JP5655998B1 - 高周波信号伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Abstract

挿入損失の低減を図ることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。信号線路（２０）は、誘電体素体（１２）に設けられており、複数の太線部（２０ａ）と該太線部（２０ａ）よりも細い線幅を有する複数の細線部（２０ｂ）とを有する。基準グランド導体（２２）は、誘電体素体（１２）において信号線路（２０）よりも該誘電体素体（１２）の法線方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路（２０）と重なる複数の開口（３０）が設けられることにより該開口（３０）間において該信号線路（２０）の細線部（２０ｂ）と交差するブリッジ部（６０）を有している。ブリッジ部（６０）は、誘電体素体（１２）の法線方向から平面視したときに、細線部（２０ｂ）に対して斜めに交差している。

Description

本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。

従来の高周波信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。

特許文献１に記載の高周波信号線路は、誘電体素体、信号線、第１のグランド導体及び第２のグランド導体を備えている。誘電体素体は、複数の誘電体シートが積層されて構成されている。信号線は、誘電体素体内に設けられている。第１のグランド導体及び第２のグランド導体は、誘電体素体において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線と第１のグランド導体と第２のグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。

また、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線に沿って並ぶ複数の開口が第２のグランド導体に設けられている。すなわち、第２のグランド導体は、梯子型をなしている。これにより、開口が設けられた第２のグランド導体と信号線との間に容量が形成されにくくなるので、第２のグランド導体と信号線との間に発生する容量を大きくし過ぎることなく、第２のグランド導体と信号線とを近づけることができる。よって、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスから大きく変動させることなく、薄型化を図ることができる。

ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路では、以下に説明する理由により、第２のグランド導体には、隣り合う開口間において信号線と交差するブリッジ部が設けられている。高周波信号線路の両端は、はんだやコネクタ等によって回路基板に対して電気的に接続される。そのため、信号線路の両端の特性インピーダンスは、信号線の両端以外の部分の特性インピーダンスと異なりやすい。これにより、信号線の両端間において、高周波信号の反射が発生し、信号線の長さを半波長とするノイズが発生する。このような長い波長を有するノイズの周波数は、高周波信号線路が用いられる電子機器の使用帯域に重なりやすい。

そこで、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線と重なる複数のブリッジ部が設けられている。信号線においてブリッジ部と重なっている部分の特性インピーダンスは、信号線においてブリッジ部と重なっていない部分の特性インピーダンスよりも低い。これにより、信号線においてブリッジ部と重なっている部分において高周波信号の反射が発生し、隣り合うブリッジ部間の距離を半波長とするノイズが発生する。このような短い波長を有するノイズの周波数は、高周波信号線路が用いられる電子機器の使用周波数とは重なりにくい。

しかしながら、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線においてブリッジ部と重なっている部分において高周波信号の反射が発生するために、高周波信号線路の挿入損失が大きくなってしまう。

そこで、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線においてブリッジ部と重なっている部分の線幅を、信号線においてブリッジ部と重なっていない部分の線幅よりも細くしている。これにより、信号線とブリッジ部との間に発生する容量を低減して、信号線においてブリッジ部と重なっている部分の特性インピーダンスが低くなり過ぎることを抑制している。すなわち、信号線においてブリッジ部と重なっている部分における高周波信号の反射を低減している。

しかしながら、特許文献１に記載の高周波信号線路では、信号線においてブリッジ部と重なっている部分の線幅が細くなっているので、かかる部分における信号線の抵抗値が大きくなってしまう。その結果、高周波信号線路の挿入損失が大きくなってしまう。

国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット（図１２参照）

そこで、本発明の目的は、挿入損失の低減を図ることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路は、板状の誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路であって、複数の太線部と該太線部よりも細い線幅を有する複数の細線部とを有する信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも該誘電体素体の法線方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と重なる複数の開口が設けられることにより該開口間において前記細線部と交差するブリッジ部を有している第１のグランド導体と、を備えており、前記ブリッジ部は、前記誘電体素体の法線方向から平面視したときに、前記細線部に対して斜めに交差していること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容している筐体と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、板状の誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路であって、複数の太線部と該太線部よりも細い線幅を有する複数の細線部とを有する信号線路と、前記誘電体素体において前記信号線路よりも該誘電体素体の法線方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と重なる複数の開口が設けられることにより該開口間において前記細線部と交差するブリッジ部を有している第１のグランド導体と、を備えており、前記ブリッジ部は、前記誘電体素体の法線方向から平面視したときに、前記細線部に対して斜めに交差していること、を特徴とする。

