に関し、特にデュアルバンド携帯電話
のバンド分波に使用される分波器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の分波器の回路図を図７に示す。こ
の従来例は、ＬＰＦ（ローパスフィルタ）とＨＰＦ（ハ
イパスフィルタ）とを組合せた構造である。また、特開
平３−２１６００２号公報には、図８、図９に示すブロ
ック図の分波器が記載されている。この図８の分波器
は、図７の回路のＨＰＦに更にＬＰＦを接続した構造で
あり、図９の分波器は、図８の分波器のＬＰＦ及びＨＰ
ＦにＲＥＪ（リジェクションフィルタ）をそれぞれ加え
た構造である。
の従来例は、ＬＰＦ（ローパスフィルタ）とＨＰＦ（ハ
イパスフィルタ）とを組合せた構造である。また、特開
平３−２１６００２号公報には、図８、図９に示すブロ
ック図の分波器が記載されている。この図８の分波器
は、図７の回路のＨＰＦに更にＬＰＦを接続した構造で
あり、図９の分波器は、図８の分波器のＬＰＦ及びＨＰ
ＦにＲＥＪ（リジェクションフィルタ）をそれぞれ加え
た構造である。
【０００３】これらのフィルタは、一般的に誘電体同軸
共振器が使用される。これは、誘電体磁器からなる円筒
形状体の内周面、外周面に電極を形成した構造をしてお
り、形状的には小型化には不適であった。
共振器が使用される。これは、誘電体磁器からなる円筒
形状体の内周面、外周面に電極を形成した構造をしてお
り、形状的には小型化には不適であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話の普及
はめざましいものがあり、携帯端末機の機能の向上が計
られている。その一つとして、一つの携帯端末機で二つ
の周波数帯での通話を可能とするデュアルバンド携帯電
話の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話
を構成するためには、その二つの周波数を選択する機能
が必要となる。しかも、携帯端末機に使用するために
は、小型の分波器を構成する必要がある。
はめざましいものがあり、携帯端末機の機能の向上が計
られている。その一つとして、一つの携帯端末機で二つ
の周波数帯での通話を可能とするデュアルバンド携帯電
話の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話
を構成するためには、その二つの周波数を選択する機能
が必要となる。しかも、携帯端末機に使用するために
は、小型の分波器を構成する必要がある。
【０００５】例えば、図７に示す従来の分波器の構成
で、ｆ１＝８２４〜８９６ＭＨｚ、ｆ２＝１８５０〜１
９９０ＭＨｚの分波器を構成した結果の挿入損失を図１
０に示す。この従来例では、アッテネーションが５〜１
０ｄＢであり、それぞれの周波数帯域への他方の周波数
成分の廻り込みが大きく、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２
において、挿入損失特性が良くなかった。
で、ｆ１＝８２４〜８９６ＭＨｚ、ｆ２＝１８５０〜１
９９０ＭＨｚの分波器を構成した結果の挿入損失を図１
０に示す。この従来例では、アッテネーションが５〜１
０ｄＢであり、それぞれの周波数帯域への他方の周波数
成分の廻り込みが大きく、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２
において、挿入損失特性が良くなかった。
【０００６】また、図８又は図９に示す回路構成を用い
れば、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２において挿入損失特
性を改善することができるが、回路が複雑となることに
より、分波器が大きくなる。例えば、携帯電話に使用す
ることを考えれば、大型形状の分波器は使用できなく、
小型で高性能な分波器が望まれている。
れば、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２において挿入損失特
性を改善することができるが、回路が複雑となることに
より、分波器が大きくなる。例えば、携帯電話に使用す
ることを考えれば、大型形状の分波器は使用できなく、
小型で高性能な分波器が望まれている。
【０００７】本発明は、新規な構造の分波器を構成する
ことを目的とし、また小型で高性能な分波器を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とし、また小型で高性能な分波器を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁層を積層
一体化して構成される積層体であって、内部にパターン
電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成
