JP6146522B2 - 高周波信号伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。

従来の高周波信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。該高周波信号線路は、誘電体素体、信号線、２つのグランド導体及びビアホール導体を備えている。誘電体素体は、複数の誘電体シートが積層されて構成されている。信号線は、誘電体素体内に設けられている。２つのグランド導体は、誘電体素体において積層方向から信号線を挟んでいる。ビアホール導体は、誘電体シートを積層方向に貫通しており、２つのグランド導体を接続している。２つのビアホール導体が、誘電体素体において信号線を挟むように誘電体素体の幅方向に並ぶように配置されている。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。

更に、グランド導体には、積層方向から平面視したときに、信号線と重なる複数の開口が設けられている。これにより、信号線とグランド導体との間に容量が形成されにくくなる。よって、信号線とグランド導体との積層方向における距離を小さくすることが可能となり、高周波信号線路の薄型化を図ることが可能となる。以上のような高周波信号線路は、２つの回路基板の接続に用いられる。

ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路では、以下に説明するように、誘電体素体の幅を小さくすることが困難である。より詳細には、特許文献１に記載の高周波信号線路において、誘電体素体の幅を小さくするためには、例えば、ビアホール導体の直径を小さくすることが挙げられる。しかしながら、ビアホール導体の直径の最小値は、ビアホール導体の製造工程の精度によって制約を受ける。そのため、ビアホール導体の直径を小さくすることによって誘電体素体の幅を小さくすることについては限界がある。

また、誘電体素体の幅を小さくするためには、例えば、信号線の幅を小さくすることが挙げられる。しかしながら、信号線の幅を小さくした場合には、信号線の抵抗値が大きくなり、高周波信号線路の挿入損失が大きくなってしまう。

国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット

そこで、本発明の目的は、誘電体素体の幅を小さくすることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなり、所定方向に延在している誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記所定方向に延在している信号線路と、前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する層間接続導体であって、前記誘電体素体において、前記所定方向及び積層方向に直交する幅方向の中心よりも一方側に設けられている第１の層間接続導体と、を備えており、前記第１の層間接続導体が設けられ、かつ、前記幅方向の中心よりも他方側に層間接続導体が設けられていない第１の領域、および層間接続導体が設けられていない第２の領域が、該誘電体素体に設けられており、前記第１の領域において、前記第１の層間接続導体が設けられている区間における前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心よりも、前記幅方向の他方側に位置しており、前記第２の領域において、前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心と重なるように配置されている部分を含むこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容している筐体と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなり、所定方向に延在している誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記所定方向に延在している信号線路と、前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する層間接続導体であって、前記誘電体素体において、前記所定方向及び積層方向に直交する幅方向の中心よりも一方側に設けられている第１の層間接続導体と、を備えており、前記第１の層間接続導体が設けられ、かつ、前記幅方向の中心よりも他方側に層間接続導体が設けられていない第１の領域、および層間接続導体が設けられていない第２の領域が、該誘電体素体に設けられており、前記第１の領域において、前記第１の層間接続導体が設けられている区間における前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心よりも、前記幅方向の他方側に位置しており、前記第２の領域において、前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心と重なるように配置されている部分を含むこと、を特徴とする。

本発明によれば、誘電体素体の幅を小さくすることができる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号伝送線路の分解図である。 図１の高周波信号伝送線路の信号線路及び補助グランド導体を透視した図である。 図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 図６（ａ）は、高周波信号伝送線路のコネクタの外観斜視図である。図６（ｂ）は、高周波信号伝送線路のコネクタの断面構造図である。 図７（ａ）は、高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。図７（ｂ）は、高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 第１の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第３の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第６の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第６の変形例に係る高周波信号伝送線路の信号線路及び線路部を透視した図である。 図１４のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図１４のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 第７の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第８の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。 第９の変形例に係る高周波信号伝送線路の分解図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号伝送線路１０の分解図である。図３は、図１の高周波信号伝送線路１０の信号線路２０及び補助グランド導体２４を透視した図である。図４は、図３のＡ−Ａにおける断面構造図である。図５は、図３のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号伝送線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体（第１のグランド導体）２２、補助グランド導体（第２のグランド導体）２４、ビアホール導体（層間接続部）ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４及び図５に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＴ１は、例えば、５０〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１００μｍである。また、厚さＴ２は、例えば、１０〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、図１及び図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線路２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されている。信号線路２０は、線路部１８ｂ−ａにおいてｘ軸方向に沿って延在している。信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体２２は、図２に示すように、信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線路２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線路２０と重なる位置には開口が設けられていない。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。補助グランド導体２４には、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０，３２が設けられている。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面に形成され、誘電体シート１８ｂを介して信号線路２０と対向している。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、線路部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

