JP7367579B2 - 光機能デバイス - Google Patents

Description

本発明は、光変調等の光機能を発揮する光機能デバイスに関し、特に、筐体の一の面に入力光ファイバと出力光ファイバの両者が配される光機能デバイスに関する。

高速／大容量光ファイバ通信システムにおいては、光変調を行う導波路型光素子（以下、光変調素子）を組み込んだ光送信装置が多く用いられている。中でも、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ_３（以下、ＬＮともいう）を基板に用いた光変調素子は、インジウムリン（ＩｎＰ）、シリコン（Ｓｉ）、あるいはガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの半導体系材料を用いた変調素子に比べて、光の損失が少なく且つ広帯域な光変調特性を実現し得ることから、高速／大容量光ファイバ通信システムに広く用いられている。

光ファイバ通信システムにおける変調方式は、近年の伝送容量の増大化の流れを受け、ＱＰＳＫ（Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）やＤＰ－ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ － Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｋｅｙｉｎｇ）等、多値変調や、多値変調に偏波多重を取り入れた伝送フォーマットが主流となっている。

近年のインターネットサービスの普及加速は通信トラフィックのより一層の増大を招き、光通信システムについての、継続的な高速大容量化の検討が今も進められている。４００Ｇｂｐｓを超えるような光通信システムでは、変調信号のシンボルレートは６４Ｇｂａｕｄや９６Ｇｂａｕｄ、あるいはそれ以上にも達するため、ＤＳＰ、変調器ドライバ、変調器間の高周波インターフェースを介した接続により、変調信号が大きく劣化するといった問題が発生している。その一方で、装置の小型化に対する要求は不変であり、光変調素子そのものの小型化に加えて、電子回路と光変調素子とを一つの筐体に収容し、光変調デバイスとして集積化する等の取り組みも進められている。

例えば、光変調素子と、当該光変調素子を駆動する高周波ドライバアンプとを一つの筐体内に集積して収容し、光入出力部を当該筐体の一の面に並列配置することで、高周波接続による変調信号の劣化を低減しながら、小型・集積化を図った光変調デバイスが提案されている。

そのような光変調デバイスとして、従来、筐体内に入力光を導入する入力光ファイバと、筐体内に収容された光変調素子からの出力光を当該筐体の外部へ導く出力光ファイバと、をそれぞれ別個の機構部材（保持部材）のセットを介して、当該筐体の一の面の二つの位置に並列配置するものが知られている（特許文献１参照）。

特許文献１に記載の光変調モジュールでは、光変調素子を収容する筐体の一の面に配された入力光ファイバ及び出力光ファイバと、当該光変調素子と、の間が、それぞれレンズを介した空間光学系により光学的に結合される。そして、この光変調モジュールでは、筐体内部の構成要素の配置を工夫して筐体内部の空間を伝搬する光の経路を効率的に確保することで、光変調素子と電子回路とを内蔵する筐体の小型化が実現されている。

しかしながら、この光変調モジュールでは、入力光ファイバと出力光ファイバとが筐体の一の面に配される一方で、筐体内部において使用される光変調素子は、これを構成する平面視矩形の基板の相異なる２つの端面に光入力部及び光出力部を有するため、例えば入力光ファイバから上記光入力部までの入力光経路の長さが、上記光出力部から出力光ファイバまでの光経路よりも長くなる。このため、入力光ファイバから光入力部への光の結合損失を低減することがやや困難となり得る。さらに長い光経路部分では、温度変動などによる筐体の歪などにより、光の伝搬軸が最適位置から、傾いたりずれたりすることで損失変動が発生しやすくなるといった問題も生じる。

上記結合損失を低減する策として、光変調素子を構成する基板の一の端面に当該光変調素子の光入力部と光出力部の双方を設ける構成が考えられる。しかしながら、この場合には、上記光入力部及び光出力部が設けられた上記基板の一の端面と、筐体の一の面に設けられた入力光ファイバ及び出力光ファイバと、の間の狭い空間の中に入力光ファイバからの入力光の空間伝搬経路と出力光ファイバへの出力光の空間伝搬経路とが混在することとなる。その結果、上記構成では、入力光と出力光との間のクロストークが悪化することとなり得る。

上述した従来技術に関連する構成として、特許文献２には、筐体の一の面に配された２つの出力光ファイバと、当該２つの光ファイバに対向する位置に配された２つの光変調素子のそれぞれの光出力端と、を光学的に結合する構成が記載されている。特許文献２に記載の光送信装置では、上記２つの光変調素子の光出力端からそれぞれ出射される出力光の光軸を、２つのビームシフトプリズムを用いて互いに異なる方向へ並進させることにより、当該光軸間の距離が拡大される。これにより、２つの出力光の空間的な分離度が高められることにより出力光間のクロストークの悪化が抑制されると共に、筐体の一の面に配される２つの光ファイバの相互の距離が拡大されて、これら光ファイバの調整や筐体への固定の作業性が向上し得る。

しかしながら、特許文献２に記載の構成は、筐体の一の面に２つの出力光ファイバが配されて２つの光変調素子からの２つの出力光が当該一の面へ向かう同じ方向に伝搬する構成であり、上述のように入力光ファイバと出力光ファイバとが筐体の一の面に配される構成、すなわち、入力光と出力光とが当該一の面に対して互いに逆方向へ伝搬し得る構成において、出力光ファイバに対する入力光のクロストークについての改善策を与えるものではない。入力光は変調素子での光損失や変調損失が生じていないため、出力光にくらべ光の強度が１０ｄＢ以上高く、その影響を無視することができない。

特開２０１４－１６７５４６号公報 特開２０１５－１７２６３０号公報

上記背景より、光導波路素子を収容する筐体の一の面に入力光ファイバおよび出力光ファイバの双方が配される光機能デバイスにおいて、入力光ファイバからの入力光と出力光ファイバへ結合する出力光との間のクロストークを低く保って良好な光学特性を実現することが求められている。