分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタ
ンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が
内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２
個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路
が内部に構成されている積層型分波器である。
一体化して構成される積層体であって、内部にパターン
電極が形成されて、少なくとも２個のインダクタンス成
分及び２個のコンデンサ成分が構成され、該インダクタ
ンス成分とコンデンサ成分とが接続されたノッチ回路が
内部に少なくとも２個構成された積層体から成り、該２
個のノッチ回路の一端どおしが接続されてなる分波回路
が内部に構成されている積層型分波器である。
【０００９】また本発明では、前記ノッチ回路が、イン
ダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であるこ
とが望ましいが、インダクタンス成分とコンデンサ成分
との直列回路とすることもできる。
ダクタンス成分とコンデンサ成分との並列回路であるこ
とが望ましいが、インダクタンス成分とコンデンサ成分
との直列回路とすることもできる。
【００１０】また本発明は、前記２個のノッチ回路の一
端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２
個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の
通信回路側のそれぞれに接続するように構成したデュア
ルバンド携帯電話端末機を得ることができる。
端どうしを接続した端部をアンテナ側に接続し、前記２
個のノッチ回路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の
通信回路側のそれぞれに接続するように構成したデュア
ルバンド携帯電話端末機を得ることができる。
【００１１】また本発明では、積層体内にインダクタン
ス成分、コンデンサ成分を構成するが、インダクタンス
成分としては、ミアンダラインで構成することが好まし
いが、巻回状に構成しても良い。また、コンデンサ成分
は、電極を対向させることで構成でき、その面積及び間
隔で容量を調整できる。
ス成分、コンデンサ成分を構成するが、インダクタンス
成分としては、ミアンダラインで構成することが好まし
いが、巻回状に構成しても良い。また、コンデンサ成分
は、電極を対向させることで構成でき、その面積及び間
隔で容量を調整できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例の一等価回路
図を図１に示す。この実施例の分波器は、インダクタン
ス成分Ｌ１とコンデンサ成分Ｃ１とを並列に接続したノ
ッチ回路１と、同じくインダクタンス成分Ｌ２とコンデ
ンサ成分Ｃ２とを並列に接続したノッチ回路２とから構
成されている。その２つのノッチ回路１、２の一端どう
しを接続して分波回路を構成している。これにより、Ｔ
１〜Ｔ２で特定の周波数ｆ１を通過させる時、ノッチ回
路２の挿入損失がその周波数ｆ１で最大となるように構
成し、Ｔ３に信号を出さないように構成し、逆にＴ１〜
Ｔ３で特定の周波数ｆ２を通過させる時、ノッチ回路１
の挿入損失がその周波数ｆ２で最大となるように構成
し、Ｔ２に信号を出さないように構成し、分波させるも
のである。
図を図１に示す。この実施例の分波器は、インダクタン
ス成分Ｌ１とコンデンサ成分Ｃ１とを並列に接続したノ
ッチ回路１と、同じくインダクタンス成分Ｌ２とコンデ
ンサ成分Ｃ２とを並列に接続したノッチ回路２とから構
成されている。その２つのノッチ回路１、２の一端どう
しを接続して分波回路を構成している。これにより、Ｔ
１〜Ｔ２で特定の周波数ｆ１を通過させる時、ノッチ回
路２の挿入損失がその周波数ｆ１で最大となるように構
成し、Ｔ３に信号を出さないように構成し、逆にＴ１〜
Ｔ３で特定の周波数ｆ２を通過させる時、ノッチ回路１
の挿入損失がその周波数ｆ２で最大となるように構成
し、Ｔ２に信号を出さないように構成し、分波させるも
のである。
【００１３】また本発明に係る実施例の他の等価回路図
を図２に示す。この実施例の分波器は、インダクタンス
成分Ｌ１とコンデンサ成分Ｃ１とを直列に接続したノッ
チ回路１と、同じくインダクタンス成分Ｌ２とコンデン
サ成分Ｃ２とを直列に接続したノッチ回路２とから構成
されている。その２つのノッチ回路１、２の一端どうし
を接続して分波回路を構成している。これにより、Ｔ１
〜Ｔ２で特定の周波数ｆ１を通過させる時、ノッチ回路
２の挿入損失がその周波数ｆ１で最大となるように構成
し、Ｔ３に信号を出さないように構成し、逆にＴ１〜Ｔ
３で特定の周波数ｆ２を通過させる時、ノッチ回路１の