また、線路部２４ａには、図２に示すように、ｘ軸方向に延在する平行四辺形状をなす複数の開口３０，３２が設けられている。より詳細には、線路部２４ａは、複数の接続部７０，７２、辺７４，７６及び複数のブリッジ部７８，８０，８６，８８を有している。辺７４は、線路部２４ａのｙ軸方向の負方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。辺７６は、線路部２４ａのｙ軸方向の正方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。複数の接続部７０は、辺７４からｙ軸方向の正方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部７０は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の接続部７２は、辺７６からｙ軸方向の負方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部７２は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。接続部７０と接続部７２とはｘ軸方向において異なる位置に設けられている。本実施形態では、接続部７０と接続部７２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、接続部７２は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部７０の中間に位置している。接続部７０は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部７２の中間に位置している。

ブリッジ部７８は、接続部７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７６に接続されている。ブリッジ部８０は、接続部７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７４に接続されている。ブリッジ部７８とブリッジ部８０とは平行である。これにより、辺７４，７６及びブリッジ部７８，８０に囲まれた領域に開口３０が形成されている。

ブリッジ部８６は、接続部７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７４に接続されている。ブリッジ部８８は、接続部７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺７６に接続されている。ブリッジ部８６とブリッジ部８８とは平行である。これにより、辺７４，７６及びブリッジ部８６，８８に囲まれた領域に開口３２が形成されている。

ここで、線路部２４ａの辺７４には切り欠きＣ１が設けられている。切り欠きＣ１は、線路部２４ａにおいて接続部７２よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ１において、辺７４が分離されている。

また、線路部２４ａの辺７６には切り欠きＣ２が設けられている。切り欠きＣ２は、線路部２４ａにおいて接続部７０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ２において、辺７６が分離されている。

外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の実質的に中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の実質的に中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

以上のように、信号線路２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向から挟まれている。すなわち、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。一方、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、補助グランド導体２４と信号線路２０とのｚ軸方向における距離は、基準グランド導体２２と信号線路２０とのｚ軸方向における距離よりも小さくなるように設計されている。

ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線路２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。

複数のビアホール導体Ｂ１は、図２及び図３に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２及び図３に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。本実施形態では、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、高周波信号伝送線路１０のｙ軸方向（幅方向）の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ１とビアホール導体Ｂ２とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続部７０に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。以下では、高周波信号伝送線路１０において、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が設けられている区間を区間Ａ２と呼ぶ。高周波信号伝送線路１０において、区間Ａ２とは、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２とｙ軸方向に重なる領域を意味する。

複数のビアホール導体Ｂ３は、図２及び図３に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２及び図３に示すように、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。本実施形態では、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、高周波信号伝送線路１０のｙ軸方向（幅方向）の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。ビアホール導体Ｂ３とビアホール導体Ｂ４とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、接続部７２に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。以下では、高周波信号伝送線路１０において、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が設けられている区間を区間Ａ３と呼ぶ。区間Ａ３とは、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４とｙ軸方向に重なる領域を意味する。

ここで、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２とビアホール導体Ｂ３，Ｂ４とはｘ軸方向において異なる位置に設けられている。本実施形態では、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２とビアホール導体Ｂ３，Ｂ４とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つのビアホール導体Ｂ３，Ｂ４の中間に位置している。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つのビアホール導体Ｂ１，Ｂ２の中間に位置している。

