JP5704144B2 - 高周波信号線路及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路及びその製造方法に関する。

従来の高周波信号線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。該信号線路は、積層体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。積層体は、複数の絶縁シートが積層されて構成されている。信号線は、積層体内に設けられている。２つのグランド導体は、積層体内において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。

更に、グランド導体には、積層方向から平面視したときに、信号線と重なる複数の開口が設けられている。これにより、複数の開口が設けられている位置においては信号線とグランド導体との間に容量が形成されにくくなる。よって、信号線の特性インピーダンスを小さくしすぎることなく、信号線とグランド導体との積層方向における距離を小さくすることが可能となる。その結果、高周波信号線路の薄型化を図ることが可能となる。以上のような高周波信号線路は、例えば２つの回路基板間の接続等に用いられる。

ところで、特許文献１に記載の信号線路では、挿入損失を低減しようとすると、以下の理由により、製造時に絶縁シートが損傷するおそれがある。より詳細には信号線路において挿入損失を低減するためには、信号線の厚みを大きくして、信号線の断面積を大きくすればよい。

しかしながら、信号線の厚みが大きくなれば、平面状の導体層を信号線に加工するためのエッチング工程に必要な時間も長くなる。エッチング工程は、導体層が全面に形成された絶縁シートがローラから送り出されて、エッチング液が導体層に吹き付けられることによって行われる。そして、エッチング工程の後には、絶縁シートの搬送が行われながら、絶縁シートの圧着工程が行われる。そのため、エッチング工程の処理速度が低下すると、エッチング工程後の圧着工程の処理速度もエッチング工程の処理速度に合わせて低下させなくてはならない。すなわち、信号線路の製造に要する時間が長くなってしまう。

そこで、エッチング工程の処理速度を向上させるために、より強い酸性を有するエッチング液を使用することが考えられる。ところが、より強い酸性を有するエッチング液では、絶縁シートが損傷してしまうおそれがある。

国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット

そこで、本発明の目的は、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる高周波信号線路及びその製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号線路は、複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記複数の誘電体層間に挟まれて設けられている針金状の信号線と、前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、を備えており、前記信号線は、該信号線を挟む前記複数の誘電体層に対して滑るように設けられていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る高周波信号線路の製造方法は、第１の誘電体層に第１のグランド導体を形成する工程と、第２の誘電体層を準備する工程と、前記第１のグランド導体に積層方向において重なるように針金状の信号線が位置するように、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層を積層及び圧着する工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図１のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号線路のコネクタの断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 マザーシートに基準グランド導体及び補助グランド導体を形成する工程の説明図である。 マザーシート、信号線及びマザーシートの斜視図である。 マザーシートを圧着する工程の説明図である。 マザーシートを圧着する工程におけるビアホール導体及び信号線の断面構造図である。 マザーシートを圧着する工程におけるビアホール導体及び信号線の断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 高周波信号線路の製造時の斜視図である。 高周波信号線路の製造時の斜視図である。 高周波信号線路の製造時の斜視図である。 高周波信号線路の製造時の斜視図である。 その他の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図４は、図１のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフラットケーブルである。高周波信号線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ〜１６ｄ、信号線２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ，１８ｂ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａ，１８ｂは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ，１８ｂは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図３及び図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しい。誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層後において、厚さＴ１，Ｔ２は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１００μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている針金状の導体である。針金状の導体は、いわゆる同軸ケーブルの芯線のような線状部材である。針金状の導体の断面形状は、一定の曲率を有している。本実施形態では、信号線２０は、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間に設けられており、ｘ軸方向に延在している。また、信号線２０の断面形状は、図３及び図４に示すように円形である。

信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂと接続部１８ｂ−ｂとの間から外部に露出している。信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃと接続部１８ｂ−ｃとの間から外部に露出している。信号線２０は、銅等の比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、信号線２０は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに挟まれており、誘電体シート１８ａ，１８ｂ上に形成されていない。よって、信号線２０は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに強く固着していない。強く固着していないとは、高周波信号線路１０が曲げられたときに、信号線２０と誘電体シート１８ａ，１８ｂとの間で滑りが発生する程度に信号線２０と誘電体シート１８ａ，１８ｂとが接触していることを意味する。

