JP2009004460A - 光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光半導体素子のリード端子とプリント基板との接続強度を損なうことなく、その接続部分におけるインピーダンスの不整合を抑えることができる光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法を提供すること。
【解決手段】レーザダイオードを内蔵する筐体10と、筐体10の信号ピン20が接続されるフレキシブル基板30と、を含む光送信モジュールにおいて、フレキシブル基板30の一方の面に、筐体10の信号ピン20が接続される信号パッド31を含み、他方の面に、信号パッド31に対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に形成されたGNDパタン34を含む。
【選択図】図1
【解決手段】レーザダイオードを内蔵する筐体10と、筐体10の信号ピン20が接続されるフレキシブル基板30と、を含む光送信モジュールにおいて、フレキシブル基板30の一方の面に、筐体10の信号ピン20が接続される信号パッド31を含み、他方の面に、信号パッド31に対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に形成されたGNDパタン34を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信モジュールおよび配線パタン形成方法に関し、特に、高周波信号の伝送特性を向上させる技術に関する。
光通信用トランシーバの小型化に伴い、光通信モジュールの小型化が進んでいる。例えば伝送距離が10km以下で伝送レートが10Gbit/sの光送信モジュールでは、直接変調形のレーザダイオード素子を搭載したTO−CAN筐体をフレキシブル基板を用いてトランシーバの主基板に接続するものが現在主流となっている(例えば非特許文献1参照)。
図6は、従来の光送信モジュールの外観図である。同図に示すように、従来は、筐体100の外部接続リードピン(リード端子)200に対しフレキシブル基板300を垂直に接続することにより、筐体100とフレキシブル基板300上の線路パタンとを接続するリードピン200の長さを短縮していた。これにより、リードピン200による寄生インダクタンスを低減し、入力信号線路のインピーダンス不整合を抑えて光出力波形を良好にしていた。
"DATA SHEET 10GBPS 850NMVCSEL LC AND SC TOSA PACKAGE HFE6X9X-56X"、[online]、2007年、Finisar AdvancedOptical Components Division、[平成19年5月23日検索]、インターネット<URL:http://www.finisar.com/download.php?file=images/sub_download_image/7MOFAuHFE6x9x-56x.pdf&down_cat_id=&down_cat_name=Data%20Sheets>
"DATA SHEET 10GBPS 850NMVCSEL LC AND SC TOSA PACKAGE HFE6X9X-56X"、[online]、2007年、Finisar AdvancedOptical Components Division、[平成19年5月23日検索]、インターネット<URL:http://www.finisar.com/download.php?file=images/sub_download_image/7MOFAuHFE6x9x-56x.pdf&down_cat_id=&down_cat_name=Data%20Sheets>
近年、伝送距離が40km以上の光送信モジュールに対しても小型化の要請が強くなっている。例えば、XMD−MSA(10Gbit/s Miniature Device Multi Source Agreement)では、筐体幅6mmの小型モジュールが提案されている。通常、伝送距離が40km以上の光送信モジュールにはペルチェ素子が搭載されるため、必要なリードピン数は伝送距離が10km以下の光送信モジュールのリードピン数より多く、8個以上である。また、通常リードピンが一列に配置されるため、リードピン間の間隔は0.67mm以下にする必要がある。
リードピンに対しフレキシブル基板を垂直に接続する場合、フレキシブル基板上にリードピンを貫通させる穴部と接合材を乗せるランドを設ける必要がある。しかしながら、上記伝送距離が40km以上の光送信モジュールでは、隣接するランド間の間隔を十分にあけることができないため、リードピンとフレキシブル基板とを接続する接合材による短絡が生じやすく、リードピン数を増加することが困難であった。例えば幅0.2mmのリードピンを貫通させるためには、フレキシブル基板上に幅0.3mmの穴部と該穴部を囲う幅0.5mm程度のランドを設ける必要がある。ここで、接合材による短絡を防ぐために隣り合うランド間の間隔を0.3mmにすると、リードピン間隔が0.8mm以上も必要となるため、筐体幅6mmのモジュールに配置できるリードピンの数は最大6本となってしまう。
