JPS59184584A - 半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
半導体レ−ザモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS59184584A JPS59184584A JP58058731A JP5873183A JPS59184584A JP S59184584 A JPS59184584 A JP S59184584A JP 58058731 A JP58058731 A JP 58058731A JP 5873183 A JP5873183 A JP 5873183A JP S59184584 A JPS59184584 A JP S59184584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- semiconductor laser
- analyzer
- polarizer
- module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4292—Coupling light guides with opto-electronic elements the light guide being disconnectable from the opto-electronic element, e.g. mutually self aligning arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザによシミ気信号を光信号に変換
して伝送する光フアイバ通信に於いて。
して伝送する光フアイバ通信に於いて。
半導体レーザと光ファイバとを結合する半導体レーザモ
ジュール、特に光アイソレータを内蔵して反射雑音の影
響を低減した半導体レーザモジュールに関する。
ジュール、特に光アイソレータを内蔵して反射雑音の影
響を低減した半導体レーザモジュールに関する。
光フアイバ通信に於いて、長距離伝送や大容量伝送シス
テムに適用される電気−光変換デバイスとして、半導体
レーザと光ファイバとを効率よく結合する゛半導体レー
ザモジーールが用いられている。ところで、半導体レー
ザ（ＬＤ）を用いる高速ＰＣＭ伝送や、アナログ直接変
調による画像伝送システムでは、光コネクタや他の光デ
バイス、素子などからの反射光がＬＤに再注入して生じ
る反射雑音の影響が大きく、このために、光アイソレー
タを内蔵することによって反射光の再注入を阻止するこ
とのできる半導体レーザモジュールが開発されている。
テムに適用される電気−光変換デバイスとして、半導体
レーザと光ファイバとを効率よく結合する゛半導体レー
ザモジーールが用いられている。ところで、半導体レー
ザ（ＬＤ）を用いる高速ＰＣＭ伝送や、アナログ直接変
調による画像伝送システムでは、光コネクタや他の光デ
バイス、素子などからの反射光がＬＤに再注入して生じ
る反射雑音の影響が大きく、このために、光アイソレー
タを内蔵することによって反射光の再注入を阻止するこ
とのできる半導体レーザモジュールが開発されている。
この種、従来の光アインレータ付半導体レーデモジュー
ルの一例を示すと、第１図のようになる°。
ルの一例を示すと、第１図のようになる°。
この図において、半導体レーザ１の出射光はレンズ２に
よシ平行光に変換された後、偏光子３．ファラデー回転
子４．検光子５からなる光アイツレ−ｐをＨ−ｃ、レン
ズ６にょシ集束されて光ファイパフに結合している。第
２図は、もう１つの光アイソレータ付半導体レーザモジ
ュールの従来例を示したものである。この図によれば、
単導体レーザ１１の出射光は、偏光子１２．平行光変換
のためのレンズ１３．ンァラデー回転子１４．千行光を
集束するレンズ１５．検光子１６からなる結合レンズを
内蔵した光アイソレータを経て、ファイバ１７に結合し
ている。
よシ平行光に変換された後、偏光子３．ファラデー回転
子４．検光子５からなる光アイツレ−ｐをＨ−ｃ、レン
ズ６にょシ集束されて光ファイパフに結合している。第
２図は、もう１つの光アイソレータ付半導体レーザモジ
ュールの従来例を示したものである。この図によれば、
単導体レーザ１１の出射光は、偏光子１２．平行光変換
のためのレンズ１３．ンァラデー回転子１４．千行光を
集束するレンズ１５．検光子１６からなる結合レンズを
内蔵した光アイソレータを経て、ファイバ１７に結合し