本発明によれば、挿入損失の低減を図ることができる。

本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図及び信号線路の特性インピーダンスの変化を示したグラフである。 図２の高周波信号伝送線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図２の高周波信号伝送線路のＢ−Ｂにおける断面構造図である。 高周波信号伝送線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号伝送線路のコネクタの断面構造図である。 高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 比較例に係る高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図及び信号線路の特性インピーダンスの変化を示したグラフである。 ｃｏｓθ＝Ｗ２／Ｗ１であるときの高周波信号伝送線路の細線部及びブリッジ部の拡大図である。 高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図である。 高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図である。 高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図である。 図１の高周波信号伝送線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号伝送線路の信号線路と補助グランド導体とを重ねた図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号伝送線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、高周波信号伝送線路１０の信号線路２０と補助グランド導体２４とを重ねた図及び信号線路２０の特性インピーダンスの変化を示したグラフである。縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はｘ軸を示す。図４は、図２の高周波信号伝送線路１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。図５は、図２の高周波信号伝送線路１０のＢ−Ｂにおける断面構造図である。以下では、高周波信号伝送線路１０の積層方向（誘電体素体１２の法線方向）をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号伝送線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号伝送線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線路２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ〜１８ｃ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している帯状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの厚さは、２０μｍ〜３００μｍであり、本実施形態では１００μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線路２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２が延在している方向に沿って設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線路２０は、誘電体シート１８ｂの裏面上に形成されている。信号線路２０は、線路部１８ｂ−ａにおいてｘ軸方向に延在している。信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｂの略中央に位置している。信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｃの略中央に位置している。

また、信号線路２０は、複数の太線部２０ａ及び複数の細線部２０ｂを有している。細線部２０ｂは、太線部よりも細い線幅を有している。太線部２０ａと細線部２０ｂとは、交互に接続されている。太線部２０ａの線幅は、例えば、３００μｍ〜７００μｍである。本実施形態では、太線部２０ａの線幅は３００μｍである。細線部２０ｂの線幅は、例えば、３０μｍ〜２００μｍである。本実施形態では、細線部２０ｂの線幅は１００μｍである。

信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線路２０が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体２２は、信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号線路２０と対向している。高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０と基準グランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０と基準グランド導体２２によって高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０と基準グランド導体２２と補助グランド導体２４によって高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、後述する補助グランド導体２４の形状を調整する。

基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、主要導体２２ａ、端子導体２２ｂ，２２ｃにより構成されている。主要導体２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している帯状の導体である。主要導体２２ａはベタ状の導体であり、主要導体２２ａにおいて信号線路２０と重なる部分には開口が設けられていない。端子導体２２ｂは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｂは、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２２ｃは、主要導体２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。補助グランド導体２４には、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面に形成され、誘電体シート１８ｃを介して信号線路２０と対向している。補助グランド導体２４は、シールドとしても機能するグランド導体である。

補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、主要導体２４ａ、端子導体２４ｂ，２４ｃにより構成されている。主要導体２４ａは、線路部１８ｃ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に延在している帯状の導体である。主要導体２４ａには、図２に示すように、複数の開口３０が設けられている。これにより、主要導体２４ａは、梯子状をなしている。また、太線部２０ａは、図３に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０と重なっている。本実施形態では、太線部２０ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に収まっている。

