JP6922473B2 - 光変調器 - Google Patents
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- G02F2203/50—Phase-only modulation
Description
限界接続強度を下回るボンディングは、ワイヤボンディング装置の故障、ボンディングするリードピン自身の接続表面状態等の異常などを原因として発生しているのではないことが分かっている。また、単独のリードピンに対する接続では、従来通りの接続強度が得られることも分かっている。
f=λ/2πL・√(E/ρ) ・・・(式1)
例えば、Fe(E=200×109 N/m2、ρ=7.83×106 kg/m3)を材料とし、正方形(0.35mm幅)の断面形状で、長さ0.8×10-3 mmのリードピンを用いる場合には、50kHz、150kHz、250kHz等の縦振動が発生する。また、同様な条件で長さ1.7×10-3 mmのリードピンを用いる場合には、23.5kHz、70.6kHz、117.6kHz等の縦振動が発生する。ワイヤボンディング装置で印加される振動周波数は30kHz〜200kHzであり、リードピンの固有振動数が含まれる。このため、ワイヤボンディング装置による超音波の印加によってリードピンの共振が誘発されて、接続強度が限界接続強度を下回るボンディング不良が発生する可能性があることが分かる。
(1) 光変調素子を筐体内に収容した光変調器において、該筐体の側壁に固定された複数のリードピンを備え、前記複数のリードピンは、複数のユニットに分けられ、前記複数のユニットがそれぞれ有する複数のリードピンの各々は、該筐体の内部空間に突き出た突出部を有し、該突出部へのワイヤボンディングにより、該光変調素子又は該光変調素子に電気的に接続した中継基板と、電気的に接続され、前記複数のユニットは、各リードピンを該光変調素子にボンディング接続したユニットと、各リードピンを該中継基板にボンディング接続したユニットとが混在するように設けられ、各ユニット内のリードピンのうちの少なくとも一部のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状は、同じユニット内の他のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状とは、リードピンの長さ方向に対するワイヤのループの方向、ワイヤのループの長さ、又はリードピンのボンディング部に対するワイヤのループの最高点の高さの少なくとも1つが異なっていることを特徴とする。
(7) 上記(1)〜(6)のいずれかに記載の光変調器において、少なくとも一部のユニット内の全てのリードピンは、リードピンの長さ方向に対して斜め方向にボンディング接続されたワイヤによって、該光変調素子又は該中継基板と電気的に接続されることを特徴とする。
本発明に係る光変調器は、基本的な構成として、図1に示した従来例と同様に、筐体11内に、光素子基板に光導波路13を形成して構成された光変調素子12と、光変調素子12で変調された光波を合成する偏波合成部14とが配置される。また、高周波信号電極及びDCバイアス電極が形成される共に、フィードバック制御用に光強度をモニタするための受光素子(モニタPD)なども配置される。筐体11の側壁には、複数のリードピン16が固定される。複数のリードピン16の各々は、筐体11の内部空間に突き出た突出部を有し、該突出部にワイヤ17をボンディングして光変調素子12と電気的に接続される。
リードピン16としては、光変調素子12にDCバイアスを印加するためにDCバイアス信号を入力するDCバイアス入力ピン、フィードバック制御用の受光素子による検出信号を出力するPD信号出力ピンの他、グランドピン、NCピンなども含まれる。
(第1実施例)
図7は、第1実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第1実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とが、全ての組み合わせで、共通の角度(θ1)で斜め方向にボンディング接続されている。このように、各リードピンでループ形状が共通であっても、リードピンの長さ方向に対してワイヤのループの方向が斜めとなるワイヤボンディングを施すことで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図8は、第2実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第2実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とが、全ての組み合わせで、異なる角度(θ1〜θ6)でボンディング接続されている。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、リードピンの長さ方向に対するワイヤのループの方向を異なるワイヤボンディングを施すことで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させる効果を、第1実施例より高めることができる。
図9は、第3実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第3実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とのボンディング接続と、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とのボンディング接続とが、交互に行われている。すなわち、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの長さを異ならせてある。また、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とのボンディング接続は、全ての組み合わせで共通の角度(θ1)で行われている。一方、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とのボンディング接続は、上記共通の角度(θ1)とは異なる角度で行われている。