ている。
一般に、偏光子や検光子には２つの種類があり。
１つは方解石板やルチル板を用いて光路を平行シフトさ
せるタイプのものであシ、他方はロションプリズムやグ
ラントムソンプリズムなどの光路を偏向するタイプのも
のである。上記第１図の例では、レンズ２とレンズ６と
の間に偏光子３と検光子５とが配置されている。この系
において、偏光子と検光子とを機能させるには、上記第
１の方解石やルチル板を用いるタイプでは、平行ビーム
径以上に光路をシフトさせる必要がある。したがって、
平行ビーム径が大きい場合には、偏光子および検光子の
寸法が大きく々るから、光路を偏向する第２のタイプ０
が採用され、ロションプリズムやグラントムソンプリズ
ムが用いら扛ている。しかし々がら、この場合において
も、これらのプリズムを１〜２市以下にするのは難しく
、レンズ間距離の増加によってレンズ結合損失が増大し
たシ。
せるタイプのものであシ、他方はロションプリズムやグ
ラントムソンプリズムなどの光路を偏向するタイプのも
のである。上記第１図の例では、レンズ２とレンズ６と
の間に偏光子３と検光子５とが配置されている。この系
において、偏光子と検光子とを機能させるには、上記第
１の方解石やルチル板を用いるタイプでは、平行ビーム
径以上に光路をシフトさせる必要がある。したがって、
平行ビーム径が大きい場合には、偏光子および検光子の
寸法が大きく々るから、光路を偏向する第２のタイプ０
が採用され、ロションプリズムやグラントムソンプリズ
ムが用いら扛ている。しかし々がら、この場合において
も、これらのプリズムを１〜２市以下にするのは難しく
、レンズ間距離の増加によってレンズ結合損失が増大し
たシ。
モジー−ルの寸法が大きくなるという欠点があった。
また、第２図の例は、光路を光ファイバのコア径程度に
ずらせばよいから、小形の方解石やルチル板を偏光子お
よび検光子として用いることができる。例えば、ファイ
バのコア径が５０μｍの場合は、厚さＱ、 ５ ｒｒ６
ｎ以上の方解石板でよい。しかしながら、半導体レーザ
１１とレンズ１３の間に偏光子１２が挿入されるため、
レンズの焦点距離が短い場合には、半導体レーザ１１と
レンズ１３間の距離が小さく々シ、偏光子１２を挿入で
きなく々る。々お、これに該当するＬＤモジー−ルとし
て。
ずらせばよいから、小形の方解石やルチル板を偏光子お
よび検光子として用いることができる。例えば、ファイ
バのコア径が５０μｍの場合は、厚さＱ、 ５ ｒｒ６
ｎ以上の方解石板でよい。しかしながら、半導体レーザ
１１とレンズ１３の間に偏光子１２が挿入されるため、
レンズの焦点距離が短い場合には、半導体レーザ１１と
レンズ１３間の距離が小さく々シ、偏光子１２を挿入で
きなく々る。々お、これに該当するＬＤモジー−ルとし
て。
短焦点の第１のレンズを用いる共焦点レンズ系を採用し
たものがあり、その内容は２例えば。
たものがあり、その内容は２例えば。
”Ｍ、Ｓａｒｕｗａｔａｒｉ ｅｔａｌ ； ＩＥＥＥ
Ｊ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ。
Ｊ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ。
Ｖｏ４ＱＥ７１７．Ｎα６，１９８１．ｐｐ１０２１”
に詳しく述べられている。
に詳しく述べられている。
本発明の目的は、これらの欠点を克服し、光アイソレー
タを内蔵しているにもかかわらず、小形化を可能にする
とともに、共焦点レンズ系を採用することによって安定
性を高めることのできる半導体レーザモジュールを提供
することにある。
タを内蔵しているにもかかわらず、小形化を可能にする
とともに、共焦点レンズ系を採用することによって安定
性を高めることのできる半導体レーザモジュールを提供
することにある。
本発明によれば、半導体レーザと、該半導体レーザの出
射光を直径ｄの平行光にする第１のレンズと、異常光の
移動距離が６以上の複屈折材料の偏光子と、４５８ソア
ラデ一回転子と、前記平行光を集束する第２のレンズと
、前記偏光子の偏光面に対して偏光面がほぼ４５°傾い
て配置される検光子と、光ファイバと乞上記の順に配列
されたことを特徴とする半導体レーザモジュールが得ら
れる。
射光を直径ｄの平行光にする第１のレンズと、異常光の
移動距離が６以上の複屈折材料の偏光子と、４５８ソア
ラデ一回転子と、前記平行光を集束する第２のレンズと
