JP6221263B2 - 光変調器モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光変調器モジュールに関する。

光に信号を乗せて光ファイバで伝送する光通信システムにおいて、光源から出射された光を変調して光信号を生成する光変調器が利用されている。光変調器として、例えばマッハツェンダ型の光変調器が知られている（例えば、特許文献１）。

特開２０１２−１１８２７８号公報

光通信に用いられる光トランシーバは、光源、光受信器モジュール、及び光変調器モジュールを備える。光受信器モジュールは、光トランシーバの光コネクタに接続された光ファイバから入射される信号光を復調する。光変調器モジュールは、光源から出射される光を変調して変調信号光を生成し、光コネクタに接続された他の光ファイバから外部に出射する。

光変調器モジュールに入射される光及び光変調器モジュールから出射される光は、光トランシーバ内に設けられた光ファイバを経由する。このため、光ファイバの引き回しによっては、光変調器モジュールに入力される高周波信号を伝送する配線が長くなってしまうことが生じる。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、高周波信号を伝送する配線を短くすることが可能な光変調器モジュールを提供することを目的とする。

本発明は、光入力窓と光出力窓とが並行して設けられたパッケージと、光入力端と光出力端とが交差した関係で設けられた変調器チップと、前記光入力窓から入射された入力光の光軸を屈折させて、前記変調器チップの前記光入力端に入射させる光屈折部と、前記パッケージに設けられた第１電気端子と前記変調器チップの電気端子との間を接続する第１配線と、を備え、前記第１配線は、前記パッケージの前記光入力窓から前記変調器チップの前記光入力端の間における前記入力光の光軸と交差した関係で、前記光軸とは異なる高さで配置されてなることを特徴とする光変調器モジュールである。本発明によれば、高周波信号を伝送する配線を短くすることができる。

上記構成において、前記パッケージの前記光入力窓と前記光出力窓とが設けられた側壁と対向する側の側壁に第２電気端子を備え、前記第２電気端子と前記変調器チップとの間が第２配線によって接続されてなる構成とすることができる。

上記構成において、前記第２配線は、前記変調器チップに入力される変調信号を伝送するものである構成とすることができる。

上記構成において、前記第１配線は、前記変調器チップに入力される位相調整信号を伝送するものである構成とすることができる。

上記構成において、前記第１配線は、端部に導電性の突起部を備えた配線基板に設けられてなり、前記第１配線と前記変調器チップとの間は、前記突起部を介してワイヤにより接続されてなる構成とすることができる。

上記構成において、前記第１配線と交差する位置における前記入力光はコリメート光である構成とすることができる。

本発明によれば、高周波信号を伝送する配線を短くすることができる。

図１は、比較例１に係る光変調器モジュールの上面図である。 図２は、比較例２に係る光変調器モジュールの上面図である。 図３は、変調器チップを拡大した拡大図である。 図４は、図２のＡ−Ａ間の断面図である。 図５は、実施例１に係る光変調器モジュールを備えた光トランシーバを示すブロック図である。 図６（ａ）は、実施例１に係る光変調器モジュールの上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図７は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。 図８は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間に相当する部分における比較例３に係る光変調器モジュールの断面図である。 図９は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間に相当する部分における実施例２に係る光変調器モジュールの断面図である。 図１０は、実施例３に係る光変調器モジュールの上面図である。 図１１は、図１０のＡ−Ａ間の断面図である。

まず、比較例１に係る光変調器モジュールについて説明する。図１は、比較例１に係る光変調器モジュールの上面図である。図１のように、比較例１の光変調器モジュールは、パッケージ２００の第１側壁２０２に光出力窓２１０が設けられ、第１側壁２０２に対向する側壁である第３側壁２０６に光入力窓２１２が設けられている。光入力窓２１２には、入力用光ファイバ２１４が貫通するフェルール２１８が固定されたホルダ２２０が、コリメートレンズ（不図示）が収納されたホルダ２２２を介して接続される。光出力窓２１０には、出力用光ファイバ２１６が貫通するフェルール２１８が固定されたホルダ２２０が、コリメートレンズ（不図示）が収納されたホルダ２２２を介して接続される。

