JP5506719B2 - フィルタ回路 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロ波帯域およびミリ波帯域において用いられるフィルタ回路に関する。

一般に、マイクロ波帯域およびミリ波帯域の高周波信号の伝送において、例えば、伝送信号の周波数の２次高調波等の不要波を減衰させる必要がある場合には、高周波回路基板上にフィルタ回路を構成する必要がある。一方、高周波電子部品を搭載した高周波回路基板間の接続においては、伝送信号を低損失で伝送する必要がある。

従来、高周波回路基板間の接続において、高周波信号を低損失で伝送する技術として、例えば、高周波伝送線路用リードフレームを高周波伝送線路用リードフレームと同一の形状をなす２本のＧＮＤ電極用リードフレームにより挟み補強基板上に平行に配置して、各高周波回路基板間を接続する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。

特開２００４−１５３４２４号公報

しかしながら、上記従来技術では、不要波を減衰させるフィルタ回路を別途設ける必要があるため、装置の大型化、高コスト化を招く、という問題があった。さらに、フィルタ回路を別途設けることにより、通過損失が上昇する、という問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、装置の大型化、高コスト化、および通過損失の上昇を招くことなく、不要波を減衰させる機能を基板間の接続において実現することを可能とするフィルタ回路を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるフィルタ回路は、金属ベース上に接地電極面を接して載置された第１の高周波回路基板と、前記金属ベース上に接地電極面を接して前記第１の高周波回路基板と対向載置された第２の高周波回路基板とが設けられ、前記第１の高周波回路基板は、前記第１の高周波回路基板の接地電極面の裏面に設けられ、前記第２の高周波回路基板に対向する側の基板端近傍まで延びた第１の高周波線路と、前記第１の高周波線路の端部に形成された第１の高周波線路用パッドと、前記第１の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って形成された第１の接地用パッドと、前記第１の高周波回路基板の内層に設けられ、誘電体層を介して前記第１の高周波回路基板の接地電極面に平行に形成された内層導体と、前記第１の高周波線路用パッドと前記内層導体とを接続する第１のスルーホールと、前記第１の接地用パッドと前記第１の高周波回路基板の接地電極面とを接続する第２のスルーホールと、を備え、前記第２の高周波回路基板は、前記第２の高周波回路基板の接地電極面の裏面に設けられ、前記第１の高周波回路基板に対向する側の基板端近傍まで延びた第２の高周波線路と、前記第２の高周波線路の端部に形成された第２の高周波線路用パッドと、前記第２の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って形成された第２の接地用パッドと、前記第２の高周波線路に装荷されたオープンスタブと、前記第２の接地用パッドと前記第２の高周波回路基板の接地電極面とを接続する第３のスルーホールと、を備え、前記第１の高周波線路用パッドと前記第２の高周波線路用パッドとの間が第１のボンディングワイヤにより接続され、前記第１の接地用パッドと前記第２の接地用パッドとの間が第２のボンディングワイヤにより接続され構成されたことを特徴とする。

本発明によれば、装置の大型化、高コスト化、および通過損失の上昇を招くことなく、不要波を減衰させる機能を基板間の接続において実現することができる、という効果を奏する。

図１は、実施の形態１にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成の一例を示す上面図である。 図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。 図３は、図１のＢ−Ｂ線における断面図である。 図４は、実施の形態１にかかるフィルタ回路の回路図である。 図５は、伝送信号の周波数における実施の形態１にかかるフィルタ回路の等価回路図である。 図６は、実施の形態１にかかるフィルタ回路を適用した基板間における通過特性および反射特性の一例を示す図である。 図７は、実施の形態２にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成の一例を示す上面図である。 図８は、図７のＡ−Ａ線における断面図である。 図９は、図７のＢ−Ｂ線における断面図である。 図１０は、実施の形態２にかかるフィルタ回路の回路図である。 図１１は、伝送信号の周波数における実施の形態２にかかるフィルタ回路の等価回路図である。

以下に添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかるフィルタ回路について説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成の一例を示す上面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ線における断面図である。図１〜図３に示すように、実施の形態１にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成では、第１の高周波回路基板である多層樹脂基板１と第２の高周波回路基板である基板１１とが、金属ベース１３上に対向載置されている。