、前記偏光子の偏光面に対して偏光面がほぼ４５°傾い
て配置される検光子と、光ファイバと乞上記の順に配列
されたことを特徴とする半導体レーザモジュールが得ら
れる。
次に２本発明による半導体レーザモジュールについて実
施例を挙げ１図面を参照して説明する。
施例を挙げ１図面を参照して説明する。
第３図は本発明による実施例の構成を側面図によシ示し
たものである。この例は２図に見られるように、半導体
レーザ２１．半導体レーザ２１からの光を直径ｄの平行
光に変換する第１のレンズ２２、異常光の移動距離が６
以上の複屈折材料を用いた偏光子２３．４５°アララデ
一回転子２４゜平行光を集束するレンズ２５．偏光面が
偏光子の偏光面に対してほぼ４５度傾いた検光子２６．
および光ファイバ２７の順に配列されている。このよう
な構成によれば、半導体レーザ２１の出射光は第１のレ
ンズ２２によシ平行光に変換されたのち、偏光子２３お
よび４５°フアラデ一回転子２４を経てレンズ２５によ
シ集束される。この集束された光は、検光子２６を経て
光ファイバ２７に与えられるζ 上記の実施例におけるより具体的な構造を第４図の側断
面図を参照して説明する。なお、この図においては、第
３図に見られる機能がそれぞれ同じ符号により示されて
いる。この構造において。
たものである。この例は２図に見られるように、半導体
レーザ２１．半導体レーザ２１からの光を直径ｄの平行
光に変換する第１のレンズ２２、異常光の移動距離が６
以上の複屈折材料を用いた偏光子２３．４５°アララデ
一回転子２４゜平行光を集束するレンズ２５．偏光面が
偏光子の偏光面に対してほぼ４５度傾いた検光子２６．
および光ファイバ２７の順に配列されている。このよう
な構成によれば、半導体レーザ２１の出射光は第１のレ
ンズ２２によシ平行光に変換されたのち、偏光子２３お
よび４５°フアラデ一回転子２４を経てレンズ２５によ
シ集束される。この集束された光は、検光子２６を経て
光ファイバ２７に与えられるζ 上記の実施例におけるより具体的な構造を第４図の側断
面図を参照して説明する。なお、この図においては、第
３図に見られる機能がそれぞれ同じ符号により示されて
いる。この構造において。
半導体レーザのペレット２１から光ファイバ２７までの
結合には、共焦点レンズ系が採用さ扛ている。また、ン
ァラデー回転子２４には、厚さ２００μｍ、長さ２，３
闘のＬＰＥ−ガーネット厚膜２４ａが用いられてお５，
２４ｂはその磁石である。半導体レーザマウント２０に
は、ＬＤ−！！レット２１と。
結合には、共焦点レンズ系が採用さ扛ている。また、ン
ァラデー回転子２４には、厚さ２００μｍ、長さ２，３
闘のＬＰＥ−ガーネット厚膜２４ａが用いられてお５，
２４ｂはその磁石である。半導体レーザマウント２０に
は、ＬＤ−！！レット２１と。
直径がＱ、 ５ ■、焦点距離が０．２７Ｍの球レンズ
２２とが約３０μｍ離れて一体化されている。これによ
って機能する平行ビーム径は約２００μｍＫ々る。偏光
子２３の方解石板は直径３朋、厚さ３市であシ、レンズ
２５は直径１陥、長さ２．２ ｒｒａｎ 、焦点・距離
１． ］、 Ｍのセルフォックレンズが用いうしている
。また、検光子２６には厚さ０．７Ｍの方解石板が用い
られている。レンズ２２と２５との間隔は、４．．８ｒ
ｒａｎであシ、これによって光アイソレータが内蔵され
ているにもかかわらず、モジュール寸法の増加を５＃以
下に抑えることができた。アイソレータのアイソレーシ
ョンは２５ｄＢである。なお、光ファイバ２７はプラグ
２８によシ補強されて検光子２６に結合し、半導体レー
デから光ファイバ丑での光学系全体が外管２９内に収容
されて締付ナツト３０によシ固く保持されている。
２２とが約３０μｍ離れて一体化されている。これによ
って機能する平行ビーム径は約２００μｍＫ々る。偏光
子２３の方解石板は直径３朋、厚さ３市であシ、レンズ
２５は直径１陥、長さ２．２ ｒｒａｎ 、焦点・距離
１． ］、 Ｍのセルフォックレンズが用いうしている
。また、検光子２６には厚さ０．７Ｍの方解石板が用い
られている。レンズ２２と２５との間隔は、４．．８ｒ
ｒａｎであシ、これによって光アイソレータが内蔵され
ているにもかかわらず、モジュール寸法の増加を５＃以
下に抑えることができた。アイソレータのアイソレーシ
ョンは２５ｄＢである。なお、光ファイバ２７はプラグ
２８によシ補強されて検光子２６に結合し、半導体レー
デから光ファイバ丑での光学系全体が外管２９内に収容
