JP2003124712A

JP2003124712A - 高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品または電子装置

Info

Publication number: JP2003124712A
Application number: JP2001319040A
Authority: JP
Inventors: Makoto Torigoe; 誠鳥越; Hisaaki Kanai; 久亮金井; Taku Suga; 卓須賀; Koichi Kamisaka; 晃一上坂
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2001-10-17
Filing date: 2001-10-17
Publication date: 2003-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】高速信号を伝送する伝送線路において、特性
インピーダンスの変化の少ない、伝送特性の良い高周波
伝送線路を提供する。【解決手段】スルーホール近傍の信号導体の幅や、グ
ラウンド導体の幅を変化させることにより特性インピー
ダンスを略一定に保つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高周波伝送線路及び
それを用いた電子部品または電子装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の高周波伝送線路を、図２〜図４を
用いて説明する。図２は従来の高周波伝送線路の構成図
であり、図２（ａ）は斜視図、図２（ｂ）は側面図であ
る。図２に示すように、回路基板や高周波の電気信号を
伝送する伝送線路としては、誘電体２０３上に信号導体
２０１を設け、その信号導体２０１の両側にグラウンド
導体２０３ａ、２０３ｂを設けたものがある。この伝送
線路は、図２（ｂ）に示すように、信号導体２０１とグ
ラウンド導体２０３ａ、２０３ｂの間に電磁界を閉じ込
めて信号を伝搬するコプレーナ線路である。電気力線２
０４は信号導体２０１とグランド導体３０２ａ、信号導
体２０１と３０２ｂの間に発生する。

【０００３】図３は従来の他の高周波伝送線路の構成図
であり、図３（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は側面図であ
る。図３に示すように、信号導体３０１に対して誘電体
３０２を挟んで反対の面にグラウンド導体３０３を有
し、その信号導体３０１とグラウンド導体３０３の間に
電磁界を閉じ込めて信号を伝搬するマイクロストリップ
線路が示されている。電気力線３０４は図３（ｂ）に示
すように、信号導体３０１とグランド導体３０３間に発
生する。

【０００４】図４は従来の更に他の高周波伝送線路の構
成図であり、図４（ａ）は斜視図、図４（ｂ）は側面図
である。図４に示すように信号導体４０１に対して誘電
体４０２を挟んで両側の面にグラウンド導体４０３ａ、
４０３ｂを有し、その信号導体４０１とグラウンド導体
４０３ａ、４０３ｂの間に電磁界を閉じ込めて信号を伝
搬するストリップ線路示されている。電気力線４０４は
図４（ｂ）に示すように、信号導体４０１とグランド導
体４０３ａ、信号導体４０１とグランド導体４０３ｂと
の間に発生する。

【０００５】図５は従来の更に他の高周波伝送線路の構
成図であり、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は側面図
である。図５に示すように、信号導体５０１の両側に、
グラウンド導体５０２ａ、５０２ｂを有し、さらに誘電
体５０３を挟んだ反対側にもグラウンド導体５０４を有
し、信号導体５０１と３つのグラウンド導体５０２ａ、
５０２ｂ及びグラウンド導体５０４との間に電磁界を閉
じ込めて信号を伝搬するグラウンデッドコプレーナ線路
が示されている。電気力線５０５は信号導体５０１とグ
ランド導体５０２ａ、信号導体５０１とグランド導体５
０２ｂ、信号導体５０１とグランド導体５０４間に発生
する。

【０００６】図２〜図５に示されている高周波伝送線路
ではそれぞれの構造によって決まる特性インピーダンス
を一定に保って信号を伝搬することが重要である。特性
インピーダンスが異なる伝送線路を接続すると、その接
続部分で信号の反射が起こる。