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、リードピンの長さ方向に対するワイヤのループの方向及びワイヤのループの長さを異ならせることで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図10は、第4実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第4実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とのボンディング接続と、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とのボンディング接続とが、交互に行われている。また、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とのボンディング接続は、全ての組み合わせで共通の角度(θ1)で行われている。一方、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とのボンディング接続は、上記共通の角度(θ1)とは異なる角度で行われている。更に、光変調素子12上の電極パッドP1とボンディング接続されるリードピン16を、中継基板15上の電極パッドP3とボンディング接続されるリードピン16より、内部空間に突き出た突出部の長さが長くなるようにしてある。すなわち、各リードピンの固有振動数を、隣接するリードピンの固有振動数とは異なるようにしてある。これにより、ワイヤボンディング中のリードピンの共振を更に起こり難くすることができ、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させる効果が高められる。
図11は、第5実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第5実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とが、隣接する組み合わせで、異なる長さ(L1〜L3)でボンディング接続されている。具体的には、中継基板側のボンディング位置は共通にして、リードピン側のボンディング位置をリードピンの配列方向に対してずらすことで、異なる長さのボンディング接続を実現している。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの長さを異ならせることで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図12は、第6実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第6実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とが、隣接する組み合わせで、異なる高さでボンディング接続されている。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの高さを異ならせることで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図13は、第7実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第7実施例では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とが、隣接する組み合わせで、異なる長さ(L1〜L3)でボンディング接続されている。具体的には、リードピン側のボンディング位置は共通にして、中継基板15上の電極パッドP3をリードピンの配列方向に対してずらして配置することで、リードピンと電極パッドとの距離を異ならせている。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの長さを異ならせることで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
なお、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とをボンディング接続する構成にして、光変調素子12上の電極パッドP1をリードピンの配列方向に対してずらして配置することで、ワイヤのループの長さが異なるボンディング接続を実現してもよい。
図14は、第8実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第8実施例では、リードピン16を6本ずつまとめて3つのユニットU(1)〜(3)を形成し、筐体11の側面に並べて固定してある。また、左側のユニットU(1)及び右側のユニットU(3)では、リードピン16と中継基板15上の電極パッドP3とをボンディング接続してあり、中央のユニットU(2)では、リードピン16と光変調素子12上の電極パッドP1とをボンディング接続してある。すなわち、ユニット単位で中継基板とのボンディング接続か光変調素子とのボンディング接続かを変えることで、異なる長さのボンディング接続を実現している。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの長さを異ならせることで、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図16は、第9実施例に係るリードピンユニット配置を示す図である。また、図15に、第9実施例の比較例として、従来例に係るリードピンユニット配置を示してある。
第9実施例では、リードピン16を6本ずつまとめて3つのユニットU(1)〜(3)を形成し、筐体11の側面に並べて固定してある。また、筐体11の底面からの高さ方向に対して、各ユニットU(1)〜(3)を異なる高さ位置に配置してある。具体的には、ユニットU(2)はユニットU(1)より距離L1だけ下方に配置し、ユニットU(3)はユニットU(1)より距離L2(>L1)だけ下方に配置してある。このような構造によっても、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの高さを異ならせることができ、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図17は、第10実施例に係るリードピンユニット配置及び中継基板配置を示す図である。また、図18は、第10実施例に係るワイヤボンディング接続構造を示す図である。