一方、リードピンに対しフレキシブル基板を平行に接続する場合、フレキシブル基板上に、リードピンを貫通させる穴部と該穴部を囲うランドを設ける必要はなく、リードピンを接続するためのパッドを設けるだけでよい。このため、リードピンの数を増やしても、パッド間に十分な間隔を確保することができる。例えば幅0.2mmのリードピンを接続するためにフレキシブル基板上のパッド幅を0.35mm、隣り合うパッド間隔を0.3mmにすると、リードピン間隔は0.65mmとなるため、筐体幅6mmのモジュールに8本のリードピンを配置することができる。
しかしながら、リードピンに対しフレキシブル基板を平行に接続すると、信号線路のインピーダンスが50Ωから大きく逸脱し、光信号の伝送特性が劣化するという別の問題が生じてしまう。例えば、厚さが50μm、比誘電率が3.2である一般的なフレキシブル基板の上に幅0.35mmの信号パッドを設けると、信号線路のインピーダンスは約20Ωとなり50Ωに比べ極端に小さくなる。
かかるインピーダンスの不整合を抑えるべく信号パッド幅を0.08mmにすると、確かに信号線路のインピーダンスを50Ωにすることはできるが、リードピンと信号パッドの接続面積が1/4以下となるため、今度はリードピンとフレキシブル基板との接続強度が不十分となってしまう。
本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、光半導体素子のリード端子とプリント基板との接続強度を損なうことなく、その接続部分におけるインピーダンスの不整合を抑えることができる光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る光通信モジュールは、高周波信号を伝送する信号端子を有する光半導体素子と、該光半導体素子の信号端子が接続されるプリント基板と、を含む光通信モジュールであって、前記プリント基板は、一方の面に、前記光半導体素子の信号端子が接続される信号パッドを含み、他方の面に、前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に形成されたグランドパタンを含むことを特徴とする。
本発明によれば、グランドパタンが形成された面において、信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部に電気を通さない領域が存在するため、信号パッドからグランドパタンまでの距離がプリント基板の厚さよりも長くなる部分ができる。このため当該部分では、信号パッドとグランドパタンとの間に生じる電界の強度が減少し、信号線路の一部である信号パッドのインピーダンスが上昇する。すなわち本発明によれば、光半導体素子のインピーダンスとプリント基板上に形成される信号線路のインピーダンスとの不整合を抑えることができ、良好な光信号波形を得ることが可能となる。また、プリント基板上に形成される信号パッドの幅を縮小する必要がないため、光半導体素子のリード端子とプリント基板との接続強度を保つことができる。
また、本発明の一態様では、前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部は、該信号パッドの長手方向に沿う形状を有する。この態様によれば、プリント基板上に形成される信号パッドのインピーダンスをより効果的に上げることができる。
また、本発明に係る配線パタン形成方法は、高周波信号を伝送するための配線パタンをプリント基板上に形成する配線パタンの形成方法であって、前記プリント基板の一方の面に、高周波信号を伝送する信号端子が接続される信号パッドを形成するステップと、前記プリント基板の他方の面のうち、前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に、グランドパタンを形成するステップと、を含むことを特徴とする。
光半導体素子のインピーダンスとプリント基板上に形成される信号線路のインピーダンスとの不整合を抑えることができ、良好な光信号波形を得ることが可能となる。また、プリント基板上に形成される信号パッドの幅を縮小する必要がないため、光半導体素子のリード端子とプリント基板との接続強度が低下しない。
以下、本発明の実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
[実施形態1]
図1は、本発明の実施形態1に係る光送信モジュールの斜視図である。同図に示すように、本実施形態に係る光送信モジュールは、レーザダイオードを内蔵する筐体10と、フレキシブル基板30と、を含んで構成される。
図1は、本発明の実施形態1に係る光送信モジュールの斜視図である。同図に示すように、本実施形態に係る光送信モジュールは、レーザダイオードを内蔵する筐体10と、フレキシブル基板30と、を含んで構成される。
筐体10は、一端がレーザダイオードの各電極に接続された複数のリードピン(リード端子)を備えている。例えば、レーザダイオードに高周波信号を伝送するためのリードピンである信号ピン20、接地用のリードピンであるGNDピン22A,22Bを備えている。