本発明の一の態様は、光機能素子と、前記光機能素子を収容する筐体と、前記光機能素子への入力光を前記筐体内へ導く入力光ファイバと、前記光機能素子からの出射光で構成される出力光を前記筐体の外へ導く出力光ファイバと、を備える光機能デバイスであって、前記入力光ファイバと前記出力光ファイバとは、共に前記筐体の一の面に固定され、前記入力光ファイバから出射した入力光を前記出射光の光経路のある方向へ反射する第１の反射面と、前記第１の反射面で反射した前記入力光を前記光機能素子へ向けて反射する第２の反射面と、前記光機能素子からの前記出射光を、前記入力光ファイバの光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面と、を備え、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸又は当該光軸を当該漏れ光が伝搬し得る光伝搬媒質内において延長した延長線は、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸と一致する部分を含まず、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸と、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸とは、互いに平行ではない。
本発明の他の態様によると、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸上であって且つ前記第２の反射面と前記第３の反射面との間の位置に、前記漏れ光を遮蔽する遮蔽体が設けられている。
本発明の他の態様によると、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸又は当該光軸の前記延長線は、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸から、前記漏れ光のビーム径の値より大きな値の距離をもって隔たっている。
本発明の他の態様によると、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸と、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸とは、互いに平行ではない。
本発明の他の態様によると、前記第３の反射面は、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸の前記延長線上に配されていない。
本発明の他の態様によると、前記光機能素子は、基板上に形成された光導波路で構成され、前記入力光を受ける入力導波路の端部と、前記出射光を出射する出力導波路の端部と、が前記基板の同一端面上に配されている。

本発明によれば、光導波路素子を収容する筐体の一の面に入力光ファイバおよび出力光ファイバの双方が配される光機能デバイスにおいて、入力光ファイバからの入力光と出力光ファイバへ結合する出力光との間のクロストークを低く保って良好な光学特性を実現することができる。

本発明の第１の実施形態に係る光変調デバイスの構成を示す図である。 図１に示す光変調デバイスのＡ部の部分詳細図である。 第１の実施形態の第１の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。 第１の実施形態の第２の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。 第１の実施形態の第３の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。 第１の実施形態の第４の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。 本発明の第２の実施形態に係る光変調デバイスの構成を示す図である。 図７に示す光変調デバイスのＢ部の部分詳細図である。 図８に示すＢ部のＩＸ－ＩＸ断面矢視図である。 第２の実施形態の第１の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。 第２の実施形態の第２の変形例に係る光変調デバイスの部分詳細図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
［第１実施形態］
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る光機能デバイスである光変調デバイスの構成を示す図である。図１において、図示右側および左側の図は、それぞれ、光変調デバイス１００の平面図および側面図である。また、図２は、図１右側の平面図におけるＡ部の部分詳細図である。

光変調デバイス１００は、例えば光変調を行う光機能素子である光変調素子１０２と、当該光変調素子１０２を収容する筐体１０４と、光変調素子１０２への入力光を導入する入力光ファイバ１０６と、光変調素子１０２から出射される変調された光（変調光）を筐体１０４の外部へ導く出力光ファイバ１０８と、を含む。

筐体１０４は、例えば、平面視が長辺長３０ｍｍ程度、短辺長１２ｍｍ程度の略長方形をなす六面体であり、図示左側の短辺を一の辺とする一の面１０５に、入力光ファイバ１０６および出力光ファイバ１０８が配されている。また、入力光ファイバ１０６および出力光ファイバ１０８は、それぞれ、筐体１０４の面１０５に設けられた窓（不図示）を介して、光変調素子１０２と光学的に結合している。

入力光ファイバ１０６と出力光ファイバ１０８とは、それぞれ、異なる二組の保持部材により、筐体１０４の一の面１０５の２つの個別の位置に並列に配置されている。入力光ファイバ１０６は、一方の一組の保持部材を構成するフェルール１４０と、フランジ付きのスリーブ１４２と、その内部にレンズ１４４が固定されたレンズホルダ１４６と、により筐体１０４に固定されている。同様に、出力光ファイバ１０８は、他方の一組の保持部材を構成するフェルール１４８と、フランジ付きのスリーブ１５０と、その内部にレンズ１５２が固定されたレンズホルダ１５４と、により筐体１０４に固定されている。

筐体１０４には、また、光変調素子１０２を動作させるための駆動回路（ドライバ回路）１１０が搭載された回路基板１１２が収容されている。駆動回路１１０は変調信号を増幅する為のアンプで構成されるが、それに加えて信号処理ＩＣ（ＤＳＰ）が含まれていても良い。駆動回路は必ずしも基板上に搭載されている必要はなく、駆動回路のＩＣの周囲に回路基板が配置・接続され、ＩＣは放熱のため直接か放熱部材を介して筐体に搭載されていてもよい。また回路基板と筐体が一体化したセラミックパッケージのような形態であってもよい。筐体１０４には、また、外部から供給される変調信号を受ける複数のピン１１４が設けられている。駆動回路の電源や制御信号は、筐体１０４の側壁に設けられたピン１２０、１２２に接続される。筐体１０４には、光変調素子１０２が有するモニタ用受光素子（不図示）が出力する電気信号を中継する中継基板１１６、１１８が収容され、筐体１０４の側壁に当該電気信号を筐体１０４の外部へ出力するピン１２０、１２２が設けられている。これらのピン１２０、１２２はどちらか片側の面のみに配置されるものとしても構わない。

光変調素子１０２は、例えば、ＬＮ基板上に形成された光導波路（図示点線）と、当該光導波路を伝搬する光波を制御する複数の電極（不図示）と、で構成される。これらの電極は、高周波の伝送線路を構成し、これら電極の一端には、駆動回路１１０が出力する高周波信号が入力され、他端には当該伝送線路とほぼ同じインピーダンスを有する終端器１２４および１２６がそれぞれ接続される。これにより、上記電極には上記高周波信号が進行波となって伝搬し、当該高周波信号により、光変調素子１０２に入力された光が変調される。

