JP2014187653A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に、第1電位GNDとされた第1電極11,11aと、前記第1電極上に、信号を伝える信号配線および所定面積の平面電極部13aが形成された第2電極13と、を有する半導体装置であって、前記平面電極部13aに対応する前記第1電極11aの形状を、前記信号が前記平面電極部を進行する方向と平行なスリット形状とする。
【選択図】図5
Description
(付記1)
基板上に、第1電位とされた第1電極と、
前記第1電極上に、信号を伝える信号配線および所定面積の平面電極部が形成された第2電極と、を有する半導体装置であって、
前記平面電極部に対応する前記第1電極の形状を、前記信号が前記平面電極部を進行する方向と平行なスリット形状とした、
ことを特徴とする半導体装置。
さらに、
前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた絶縁層を有する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記平面電極部に対応しない前記第1電極の形状を、ベタ形状とした、
ことを特徴とする付記1または付記2に記載の半導体装置。
前記第1電極および前記第2電極は、金属配線層に設けられている、
ことを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記第1電位は、グラウンド電位である、
ことを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記平面電極部に対応してスリット形状とされた前記第1電極における各スリット間のピッチは、前記信号の波長の四分の一以下である、
ことを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記絶縁層の厚さは、前記信号の波長の四分の一以下である、
ことを特徴とする付記2乃至付記6のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記平面電極部は、前記半導体装置において信号を入力する入力パッドである、
ことを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記平面電極部は、前記半導体装置において容量を形成する容量電極の一方である、
ことを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1項に記載の半導体装置。
さらに、
前記第2電極上に、絶縁層を介して形成された第3電極を有し、
前記第3電極は、前記平面電極部に対応する前記容量電極の他方の平面電極部を含む、
ことを特徴とする付記9に記載の半導体装置。
2 増幅器(高周波アンプ)
11 第1電極(GNDシールド:金属配線層)
12 絶縁層
13 第2電極(信号配線)
14 信号配線
13a,13b,14b 平面電極部(パッド電極)
11a,11b スリット部
Claims (5)
- 基板上に、第1電位とされた第1電極と、
前記第1電極上に、信号を伝える信号配線および所定面積の平面電極部が形成された第2電極と、を有する半導体装置であって、
前記平面電極部に対応する前記第1電極の形状を、前記信号が前記平面電極部を進行する方向と平行なスリット形状とした、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記平面電極部に対応しない前記第1電極の形状を、ベタ形状とした、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記平面電極部に対応してスリット形状とされた前記第1電極における各スリット間のピッチは、前記信号の波長の四分の一以下である、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記平面電極部は、前記半導体装置において信号を入力する入力パッドである、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記平面電極部は、前記半導体装置において容量を形成する容量電極の一方である、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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