また、主要導体２４ａは、複数の開口３０が設けられることにより、隣り合う開口３０に挟まれた複数のブリッジ部６０を有している。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在しており、ｚ軸方向から平面視したときに、図３に示すように、細線部２０ｂと交差している。ただし、ブリッジ部６０は、ｙ軸方向の中央部分においてｘ軸方向の正方向に進むにしたがってｙ軸方向の正方向側に進むように傾斜している。これにより、ブリッジ部６０は、ｚ軸方向から平面視したときに、細線部２０ｂに対して斜めに交差している。なお、斜めに交差するとは、細線部２０ｂとブリッジ部６０とが平行又は直交していないことを意味し、細線部２０ｂとブリッジ部６０とが０°より大きく９０°より小さい角をなしていることを意味する。また、ブリッジ部６０のｙ軸方向の両端は、ｙ軸方向に延在している。

以上のような主要導体２４ａでは、複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線路２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の略中央をｘ軸方向に横切っている。

端子導体２４ｂは、接続部１８ｃ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｂは、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子導体２４ｃは、主要導体２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

また、補助グランド導体２４は、前記の通り、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。更に、補助グランド導体２４のブリッジ部６０の間隔は、使用帯域内においてノイズが発生しないように設計される。すなわち、隣り合うブリッジ部６０の間隔は、高周波信号伝送線路１０及び該高周波信号伝送線路１０が用いられる電子機器における使用帯域の半波長よりも短くなるように設計される。これにより、信号線路２０から放射されるノイズの周波数が、高周波信号伝送線路１０及び該高周波信号伝送線路１０が用いられる電子機器における使用帯域と重ならない。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

以上のように、信号線路２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向から挟まれている。すなわち、信号線路２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。ただし、補助グランド導体２４には開口３０が設けられているので、補助グランド導体２４が信号線路２０と対向する面積は、基準グランド導体２２が信号線路２０と対向する面積よりも小さい。

また、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔Ｔ１は、図４及び図５に示すように誘電体シート１８ａの厚さ及び誘電体シート１８ｂの厚さの合計と略等しく、例えば、２０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と基準グランド導体２２との間隔Ｔ１は、１００μｍである。一方、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔Ｔ２は、図４及び図５に示すように誘電体シート１８ｃの厚さと略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線路２０と補助グランド導体２４との間隔Ｔ２は、５０μｍである。すなわち、基準グランド導体２２と信号線路２０と間隔Ｔ１は、補助グランド導体２４と信号線路２０と間隔Ｔ２よりも大きくなるように設計されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ａと信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ４は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ｂと信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線路２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１〜ｂ４は、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。

複数のビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ１は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。

複数のビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ４は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ５は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ５は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ６は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａをｚ軸方向に貫通している。複数のビアホール導体Ｂ６は、図２に示すように、各ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側に設けられており、ｘ軸方向に一列に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６とは、互いに接続されることによって一本のビアホール導体を構成しており、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成された貫通孔内に金属材料が充填されることによって形成されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａを覆っている。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５は、誘電体シート１８ｃの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

以上のように構成された高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、図３のグラフに示すように、特性インピーダンスＺ１と特性インピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線路２０において開口３０と重なっている部分は、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、信号線路２０において開口３０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に高い特性インピーダンスＺ１となる。

一方、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分は、信号線路２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分の特性インピーダンスは、相対的に低い特性インピーダンスＺ２となる。そして、開口３０とブリッジ部６０とはｘ軸方向に交互に並んでいる。そのため、信号線路２０の特性インピーダンスは、特性インピーダンスＺ１と特性インピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。特性インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、特性インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線路２０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図６は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図７は、高周波信号伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図６及び図７に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子導体２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図６に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図８は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図９は、高周波信号伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、高周波信号伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線路２０に関して基準グランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の基準グランド導体２２が位置している。

（高周波信号伝送線路の製造方法）
以下に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路１０が作製される。

まず、一方の主面上の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの表面に銅箔を張り付ける。また、更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマーである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示す信号線路２０を誘電体シート１８ｂの裏面上に形成する。更に、図２に示す補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの裏面上に形成する。なお、信号線路２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体素体１２に対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から加圧すると共に、誘電体素体１２を加熱する。これにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが軟化及び流動する。この後、誘電体素体１２が冷却されると、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが固化する。その結果、誘電体シート１８ａ〜１８ｃが融着されて、誘電体素体１２が得られる。