多層樹脂基板１は、金属ベース１３との接地面が接地電極７となっており、基板１１は、金属ベース１３との接地面が接地電極１２となっている。

多層樹脂基板１の上面（つまり、接地面の裏面）には、基板端近傍まで延びた第１の高周波線路３の端部に第１の高周波線路用パッド２が形成され、その第１の高周波線路用パッド２の両側に基板端に沿って第１の接地用パッド１５が形成されている。なお、図１〜図３において、第１の高周波線路３と対をなす接地線路４が誘電体層を介して接地電極７と平行に配線されている。

また、接地電極７と平行に、誘電体層を介して内層導体６が形成され、第１のスルーホール５を介して第１の高周波線路用パッド２と内層導体６とが接続されている。また、第１の接地用パッド１５は、第２のスルーホール１４を介して接地電極７に接続されている。なお、図１〜図３に示す例では、第１のスルーホール５および第２のスルーホール１４は、製造上の都合により、それぞれ２本のスルーホールが一旦内層パターン５ａ，１４ａで中継接続されているが、それぞれ第１の高周波線路用パッド２と内層導体６との間、および第１の接地用パッド１５と接地電極７との間を貫通する１本のスルーホールで接続するようにしてもよいし、さらに３本以上のスルーホールを複数の内層パターンで中継接続するようにしてもよい。

基板１１の上面（つまり、接地面の裏面）には、基板端近傍まで延びた第２の高周波線路１０の端部に第２の高周波線路用パッド９が形成され、第２の高周波線路用パッド９の両側に基板端に沿って第２の接地用パッド１７が形成されている。第２の接地用パッド１７は、第３のスルーホール１６を介して接地電極１２に接続されている。

また、第２の高周波線路１０には、オープンスタブ１８が装荷されている。なお、図１〜図３に示す例では、配線の都合により、オープンスタブ１８を両側の第２の接地用パッド１７側に延びる方向に２本装荷しているが、１本のオープンスタブを片方のみ装荷するようにしてもよいし、さらに３本以上のオープンスタブを装荷するようにしてもよい。

そして、第１の高周波線路用パッド２と第２の高周波線路用パッド９との間が第１のボンディングワイヤ８ａにより接続され、第１の接地用パッド１５と第２の接地用パッド１７との間が第２のボンディングワイヤ８ｂにより接続される。

つぎに、実施の形態１にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成の構成概念について、図１〜図５を参照して説明する。図４は、実施の形態１にかかるフィルタ回路の回路図である。図１〜図３に示した構成では、図４に示すフィルタ回路を構成することができる。

図１および図４において、多層樹脂基板１の第１の高周波線路用パッド２は、入力端子１９に相当し、基板１１の第２の高周波線路用パッド９は、出力端子２０に相当する。また、多層樹脂基板１の第１のスルーホール５は、第１のインダクタ２１に相当し、接地電極７と内層導体６との間に生じる容量は、第１のキャパシタ２２に相当する。これら第１のインダクタ２１と第１のキャパシタ２２とにより、直列回路２５を構成する。また、基板１１のオープンスタブ１８は、第２のキャパシタ２４に相当し、多層樹脂基板１の第１の高周波線路用パッド２と基板１１の第２の高周波線路用パッド９とを接続するボンディングワイヤ８ａは、第２のインダクタ２３に相当する。

第１のインダクタ２１のインダクタンス値は、第１のスルーホール５の長さが長いほど、また、穴径が細いほど大きな値となる。第１のキャパシタ２２のキャパシタンス値は、内層導体６の面積が大きいほど、また、接地電極７と内層導体６との間が近いほど大きな値となる。第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値は、オープンスタブ１８の長さが波長の１／４以下となる範囲内で短いほど、大きな値となる。なお、図１に示すように、複数のオープンスタブ１８がある場合は、各オープンスタブ１８の長さの合計により、第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値が決まり、オープンスタブ１８の幅も、第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値に影響する。第２のインダクタ２３のインダクタンス値は、ボンディングワイヤ８ａの長さが長いほど、また、断面積が小さいほど大きな値となる。

