JP4717020B2 - 中継基板および光通信モジュール - Google Patents

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Description

この発明は、多層基板同士の接続を中継する中継基板に関する。ただし、この発明の利用は、多層基板同士の接続に限られない。
従来、光送受信モジュール内で使用される、多層構成のプリント回路基板と光デバイスとの間の高周波信号の接続にはフレキシブル基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）が用いられている（たとえば、下記特許文献１参照。）。フレキシブル基板は、通常のワイヤなどと比較して高速の伝送が可能である。また、フレキシブル基板は、柔軟性があり大きく変形させることができるため、接続する基板同士の位置ずれを調節することができる。
図４２は、従来のプリント回路基板と光デバイスとの接続形態を示す斜視図である。図４２に示すように、半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３８１１を実装した従来のプリント回路基板３８１０は、フレキシブル基板３８３０を介して光デバイス３８４０に接続されている。ここで、フレキシブル基板３８３０はプリント回路基板３８１０に直接接続されている。
図４３は、従来のプリント回路基板とフレキシブル基板との接続部を示す斜視図である。図４３に示すように、フレキシブル基板３８３０の信号ライン３８３０ａは、プリント回路基板３８１０の信号ライン３８１０ａに直接接続されている。フレキシブル基板３８３０の接地ライン３８３０ｂおよび接地ライン３８３０ｃは、プリント回路基板３８１０の接地ライン３８１０ｂおよび接地ライン３８１０ｃにそれぞれ直接接続されている。
図４４は、図４３のＭ−Ｍ線断面図である。図４４に示すように、フレキシブル基板３８３０は、一方の面に信号ライン３８３０ａを形成し、他方の面に接地ライン３８３０ｂを形成している。フレキシブル基板３８３０は、信号ライン３８３０ａが形成された面をプリント回路基板３８１０側にして、プリント回路基板３８１０の信号ライン３８１０ａに接続されている。
特開２００５−２６８０１号公報
しかしながら、２０Ｇｂｐｓ，４０Ｇｂｐｓなどの高速伝送においては、プリント回路基板３８１０の電極にフレキシブル基板３８３０を直接接続すると、プリント回路基板３８１０の影響によりフレキシブル基板３８３０上の伝送線路の実効誘電率が変化し、この結果、フレキシブル基板３８３０における特性インピーダンスが変化し、信号波形が劣化するという問題がある。
また、プリント回路基板３８１０によるフレキシブル基板３８３０への影響が出ないように、フレキシブル基板３８３０を、信号ライン３８３０ａが形成された面をプリント回路基板３８１０側にしてプリント回路基板３８１０に接続した場合も、フレキシブル基板３８３０における所望の特性インピーダンスを得ることができず信号波形が劣化するという問題がある。
また、個々のプリント回路基板３８１０は、大きな基板にマスクによって配線を形成して基板を切断することで製造する。この製造方法では、切断の位置精度が低く、プリント回路基板３８１０の外形に対して配線位置を正確に決めることが困難であるため、フレキシブル基板３８３０と接続するプリント回路基板３８１０の電極をプリント回路基板３８１０の端ぎりぎりに配置することが困難である。
したがって、プリント回路基板３８１０の端に電極が形成されない部分が生じ、フレキシブル基板３８３０の、プリント回路基板３８１０による影響を受ける部分の面積が大きくなる。このため、フレキシブル基板３８３０における特性インピーダンスが変化して信号波形が劣化するという問題がある。
また、プリント回路基板３８１０と光デバイス３８４０をワイヤによって直接接続する場合、２０Ｇｂｐｓ，４０Ｇｂｐｓなどの高速伝送の特性を確保するためには、ワイヤ長をなるべく短く（たとえば、２００μｍ以下に）する必要がある。しかし、電極をプリント回路基板３８１０の端ぎりぎりに配置することが困難であるためワイヤ長が長くなり、伝送の特性を確保することができないという問題がある。
また、手作業で個別にプリント回路基板３８１０を削ることによってプリント回路基板３８１０の端ぎりぎりに電極を配置することも考えられる。しかし、プリント回路基板３８１０のレイアウト上の制約が大きく、光送受信モジュールとしての小型化が困難であり、コストアップの要因となるという問題がある。
また、フレキシブル基板３８３０とプリント回路基板３８１０との接続は通常半田付けによって行うが、フレキシブル基板３８３０の電極は、フレキシビリティを確保するためにメタル厚みが２０μｍ程度であり強度が弱い。このため、不良が生じた場合にフレキシブル基板３８３０をプリント回路基板３８１０から取り外した場合にフレキシブル基板３８３０の電極が破損し、取り外したフレキシブル基板３８３０をプリント回路基板３８１０または他の多層基板に再接続することができないという問題がある。
図４５は、従来のプリント回路基板の特性と半田量との関係を示す特性図である。図４６は、図４３のＭ−Ｍ線断面図（半田量多）である。図４７は、図４３のＭ−Ｍ線断面図（半田量少）である。図４５において、横軸は、プリント回路基板３８１０が入出力する信号の周波数（ＧＨｚ）を示している。符号４１０１は、プリント回路基板３８１０が入出力する信号の透過特性を示している。符号４１０２は、プリント回路基板３８１０が入出力する信号の反射特性を示している。
実線は、図４６に示すように、プリント回路基板３８１０の信号ライン３８１０ａをフレキシブル基板３８３０の信号ライン３８３０ａに接続（接地面の接続も同様）するための半田４２０１の量が多い場合のプリント回路基板３８１０の特性を示している。点線は、図４７に示すように、半田４２０１の量が少ない場合のプリント回路基板３８１０の特性を示している。
図４６および図４７に示すようにプリント回路基板３８１０をフレキシブル基板３８３０に接続する場合、図４５に示すように、プリント回路基板３８１０をフレキシブル基板３８３０に接続するための半田４２０１の量によってプリント回路基板３８１０の透過特性および反射特性が大きく異なる。
これに対して、プリント回路基板３８１０とフレキシブル基板３８３０との接続は、半田を使用しない溶接や圧着の方法によって行うことが考えられる。しかし、フレキシブル基板３８３０は、堅いセラミック基板に対しては接続が可能であるが、樹脂製で柔らかいプリント回路基板３８１０に対しては接続することが困難であり、また、接続後には取り外し再使用することができないという問題がある。
図４８は、従来のプリント回路基板とフレキシブル基板との接続部分の変形例を示す縦断正面図である。図４８に示すように、フレキシブル基板３８３０に別途リード端子４４０１を設け、リード端子４４０１を介してフレキシブル基板３８３０をプリント回路基板３８１０に接続することも考えられる。しかし、フレキシブル基板３８３０は熱に対する耐性が弱く、強度を保ちながらリード端子４４０１を接続することは困難であるという問題がある。
この発明は、上述した問題点を解消するものであり、多層基板同士の高速信号の伝送特性を向上させることができる中継基板および光通信モジュールを提供することを目的とする。
この発明にかかる中継基板は、回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、所定の厚みを有する基板部材と、前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、を備え、前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、前記第１信号路と、前記第２信号路における前記接地面と対応しない部分とは、前記回路搭載基板の接地ラインとの間でマイクロストリップ線路を形成することを特徴とする。
上記構成によれば、信号路の幅を途中で変えることで特性インピーダンスを維持しつつ、基板部材の厚みによって他の多層基板と回路搭載基板との距離が生じ、他の回路が回路搭載基板による影響を受けないようにすることができる。
この発明によれば、多層基板同士の高速信号の伝送特性を向上させることができるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる中継基板および光通信モジュールの好適な実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態）
図１は、実施の形態にかかる中継基板を示す斜視図である。図１に示すように、プリント回路基板１１０には、ＩＣ１１１と、中継基板１２０と、が設けられている。光デバイス１４０（他の回路）にはフレキシブル基板１３０が設けられている。フレキシブル基板１３０は、プリント回路基板１１０の中継基板１２０に接続されている。中継基板１２０は、基板端まで加工が可能で、電極の位置精度が取れるセラミック基板などである。また、中継基板１２０は、プリント回路基板１１０よりも誘電率が高い。
光デバイス１４０は内部に光素子１４０ａを備えている。光デバイス１４０は、プリント回路基板１１０から出力された電気信号を光信号に変換して他の装置へ出力するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やＬＤ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）などのデバイスである。また、光デバイス１４０は、他の装置から出力された光信号を電気信号に変換してプリント回路基板１１０へ出力するＰＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）などのデバイスであってもよい。
プリント回路基板１１０、中継基板１２０、フレキシブル基板１３０および光デバイス１４０は、他の装置と通信を行う光通信モジュールを構成する。光通信モジュールは、ここでは送受信を行うデバイスであるが、光通信モジュールは送信のみを行う光送信モジュールまたは光受信モジュールであってもよい。
図２は、実施の形態にかかる中継基板を示す平面図である。図２の点線に示すように、中継基板（基板部材）１２０の裏面（一方の面）には、信号路１２１ａ（第１信号路）および接地面１２１ｂ（第１接地面）が形成されている。接地面１２１ｂは、信号路１２１ａに対する接地面となっており、信号路１２１ａを囲むコの字型に形成されている。
中継基板１２０の表面（他方の面）には、信号路１２３ａ（第２信号路）、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃ（第２接地面）が配置されている。信号路１２３ａ、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃはコプレーナ線路を形成していてもよい。中継基板１２０の表面の接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは、ビア１２４ｂを介して中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂに接続されている。
