JP2020068332A - 光モジュール、光モジュール実装基板および容器 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施形態1に係る光モジュールの概略構成を示す模式図である。図1において、方向を示すために、互いに直交する長手方向、幅方向および高さ方向を規定する。図1(a)は光モジュール10の斜視図であり、図1(b)は光モジュール10を幅方向左側から見た図であり、図1(c)は光モジュール10を長手方向前側から見た図であり、図1(d)は光モジュール10を高さ方向上側から見た上面視の図である。
図4(a)、(b)は、それぞれ、実施形態3、4に係る光モジュールの概略構成を示す模式図である。
1a 底板部
1b 側壁部
1c 上蓋部
1d 光ポート
1e、1ea、1eb、1Ae、1Aea、1Aeb、1Be、1Bea、1Beb、1Ce、1Cea、1Ceb リードピン
1f 容器本体
2 光素子
10、10A、10B、10C 光モジュール
20 電気基板
21、22、23、24 電気デバイス
100 光モジュール実装基板
P ピッチ
Claims (8)
- 少なくとも1つの光素子と、
前記少なくとも1つの光素子を収容する容器本体と、
前記容器本体の側壁部に設けられた複数のリードピンと、
を備え、
前記複数のリードピンの少なくとも1つは前記少なくとも1つの光素子と電気的に接続しており、
前記複数のリードピンは、前記側壁部の高さ方向において並ぶ複数の列を成し、かつ、上面視で隣接するリードピン同士が重ならない配置とされていることを特徴とする光モジュール。 - 前記少なくとも1つの光素子は、半導体レーザ素子、半導体光増幅器、光変調器、受光素子のうちのいずれか1つもしくは複数の同種または異種の光素子であることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 前記複数のリードピンは、上面視で0.7mm以下のピッチで並んでいることを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。
- 前記複数のリードピンは、前記側壁部の一面のみに設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の光モジュール。
- 前記リードピンの先端側は、前記容器の高さ方向に向いており、かつ先端が略直線状に配列していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の光モジュール。
- 請求項5に記載の光モジュールと、
前記光モジュールが実装された電気基板と、
を備えることを特徴とする光モジュール実装基板。 - 容器本体と、
前記容器本体の側壁部に設けられた複数のリードピンと、
を備え、
前記複数のリードピンは、前記側壁部の高さ方向において並ぶ複数の列を成し、かつ、上面視で隣接するリードピン同士が重ならない配置とされていることを特徴とする容器。 - 前記リードピンの先端側は、前記容器の高さ方向に向いており、かつ先端が略直線状に配列していることを特徴とする請求項7に記載の容器。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07312402A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Kawasaki Steel Corp | 半導体パッケージ |
JP2003318419A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュールとその接続構造 |
JP2009004460A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Opnext Japan Inc | 光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法 |
JP2012047823A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び高周波モジュール |
US20150155428A1 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-04 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Superluminescent diode, method of manufacturing the same, and wavelength-tunable external cavity laser including the same |
JP2015170729A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
JP2015169798A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4734042A (en) * | 1987-02-09 | 1988-03-29 | Augat Inc. | Multi row high density connector |
US5138438A (en) * | 1987-06-24 | 1992-08-11 | Akita Electronics Co. Ltd. | Lead connections means for stacked tab packaged IC chips |
JPH0732042B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1995-04-10 | 富士通株式会社 | スルーホール接続形電子デバイスとその実装方法 |
GB9216327D0 (en) * | 1991-09-10 | 1992-09-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Surface-mounting type semiconductor package and mounting arrangement therefor |
US5824950A (en) * | 1994-03-11 | 1998-10-20 | The Panda Project | Low profile semiconductor die carrier |
US6339191B1 (en) * | 1994-03-11 | 2002-01-15 | Silicon Bandwidth Inc. | Prefabricated semiconductor chip carrier |
KR100242994B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-02-01 | 김영환 | 버텀리드프레임 및 그를 이용한 버텀리드 반도체 패키지 |
JPH11177013A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | 多段の外部端子を持つicパッケージ |
TW449948B (en) * | 1999-06-29 | 2001-08-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device |
US6808316B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-10-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical communication module |
JP2003273320A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
USD475981S1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-06-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated circuits substrate |
JP3998526B2 (ja) * | 2002-07-12 | 2007-10-31 | 三菱電機株式会社 | 光半導体用パッケージ |
JP4550386B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2010-09-22 | 三菱電機株式会社 | 光半導体素子用パッケージ |
US7218657B2 (en) * | 2003-07-09 | 2007-05-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitting module having a can type package and providing a temperature sensor therein |
US7149405B2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-12-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electro-optical subassemblies and method for assembly thereof |
JP4970924B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | 光素子用パッケージとこれを用いた光半導体装置 |
KR100880274B1 (ko) * | 2007-08-27 | 2009-01-28 | 삼성전기주식회사 | 레이저 모듈 패키지의 구동핀 배치 방법 및 이를 적용한레이저 모듈 패키지 |
JP2010010415A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Panasonic Corp | レーザーユニット |
CN104428888B (zh) * | 2012-10-30 | 2017-09-22 | 京瓷株式会社 | 电子部件收纳用容器以及电子装置 |
JP2015088641A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
US9628184B2 (en) * | 2013-11-05 | 2017-04-18 | Cisco Technology, Inc. | Efficient optical communication device |
JP2016018121A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光増幅モジュールを製造する方法 |
CN104767103B (zh) * | 2015-03-30 | 2017-12-19 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种激光器用连接结构及激光器组件 |
JP6922473B2 (ja) * | 2017-06-27 | 2021-08-18 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
WO2019009086A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US11309680B2 (en) * | 2017-09-28 | 2022-04-19 | Nichia Corporation | Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07312402A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Kawasaki Steel Corp | 半導体パッケージ |
JP2003318419A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光通信モジュールとその接続構造 |
JP2009004460A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Opnext Japan Inc | 光通信モジュールおよび配線パタンの形成方法 |
JP2012047823A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Opnext Japan Inc | 光モジュール及び高周波モジュール |
US20150155428A1 (en) * | 2011-06-02 | 2015-06-04 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Superluminescent diode, method of manufacturing the same, and wavelength-tunable external cavity laser including the same |
JP2015170729A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
JP2015169798A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光モジュール |
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