挿入損失がその周波数ｆ２で最大となるように構成し、
Ｔ２に信号を出さないように構成し、分波させるもので
ある。
を図２に示す。この実施例の分波器は、インダクタンス
成分Ｌ１とコンデンサ成分Ｃ１とを直列に接続したノッ
チ回路１と、同じくインダクタンス成分Ｌ２とコンデン
サ成分Ｃ２とを直列に接続したノッチ回路２とから構成
されている。その２つのノッチ回路１、２の一端どうし
を接続して分波回路を構成している。これにより、Ｔ１
〜Ｔ２で特定の周波数ｆ１を通過させる時、ノッチ回路
２の挿入損失がその周波数ｆ１で最大となるように構成
し、Ｔ３に信号を出さないように構成し、逆にＴ１〜Ｔ
３で特定の周波数ｆ２を通過させる時、ノッチ回路１の
挿入損失がその周波数ｆ２で最大となるように構成し、
Ｔ２に信号を出さないように構成し、分波させるもので
ある。
【００１４】また本発明に係る一実施例の積層構造図を
図３に、斜視図を図４に示す。この実施例は、シート積
層法を用いて構成したチップ状の積層型分波器の実施例
である。まず、セラミックグリーンシートを用意する。
本実施例では、９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミ
ック誘電体材料を用いた。尚、誘電率は８である。この
セラミックグリーンシートを所定枚数積層して構成す
る。まず、下層に特にパターン電極の形成されていない
絶縁層（セラミックグリーンシート）１１を配置し、そ
の上にコンデンサ成分形成用のパターン電極が形成され
た絶縁層１２を積層する。この絶縁層１２上には、２つ
のコンデンサ成分形成用のパターン電極２１、２２が形
成され、それぞれのパターン電極２１、２２からは、端
面に引き出された引出電極２１ａ、２２ａを有してい
る。その上に積層される絶縁層１３上には、コンデンサ
成分形成用のパターン電極２３が形成され、そのパター
ン電極２３からは、端面に引き出された引出電極２３ａ
を有している。その上に積層される絶縁層１４上には、
インダクタンス成分を構成するパターン電極が構成され
ている。このパターン電極は、一端面に引き出された引
出電極３１ａから伸びたライン電極は２方向に分かれ、
インダクタンス成分用のライン電極３１ｂと３１ｃを構
成している。このライン電極３１ｂは端部にスルーホー
ルラウンド電極４２が形成され、もう一つのライン電極
３１ｃは他端に引き出され引出電極３１ｄが形成されて
いる。その上に積層されている絶縁層１５上には、一つ
のライン電極３１ｅが形成されている。このライン電極
３１ｅは、端面に引き出された引出電極３１ｆを有し、
他端部はスルーホール電極４１が形成されている。そし
て、その上に特にパターン電極の形成されていない絶縁
層１６が積層される。この積層体を約９００℃で一体焼
成し、側面に端子電極５１、６１、６２を形成して、積
層型分波器を構成した。このパターン電極及びライン電
極はＡｇペーストをスクリーン印刷して形成した。
図３に、斜視図を図４に示す。この実施例は、シート積
層法を用いて構成したチップ状の積層型分波器の実施例
である。まず、セラミックグリーンシートを用意する。
本実施例では、９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミ
ック誘電体材料を用いた。尚、誘電率は８である。この
セラミックグリーンシートを所定枚数積層して構成す
る。まず、下層に特にパターン電極の形成されていない
絶縁層（セラミックグリーンシート）１１を配置し、そ
の上にコンデンサ成分形成用のパターン電極が形成され
た絶縁層１２を積層する。この絶縁層１２上には、２つ
のコンデンサ成分形成用のパターン電極２１、２２が形
成され、それぞれのパターン電極２１、２２からは、端
面に引き出された引出電極２１ａ、２２ａを有してい
る。その上に積層される絶縁層１３上には、コンデンサ
成分形成用のパターン電極２３が形成され、そのパター
ン電極２３からは、端面に引き出された引出電極２３ａ
を有している。その上に積層される絶縁層１４上には、
インダクタンス成分を構成するパターン電極が構成され
ている。このパターン電極は、一端面に引き出された引
出電極３１ａから伸びたライン電極は２方向に分かれ、
インダクタンス成分用のライン電極３１ｂと３１ｃを構
成している。このライン電極３１ｂは端部にスルーホー
ルラウンド電極４２が形成され、もう一つのライン電極
３１ｃは他端に引き出され引出電極３１ｄが形成されて
いる。その上に積層されている絶縁層１５上には、一つ
のライン電極３１ｅが形成されている。このライン電極
３１ｅは、端面に引き出された引出電極３１ｆを有し、
他端部はスルーホール電極４１が形成されている。そし
て、その上に特にパターン電極の形成されていない絶縁
層１６が積層される。この積層体を約９００℃で一体焼
成し、側面に端子電極５１、６１、６２を形成して、積
層型分波器を構成した。このパターン電極及びライン電