図５は、伝送信号の周波数における実施の形態１にかかるフィルタ回路の等価回路図である。図５に示すように、本実施の形態では、伝送信号の周波数においては、直列回路２５を第３のキャパシタ２９として作用させ、図５に示すπ型のローパスフィルタとして低損失で通過させる。また、伝送信号以外の不要波の周波数においては、直列回路２５を共振させ減衰させる。

ここで、第１のインダクタ２１のインダクタンス値をＬ１、第２のインダクタ２３のインダクタンス値をＬ２、第１のキャパシタ２２のキャパシタンス値をＣ１、第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値をＣ２とし、図５に示すローパスフィルタの特性インピーダンスをＺ_０、遮断周波数をｆｃ、遮断角周波数をωとすると、第２のインダクタ２３のインダクタンス値Ｌ２および第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値Ｃ２は、下記の各（１），（２）式で表され、第２のキャパシタ２４と直列回路２５とのインピーダンスの関係式は、下記の（３）式で表される。

また、例えば、ローパスフィルタの遮断角周波数ωの２倍を直列回路２５の共振角周波数とすると、下記の（４）式で表される。

上記した各（３），（４）式を解くと、第１のインダクタ２１のインダクタンス値Ｌ１および第１のキャパシタ２２のキャパシタンス値Ｃ１は、それぞれ下記の各（５），（６）式で表される。

したがって、上記した各（１），（２），（５），（６）式を満たすように、第１のスルーホール５の長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により第１のインダクタ２１のインダクタンス値Ｌ１を調節し、内層導体６の面積および接地電極７と内層導体６との距離のいずれか一方あるいは両方により第１のキャパシタ２２のキャパシタンス値Ｃ１を調節し、オープンスタブ１８の長さおよび幅のいずれか一方あるいは両方により第２のキャパシタ２４のキャパシタンス値Ｃ２を調節し、ボンディングワイヤ８ａの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により第２のインダクタ２３のインダクタンス値Ｌ２を調節する。これにより、図４に示すフィルタ回路は、遮断角周波数がωのπ型のローパスフィルタとして作用し、直列回路２５は、共振角周波数が２＊ωの直列共振回路として作用する。

図６は、実施の形態１にかかるフィルタ回路を適用した基板間における通過特性および反射特性の一例を示す図である。図６において、縦軸は利得を示し、横軸は周波数を示している。図６において実線で示す特性線Ａは、実施の形態１にかかるフィルタ回路を適用した基板間の通過特性の一例を示している。この通過特性の見方としては、縦軸に示す利得のマイナス符号を除いた値が通過損失を示し、伝送信号の周波数に対しては、この通過損失が小さいほど、すなわち、０に近いほど良い特性を示している。また、一点鎖線で示す特性線Ｂは、実施の形態１にかかるフィルタ回路を適用した基板間の反射特性の一例を示している。この反射特性の見方としては、縦軸に示す利得のマイナス符号を除いた値が反射損失を示し、不要波の周波数に対しては、この反射損失が小さいほど、すなわち、０から近いほど良い特性を示している。

図６に示す例では、伝送信号の周波数を１０ＧＨｚとし、１０ＧＨｚにおける通過損失が十分に小さくなるように遮断角周波数を設定した。また、不要波の周波数を２０ＧＨｚとし、２０ＧＨｚが直列回路２５の共振周波数となるように設定した。図６に示すように、実施の形態１にかかるフィルタ回路を基板間の接続に適用すれば、伝送信号（ここでは、１０ＧＨｚ）に対しては、通過損失が小さくなり、反射損失が大きくなる。また、不要波（ここでは、２０ＧＨｚ）に対しては、通過損失が大きくなり、反射損失が小さくなる。つまり、伝送信号は、ほとんどが反射することなく低損失で通過し、不要波は、直列回路２５が共振して第１の高周波線路用パッド２（図４に示す入力端子１９に相当）が接地され、ほとんどが反射して減衰する。

