JPWO2012074100A1 - 高周波信号線路 - Google Patents

Abstract

信号線と重なる開口が設けられたグランド導体を備えた高周波信号線路において、不要輻射を低減することである。誘電体素体１２は、比誘電率ε１を有し、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する。信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている。グランド導体２４は、誘電体素体１２において信号線２０よりも第１の主面側に設けられ、かつ、信号線２０と対向し、信号線２０と重なる開口３０が設けられている。高誘電率層１５は、比誘電率ε１よりも高い比誘電率ε２を有し、かつ、第１の主面上において開口３０と重なるように設けられている。

Description

本発明は、高周波信号線路に関し、より特定的には、グランド導体及び信号線を有する高周波信号線路に関する。

信号線がグランド導体によって上下から挟まれてなるストリップライン構造を有する高周波信号線路では、以下に説明する理由により、信号線の高周波抵抗値を小さくするために、信号線の線幅を広くすることが行われる。より詳細には、高周波信号は、信号線を流れる際には、表皮効果により信号線の表面近傍に集中して流れる。また、高周波信号が信号線を流れると、電磁誘導により、グランド導体にも高周波信号と逆向きに高周波信号が流れる。このような高周波信号の高周波抵抗値は、信号線の表面積及びグランド導体において信号線が対向している部分の面積が大きくなって、信号線及びグランド導体における導体損が小さくなれば、小さくなる。したがって、高周波信号線路では、信号線の高周波抵抗値を小さくするために、信号線の線幅を広くすることが行われている。

しかしながら、信号線の線幅を広くすると、信号線とグランド導体とが対向する面積が大きくなり、信号線とグランド導体との間に発生する静電容量が大きくなる。そこで、高周波信号線路を所定のインピーダンスにするために、信号線とグランド導体との距離を大きくして、静電容量を小さくする。ところが、信号線とグランド導体との距離を大きくすると、高周波信号線路の厚みが大きくなり、高周波信号線路を湾曲して用いることが困難となる。

そこで、信号線とグランド導体とを対向させないことが考えられる。以下に、図面を参照しながらより詳細に説明する。図１８は、信号線５０２がグランド導体５０４から露出した高周波信号線路５００を積層方向から平面視した図である。

高周波信号線路５００は、図１８に示すように、信号線５０２及びグランド導体５０４，５０６を備えている。信号線５０２は、線状の導体である。グランド導体５０６は、信号線５０２よりも積層方向の下側に設けられ、誘電体層を介して信号線５０２と対向している。グランド導体５０４は、信号線よりも積層方向の上側に設けられ、開口を有している。信号線５０２は、積層方向の上側から平面視したときに、開口内に位置している。

図１８に示す高周波信号線路５００では、積層方向から平面視したときに信号線５０２とグランド導体５０４とが重なっていない。そのため、高周波信号線路５００において信号線５０２とグランド導体５０４との間に発生する静電容量は、信号線とグランド導体とが重なっている高周波信号線路において信号線とグランド導体との間に発生する静電容量よりも小さくなる。これにより、高周波信号線路５００では、信号線５０２とグランド導体５０４との距離を小さくすることが可能である。その結果、高周波信号線路５００では、高周波信号線路５００の厚みを小さくでき、高周波信号線路５００を湾曲して用いることが可能となる。

しかしながら、高周波信号線路５００は、信号線５０２からの不要輻射が発生するという問題を有する。信号線５０２は、グランド導体５０４と重なっていない。そのため、信号線５０２に流れる電流によって生じる電磁界は、グランド導体５０４に吸収されることなく、開口から高周波信号線路５００外へ輻射され、不要輻射が発生する。

前記問題を解決しうる高周波信号線路としては、例えば、特許文献１に記載のフレキシブル基板が知られている。図１９は、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００を積層方向から平面視した図である。

フレキシブル基板６００は、信号線路６０２及びグランド層６０４を備えている。信号線路６０２は、線状の導体である。グランド層６０４は、誘電体層を介して、信号線路６０２の積層方向の上側に積層されている。また、図示しないが、信号線路６０２の積層方向の下側にはグランド層が設けられている。そして、フレキシブル基板６００では、グランド層６０４には、複数の開口６０６が設けられている。開口６０６は、長方形状をなしており、信号線路６０２上において一列に並んでいる。これにより、信号線路６０２は、積層方向の上側から平面視したときに、一部においてグランド層６０４と重なるようになる。その結果、フレキシブル基板６００では、グランド導体６０４の開口していない部分と信号線路６０２が重なることにより、その部分においては信号線路６０２からの不要輻射が低減されている。