第10実施例では、リードピン16を6本ずつまとめて3つのユニットU(1)〜(3)を形成し、筐体11の側面に並べて固定してある。また、筐体11の底面からの高さ方向に対して、ユニットU(1)〜(3)に対して個別に設けた中継基板15(1)〜(3)を異なる高さ位置に配置してある。このような構造によっても、一部のリードピンと他のリードピンとで、ワイヤのループの高さを異ならせることができ、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。
図19は、第11実施例に係るリードピンユニット配置を示す図である。また、図20は、第11実施例に係るリードピンユニット構造を示す図である。
第11実施例では、リードピン16を6本ずつまとめて3つのユニットU(1)〜(3)を形成し、筐体11の側面に並べて固定してある。各ユニットU(1)〜(3)は、ボンディング面を横にした通常姿勢のリードピン16と、ボンディング面を縦にした特殊姿勢のリードピン16’とを、交互に配置した構造となっている。このように、一部のリードピンと他のリードピンとで、ボンディング面の向きを異ならせることで、ワイヤのループの高さを異ならせることができ、リードピンにボンディング接続されたワイヤの接続強度の低下を抑制させることができる。なお、一部のリードピンと他のリードピンとでボンディング面の向きを異ならせる構成としては、上記の構成に限定されない。例えば、リードピンを時計周りに所定角度(例えば45度)回転させたものと反時計回りに所定角度回転させたものとを混在させた構成としてもよい。また、ボンディング面の向きが異なる3種類以上のリードピンを混在させた構成としてもよい。
データ生成部32は、光送信装置で送信する信号データを生成してドライバ33に入力する。ドライバ33は、入力された信号データを増幅し、信号データに応じた波形の高周波信号を生成する。ドライバ33によって生成された高周波信号は、外部回路基板を経由して光変調器10のRF入力部に入力される。
また、具体的に図示して説明することを省略するが、各実施例で挙げた構成の幾つかを組み合わせた構成としてもよいことは言うまでもない。
11 筐体
12 光変調素子
13 光導波路
14 偏波合成部
15 中継基板
16,16a,16b リードピン
17,17a,17b ワイヤ
31 光源
32 データ生成部
33 ドライバ
P1〜P3 電極パッド
Claims (8)
- 光変調素子を筐体内に収容した光変調器において、
該筐体の側壁に固定された複数のリードピンを備え、
前記複数のリードピンは、複数のユニットに分けられ、
前記複数のユニットがそれぞれ有する複数のリードピンの各々は、該筐体の内部空間に突き出た突出部を有し、該突出部へのワイヤボンディングにより、該光変調素子又は該光変調素子に電気的に接続した中継基板と、電気的に接続され、
前記複数のユニットは、各リードピンを該光変調素子にボンディング接続したユニットと、各リードピンを該中継基板にボンディング接続したユニットとが混在するように設けられ、
各ユニット内のリードピンのうちの少なくとも一部のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状は、同じユニット内の他のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状とは、リードピンの長さ方向に対するワイヤのループの方向、ワイヤのループの長さ、又はリードピンのボンディング部に対するワイヤのループの最高点の高さの少なくとも1つが異なっていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1に記載の光変調器において、
少なくとも一部のユニット内のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状は、他のユニット内のリードピンにボンディング接続されるワイヤのループ形状とは、リードピンの長さ方向に対するワイヤのループの方向、ワイヤのループの長さ、又はリードピンのボンディング部に対するワイヤのループの高さの少なくとも1つが異なっていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1又は請求項2に記載の光変調器において、
該光変調素子又は該中継基板でボンディング接続される電極パッドは、該リードピンの配列方向に対して、少なくとも一部のユニット内のリードピンと他のユニット内のリードピンでは、電極パッドとリードピンとの距離が異なるように配置されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光変調器において、
該光変調素子又は該中継基板でボンディング接続される電極パッドは、該筐体の底面からの高さ方向に対して、少なくとも一部のユニット内のリードピンと他のユニット内のリードピンでは、異なる高さ位置に配置されていることを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光変調器において、
該リードピンの該筐体の底面からの高さは、少なくとも一部のユニット内のリードピンと他のユニット内のリードピンでは、異なる高さであることを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光変調器において、
各ユニット内の少なくとも一部のリードピンは、同じユニット内の他のリードピンとはボンディング面が異なる向きで該筐体の側壁に固定されたことを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の光変調器において、
少なくとも一部のユニット内の全てのリードピンは、リードピンの長さ方向に対して斜め方向にボンディング接続されたワイヤによって、該光変調素子又は該中継基板と電気的に接続されることを特徴とする光変調器。 - 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の光変調器を搭載したことを特徴とする光送信装置。
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