【０００７】図６は特性インピーダンスの異なる伝送線
路を接続した場合の模式図であり、例えば、特性インピ
ーダンスがＺ₁の伝送線路１と特性インピーダンスがＺ₂
の伝送線路２を接続して、伝送線路１から伝送線路２に
信号を伝搬したとき、その反射係数は（数１）で表され
る。

【０００８】

【数１】したがって、特性インピーダンスを伝送線路のすべての
位置で一定にすることが重要である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】実際の基板は複数の層
からなり、各層間の電気的導通をとるためのスルーホー
ルが多数存在する。伝送線路の近傍にスルーホールがあ
ると、その影響により、インピーダンスが変化する。こ
のインピーダンスの変化により信号の反射が起こり、伝
送特性が悪化する。

【００１０】本発明の目的は上記従来技術の問題点を解
決し、特性インピーダンスの変化の少ないまた、伝送特
性の良い高周波伝送線路を提供することにある。本発明
の他の目的は、本発明による高周波伝送線路を用いた、
高周波特性の良い、電子部品または電子装置を提供する
ことにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的はスルーホール
近傍の信号線あるいはグラウンド導体の幅を変化させる
ことにより実現されるもので、以下詳細に説明する。

【００１２】第１の発明では、高周波伝送線路は、誘電
体と、該誘電体を挟んで両側に配置された複数のグラン
ド導体と、該両側に配置されたグランド導体間を電気的
に接続するスルーホールと、該スルーホールの近傍に配
置された信号導体とを備え、該スルーホールによる信号
導体の特性インピーダンスが変化することを抑圧するた
めに、該スルーホール近傍において、該グランド導体及
び信号導体のいずれか一方又は両方の形状を変化させ
る。

【００１３】第１の発明において、該複数のグランド導
体は、該誘電体の一面に配置された第１のグランド導体
及び第２のグランド導体と、該誘電体の他面に配置され
た第３のグランド導体とから構成され、該信号導体は該
第１及び該第２のグランド導体の間に配置される。ま
た、該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１
のグランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２の
グランド導体とから構成され、該信号導体は該誘電体を
構成する第１の層と第２の層の間に配置される。また、
該グランド導体は該誘電体の一面に配置された第１のグ
ランド導体と該誘電体の他の面に配置された第２のグラ
ンド導体とから構成され、該信号導体は該第１のグラン
ド電極上に設けられた他の誘電体を介して該スルーホー
ルの近傍に配置される。また、該信号導体は該スルーホ
ールの近傍において、該信号導体の幅が狭くなるように
凹みが形成される。また、この発明で、該信号導体は該
凹み部分を除いて略同じ幅を有する。また、この発明
で、該信号導体は該凹み部分を除いて徐々に変化する幅
を有する。

【００１４】第１の発明において、該グランド導体は該
スルーホールの近傍において、該グランド導体の幅が狭
くなるように凹みが形成される。また、この発明で、該
複数のグランド導体は該凹み部分を除いて略同じ幅を有
する。

【００１５】第１の発明において、該信号導体は該スル
ーホールの近傍で、該信号導体の幅が狭くなるように凹
みが形成され、該グランド導体は該スルーホールの近傍
において、該グランド導体の幅が狭くなるように凹みが
形成される。

【００１６】第２の発明では、誘電体と、該誘電体の一
面に配置された第１のグランド導体と、該誘電体の他の
面に配置された第２の誘電体と、該第１のグランド導体
と該第２のグランド導体との間を接続するスルーホール
と、該第１のグランド導体及び該スルーホールに隣接し
て配置された信号導体とを備え、該スルーホールの近傍
において、該信号導体の幅又は該グランド導体の幅のい
ずれか一方が狭くなるように構成する。

【００１７】第２の発明において、高周波伝送線路は、
該誘電体の一面に第３のグランド導体を設け、該第１の
グランド導体との間で該信号導体を挟み込むように該第
３のグランド導体を配置する。

【００１８】第３の発明では、高周波伝送線路は、信号
導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウンド導
体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、複数の
グラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の信号
導体幅を細くする。