ところが、特許文献１に記載のフレキシブル基板６００においても、開口６０６を介して不要輻射が発生する。

特開２００７−１２３７４０号公報

そこで、本発明の目的は、信号線と重なる開口が設けられたグランド導体を備えた高周波信号線路において、不要輻射を低減することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、第１の比誘電率を有し、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する素体と、前記素体内に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第１のグランド導体であって、該信号線と重なる第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、前記第１の比誘電率よりも高い第２の比誘電率を有し、かつ、前記第１の主面上において前記第１の開口と重なるように設けられている第１の高誘電率層と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、信号線と重なる開口が設けられたグランド導体を備えた高周波信号線路において、不要輻射を低減することである。

本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 図７の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の一部を抜き出したときの等価回路図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 図１３の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。 第６の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第７の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 第８の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。 信号線がグランド導体から露出した高周波信号線路を積層方向から平面視した図である。 特許文献１に記載のフレキシブル基板を積層方向から平面視した図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、保護層１４、高誘電率層１５、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ３及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、２つの主面を有する板状の可撓性部材である。誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。誘電体素体１２を構成する誘電体シート１８は、液晶ポリマーからなり、３程度の比誘電率ε１を有している。なお、誘電体シート１８は、液晶ポリマーのほか、ポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成することができる。以下では、図４に示すように、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を表面（第１の主面）称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ，１８ｂの合計の厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｃの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの裏面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２４（第１のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりも第１の主面側（すなわち、ｚ軸方向の負方向側）に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、誘電体素体１２の第１の表面上に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ｃを介して信号線２０と対向している。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２４は、線路部２４ａ、端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。そして、線路部２４ａは、導体層が形成されていない複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図２及び図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。また、開口３０は、等間隔に並んでいる。

端子部２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、線路部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

グランド導体２２（第２のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の裏面に最も近い誘電体シート１８ａの裏面に設けられている。これにより、グランド導体２２は、誘電体素体１２の第２の表面上に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの裏面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号線２０と対向している。そして、グランド導体２２は、信号線２０を挟んでグランド導体２４と対向している。グランド導体２２の信号線２０と対向している部分には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの裏面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの裏面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向の両側から誘電体層１８ａ〜１８ｃを介してグランド導体２２，２４によって挟まれている。すなわち、信号線２０及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａ，１８ｂの合計の厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｃの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも大きくなるように設計されている。

以上のように、厚みＴ１を厚みＴ２よりも大きくすることで、グランド導体２２と信号線２０間に発生する静電容量が小さくなり、所定のインピーダンス（例えば５０Ω）とするための信号線２０の線幅を広くできる。これにより伝送ロスを小さくできるので、高周波信号線路の電気特性の向上が図れる。本実施形態では、グランド導体２２と信号線２０の間に発生する静電容量がインピーダンス設計の主であり、グランド導体２４は信号の輻射を小さくするためのグランド導体としてインピーダンス設計している。すなわち、グランド導体２２と信号線２０とで特性インピーダンスを高く設定（例えば７０Ω）し、グランド導体２４を付加することによって高周波信号線路の一部に低インピーダンスが低くなる領域（例えば３０Ω）を設けることにより、高周波信号線路全体のインピーダンスが所定のインピーダンス（例えば５０Ω）になるように設計している。

ビアホール導体ｂ１，ｂ３はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通することにより一本のビアホールを構成しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通することにより一本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの線路部１８ａ−ａ〜１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ〜１８ｃ−ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの裏面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの裏面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの裏面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの裏面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

高誘電率層１５は、誘電体素体１２の第１の主面上に設けられており、誘電体シート１８ｃの表面の略全面を覆っている。これにより、高誘電率層１５は、グランド導体２４を覆っており、開口３０と重なっている。高誘電率層１５は、例えば、ポリイミドに誘電体フィラーが混合された材料が用いられ、誘電体素体１２の比誘電率ε１よりも高い誘電率ε２を有している。高誘電率層１５の比誘電率ε２は、例えば、４である。なお、高誘電率層１５の比誘電率ε２は、高い方が望ましいが、高周波信号線路１０内において浮遊容量が形成されることを抑制するために、１０以下であることが望ましい。

また、高誘電率層１５は、図２に示すように、線路部１５ａ及び接続部１５ｂ，１５ｃにより構成されている。線路部１５ａは、線路部１８ｃ−ａの表面の略全面を覆うことにより、複数の開口３０を含む線路部２４ａを覆っている。

接続部１５ｂは、線路部１５ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ｃ−ｂの表面の略全面を覆っている。接続部１５ｃは、線路部１５ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ｃ−ｃの表面のほぼ全面を覆っている。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの裏面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を電気的及び物理的に接続している。