また、高周波信号伝送線路１０において、区間Ａ２と区間Ａ３とに挟まれた区間を区間Ａ１と呼ぶ。区間Ａ１は、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４が設けられていない区間である。

ここで、信号線路２０は、図２に示すように、蛇行している。より詳細には、区間Ａ１における信号線路２０は、区間Ａ２における信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に位置している。更に、区間Ａ１における信号線路２０は、区間Ａ３における信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に位置している。これにより、信号線路２０は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２及びビアホール導体Ｂ３，Ｂ４を迂回している。

また、信号線路２０は、太線部５０，５２，５４及び細線部５６，５８，６０，６２を有している。太線部５０，５２，５４の線幅は、線幅Ｗ１である。細線部５６，５８，６０，６２の線幅は、線幅Ｗ２である。線幅Ｗ１は、線幅Ｗ２よりも大きい。太線部５０は、区間Ａ１において、線路部１８ｂ−ａのｙ軸方向の中心線Ｌ上をｘ軸方向に延在している。太線部５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０，３２と重なっている。よって、太線部５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。

太線部５２は、区間Ａ２において、線路部１８ｂ−ａのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側をｘ軸方向に延在している。ただし、太線部５２のｘ軸方向の両端は、区間Ａ１にはみ出している。太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ２と重なっている。よって、太線部５２は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。

太線部５４は、区間Ａ３において、線路部１８ｂ−ａのｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側をｘ軸方向に延在している。ただし、太線部５２のｘ軸方向の両端は、区間Ａ１にはみ出している。太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、切り欠きＣ１と重なっている。よって、太線部５４は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。以上のような太線部５０，５２，５４の両端はテーパ形状をなしている。

細線部５６は、区間Ａ１において、太線部５２のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部５６は、ｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部５６は、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部７８と重なっている。

細線部５８は、区間Ａ１において、太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５４のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部５８は、ｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部５８は、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８０と重なっている。

細線部６０は、区間Ａ１において、太線部５０のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５２のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部６０は、ｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部６０は、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８８と重なっている。

細線部６２は、区間Ａ１において、太線部５４のｘ軸方向の正方向側の端部と太線部５０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。細線部６２は、ｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している。また、細線部６２は、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ブリッジ部８６と重なっている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線路２０において開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２と重なっている部分では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、信号線路２０において開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。

一方、信号線路２０においてブリッジ部７８，８０，８６，８８と重なっている部分では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、信号線路２０においてブリッジ部７８，８０，８６，８８と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、ブリッジ部７８、開口３０、ブリッジ部８０、切り欠きＣ１、ブリッジ部８６、開口３２、ブリッジ部８８、切り欠きＣ２の順にｘ軸方向に並んでいる。よって、信号線路２０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線路２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図６（ａ）は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図６（ｂ）は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図７（ａ）は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図７（ｂ）は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線路２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の基準グランド導体２２が位置している。

（高周波信号伝送線路の製造方法）
以下に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０が作製される。

まず、表面上の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの表面に銅箔を張り付ける。また、更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。更に、図２に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４を形成する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねて誘電体素体１２を形成する。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを一体化する。

次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。

最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０によれば、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、誘電体素体１２において、ｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。更に、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が設けられている区間Ａ２における信号線路２０は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が設けられていない区間Ａ１における信号線路２０よりも、ｙ軸方向の正方向側に位置している。すなわち、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を迂回している。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を中心線Ｌに近づけることが可能となる。

また、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、誘電体素体１２において、ｙ軸方向の中心線Ｌよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。更に、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が設けられている区間Ａ３における信号線路２０は、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が設けられていない区間Ａ１における信号線路２０よりも、ｙ軸方向の負方向側に位置している。これにより、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４を迂回している。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４を中心線Ｌに近づけることが可能となる。