パッケージ２００の第１側壁２０２及び第３側壁２０６に交差する側壁である第２側壁２０４及び第４側壁２０８それぞれには、直流端子である電気端子２２４と高周波端子である電気端子２２６とが設けられている。

パッケージ２００に設けられたＴＥＣ（サーモエレクトリッククーラ）２２８上に変調器チップ２３０が搭載されている。入力用光ファイバ２１４から出射される光は、コリメートレンズ２３２を介して、変調器チップ２３０の入力用光ファイバ２１４側の端面に設けられた光入力端（入力ポート）２３４に入射される。変調器チップ２３０は、光入力端２３４に入射された光を変調して変調信号光を生成する。変調信号光は、出力用光ファイバ２１６側の端面に設けられた第１光出力端（第１出力ポート）２３６及び第２光出力端（第２出力ポート）２３８から出射される。なお、変調器チップ２３０の詳しい構成については説明を省略する。

第１光出力端２３６から出射された変調信号光は、コリメートレンズ２４０を介して、光の偏波を９０°回転させる半波長板２４２に入射される。変調信号光は、半波長板２４２を通過した後、ミラー２４４で反射されて、偏波フィルタ２４６に入射される。一方、第２光出力端２３８から出射された変調信号光は、コリメートレンズ２４８を通過した後、半波長板を経由せずに、偏波フィルタ２４６に入射される。第１光出力端２３６と第２光出力端２３８とから出射された変調信号光は、偏波フィルタ２４６で合波され、ホルダ２２２を介して出力用光ファイバ２１６に出射される。

変調器チップ２３０とパッケージ２００の第２側壁２０４及び第４側壁２０８との間には、変調器チップ２３０から出射される変調信号光を受光することで変調器チップ２３０の出力をモニタする検出手段（受光素子２５４等）が設けられた基板２５０が搭載されている。変調器チップ２３０に設けられた変調用電極に接続される終端抵抗２５２も搭載されている。

また、変調器チップ２３０とパッケージ２００の第２側壁２０４及び第４側壁２０８との間には、変調器チップ２３０を駆動させる駆動回路２５６と、駆動回路２５６と変調器チップ２３０とを電気的に接続させる配線が設けられた配線基板２５８とが設けられている。第２側壁２０４及び第４側壁２０８に設けられた高周波端子である端子２２６と駆動回路２５６とは、高周波配線２６０によって電気的に接続されている。また、第２側壁２０４及び第４側壁２０８に設けられた直流端子である電気端子２２４と変調器チップ２３０とは、ワイヤ２６２によって電気的に接続されている。

比較例１の光変調器モジュールによれば、出力用光ファイバ２１６及び入力用光ファイバ２１４が、パッケージ２００の対向する側壁である第１側壁２０２及び第３側壁２０６に接続される。このため、光トランシーバ内において、光ファイバの引き回しが複雑となり、光ファイバのスペースを確保するために、電気端子２２４、２２６に接続される配線が長くなることが生じてしまう。これにより、高周波信号を伝送する配線が長くなることが生じてしまい、信号特性の劣化を招く。

次に、比較例２に係る光変調器モジュールについて説明する。図２は、比較例２に係る光変調器モジュールの上面図である。図２のように、比較例２の光変調器モジュールは、パッケージ１０の第１側壁１２に光入力窓２０と光出力窓２２とが並んで設けられている。光入力窓２０には、入力用光ファイバ２４が貫通するフェルール２８が固定されたホルダ３０が、コリメートレンズ（不図示）が収納されたホルダ３２を介して接続される。光出力窓２２には、出力用光ファイバ２６が貫通するフェルール２８が固定されたホルダ３０が、コリメートレンズ（不図示）が収納されたホルダ３２を介して接続される。ここで、パッケージ１０において、第１側壁１２の光入力窓２０側の端に接続する側壁を第２側壁１４、第１側壁１２に対向する側壁を第３側壁１６、第１側壁１２の光出力窓２２側の端に接続する側壁を第４側壁１８とする。