上述した２つの中継基板１１６、１１８は、それぞれ、筐体１０４の相対向する図示上側および下側の側壁に設けられたピン１２０、１２２との接続のため、光変調素子１０２を挟んで図示上側及び下側にそれぞれ配されている。また、上述した２つの終端器１２４、１２６も、例えば上記ＬＮ基板上における上記電極の配置の容易さ等のため、光変調素子１０２を挟んで図示上側及び下側にそれぞれ配される。それらに加え、高周波信号の劣化や減衰を防ぎ、ポート間の特性差を抑えるために、ピン１１４から変調素子までの複数の高周波の配線は、ほぼ中心対称に短い配線で配置されていることが望ましい。その結果、光変調素子１０２の図示上側及び下側に中継基板１１６、１１８のそれぞれ及び終端器１２４、１２６のそれぞれを配する空間を確保すべく、光変調素子１０２は、例えば、筐体１０４の幅方向（図示上下方向）の中心に配される。

光変調素子１０２は、例えばＤＰ－ＱＰＳＫ変調を行う変調素子であり、図示左側の端面である光入出射面１２８から単一の直線偏波光の入力光が入力される。当該入力光は、光入出射面１２８にその端部が配された入力導波路２０２（図２）に入射した後、光変調素子１０２内において折り返されると共に２つの光波に分岐されてそれぞれ変調され、変調された直線偏波光である２つの出射光が、それぞれ、光入出射面１２８にその端部が設けられた２つの出力導波路２０４ａ、２０４ｂから出射される。すなわち、光変調素子１０２は、光導波路が形成された基板の同一端面上に（具体的には、光入出射面１２８に）、入力光を受ける入力導波路２０２の端部と、出射光を出射する出力導波路２０４ａ、２０４ｂの端部と、が配されている。光変調素子１０２の光入出射面１２８には、また、３つのレンズ２００ａ、２００ｂ、２００ｃ（図２）を備えるマイクロレンズアレイ１３０が配されている。

光変調素子１０２のように基板上に形成された光導波路で構成される光機能素子では、一般に、光入出射面１２８における入力導波路２０２、出力導波路２０４ａ、２０４ｂの相互の導波路間隔は数百μｍ～数ｍｍ程度以下であり、これと同じ間隔で筐体１０４の面１０５上に入力光ファイバ１０６と出力光ファイバ１０８とを配することは困難である。また、一般に、上述のように光変調素子１０２は筐体１０４の幅方向の中央部に配される。一方、入力光ファイバ１０６及び出力光ファイバ１０８は、レンズホルダやフェルールの固定をＹＡＧ溶接などの手段によって、その外周の複数点で筐体と溶接固定するため、その間隔が広い方が、溶接が行いやすい。さらに、環境温度の変動等に起因して発生する筐体１０４の歪の影響を回避するべく、一般に、筐体１０４の幅方向中心線に対し対称な位置に配される。

このため、光変調デバイス１００では、入力光ファイバ１０６の光軸及び出力光ファイバ１０８の光軸を並進方向にシフトして、これらの光軸の間隔を上記導波路間隔と同程度まで寄せるべく、２つのビームシフトプリズム１３４、１３６が用いられている。これらのビームシフトプリズム１３４、１３６は、例えば、筐体１０４の底面１０７（図１左図）に平行な平面内において入力光ファイバ１０６からの入力光および出力光ファイバ１０８への出力光を並進方向にシフトするように配される。

図２を参照し、入力光ファイバ１０６から入射した入力光は、レンズ１４４によりコリメートされたのち、ビームシフトプリズム１３４によりその光路が出力光ファイバ１０８の光軸のある方向へ向かって並進方向にシフトされ、マイクロレンズアレイ１３０のレンズ２００ａにより集光されて、入力導波路２０２に入射する。ここで、ビームシフトプリズム１３４は２つの反射面２１０、２１２で構成される。反射面２１０は、入力光ファイバ１０６から出射した入力光を出力光の光経路のある方向へ反射する第１の反射面に対応し、反射面２１２は、反射面２１０で反射した入力光を光機能素子である光変調素子１０２へ向けて反射する第２の反射面に対応する。

また、光変調素子１０２の出力導波路２０４ａ、２０４ｂからそれぞれ出射される直線偏波光である２つの出射光は、マイクロレンズアレイ１３０の２つのレンズ２００ｂ、２００ｃによりコリメートされたのち、偏波合成器１３２により合波されて一つの出力光となる。偏波合成器１３２は、例えば半波長板と偏波合成プリズムとにより構成される。

偏波合成器１３２から出力された出力光は、ビームシフトプリズム１３６によりその光路が出力光ファイバ１０８の光軸のある方向へ向かって並進方向にシフトされたのち、レンズ１５２により集光されて出力光ファイバ１０８に結合する。ここで、ビームシフトプリズム１３６は２つの反射面２２０、２２２で構成される。反射面２２０は、光機能素子である光変調素子１０２からの出射光を、入力光ファイバ１０６の光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面に対応する。

そして、特に、本実施形態に係る光変調デバイス１００は、ビームシフトプリズム１３４の一方の反射面２１０により出射光の光経路のある方向へ反射された入力光のうち、ビームシフトプリズム１３４の他方の反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４又は光軸２１４を当該漏れ光が伝搬し得る光伝搬媒質内（以下、単に光伝搬媒質内）において延長した線が、ビームシフトプリズム１３６の反射面２２０で反射した出射光の光軸と一致する部分を含まないよう構成されている。ここで、上記光伝搬媒質には、上記漏れ光が伝搬し得るガラス等の固体媒質、気体媒質、および真空空間が含まれ、金属等の上記漏れ光を透過しない物体は含まれない。

一般に、光が伝搬する２つの異なる媒質の境界面（例えば、光反射面や光透過面）では、当該境界面の僅かな汚れや平滑性の乱れ等により、当該境界面への入射光の一部が分岐されて他の部分と異なる方向へ伝搬し得る。このため、反射面２１０、２１２、２２０、２２２等の反射面においては、例えば当該反射面を透過する漏れ光が発生することとなり、当該漏れ光が迷光となって入力光と出力光との間のクロストークを劣化させ得る。

これに対し、上記の構成を有する光変調デバイス１００では、反射面２１２を透過して出力光の経路のある方向へ向かう漏れ光は、その光軸２１４が、反射面２２０により入力光ファイバ１０６から離れる方向に向かって生成される出力光の光軸２１６と一致する部分を含まない。このため、上記漏れ光は、反射面２２０により反射した出力光と混ざり合うことがない。したがって、光変調デバイス１００では、ビームシフトプリズム１３４及び又は１３６を導入したことに起因する、出力光に対する入力光のクロストーク（以下、単にクロストークという）の悪化を効果的に抑制することができる。