更に、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２とビアホール導体Ｂ３，Ｂ４とは、ｘ軸方向において異なる位置に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２と信号線路２０とビアホール導体Ｂ３，Ｂ４とがｙ軸方向において一列に並ぶことがない。よって、線路部１２ａのｙ軸方向の正方向側の辺を中心線Ｌに近づけることができると共に、線路部１２ａのｙ軸方向の負方向側の辺を中心線Ｌに近づけることができる。その結果、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくできる。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０では、補助グランド導体２４には開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２が設けられている。これにより、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくくなる。したがって、信号線路２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号伝送線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０では、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、補助グランド導体２４には、開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２が設けられている。よって、信号線路２０において、開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２と重なっている部分と補助グランド導体２４との間には、容量が形成されにくい。そこで、信号線路２０の太線部５０，５２は、開口３０，３２及び切り欠きＣ１，Ｃ２と重なるように配置されている。これにより、信号線路２０の抵抗値が低減され、高周波信号伝送線路１０の挿入損失の低減が図られる。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、高周波信号伝送線路１０がバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号伝送線路１０は、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号伝送線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線路２０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。また、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、信号線路２０のｙ軸方向の両側に不要輻射が放射されることが抑制される。更に、高周波信号伝送線路１０のｙ軸方向の正方向側又は負方向側にバッテリーパック２０６等の金属体が設けられたとしても、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２又はビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が存在するようになる。その結果、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間において容量が形成されにくくなり、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図８は、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａの分解図である。高周波信号伝送線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ａは、基準グランド導体２２が補助グランド導体２４と同じ構造をなしている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、基準グランド導体２２の線路部２２ａには、図８に示すように、ｘ軸方向に延在する平行四辺形状をなす複数の開口１３０，１３２が設けられている。開口１３０，１３２は、信号線路２０に沿って並んでいる。

線路部２２ａは、複数の接続部１７０，１７２、辺１７４，１７６及び複数のブリッジ部１７８，１８０，１８６，１８８を有している。辺１７４は、線路部２２ａのｙ軸方向の負方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。辺１７６は、線路部２２ａのｙ軸方向の正方向側の辺を構成している線状導体であり、ｘ軸方向に延在している。複数の接続部１７０は、辺１７４からｙ軸方向の正方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部１７０は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。複数の接続部１７２は、辺１７６からｙ軸方向の負方向側に突出しており、半円状をなしている。複数の接続部１７２は、ｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。接続部１７０と接続部１７２とはｘ軸方向において異なる位置に設けられている。本実施形態では、接続部１７０と接続部１７２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。そして、接続部１７２は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部１７０の中間に位置している。接続部１７０は、ｘ軸方向において、ｘ軸方向に隣り合う２つの接続部１７２の中間に位置している。

ブリッジ部１７８は、接続部１７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺１７６に接続されている。ブリッジ部１８０は、接続部１７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺１７６に接続されている。ブリッジ部１７８とブリッジ部１８０とは平行である。これにより、辺１７４，１７６及びブリッジ部１７８，１８０に囲まれた領域に開口１３０が形成されている。開口１３０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と一致した状態で重なっている。

ブリッジ部１８６は、接続部１７２からｙ軸方向の負方向側に進行しながらｘ軸方向の正方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺１７４に接続されている。ブリッジ部１８８は、接続部１７０からｙ軸方向の正方向側に進行しながらｘ軸方向の負方向側に進行するように傾斜している線状導体であり、辺１７６に接続されている。ブリッジ部１８６とブリッジ部１８８とは平行である。これにより、辺１７４，１７６及びブリッジ部１８６，１８８に囲まれた領域に開口１３２が形成されている。開口１３２は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３２と一致した状態で重なっている。

ここで、線路部２２ａの辺１７４には切り欠きＣ３が設けられている。切り欠きＣ３は、線路部２２ａにおいて接続部１７２よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ３において、辺１７４が分離されている。