ここで、保護層１４は、図６に示すように、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、保護層１４とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。保護層１４は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置している。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の（ｘ軸方向に連続的に延在する）グランド導体２２が位置している。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート１８は、２０μｍ〜８０μｍの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの裏面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ３が形成される位置に対して、レーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、グランド導体２２、信号線２０及びグランド導体２４がストリップライン構造をなすように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ３を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ３は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。

次に、ポリイミドにフィラーが混合されたペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ｃの表面上に高誘電率層１５を形成する。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａの裏面上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、不要輻射を低減することができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、高誘電率層１５は、誘電体素体１２の比誘電率ε１よりも高い比誘電率ε２を有し、かつ、誘電体素体１２の第１の主面上においてグランド導体２４の開口３０と重なるように設けられている。これにより、以下に説明するように、高誘電率層１５と空気層との界面において、信号線２０から放射された電磁界が高周波信号線路１０内により多く反射されるようになる。

グランド導体２４上に誘電体素体と同じ材料からなる誘電体シートが積層されている比較例に係る高周波信号線路では、該誘電体シートと空気層との界面における比誘電率の差は、ε１−１である。一方、高周波信号線路１０では、高誘電率層１５と空気層との界面における比誘電率の差は、ε２−１である。比誘電率ε２は比誘電率ε１よりも大きいので、ε２−１はε１−１よりも大きい。ここで、界面における比誘電率の差が大きくなれば、界面において電磁界が反射する量は大きくなる。よって、高周波信号線路１０の界面において電磁界が反射する量は、比較例に係る高周波信号線路の界面において電磁界が反射する量よりも大きくなる。すなわち、高周波信号線路１０では、図４の電磁界Ｆ１に示すように、より多くの電磁界が高誘電率層１５と空気層との界面において高周波信号１０内に反射されるので、電磁界が不要輻射として高周波信号線路１０外に漏れることが抑制される。更に、高周波信号線路１０では、高誘電率層１５と誘電体シート１８ｃとの界面においても、図４の電磁界Ｆ２に示すように、高誘電率層１５と空気層との界面と同じ現象が発生している。よって、高周波信号線路１０では、不要輻射がより効果的に低減されている。

また、高周波信号線路１０によれば、グランド導体２４に複数の開口３０が設けられているので、高周波信号線路１０を容易に曲げることができる。

また、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、開口からフレキシブル基板の外部に電磁界が漏れるおそれがある。そのため、フレキシブル基板の周囲に誘電体や金属体等が設けられていると、フレキシブル基板の信号線と誘電体や金属体等との間で電磁界結合が発生する。その結果、フレキシブル基板の信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまうおそれがある。

一方、高周波信号線路１０では、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の裏面が、バッテリーパック２０６に対して接触している。すなわち、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、開口３０が設けられたグランド導体２４ではなく、実質的に開口が設けられていないグランド導体２２が設けられている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能である。高周波信号線路１０の特性インピーダンスＺは、√（Ｌ／Ｃ）で表される。Ｌは、高周波信号線路１０の単位長さ当たりのインダクタンス値である。Ｃは、高周波信号線路の単位長さ当たりの容量値である。高周波信号線路１０は、Ｚが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように設計される。

ここで、高周波信号線路１０を容易に曲げることができるようにするためには、高周波信号線路１０のｚ軸方向の厚み（以下、単に厚みと称す）を薄くすることが考えられる。ところが、高周波信号線路１０の厚みを薄くすると、信号線２０とグランド導体２２，２４との距離が小さくなり、容量値Ｃが大きくなってしまう。その結果、特性インピーダンスＺが所定の特性インピーダンスよりも小さくなってしまう。

そこで、信号線２０のｙ軸方向の線幅（以下、単に線幅と称す）を細くして、信号線２０のインダクタンス値Ｌを大きくすると共に、信号線２０とグランド導体２２，２４との対向面積を小さくして、容量値Ｃを小さくすることが考えられる。

しかしながら、細い線幅の信号線２０を精度良く形成することは困難である。

そこで、高周波信号線路１０では、開口３０がグランド導体２４に設けられている。これにより、信号線２０とグランド導体２４との対向面積が小さくなり、容量値Ｃが小さくなる。その結果、高周波信号線路１０において、特性インピーダンスＺを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、容易に曲げることができるようになる。

また、高周波信号線路１０によれば、グランド導体２４上には、高誘電率層１５が設けられている。これにより、グランド導体２４は、高周波信号線路１０において外部に露出しない。そのため、誘電体素体１２の表面に他の物品が配置されたとしても、グランド導体２４と他の物品とが直接に対向しないので、信号線２０の特性インピーダンスの変動が抑制される。