フレキシブル基板30は、方向性を有する形状をしており、一方の面(ここでは表面とする。)には、フレキシブル基板30の一端からその長手方向に沿って信号線路が延びている。そして、その信号線路には、その一端から所定距離までの部分に他の部分に比べて幅の広い信号パッド31が形成されており、筐体10の信号ピン20が接続できるようになっている。さらに、信号パッド31の両側には、フレキシブル基板30の長手方向に沿って信号パッド31と同一形状のGNDパッド32A,32Bが形成されており、筐体10のGNDピン22A,22Bがそれぞれ接続できるようになっている。
このように、本実施形態に係る光送信モジュールでは、フレキシブル基板30に穴部やランドを設ける代わりに、フレキシブル基板30の表面にパッドを形成し、該パッドに対し筐体10のリードピンをほぼ平行に接続するので、モジュール(筐体10およびフレキシブル基板30)の小型化と必要とされる数のリードピンの確保を両立させることができる。また、基板表面に形成されるパッドは十分な幅を有するので、筐体10のリードピンとフレキシブル基板30との接続強度が損なわれることもない。
一方、フレキシブル基板30の他方の面(ここでは裏面とする。)には、基板表面の信号線路に沿って接地用の配線パタンであるGNDパタン34が形成されている。図2は、図1に示す筐体10とフレキシブル基板30との接続部の透視平面図である。また、図3は、図2に示す筐体10とフレキシブル基板30との接続部の領域40における断面図である。図1〜3に示すように、フレキシブル基板30の裏面には、フレキシブル基板30の一端からその長手方向に沿ってGNDパタン34が延びている。このGNDパタン34は、基板表面に形成されたGNDパッド32Aと32Bとの間隔に対応する幅を有しており、ビア33A,33Bを介してGNDパッド32A,32Bとそれぞれ接続されている。
さらに、GNDパタン34は、フレキシブル基板30の一端から、基板表面の信号パッド20と同じ長さかつ同じもしくは若干広い幅を有する矩形領域がエッチングによって除去されている。すなわち、基板裏面のGNDパタン34には、基板表面の信号パッド20に対向する領域を含む電気を通さない矩形状の切り込みスリットであるスリット部35が形成されている。
かかるフレキシブル基板30によれば、図3に示すように、基板表面の信号パッド31と基板裏面のGNDパタン34との距離がフレキシブル基板30の厚さより大きくなるため、信号パッド31とGNDパタン34との間には矢印50の方向に電界が生じ、GNDパタン34にスリット部35が存在しない場合に比べて電界の強度が減少する。このため、信号パッド31(信号線路の一部)の特性インピーダンスが上昇し、筐体10に内蔵されたレーザダイオードの特性インピーダンスとの不整合が抑えられる。
例えば、フレキシブル基板30が厚さが50μm、比誘電率が3.2の一般的なフレキシブル基板である場合、信号パッド31の幅を0.335mm、スリット部35の幅を0.36mmとすることにより、信号パッド31の特性インピーダンスを50Ωに設定することができる。
これに対し、もし仮にGNDパタン34に上記のようなスリット部35がなければ、基板表面の信号パッド31と基板裏面のGNDパッドとの間には、フレキシブル基板30の厚さ方向を向く電界が信号パッド31面内にほぼ均一に発生する。この場合、信号パッド31の特性インピーダンスは20Ω程度となり、筐体10に内蔵されたレーザダイオードの特性インピーダンス50Ωと整合しなくなる。
以上のように、フレキシブル基板30の裏面に上記GNDパタン34を形成することにより、信号ピン20と基板表面の信号パッド31との接続部分におけるインピーダンスの不整合を抑えることができるようになる。
なお、上記フレキシブル基板30は、両面に導体の貼られた基板に対し、エッチングなどで表面に信号パッド31他の信号線路を形成し、裏面にスリット部35を有するGNDパタン34形成することにより製造される。
[実施形態2]
図4は、本発明の実施形態2に係る光送信モジュールの筐体10とフレキシブル基板30との接続部の裏面図である。図5は、図4に示す筐体10とフレキシブル基板30との接続部の領域41における断面図である。図4および図5に示すように、本実施形態に係るフレキシブル基板30の裏面には、スリット部35A,35Bを有するGNDパタン34が形成されている。なお、GNDパタン34に形成されたスリット部35A,35Bの形状を除き、本実施形態に係る光送信モジュールは実施形態1と同様の構成を持つものとする。
図4は、本発明の実施形態2に係る光送信モジュールの筐体10とフレキシブル基板30との接続部の裏面図である。図5は、図4に示す筐体10とフレキシブル基板30との接続部の領域41における断面図である。図4および図5に示すように、本実施形態に係るフレキシブル基板30の裏面には、スリット部35A,35Bを有するGNDパタン34が形成されている。なお、GNDパタン34に形成されたスリット部35A,35Bの形状を除き、本実施形態に係る光送信モジュールは実施形態1と同様の構成を持つものとする。
GNDパタン34は、フレキシブル基板30の一端からその長手方向に沿って延びており、その一端から所定距離の位置に、基板表面に形成された信号パッド31に対向する領域の一部をそれぞれ含む2つの矩形状の開口スリットであるスリット部35A,35Bが形成されている。スリット部35A,35Bはそれぞれ、信号パッド31の長手方向に沿う長方形をしており、その長さは信号パッド31より若干短く、幅は信号パッド31とGNDパッド32A(または32B)との間隔よりも広い。そして、スリット部35Aと35Bとの間には、基板表面の信号パッド31よりも幅の狭い導体部であるGNDパタン34Cがエッチングされずに残されている。