パッケージ１０に設けられたＴＥＣ（サーモエレクトリッククーラ）３４上に、例えば半導体マッハツェンダ光変調器チップである変調器チップ４０が搭載されている。ここで、変調器チップ４０において、パッケージ１０の第１側壁１２に沿った端面を第１端面４２、第２側壁１４に沿った端面を第２端面４４、第３側壁１６に沿った端面を第３端面４６、第４側壁１８に沿った端面を第４端面４８とする。変調器チップ４０は、光入力窓２０に接続された入力用光ファイバ２４から出射される光が、第２端面４４に設けられた光入力端（入力ポート）５０に入射される。

ここで、入力用光ファイバ２４から出射された光が、光入力端５０に入射されるまでの経路を説明する。入力用光ファイバ２４から出射された光（入力光３６）は、ホルダ３２に収納されたコリメートレンズでコリメート光にされた後、パッケージ１０に設けられたミラー６０で反射される。ミラー６０で光軸が屈折させられた入力光３６は、コリメートレンズ６２を介して、光入力端５０に入射される。

このように、入力光３６が変調器チップ４０の第２端面４４に入射される構成とすることで、低損失で、光学系を簡易にできるとの利点がある。例えば、入力光３６が変調器チップ４０の第１端面４２に入射される構成の場合、第１端面４２から第３端面４６に向かって延びる導波路を形成し、入力光３６がこの導波路を経由することになる。このため、光の損失が増加してしまう。また、例えば、入力光３６が変調器チップ４０の第３端面４６に入射される構成の場合、入力用光ファイバ２４が第１側壁１２に接続されていることから、ミラーによる反射を２回行う必要があり、部品点数の増加や高い実装精度が求められる。

変調器チップ４０は、光入力端５０に入射された入力光３６を変調して変調信号光を生成する。変調信号光は、変調器チップ４０の第１端面４２に設けられた第１光出力端（第１出力ポート）５２及び第２光出力端（第２出力ポート）５４から出射される。また、変調信号光の一部は、変調器チップ４０の第２端面４４に設けられた第１モニタ光出力端（第１モニタ出力ポート）５６及び第４端面４８に設けられた第２モニタ光出力端（第２モニタ出力ポート）５８からも出射される。このように、変調器チップ４０は、光入力端５０と第１及び第２光出力端５２、５４とが交差した関係で設けられ、第１及び第２光出力端５２、５４と交差する両端部（第２端面４４及び第４端面４８）に第１及び第２モニタ光出力端５６、５８が設けられている。

第１光出力端５２から出射された変調信号光は、コリメートレンズ６４を介して、光の偏波を９０°回転させる半波長板６６に入射される。変調信号光は、半波長板６６を通過した後、ミラー６８で反射されて、偏波フィルタ７０に入射される。一方、第２光出力端５４から出射された変調信号光は、コリメートレンズ７１を通過した後、半波長板を経由せずに、偏波フィルタ７０に入射される。第１光出力端５２と第２光出力端５４とから出射された変調信号光は、偏波フィルタ７０で合波され、ホルダ３２内のコリメートレンズを介して出力用光ファイバ２６に出射される。

パッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８には、直流端子である電気端子７２が設けられている。第３側壁１６には、高周波端子である電気端子７４が設けられている。

変調器チップ４０とパッケージ１０の第３側壁１６との間には、変調器チップ４０を駆動させる駆動回路７６、駆動回路７６と変調器チップ４０とを電気的に接続させる配線７８を有する配線基板８０が搭載されている。駆動回路７６は、配線８２によって、第３側壁１６に設けられた電気端子７４に電気的に接続されている。配線７８、８２は、高周波端子である電気端子７４に入力された高周波信号（例えば変調器チップ４０に入力される変調信号）を伝送する高周波配線である。