以上説明したように、実施の形態１のフィルタ回路によれば、第１の高周波回路基板において、基板端近傍まで延びた第１の高周波線路の端部に第１の高周波線路用パッドを形成し、第１の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って第１の接地用パッドを形成し、誘電体層を介して接地電極と平行に内層導体を形成し、第１のスルーホールを介して第１の高周波線路用パッドと内層導体とを接続し、第２のスルーホールを介して第１の接地用パッドと接地電極面とを接続し、第２の高周波回路基板において、基板端近傍まで延びた第２の高周波線路の端部に第２の高周波線路用パッドを形成し、第２の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って第２の接地用パッドを形成し、第２の高周波線路にオープンスタブを装荷し、第３のスルーホールを介して第２の接地用パッドと第２の高周波回路基板の接地電極とを接続し、第１の高周波線路用パッドと第２の高周波線路用パッドとの間、および、第１の接地用パッドと第２の接地用パッドとの間をボンディングワイヤにより接続した。

これにより、第１の高周波線路用パッドと内層導体とを接続する第１のスルーホールが第１のインダクタとして作用し、接地電極と内層導体との間に生じる容量が第１のキャパシタとして作用し、オープンスタブが第２のキャパシタとして作用し、第１の高周波線路用パッドと第２の高周波線路用パッドとの間を接続するボンディングワイヤが第２のインダクタとして作用する。

そして、第１のインダクタと第１のキャパシタとにより、伝送信号以外の不要波の周波数が共振周波数となる直列回路が構成され、直列回路と第２のインダクタと第２のキャパシタとにより、伝送信号の周波数が遮断周波数以下となるπ型のローパスフィルタが構成されるように、第１のスルーホールの長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により第１のインダクタのインダクタンス値を調節し、内層導体の面積および第１の接地電極と内層導体との距離のいずれか一方あるいは両方により第１のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、オープンスタブの長さおよび幅のいずれか一方あるいは両方により第２のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、第１のボンディングワイヤの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により第２のインダクタのインダクタンス値を調節するようにした。つまり、基板間の接続において、装置の大型化、高コスト化、および伝送信号の通過損失の上昇を招くことなく、不要波を減衰させる機能を実現することが可能となる。

実施の形態２．
図７は、実施の形態２にかかるフィルタ回路を基板間の接続において実現する構成の一例を示す上面図である。また、図８は、図７のＡ−Ａ線における断面図であり、図９は、図７のＢ−Ｂ線における断面図である。図７〜図９に示すように、実施の形態１と異なる点は、第２の高周波回路基板として、第１の高周波回路基板と同様の多層樹脂基板１ａが、金属ベース１３上に多層樹脂基板１と対向載置されている。なお、実施の形態１と同一あるいは同等の構成部には同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。

図１０は、実施の形態２にかかるフィルタ回路の回路図である。図７〜図９に示した構成では、図１０に示すフィルタ回路を構成することができる。

図７〜図１０において、多層樹脂基板１の高周波線路用パッド２は、入力端子１９に相当し、多層樹脂基板１ａの高周波線路用パッド２は、出力端子２０に相当する。また、多層樹脂基板１の第１のスルーホール５は、第１のインダクタ２１に相当し、多層樹脂基板１の接地電極７と内層導体６との間に生じる容量は、第１のキャパシタ２２に相当する。これら第１のインダクタ２１と第１のキャパシタ２２とにより、直列回路２５を構成する。また、多層樹脂基板１ａの第１のスルーホール５は、第３のインダクタ２６に相当し、多層樹脂基板１の接地電極７と内層導体６との間に生じる容量は、第２のキャパシタ２７に相当する。これら第３のインダクタ２６と第２のキャパシタ２７とにより、直列回路２８を構成する。また、多層樹脂基板１の高周波線路用パッド２と多層樹脂基板１ａの高周波線路用パッド２とを接続するボンディングワイヤ８ａは、第２のインダクタ２３に相当する。

第１のインダクタ２１のインダクタンス値および第３のインダクタ２６のインダクタンス値は、第１のスルーホール５の長さが長いほど、また、穴径が細いほど大きな値となる。第１のキャパシタ２２のキャパシタンス値および第２のキャパシタ２７のキャパシタンス値は、内層導体６の面積が大きいほど、また、接地電極７と内層導体６との間が近いほど、大きな値となる。第２のインダクタ２３のインダクタンス値は、ボンディングワイヤ８ａの長さが長いほど、また、断面積が小さいほど大きな値となる。