されて締付ナツト３０によシ固く保持されている。
上記のごとき構成によれば、検光子２６はレンズ２５の
後に位置するために、第１のレンズ２２として短焦点レ
ンズを用いることが可能になシ。
後に位置するために、第１のレンズ２２として短焦点レ
ンズを用いることが可能になシ。
優れた安定性を有する共焦点、レンズ系を採用すること
ができる。それと同時に、第１のレンズ２２とレンズ２
５との間の距離を短かくすることができ、これによって
レンズの結合損失の増加を抑え。
ができる。それと同時に、第１のレンズ２２とレンズ２
５との間の距離を短かくすることができ、これによって
レンズの結合損失の増加を抑え。
かつ検光子の厚さを２例えばコア径５０μｍの場合に方
解石板で０．５ ｒｔａｎ以上のごとく薄くすることが
できるから、モジュール全体を小形化できる。また、短
焦点レンズの使用によシ、従来のパルプ結晶を用いたフ
ァラデー材料に比べて、低コストで生産性の高いＬＰＥ
−ガーネット厚膜をファラデー回転子として適用するこ
とかでき、光アイソレーク内蔵モジーールのコストアッ
プが抑えられる。
解石板で０．５ ｒｔａｎ以上のごとく薄くすることが
できるから、モジュール全体を小形化できる。また、短
焦点レンズの使用によシ、従来のパルプ結晶を用いたフ
ァラデー材料に比べて、低コストで生産性の高いＬＰＥ
−ガーネット厚膜をファラデー回転子として適用するこ
とかでき、光アイソレーク内蔵モジーールのコストアッ
プが抑えられる。
以上の説明によシ明らか々ように２本発明によれば、結
合レンズ系として短焦点レンズを第ルンズとした共焦点
レンズ系を採用することによって、安定性を高めるとと
もに、光アイソレータを内蔵しているにもかかわらず、
モジュールの寸法を小形にすることができる。さらに、
ファラデー回転子のファラデー材料としてＬＰＥ−ガー
ネット厚膜を用いることができ、経済性と生産性の向上
に対しても得られる効果は大きい。
合レンズ系として短焦点レンズを第ルンズとした共焦点
レンズ系を採用することによって、安定性を高めるとと
もに、光アイソレータを内蔵しているにもかかわらず、
モジュールの寸法を小形にすることができる。さらに、
ファラデー回転子のファラデー材料としてＬＰＥ−ガー
ネット厚膜を用いることができ、経済性と生産性の向上
に対しても得られる効果は大きい。
第１図は従来の光アイソレータ付半導体レーザモジュー
ルの一例を示す側面図、第２図は従来の光アイソレータ
付半導体レーザモジュールの他の例を示す側面図、第３
図は本発明による実施例の構成を示す側面図、第４図は
、第３図における実施例のよシ具体的な構造を示す側断
面図である。 図において、２１は半導体レーザ、２２は第１のレンズ
、２３は偏光子、２４はファラデー回転子、２５はレン
ズ、２６は検光子、２７は光ンアイパである。 代理人（７１２７）弁理士後藤洋介
ルの一例を示す側面図、第２図は従来の光アイソレータ
付半導体レーザモジュールの他の例を示す側面図、第３
図は本発明による実施例の構成を示す側面図、第４図は
、第３図における実施例のよシ具体的な構造を示す側断
面図である。 図において、２１は半導体レーザ、２２は第１のレンズ
、２３は偏光子、２４はファラデー回転子、２５はレン
ズ、２６は検光子、２７は光ンアイパである。 代理人（７１２７）弁理士後藤洋介
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体レーザと、該半導体レーザの出射光を直径
ｄの平行光にする第１のレンズと、異常光の移動距離が
６以上の複屈折材料の偏光子と。 ４５°フアラデ一回転子と、前記平行光を集束する第２
のレンズと、前記偏光子の偏光面に対して偏光面がほぼ
４５°傾いて配置される検光子と、光ファイバとが、上
記の順に配列されたことを特徴とする半導体レーザモジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58058731A JPS59184584A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58058731A JPS59184584A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184584A true JPS59184584A (ja) | 1984-10-19 |
Family