また、中継基板１２０は、信号リード端子（Ｓ：Ｓｉｇｎａｌ）１２２ａおよび接地リード端子（Ｇ：Ｇｒａｎｄ）１２２ｂ〜１２２ｆを備えている。信号リード端子１２２ａ、接地リード端子１２２ｂおよび接地リード端子１２２ｃは、中継基板１２０の裏面の一辺に設けられている。接地リード端子１２２ｂおよび接地リード端子１２２ｃは、信号リード端子１２２ａを挟んで設けられている。
接地リード端子１２２ｄ〜１２２ｆは、中継基板１２０の裏面の、信号リード端子１２２ａが設けられた一辺とは反対の辺に設けられている。信号リード端子１２２ａは、中継基板１２０の裏面の信号路１２１ａに対して半田付けなどによって接続されている。接地リード端子１２２ｂ〜１２２ｆは、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂに対して半田付けなどによって接続されている。
ここで、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａは、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分が幅Ｗ１で形成されているとする。また、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａは、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分が幅Ｗ２で形成されているとする。
図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図３に示すように、中継基板１２０の裏面の信号路１２１ａは、中継基板１２０の厚み方向に貫通されたビア１２４ａ（第３信号路）を介して、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａに接続されている。また、信号路１２１ａは、信号リード端子１２２ａからビア１２４ａまでの短い距離によって形成されている。
このように、信号路１２１ａ、ビア１２４ａおよび信号路１２３ａからなる信号路は、中継基板１２０の裏面から他方の面に導出されている。信号路１２１ａの中継基板１２０の裏面の端部は、所定の面積を有し、信号リード端子１２２ａと接続する電極（第１電極）となる。また、信号路１２１ａの中継基板１２０の表面の端部は、所定の面積を有し、フレキシブル基板１３０と接続する電極（第２電極）となる。
なお、ここでは、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａ、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃはビア１２４ａおよびビア１２４ｂを介して裏面の信号路１２１ａおよび接地面１２１ｂに接続されているとして説明したが、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａ、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは、中継基板１２０の側面を経由して裏面の信号路１２１ａおよび接地面１２１ｂに接続されてもよい（以下同様）。
図４は、実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板を示す平面図である。図４において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図４に示すように、プリント回路基板１１０の表面には信号ライン１１０ａが形成されている。また、プリント回路基板１１０の表面には、信号ライン１１０ａを挟んで接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃが形成されている。
信号ライン１１０ａ、接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃはコプレーナ線路を形成している。中継基板１２０の裏面の信号路１２１ａは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと信号リード端子１２２ａを介して接続されている。信号リード端子１２２ａは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａに対して半田付けなどによって接続される。
中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂは、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃと、接地リード端子１２２ｂおよび接地リード端子１２２ｃを介してそれぞれ接続されている。接地リード端子１２２ｂおよび接地リード端子１２２ｃは、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃに対して半田付けなどによってそれぞれ接続される。
点線に示すように、フレキシブル基板１３０の裏面には信号ライン１３１ａが形成されている。また、フレキシブル基板１３０の裏面には、信号ライン１３１ａを挟んで接地ライン１３１ｂおよび接地ライン１３１ｃが形成されている。信号ライン１３１ａ、接地ライン１３１ｂおよび接地ライン１３１ｃはコプレーナ線路を形成している。また、信号ライン１３１ａ、接地ライン１３１ｂ、接地ライン１３１ｃおよび接地ライン１３２はマイクロストリップ線路を形成している。
フレキシブル基板１３０の表面の一面には接地ライン１３２が形成されている。フレキシブル基板１３０の表面の接地ライン１３２は、フレキシブル基板１３０の裏面の接地ライン１３１ｂとビア１３３ｂを介して接続されている。また、接地ライン１３２は、フレキシブル基板１３０の裏面の接地ライン１３１ｃとビア１３３ｃを介して接続されている。
フレキシブル基板１３０の信号電極１３４ａはフレキシブル基板１３０の信号ライン１３１ａから導出されている。フレキシブル基板１３０の接地電極１３４ｂはフレキシブル基板１３０の接地ライン１３１ｂから導出されている。フレキシブル基板１３０の接地電極１３４ｃはフレキシブル基板１３０の接地ライン１３１ｃから導出されている。
フレキシブル基板１３０の信号電極１３４ａは、中継基板１２０の信号路１２３ａに接続されている。フレキシブル基板１３０の接地電極１３４ｂは、中継基板１２０の接地面１２３ｂに接続されている。フレキシブル基板１３０の接地電極１３４ｃは、中継基板１２０の接地面１２３ｃに接続されている。信号電極１３４ａ、接地電極１３４ｂおよび接地電極１３４ｃは、信号路１２３ａ、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃに対して半田付けなどによって接続される。
なお、ここでは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａを、他の電極との干渉を防ぐために接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃで挟む構成としたが、この構成には限らない。たとえば、信号ライン１１０ａと他の電極との間隔が広い場合には接地ライン１１０ｂおよび接地ライン１１０ｃを設けない構成としてもよい。この場合、中継基板１２０の接地面１２１ｂはプリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｂに接続すればよい。
図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図（その１）である。図５において、図３に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図５に示すように、プリント回路基板１１０の内部には接地ライン１１０ｄが内層配線されている。内層配線された接地ライン１１０ｄはプリント回路基板１１０の表面まで導出されている。中継基板１２０の裏面の接地リード端子１２２ｂは、接地ライン１１０ｄのプリント回路基板１１０の表面に導出された部分に対して半田付けなどによって接続されている。
ここで、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂは一定の厚みを有しており、互いに距離を置いて配置されている。このため、信号リード端子１２２ａ、接地リード端子１２２ｂ、中継基板１２０およびプリント回路基板１１０によって空間１２５が形成される。空間１２５の誘電率は１である。
符号１２６ａは信号の接続経路を模式的に示すものである。プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａは、信号リード端子１２２ａ、信号路１２１ａ、ビア１２４ａおよび信号路１２３ａを介してフレキシブル基板１３０の信号ライン１３１ａに接続されている。これにより、フレキシブル基板１３０は、プリント回路基板１１０との間に距離を有してプリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと接続される。
符号１２６ｂは接地面の接続経路を模式的に示すものである。プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄは、接地リード端子１２２ｄ、接地面１２１ｂ、ビア１２４ｂ、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃを介してフレキシブル基板１３０の接地ライン１３２に接続されている。これにより、信号路の接続経路１２６ａは、接地面の接続経路１２６ｂとの間でマイクロストリップ線路を維持しつつ、プリント回路基板１１０とフレキシブル基板１３０とを接続する。
図６は、図４のＢ−Ｂ線断面図（その２）である。図６において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。符号６０１に示すように、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａは、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄと対応してマイクロストリップ線路を形成している。また、符号６０２に示すように、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分は、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄと対応してマイクロストリップ線路を形成している。
また、符号６０３に示すように、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分に対応する接地面は、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂである。このように、中継基板１２０は、信号路１２１ａから信号路１２３ａまで接地面を確保したマイクロストリップ線路となっている。
マイクロストリップ線路のインピーダンスＺ０は、１／Ｚ０∝√εｘｗ／ｈで示すことができる。ここで、εは誘電率、ｗは配線幅、ｈは基板厚である。この式に従えば、インピーダンスＺ０が一定の場合、配線幅ｗは基板厚ｈに反比例する。また、配線幅ｗおよび基板厚ｈのずれによるインピーダンスの誤差はεが小さいほど少ない。