なお、クロストークの増加を効果的に抑制する観点からは、入力光のうち反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４又は当該光軸２１４を光伝搬媒質内で延長した線と、これらの方向と同じ方向を向く反射面２２０を反射した出力光の光軸２１６と、の距離ｄ１は、上記漏れ光のビーム径より大きな値であることが望ましい。すなわち、第１の反射面である反射面２１０で反射したのち第２の反射面である反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４は、当該光軸２１４又は光軸２１４を光伝搬媒質内で延長した線が、第３の反射面である反射面２２０で反射した出射光の光軸２１６から、上記漏れ光のビーム径の値より大きな値の距離ｄ１をもって隔たっていることが望ましい。なお、以下においては、記載の冗長さを避けるため、“第１の反射面である反射面２１０”等の表記は“第１の反射面２１０”等と簡略化して示すこともあるものする。

次に、上述した実施形態に係る光変調デバイス１００の変形例について説明する。
＜第１実施形態の第１変形例＞
次に、光変調デバイス１００の第１の変形例について説明する。図３は、第１の変形例に係る光変調デバイス１００－１の構成を示す図であり、光変調デバイス１００のＡ部の構成を示した図２に相当する図である。なお、光変調デバイス１００－１のうち、図３に記載のない部分については、図１に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するものとし、上述した図１についての説明を援用する。また、図３において、図２に示す光変調デバイス１００の構成要素と同じ構成要素については、図２における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図２についての説明を援用するものとする。

図３に示す光変調デバイス１００－１は、図１および図２に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム１３４、１３６に代えてビームシフトプリズム１３４－１、１３６－１を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム１３４－１、１３６－１は、ビームシフトプリズム１３４、１３６と同様の構成を有するが、図示左右方向のサイズ（図示左右において対向する光入出射面間の距離）が、ビームシフトプリズム１３４、１３６より短い。

ビームシフトプリズム１３４－１は、ビームシフトプリズム１３４の反射面２１０、２１２と同様の、第１の反射面及び第２の反射面に相当する反射面２１０－１、２１２－１をそれぞれ有する。同様に、ビームシフトプリズム１３６－１は、ビームシフトプリズム１３６の反射面２２０、２２２と同様の、反射面２２０－１、２２２－１をそれぞれ有する。ここで、反射面２２０－１は、第３の反射面に相当する。

図３に示す光変調デバイス１００－１における入射光の経路および出射光の経路は、図２に示す光変調デバイス１００と同一である。ただし、上記のように、ビームシフトプリズム１３４－１、１３６－１の光入出射面間の距離が、それぞれビームシフトプリズム１３４、１３６に比べて小さいことから、ビームシフトプリズム１３４－１、１３６－１は、筐体１０４において図示左右の位置が互いに異なるように配されている。

これにより、光変調デバイス１００－１では、光変調デバイス１００と同様に、入力光のうち反射面２１２－１を透過する漏れ光が、反射面２２０－１を反射した出力光と混ざり合うことが無く、クロストークの悪化を効果的に抑制することができる。

これに加え、光変調デバイス１００－１では、ビームシフトプリズム１３４－１、１３６－１が互いに図示左右方向にずれて配されていることから、反射面２１２－１を透過する漏れ光の光軸２１４の延長線上に、ビームシフトプリズム１３６－１は存在せず、その他の光学部品も存在しない。このため、光変調デバイス１００－１では、漏れ光が他の光学部品に入射ないし反射することに起因する散乱光の発生等も回避されることとなり、光変調デバイス１００に比べて更にクロストークが抑制され得る。

＜第１実施形態の第２変形例＞
次に、光変調デバイス１００の第２の変形例について説明する。図４は、第２の変形例に係る光変調デバイス１００－２の構成を示す図であり、光変調デバイス１００のＡ部の構成を示した図２に相当する図である。なお、光変調デバイス１００－２のうち、図４に記載のない部分については、図１に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するものとし、上述した図１についての説明を援用する。また、図４において、図２に示す光変調デバイス１００の構成要素と同じ構成要素については、図２における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図２についての説明を援用するものとする。

図４に示す光変調デバイス１００－２は、図１および図２に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム１３４に代えてビームシフトプリズム１３４－２を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム１３４－２は、ビームシフトプリズム１３４と同様の構成を有し、反射面２１０、２１２と同様の、第１の反射面及び第２の反射面に相当する反射面２１０－２、２１２－２をそれぞれ有する。

ただし、ビームシフトプリズム１３４－２は、ビームシフトプリズム１３４とは異なり、ビームシフトプリズム１３６に対して時計方向に傾いて配されている。すなわち、光変調デバイス１００－２は、第１の反射面２１０で反射したのち第２の反射面２１２を透過する漏れ光の光軸３１４が、第３の反射面２２０の光軸に対し、互いに平行ではなく、ゼロでない或る角度θを持つように構成されている。これにより、光変調デバイス１００－２では、光変調デバイス１００と同様に、第１の反射面２１０－２により出射光の光経路のある方向へ反射された入力光のうち第２の反射面２１２－２を透過する漏れ光の光軸３１４又は当該光軸３１４を光伝搬媒質内で延長した線が、第３の反射面２２０で反射した出射光の光軸２１６と一致する部分を含まないよう構成される。

上記構成により、光変調デバイス１００－２では、光変調デバイス１００と同様に、上記漏れ光は、反射面２２０－１により反射した出力光と混ざり合うことがなく、したがって、ビームシフトプリズム１３４及び又は１３６を導入したことに起因するクロストークの悪化を効果的に抑制することができる。

＜第１実施形態の第３変形例＞
次に、光変調デバイス１００の第３の変形例について説明する。図２に示す光変調デバイス１００では、第１の反射面及び第２の反射面である反射面２１０、２１２は一方のビームシフトプリズム１３４を構成するものであり、第３の反射面である反射面２２０は他方のビームシフトプリズム１３６を構成するものである。ただし、第１の反射面、第２の反射面、および第３の反射面は、必ずしも本実施形態のようにビームシフトプリズムを構成するものである必要はなく、これらの反射面がどのような光学部品を構成するものかは任意であり、そのような光学部品の配置も任意である。また、光機能素子（例えば、光変調素子１０２）から出射される出射光が複数ある場合には、第３の反射面は、それぞれの出射光に対応して複数存在してもよい。