極はＡｇペーストをスクリーン印刷して形成した。
【００１５】この実施例では、ライン電極３１ｅと３１
ｂは、スルーホール電極４１とスルーホールラウンド電
極４２で接続され、一つのインダクタンス成分を構成し
ている。また、ライン電極の一つの引出電極３１ａとコ
ンデンサ成分形成用のパターン電極２３の引出電極２３
ａとはその側面の同一場所に引き出され、側面に形成さ
れる端子電極５１で互いに導通される。また、一つのラ
イン電極３１ｅの引出電極３１ｆとコンデンサ成分形成
用のパターン電極２１の引出電極２１ａもその側面の同
一場所に引き出され、側面に形成される端子電極６２で
互いに導通される。さらに、一つのライン電極３１ｃの
引出電極３１ｄとコンデンサ成分形成用のパターン電極
２２の引出電極２２ａもその側面の同一場所に引き出さ
れ、側面に形成される端子電極６１で互いに導通され
る。
ｂは、スルーホール電極４１とスルーホールラウンド電
極４２で接続され、一つのインダクタンス成分を構成し
ている。また、ライン電極の一つの引出電極３１ａとコ
ンデンサ成分形成用のパターン電極２３の引出電極２３
ａとはその側面の同一場所に引き出され、側面に形成さ
れる端子電極５１で互いに導通される。また、一つのラ
イン電極３１ｅの引出電極３１ｆとコンデンサ成分形成
用のパターン電極２１の引出電極２１ａもその側面の同
一場所に引き出され、側面に形成される端子電極６２で
互いに導通される。さらに、一つのライン電極３１ｃの
引出電極３１ｄとコンデンサ成分形成用のパターン電極
２２の引出電極２２ａもその側面の同一場所に引き出さ
れ、側面に形成される端子電極６１で互いに導通され
る。
【００１６】この実施例により、図１に示す回路図の分
波器が構成されている。つまり、Ｃ１がパターン電極２
３と２２、Ｌ１がライン電極３１ｃ、Ｃ２がパターン電
極２３と２１、Ｌ２がライン電極３１ｂと３１ｅで形成
されている。
波器が構成されている。つまり、Ｃ１がパターン電極２
３と２２、Ｌ１がライン電極３１ｃ、Ｃ２がパターン電
極２３と２１、Ｌ２がライン電極３１ｂと３１ｅで形成
されている。
【００１７】このインダクタンス成分を形成するライン
電極は、ミアンダライン、スパイラルライン等適宜選択
出来、また１層上に形成しても良いし、２層以上に形成
しスルーホール等により接続して形成しても良い。コン
デンサ成分形成用の電極も２つの電極を対向させること
により形成すれば良いが、３つ以上の電極を対向させる
ようにして形成しても良い。また、絶縁層は、誘電率８
の材料に限定されるものではない。好ましい誘電率は、
５〜１５である。
電極は、ミアンダライン、スパイラルライン等適宜選択
出来、また１層上に形成しても良いし、２層以上に形成
しスルーホール等により接続して形成しても良い。コン
デンサ成分形成用の電極も２つの電極を対向させること
により形成すれば良いが、３つ以上の電極を対向させる
ようにして形成しても良い。また、絶縁層は、誘電率８
の材料に限定されるものではない。好ましい誘電率は、
５〜１５である。
【００１８】また本発明に係る別の実施例の積層構造図
を図５に示す。この実施例は、シート積層法を用いて構
成したチップ状の積層型分波器の実施例である。まず、
セラミックグリーンシートを用意する。本実施例では、
９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
を用いた。尚、誘電率は８である。このセラミックグリ
ーンシートを所定枚数積層して構成する。まず、下層に
特にパターン電極の形成されていない絶縁層（セラミッ
クグリーンシート）７１を配置し、その上にコンデンサ
成分形成用のパターン電極が形成された絶縁層７２を積
層する。この絶縁層７２上には、２つのコンデンサ成分
形成用のパターン電極８１、８２が形成され、それぞれ
のパターン電極８１、８２からは、端面に引き出された
引出電極８１ａ、８２ａを有している。その上に積層さ
れる絶縁層７３上には、コンデンサ成分形成用のパター
ン電極８３が形成され、そのパターン電極８３からは、
端面に引き出された引出電極８３ａを有している。その
上に積層される絶縁層７４上には、インダクタンス成分
を構成するパターン電極が構成されている。このパター
ン電極は、一端面に引き出された引出電極８４ａから伸
びたライン電極は２方向に分かれ、インダクタンス成分
用のライン電極８４ｂ、８４ｃを構成している。このラ
イン電極８４ｂ、８４ｃはそれぞれ端面に引き出され引
出電極８４ｄ、８４ｅが形成されている。そして、その
上に特にパターン電極の形成されていない絶縁層７５が
積層される。この積層体を約９００℃で一体焼成し、側
面に端子電極を形成して、積層型分波器を構成した。こ
のパターン電極及びライン電極はＡｇペーストをスクリ
ーン印刷して形成した。
を図５に示す。この実施例は、シート積層法を用いて構
成したチップ状の積層型分波器の実施例である。まず、