これに基づいて、信号路１２１ａおよび信号路１２３ａは、対応する接地面との間の距離に応じた幅を有している。ここでは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａの幅は、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。
また、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分の幅Ｗ１（図２参照）は、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。また、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分の幅Ｗ２は、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。
符号６０２に示す信号路１２３ａと接地ライン１１０ｂとの距離は、符号６０３に示す信号路１２３ａと接地面１２１ｂとの距離よりも大きい。このため、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａから中継基板１２０の表面の信号路１２３ａまでのマイクロストリップ線路の特性インピーダンスを常に５０Ωとするためには、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａにおける符号６０３で示す部分の幅Ｗ２は、符号６０２で示す部分の幅Ｗ１よりも狭くする（図２参照）。この場合、信号路１２３ａの幅は連続的に変化しているとよい。これにより、より良好な伝送特性を得ることができる。
この構成により、フレキシブル基板１３０は、特性インピーダンスを維持しつつ、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと接続される。また、フレキシブル基板１３０は、プリント回路基板１１０との間に高さ方向の距離を有してプリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと接続される。このため、フレキシブル基板１３０はプリント回路基板１１０の影響を受けずに特性インピーダンスを維持できるため、伝送特性を向上させることができる。
また、中継基板１２０は、基板端まで加工が可能で、電極の位置精度が取れるセラミック基板などであるため、フレキシブル基板１３０を中継基板１２０の端ぎりぎりに接続することができる。このため、フレキシブル基板１３０はプリント回路基板１１０の影響を受けずに特性インピーダンスを維持でき、伝送特性を向上させることができる。
また、幅Ｗ２を幅Ｗ１より狭くすることで、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａから中継基板１２０の信号路１２３ａまでのマイクロストリップ線路の特性インピーダンスを一定（ここでは５０Ω）にすることができる。また、線路の種類を変更することなく特性インピーダンスを確保できるため、高周波信号の接続において高速なデータ伝送特性（たとえば５０ＧＨｚ）を得ることができる。
また、プリント回路基板１１０よりも誘電率が高い材質を中継基板１２０に使用することで、プリント回路基板１１０によるフレキシブル基板１３０への影響を小さくして特性インピーダンスを維持できるため、伝送特性を向上させることができる。また、中継基板１２０の外形を通常のＩＣパッケージと同じ形状にすることにより、プリント回路基板１１０に中継基板１２０を自動搭載することも可能である。
また、中継基板１２０をセラミックによって形成した場合、中継基板１２０は自由に形状を選択できるため、中継基板１２０に設ける電極のサイズの精度を上げることができる。また、中継基板１２０に設ける電極の位置、形状も自由に選択することができるため、プリント回路基板１１０および中継基板１２０を含むモジュールの小型化を図ることができる。
また、マイクロストリップ線路は線路上に半田を塗布しても特性インピーダンスが変わらないため、半田の量による特性インピーダンスの誤差は小さい。このため、安定した特性インピーダンスを得ることができる。また、厚みを有する信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂを介して中継基板１２０をプリント回路基板１１０に接続するため接続部の強度が向上する。
また、厚みを有する信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂを介して中継基板１２０をプリント回路基板１１０に接続するため、中継基板１２０およびフレキシブル基板１３０をプリント回路基板１１０から取り外しても破損が少ない。このため、取り外した中継基板１２０およびフレキシブル基板１３０をプリント回路基板１１０または他の多層基板に再接続することができる。
また、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂを介して中継基板１２０をプリント回路基板１１０に接続することによって形成される空間１２５の誘電率は１であり、セラミックによって形成された中継基板１２０およびプリント回路基板１１０の誘電率に比べてはるかに小さい。このため、半田付けの際に中継基板１２０とプリント回路基板１１０との位置が多少ずれた場合にも特性インピーダンスを維持することができる。
図７は、実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の特性を示す特性図である。図７において、横軸は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の周波数（ＧＨｚ）を示している。符号７０１は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の透過特性を示している。符号７０２は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の反射特性を示している。
点線は、従来のプリント回路基板の特性を示している。実線は、実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したプリント回路基板１１０の特性を示している。図７に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したプリント回路基板１１０は、従来と比べて透過特性が高くなり反射特性が低くなっている。すなわち、実施の形態にプリント回路基板１１０は、従来と比べて透過特性および反射特性が向上している。
符号７０３は、実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したプリント回路基板１１０における、従来のプリント回路基板と比較した帯域の改善量を示している。符号７０３で示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したプリント回路基板１１０における帯域は、従来のプリント回路基板における帯域と比べて約２．５倍に改善されている。
図８は、実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の特性と配線の幅との関係を示す特性図である。図８において、横軸は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の周波数（ＧＨｚ）を示している。符号８０１は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の透過特性を示している。符号８０２は、プリント回路基板１１０が入出力する信号の反射特性を示している。
点線は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を一定とした場合（Ｗ１＝Ｗ２）のプリント回路基板１１０の特性を示している。実線は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を変えた場合（Ｗ１＞Ｗ２、図２参照）のプリント回路基板１１０の特性を示している。図８に示すように、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を変えた場合のプリント回路基板１１０は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を一定とした場合のプリント回路基板１１０と比べて透過特性が高くなり反射特性が低くなっている。
符号８０３は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を変えた場合のプリント回路基板１１０における、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を一定とした場合のプリント回路基板１１０と比較した帯域の改善量を示している。符号８０３で示すように、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を変えた場合のプリント回路基板１１０における帯域は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａの幅を一定とした場合のプリント回路基板１１０における帯域と比べて約７０％改善されている。
図９は、実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の帯域とリード端子の厚みとの関係を示す特性図である。図９において、横軸は、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂの厚み（ｍｍ）を示している。縦軸は、プリント回路基板１１０の帯域（ＧＨｚ）を示している。
図９に示すように、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂ〜１２２ｆの厚みの広い範囲において安定した帯域を得ることができる。特に、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂ〜１２２ｆの厚みを０．０５ｍｍ〜０．２５ｍｍとすることで、たとえば半田量が変化した場合でも良好な特性を安定して得ることができる。
図１０は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１の中継基板を示す平面図である。図１０において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１０の点線に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例１は、内部に信号路１００１（第４信号路）を通過させるストリップライン構造である。