【００１９】第４の発明では、１本の信号導体と、複数
のグラウンド導体と、複数のグラウンド導体間を電気的
に接続するスルーホールとを備え、複数のグラウンド導
体間を接続するスルーホールの近傍のグラウンド導体幅
を細くする。

【００２０】第５の発明では、高周波伝送線路は、１本
の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウ
ンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、
複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍
の信号導体幅とグラウンド導体幅を細くする。

【００２１】第６の発明では、高周波伝送線路は、１本
の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複数のグラウ
ンド導体間を電気的に接続するスルーホールとを備え、
複数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍
の信号導体幅を細くし、グラウンド導体幅を太くする。

【００２２】第７の発明では、電子部品は、上記の高周
波伝送線路の構造を有する。

【００２３】第８の発明では、電子装置は、上記の高周
波伝送線路の構造を有する。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を幾つ
かの実施例を用い、図を参照しながら具体的に説明す
る。図１は本発明による高周波伝送線路の第１の実施例
を示す構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）
は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）
のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は、図１に
示すように、信号導体１０１と、その両側に配置された
グラウンド導体１０２ａ、１０２ｂと、誘電体基板１０
３と、誘電体基板１０３を挟んで信号導体１０１の反対
側の面にあるグラウンド導体１０４と、信号導体１０１
の両側に配置されたグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂ
と信号導体１０１の反対側の面にあるグラウンド導体１
０４の間の電気的導通を取るためのスルーホール１０５
ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄからなる。本実施例
ではスルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０
５ｄの影響でこの近傍の特性インピーダンスが変化す
る。

【００２５】以下、スルーホールにより特性インピーダ
ンスが変化する理由について説明する。伝送線路の信号
導体１０１及びグラウンド導体１０２ａ、１０２ｂ、１
０４はその幅や厚さ等によって決まるインダクタンス成
分Ｌを持つ。また信号導体１０１とグラウンド導体グラ
ウンド導体１０２ａ、１０２ｂの距離や誘電体材料等に
よって決まる容量成分Ｃを持つ。伝送線路の特性インピ
ーダンスＺは、伝送線路のロスが無いとすると、インダ
クタンスＬと容量を用いて、（数２）のように表すこと
ができる。

【００２６】

【数２】スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ
がない部分に比べ、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、
１０５ｃ、１０５ｄがある部分では、信号導体の近傍の
グラウンド導体が増えるため、容量Ｃが増大する。した
がって、（数２）から明らかなようにインピーダンスが
下がる。従って、スルーホール近傍のインダクタンスを
増加あるいは、スルーホール近傍の容量を低減すること
で、特性インピーダンスを一定に保ち、伝送特性を向上
させることができる。スルーホール近傍のインダクタン
スを増加させるためには、信号線の線幅を狭くすればよ
く、また、容量の低減は信号線とグラウンド導体の距離
を広くすることで実現できる。本実施例では、伝送線路
における信号導体１０１の幅はスルーホールの近傍にお
いて細くなっている。又は、表現を変えると、信号導体
１０１はスルーホールの近傍において凹んでへこんでい
る。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、又はスル
ーホール１０５ｃ、１０５ｄの外側の両端を結んだ線の
中に信号導体１０１の幅が狭くなっている部分が存在す
るといえる。また、スルーホール１０５ａ、１０５ｂと
スルーホール１０５ｃ、１０５ｄの間で信号導体１０１
は狭い幅と広い幅とを持っている。

【００２７】本実施例では、スルーホール１０５ａ、１
０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄによって容量が増え、特性
インピーダンスが低下することをキャンセルするため
に、信号導体１０１の幅を細くして凹みを持たせてい
る。これによって、インダクタンス成分を上げ、特性イ
ンピーダンスを一定に保つことができる。また、本実施
例では、信号導体１０１と、その両側に配置されたグラ
ウンド導体１０２の間の間隔が広くなるため、この間の
容量成分を低減する効果もある。