以下に示す第３の変形例に係る光変調デバイス１００－３は、その一例であり、複数の第３の反射面が、ビームシフト機能と偏波合成機能を併せ持つ複合機能プリズムを構成している。

図５は、第３の変形例に係る光変調デバイス１００－３の構成を示す図であり、光変調デバイス１００のＡ部の構成を示した図２に相当する図である。なお、光変調デバイス１００－３のうち、図５に記載のない部分については、図１に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するものとし、上述した図１についての説明を援用する。また、図５において、図２に示す光変調デバイス１００の構成要素と同じ構成要素については、図２における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図２についての説明を援用するものとする。

図５に示す光変調デバイス１００－３は、図１および図２に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム１３４に代えてビームシフトプリズム１３４－３を用い、且つビームシフトプリズム１３６に代えてプリズム９３６を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム１３４－３は、ビームシフトプリズム１３６と同一の構成を有し、ビームシフトプリズム１３４の反射面２１０、２１２と同様の、第１の反射面及び第２の反射面に相当する反射面２１０－３、２１２－３をそれぞれ有する。ただし、ビームシフトプリズム１３４－３は、筐体１０４内におけるその位置が、ビームシフトプリズム１３４に比べて図示上方向へずれている。

プリズム９３６は、ビームシフトプリズム１３６とは異なり、ビームシフト機能と偏波合成機能とを併せ持つ。具体的には、プリズム９３６は、第３の反射面に相当する２つの反射面９２０と反射面９２４を備える。反射面９２０は全反射面であり、反射面９２４は、例えば２つのガラスの間の境界面に形成された偏波合成膜で構成されている。そして、これらの反射面９２０、９２４は、出射光を構成する２つの直線偏波光をそれぞれ反射する。すなわち、反射面９２０は、出力導波路２０４ａから出射した一方の直線偏波光を反射し、反射面９２４は、当該一方の直線偏波光を透過すると共に、出力導波路２０４ｂを出射して半波長板９３２を経て偏波方向が９０度回転し他方の直線偏波光を反射する。これにより、プリズム９３６は、偏波合成器として機能する。また、プリズム９３６は、偏波合成された出力光を出力光ファイバ１０８へ向けて反射する反射面９２２を有する。これにより、プリズム９３６は、ビームシフトプリズムとしても機能する。

そして、光変調デバイス１００－３は、入力光のうち第２の反射面である反射面２１２－３を透過する漏れ光の光軸９１４が、第３の反射面に相当する２つの反射面９２０、９２４をそれぞれ反射した出射光の光軸９１６、９１８に対して、距離ｄ３だけ離れるように構成されている。

これにより、光変調デバイス１００－３では、光変調デバイス１００と同様に、第２の反射面２１２－３を透過する漏れ光は、第３の反射面９２０、９２４をそれぞれ反射した出射光と混ざり合うことが無く、クロストークの悪化を効果的に抑制することができる。

＜第１実施形態の第４変形例＞
まず、光変調デバイス１００の第４の変形例について説明する。図６は、第４の変形例に係る光変調デバイス１００－４の構成を示す図であり、光変調デバイス１００のＡ部の構成を示した図２に相当する図である。なお、光変調デバイス１００－４のうち、図６に記載のない部分については、図１に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するものとし、上述した図１についての説明を援用する。また、図６において、図２に示す光変調デバイス１００の構成要素と同じ構成要素については、図２における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図２についての説明を援用するものとする。

図６に示す光変調デバイス１００－４は、図１および図２に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム１３４に代えてビームシフトプリズム１３４－４を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム１３４－４は、ビームシフトプリズム１３４と同様の構成を有し、反射面２１０、２１２と同様の、第１の反射面及び第２の反射面に相当する反射面２１０－４、２１２－４をそれぞれ有する。

ただし、ビームシフトプリズム１３４－４は、ビームシフトプリズム１３４とは異なり、第２の反射面２１２－４を透過する漏れ光の光軸４１４又は当該光軸４１４を光伝搬媒質内で延長した線が、ビームシフトプリズム１３６の第３の反射面２２０を反射した出射光の光軸２１６と一致していても構わない。そして、光変調デバイス１００－４では、第１の反射面２１０－４で反射したのち第２の反射面２１２－４を透過する漏れ光の光軸４１４上の、第２の反射面２１２－４と第３の反射面２２０との間の位置に、上記漏れ光を遮蔽する遮蔽体４００が設けられている。これにより、光変調デバイス１００－４では、第１の反射面２１０－４により出射光の光経路のある方向へ反射された入力光のうち第２の反射面２１２－４を透過する漏れ光の光軸４１４又は当該光軸４１４を光伝搬媒質内で延長した線が、第３の反射面２２０で反射した出射光の光軸２１６と一致する部分を含まないように構成され得る。

ここで、遮蔽体４００は、例えば黒色メッキされたアルミニウム板等であるものとすることができる。また、この遮蔽体４００は、例えば、ビームシフトプリズム１３６が固定される台座（不図示）に固定されて、当該台座を筐体１０４の底面に固定することで、ビームシフトプリズム１３６と共に筐体１０４内に配されるものとすることができる。

上記構成により、光変調デバイス１００－４では、光変調デバイス１００と同様に、上記漏れ光は、反射面２２０により反射した出力光と混ざり合うことがなく、したがって、ビームシフトプリズム１３４－４及び又は１３６を導入したことに起因するクロストークの悪化を効果的に抑制することができる。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図７は、第２の実施形態に係る光機能デバイスである光変調デバイス５００の構成を示す図である。図７において、図示右側および左側の図は、それぞれ、光変調デバイス５００の平面図および側面図である。また、図８は、図７右側の平面図におけるＢ部の部分詳細図であり、図９は、図８におけるＶＩ－ＶＩ断面の矢視図である。なお、冗長な記載を避けて理解を容易にするため、図９においては、偏波合成器１３２の記載、及び光変調素子１０２その他の光学部品を固定する台座等の記載は、省略している。