また、中継基板１２０の表面に形成された接地面１００２は、信号路１２３ａを囲むコの字型に形成されている。このため、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１は、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂと、表面の接地面１００２と、に挟まれる。この構成により、より厚い中継基板１２０を用いた接続が可能になり、中継基板１２０の厚みが必要な状況にも対応することができる。
図１１は、図１０のＣ−Ｃ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。図１１において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１１に示すように、中継基板１２０の裏面の信号路１２１ａは、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の一端にビア１１０１を介して接続されている。
中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の他端は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａにビア１１０２を介して接続されている。符号１１０３に示すように、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａは、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄと対応してマイクロストリップ線路を形成している。
また、符号１１０４に示すように、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分は、中継基板１２０の表面の接地面１００２と対応してマイクロストリップ線路を形成している。また、符号１１０５に示すように、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分は、中継基板１２０の表面の接地面１００２および中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂと対応してマイクロストリップ線路を形成している。
信号路１００１は、対応する接地面との間の距離に応じた幅を有している。ここでは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａの幅は、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。また、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分の幅Ｗ１は、中継基板１２０の表面の接地面１００２との間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。
また、中継基板１２０の内部を通過する信号路１００１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分の幅Ｗ２は、中継基板１２０の表面の接地面１００２および中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。なお、中継基板１２０の表面に形成された接地面１００２は、中継基板１２０の内部にビア１１０１が通過している部分には形成されないようにすることで、特性インピーダンスをより安定して維持することができる。
この構成においても、フレキシブル基板１３０は、特性インピーダンスを維持しつつ、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと接続される。また、フレキシブル基板１３０は、プリント回路基板１１０との間に高さ方向の距離を有してプリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａと接続される。このため、フレキシブル基板１３０はプリント回路基板１１０の影響を受けずに特性インピーダンスを維持できるため、伝送特性を向上させることができる。
また、中継基板１２０は、基板端まで加工が可能で、電極の位置精度が取れるセラミック基板などであるため、フレキシブル基板１３０を中継基板１２０の端ぎりぎりに接続することができる。このため、フレキシブル基板１３０はプリント回路基板１１０の影響を受けずに特性インピーダンスを維持でき、伝送特性を向上させることができる。
図１２は、フレキシブル基板の信号路が形成された面の一例を示す平面図である。図１２に示すように、フレキシブル基板１３０の信号ライン１３１ａが形成された面には、信号ライン１３１ａを挟んで接地ライン１３１ｂおよび接地ライン１３１ｃが形成されている。接地ライン１３１ｂは、反対面に形成された接地ライン１３２にビア１３３ｂを介して接続されている。接地ライン１３１ｃは、反対面に形成された接地ライン１３２にビア１３３ｃを介して接続されている。
ここで、信号ライン１３１ａの、信号電極１３４ａとは反対側の端部の電極を信号電極１２０４ａとする。接地ライン１３１ｂの、接地電極１３４ｂとは反対側の端部の電極を接地電極１２０４ｂとする。接地ライン１３１ｃの、接地電極１３４ｃとは反対側の端部の電極を接地電極１２０４ｃとする。
図１３は、図１２のＤ−Ｄ線断面図である。図１３に示すように、フレキシブル基板１３０は、基板部１３０１を、信号ライン１３１ａが形成された面と、接地ライン１３２とを挟むことによって形成されている。信号ライン１３１ａの信号電極１３４ａおよび信号電極１２０４ａは、基板部１３０１および接地ライン１３２から突出するように信号ライン１３１ａから導出されている。基板部１３０１は、ポリィミドなどの可撓性を有する基板である。また、基板部１３０１には、より特性のよい液晶ポリマーなどを使用してもよい。
図１４は、フレキシブル基板と光デバイスとの接続部を示す斜視図である。図１５は、図１４のＥ−Ｅ線断面図である。図１４および図１５に示すように、フレキシブル基板１３０は、信号ライン１３１ａが形成された面を光デバイス１４０側にして光デバイス１４０に接続されている。光デバイス１４０には、セラミック基板１５０１を挟んで信号ライン１５０２ａおよび接地ライン１５０３が形成されている。
フレキシブル基板１３０の信号ライン１３１ａの信号電極１２０４ａは、光デバイス１４０の信号ライン１５０２ａに半田付けなどによって接続されている。また、フレキシブル基板１３０の接地ライン１３１ｂの接地電極１２０４ｂは、光デバイス１４０の接地ライン１５０２ｂに半田付などによって接続されている。また、フレキシブル基板１３０の接地ライン１３１ｃの接地電極１２０４ｃは、光デバイス１４０の接地ライン１５０２ｃに半田付などによって接続されている。
図１６は、実施の形態にかかる中継基板の変形例２を示す斜視図である。図１７は、図１６のＦ−Ｆ線断面図である。図１６に示すように、中継基板１２０の変形例２に接続されるフレキシブル基板１６００の裏面には、信号ライン１６０１ａが形成されている。また、フレキシブル基板１６００の裏面には、信号ライン１６０１ａを挟んで接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃが形成されている。信号ライン１６０１ａ、接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃはコプレーナ線路を形成している。
フレキシブル基板１６００の表面の一面には接地ライン１６０２が形成されている。フレキシブル基板１６００の表面の接地ライン１６０２は、フレキシブル基板１６００の裏面の接地ライン１６０１ｂとビア１６０３ｂを介して接続されている。また、接地ライン１６０２は、フレキシブル基板１６００の裏面の接地ライン１６０１ｃとビア１６０３ｃを介して接続されている。信号ライン１６０１ａ、接地ライン１６０１ｂ、接地ライン１６０１ｃおよび接地ライン１６０２はマイクロストリップ線路を形成している。
フレキシブル基板１６００の信号電極１６０４ａは、フレキシブル基板１６００の信号ライン１６０１ａから導出されている。また、信号電極１６０４ａは、フレキシブル基板１６００の端から突出するように導出されている。導出された信号電極１６０４ａは、中継基板１２０の信号路１２３ａに半田付けなどによって接続されている。
図１６および図１７に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例２は、フレキシブル基板１６００の信号ライン１３１ａの配置位置付近に窪み１６０５（所定の窪み）を有する。また、中継基板１２０の表面に形成された接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは面積が広く形成されている。たとえば、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは、信号路１２３ａと比較して面積が十分に広く形成されている。
フレキシブル基板１６００の接地ライン１６０２が形成された面の、信号電極１６０４ａが導出されている側の端部には、フレキシブル基板１６００の接地ライン１６０１ｂを露出させた穴１６０６ｂと、フレキシブル基板１６００の裏面の接地ライン１６０１ｃを露出させた穴１６０６ｃと、が形成されている。フレキシブル基板１６００の接地ライン１６０１ｂの裏側が穴１６０６ｂによって露出した部分は、プリント回路基板１１０の接地面１２３ｂに接続される接地電極１６０４ｂとなる。
フレキシブル基板１６００の接地ライン１６０１ｃの裏側が穴１６０６ｃによって露出した部分は、中継基板１２０の接地面１２３ｃに接続される接地電極１６０４ｃとなる。接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃは、たとえば、穴１６０６ｂおよび穴１６０６ｃからレーザにより加熱することで接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃに融解固定される。
この構成により、接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃと、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃと、の接続面積を大きくすることができる。この構成により、中継基板１２０の接地面とフレキシブル基板１６００との接続部分の接続強度を向上させることができる。
また、中継基板１２０の信号路１２３ａと、フレキシブル基板１６００の信号電極１６０４ａと、の接続部分にかかる応力を小さくし、信号の接続経路１２６ａ（図５参照）の耐久性を高めることができる。また、中継基板１２０の、フレキシブル基板１６００の信号ライン１３１ａ付近に窪み１６０５が設けられていることで、フレキシブル基板１６００が中継基板１２０から受ける影響を低減することができ、特性インピーダンスを維持することができる。
なお、接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃを接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃにそれぞれ固定するためには固定材料を用いてもよい。具体的には、接地ライン１６０１ｂおよび接地面１２３ｂの間と、接地ライン１６０１ｃおよび接地面１２３ｃの間と、に固定材料をそれぞれ設ける。固定材料には、金（Ａｕ）、鈴（Ｓｎ）またはアルミ（Ａｌ）などを用いる。