次に、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成すると共に、誘電体シート１８ｃの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。

最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子導体２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号伝送線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。図１０は、比較例に係る高周波信号伝送線路５１０の信号線路５２０と補助グランド導体５２４とを重ねた図及び信号線路５２０の特性インピーダンスの変化を示したグラフである。縦軸は特性インピーダンスを示し、横軸はｘ軸を示す。なお、高周波信号伝送線路５１０において高周波信号伝送線路１０に対応する構成については、高周波信号伝送線路１０において用いた参照符号の百の位に５を付加した。

比較例に係る高周波信号伝送線路５１０は、ブリッジ部５６０が細線部５２０ｂと直交している点において高周波信号伝送線路１０と相違する。ブリッジ部５６０が細線部５２０ｂに対して直交していると、信号線路５２０とブリッジ部５６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅が、急激に変動する。そのため、信号線路５２０とブリッジ部５６０との間に発生する容量も急激に変動する。その結果、信号線路５２０の特性インピーダンスは、図１０に示すように、特性インピーダンスＺ１１と特性インピーダンスＺ１２との間を急激に変動する。以上のような高周波信号伝送線路５１０では、信号線路５２０においてブリッジ部５６０と重なっている部分において高周波信号の反射が発生しやすい。

そこで、高周波信号伝送線路１０では、ブリッジ部６０は、ｚ軸方向から平面視したときに、細線部２０ｂに対して斜めに交差している。これにより、図３に示すように、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅は、徐々に増加した後に徐々に減少するようになる。そのため、信号線路２０とブリッジ部６０との間に発生する容量も徐々に増加した後に徐々に減少するようになる。その結果、信号線路２０の特性インピーダンスは、図３に示すように、特性インピーダンスＺ１と特性インピーダンスＺ２との間を緩やかに変動する。以上のような高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分において高周波信号の反射が発生しにくい。よって、高周波信号伝送線路１０では、挿入損失の低減が図られる。

また、高周波信号伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスの変動を緩やかにすることによって、細線部２０ｂにおける高周波信号の反射を抑制している。したがって、細線部２０ｂにおける高周波信号線路の反射を十分に抑制できている場合には、細線部２０ｂの線幅を太くしてもよい。これにより、細線部２０ｂの抵抗値が小さくなり、高周波信号伝送線路１０の挿入損失の低減が図られる。また、細線部２０ｂの線幅が太くなると、細線部２０ｂにおいて断線が発生することが抑制される。

ところで、細線部２０ｂの線幅を線幅Ｗ１とし、ブリッジ部６０の線幅を線幅Ｗ２とし、細線部２０ｂとブリッジ部６０とがなす角度を角度θとした場合には、以下に説明するように、以下の式（１）を満たしていることが好ましい。

ｃｏｓθ＞Ｗ２／Ｗ１ ・・・（１）

図１１は、ｃｏｓθ＝Ｗ２／Ｗ１であるときの高周波信号伝送線路１０の細線部２０ｂ及びブリッジ部６０の拡大図である。図１１では、ブリッジ部６０のｙ軸方向の正方向側の外縁と細線部２０ｂのｙ軸方向の正方向側の外縁との交点Ｐ１とブリッジ部６０のｙ軸方向の負方向側の外縁と細線部２０ｂのｙ軸方向の負方向側の外縁との交点Ｐ２とがｙ軸方向に並んでいる。よって、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅は、交点Ｐ１，Ｐ２において、最大値の線幅Ｗ１となっている。そして、交点Ｐ１，Ｐ２からｘ軸方向に移動すると、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅は小さくなっている。このとき、式（２）及び式（３）の関係が成立している。