図１１は、伝送信号の周波数における実施の形態２にかかるフィルタ回路の等価回路図である。図１１に示すように、本実施の形態では、伝送信号の周波数においては、直列回路２５を第３のキャパシタ２９として作用させると共に、直列回路２８を第４のキャパシタ３０として作用させ、図１１に示すπ型のローパスフィルタとして低損失で通過させる。また、伝送信号以外の不要波の周波数においては、直列回路２５，２８を共振させ減衰させる。

ここで、第１のインダクタ２１および第３のインダクタ２６のインダクタンス値をＬ１、第２のインダクタ２３のインダクタンス値をＬ２、第１のキャパシタ２２および第２のキャパシタ２７のキャパシタンス値をＣ１、第３のキャパシタ２９および第４のキャパシタ３０のキャパシタンス値をＣ２とし、図１１に示すローパスフィルタの特性インピーダンスをＺ_０、遮断周波数をｆｃ、遮断角周波数をωとすると、第２のインダクタ２３のインダクタンス値Ｌ２、第３のキャパシタ２９および第４のキャパシタ３０のキャパシタンス値Ｃ２は、実施の形態１において示した各（１），（２）式で表され、第３のキャパシタ２９と直列回路２５とのインピーダンスの関係式および第４のキャパシタ３０と直列回路２８とのインピーダンスの関係式は、同様に実施の形態１において示した（３）式で表される。

また、例えば、ローパスフィルタの遮断角周波数ωの２倍を直列回路２５および直列回路２８の共振角周波数とすると、同様に実施の形態１において示した（４）式で表される。

したがって、第１のインダクタ２１および第３のインダクタ２６のインダクタンス値Ｌ１、および、第１のキャパシタ２２および第２のキャパシタ２７のキャパシタンス値Ｃ１は、それぞれ同様に実施の形態１において示した各（５），（６）式で表される。

したがって、実施の形態１において示した各（１），（２），（５），（６）式を満たすように、第１のスルーホール５の長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により第１のインダクタ２１および第３のインダクタ２６のインダクタンス値Ｌ１を調節し、内層導体６の面積および接地電極７と内層導体６との距離のいずれか一方あるいは両方により第１のキャパシタ２２および第２のキャパシタ２７のキャパシタンス値Ｃ１を調節し、ボンディングワイヤ８ａの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により第２のインダクタ２３のインダクタンス値Ｌ２を調節する。これにより、図１０に示すフィルタ回路は、遮断角周波数がωのπ型のローパスフィルタとして作用し、直列回路２５および直列回路２８は共振角周波数が２＊ωの直列共振回路として作用する。

したがって、実施の形態１と同様に、例えば、伝送信号の周波数を１０ＧＨｚとし、１０ＧＨｚにおける通過損失が十分に小さくなるように遮断角周波数を設定し、不要波の周波数を２０ＧＨｚとし、２０ＧＨｚが直列回路２５および直列回路２８の共振周波数となるように設定すれば、伝送信号は、実施の形態１と同様に、ほとんどが反射することなく低損失で通過し、不要波は、直列回路２５が共振して多層樹脂基板１の高周波線路用パッド２（図１０に示す入力端子１９に相当）が接地されると共に、直列回路２８が共振して多層樹脂基板１ａの高周波線路用パッド２（図１０に示す出力端子２０に相当）が接地され、実施の形態１よりも減衰量が大きくなる。

以上説明したように、実施の形態２のフィルタ回路によれば、第１および第２の高周波回路基板において、基板端近傍まで延びた高周波線路の端部に高周波線路用パッドを形成し、高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って接地用パッドを形成し、誘電体層を介して接地電極と平行に内層導体を形成し、第１のスルーホールを介して高周波線路用パッドと内層導体とを接続し、第２のスルーホールを介して接地用パッドと接地電極面とを接続し、第１および第２の高周波回路基板の各高周波線路用パッド間、および、第１および第２の高周波回路基板の前記各接地用パッド間をボンディングワイヤにより接続した。