【００２８】図７は信号導体の幅と特性インピーダンス
の関係を電磁界解析により求めた結果を示す特性図であ
り、横軸に伝送線路における信号線幅（μｍ）を示し、
縦軸に特性インピーダンス（Ω）を示す。また、図８は
電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた伝送線路
の断面図であり、図９は電磁界解析を行うためのスルー
ホールなしの伝送線路の断面図である。図８において、
８０１は信号導体、８０２ａ、８０２ｂ、８０４はグラ
ンド導体、８０３は誘電体、８０５ａ、８０５ｂはスル
ーホールである。グランド導体８０２ａ、８０２ｂの幅
は６７５μｍ、厚さは２．２μｍ、グランド導体８０４
の幅は１５００μｍ、厚さは２．２μｍ、誘電体８０３
の厚さは２４５μｍであり、信号導体８０１の厚さは
２．２μｍであり、スルーホール８０５ａ、８０５ｂ近
傍の信号導体８０１の幅ｄ１を変えた場合の特性インピ
ーダンス（Ω）を図７の特性線７０１で示す。図９にお
いて、グランド導体９０２ａ、９０２ｂの幅は６７５μ
ｍ、厚さは２．２μｍである。誘電体９０３の厚さは２
５４μｍ、グランド導体９０４の幅は１５００μｍ、厚
さは２．２である。また、信号導体９０１の幅はｄ２、
厚さは２．２μｍであり、ｄ２を変えた場合の特性イン
ピーダンス（Ω）を図７の特性線７０２で示す。本解析
は図８および、図９に示す構造で解析を行った。本解析
構造は光モジュールの内部で高周波信号を伝送するため
に使用されることを想定した場合に実現性の高いサイズ
である。伝送線路の特性インピーダンスを５０Ωで設計
した場合、スルーホールの無い部分では図７の特性線７
０２から分かるように信号導体の幅を９７μｍとする必
要があるが、その幅で近傍にスルーホール８０５ａ、８
０５ｂが存在した場合、特性インピーダンスは４１Ωと
約２０％も低くなってしまう。スルーホール８０５ａ、
８０５ｂが存在する場合、特性インピーダンスを５０Ω
にするためには図７の特性線７０１から分かるように、
信号導体の幅を７２μｍにすれば良い。したがって、本
実施例の構造の伝送線路では、信号導体の幅は、スルー
ホール８０５ａ、８０５ｂがないところでは９７μｍと
広くし、スルーホール８０５ａ、８０５ｂのあるところ
では７２μｍと狭くすることによって、特性インピーダ
ンスを５０Ωと一定の値とすることができる。

【００２９】以下、本発明の第２の実施例について、図
１０を用いて説明する。図１０は本発明による高周波伝
送線路の第２の実施例を示す平面図である。図におい
て、図１の同じ構成要素には同一の番号を付し、その説
明を省略する。本実施例においては、信号導体１１１の
幅を一定とし、グラウンド導体１１２ａ、１１２ｂの幅
を変化させている。スルーホール１０５ａ、１０５ｂ、
１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、グラウンド導体１１２ａ、
１１２ｂの幅を狭くし、信号導体１１１とグラウンド導
体１１２ａ、１１２ｂの間の距離を遠くすることで信号
導体１１１とグラウンド導体１１２ａ、１１２ｂ間の容
量成分を低減できる。これにより、スルーホール付加に
よる容量成分の増加を打ち消し、特性インピーダンスを
一定に保つことができる。