（第１の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図７は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの積層体１２の分解図である。図８は、図７の高周波信号線路１０ａをｚ軸方向から透視した図である。図９は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの一部を抜き出したときの等価回路図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路１０ａの構成について説明する。

グランド導体２４は、複数の開口３０と複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図８に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっており、信号線２０に関して線対称な形状をなしている。すなわち、信号線２０は、開口３０のｙ軸方向の中央を横切っている。

更に、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）における開口３０の中央を通過する直線Ａであって、信号線２０に直交する（すなわち、ｙ軸方向に延びる）直線Ａに関して、線対称な形状をなしている。以下により詳細に説明する。

ｘ軸方向における開口３０の中央を含む領域を領域Ａ１と定義する。また、ブリッジ部６０に対応する領域を領域Ａ２と定義する。また、領域Ａ１と領域Ａ２との間に位置する領域を領域Ａ３と称す。領域Ａ３は、領域Ａ１のｘ軸方向の両隣に位置しており、領域Ａ１と領域Ａ２のそれぞれに隣接している。領域Ａ２のｘ軸方向の長さ（つまりブリッジ部６０の長さ）は、例えば、２５〜２００μｍである。本実施形態では、領域Ａ２のｘ軸方向の長さは、１００μｍである。

直線Ａは、図８に示すように、ｘ軸方向における領域Ａ１の中央を通過している。そして、領域Ａ１における開口３０の信号線２０に直交する方向（ｙ軸方向）の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ２よりも広い。すなわち、開口３０は、ｘ軸方向における開口３０の中央付近において、開口３０のその他の部分よりも幅が広くなる形状であって、直線Ａに関して線対称な形状をなしている。そして、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域が領域Ａ１であり、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域が領域Ａ３である。よって、開口３０の領域Ａ１，Ａ３の境界には段差が存在している。幅Ｗ１は、例えば、５００〜１５００μｍである。本実施形態では、幅Ｗ１は、９００μｍである。また、幅Ｗ２は、例えば、２５０〜７５０μｍである。本実施形態では、幅Ｗ２は、４８０μｍである。

また、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、例えば、１〜５ｍｍである。本実施形態では、長さＧ１は、３ｍｍである。ここで、長さＧ１は、開口３０における最大幅である幅Ｗ１よりも長い。そして、長さＧ１は、幅Ｗ１よりも２倍以上であることが好ましい。

また、グランド導体２４において、隣り合う開口３０の間には、開口が設けられていない。より詳細には、隣り合う開口３０に挟まれている領域Ａ２内には、一様に導体層（ブリッジ部６０）が広がっており、開口が存在しない。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動する。より詳細には、開口３０は、領域Ａ１において幅Ｗ１を有しており、領域Ａ３において幅Ｗ１よりも小さな幅Ｗ２を有している。そのため、領域Ａ１における信号線２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ３における信号線２０とグランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ１における信号線２０に発生する磁界の強度が、領域Ａ３における信号線２０に発生する磁界の強度よりも大きくなり、領域Ａ１におけるインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域Ａ１においてはＬ性が支配的になる。

更に、領域Ａ２には、ブリッジ部６０が設けられている。そのため、領域Ａ３における信号線２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ２における信号線２０とグランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ２における信号線２０に発生する静電容量が、領域Ａ３における信号線２０に発生する静電容量よりも大きくなることに加えて、領域Ａ２における磁界強度が領域Ａ３における磁界強度より小さくなる。つまり、領域Ａ２においてはＣ性が支配的になる。

以上より、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１において、最大値Ｚ１となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置において、幅Ｗ１を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３において、中間値Ｚ３となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置において、幅Ｗ２を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２において、最小値Ｚ２となっている。

これにより、高周波信号線路１０は、図９に示す回路構成を有する。より詳細には、領域Ａ１では、信号線２０とグランド導体２４との間に殆ど静電容量が発生しないので、主に、信号線２０のインダクタンスＬ１によって特性インピーダンスＺ１が発生する。また、領域Ａ２では、信号線２０とグランド導体２４との間に大きな静電容量Ｃ３が発生しているので、主に、静電容量Ｃ３によって特性インピーダンスＺ２が発生する。また、領域Ａ３では、信号線２０とグランド導体２４との間に静電容量Ｃ３よりも小さな静電容量Ｃ２が発生しているので、信号線２０のインダクタンスＬ２及び静電容量Ｃ２によって特性インピーダンスＺ３が発生している。また、特性インピーダンスＺ３は、例えば、５５Ωである。特性インピーダンスＺ１は、特性インピーダンスＺ３よりも高く、例えば、７０Ωである。特性インピーダンスＺ２は、特性インピーダンスＺ３よりも低く、例えば、３０Ωである。また、高周波信号線路１０全体の特性インピーダンスは、５０Ωである。