セラミックグリーンシートを用意する。本実施例では、
９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
を用いた。尚、誘電率は８である。このセラミックグリ
ーンシートを所定枚数積層して構成する。まず、下層に
特にパターン電極の形成されていない絶縁層（セラミッ
クグリーンシート）７１を配置し、その上にコンデンサ
成分形成用のパターン電極が形成された絶縁層７２を積
層する。この絶縁層７２上には、２つのコンデンサ成分
形成用のパターン電極８１、８２が形成され、それぞれ
のパターン電極８１、８２からは、端面に引き出された
引出電極８１ａ、８２ａを有している。その上に積層さ
れる絶縁層７３上には、コンデンサ成分形成用のパター
ン電極８３が形成され、そのパターン電極８３からは、
端面に引き出された引出電極８３ａを有している。その
上に積層される絶縁層７４上には、インダクタンス成分
を構成するパターン電極が構成されている。このパター
ン電極は、一端面に引き出された引出電極８４ａから伸
びたライン電極は２方向に分かれ、インダクタンス成分
用のライン電極８４ｂ、８４ｃを構成している。このラ
イン電極８４ｂ、８４ｃはそれぞれ端面に引き出され引
出電極８４ｄ、８４ｅが形成されている。そして、その
上に特にパターン電極の形成されていない絶縁層７５が
積層される。この積層体を約９００℃で一体焼成し、側
面に端子電極を形成して、積層型分波器を構成した。こ
のパターン電極及びライン電極はＡｇペーストをスクリ
ーン印刷して形成した。
【００１９】また本発明の分波器では、２つのノッチ回
路を主回路としているが、それぞれのノッチ回路に、ハ
イパスフィルタ回路又はローパスフィルタ回路を接続
し、分波特性の向上を計ることも考えられる。
路を主回路としているが、それぞれのノッチ回路に、ハ
イパスフィルタ回路又はローパスフィルタ回路を接続
し、分波特性の向上を計ることも考えられる。
【００２０】
【実施例】図３、４に示す積層型分波器であって、図１
に示す等価回路において、Ｃ１を１．６ｐＦ、Ｌ１を４
ｎＨとし、Ｃ２を３．２ｐＦ、Ｌ２を１０ｎＨとして分
波器を構成した。この実施例の挿入損失特性を図６に示
す。この分波器はｆ１を８６０ＭＨｚとし、ｆ２を１９
２０ＭＨｚとしている。この実施例は、ｆ１の周波数帯
が８２４〜８９４ＭＨｚ、ｆ２の周波数帯が１８５０〜
１９９０ＭＨｚのデュアルバンド携帯電話用のバンド波
に使用される。尚、この積層型分波器の外形寸法は、
４．５ｍｍ×３．２ｍｍで高さ１．７ｍｍといった非常
に小型に構成できた。図６に示すように、本発明の分波
器は、アッテネーションが１５ｄＢ以上で、それぞれの
周波数帯域への片方の周波数成分の廻り込みが小さく、
分波器として優れた特性を有している。
に示す等価回路において、Ｃ１を１．６ｐＦ、Ｌ１を４
ｎＨとし、Ｃ２を３．２ｐＦ、Ｌ２を１０ｎＨとして分
波器を構成した。この実施例の挿入損失特性を図６に示
す。この分波器はｆ１を８６０ＭＨｚとし、ｆ２を１９
２０ＭＨｚとしている。この実施例は、ｆ１の周波数帯
が８２４〜８９４ＭＨｚ、ｆ２の周波数帯が１８５０〜
１９９０ＭＨｚのデュアルバンド携帯電話用のバンド波
に使用される。尚、この積層型分波器の外形寸法は、
４．５ｍｍ×３．２ｍｍで高さ１．７ｍｍといった非常
に小型に構成できた。図６に示すように、本発明の分波
器は、アッテネーションが１５ｄＢ以上で、それぞれの
周波数帯域への片方の周波数成分の廻り込みが小さく、
分波器として優れた特性を有している。
【００２１】本発明によれば、積層構造により、分波器
を構成したので、非常に小型の分波器を構成することが
できた。しかも、ＬＣのノッチ回路を２つ組み合わせた
単純な回路構成であるので、積層構造も容易に構成出来
る。
を構成したので、非常に小型の分波器を構成することが
できた。しかも、ＬＣのノッチ回路を２つ組み合わせた
単純な回路構成であるので、積層構造も容易に構成出来
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、分波特性が良好で、小
型の分波器を構成することができる。これにより、例え
ば携帯電話など小型のマイクロ波製品において、機器全
体の小型化に、特性を犠牲にすることなく貢献出来る。
特に、デュアルバンド携帯電話機において有効なもので
ある。
型の分波器を構成することができる。これにより、例え
ば携帯電話など小型のマイクロ波製品において、機器全
体の小型化に、特性を犠牲にすることなく貢献出来る。
特に、デュアルバンド携帯電話機において有効なもので
ある。
【図１】本発明に係る実施例の一等価回路図である。
【図２】本発明に係る実施例の他の等価回路図である。
【図３】本発明に係る一実施例の積層構造図である。
【図４】本発明に係る一実施例の斜視図である。
【図５】本発明に係る別の実施例の積層構造図である。
【図６】本発明に係る実施例の挿入損失特性である。