かかるフレキシブル基板30によれば、図5に示すように、基板表面の信号パッド31から基板裏面のGNDパタン34A,34Bまでの各距離が長くなるため、信号パッド31(信号線路の一部)の特性インピーダンスにおいて、信号パッド31とGNDパタン34Cとの間のインピーダンスが支配的となる。このため、信号パッド31の特性インピーダンスが50ΩになるようGNDパタン34Cの幅を好適に設定することにより、信号ピン20と信号パッド31との接続部分におけるインピーダンスの不整合を抑えることができる。
例えば、GNDパタン34Cの幅を0.08mm、信号パッド31の幅を0.335mm、スリット部35A,35Bの幅をそれぞれ0.275mmとすることにより、信号パッド31の特性インピーダンスを50Ωに設定することができる。
また、図5に示すフレキシブル基板30の断面形状によれば、基板表面の信号パッド31に対する基板裏面のスリット部35A,35Bの相対位置が信号パッド31の幅方向に多少ずれたとしても、スリット部35Cが信号パッド31に対向する領域から外れることはない。上記のとおり、信号パッド31の特性インピーダンスにおいては信号パッド31とGNDパタン34Cとの間のインピーダンスが支配的であるため、この場合、信号パッド31の特性インピーダンスはほとんど変化しない。すなわち、本実施形態に係るフレキシブル基板30は、基板表面と基板裏面との間で生じる幅方向への配線パタンのずれ(製造ばらつき)に強いという利点を有している。
以上説明した実施形態によれば、レーザダイオードを内蔵する筐体10のリードピンとフレキシブル基板30との接続強度を損なうことなく、その接続部分におけるインピーダンスの不整合を抑えることができ、良好な光信号波形を得ることが可能となる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。たとえば、上記実施形態では、本発明を光送信モジュールに適用した例を示したが、本発明は、光受信モジュールその他の高周波信号を扱う通信モジュール全般に適用可能である。また、それら通信モジュールを構成するプリント基板は、一方の面に信号パッドが形成され、他方の面にグランドパタンが形成されたプリント基板であればよく、フレキシブル基板に限定されない。
また、基板裏面には、基板表面に形成された信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部の除外領域を除く領域にグランドパタンが形成されていればよく、当該除外領域の形状が矩形やスリット状である必要はない。ただし、より効果的に信号パッド(信号線路の一部)のインピーダンスを上げるには、当該除外領域の形状を信号パッドの長手方向に沿う形状にすることが望ましい。
10,100 筐体、20 信号ピン、22A,22B GNDピン、30,300 フレキシブル基板、31 信号パッド、32A,32B GNDパッド、33A,33B ビア、34,34A,34B,34C GNDパタン、35,35A,35B スリット部、40,41 領域、50 電界の方向を示す矢印、200 リードピン(リード端子)。
Claims (3)
- 高周波信号を伝送する信号端子を有する光半導体素子と、該光半導体素子の信号端子が接続されるプリント基板と、を含む光通信モジュールであって、
前記プリント基板は、
一方の面に、前記光半導体素子の信号端子が接続される信号パッドを含み、
他方の面に、前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に形成されたグランドパタンを含む、
ことを特徴とする光通信モジュール。 - 請求項1に記載の光通信モジュールにおいて、
前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部は、該信号パッドの長手方向に沿う形状を有する、
ことを特徴とする光通信モジュール。 - 高周波信号を伝送するための配線パタンをプリント基板上に形成する配線パタンの形成方法であって、
前記プリント基板の一方の面に、高周波信号を伝送する信号端子が接続される信号パッドを形成するステップと、
前記プリント基板の他方の面のうち、前記信号パッドに対向する領域のうち少なくとも一部を除く領域に、グランドパタンを形成するステップと、
を含むことを特徴とする配線パタンの形成方法。
Priority Applications (1)
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JP2007161926A JP2009004460A (ja) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | 光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法 |
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