基準グランド導体２２は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、図３及び図４に示すように、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成され、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。補助グランド導体２４には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、図３及び図４に示すように、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｂ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、線路部１８ｂ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｂ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｃは、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの裏面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｄは、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの裏面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。

外部端子１６ａ〜１６ｄは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。同様に、外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ｃ，１６ｄが形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ｃ，１６ｄが形成されていることを指す。また、外部端子１６ｃ，１６ｄの裏面には平滑化が施されるので、外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

以上のように、信号線２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。また、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、１００μｍである。

ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成された貫通孔内にすず及び銀を主成分とする金属材料が充填されることによって形成されている。

ビアホール導体ｂ３は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｃと信号線２０とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、図２に示すように、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｄと信号線２０とを接続している。ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、誘電体シート１８ｂに形成された貫通孔内にすず及び銀を主成分とする金属材料が充填されることによって形成されている。

複数のビアホール導体Ｂ１は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内にすず及び銀を主成分とする金属材料が充填されることによって形成されている。

複数のビアホール導体Ｂ３は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２及び図３に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内にすず及び銀を主成分とする金属材料が充填されることによって形成されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、誘電体シート１８ｂの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図６は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図５及び図６に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図５及び図６に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図７は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図８は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図９は、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４を形成する工程の説明図である。図１０は、マザーシート１１８ａ、信号線２０及びマザーシート１１８ｂの斜視図である。図１１は、マザーシート１１８ａ，１１８ｂを圧着する工程の説明図である。図１２及び図１３は、マザーシート１１８ａ，１１８ｂを圧着する工程におけるビアホール導体ｂ１，ｂ３及び信号線２０の断面構造図である。

まず、一方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなるマザーシート１１８ａ，１１８ｂを準備する。マザーシート１１８ａ，１１８ｂとは、誘電体シート１８ａ，１８ｂにカットされる前の大判のシートである。マザーシート１１８ａ，１１８ｂの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、以下に説明するフォトリソグラフィ工程により、図２及び図１０に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２をマザーシート１１８ａの表面に形成する。

まず、マザーシート１１８ａにレジストパターンを形成する。マザーシート１１８ａは、図９に示すように、供給ローラ３００に巻かれたロール状をなしている。そして、マザーシート１１８ａは、供給ローラ３００により送り出されながら、巻き取りローラ３０２により巻き取られる。供給ローラ３００と巻き取りローラ３０２との間には、搬送ローラ３０４、印刷装置３０８及び搬送ローラ３０６がこの順に並ぶように配置されている。搬送ローラ３０４，３０６は、マザーシート１１８ａを搬送する。印刷装置３０８は、マザーシート１１８ａの銅箔上に、図１０に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。図１０に示すように、基準グランド導体２２は、マザーシート１１８ａにマトリクス状に配置された状態で形成されるので、レジストも、基準グランド導体２２と同様に、マザーシート１１８ａにマトリクス状に配置された状態で形成される。これにより、レジストが印刷されたマザーシート１１８ａは、巻き取りローラ３０２に巻き取られてロール状をなすようになる。

次に、マザーシート１１８ａの銅箔にエッチング処理を施す。巻き取りローラ３０２に巻き取られたマザーシート１１８ａを、図９に示すように、供給ローラ３１０として用いる。そして、供給ローラ３１０に巻かれたマザーシート１１８ａであって、銅箔（導体膜）が形成されたマザーシート１１８ａを巻き取りローラ３１２によって巻き取りながら、供給ローラ３１０と巻き取りローラ３１２との間で銅箔にパターニングを施すことによって、図１０に示すように外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２をマザーシート１１８ａに形成する。