なお、図７、図８において、図１、図２に示す第１の実施形態に係る光変調デバイス１００の構成要素と同じ構成要素については、図１、図２における符号と同一の符号を用いるものとし、それぞれ上述した図１、図２についての説明を援用する。

光変調デバイス５００は、図１、図２に示す光変調デバイス１００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム１３４、１３６に代えてビームシフトプリズム５３４、５３６を用いる点が異なる。図８に示すように、ビームシフトプリズム５３４は、ビームシフトプリズム１３４と同様の構成を有し、反射面２１０、２１２と同様の、第１の反射面及び第２の反射面にそれぞれ対応する反射面６１０、６１２を有する。また、ビームシフトプリズム５３６は、ビームシフトプリズム１３６と同様の構成を有し、反射面２２０、２２２と同様の、反射面６２０、６２２を有する。ここで、反射面６２０は、反射面２２０と同様に、第３の反射面に対応する。

特に、光変調デバイス５００では、図９に示すように、入力光ファイバ１０６からの入力光をシフトするビームシフトプリズム５３４が、筐体１０４の底面１０７と平行に配されたビームシフトプリズム５３６に対し傾いて（すなわち、底面１０７に対し角度を持って）配されている。この点において、光変調デバイス５００は、ビームシフトプリズム１３４、１３６の双方が筐体１０４の底面１０７に平行な平面内おいて入力光ファイバ１０６からの入力光および出力光ファイバ１０８への出力光を並進方向にシフトするように配される第１の実施形態に係る光変調デバイス１００と異なる。なお、図９には、符号７００および７０２により、入力光ファイバ１０６からビームシフトプリズム５３４に入射する入力光の入射点の位置、及びビームシフトプリズム５３６から出力光ファイバ１０８へ出射する出力光の出射点の位置が、それぞれ示されている。

上記構成により、光変調デバイス５００では、ビームシフトプリズム５３４の第１の反射面６１０で反射したのち第２の反射面６１２を透過する漏れ光の光軸６１４は、ビームシフトプリズム５３６の第３の反射面６２０で反射した出射光の光軸６１６に対し、平行ではなくなり、ゼロでない所定の角度ψ１を持つこととなる。このため、光変調デバイス５００では、図１に示す光変調デバイス１００と同様に、第１の反射面６１０で反射したのち第２の反射面６１２を透過する漏れ光の光軸６１４又は当該光軸６１４を光伝搬媒質内で延長した線は、第３の反射面６２０で反射した出射光の光軸６１６と一致する部分を含まないこととなる。その結果、光変調デバイス５００では、第１の実施形態に係る光変調デバイス１００と同様に、上記漏れ光が反射面６２０により反射した出力光と混ざり合うことを防止して、ビームシフトプリズム５３４及び又は５３６を導入したことに起因するクロストークの悪化を効果的に抑制することができる。

次に、第２の実施形態に係る光変調デバイス５００の変形例について説明する。
＜第２実施形態の第１変形例＞
まず、光変調デバイス５００の第１の変形例について説明する。図１０は、第１の変形例に係る光変調デバイス５００－１の構成を示す図であり、光変調デバイス５００のＩＸ－ＩＸ断面の構成を示した図９に相当する図である。なお、光変調デバイス５００－１のうち、図１０に記載のない部分については、図７及び図８に示す光変調デバイス５００と同様の構成を有するものとし、上述した図７及び図８についての説明を援用する。また、図１０において、図９に示す光変調デバイス５００の構成要素と同じ構成要素については、図９における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図９についての説明を援用するものとする。

光変調デバイス５００－１は、図９に示す光変調デバイス５００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム５３６に代えて、ビームシフトプリズム５３６－１を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム５３６－１は、ビームシフトプリズム５３６と同様の構成を有し、反射面６２０、６２２と同様の、反射面６２０－１及び６２２－１を有する。ここで、反射面６２０－１は、反射面６２０と同様に、第３の反射面に対応する。

ただし、光変調デバイス５００－１では、ビームシフトプリズム５３６－１は、筐体１０４の底面１０７に対し、ビームシフトプリズム５３４とは逆方向に傾けて配置されている。これにより、光変調デバイス５００－１では、ビームシフトプリズム５３４の第２の反射面６１２を透過する漏れ光の光軸６１４は、ビームシフトプリズム５３６－１の第３の反射面６２０－１を反射した出力光の光軸８１６に対して、図９に示す角度ψ１よりも大きな角度ψ２を持つこととなる。その結果、光変調デバイス５００－１では、図９に示す光変調デバイス５００に比べて、クロストークの悪化を更に効果的に抑制することができる。

また、光変調デバイス５００－１では、ビームシフトプリズム５３６－１の傾き角を調整することで、図１０において符号８０２で示すビームシフトプリズム５３６－１からの出力光の出射点の位置を調整することができる。このため、光変調デバイス５００－１では、筐体１０４の底面１０７からの入力光ファイバ１０６の光軸位置（符号７００で示す点の位置に対応）の高さと、底面１０７からの出力光ファイバ１０８の光軸位置（符号８０２で示す点の位置に対応）の高さと、を同じにすることができる。これにより、光変調デバイス５００－１では、筐体１０４の面１０５における入力光ファイバ１０６及び出力光ファイバ１０８の固定位置を、筐体１０４の幅方向中心線（すなわち、図７左図において面１０５を図示左右方向に横切る一点鎖線）に関して対称な位置に配することができ、入力光ファイバ１０６及び出力光ファイバ１０８と光変調素子１０２との間の光の結合効率を、環境温度変動等に起因する筐体１０４の歪に対してより安定に維持することができる。

＜第２実施形態の第２変形例＞
次に、光変調デバイス５００の第２の変形例について説明する。図１１は、第２の変形例に係る光変調デバイス５００－２の構成を示す図であり、光変調デバイス５００のＩＸ－ＩＸ断面の構成を示した図９に相当する図である。なお、光変調デバイス５００－２のうち、図１１に記載のない部分については、図７及び図８に示す光変調デバイス５００と同様の構成を有するものとし、上述した図７及び図８についての説明を援用する。また、図１１において、図９に示す光変調デバイス５００の構成要素と同じ構成要素については、図９における符号と同一の符号を用いるものとし、上述した図９についての説明を援用するものとする。