【００３０】以下、本発明の第３の実施例について、図
１１を用いて説明する。図１１は本発明による高周波伝
送線路の第３の実施例を示す平面図である。本実施では
信号導体１０１の幅と、グラウンド導体１２２ａ、１２
２ｂの幅の両方を細くしている。即ちスルーホール１０
５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ近傍で、信号導体
１０１に凹みを設けてその幅を狭くして、インダクタン
ス成分を増やし、さらに、グラウンド導体１２２ａ、１
２２ｂに凹みを設けてその幅を狭くして信号導体１０１
からグラウンド導体１２２ａ又はグランド導体１２２ｂ
の距離を遠くすることで、容量成分を低減できる。この
２つの効果により、特性インピーダンスを一定に保つこ
とができる。

【００３１】以下、本発明の第４の実施例について、図
１２を用いて説明する。図１２は本発明による高周波伝
送線路の第４の実施例を示す平面図である。本実施では
信号導体１０１は図１１の場合と同様にその幅を狭く
（又は細く）し、グラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの
幅を広くしている。スルーホール近傍で、信号導体１０
１の幅を狭くし、インダクタンス成分を増やす。グラウ
ンド導体１３２ａ、１３２ｂの幅を広くすることで信号
導体からグラウンド導体１３２ａ、１３２ｂの距離が近
くなり、容量成分が更に増加してしまうが、グラウンド
導体１３２ａ、１３２ｂの幅を狭くすることでそれを打
ち消す。本構造では、信号導体１０１とグラウンド導体
１３２ａ、１３２ｂの間のギャップを一定に保つことも
可能であり、ギャップが変化することによる電磁界のモ
ード変化を最小限に抑えることができるという利点があ
る。

【００３２】以上、２層構造のグラウンデットコプレー
ナ線路について複数の実施例を挙げて述べたが、本発明
は２層構造のものに限られるものでは無い。より多層の
基板においても、基板の一部にでもグラウンデットコプ
レーナ構造の伝送線路があれば、本実施例の効果は得ら
れる。また、本発明はグラウンデットコプレーナ線路に
限られる発明ではない。

【００３３】以下、各種伝送線路における実施例につい
て説明する。図１３は本発明による高周波伝送線路の第
４の実施例を示す構成図であり、図１３（ａ）は斜視
図、図１３（ｂ）は平面図、図１３（ｃ）は図１３
（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１３（ｄ）は図１３（ｂ）の
Ｂ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線路は信号導体１
３０１と、誘電体１３０２と、その誘電体１３０２を挟
んで両側に配置されたグラウンド導体１３０３ａ、１３
０３ｂと、そのグラウンド導体１３０３ａ、１３０３ｂ
の間の電気的導通を取るためのスルーホール１３０４ａ
〜１３０４ｄからなる。

【００３４】本実施例の伝送線路における信号導体１３
０１の幅はスルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの近傍
において細くなっている。スルーホールによって容量成
分が増え、特性インピーダンスが低下することをキャン
セルするために信号導体１３０１の幅を細くすることで
インダクタンス成分を上げ、特性インピーダンスを一定
に保つことができる。また、本実施例では、信号導体１
３０１と、スルーホール１３０４ａ〜１３０４ｄの間隔
が広くなるため、容量成分を低減する効果もある。

【００３５】マイクロストリップ線路に関する実施例
を、図１４を用いて説明する。図１４は本発明による高
周波伝送線路の第５の実施例を示す構成図であり、図１
４（ａ）は斜視図、図１４（ｂ）は平面図、図１４
（ｃ）は図１４（ｂ）のＡ−Ａ断面図、図１４（ｄ）は
図１４（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施例の伝送線
路は信号導体１４０１と、誘電体１４０２と、その誘電
体１４０２を挟んで信号導体１４０１両側に配置された
グラウンド導体１４０３と、それとは別のグラウンド導
体１４０４と、それら複数のグラウンド層の間を電気的
に接続するための貫通型のスルーホール１４０５ａ〜１
４０５ｄからなる。