具体的には、マザーシート１１８ａは、供給ローラ３１０により送り出されながら、巻き取りローラ３１２により巻き取られる。供給ローラ３１０と巻き取りローラ３１２との間には、搬送ローラ３１４、エッチング装置３１７及び搬送ローラ３１６がこの順に並ぶように配置されている。搬送ローラ３１４，３１６は、マザーシート１１８ａを搬送する。エッチング装置３１７は、銅箔に対してエッチング処理液を吹き付け、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去した後、レジスト除去液を吹き付けて、レジストを除去する。これにより、図１０に示すように、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２がマザーシート１１８ａの表面に形成される。外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が形成されたマザーシート１１８ａは、巻き取りローラ３１２に巻き取られてロール状をなすようになる。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２及び図１０に示す外部端子１６ｃ，１６ｄ及び補助グランド導体２４をマザーシート１１８ｂの裏面に形成する。外部端子１６ｃ，１６ｄ及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、巻き取りローラ３１２に巻き取られたマザーシート１１８ａ，１１８ｂを送り出しながら、マザーシート１１８ａ，１１８ｂのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置に対して、レーザービームを照射して、貫通孔を形成する。この際、マザーシート１１８ａには裏面側からレーザービームを照射する。これにより、マザーシート１１８ａに形成された貫通孔は、ｚ軸方向の負方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなすようになる。なお、パンチによって貫通孔を形成してもよい。マザーシート１１８ｂには表面側からレーザービームを照射する。これにより、マザーシート１１８ｂに形成された貫通孔は、ｚ軸方向の正方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなすようになる。なお、パンチによって貫通孔を形成してもよい。更に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに形成した貫通孔に対して、バインダを含む溶剤中にすず粉末及び銀粉末を含む金属粉末を分散させた導電性ペーストを充填する。これにより、図１２に示すように、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ３（ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３は図示せず）は、ｚ軸方向の負方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなしている。そして、ビアホール導体ｂ１，ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部の直径は、信号線２０の直径よりも大きくなる。また、図１２に示すように、ビアホール導体ｂ３，ｂ４，Ｂ２，Ｂ４（ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４は図示せず）は、ｚ軸方向の正方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなしている。そして、ビアホール導体ｂ３，ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部の直径は、信号線２０の直径よりも大きくなる。そして、マザーシート１１８ａ，１１８ｂをそれぞれ巻き取りローラ３１９，３２２に巻き取る。

次に、図１１に示すように、巻き取りローラ３１９，３２２からマザーシート１１８ａ，１１８ｂを送り出し、巻き取りローラ３２０から信号線２０を送り出す。信号線２０は、例えば銅を細長く引き延ばして針金状（線状）にしたものである。この際、マザーシート１１８ａとマザーシート１１８ｂとの間に信号線２０が位置するように、これらを重ねる。更に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂを圧着ローラ３２４によって圧着する。この際、圧着ローラ３２４は、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに対して加熱処理も行う。これにより、マザーシート１１８ａ，１１８ｂを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを溶融・固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。この際、図１３に示すように、信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４との界面には、すず及び銅を含む合金相４００が形成されている。すなわち、針金状の信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４とは、信号線２０を構成する金属とビアホール導体ｂ１〜ｂ４を構成する金属との合金相を介して接続される。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、マザーシート１１８ａの表面及びマザーシート１１８ｂの裏面のそれぞれに保護層１４，１５を形成する。更に、マザーシート１１８ａの表面上にコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。

最後に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに打ち抜き加工を施すことによって、図１に示す高周波信号線路１０を得る。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、挿入損失を低減しつつ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０及びその製造方法では、針金状の信号線２０を誘電体シート１８ａ，１８ｂにより挟んでいる。これにより、誘電体シート１８ａ，１８ｂに信号線２０をエッチング工程により形成する必要がない。よって、挿入損失の低減のために信号線２０の直径（厚みや幅）を大きくしても、より強い酸性を有するエッチング液を用いる必要がない。その結果、信号線２０の形成工程において、誘電体シート１８ａ，１８ｂに損傷が発生することが抑制される。