高周波信号線路１０ａによれば、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動している。これにより、高周波信号線路１０ａの薄型化が実現できるとともに、薄型であるにもかかわらず、信号線２０の電極幅が広げられるので、信号線２０およびグランド導体２２、２４において高周波電流の流れる電極部分の表面積を拡大することができ、高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、図８に示すように、１周期（領域Ａ１と２つの領域Ａ２と領域Ａ３）の長さＡＬが１〜５ｍｍほどと短いので、より高周波域まで不要輻射の抑制と伝送損失の改善ができる。また、領域Ａ１の両端に領域Ａ３を置くことで信号線２０を流れる電流によって生じる強い磁界を領域Ａ２に直接伝えないため領域Ａ２のグランド電位が安定し、グランド導体２４のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制できる。その結果、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０とグランド導体２２、２４との距離を小さくしたとしても信号線２０の線幅を広くでき、特性インピーダンスを保ったまま伝送損失が小さく、不要輻射の小さい高周波信号線路１０ａの薄型化を図ることが可能となる。よって、高周波信号線路１０ａを容易に曲げることが可能となり、高周波信号線路１０ａを湾曲させて用いることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ａによれば、グランド導体２４におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１における開口３０の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０の幅Ｗ２よりも広い。これにより、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域Ａ２内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線２０の特性インピーダンスが、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、単位構造（領域Ａ１〜Ａ３）の境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。言い換えると、領域Ａ３によって、ブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制することができ、その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間の相互インダクタンス成分を小さくすることができ、グランド電位も安定化できる。ゆえに、薄型であって、グランド導体に比較的大きな開口３０を有しているにもかかわらず、不要輻射を低減できるとともに、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

また、ブリッジ部６０の延伸方向にビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３を配置することで、さらにブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制できる。特に、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１（すなわち、ブリッジ部６０間の長さ）は領域Ａ１における開口部の幅Ｗ１よりも長くすることで、開口３０の面積をできるだけ大きくして所定の特性インピーダンスを達成しつつも、不要輻射の発生を抑えることができる。

また、開口３０は、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）に周期的に配置される構造の単位構造をなしている。これにより、開口３０内における信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性を開口３０のｘ軸方向の長さにより決定することができる。すなわち、信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性は、開口３０の長さＧ１が短くなるほど、より高周波域まで拡大できる。開口３０の長さＧ１が長くなるほど領域Ａ１の幅Ｗ１を狭くし開口３０を細くすることができる。そのため、不要輻射を小さくし、伝送損失を小さくできるので、高周波信号線路１０ａのインピーダンス特性の広帯域化、安定化が図られる。

また、以下の理由によっても、高周波信号線路１０ａを湾曲して用いることが可能である。高周波信号線路１０では、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が最も大きくなっているので最も撓みやすい。一方、領域Ａ２は、開口３０が設けられていないので最も撓みにくい。そのため、高周波信号線路１０ａが曲げられて用いられる場合には、領域Ａ１が曲げられ、領域Ａ２が殆ど曲げられない。そこで、高周波信号線路１０ａでは、誘電体シート１８よりも変形しにくいビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は領域Ａ２に設けられている。これにより、領域Ａ１を容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０とグランド導体２２との距離Ｔ１の大きさ、及び、信号線２０とグランド導体２４との距離Ｔ２の大きさを調整することによっても、所定の特性インピーダンスを得ることができる。

また、高周波信号線路１０ａでは、以下に説明する理由により、信号線２０が延在している方向における開口３０の長さＧ１は、幅Ｗ１よりも長い。より詳細には、高周波信号線路１０における高周波信号の伝送モードは、ＴＥＭモードである。ＴＥＭモードでは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して、電界及び磁界が直交して形成される。すなわち、磁界は、信号線２０を中心に円を描くように発生し、電界は、信号線２０からグランド導体２２，２４に向かって放射状に発生する。ここで、グランド導体２２に開口３０が設けられると、磁界は、円形を描くので、開口３０においてわずかに半径が大きくなるように膨らむだけで、高周波信号線路１０ａ外へと大きく漏れない。一方、電界の一部が高周波信号線路１０ａ外へ放射する。したがって、高周波信号線路１０ａの不要輻射では、電界放射が大きな割合を示している。