これにより、第１の高周波回路基板の高周波線路用パッドと内層導体とを接続する第１のスルーホールが第１のインダクタとして作用し、第１の高周波回路基板の接地電極と内層導体との間に生じる容量が第１のキャパシタとして作用し、第１および第２の高周波回路基板の各高周波線路用パッド間を接続するボンディングワイヤが第２のインダクタとして作用し、第２の高周波回路基板の高周波線路用パッドと内層導体とを接続する第１のスルーホールが第３のインダクタとして作用し、第２の高周波回路基板の接地電極と内層導体との間に生じる容量が第２のキャパシタとして作用する。

そして、第１のインダクタと第１のキャパシタとにより、伝送信号以外の不要波の周波数が共振周波数となる第１の直列回路が構成され、第３のインダクタと第２のキャパシタとにより、第１の直列回路と同様に伝送信号以外の不要波の周波数が共振周波数となる第２の直列回路が構成され、第１の直列回路と第２のインダクタと第２の直列回路とにより、伝送信号の周波数が遮断周波数以下となるπ型のローパスフィルタが構成されるように、第１のスルーホールの長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により第１および第３のインダクタのインダクタンス値を調節し、内層導体の面積および接地電極と内層導体との距離のいずれか一方あるいは両方により第１および第２のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、第１のボンディングワイヤの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により第２のインダクタのインダクタンス値を調節するようにした。つまり、実施の形態１と同様に、基板間の接続において、装置の大型化、高コスト化、および伝送信号の通過損失の上昇を招くことなく、不要波を減衰させる機能を実現することが可能となり、さらに、実施の形態１よりも不要波の減衰量を増加させることが可能となる。

なお、以上の実施の形態に示した構成は、本発明の構成の一例であり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは言うまでもない。

１，１ａ 多層樹脂基板
２ 第１の高周波線路用パッド
３ 第１の高周波線路
４ 接地線路
５ 第１のスルーホール
５ａ 内層パターン
６ 内層導体
７ 接地電極
８ａ 第１のボンディングワイヤ
８ｂ 第２のボンディングワイヤ
９ 第２の高周波線路用パッド
１０ 第２の高周波線路
１１ 基板
１２ 接地電極
１３ 金属ベース
１４ 第２のスルーホール
１４ａ 内層パターン
１５ 第１の接地用パッド
１６ 第３のスルーホール
１７ 第２の接地用パッド
１８ オープンスタブ
１９ 入力端子
２０ 出力端子
２１ 第１のインダクタ
２２ 第１のキャパシタ
２３ 第２のインダクタ
２４，２７ 第２のキャパシタ
２５ （第１の）直列回路
２８ （第３の）直列回路
２６ 第３のインダクタ
２９ 第３のキャパシタ
３０ 第４のキャパシタ

Claims (6)