たとえば、中継基板１２０の接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃにあらかじめ固定材料をメッキしておき、フレキシブル基板１６００の接地ライン１６０１ｂおよび接地ライン１６０１ｃを接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃにそれぞれ配置した後、穴１６０６ｂおよび穴１６０６ｃからレーザにより加熱することで、接地電極１６０４ｂおよび接地電極１６０４ｃを接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃにそれぞれ融解固定する。なお、固定材料には半田ボールなどを用いてもよい。また、融解固定の他に、圧着固定などの方法を用いてもよい。
図１８は、実施の形態にかかる中継基板の変形例３を示す平面図である。図１８において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例３は、信号リード端子および信号電極を複数備えている。たとえば、図１８に示すように、中継基板１２０は、図２で示した構成に加えて信号路１８０１、信号路１８０２、信号リード端子１８０３ａおよび接地リード端子１８０３ｂを備えている。
信号路１８０１は、中継基板１２０の裏面の、信号路１２１ａと接地面１２１ｂとの間に設けられている。信号路１８０２は、中継基板１２０の表面の、信号路１２３ａと接地面１２３ｂとの間に設けられている。信号リード端子１８０３ａは、信号リード端子１２２ａと接地リード端子１２２ｃとの間に設けられている。接地リード端子１８０３ｂは、接地リード端子１２２ｄと接地リード端子１２２ｆとの間に設けられている。
信号路１８０１は、信号リード端子１８０３ａに対して半田付などによって接続されている。また、信号路１８０１は、図示しないビアを介して信号リード端子１８０２に接続されている。接地リード端子１８０３ｂは、接地ライン１１０ｄのプリント回路基板１１０の表面に導出された部分（図５参照）に対して半田付けなどによって接続されている。この構成により、中継基板１２０は、プリント回路基板１１０とフレキシブル基板１３０との間に信号路（たとえば差動の信号路）が複数ある場合にも、それぞれの信号路の接続を中継することができる。
図１９は、実施の形態にかかる中継基板の変形例４を示す斜視図である。図１９において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図１９に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例４の中継基板１２０は、多数（ここでは２２個）のリード端子１９０１を備えている。
また、中継基板１２０は、中継基板１２０の裏面に設けられた信号路（上述した信号路１２１ａと同様）および表面に設けられた信号路（上述した信号路１２３ａと同様）を、リード端子１９０１に対応した数だけ備える。この構成により、中継基板１２０は、プリント回路基板１１０およびフレキシブル基板１３０に信号路（たとえば低速の制御ケーブル）が多数ある場合にも、それぞれの信号路の接続を中継することができる。
図２０は、実施の形態にかかる中継基板の変形例５を示す平面図である。図２０に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例５は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａ上に電子部品２００１が配置されている。セラミックなどによって形成される中継基板１２０上に電子部品２００１を配置することで、良好な特性インピーダンスを得ることができる。また、電子部品２００１は、フレキシブル基板１３０上に配置してもよい。
図２１は、実施の形態にかかる中継基板を両端に接続したフレキシブル基板を示す縦断正面図である。図２１に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０を、フレキシブル基板１３０の両端にそれぞれ接続してもよい。この構成により、フレキシブル基板１３０に接続された両方の多層基板（プリント回路基板１１０（不図示））間を、特性を向上させた状態で中継することもできる。
図２２は、実施の形態にかかる中継基板および多層基板を接続したフレキシブル基板を示す縦断正面図である。図２２に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０に接続されたフレキシブル基板１３０の他端は、多層基板２２００に接続されている。多層基板２２００の表面には、信号ライン２２０２ａと、信号ライン２２０２ａを挟む接地ライン２２０２ｂおよび接地ライン２２０２ｃと、が形成されている。
信号ライン２２０２ａ、接地ライン２２０２ｂおよび接地ライン２２０２ｃはコプレーナ線路を形成している。このように、実施の形態にかかる中継基板１２０は、上述したプリント回路基板１１０と光デバイス１４０との接続に限らず、回路を搭載した基板とその他の多層基板同士を接続する場合の中継に利用することができる。
図２３は、実施の形態にかかる中継基板の変形例６を示す平面図である。図２３において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２３に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例６は、プリント回路基板１１０と接続する信号路１２１ａと接地面１２１ｂとの間のピッチ２３０１と、フレキシブル基板１３０と接続する信号路１２３ａと、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃと、の間のピッチ２３０２と、が異なるように形成される。
ここでは、接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃをコプレーナ線路として信号路１２３ａに近づけるように形成することで、ピッチ２３０２をピッチ２３０１よりも小さくしている。反対に、接地面１２１ｂをコプレーナ線路として信号路１２１ａに近づけるように形成することで、ピッチ２３０１をピッチ２３０２よりも小さくしてもよい。
図２４は、実施の形態にかかる中継基板の変形例７を示す平面図である。図２４において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２４に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例７は、リード端子２４０１とリード端子２４０２（位置決めリード端子）とを備えている。リード端子２４０１およびリード端子２４０２は、中継基板１２０の、信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂ〜１２２ｆが設けられていない２辺にそれぞれ設けられている。
プリント回路基板１１０のリード端子２４０１およびリード端子２４０２を配置すべき場所に印を付けておき、プリント回路基板１１０に中継基板１２０を配置するための位置決め部材としてリード端子２４０１およびリード端子２４０２を用いる構成とする。これにより、プリント回路基板１１０に対する中継基板１２０の位置決め作業が容易になる。
また、中継基板１２０に設けられたリード端子２４０１およびリード端子２４０２をプリント回路基板１１０に固定する構成としてもよい。これにより、リード端子２４０１およびリード端子２４０２の配置方向の、プリント回路基板１１０と中継基板１２０との接続部分の強度を向上させ、同方向の位置ずれを防止することができる。
図２５は、実施の形態にかかる中継基板の変形例８を示す縦断正面図である。図２５において、図３に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２５に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例８の信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂ（図示しない接地リード端子１２２ｃ〜１２２ｆも同様）は、中継基板１２０の外形の外側に出ないように配置されていてもよい。
この構成により、プリント回路基板１１０における中継基板１２０の取り付け部分の面積を小さくすることができる。これにより、プリント回路基板１１０の小型化を図ることができる。また、中継基板１２０をプリント回路基板１１０の端ぎりぎりに接続することができる。これにより、プリント回路基板１１０は、より良好な特性を安定して得ることができる。
図２６は、実施の形態にかかる中継基板の変形例９を示す平面図である。図２６において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２６の点線に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例９は、内部に信号路２６０１を通過させるストリップライン構造である。この構成により、より厚い中継基板１２０を用いた接続が可能になる。
図２７は、図２６のＧ−Ｇ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。図２７において、図１１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２７に示すように、中継基板１２０の裏面の信号路１２１ａは、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の一端にビア１１０１を介して接続されている。信号路２６０１の他端は、中継基板１２０の表面の信号路１２３ａにビア１１０２を介して接続されている。
符号２７０１に示すように、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａは、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄと対応してマイクロストリップ線路を形成している。また、符号２７０２に示すように、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分は、プリント回路基板１１０表面の接地ライン１１０ｂと対応してマイクロストリップ線路を形成している。
また、符号２７０３に示すように、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分は、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂと対応してマイクロストリップ線路を形成している。信号路２６０１は、対応する接地面との間の距離に応じた幅を有している。ここでは、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａの幅は、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｄとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。