また、高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路では、信号線は、平面導体として絶縁シート上に形成されている。そのため、信号線は、絶縁シートに固着している。また、信号線は絶縁シートに比べて伸び縮みしにくい。そのため、信号線路を曲げたときに、外周側に位置する絶縁シートに信号線が形成されている場合には、外周側に位置する絶縁シートが信号線によって伸びることが妨げられる。一方、信号線路を曲げたときに、内周側に位置する絶縁シートに信号線が形成されている場合には、内周側に位置する絶縁シートが信号線によって縮むことが妨げられる。その結果、特許文献１に記載の信号線路では、信号線路を曲げることが困難となってしまう。

一方、高周波信号線路１０及びその製造方法では、針金状の信号線２０を誘電体シート１８ａ，１８ｂにより挟んでいる。よって、信号線２０は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに強く固着していない。そのため、高周波信号線路１０が曲げられたときに、信号線２０と誘電体シート１８ａ，１８ｂとの間で滑りが発生する。したがって、高周波信号線路１０が曲げられた際に、誘電体シート１８ａ，１８ｂが信号線２０によって伸び縮みすることが妨げられにくい。その結果、高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０では、信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４との界面には、すず及び銅を含む合金相４００が形成されている。そのため、信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４とは、物理的に接触しているだけではなく、一体化されている。これにより、信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４との接続部分における抵抗値が低減される。その結果、高周波信号線路１０の挿入損失が低減される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１４は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。図１５は、高周波信号線路１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号線路１０ａは、補助グランド導体２４の構造、外部端子１６ｃ，１６ｄの有無及びビアホール導体ｂ３，ｂ４の有無において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、補助グランド導体２４の接続部２４ｂ，２４ｃは、ベタ状の四角形をなしている。そのため、図１４及び図１５に示すように、外部端子１６ｃ，１６ｄ及びビアホール導体ｂ３，ｂ４は設けられていない。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失を低減しつつ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。

また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ａを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。

また、高周波信号線路１０ａでは、接続部２４ｂ，２４ｃがベタ状をなしているので、信号線２０から外部に不要輻射が放射されることが抑制される。また、信号線２０が電子機器の金属筐体等と電磁界結合することが抑制されるので、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１６は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図１７は、図１のＢ−Ｂにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ｂの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号線路１０ｂは、補助グランド導体２４に開口３０が設けられている点において、高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、補助グランド導体２４の線路部２４ａには、図１６に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、線路部２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。

また、図１７に示すように、補助グランド導体２４と信号線２０とのｚ軸方向における距離は、基準グランド導体２２と信号線２０とのｚ軸方向における距離よりも小さい。具体的には、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図１７に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。一方、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図１７に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｂでは、信号線２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線２０において開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。

一方、信号線２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、信号線２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、高周波信号線路１０ｂ全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失を低減しつつ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。

また、高周波信号線路１０ｂによれば、複数の開口３０を有しており、その部分は導体が形成されていないことから高周波信号線路１０と比較して高周波信号線路１０ｂをさらに容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｂでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。

また、高周波信号線路１０ｂによれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０ｂでは、区間Ａ１において、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、高周波信号線路１０ｂの特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０ｂの特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０ｂがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、高周波信号線路１０ｂの特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０ｂは、信号線２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０ｂがバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、高周波信号線路１０ｂの特性インピーダンスが低下することが抑制される。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１８は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。図１９は、高周波信号線路１０ｃのＢ−Ｂにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号線路１０ｃは、グランド導体４０，４２が設けられている点において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、グランド導体４０は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａの表面に設けられ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側においてｘ軸方向に延在している。また、グランド導体４０には、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が接続されている。これにより、グランド導体４０は接地電位に保たれている。