ｓｉｎθ＝Ｗ２／Ｄ ・・・（２）
ｔａｎθ＝Ｗ１／Ｄ ・・・（３）

式（２）及び式（３）を整理すると、式（４）が得られる。

ｃｏｓθ＝Ｗ２／Ｗ１ ・・・（４）

ここで、図１１に示す細線部２０ｂ及びブリッジ部６０において角度θを小さくすると、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅の最大値は、線幅Ｗ１よりも小さくなる。すなわち、式（１）を満たすようにすることで、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅の最大値を小さくすることが可能である。このように、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている部分のｙ軸方向の幅の最大値が小さくなると、細線部２０ｂとブリッジ部６０との間に発生する容量を低減できるので、特性インピーダンスＺ２を特性インピーダンスＺ１により近づけることができる。その結果、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分において高周波信号の反射が発生することがより効果的に抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０によれば、ブリッジ部６０が誘電体シート１８ｃから剥離することが抑制される。より詳細には、図１０に示す高周波信号伝送線路５１０が折り曲げられると、ブリッジ部５６０と折れ線とが平行になる。この場合、ブリッジ部５６０と折れ線とが重なると、ブリッジ部５６０が誘電体シートから剥離するおそれがある。一方、高周波信号伝送線路１０では、ブリッジ部６０がy軸方向に対して傾いているので、ブリッジ部６０と折れ線とが平行にならない。これにより、ブリッジ部６０と折れ線とが重なっても、ブリッジ部６０が誘電体シート１８ｃから剥離することが抑制される。

また、高周波信号伝送線路１０では、基準グランド導体２２には開口が設けられていない。これにより、高周波信号伝送線路１０の表面側におけるシールド性を向上させることができる。その結果、高周波信号伝送線路１０の表面がバッテリーパック２０６等の金属体に貼り付けられたり、近接させたりしたとしても、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。よって、高周波信号伝送線路１０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１２は、高周波信号伝送線路１０ａの信号線路２０と補助グランド導体２４とを重ねた図である。なお、高周波信号伝送線路１０ａの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ａは、ブリッジ部６０の形状において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ａでは、ブリッジ部６０は、直線状をなしており、ｘ軸方向の正方向側に進むにしたがってｙ軸方向の正方向側に進むように傾斜している。これにより、開口３０は、平行四辺形をなしている。

以上のような高周波信号伝送線路１０ａにおいても、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失を低減できる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１３は、高周波信号伝送線路１０ｂの信号線路２０と補助グランド導体２４とを重ねた図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｂの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｂは、ブリッジ部６０の形状において高周波信号伝送線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｂでは、ブリッジ部６０は、Ｖ字を時計回りに９０度回転させた形状をなしている。すなわち、ブリッジ部６０のｙ軸方向の正方向側の半分は、ｘ軸方向の正方向側に進むにしたがってｙ軸方向の正方向側に進むように傾斜している。ブリッジ部６０のｙ軸方向の負方向側の半分は、ｘ軸方向の正方向側に進むにしたがってｙ軸方向の負方向側に進むように傾斜している。

以上のような高周波信号伝送線路１０ｂにおいても、高周波信号伝送線路１０と同様に、挿入損失を低減できる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１４は、高周波信号伝送線路１０ｃの信号線路２０と補助グランド導体２４とを重ねた図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｃの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｃは、ブリッジ部６０の形状において高周波信号伝送線路１０ａと相違する。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｃでは、ｘ軸方向の正方向側に進むにしたがってｙ軸方向の正方向側に進むように傾斜しているブリッジ部６０と、ｘ軸方向の正方向側に進むにしたがってｙ軸方向の負方向側に進むように傾斜しているブリッジ部６０とが交互に並んでいる。これにより、開口３０は、台形をなしている。

以上のような高周波信号伝送線路１０ｃにおいても、高周波信号伝送線路１０ａと同様に、挿入損失を低減できる。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１５は、図１の高周波信号伝送線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。図１６は、高周波信号伝送線路１０ｄの信号線路２０と補助グランド導体２４とを重ねた図である。なお、高周波信号伝送線路１０ｄの外観斜視図については図１を援用する。

高周波信号伝送線路１０ｄは、図１５に示すように、基準グランド導体２２に開口３２が設けられている点において高周波信号伝送線路１０ａと相違する。開口３２は、図１５及び図１６に示すように、開口３０と同様に平行四辺形状をなしている。更に、開口３２は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０内に収まっている。すなわち、開口３０の外縁と開口３２の外縁とは重なっていない。