【００３６】本実施例の伝送線路における信号導体１４
０１の幅はスルーホール１４０５ａ〜１４０５ｄの近傍
において細くなっている。スルーホール１４０５ａ〜１
４０５ｄによって容量成分が増え、特性インピーダンス
が低下することをキャンセルするために信号導体１４０
１の幅を細くすることでインダクタンス成分を上げ、特
性インピーダンスを一定に保つことができる。また、本
実施例では、信号導体１４０１と、スルーホール１４０
５ａ〜１４０５ｄの間隔が広くなるため、容量成分を低
減する効果もある。以上、スルーホールが信号導体から
等距離の位置に左右対称に、周期的にある場合の実施例
について述べてきたが、本発明はこれに限るものではな
い。

【００３７】以下、図１５を用いて、信号導体からスル
ーホールまでの距離が一定でない場合の実施例について
説明する。図１５は本発明による高周波伝送線路の第６
の実施例を示す平面図である。本実施例では、スルーホ
ール１５０３ａとスルーホール１５０３ｂ間の距離はス
ルーホール１５０４ａとスルーホール１５０４ｂ間の距
離より長い。信号導体５０１からスルーホール１５０３
ａ、１５０３ｂまでの距離が遠い場合、スルーホール１
５０３ａ、１５０３ｂのよる容量値の増加はスルーホー
ル１５０４ａとスルーホール１５０４ｂによる容量の増
加より少ないため、スルーホール１５０３ａ、１５０３
ｂ近傍の信号導体１５０１の幅はスルーホール１５０４
ａとスルーホール１５０４ｂ近傍の信号導体１５０１の
幅より広くする。

【００３８】信号導体からスルーホールまでの距離が一
定でない場合の実施例としてグラウンデットコプレーナ
線路について信号導体を細くした場合の実施例を示した
が、マイクロストリップ線路、ストリップ線路等でも同
様の議論ができることは言うまでもない。

【００３９】次に、信号導体の幅を徐々に狭くしていっ
た場合に特性インピーダンスが一定になる場合、例え
ば、誘電体の厚さが徐々に異ならしめた場合や電界の方
向を９０度変更するために、徐々に信号導体とグランド
導体の距離を離す場合の実施例である。図１６は本発明
による高周波伝送線路の第７の実施例を示す平面図であ
る。本実施例において、信号導体１６０１の幅は図の下
方に行くに従って狭くなっているが、この場合でも、ス
ルーホール１６０２ａ、１６０２ｂが設けられている近
傍の信号導体１６０１の幅は狭く、又は細くなるように
凹みが設けられ、上述した効果を得ている。

【００４０】以下、スルーホールが対になって構成され
ていない場合の例について図１７を用いて説明する。図
１７は本発明による高周波伝送線路の第８の実施例を示
す平面図である。図において、グランド導体１７０２ａ
に設けられたスルーホール１７０３とグランド導体１７
０２ｂに設けられたスルーホール１７０４とが対になっ
ていいない場合でも、スルーホール１７０３、１７０４
近傍の信号導体１７０１の幅は狭く、又は細くなるよう
に凹みが設けられている。

【００４１】本発明は高周波信号を伝搬する装置とし
て、光モジュールの高速信号伝送基板や、パーソナルコ
ンピュータ、携帯端末、通信機器などに適用できる。ま
た、本実施例では、基板上の伝送線路の例を示したが、
本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩチップ内
の伝送線路において本発明を利用することで、より高周
波特性の良いＬＳＩを作製可能となる。その他、基板間
を接続するフレキシブルケーブル当にも適用可能であ
る。

【００４２】以上述べたように、本発明によれば、少な
くとも１本の信号導体と、複数のグラウンド導体と、複
数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホール
を有する伝送線路に関し、信号導体とスルーホールの間
の容量が増えることにより伝送線路の特性インピーダン
スが下がり、信号の反射が生じて伝送特性が悪くなると
いう問題点を克服するために、信号導体、グラウンド導
体の幅を広げたり狭めたりすることでインダクタンスを
増加させ、あるいは容量を低減してインピーダンスを一
定に保っている。また、本発明を適用することにより、
より伝送特性のよい伝送線路を提供できる。