光変調デバイス５００－２は、図９に示す光変調デバイス５００と同様の構成を有するが、ビームシフトプリズム５３６に代えて、ビームシフトプリズム５３６－２を用いる点が異なる。ビームシフトプリズム５３６－２は、ビームシフトプリズム５３６と同様の構成を有し、反射面６２０、６２２と同様の、６２０－２及び６２２－２を有する。ここで、反射面６２０－２は、第３の反射面に対応する。

ただし、光変調デバイス５００－２では、ビームシフトプリズム５３６－２は、筐体１０４の底面１０７に対し、ビームシフトプリズム５３４と同じ方向に傾けて配置されている。これにより、光変調デバイス５００－２では、ビームシフトプリズム５３４の第２の反射面６１２を透過する漏れ光の光軸６１４は、ビームシフトプリズム５３６－２の第３の反射面６２０－１を反射した出力光の光軸１０１６に対して平行であって且つ距離ｄ４だけ離れた位置に配され得る。なお、この場合において、距離ｄ４は、上記漏れ光のビーム径の値以上であることが望ましい。

上記構成により、光変調デバイス５００－２では、光変調デバイス５００と同様に、第２の反射面６１２を透過する漏れ光が、第３の反射面６２０－２で反射した出力光に混入することを防止して、ビームシフトプリズム５３４及び５３６－２を導入したことに起因するクロストークの増加を抑制することができる。なお、上記の構成においては、ビームシフトプリズム５３６－２からの出力光の出射位置は、図１１において符号９０２で示すように、図９において符号７０２で示す出射位置より図示上方へずれるので、筐体１０４の面１０５における出力光ファイバ１０８の固定位置も、これに対応する位置へずらすことが必要となる。

なお、本発明は上記実施形態およびその変形例の構成に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。

例えば、光変調デバイス１００、５００及びその変形例に係る光変調デバイスでは、光機能素子である光変調素子１０２からの出射光を入力光ファイバ１０６の光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面は、出力光の光軸を並進方向へシフトさせるビームシフトプリズム１３６等又は５３６等を構成する反射面２２０等又は６２０等であるものとしたが、これには限られない。

例えば、図２においては、出力光を並進方向へシフトするビームシフトプリズム１３６の反射面２２０に加えて、偏波合成器１３２を構成する反射面２２４も、光変調素子１０２からの出射光を入力光ファイバ１０６の光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面となり得る。したがって、反射面２１２を透過して出力光経路のある方向へ向かう入力光の漏れ光の光軸２１４は、当該光軸２１４又は光軸２１４を光伝搬媒質内で延長した線が、反射面２２４で反射した出射光の光軸２１８とも一致する部分を含まないように構成され得る。またこの場合においては、入力光のうち反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４又は光伝搬媒質内でのその延長線と、反射面２２４を反射した出射光の光軸２１８と、の距離ｄ２（図２参照）も、上述した距離ｄ１と同様に、上記漏れ光のビーム径以上であることが望ましい。

また、第１の実施形態に係る光変調デバイス１００では、入力光の漏れ光の光軸２１４は、図２において、反射面２２０で反射した出射光の光軸２１６の図示左側であって且つ反射面２２４で反射した出射光の光軸２１８の図示左側にあるものとしたが、光軸２１４の位置はこれには限られない。入力光の漏れ光の光軸２１４は、当該光軸２１４又は光軸２１４を光伝搬媒質内で延長した線が、反射面２２０および２４４でそれぞれ反射した出射光の光軸２１６及び２１８のいずれとも一致する部分を含まない限りにおいて、反射面２２０及び２２４のそれぞれで反射した２つの出射光の光軸２１６、２１８の図示右側にあってもよいし、これら２つの出射光の光軸２１６、２１８の間にあってもよい。

また、第１の実施形態及び第２の実施形態では、光機能デバイスの一例として、ＬＮより成る基板上に形成された光導波路により構成された、光変調を行う光変調素子１０２を光機能素子として備えた光変調デバイス１００、５００を示したが、光機能デバイスはこれには限られない。本発明に係る光機能デバイスは、任意の方式による任意の機能を有する光機能素子を備えて当該機能を実現する光機能デバイスであるものとすることができる。

そのような機能は、光変調のみならず、光スイッチングや、偏光回転、光ルーティング等であるものとすることができる。また、光機能素子は、ＬＮに限らず、Ｓｉ等の半導体その他の材料を用いた、導波路型の又はバルク型の素子であるものとすることができる。また、あるいは、上述した実施形態における光変調素子１０２は、基板上に構成された光導波路のうち入力光を受ける入力導波路２０２の端部、および出力光を出射する出力導波路２０４ａ、２０４ｂの端部が、当該基板の一の面である光入出射面１２８に配されるものとしたが、これには限られない。本発明に係る光機能デバイスが備える光機能素子は、任意の数の光入力及び任意の数の光出力を、当該光機能素子の相異なる面において受信し及び出射するものであってもよい。

以上、説明したように、本実施形態に係る光機能デバイスである光変調デバイス１００は、光機能素子である光変調素子１０２と、光変調素子１０２を収容する筐体１０４と、光変調素子１０２への入力光を筐体１０４内へ導く入力光ファイバ１０６と、光変調素子からの出射光で構成される出力光を筐体１０４外へ導く出力光ファイバ１０８と、を備える。ここで、入力光ファイバ１０６と出力光ファイバ１０８とは、それぞれ、筐体１０４の一の面１０５に固定されている。また、光変調デバイス１００は、入力光ファイバ１０６から出射した入力光を上記出射光の光経路のある方向へ反射する第１の反射面２１０と、第１の反射面２１０で反射した入力光を光変調素子１０２へ向けて反射する第２の反射面２１２と、光変調素子１０２からの出射光を入力光ファイバ１０６の光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面２２０と、を備える。そして、光変調デバイス１００では、第１の反射面２１０で反射したのち第２の反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４又は当該光軸２１４を当該漏れ光が伝搬し得る光伝搬媒質内で延長した延長線は、第３の反射面２２０で反射した出射光の光軸２１６と一致する部分を含まない。