また、高周波信号伝送線路１０ｄによれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路１０ｄでは、信号線路２０に電流が流れると、基準グランド導体２２に帰還電流（反電流）が流れ、補助グランド導体２４に帰還電流（反電流）が流れる。高周波信号伝送線路１０ｄでは、開口３０の外縁と開口３２の外縁とが、ｚ軸方向から平面視したときに、重なっていない。これにより、基準グランド導体２２において帰還電流（反電流）が流れる位置と補助グランド導体２４において帰還電流（反電流）が流れる位置とを離すことができる。その結果、帰還電流（反電流）間の結合を弱めることができ、電流が信号線路２０に流れやすくなるので、高周波信号伝送線路１０ｄの挿入損失の低減が図られる。

また、基準グランド導体２２は、複数の開口３２が設けられることにより、隣り合う開口３２に挟まれた複数のブリッジ部６２を有している。ブリッジ部６２は、ｙ軸方向に延在しており、ｚ軸方向から平面視したときに、図１５及び図１６に示すように、細線部２０ｂと交差している。ただし、ブリッジ部６２は、ｘ軸方向の正方向に進むにしたがってｙ軸方向の正方向側に進むように傾斜している。これにより、ブリッジ部６２は、ｚ軸方向から平面視したときに、細線部２０ｂに対して斜めに交差している。

以上のような高周波信号伝送線路１０ｄにおいても、高周波信号伝送線路１０ａと同様に、挿入損失を低減できる。

また、高周波信号伝送線路１０ｄでは、基準グランド導体２２に開口３２が設けられているので、信号線路２０と基準グランド導体２２との間に容量が形成されにくい。よって、信号線路２０の特性インピーダンスを大きく変動させることなく信号線路２０と基準グランド導体２２とを近づけることが可能となり、高周波信号伝送線路１０ｄの薄型化を図ることができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路は、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの構成を組み合わせてもよい。

保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

なお、ビアホール導体の代わりに、スルーホール導体が用いられてもよい。スルーホール導体とは、誘電体素体１２に設けられた貫通孔の内周面にめっき等の手段により導体を形成した層間接続部である。

なお、基準グランド導体２２が設けられていなくてもよい。

なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｄは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、挿入損失を低減できる点において優れている。

１０，１０ａ〜１０ｄ 高周波信号伝送線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｃ 誘電体シート
２０ 信号線路
２０ａ 太線部
２０ｂ 細線部
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
３０，３２ 開口
６０，６２ ブリッジ部

Claims (5)

1. 板状の誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路であって、複数の太線部と該太線部よりも細い線幅を有する複数の細線部とを有する信号線路と、
   前記誘電体素体において前記信号線路よりも該誘電体素体の法線方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と重なる複数の開口が設けられることにより該開口間において前記細線部と交差するブリッジ部を有している第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記ブリッジ部は、前記誘電体素体の法線方向から平面視したときに、前記細線部に対して斜めに交差していること、
   を特徴とする高周波信号伝送線路。
2. 前記太線部は、前記開口と重なっていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号伝送線路。
3. 前記誘電体素体において前記信号線路よりも該誘電体素体の法線方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線路と対向している第２のグランド導体を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
4. 前記第２のグランド導体には、前記信号線路と重なる開口が設けられていないこと、
   を特徴とする請求項３に記載の高周波信号伝送線路。
5. 高周波信号伝送線路と、
   前記高周波信号伝送線路を収容している筐体と、
   を備えており、
   前記高周波信号伝送線路は、
   板状の誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられている線状の信号線路であって、複数の太線部と該太線部よりも細い線幅を有する複数の細線部とを有する信号線路と、
   前記誘電体素体において前記信号線路よりも該誘電体素体の法線方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線路と重なる複数の開口が設けられることにより該開口間において前記細線部と交差するブリッジ部を有している第１のグランド導体と、
   を備えており、
   前記ブリッジ部は、前記誘電体素体の法線方向から平面視したときに、前記細線部に対して斜めに交差していること、
   を特徴とする電子機器。
   

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