また、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されていない部分の幅Ｗ１は、プリント回路基板１１０表面の接地ライン１１０ｂとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。また、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の、中継基板１２０の裏面に接地面１２１ｂが形成されている部分の幅Ｗ２は、中継基板１２０の裏面の接地面１２１ｂとの間で特性インピーダンスを５０Ωに保つ幅とされている。
符号２７０２に示す信号路１２３ａと接地ライン１１０ｂとの距離は、符号２７０３に示す信号路１２３ａと接地面１２１ｂとの距離よりも大きい。このため、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａから中継基板１２０の表面の信号路１２３ａまでのマイクロストリップ線路の特性インピーダンスを常に５０Ωとするためには、中継基板１２０の内部を通過する信号路２６０１の符号２７０２に示す部分の幅Ｗ２は、符号２７０３に示す部分の幅Ｗ１よりも狭くする（図２６参照）。
図２８は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１０を示す平面図である。図２８において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２８に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例１０の裏面の接地面１２１ｂは、信号路１２１ａを囲むコの字型の内側に傾斜部１２３ｂａを有する。この構成により、プリント回路基板１１０の特性をさらに向上させることができる。
図２９は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１１を示す平面図である。図２９において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２９に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例１１は、導体ボール２９０１ａ〜導体ボール２９０１ｉを介してプリント回路基板１１０に接続されている。
導体ボール２９０１ａは、中継基板１２０の信号路１２１ａとプリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａとに接続されている。導体ボール２９０１ｂ〜導体ボール２９０１ｉは、中継基板１２０の接地面１２１ｂと、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｂ、接地ライン１１０ｃまたは接地ライン１１０ｄと、に接続されている。
図３０は、図２９のＨ−Ｈ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。図３０において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３０に示すように、導体ボール２９０１ａ〜導体ボール２９０１ｉは所定の厚みを有している。導体ボール２９０１ａ〜導体ボール２９０１ｉは、たとえば半田ボールである。導体ボール２９０１ａ〜導体ボール２９０１ｉは、半田付などによって中継基板１２０およびプリント回路基板１１０に接続される。
図３１は、実施の形態にかかる中継基板を適用したＩＣパッケージを示す斜視図である。実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したＩＣパッケージ３１００は、プリント回路基板３１１０と、中継基板３１２０と、ＩＣ３１３０と、を備えている。プリント回路基板３１１０は、上述したプリント回路基板１１０と同様のものである。中継基板３１２０には、上述した各種の中継基板１２０を用いることができる。
図３２は、図３１のＩ−Ｉ線断面図である。図３２において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３２に示すように、ＩＣ３１３０の信号ラインは、中継基板３１２０の信号路１２３ａに対して半田付けなどによって接続されている。また、図示しないが、ＩＣ３１３０の接地面は、中継基板３１２０の接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃに対して半田付けなどによって接続されている。
また、上述したように、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａから中継基板１２０の信号路１２３ａまでのマイクロストリップ線路の特性インピーダンスが一定となるように各信号路および接地面を形成する。この構成により、ＩＣ３１３０とプリント回路基板３１１０との間の高速信号の伝送特性を向上させることができる。このように、実施の形態にかかる中継基板１２０は、多層基板同士の接続の他に、多層基板とＩＣとの接続などにも利用することができる。
図３３は、実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の変形例を示す平面図である。図３４は、図３３のＪ−Ｊ線断面図である。図３３および図３４において、図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３３に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０を適用したプリント回路基板１１０の変形例１は、図５に示した構成に加えてソケット３３１０（固定機構）を備えている。
ソケット３３１０は、差し込み部３３１１と、Ｐｉｎ押さえ部３３１２と、を備えている。差し込み部３３１１は、中継基板１２０の一辺が備える複数のリード端子１２２Ａを差し込む差し込み口３３１１ａを有しており、中継基板１２０の一辺が備える複数のリード端子１２２Ａをプリント回路基板１１０に固定する。
Ｐｉｎ押さえ部３３１２は、軸３３１２ｂを中心として図の矢印方向に回転する固定クリップ３３１２ａを有している。固定クリップ３３１２ａは、中継基板１２０の他辺が備える複数のリード端子１２２Ｂをプリント回路基板１１０に固定する。また、固定クリップ３３１２ａは、図の矢印方向に回転することで複数のリード端子１２２Ｂを開放し、プリント回路基板１１０から取り外し可能にする。
この構成により、プリント回路基板１１０が備えるソケット３３１０が中継基板１２０の複数のリード端子１２２Ａおよびリード端子１２２Ｂを着脱自在に固定することができる。また、ソケット３３１０によって中継基板１２０のプリント回路基板１１０に対する位置決めがなされる。
これにより、プリント回路基板１１０に中継基板１２０を容易に固定することができる。また、中継基板１２０をプリント回路基板１１０から取り外しても破損がないため、取り外した中継基板１２０をプリント回路基板１１０または他の多層基板に再接続することができる。
図３５は、実施の形態にかかる中継基板に直接接続された光デバイスを示す斜視図である。図３５において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３５に示すように、光デバイス１４０は、フレキシブル基板１３０を介さず中継基板１２０に直接に接続されている。
図３６は、実施の形態にかかる中継基板に直接接続された光デバイスを示す平面図である。図３７は、図３６のＫ−Ｋ線断面図である。図３６および図３７において、図４および図５に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３６に示すように、光デバイス１４０は接続のための基板３６０１を備えている。基板３６０１の表面には、信号ライン３６０２ａと、信号ライン３６０２ａを挟む接地ライン３６０２ｂおよび接地ライン３６０２ｃと、が形成されている。
信号ライン３６０２ａ、接地ライン３６０２ｂおよび接地ライン３６０２ｃはコプレーナ線路を形成している。光デバイス１４０の信号ライン３６０２ａは、ワイヤ３６０３ａを介して中継基板１２０の信号路１２３ａに接続されている。光デバイス１４０の接地ライン３６０２ｂは、ワイヤ３６０３ｂを介して中継基板１２０の接地面１２３ｂに接続されている。光デバイス１４０の接地ライン３６０２ｃは、ワイヤ３６０３ｃを介して中継基板１２０の接地面１２３ｃに接続されている。
中継基板１２０は、基板端まで加工が可能で、電極の位置精度が取れるセラミック基板などであるため、中継基板１２０と光デバイス１４０とを接続するワイヤ３６０２ａ〜３６０２ｃの長さを短く（たとえば、２００μｍ以下に）することができる。このため、２０Ｇｂｐｓ，４０Ｇｂｐｓなどの高速伝送の特性を確保することができる。
図３８は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１２を示す平面図である。図３８において、図２に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図２においては、中継基板１２０の表面の接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは、信号路１２３ａを挟んで形成され、コプレーナ線路を形成してもよいと説明したが、本発明においてはこの構成に限られない。
本発明においては、信号路１２１ａから信号路１２３ａまでマイクロストリップ線路が維持されていればよい。たとえば、図３８に示すように、中継基板１２０の表面の接地面１２３ｂおよび接地面１２３ｃは、フレキシブル基板１３０の接地電極１３４ｂおよび接地電極１３４ｃとの接続部分のみが形成されていてもよい。このような構成においても特性インピーダンスを維持することができる。
図３９は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１３を示す平面図である。図３９において、図２９に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図３９に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例１３は、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）３９０１ａ〜ＬＧＡ３９０１ｉを介してプリント回路基板１１０に接続されている。
ＬＧＡ３９０１ａは、中継基板１２０の信号路１２１ａとプリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａとに接続されている。ＬＧＡ３９０１ｂ〜ＬＧＡ３９０１ｉは、中継基板１２０の接地面１２１ｂと、プリント回路基板１１０の接地ライン１１０ｂ、接地ライン１１０ｃまたは接地ライン１１０ｄと、に接続されている。
図４０は、図３９のＬ−Ｌ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。図３０において、図３０に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図４０に示すように、ＬＧＡ３９０１ａ〜ＬＧＡ３９０１ｉは所定の厚みを有している。ＬＧＡ３９０１ａ〜ＬＧＡ３９０１ｉは、半田付などによって中継基板１２０およびプリント回路基板１１０に接続される。