また、線路部２２ａの辺１７６には切り欠きＣ４が設けられている。切り欠きＣ４は、線路部２２ａにおいて接続部１７０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、切り欠きＣ４において、辺１７６が分離されている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ａによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ａによれば、薄型化を更に図ることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ａでは、基準グランド導体２２にも開口１３０，１３２及び切り欠きＣ３，Ｃ４が設けられている。これにより、信号線路２０と基準グランド導体２２との間に容量が形成されにくくなる。したがって、信号線路２０と基準グランド導体２２とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号伝送線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０ａでは、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ａによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｂは、信号線路２０の構造において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｂでは、信号線路２０の線幅は、均一である。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｂによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｂによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｂによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１０は、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｃは、開口１３０，１３２の大きさにおいて高周波信号伝送線路１０ａと相違する。より詳細には、開口１３０のサイズは、開口３０のサイズよりも小さい。開口１３０は、ｚ軸方向から平面視したときに開口３０と相似形をなし、かつ、開口３０内に収まっている。また、開口１３２のサイズは、開口３２のサイズよりも小さい。開口１３２は、ｚ軸方向から平面視したときに開口３２と相似形をなし、かつ、開口３２内に収まっている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｃによれば、高周波信号伝送線路１０ａと同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｃによれば、高周波信号伝送線路１０ａと同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｃによれば、以下の理由によっても、挿入損失の低減を図ることができる。高周波信号伝送線路１０ｃでは、信号線路２０に電流ｉ１が流れると基準グランド導体２２に帰還電流（反電流）ｉ２が流れ、補助グランド導体２４に帰還電流（反電流）ｉ３が流れる。高周波信号伝送線路１０ｃでは、開口３０の外縁と開口１３０の外縁とが重なっていない。また、開口３２の外縁と開口１３２の外縁とが重なっていない。これにより、帰還電流ｉ２が流れる位置と帰還電流ｉ３が流れる位置とが離れるようになる。その結果、帰還電流ｉ２と帰還電流ｉ３との結合を弱めることができ、電流ｉ１が流れやすくなる。よって、高周波信号伝送線路１０ｃの挿入損失の低減が図られる。

また、高周波信号伝送線路１０ｃによれば、高周波信号伝送線路１０ａと同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｄの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｄは、補助グランド導体２４の構造、及び、信号線路２０の構造において、高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｄの補助グランド導体２４には、切り欠きＣ１，Ｃ２が設けられていない。すなわち、辺７４，７６は、切断されておらず、１本の線状導体により構成されている。そのため、辺７４とブリッジ部８０，８６により囲まれた開口１５０が形成されている。また、辺７６とブリッジ部７８，８８により囲まれた開口１５２が形成されている。

また、信号線路２０において、開口１５０，１５２と重なっている部分の線幅は、開口３０，３２と重なっている部分の線幅よりも小さい。これは、区間Ａ２，Ａ３において、信号線路２０と辺７４，７６とが重ならないようにするためである。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｄによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｄによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｄでは、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｄによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｄによれば、辺７４，７６に切り欠きＣ１，Ｃ２が設けられていないので、信号線路２０から不要輻射が放射されることが抑制される。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第５の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｅの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｅの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｅは、補助グランド導体２４の構造において高周波信号伝送線路１０ｄと相違する。高周波信号伝送線路１０ｅでは、補助グランド導体２４の線路部２４ａに、ｘ軸方向に延在する長方形状の開口２３０が信号線路２０に沿って並ぶように設けられている。以下では、補助グランド導体２４において、隣り合う開口２３０の間の部分をブリッジ部２６０と呼ぶ。ブリッジ部２６０は、辺７４，７６を繋ぐようにｙ軸方向に延在する線状の導体である。これにより、補助グランド導体２４は、梯子型をなしている。