1. 金属ベース上に接地電極面を接して載置された第１の高周波回路基板と、前記金属ベース上に接地電極面を接して前記第１の高周波回路基板と対向載置された第２の高周波回路基板とが設けられ、
   前記第１の高周波回路基板は、
   前記第１の高周波回路基板の接地電極面の裏面に設けられ、前記第２の高周波回路基板に対向する側の基板端近傍まで延びた第１の高周波線路と、
   前記第１の高周波線路の端部に形成された第１の高周波線路用パッドと、
   前記第１の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って形成された第１の接地用パッドと、
   前記第１の高周波回路基板の内層に設けられ、誘電体層を介して前記第１の高周波回路基板の接地電極面に平行に形成された内層導体と、
   前記第１の高周波線路用パッドと前記内層導体とを接続する第１のスルーホールと、
   前記第１の接地用パッドと前記第１の高周波回路基板の接地電極面とを接続する第２のスルーホールと、
   を備え、
   前記第２の高周波回路基板は、
   前記第２の高周波回路基板の接地電極面の裏面に設けられ、前記第１の高周波回路基板に対向する側の基板端近傍まで延びた第２の高周波線路と、
   前記第２の高周波線路の端部に形成された第２の高周波線路用パッドと、
   前記第２の高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って形成された第２の接地用パッドと、
   前記第２の高周波線路に装荷されたオープンスタブと、
   前記第２の接地用パッドと前記第２の高周波回路基板の接地電極面とを接続する第３のスルーホールと、
   を備え、
   前記第１の高周波線路用パッドと前記第２の高周波線路用パッドとの間が第１のボンディングワイヤにより接続され、前記第１の接地用パッドと前記第２の接地用パッドとの間が第２のボンディングワイヤにより接続され構成された
   ことを特徴とするフィルタ回路。
2. 第１のインダクタとして作用する前記第１のスルーホールと、第１のキャパシタとして作用する前記接地電極と前記内層導体との間に生じる容量とにより、伝送信号以外の不要波の周波数が共振周波数となる直列回路が構成され、前記直列回路と第２のインダクタとして作用する前記第１のボンディングワイヤと第２のキャパシタとして作用する前記オープンスタブとにより、前記伝送信号の周波数が遮断周波数以下となるπ型のローパスフィルタが構成されることを特徴とする請求項１に記載のフィルタ回路。
3. 前記第１のスルーホールの長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により前記第１のインダクタのインダクタンス値を調節し、
   前記内層導体の面積および前記第１の接地電極と前記内層導体との距離のいずれか一方あるいは両方により前記第１のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、
   前記オープンスタブの長さおよび幅のいずれか一方あるいは両方により前記第２のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、
   前記第１のボンディングワイヤの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により前記第２のインダクタのインダクタンス値を調節した
   ことを特徴とする請求項２に記載のフィルタ回路。
4. 金属ベース上に接地電極面を接して載置された第１の高周波回路基板と、前記金属ベース上に接地電極面を接して前記第１の高周波回路基板と対向載置された第２の高周波回路基板とが設けられ、
   前記第１および第２の高周波回路基板は、
   前記接地電極面の裏面に設けられ、それぞれに対向する側の基板端近傍まで延びた高周波線路と、
   前記高周波線路の端部に形成された高周波線路用パッドと、
   前記高周波線路用パッドの両側に基板端に沿って形成された接地用パッドと、
   前記第１および第２の高周波回路基板の内層に設けられ、誘電体層を介してそれぞれ前記接地電極面に平行に形成された内層導体と、
   前記高周波線路用パッドと前記内層導体とを接続する第１のスルーホールと、
   前記接地用パッドと前記接地電極面とを接続する第２のスルーホールと、
   を備え、
   前記第１および第２の高周波回路基板の前記各高周波線路用パッド間が第１のボンディングワイヤにより接続され、前記第１および第２の高周波回路基板の前記各接地用パッド間が第２のボンディングワイヤにより接続され構成された
   ことを特徴とするフィルタ回路。
5. 第１のインダクタとして作用する前記第１の高周波回路基板の前記第１のスルーホールと、第１のキャパシタとして作用する前記第１の高周波回路基板の前記接地電極と前記内層導体との間に生じる容量とにより、伝送信号以外の不要波の周波数が共振周波数となる第１の直列回路が構成され、第３のインダクタとして作用する前記第２の高周波回路基板の前記第１のスルーホールと、第２のキャパシタとして作用する前記第２の高周波回路基板の前記接地電極と前記内層導体との間に生じる容量とにより、前記不要波の周波数が共振周波数となる第２の直列回路が構成され、前記第１の直列回路と第２のインダクタとして作用する前記第１のボンディングワイヤと前記第２の直列回路とにより、前記伝送信号の周波数が遮断周波数以下となるπ型のローパスフィルタが構成されることを特徴とする請求項４に記載のフィルタ回路。
6. 前記第１のスルーホールの長さおよび穴径のいずれか一方あるいは両方により前記第１および第３のインダクタのインダクタンス値を調節し、
   前記内層導体の面積および前記接地電極と前記内層導体との距離のいずれか一方あるいは両方により前記第１および第２のキャパシタのキャパシタンス値を調節し、
   前記第１のボンディングワイヤの長さおよび断面積のいずれか一方あるいは両方により前記第２のインダクタのインダクタンス値を調節した
   ことを特徴とする請求項５に記載のフィルタ回路。

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