グランド導体４２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａの表面に設けられ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側においてｘ軸方向に延在している。また、グランド導体４２には、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が接続されている。これにより、グランド導体４２は接地電位に保たれている。

以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体４０とグランド導体４２とにｙ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０とグランド導体４０，４２は、コプレナー構造をなしている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失を低減しつつ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。

また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｃを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｃでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。

また、高周波信号線路１０ｃでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にグランド導体４０，４２が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側に不要輻射が放射されることが抑制される。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図２０は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。図２１は、高周波信号線路１０ｄのＢ−Ｂにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ｄの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号線路１０ｄは、グランド線４４，４６が設けられている点において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、グランド線４４は、図２０に示すように、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側においてｘ軸方向に延在している針金状の導体である。また、グランド線４４には、図２１に示すように、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が接続されている。これにより、グランド線４４は接地電位に保たれている。

グランド線４６は、図２０に示すように、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側においてｘ軸方向に延在している針金状の導体である。また、グランド線４６には、図２１に示すように、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が接続されている。これにより、グランド線４６は接地電位に保たれている。また、グランド線４４，４６の断面形状は円形である。

以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド線４４とグランド線４６とにｙ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０とグランド線４４，４６は、コプレナー構造をなしている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失を低減しつつ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。

また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｄを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｄでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。

また、高周波信号線路１０ｄでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にグランド線４４，４６が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側に不要輻射が放射されることが抑制される。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係る高周波信号線路１０の製造方法の変形例について図面を参照しながら説明する。図２２ないし図２５は、高周波信号線路１０の製造時の斜視図である。

まず、一方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなるマザーシート１１８ａ，１１８ｂを準備する。マザーシート１１８ａ，１１８ｂとは、誘電体シート１８ａ，１８ｂにカットされる前の大判のシートである。マザーシート１１８ａ，１１８ｂの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２をマザーシート１１８ａの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２３に示す外部端子１６ｃ，１６ｄ及び補助グランド導体２４をマザーシート１１８ｂの裏面に形成する。なお、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに外部端子１６ａ〜１６ｄ、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４を形成する工程は、一般的な工程であるのでこれ以上の説明を省略する。なお、本実施形態では、マザーシート１１８ａ，１１８ｂをローラに巻き取らない。

次に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置に対して、レーザービームを照射して、貫通孔を形成する。この際、マザーシート１１８ａには裏面側からレーザービームを照射する。これにより、マザーシート１１８ａに形成された貫通孔は、ｚ軸方向の負方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなすようになる。マザーシート１１８ｂには表面側からレーザービームを照射する。これにより、マザーシート１１８ｂに形成された貫通孔は、ｚ軸方向の正方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなすようになる。なお、パンチによって貫通孔を形成してもよい。更に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに形成した貫通孔に対して、バインダを含む溶剤中にすず粉末及び銀粉末を含む金属粉末を分散させた導電性ペーストを充填する。これにより、図１２に示すように、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ３（ビアホール導体Ｂ１，Ｂ３は図示せず）は、ｚ軸方向の負方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなしている。そして、ビアホール導体ｂ１，ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部の直径は、信号線２０の直径よりも大きくなる。また、図１２に示すように、ビアホール導体ｂ３，ｂ４，Ｂ２，Ｂ４（ビアホール導体Ｂ２，Ｂ４は図示せず）は、ｚ軸方向の正方向側に行くにしたがって直径が大きくなる円錐台状をなしている。そして、ビアホール導体ｂ３，ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部の直径は、信号線２０の直径よりも大きくなる。

次に、図２４に示すように、マザーシート１１８ｂ上の各補助グランド導体２４上に信号線２０をセットする。なお、ｘ軸方向に隣り合う補助グランド導体２４に対して１本の信号線２０がセットされてもよい。