また、信号線路２０においてブリッジ部２６０と重なっている部分の線幅は、信号線路２０において開口２３０と重なっている部分の線幅よりも小さい。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｅによれば、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｅによれば、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｅでは、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｅによれば、高周波信号伝送線路１０ｄと同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｅによれば、辺７４，７６に切り欠きＣ１，Ｃ２が設けられていないので、信号線路２０から不要輻射が放射されることが抑制される。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１３は、第６の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｆの分解図である。図１４は、第６の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｆの信号線路２０及び線路部１２４ａ，１２４ｂを透視した図である。図１５は、図１４のＡ−Ａにおける断面構造図である。図１６は、図１４のＢ−Ｂにおける断面構造図である。高周波信号伝送線路１０ｆの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｆは、信号線路２０の形状が異なっている点、及び、線路部２４ａの代わりに線路部１２４ａ，１２４ｂが設けられている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｆについて説明する。

高周波信号伝送線路１０ｆの信号線路２０の線幅は、高周波信号伝送線路１０の線幅よりも太い。ただし、高周波信号伝送線路１０ｆの信号線路２０は、高周波信号伝送線路１０の信号線路２０のように蛇行していない。そのため、高周波信号伝送線路１０ｆでは、信号線路２０とビアホール導体Ｂ２，Ｂ４とが接触しないように、信号線路２０には切り欠きＥ１，Ｅ２が設けられている。

切り欠きＥ１は、区間Ａ２に設けられており、信号線路２０のｙ軸方向の負方向側の辺が円弧状にｙ軸方向の正方向側に向かって窪んでいる。これにより、区間Ａ２における信号線路２０は、区間Ａ１における信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。

切り欠きＥ２は、区間Ａ３に設けられており、信号線路２０のｙ軸方向の正方向側の辺が円弧状にｙ軸方向の負方向側に向かって窪んでいる。これにより、区間Ａ３における信号線路２０は、区間Ａ１における信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。

また、線路部１２４ａは、誘電体シート１８ｃの表面上に設けられており、区間Ａ２においてｙ軸方向に延在する帯状の導体である。線路部１２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていると共に、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介して基準グランド導体２２に接続されている。

また、線路部１２４ｂは、誘電体シート１８ｃの表面上に設けられており、区間Ａ３においてｙ軸方向に延在する帯状の導体である。線路部１２４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていると共に、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４を介して基準グランド導体２２に接続されている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｆによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｆによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｆでは、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｆによれば、高周波信号伝送線路１０と同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｆの線路部１２４ａ，１２４ｂの面積は、高周波信号伝送線路１０の線路部２４ａの面積よりも小さい。そのため、高周波信号伝送線路１０ｆを高周波信号伝送線路１０よりも容易に曲げることが可能である。

（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１７は、第７の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｇの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｇの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｇは、区間Ａ２が設けられている位置に区間Ａ３が設けられている点において高周波信号伝送線路１０ｆと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｇについて説明する。

高周波信号伝送線路１０ｇでは、区間Ａ１と区間Ａ３とが交互にｘ軸方向に並んでいる。そのため、信号線路２０のｙ軸方向の正方向側にビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が設けられており、信号線路２０のｙ軸方向の負方向側にはビアホール導体が設けられていない。更に、区間Ａ３において、信号線路２０のｙ軸方向の正方向側の辺には切り欠きＥ２が設けられている。ただし、区間Ａ２が存在しないので、切り欠きＥ１は信号線路２０に設けられていない。

また、高周波信号伝送線路１０ｇは、線路部１２４ｂを備えているが、線路部１２４ａを備えていない。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｇによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｇによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｇでは、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｇによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｇの線路部１２４ｂの面積は、高周波信号伝送線路１０の線路部２４ａの面積よりも小さい。そのため、高周波信号伝送線路１０ｇを高周波信号伝送線路１０よりも容易に曲げることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０ｇでは、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２の代わりにビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が設けられている。これにより、高周波信号伝送線路１０ｇのｙ軸方向の正方向側からノイズが放射されることがより効果的に抑制されるようになる。このような高周波信号伝送線路１０ｇは、ｙ軸方向の負方向側からのノイズの放射が大きな問題とならず、ｙ軸方向の正方向側からのノイズの放射が大きな問題となる電子機器に適用されることが好ましい。