ここで、電界は、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交しているので、開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ１が大きくなると、開口３０から放射される電界の量が多く（不要輻射が増加）なってしまう。一方で、幅Ｗ１は大きくするほど高周波伝送線路１０ａの特性インピーダンスが高くすることができるが、高周波伝送線路１０ａは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交する方向に信号線２０からその線幅のおよそ３倍離れた距離で電界がほぼなくなるため、それ以上幅Ｗ１を広げても特性インピーダンスをさらに高くすることができない。したがって、幅Ｗ１が大きくなるほど不要輻射が増加することを考慮すると、必要以上に幅Ｗ１を広げることは好ましくない。さらに、幅Ｗ１が高周波信号の波長の１／２近くに達するとスロットアンテナとして電磁波が輻射されてしまい、さらに不要輻射が増加してしまう。

一方、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、その長さが長くなるほど信号線２０のグランド導体２２との対向面積を減少させることができることから、信号線２０の線幅を広くすることが可能となる。これにより、信号線２０における高周波抵抗値を小さくすることができるという利点を有する。

また、長さＧ１が幅Ｗ１よりも大きい場合、グランド導体２２における反電流（渦電流）の高周波抵抗値が小さくなる。

以上から、長さＧ１は幅Ｗ１よりも長くすることが好ましく、好ましくは２倍以上とすることが好ましい。ただし、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１が高周波信号の波長の１／２に近くなると、スロットアンテナとして開口３０から電磁波が輻射されることから長さＧ１は、波長に対して十分に短い必要があることは考慮すべきである。

（第２の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１０は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｂと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ａの開口３０のｙ軸方向の幅は、図７に示すように、段階的及び不連続的に変化していた。これに対して、高周波信号線路１０ｂの開口３０のｙ軸方向の幅は、連続的に変化している。より詳細には、開口３０のｙ軸方向の幅は、ｘ軸方向において開口３０の中央から離れるにしたがって連続的に小さくなっている。これにより、信号線２０の磁界エネルギーおよび特性インピーダンスは、連続的に変化するようになる。

なお、高周波信号線路１０ｂでは、図１０に示すように、領域Ａ１は、直線Ａを中心として設けられており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１内において最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ２は、開口３０間に設けられており、ブリッジ部６０が設けられている領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２内において最小値Ｚ２となっている。また、領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３内において中間値Ｚ３となっている。

ここで、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含んでいればよく、領域Ａ３は、開口３０のｙ軸方向の幅がＷ２となっている部分を含んでいればよい。よって、本実施形態では、領域Ａ１と領域Ａ３との境界は、特に、明確に定まっているわけではない。そこで、領域Ａ１と領域Ａ３との境界としては、例えば、開口３０のｙ軸方向の幅が、（Ｗ１＋Ｗ２）／２となっている位置が挙げられる。

以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｂにおいても、高周波信号線路１０と同様に、湾曲して用いることができ、不要輻射を低減でき、更に、信号線２０内における伝送損失を抑制できる。

（第３の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１１は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ａとの相違点は、グランド導体４０，４２の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｃでは、誘電体シート１８ｂの表面上にグランド導体４０，４２が設けられている。グランド導体４０は、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４０は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３を介してグランド導体２２，２４に接続されている。また、グランド導体４２は、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４２は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３を介してグランド導体２２，２４に接続されている。

以上のような高周波信号線路１０ｃでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にもグランド導体４０，４２が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側へと不要輻射が漏れることが抑制される。

（第４の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１２は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状と開口４４ａ，４４ｂの形状とが異なっている点である。より詳細には、開口４４ａ，４４ｂは、開口３０がｙ軸方向の正方向側と負方向側とに２つに分断された形状をなしている。高周波信号線路１０ｄでは、開口４４ａ，４４ｂの間をｘ軸方向に延在する線状導体４６が設けられている。線状導体４６は、グランド導体２４の一部を構成しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。ただし、高周波信号線路１０ｄにおいて、線状導体４６の線幅は、図１２に示すように、信号線２０の線幅よりも細いものとした。そのため、信号線２０は、ｚ軸方向平面視で線状導体４６からはみ出している。よって、信号線２０は、開口４４ａ，４４ｂと重なっている。

以上のような高周波信号線路１０ｄでは、複数の開口４４ａが、信号線２０に沿って並ぶように設けられていると共に、複数の開口４４ｂが、信号線２０に沿って並ぶように設けられている。これにより、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ３における信号線２０の特性インピーダンスは、中間値Ｚ３となっている。また、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ２となっている。

（第５の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１３は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの積層体１２の分解図である。図１４は、図１３の高周波信号線路１０ｅをｚ軸方向から透視した図である。