この構成によれば、筐体１０４の一の面に入力光ファイバ１０６および出力光ファイバ１０８の双方が配される光機能デバイスにおいて、入力光ファイバ１０６からの入力光と出力光ファイバ１０８への出力光との間のクロストークを低く保って良好な光学特性を実現することができる。

また、光変調デバイス１００－４では、第１の反射面２１０－４で反射したのち第２の反射面２１２－４を透過する漏れ光の光軸４１４上であって且つ第２の反射面２１２－４と第３の反射面２２０との間の位置に、上記漏れ光を遮蔽する遮蔽体４００が設けられている。この構成によれば、第１の反射面２１０－４、第２の反射面２１２－４、及び第３の反射面２２０の間の相対位置に制限を加えることなく、出力光に対する入力光のクロストークを低く維持して良好な光学特性を実現することができる。

また、光変調デバイス１００（又は５００－２）においては、第１の反射面２１０（又は６１０）で反射したのち第２の反射面２１２（又は６１２）を透過する漏れ光の光軸２１４（又は６１４）は、当該光軸２１４（６１４）又は光軸２１４（６１４）の上記光伝搬媒質内での上記延長線が、第３の反射面２２０（又は６２０－２）で反射した出射光の光軸２１６（又は１０１６）から、上記漏れ光のビーム径の値より大きな値の距離ｄ１（又はｄ４）をもって隔たっている。

また、光変調デバイス１００－２（又は５００若しくは５００－１）では、第１の反射面２１０－２（又は６１０）で反射したのち第２の反射面２１２－２（６１２）を透過する漏れ光の光軸３１４（又は６１４）と、第３の反射面２２０（又は６２０若しくは６２０－１）で反射した出射光の光軸２１６（又は６１６若しくは８１６）とは、互いに平行ではない。

これらの構成によれば、入力光の漏れ光の光軸と出力光の光軸とを効果的に分離して、クロストークの小さい良好な光学特性を実現することができる。

また、例えば光変調デバイス１００では、第３の反射面２２０は、第１の反射面２１０で反射したのち第２の反射面２１２を透過する漏れ光の光軸２１４の上記光伝搬媒質内での上記延長線上に配されないものとすることができる。この構成によれば、出力光に対する入力光のクロストークをさらに低減して、より良好な光学特性を実現することができる。

また、上記実施形態において光変調素子１０２をその一例として示した光機能素子は、基板上に形成された光導波路で構成され、入力光を受ける入力導波路２０２の端部と、出射光を出射する出力導波路２０４ａ、２０４ｂの端部と、が上記基板の一の端面である光入出射面１２８上に配されている。この構成によれば、光変調素子１０２の一の光入出射面１２８と、入力光ファイバ１０６及び出力光ファイバ１０８が配された筐体１０４の一の面１０５との間に、光学部品が密集して配される光機能デバイスにおいて、出力光に対する入力光のクロストークを低減して良好な光学特性を実現することができる。

１００、１００－１、１００－２、１００－３、１００－４、５００、５００－１、５００－２…光変調デバイス、１０２…光変調素子、１０４…筐体、１０５…面、１０６…入力光ファイバ、１０７…底面、１０８…出力光ファイバ、１１０…駆動回路、１１２…回路基板、１１４、１２０、１２２…ピン、１１６、１１８…中継基板、１２４、１２６…終端器、１２８…光入出射面、１３０…マイクロレンズアレイ、１３２…偏波合成器、１３４、１３４－１、１３４－２、１３４－３、１３４－４、１３６、５３４、５３６、５３６－１、５３６－２…ビームシフトプリズム、１４０、１４８…フェルール、１４２、１５０…スリーブ、１４４、１５２、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ…レンズ、１４６、１５４…レンズホルダ、２０２…入力導波路、２０４ａ、２０４ｂ…出力導波路、２１０、２１０－１、２１０－２、２１０－３、２１０－４、２１２、２１２－１、２１２－２、２１２－３、２１２－４、２２０、２２２、２２４、６１０、６１２、６２０、６２０－１、６２０－２、６２２、６２２－１、６２２－２、９２０、９２２、９２４…反射面、２１４、２１６、２１８，３１４、４１４、６１４、６１６、８１６、９１４、９１６、９１８、１０１６…光軸、４００…遮蔽体、９３２…半波長板、９３６…プリズム。

Claims (5)

1. 光機能素子と、
   前記光機能素子を収容する筐体と、
   前記光機能素子への入力光を前記筐体内へ導く入力光ファイバと、
   前記光機能素子からの出射光で構成される出力光を前記筐体の外へ導く出力光ファイバと、
   を備える光機能デバイスであって、
   前記入力光ファイバと前記出力光ファイバとは、共に前記筐体の一の面に固定され、
   前記入力光ファイバから出射した入力光を前記出射光の光経路のある方向へ反射する第１の反射面と、
   前記第１の反射面で反射した前記入力光を前記光機能素子へ向けて反射する第２の反射面と、
   前記光機能素子からの前記出射光を、前記入力光ファイバの光軸から離れる方向へ反射する第３の反射面と、
   を備え、
   前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸又は当該光軸を当該漏れ光が伝搬し得る光伝搬媒質内において延長した延長線は、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸と一致する部分を含まず、
   前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸と、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸とは、互いに平行ではない、
   光機能デバイス。
2. 前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸上であって且つ前記第２の反射面と前記第３の反射面との間の位置に、前記漏れ光を遮蔽する遮蔽体が設けられている、
   請求項１に記載の光機能デバイス。
3. 前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸又は当該光軸の前記延長線は、前記第３の反射面で反射した前記出射光の光軸から、前記漏れ光のビーム径の値より大きな値の距離をもって隔たっている、
   請求項１に記載の光機能デバイス。
4. 前記第３の反射面は、前記第１の反射面で反射したのち前記第２の反射面を透過する漏れ光の光軸の前記延長線上に配されていない、
   請求項１に記載の光機能デバイス。
5. 前記光機能素子は、基板上に形成された光導波路で構成され、前記入力光を受ける入力導波路の端部と、前記出射光を出射する出力導波路の端部と、が前記基板の同一端面上に配されている、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光機能デバイス。

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