（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１８は、第８の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｈの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｈの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｈは、信号線路２０の線幅が異なっている点、及び、基準グランド導体２２に開口１６０が設けられている点において高周波信号伝送線路１０ｆと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｈについて説明する。

高周波信号伝送線路１０ｈの信号線路２０の線幅は、高周波信号伝送線路１０ｆの信号線路２０の線幅よりも太い。そのため、高周波信号伝送線路１０ｈの切り欠きＥ１，Ｅ２は、高周波信号伝送線路１０ｆの切り欠きＥ１，Ｅ２よりも大きい。

また、開口１６０は、基準グランド導体２２に設けられている。開口１６０は、区間Ａ１において、ｚ軸方向から平面視したときに信号線路２０と重なるように基準グランド導体２２に設けられている。開口１６０は、ｘ軸方向に延在する長軸を有する楕円形状をなしている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｈによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｈによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｈでは、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｈによれば、高周波信号伝送線路１０ｆと同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｈの線路部１２４ａ，１２４ｂの面積は、高周波信号伝送線路１０の線路部２４ａの面積よりも小さい。そのため、高周波信号伝送線路１０ｈを高周波信号伝送線路１０よりも容易に曲げることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０ｈによれば、信号線路２０の線幅が太いので、信号線路２０の直流抵抗値が低減される。

また、高周波信号伝送線路１０ｈによれば、信号線路２０の線幅が太いので、切り欠きＥ１，Ｅ２が大きくなっている。そのため、区間Ａ２，Ａ３における信号線路２０の線幅と区間Ａ１における信号線路２０の線幅との差が大きくなり過ぎる。その結果、区間Ａ２，Ａ３における信号線路２０と基準グランド導体２２及び線路部１２４ａ，１２４ｂとの間に形成される容量の大きさと、区間Ａ１における信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量の大きさとの間に大きな差が生じる。そこで、区間Ａ１において、基準グランド導体２２に開口１６０が設けられている。これにより、区間Ａ１における信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量が大きくなり過ぎることが抑制される。これにより、高周波信号伝送線路１０ｈの特性インピーダンスの調整が行いやすくなる。

（第９の変形例）
以下に、第９の変形例に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１９は、第９の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｉの分解図である。高周波信号伝送線路１０ｉの外観斜視図については、図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｉは、信号線路２０の線幅が異なっている点、及び、開口１６０が設けられている位置が異なっている点において高周波信号伝送線路１０ｈと相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ｉについて説明する。

高周波信号伝送線路１０ｉの信号線路２０の線幅は、高周波信号伝送線路１０ｈの信号線路２０の線幅よりも太い。そのため、高周波信号伝送線路１０ｉの切り欠きＥ１，Ｅ２は、高周波信号伝送線路１０ｈの切り欠きＥ１，Ｅ２よりも小さい。

また、開口１６０は、基準グランド導体２２に設けられている。開口１６０は、区間Ａ２，Ａ３において、ｚ軸方向から平面視したときに信号線路２０と重なるように基準グランド導体２２に設けられている。開口１６０は、ｘ軸方向に延在する長軸を有する楕円形状をなしている。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｉによれば、高周波信号伝送線路１０ｈと同様に、誘電体素体１２のｙ軸方向の幅を小さくすることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｉによれば、高周波信号伝送線路１０ｈと同様に、薄型化を更に図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｉでは、高周波信号伝送線路１０ｈと同様に、挿入損失の低減を図ることができる。

また、高周波信号伝送線路１０ｉによれば、高周波信号伝送線路１０ｈと同様に、信号線路２０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０ｉの線路部１２４ａ，１２４ｂの面積は、高周波信号伝送線路１０の線路部２４ａの面積よりも小さい。そのため、高周波信号伝送線路１０ｉを高周波信号伝送線路１０よりも容易に曲げることが可能である。