【図７】従来例の回路図である。
【図８】従来例のブロック図である。
【図９】従来例のブロック図である。
【図１０】従来例の挿入損失特性である。
１１、１２、１３、１４、１５、１６、７１、７２、７
３、７４、７５ 絶縁層 ２１、２２、２３、８１、８２、８３ コンデンサ成分
形成用パターン電極 ３１ｂ、３１ｃ、３１ｅ、８４ｂ、８４ｃ ライン電極 ２１ａ、２２ａ、２３ａ、３１ａ、３１ｄ、３１ｆ、８
１ａ、８２ａ、８３ａ、８４ａ、８４ｄ、８４ｅ 引出
電極 ４１ スルーホール電極 ４２ スルーホールラウンド電極 ５１、６１、６２ 端子電極
３、７４、７５ 絶縁層 ２１、２２、２３、８１、８２、８３ コンデンサ成分
形成用パターン電極 ３１ｂ、３１ｃ、３１ｅ、８４ｂ、８４ｃ ライン電極 ２１ａ、２２ａ、２３ａ、３１ａ、３１ｄ、３１ｆ、８
１ａ、８２ａ、８３ａ、８４ａ、８４ｄ、８４ｅ 引出
電極 ４１ スルーホール電極 ４２ スルーホールラウンド電極 ５１、６１、６２ 端子電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年４月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】例えば、図７に示す従来の分波器の構成
で、ｆ１＝８２４〜８９４ＭＨｚ、ｆ２＝１８５０〜１
９９０ＭＨｚの分波器を構成した結果の挿入損失を図１
０に示す。この従来例では、アッテネーションが５〜１
０ｄＢであり、それぞれの周波数帯域への他方の周波数
成分の廻り込みが大きく、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２
において、挿入損失特性が良くなかった。
で、ｆ１＝８２４〜８９４ＭＨｚ、ｆ２＝１８５０〜１
９９０ＭＨｚの分波器を構成した結果の挿入損失を図１
０に示す。この従来例では、アッテネーションが５〜１
０ｄＢであり、それぞれの周波数帯域への他方の周波数
成分の廻り込みが大きく、それぞれの周波数ｆ１、ｆ２
において、挿入損失特性が良くなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】また本発明では、積層体内にインダクタン
ス成分、コンデンサ成分を構成するが、インダクタンス
成分としては、ミアンダラインで構成しても良いが、巻
回状に構成しても良い。また、コンデンサ成分は、電極
を対向させることで構成でき、その面積及び間隔で容量
を調整できる。
ス成分、コンデンサ成分を構成するが、インダクタンス
成分としては、ミアンダラインで構成しても良いが、巻
回状に構成しても良い。また、コンデンサ成分は、電極
を対向させることで構成でき、その面積及び間隔で容量
を調整できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁層を積層一体化して構成される積層
体であって、内部にパターン電極が形成されて、少なく
とも２個のインダクタンス成分及び２個のコンデンサ成
分が構成され、該インダクタンス成分とコンデンサ成分
とが接続されたノッチ回路が内部に少なくとも２個構成
された積層体から成り、該２個のノッチ回路の一端どお
しが接続されてなる分波回路が内部に構成されているこ
とを特徴とする積層型分波器。 - 【請求項２】 前記ノッチ回路が、インダクタンス成分
とコンデンサ成分との並列回路であることを特徴とする
請求項１記載の分波器。 - 【請求項３】 前記２個のノッチ回路の一端どうしを接
続した端部をアンテナ側に接続し、前記２個のノッチ回
路のそれぞれの他端を、二つの周波数帯の通信回路側の
それぞれに接続するように構成された請求項１記載の積
層型分波器を用いたデュアルバンド携帯電話端末機。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25072996A JPH09294042A (ja) | 1996-02-27 | 1996-09-20 | 積層型分波器 |
| EP97102780A EP0793289A1 (en) | 1996-02-27 | 1997-02-20 | Multilayered frequency separator |
| DE69734846T DE69734846T2 (de) | 1996-02-27 | 1997-02-20 | Frequenzweiche für Zweiband-Mobilfunkendgeräte |
| EP02022889A EP1291956B1 (en) | 1996-02-27 | 1997-02-20 | Frequency separator for use in dual-band mobile phone terminals |