図４１は、実施の形態にかかる中継基板の変形例１４を示す平面図である。図４１において、図１に示した構成と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。図４１に示すように、実施の形態にかかる中継基板１２０の変形例１４は、ＩＣ４１２０を搭載したＩＣパッケージ４１２０と、他の回路（ここでは光デバイス１４０）と、の接続を中継してもよい。この場合、中継基板１２０の信号リード端子１２２ａは、ＩＣパッケージ４１２０上に形成された信号電極に直接接続される。
以上説明したように、この発明にかかる中継基板１２０によれば、フレキシブル基板１３０は、特性インピーダンスを維持しつつ、プリント回路基板１１０との間に距離を有してプリント回路基板１１０と接続される。このため、この発明にかかる中継基板１２０によれば、フレキシブル基板１３０はプリント回路基板１１０の影響を受けずに特性インピーダンスを維持できるため、高速信号の伝送特性を向上させることができる。
また、この発明にかかる中継基板１２０によれば、信号路１２３ａの幅を途中で変えることで、プリント回路基板１１０の信号ライン１１０ａから中継基板１２０の信号路１２３ａまでのマイクロストリップ線路の特性インピーダンスを一定にすることができる。このため、この発明にかかる中継基板１２０によれば、高速信号の伝送特性を向上させることができる。
また、この発明にかかる中継基板１２０によれば、厚みを有する信号リード端子１２２ａおよび接地リード端子１２２ｂを介して中継基板１２０をプリント回路基板１１０に接続するため、中継基板１２０およびフレキシブル基板１３０をプリント回路基板１１０から取り外しても破損が少ない。このため、取り外した中継基板１２０およびフレキシブル基板１３０をプリント回路基板１１０または他の回路に再接続することができる。
（付記１）回路搭載基板と他の回路との接続を中継する中継基板であって、
所定の厚みを有する基板部材と、
前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路と、
前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極とを備え、
前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有することを特徴とする中継基板。
（付記２）前記信号路は、
前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、
前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、
前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを備えることを特徴とする付記１に記載の中継基板。
（付記３）前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面をさらに備えることを特徴とする付記２に記載の中継基板。
（付記４）前記第１信号路と、前記第２信号路における前記接地面と対応しない部分とは、前記回路搭載基板の接地ラインと対応することを特徴とする付記３に記載の中継基板。
（付記５）前記第２信号路は、前記接地面と対応する部分の幅が、前記接地面と対応しない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする付記３または４に記載の中継基板。
（付記６）前記第３信号路は、前記基板部材の厚さ方向に貫通されたビアであることを特徴とする付記２〜５のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記７）前記第３信号路は、前記基板部材の側面に形成されることを特徴とする付記２〜５のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記８）前記第１信号路は、前記回路搭載基板の信号ラインとの接続部分から前記第３信号路に至るまでの距離で形成され、
前記接地面は、前記第１信号路を囲むコの字型に形成されていることを特徴とする付記３〜７のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記９）所定の厚みを有する信号リード端子および接地リード端子をさらに備え、
前記信号路は、前記信号リード端子を介して前記回路搭載基板の信号ラインに接続され、
前記接地面は、前記接地リード端子を介して前記回路搭載基板の接地ラインに接続されることを特徴とする付記３〜８のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記１０）前記回路搭載基板の接地ラインは、前記基板部材、前記信号リード端子、前記接地リード端子および前記回路搭載基板によって囲まれる空間を介して前記第２信号路と対応することを特徴とする付記９に記載の中継基板。
（付記１１）前記信号リード端子および前記接地リード端子は、前記基板部材の外形から外側に出ないように配置されていることを特徴とする付記９または１０に記載の中継基板。
（付記１２）前記信号リード端子および接地リード端子の少なくとも一方を前記回路搭載基板に着脱自在に固定する固定機構をさらに備えることを特徴とする付記９または１０に記載の中継基板。
（付記１３）前記信号リード端子および接地リード端子は導体ボールであることを特徴とする付記９または１０に記載の中継基板。
（付記１４）前記信号リード端子および接地リード端子はＬＧＡであることを特徴とする付記９または１０に記載の中継基板。
（付記１５）前記信号リード端子および接地リード端子の厚みは０．０５ｍｍ〜０．２５ｍｍであることを特徴とする付記９〜１４のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記１６）前記第２信号路は、連続的に幅が変化するように形成されていることを特徴とする付記２〜１５のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記１７）前記接地面は、前記第１信号路を囲み、内側に傾斜部を有するコの字型に形成されていることを特徴とする付記８に記載の中継基板。
（付記１８）前記第３信号路は、
前記基板部材に内層配線された第４信号路と、
前記第４信号路の両端を前記第１信号路と前記第２信号路とにそれぞれ接続する２つのビアとを備えることを特徴とする付記２に記載の中継基板。
（付記１９）前記基板部材の一方の面に形成され、前記第４信号路の一部と対応する接地面をさらに備えることを特徴とする付記１８に記載の中継基板。
（付記２０）前記基板部材の他方の面に形成され、前記第４信号路の一部と対応する第２接地面をさらに備え、
前記第２信号路は、前記他の回路の信号ラインとの接続部分から前記第４信号路と接続するビアに至るまでの距離で形成され、
前記第２接地面は、前記第２信号路を囲むコの字型に形成されていることを特徴とする付記１８または１９に記載の中継基板。
（付記２１）前記第４信号路は、前記接地面と対応する部分の幅が、前記接地面と対応しない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする付記１８〜２０のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２２）前記信号路は、前記他の回路としてフレキシブル基板の信号ラインに接続されることを特徴とする付記３〜２１のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２３）前記フレキシブル基板の接地ラインと前記接地面との接続部分の面積は、前記フレキシブル基板の信号ラインと前記信号路との接続部分の面積よりも大きく、
前記フレキシブル基板は、前記接地ラインと前記接地面との接続部分を溶接または圧着することで前記基板部材に固定されることを特徴とする付記２２に記載の中継基板。
（付記２４）前記基板部材は、接続される前記フレキシブル基板の信号ライン付近に所定の窪みを有することを特徴とする付記２２または付記２３に記載の中継基板。
（付記２５）前記フレキシブル基板の基板部材は液晶ポリマーであることを特徴とする付記２２〜２４のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２６）前記フレキシブル基板の、前記信号路および前記接地面に接続された端部とは反対側の端部は、付記１〜２１のいずれか一つに記載の別の中継基板に接続されていることを特徴とする付記２２〜２５のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２７）前記信号路は、前記他の回路として光デバイスの信号ラインにワイヤを介して接続されることを特徴とする付記１〜２１のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２８）前記信号路は、前記他の回路として半導体集積回路の信号ラインと接続されていることを特徴とする付記１〜２１のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記２９）前記回路搭載基板は前記信号ラインを複数備え、
前記信号路は、前記回路搭載基板の複数の信号ラインのそれぞれに対応して複数設けられていることを特徴とする付記１〜２８のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３０）前記回路搭載基板に対する配置位置を決める位置決めリード端子をさらに備えることを特徴とする付記１〜２９のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３１）前記第１電極は、前記回路搭載基板としてＩＣを搭載したＩＣパッケージの信号ラインに接続されることを特徴とする付記１〜３０のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３２）前記基板部材の他方の面に形成され、前記第２信号路と対応する第２接地面をさらに備え、
前記第１信号路および前記接地面の間のピッチは、前記第２信号路および前記第２接地面の間のピッチと異なることを特徴とする付記１〜３１のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３３）前記基板部材は、前記回路搭載基板よりも誘電率が高い部材であることを特徴とする付記１〜３２のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３４）前記基板部材はセラミックであることを特徴とする付記１〜３３のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３５）前記基板部材の他方の面に電子部品を備えることを特徴とする付記１〜３４のいずれか一つに記載の中継基板。
（付記３６）付記１〜３５のいずれか一つに記載の中継基板を備えることを特徴とする光通信モジュール。