また、高周波信号伝送線路１０ｉによれば、信号線路２０の線幅が細いので、切り欠きＥ１，Ｅ２が小さくなっている。そのため、区間Ａ２，Ａ３における信号線路２０と基準グランド導体２２及び線路部１２４ａ，１２４ｂとの間に形成される容量の大きさと、区間Ａ１における信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量の大きさとの間に大きな差が生じる。そこで、区間Ａ２，Ａ３において、基準グランド導体２２に開口１６０が設けられている。これにより、区間Ａ２，Ａ３における信号線路２０と基準グランド導体２２との間に形成される容量が大きくなり過ぎることが抑制される。これにより、高周波信号伝送線路１０ｉの特性インピーダンスの調整が行いやすくなる。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路は、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉの構成を組み合わせてもよい。

保護層１４は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっきにより導体を形成した層間接続部である。

なお、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２及び接続部７０と、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４及び接続部７２とはいずれか一方のみが設けられていてもよい。すなわち、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２が高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｅのｙ軸方向の負方向側に並ぶように配置されていてもよいし、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４が高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｅのｙ軸方向の正方向側に並ぶように配置されていてもよい。ただし、不要輻射を抑制するために、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２及び接続部７０と、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４及び接続部７２とはいずれも設けられていることが好ましい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｉは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、誘電体素体の幅を小さくすることができる点において優れている。

Ａ１〜Ａ３ 区間
Ｂ１〜Ｂ４ ビアホール導体
Ｃ１〜Ｃ４ 切り欠き
１０，１０ａ〜１０ｉ 高周波信号伝送線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｃ 誘電体シート
２０ 信号線路
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
３０，３２，１３０，１３２，１５０，１５２，１６０，２３０ 開口

Claims (7)

1. 複数の誘電体層が積層されてなり、所定方向に延在している誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記所定方向に延在している信号線路と、
   前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、
   前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する層間接続導体であって、前記誘電体素体において、前記所定方向及び積層方向に直交する幅方向の中心よりも一方側に設けられている第１の層間接続導体と、
   を備えており、
   前記第１の層間接続導体が設けられ、かつ、前記幅方向の中心よりも他方側に層間接続導体が設けられていない第１の領域、および層間接続導体が設けられていない第２の領域が、該誘電体素体に設けられており、
   前記第１の領域において、前記第１の層間接続導体が設けられている区間における前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心よりも、前記幅方向の他方側に位置しており、
   前記第２の領域において、前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心と重なるように配置されている部分を含むこと、
   を特徴とする高周波信号伝送線路。
2. 前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線路と重なっていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号伝送線路。
3. 前記第２のグランド導体には、前記信号線路に沿って並ぶ複数の第２の開口が設けられていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
4. 前記信号線路と前記第２のグランド導体との積層方向における距離は、該信号線路と前記第１のグランド導体の積層方向における距離よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号伝送線路。
5. 前記第１のグランド導体には、前記信号線路に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられており、
   前記第１の開口のサイズは、前記第２の開口のサイズよりも小さいこと、
   を特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
6. 前記複数の第１の層間接続導体は、前記第１の領域において、等間隔に並んでいること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
7. 高周波信号伝送線路と、
   前記高周波信号伝送線路を収容している筐体と、
   を備えており、
   前記高周波信号伝送線路は、
   複数の誘電体層が積層されてなり、所定方向に延在している誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられ、かつ、前記所定方向に延在している信号線路と、
   前記信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、
   前記第１のグランド導体と前記第２のグランド導体とを接続する層間接続導体であって、前記誘電体素体において、前記所定方向及び積層方向に直交する幅方向の中心よりも一方側に設けられている第１の層間接続導体と、
   を備えており、
   前記第１の層間接続導体が設けられ、かつ、前記幅方向の中心よりも他方側に層間接続導体が設けられていない第１の領域、および層間接続導体が設けられていない第２の領域が、該誘電体素体に設けられており、
   前記第１の領域において、前記第１の層間接続導体が設けられている区間における前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心よりも、前記幅方向の他方側に位置しており、
   前記第２の領域において、前記信号線路は、前記誘電体素体の前記幅方向の中心と重なるように配置されている部分を含むこと、
   を特徴とする電子機器。