次に、図２５に示すように、マザーシート１１８ａをマザーシート１１８ｂ及び信号線２０上にセットし、圧着する。この際、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに対して加熱処理も行う。これにより、マザーシート１１８ａ，１１８ｂを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを溶融・固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。この際、図１３に示すように、信号線２０とビアホール導体ｂ１〜ｂ４の界面には、すず、銀及び銅からなる合金相４００が形成されている。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、マザーシート１１８ａの表面及びマザーシート１１８ｂの裏面のそれぞれに保護層１４，１５を形成する。更に、マザーシート１１８ａの表面上にコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。

最後に、マザーシート１１８ａ，１１８ｂに打ち抜き加工を施すことによって、図１に示す高周波信号線路１０を得る。

以上のような高周波信号線路１０の製造方法によれば、マザーシート１１８ａ，１１８ｂ及び信号線２０がローラに巻きつけられない。そのため、高周波信号線路１０の製造時に信号線２０が引っ張られることがない。その結果、高周波信号線路１０において、信号線２０に断線が発生することが抑制される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路及びその製造方法は、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。図２６は、その他の実施形態に係る高周波信号線路１０ｅの断面構造図である。図２６に示すように、信号線２０の断面形状は、誘電体素体１２のｙ軸方向の径がｘ軸方向の径よりも小さい楕円形状であってもよい。

保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっきにより導体を形成した層間接続部である。

また、信号線２０及びグランド線４４，４６の断面は、円形であるとしたが、正方形形状又は長方形形状であってもよいし、多角形状であってもよい。また、信号線２０及びグランド線４４，４６の断面は、楕円形状であってもよい。

また、線路部１２ａのｙ軸方向の幅は均一であるが、線路部１２ａの一部にｙ軸方向の幅が小さい領域が設けられていてもよいし、線路部１２ａの一部にｙ軸方向の幅が大きい領域が設けられていてもよい。これにより、線路部１２ａにおいて、曲げやすい部分や曲げにくい部分を形成することができる。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、高周波信号線路１０の表面に実装されているが、高周波信号線路１０の裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが高周波信号線路１０の表面に実装され、コネクタ１００ｂが高周波信号線路１０の裏面に実装されてもよい。

また、高周波信号線路１０では、１本の信号線２０が設けられているが、複数の信号線２０が設けられていてもよい。２本の信号線２０が設けられている場合には、差動伝送線路を構成することが可能である。

なお、合金相４００は、すず及び銅を含むものとしたが、必ずしもこれらの合金である必要はない。例えば、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４が銀からなる場合には、合金相４００は、銀と銅との合金である。また、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４がすずからなる場合には、合金相４００は、すずと銅との合金である。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｅの構成を組み合わせてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に有用であり、特に、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる点において優れている。

ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ４ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｅ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１６ａ〜１６ｄ 外部端子
１８ａ，１８ｂ 誘電体シート
２０ 信号線
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
４０，４２ グランド導体
４４，４６ グランド線

Claims (6)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
   前記複数の誘電体層間に挟まれて設けられている針金状の信号線と、
   前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記信号線は、該信号線を挟む前記複数の誘電体層に対して滑るように設けられていること、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体をさらに備えていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第１のグランド導体及び／または前記第２のグランド導体は、前記誘電体層上に形成された導体層により構成されていること、
   を特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
4. 前記誘電体素体の表面に設けられている外部端子と、
   前記誘電体層を積層方向に貫通することによって、前記外部端子と前記信号線とを接続するビアホール導体と、
   を更に備えており、
   前記ビアホール導体と前記信号線との界面には、合金相が形成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 第１の誘電体層に第１のグランド導体を形成する工程と、
   第２の誘電体層を準備する工程と、
   前記第１のグランド導体に積層方向において重なるように針金状の信号線が位置するように、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層を積層及び圧着する工程と、
   を備えていること、
   を特徴とする高周波信号線路の製造方法。
6. 第２の誘電体層に第２のグランド導体を形成する工程を、
   更に備えており、
   前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを積層及び圧着する工程では、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体との間に針金状の信号線が位置するように、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層を積層及び圧着すること、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波信号線路の製造方法。

Images