以上のように、この発明にかかる中継基板および光通信モジュールは、プリント回路基板と他の回路との接続に有用であり、特に、高速信号の接続を行う場合に適している。
実施の形態にかかる中継基板を示す斜視図である。 実施の形態にかかる中継基板を示す平面図である。 図２のＡ−Ａ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板を示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ線断面図（その１）である。 図４のＢ−Ｂ線断面図（その２）である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の特性を示す特性図である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の特性と配線の幅との関係を示す特性図である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の帯域とリード端子の厚みとの関係を示す特性図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１の中継基板を示す平面図である。 図１０のＣ−Ｃ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。 フレキシブル基板の信号路が形成された面の一例を示す平面図である。 図１２のＤ−Ｄ線断面図である。 フレキシブル基板と光デバイスとの接続部を示す斜視図である。 図１４のＥ−Ｅ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例２を示す斜視図である。 図１６のＦ−Ｆ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例３を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例４を示す斜視図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例５を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板を両端に接続したフレキシブル基板を示す縦断正面図である。 実施の形態にかかる中継基板および多層基板を接続したフレキシブル基板を示す縦断正面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例６を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例７を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例８を示す縦断正面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例９を示す平面図である。 図２６のＧ−Ｇ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１０を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１１を示す平面図である。 図２９のＨ−Ｈ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したＩＣパッケージを示す斜視図である。 図３１のＩ−Ｉ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板を適用したプリント回路基板の変形例を示す平面図である。 図３３のＪ−Ｊ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板に直接接続された光デバイスを示す斜視図である。 実施の形態にかかる中継基板に直接接続された光デバイスを示す平面図である。 図３６のＫ−Ｋ線断面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１２を示す平面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１３を示す平面図である。 図３９のＬ−Ｌ線断面およびプリント回路基板を示す断面図である。 実施の形態にかかる中継基板の変形例１４を示す斜視図である。 従来のプリント回路基板と光デバイスとの接続形態を示す斜視図である。 従来のプリント回路基板とフレキシブル基板との接続部を示す斜視図である。 図４３のＭ−Ｍ線断面図である。 従来のプリント回路基板の特性と半田量との関係を示す特性図である。 図４３のＭ−Ｍ線断面図（半田量多）である。 図４３のＭ−Ｍ線断面図（半田量少）である。 従来のプリント回路基板とフレキシブル基板との接続部分の変形例を示す縦断正面図である。
符号の説明
１１０，３１１０ プリント回路基板
１１１，３１３０ ＩＣ
１１０ａ，１３１ａ 信号ライン
１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３２ 接地ライン
１２０，３１２０ 中継基板
１２１ａ，１２３ａ，１００１ 信号路
１２１ｂ，１２３ｂ，１２３ｃ，１００２ 接地面
１２２ａ，１８０３ａ 信号リード端子
１２２ｂ〜１２２ｆ，１８０３ｂ 接地リード端子
１２４ａ，１２４ｂ，１１０１，１１０２ ビア
１２５ 空間
１３０ フレキシブル基板
１４０ 光デバイス
１６０５ 窪み
２９０１ａ〜２９０１ｉ 導体ボール
３３１０ ソケット
３６０３ａ〜３６０３ｃ ワイヤ

Claims (10)

  1. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記第１信号路と、前記第２信号路における前記接地面と対応しない部分とは、前記回路搭載基板の接地ラインとの間でマイクロストリップ線路を形成することを特徴とする中継基板。
  2. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記第２信号路は、前記接地面と対応する部分の幅が、前記接地面と対応しない部分の幅よりも狭く形成されていることを特徴とする中継基板。
  3. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記第１信号路は、前記回路搭載基板の信号ラインとの接続部分から前記第３信号路に至るまでの距離で形成され、
    前記接地面は、前記第１信号路を囲むコの字型に形成されていることを特徴とする中継基板。
  4. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    所定の厚みを有する信号リード端子および接地リード端子と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、前記信号リード端子を介して前記回路搭載基板の信号ラインに接続され、
    前記接地面は、前記接地リード端子を介して前記回路搭載基板の接地ラインに接続され、
    前記回路搭載基板の接地ラインは、前記基板部材、前記信号リード端子、前記接地リード端子および前記回路搭載基板によって囲まれる空間を介して前記第２信号路と対応することを特徴とする中継基板。
  5. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極とを備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記第３信号路は、前記基板部材に内層配線された第４信号路と、前記第４信号路の両端を前記第１信号路と前記第２信号路とにそれぞれ接続する２つのビアとを備え、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第４信号路の一部と対応する第１接地面と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記第４信号路の一部と対応する第２接地面と、
    をさらに備え、
    前記第２信号路は、前記他の回路の信号ラインとの接続部分から前記第４信号路と接続するビアに至るまでの距離で形成され、
    前記第２接地面は、前記第２信号路を囲むコの字型に形成されていることを特徴とする中継基板。
  6. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に連続的に幅が変化するように形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極とを備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有することを特徴とする中継基板。
  7. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記第１信号路は、前記回路搭載基板の信号ラインとの接続部分から前記第３信号路に至るまでの距離で形成され、
    前記接地面は、前記第１信号路を囲み、内側に傾斜部を有するコの字型に形成されていることを特徴とする中継基板。
  8. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記信号路は、前記他の回路としてフレキシブル基板の信号ラインに接続され、
    前記フレキシブル基板の接地ラインと前記接地面との接続部分の面積は、前記フレキシブル基板の信号ラインと前記信号路との接続部分の面積よりも大きく、
    前記フレキシブル基板は、前記接地ラインと前記接地面との接続部分を溶接または圧着することで前記基板部材に固定されることを特徴とする中継基板。
  9. 回路搭載基板と他の回路との接続を、特性インピーダンスを維持しつつ中継する中継基板であって、
    所定の厚みを有する基板部材と、
    前記基板部材の一方の面から他方の面に導出された信号路であって、前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される第１信号路と、前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される第２信号路と、前記基板部材の厚み方向に形成され、前記第１信号路と前記第２信号路とを接続する第３信号路とを有する信号路と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記回路搭載基板の信号ラインに接続される前記信号路の第１電極と、
    前記基板部材の他方の面に形成され、前記他の回路の信号ラインに接続される前記信号路の第２電極と、
    前記基板部材の一方の面に形成され、前記第２信号路の一部と対応する接地面と、
    を備え、
    前記信号路は、当該信号路に対応して形成される接地面との間の距離に応じた幅を有し、
    前記信号路は、前記他の回路としてフレキシブル基板の信号ラインに接続され、前記基板部材は、接続される前記フレキシブル基板の信号ライン付近に所定の窪みを有することを特徴とする中継基板。
  10. 請求項１〜９のいずれか一つに記載の中継基板を備えることを特徴とする光通信モジュール。
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