【００４３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、信
号導体と、複数のグラウンド導体とを有する伝送線路に
スルーホールを設けても、インダクタンスを増加させ、
あるいは容量を低減してインピーダンスを一定に保つこ
とができる。また、本発明を適用することにより、より
伝送特性のよい伝送線路を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による高周波伝送線路の第１の実施例を
示す構成図である。

【図２】従来の高周波伝送線路の構成図である。

【図３】従来の他の高周波伝送線路の構成図である。

【図４】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であ
る。

【図５】従来の更に他の高周波伝送線路の構成図であ
る。

【図６】特性インピーダンスの異なる伝送線路を接続し
た場合の模式図である。

【図７】信号導体の幅と特性インピーダンスの関係を電
磁界解析により求めた結果を示す特性図である。

【図８】電磁界解析を行うためのスルーホールを用いた
伝送線路の断面図である。

【図９】電磁界解析を行うためのスルーホールなしの伝
送線路の断面図である。

【図１０】本発明による高周波伝送線路の第２の実施例
を示す平面図である。

【図１１】本発明による高周波伝送線路の第３の実施例
を示す平面図である。

【図１２】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例
を示す平面図である。

【図１３】本発明による高周波伝送線路の第４の実施例
を示す構成図である。

【図１４】本発明による高周波伝送線路の第５の実施例
を示す構成図である。

【図１５】本発明による高周波伝送線路の第６の実施例
を示す平面図である。

【図１６】本発明による高周波伝送線路の第７の実施例
を示す平面図である。

【図１７】本発明による高周波伝送線路の第８の実施例
を示す平面図である。

【符号の説明】

１０１…信号導体、１０２ａ、１０２ｂ…グラウンド導
体、１０３…誘電体基板、１０２ａ、１０２ｂ、１０２
ｃ、１０２ｄ…スルーホール、１０４…グラウンド導
体。

フロントページの続き (72)発明者須賀卓神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者上坂晃一神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 CD27 CD32 GG11 5E338 AA02 BB12 CC01 CC02 CC06 EE11 5J014 CA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体と、該誘電体を挟んで両側に配置さ
れた複数のグランド導体と、該両側に配置されたグラン
ド導体間を電気的に接続するスルーホールと、該スルー
ホールの近傍に配置された信号導体とを備え、該スルー
ホールによる信号導体の特性インピーダンスが変化する
ことを抑圧するために、該スルーホール近傍において、
該グランド導体及び信号導体のいずれか一方又は両方の
形状を変化させることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項２】誘電体と、該誘電体の一面に配置された第
１のグランド導体と、該誘電体の他の面に配置された第
２の誘電体と、該第１のグランド導体と該第２のグラン
ド導体との間を接続するスルーホールと、該第１のグラ
ンド導体及び該スルーホールに隣接して配置された信号
導体とを備え、該スルーホールの近傍において、該信号
導体の幅又は該グランド導体の幅のいずれか一方が狭く
なるように構成することを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項３】信号導体と、複数のグラウンド導体と、複
数のグラウンド導体間を電気的に接続するスルーホール
とを備え、複数のグラウンド導体間を接続するスルーホ
ールの近傍における信号導体幅を細くする構成、及び複
数のグラウンド導体間を接続するスルーホールの近傍の
グラウンド導体幅を細くする構成、複数のグラウンド導
体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅とグラ
ウンド導体幅を細くする構成、及び複数のグラウンド導
体間を接続するスルーホールの近傍の信号導体幅を細く
してグラウンド導体幅を太くする構成のいずれかである
ことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波
伝送線路の構造を有することを特徴とする電子部品。
【請求項５】請求項１乃至３から請求項１６記載の高周
波伝送線路の構造を有することを特徴とする電子装置。