高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第１の相違点は、ブリッジ部６０における信号線２０の線幅が、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置における信号線２０の線幅よりも細い点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第２の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）と信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置）との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第３の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。

まず、高周波信号線路１０ｅにおける領域Ａ１〜Ａ３の定義について図１４を参照しながら説明する。領域Ａ１は、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域である。領域Ａ２は、ブリッジ部６０に対応する領域である。領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域を含む領域である。

第１の相違点について説明する。図１３及び図１４に示すように、信号線２０の領域Ａ２における線幅は、線幅Ｗｂである。一方、信号線２０の領域Ａ１における信号線２０の線幅は、線幅Ｗｂよりも太い線幅Ｗａである。線幅Ｗａは、例えば、１００〜５００μｍである。本実施形態では、線幅Ｗａは、３５０μｍである。線幅Ｗｂは、例えば、２５〜２５０μｍである。本実施形態では、線幅Ｗｂは、１００μｍである。このように、領域Ａ２における信号線２０の線幅が、領域Ａ１における信号線２０の線幅よりも細くなることにより、信号線２０とブリッジ部６０とが重なる面積が小さくなる。その結果、信号線２０とブリッジ部６０との間に発生する浮遊容量が低減されるようになる。更に、開口３０と重なっている部分の信号線２０の線幅は、線幅Ｗａであるので、かかる部分の信号線２０のインダクタンス値の増加が抑制される。更に、信号線２０の全体の線幅が細くなっているのではなく、信号線２０の線幅が部分的に細くなっているので、信号線２０の抵抗値の増加が抑制される。

また、信号線２０は、線幅が変化する部分においてテーパー状をなしている。これにより、信号線２０の線幅が変化する部分における抵抗値の変動が緩やかになり、信号線２０の線幅が変化する部分において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

第２の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置と開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置との間においてテーパー状をなしている。すなわち、領域Ａ３のｘ軸方向の端部がテーパー状をなしている。これにより、グランド導体２４に流れる電流の損失が低減される。

第３の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている。これにより、ブリッジ部６０のｙ軸方向の両端がテーパー状をなすようになる。よって、ブリッジ部６０のｘ軸方向の線幅は、信号線２０と重なっている部分においてその他の部分よりも細くなる。その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間に発生する浮遊容量が低減される。また、ブリッジ部６０の全体の線幅が細くなっているのではなく、ブリッジ部６０の線幅が部分的に細くなっているので、ブリッジ部６０の抵抗値及びインダクタンス値の増加が抑制される。

（第６の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１５は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｆと高周波信号線路１０との相違点は、高周波信号線路１０ｆにおいてブリッジ部６０が設けられていない点である。すなわち、高周波信号線路１０ｆの開口３０は、ｘ軸方向に延在しているスリットである。以上のような高周波信号線路１０ｆであっても、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射が低減される。また、ブリッジ部６０が存在しないため、さらに容易に曲げることができる。

（第７の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１６は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｇと高周波信号線１０との相違点は、グランド導体２２に開口７０及びブリッジ部７２が設けられている点、及び、高誘電率層６４が設けられている点である。

高周波信号線路１０ｇにおいて、グランド導体２２は、グランド導体２４と同じ形状を有している。すなわち、グランド導体２２には、信号線２０と重なる複数の開口７０及びブリッジ部７２が信号線２０に沿って交互に並んでいる。

更に、高周波信号線路１０ｇでは、保護層１４の代わりに高誘電率層６４が設けられている。高誘電率層６４は、保護層１４と同じ形状を有しており、誘電体素体１２の比誘電率ε１よりも高い比誘電率ε３を有している。高誘電率層６４は、保護層１４と同じ形状を有しており、開口７０と重なるように設けられている。高誘電率層６４は、例えば、高誘電率層１５と同じ材料により構成されている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｇにおいても、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射が低減される。

（第８の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第８の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１７は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｈの積層体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｈと高周波信号線路１０との相違点は、誘電体シート１８ｄが誘電体シート１８ｃ上に積層されている点である。より詳細には、誘電体シート１８ｄは、誘電体シート１８ｃのｚ軸方向の負方向側に積層されている。そして、高誘電率層１５は、誘電体シート１８ｄのｚ軸方向の負方向側に積層されている。これにより、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃ，１８ｄに挟まれている。すなわち、グランド導体２４は、誘電体素体１２の第１の主面上に設けられていなくてもよい。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｈにおいても、高周波信号線路１０と同様に、不要輻射が低減される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｈに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅ，１０ｇ，１０ｈでは、複数の開口３０は、同じ形状を有している。しかしながら、複数の開口３０の一部の形状が、その他の複数の開口３０の形状と異なっていてもよい。例えば、複数の開口３０の内の所定の開口３０以外の開口３０のｘ軸方向における長さは、該所定の開口３０のｘ軸方向における長さよりも長くてもよい。これにより、所定の開口３０が設けられている領域において、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅ，１０ｇ，１０ｈを容易に曲げることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｈに示した構成を組み合わせてもよい。