ここで、変調器チップ４０について詳しく説明する。図３は、変調器チップ４０を拡大した拡大図である。図３のように、第２端面４４の光入力端５０に接続された光導波路８８は、３段に接続されたＹ分岐の光分岐器９６によって、光導波路９０ａ〜９０ｈに分岐される。光導波路９０ａ〜９０ｈそれぞれには、変調用電極９８と位相調整用電極１００とが設けられている。変調用電極９８の一端には、配線１０２を介して、光を変調させる変調用の電圧が駆動回路７６により印加される。変調用電極９８の間には変調用電極９９が配置されており、変調用電極９９はグランド電極に相当する。変調用電極９９の一端は、配線１０３を介して、駆動回路７６のグランド端子に接続される。また、変調用電極９８および変調用電極９９の他端には、配線１０４を介して、終端抵抗が接続されている。変調用電極９８に変調用の電圧を印加することで、光導波路９０ａ〜９０ｈを通過する光の位相を変化させて変調信号光を生成する。位相調整用電極１００には、直流電圧が配線１０６を介して印加される。位相調整用電極１０１は、グランド電極に相当する。位相調整用電極１０１の一端は、配線１０７を介して、外部のグランド端子に接続される。位相調整用電極１００に直流電圧を印加することで、光導波路９０ａ〜９０ｈを通過する光の位相を調整する。

光導波路９０ａ〜９０ｈは、位相調整用電極１００の後段に設けられた光合波器１０８で合流し、光導波路９２ａ〜９２ｄとなる。光導波路９２ａ〜９２ｄには、上述したのと同様の機能を有する位相調整用電極１１０が設けられている。光導波路９２ａ及び９２ｂは、光合分波器１１２で合流し、光導波路９４ａ及び９４ｂに分岐する。光導波路９２ｃ及び９２ｄは、光合分波器１１４で合流し、光導波路９４ｃ及び９４ｄに分岐する。光導波路９４ｂは、第１端面４２の第１光出力端５２に接続され、光導波路９４ｃは、第１端面４２の第２光出力端５４に接続される。光導波路９４ａは、第２端面４４の第１モニタ光出力端５６に接続され、光導波路９４ｄは、第４端面４８の第２モニタ光出力端５８に接続される。

図２のように、変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４との間に、変調器チップ４０の第１モニタ光出力端５６から出射される変調信号光を受光することで変調器チップ４０の出力をモニタする検出手段（受光素子１１６等）が設けられた第１基板１１８が搭載されている。変調器チップ４０とパッケージ１０の第４側壁１８との間に、変調器チップ４０の第２モニタ光出力端５８から出射される変調信号光を受光することで変調器チップ４０の出力をモニタする検出手段（受光素子１１６等）が設けられた第２基板１２０が搭載されている。変調器チップ４０の出力をモニタすることで、変調器チップ４０に印加する直流電圧をフィードバック制御することが可能となり、変調器チップ４０を安定に動作させることができる。このように、変調器チップ４０の出力をモニタする検出手段を２つ設けているのは、変調器チップ４０の光出力端が２つあるためである。また、変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８との間には、終端抵抗１２２も搭載されている。終端抵抗１２２は、図３で説明した変調用電極９８に接続される終端抵抗である。

パッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８に設けられた直流端子である電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子とは、ワイヤ１２４によって電気的に接続されている。この点について、図４を用いて説明する。図４は、図２のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図４においては、参考として、ミラー６０、コリメートレンズ６２等についても点線で図示している。図４のように、パッケージ１０に設けられたＴＥＣ３４上に、第１キャリア１２６と第２キャリア１２８とを介して、変調器チップ４０が搭載されている。第１キャリア１２６の厚さは、例えば０．５ｍｍであり、第２キャリア１２８の厚さは、例えば１ｍｍである。変調器チップ４０の厚さは、例えば１００μｍである。ミラー６０及びコリメートレンズ６２は、第１キャリア１２６上に設けられた第３キャリア１３０上に搭載されている。第３キャリア１３０の厚さは、例えば０．５ｍｍである。コリメートレンズ６２の高さは、例えば１ｍｍである。また、入力光３６のビーム径は、例えば３００μｍである。

パッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８には、例えばセラミック等の絶縁体からなるフィードスルー１３２が設けられ、このフィードスルー１３２上に電気端子７２が設けられている。フィードスルー１３２を設けているのは、パッケージ１０が金属製のためである。変調器チップ４０上の配線１０６（電気端子）と、フィードスルー１３２上に設けられ、電気端子７２に電気的に接続される配線１３４とは、ワイヤ１２４によって接続されている。

比較例２では、図２のように、入力用光ファイバ２４と出力用光ファイバ２６とを、パッケージ１０の同じ側壁（第１側壁１２）に接続させる構成としている。これにより、光トランシーバ内において、ファイバの引き回しを簡易にでき、高周波信号を伝送する配線を短くすることができる。しかしながら、図３のように、直流電圧が印加される位相調整用電極８６、１００、１０１が、変調器チップ４０の第１端面４２側に設けられている。このため、図２のように、パッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８に設けられた直流端子である電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子とを電気的に接続させるワイヤ１２４は、変調器チップ４０の第１端面４２側に設けられる。この結果、図４のように、入力光３６がワイヤ１２４と干渉して妨げられることが生じてしまう。

そこで、このような課題を解決した実施例について以下の説明する。

まず、実施例１に係る光変調器モジュールを備えた光トランシーバについて説明する。図５は、実施例１に係る光変調器モジュールを備えた光トランシーバを示すブロック図である。図５のように、光トランシーバは、光源１５０、光受信器モジュール１５２、及び光変調器モジュール１５４を備える。これらは電気コネクタ１５５によって外部と電気的に接続される。光受信器モジュール１５２は、光ファイバ１５６ａを介して光源１５０から入射される光をＬＯ光（局部発振光）として用いる。このＬＯ光と光コネクタ１５８に接続された光ファイバ（不図示）から光ファイバ１５６ｂを介して入射された信号光とで伝送信号を復調する。復調された伝送信号によって得られた電気信号は、電気コネクタ１５５を介して外部機器に出力される。光変調器モジュール１５４は、外部機器から電気コネクタ１５５を介して入力される電気信号に基づいて、光ファイバ１５６ｃを介して光源１５０から入射されたＣＷ（Continuous wave）光を変調して変調信号光を生成する。変調信号光は、光ファイバ１５６ｄを介して、光コネクタ１５８に接続された光ファイバ（不図示）に出射される。

図６（ａ）は、実施例１に係る光変調器モジュールの上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。比較例２と共通の構成については同一の番号を付し説明を省略する。図６（ａ）のように、実施例１では、変調器チップ４０の電気端子とパッケージ１０の第２側壁１４に設けられた電気端子７２とが、配線基板１３６を用いて電気的に接続されている。配線基板１３６は、パッケージ１０の第１側壁１２とミラー６０との間であって、変調器チップ４０の第１端面４２側に設けられている。配線基板１３６がこのような位置に設けられているのは、比較例２で述べたように、変調器チップ４０上に設けられた位相調整用電極８６、１００、１０１が、変調器チップ４０の第１端面４２側に設けられているためである。また、変調器チップ４０とパッケージ１０の第３側壁１６との間のスペースには配線基板８０が設けられているため、このスペースに配線基板１３６を設けることができず、特に、配線基板１３６と配線基板８０とが電気的に干渉することを抑えるためには、互いを離して設けることが好ましいためである。

配線基板１３６について、図６（ｂ）と図７を用いて説明する。図７は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。図６（ｂ）及び図７のように、パッケージ１０に設けられたＴＥＣ３４上に、第１キャリア１２６と第２キャリア１２８とを介して、変調器チップ４０が搭載されている。変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４との間であって、第１キャリア１２６上に配線基板１３６が搭載されている。配線基板１３６の厚さは、例えば０．５ｍｍである。

パッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８には、フィードスルー１３２が設けられ、このフィードスルー１３２上に電気端子７２が設けられている。フィードスルー１３２上に設けられ、第４側壁１８の電気端子７２に電気的に接続される配線１３４と、変調器チップ４０上の配線１０６（電気端子）とは、ワイヤ１２４によって電気的に接続されている。一方、フィードスルー１３２上に設けられ、第２側壁１４の電気端子７２に電気的に接続される配線１３４と、変調器チップ４０上の配線１０６（電気端子）とは、配線基板１３６上の配線１３８とワイヤ１２４とによって電気的に接続されている。電気端子７２は直流端子であることから、配線１３８は、変調器チップ４０に入力される位相調整信号を伝送するものである。配線基板１３６は、第１キャリア１２６上に搭載されており、入力光３６よりも低い位置に配置されている。

ここで、比較例３に係る光変調器モジュールについて説明する。図８は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間の相当する部分における比較例３に係る光変調器モジュールの断面図である。図８のように、実施例１の図７と異なる点は、配線基板１３６が、第１キャリア１２６上ではなく、フィードスルー１３２上に搭載されている点である。この場合、パッケージ１０の第２側壁１４に設けられた電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子とを、配線基板１３６を用いて電気的に接続させたとしても、入力光３６が配線基板１３６と干渉して妨げられることが生じてしまう。

したがって、入力光３６の干渉による妨げを抑えるためには、パッケージ１０の第２側壁１４に設けられた電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子とを配線基板１３６を用いて電気的に接続させるだけでは足りず、図７のように、配線基板１３６を入力光３６よりも低い位置に配置することが望ましい。

以上説明してきたように、実施例１によれば、入力用光ファイバ２４が接続する光入力窓２０と出力用光ファイバ２６が接続する光出力窓２２とを、パッケージ１０に並行して設けている。これにより、光トランシーバ内において、ファイバの引き回しを簡易にでき、高周波信号が伝送する配線を短くできる。また、パッケージ１０に設けられた電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子との間を接続する配線１３８（第１配線）は、光入力窓２０から光入力端５０の間における入力光３６の光軸と交差した関係にあり、入力光３６の光軸とは異なる高さに配置されている。これにより、入力光３６の干渉による妨げを抑制することができる。したがって、実施例１によれば、入力光３６の干渉による妨げを抑制しつつ、光トランシーバ内でのファイバの引き回しを簡易にでき、高周波信号を伝送する配線を短くすることができる。

パッケージ１０の光入力窓２０及び光出力窓２２が設けられた第１側壁１２と対向する側の第３側壁１６に電気端子７４が設けられ、電気端子７４と変調器チップ４０との間が配線７８（第２配線）によって接続されている。このような構成の場合、上述したように、配線１３８は、配線７８との電気的な干渉を抑えるために、変調器チップ４０の第１端面４２側に配置されることが好ましい。これにより、比較例３のように、配線基板１３６の配置場所によっては、入力光３６が干渉によって妨げられることが生じる。したがって、このような構成の場合に、配線１３８（第１配線）を入力光３６の光軸と異なる高さに配置することが望まれる。

また、パッケージ１０の第３側壁１６に設けられた電気端子７４は高周波端子であり、配線７８は、変調器チップ４０に入力される変調信号を伝送するものであることが好ましい。これにより、光トランシーバ内において、変調信号を伝送する配線をより短くできる。

図９は、図６（ａ）のＢ−Ｂ間に相当する部分における実施例２に係る光変調器モジュールの断面図である。図９のように、実施例１の図７と異なる点は、配線基板１３６の端部に導電性の突起部１４０が設けられ、配線１３８と変調器チップ４０との間は、突起部１４０を介してワイヤ１２４によって電気的に接続されている点である。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例２によれば、配線１３８と変調器チップ４０との間が、突起部１４０を介してワイヤ１２４によって接続されている。これにより、突起部１４０の上面と変調器チップ４０の上面及びフィードスルー１３２の上面とを略同一面にでき、それらの間の段差を小さくできるため、ワイヤ１２４の長さを短くできる。よって、ワイヤボンディングの作業性を向上させることができる。

なお、突起部１４０は導電性の場合に限らず、絶縁材で形成され、突起部１４０上に配線１３８が延在し、突起部１４０上の配線１３８と変調器チップ４０及び電気端子７２とがワイヤ１２４によって電気的に接続されている場合でもよい。この場合、突起部１４０は、配線基板１３６と異なる部材を配線基板１３６上に設けることで形成してもよいし、配線基板１３６と一体成型で形成してもよい。