| US08/805,048 US5880649A (en) | 1996-02-27 | 1997-02-24 | Multilayered frequency separator |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-40102 | 1996-02-27 | ||
| JP4010296 | 1996-02-27 | ||
| JP25072996A JPH09294042A (ja) | 1996-02-27 | 1996-09-20 | 積層型分波器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002229523A Division JP2003124771A (ja) | 1996-02-27 | 2002-08-07 | デュアルバンド携帯電話端末機用分波器。 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09294042A true JPH09294042A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=26379534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25072996A Pending JPH09294042A (ja) | 1996-02-27 | 1996-09-20 | 積層型分波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09294042A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| JP2008072738A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-03-27 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JPWO2006003959A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-07-31 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JP2017005710A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 国立大学法人電気通信大学 | マルチバンド増幅器およびデュアルバンド増幅器 |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP25072996A patent/JPH09294042A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049651A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Hitachi Metals Ltd | マルチバンド用高周波スイッチモジュール |
| US6633748B1 (en) | 1998-10-27 | 2003-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US7200365B2 (en) | 1998-10-27 | 2007-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
| US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| US6768898B2 (en) | 1998-11-20 | 2004-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
| JP2008072738A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-03-27 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JPWO2006003959A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-07-31 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JP2009124746A (ja) * | 2004-06-30 | 2009-06-04 | Hitachi Metals Ltd | 高周波部品及びマルチバンド通信装置 |
| JP2017005710A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 国立大学法人電気通信大学 | マルチバンド増幅器およびデュアルバンド増幅器 |
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