また、高周波信号線路１０ａ〜１０ｅ，１０ｇ，１０ｈでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動していた。しかしながら、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ４、最小値Ｚ２の順に減少するように変動してもよい。すなわち、中間値Ｚ３と中間値Ｚ４とが異なっていてもよい。例えば、開口３０，４４ａ，４４ｂは直線Ａを介して線対称ではない形状であってもよい。ただし、中間値Ｚ４は、最小値Ｚ２よりも大きくかつ、最大値Ｚ１よりも小さい必要がある。

また、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、最小値Ｚ２の値は異なっていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０ａ〜１０ｆが全体として所定の特性インピーダンスに合わせられていれば全ての最小値Ｚ２の値が同じである必要はない。ただし、一方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ３よりも低い必要があり、他方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ４よりも低い必要がある。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、誘電体素体１２の第１の主面側（表面側）に設けられていてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路に有用であり、特に、不要輻射を低減できる点において優れている。

１０，１０ａ〜１０ｈ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１４ 保護層
１５，６４ 高誘電率層
１６ａ，１６ｂ 外部端子
１８ａ〜１８ｄ 誘電体シート
２０ 信号線
２２，２４，４０，４２ グランド導体
３０，７０ 開口
１００ａ，１００ｂ コネクタ
１０２ コネクタ本体
１０４，１０６ 外部端子
１０８ 中心導体
１１０ 外部導体
２００ 電子機器
２０２ａ，２０２ｂ 回路基板
２０４ａ，２０４ｂ レセプタクル
２０６ バッテリーパック

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、 第１の比誘電率を有し、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する素体と、前記素体内に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第１のグランド導体であって、該信号線と重なる第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、前記第１の比誘電率よりも高い第２の比誘電率を有し、かつ、前記第１の主面上において前記第１の開口と重なるように設けられている第１の高誘電率層と、を備えており、前記第１の開口の前記信号線が延在している第１の方向の長さは、該第１の開口の第１の方向に直交する第２の方向の幅の最大値よりも大きく、前記第１の開口は、前記第２の方向において、前記信号線の幅全体を含む領域を有していること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、第１の比誘電率を有し、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する素体と、前記素体内に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第１のグランド導体であって、該信号線と重なる第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、前記素体において前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体であって、該信号線に沿って連続的に延在するベタ状の第２のグランド導体と、前記第１の比誘電率よりも高い第２の比誘電率を有し、かつ、前記第１の主面上において前記第１の開口と重なるように設けられている第１の高誘電率層と、を備えており、前記第１のグランド導体は、前記第１の主面上に設けられており、前記第１の高誘電率層は、前記第１のグランド導体を覆っており、前記信号線は、前記第２のグランド導体よりも前記第１のグランド導体の近くに設けられており、前記第１の開口の前記信号線が延在している第１の方向の長さは、該第１の開口の第１の方向に直交する第２の方向の幅の最大値よりも大きく、前記第１の開口は、前記第２の方向において、前記信号線の幅全体を含む領域を有していること、を特徴とする。

（第７の変形例に係る高周波信号線路）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１６は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇの積層体１２の分解図である。なお、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｇは、比較例に係る高周波信号線路である。

Claims (6)

1. 第１の比誘電率を有し、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する素体と、
   前記素体内に設けられている線状の信号線と、
   前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、該信号線と対向している第１のグランド導体であって、該信号線と重なる第１の開口が設けられている第１のグランド導体と、
   前記第１の比誘電率よりも高い第２の比誘電率を有し、かつ、前記第１の主面上において前記第１の開口と重なるように設けられている第１の高誘電率層と、
   を備えていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記第１のグランド導体は、前記第１の主面上に設けられており、
   前記第１の高誘電率層は、前記第１のグランド導体を覆っていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記素体において前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向している第２のグランド導体を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
4. 前記第２のグランド導体には、前記信号線と重なる第２の開口が設けられており、
   前記高周波信号線路は、
   前記第１の比誘電率よりも高い第３の比誘電率を有し、かつ、前記第２の主面上において前記第２の開口と重なるように設けられている第２の高誘電率層を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号線路。
5. 前記素体は、複数の絶縁体層が積層されて構成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
6. 前記素体は、可撓性を有していること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。

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