図１０は、実施例３に係る光変調器モジュールの上面図である。比較例２の図２と共通の構成については同一の番号を付し説明を省略する。図１０のように、実施例３では、配線基板１３６が、変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４との間だけではなく、変調器チップ４０とパッケージ１０の第４側壁１８との間にも設けられている。したがって、変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８に設けられた電気端子７２とは、配線基板１３６を用いて電気的に接続されている。

図１１は、図９のＡ−Ａ間の断面図である。実施例１の図７と共通の構成については同一の番号を付し説明を省略する。図１１のように、変調器チップ４０とパッケージ１０の第２側壁１４及び第４側壁１８との間それぞれに、配線基板１３６が設けられている。フィードスルー１３２上に設けられ、第２側壁１４の電気端子７２に電気的に接続される配線１３４と、変調器チップ４０上の配線１０６（電気端子）とは、配線基板１３６上の配線１３８とワイヤ１２４とによって電気的に接続されている。同様に、フィードスルー１３２上に設けられ、第４側壁１８の電気端子７２に電気的に接続される配線１３４と、変調器チップ４０上の配線１０６（電気端子）とは、配線基板１３６上の配線１３８とワイヤ１２４とによって電気的に接続されている。

実施例３によれば、パッケージ１０の第４側壁１８に設けられた電気端子７２と変調器チップ４０とについても、配線基板１３６を用いて電気的に接続されている。これにより、実施例１に比べて、第４側壁１８の電気端子７２と変調器チップ４０の電気端子とを電気的に接続させるために用いるワイヤ１２４の長さを短くできる。よって、ワイヤボンディングの作業性を向上させることができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ パッケージ
１２ 第１側壁
１４ 第２側壁
１６ 第３側壁
１８ 第４側壁
２０ 光入力窓
２２ 光出力窓
３６ 入力光
４０ 変調器チップ
４２ 第１端面
４４ 第２端面
４６ 第３端面
４８ 第４端面
５０ 光入力端
５２ 第１光出力端
５４ 第２光出力端
６０ ミラー
７２ 電気端子
７４ 電気端子
７８ 配線
８０ 配線基板
１３６ 配線基板
１３８ 配線
１４０ 突起部
１２４ ワイヤ

Claims (6)

1. 光入力窓と光出力窓とが並行して設けられたパッケージと、
   光入力端と光出力端とが隣接する側面に設けられた変調器チップと、
   前記光入力窓から入射された入力光の光軸を屈折させて、前記変調器チップの前記光入力端に入射させる光屈折部と、
   前記パッケージに設けられた第１電気端子と前記変調器チップの電気端子との間を接続する第１配線と、を備え、
   前記第１配線は、前記パッケージを上方から俯瞰した場合には、前記パッケージの前記光入力窓から前記変調器チップの前記光入力端の間における前記入力光の光軸と交差する位置に配置され、前記入力光の光軸と垂直な面内においては、前記光軸とは異なる高さで配置されてなることを特徴とする光変調器モジュール。
2. 前記パッケージの前記光入力窓と前記光出力窓とが設けられた側壁と対向する側の側壁に第２電気端子を備え、前記第２電気端子と前記変調器チップとの間が第２配線によって接続されてなることを特徴とする請求項１記載の光変調器モジュール。
3. 前記第２配線は、前記変調器チップに入力される変調信号を伝送するものであることを特徴とする請求項２記載の光変調器モジュール。
4. 前記第１配線は、前記変調器チップに入力される位相調整信号を伝送するものであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の光変調器モジュール。
5. 前記第１配線は、端部に導電性の突起部を備えた配線基板に設けられてなり、前記第１配線と前記変調器チップとの間は、前記突起部を介してワイヤにより接続されてなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の光変調器モジュール。
6. 前記第１配線と交差する位置における前記入力光はコリメート光であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の光変調器モジュール。

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