ID=13092643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58058731A Pending JPS59184584A (ja) | 1983-04-05 | 1983-04-05 | 半導体レ−ザモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258211A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光結合装置 |
| JPS63219186A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル |
| JPH01292876A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
-
1983
- 1983-04-05 JP JP58058731A patent/JPS59184584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6258211A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光結合装置 |
| JPS63219186A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光アイソレ−タ内蔵半導体レ−ザ・モジユ−ル |
| JPH01292876A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4375910A (en) | Optical isolator | |
| US20200174204A1 (en) | Bi-directional optical sub-assembly and optical module | |
| JPH02212806A (ja) | 半導体レーザを導光体に結合するためのアイソレータ付きオプチカルヘッド | |
| US5066092A (en) | Optical arrangement for a feedback-free coupling of a laser emission emitted by a semiconductor laser into an optical fiber | |
| US6690501B2 (en) | Low cost isolator/polarization beam combiner hybrid component | |
| JPS59184584A (ja) | 半導体レ−ザモジユ−ル | |
| JPS597312A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| US11768329B2 (en) | High isolation optical splitter | |
| JPS6251514B2 (ja) | ||
| JP3166583B2 (ja) | 光アイソレータおよび半導体レーザモジュール | |
| JPH0611664A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH0667118A (ja) | 光結合装置 | |
| WO2023072003A1 (zh) | 光发射组件及光通信装置 | |
| JPS5844831A (ja) | 光フアイバ伝送システム | |
| JPH0634916A (ja) | 光アイソレータ | |
| CA1147998A (en) | Optical isolator | |
| JPH07301763A (ja) | 光結合器及び光ファイバ増幅器 | |
| JPH06130257A (ja) | 双方向光送受信モジュール | |
| JPS62218922A (ja) | レ−ザダイオ−ドモジユ−ル | |
| JPS61132925A (ja) | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル | |
| CN118409396A (zh) | 集成式小型无源光器件 | |
| JPS6240423A (ja) | 光アイソレ−タ付レ−ザモジユ−ル | |
| JPS6177029A (ja) | 光アイソレ−タ付レ−ザモジユ−ル | |
| JP2001242418A (ja) | 偏波無依存型光アイソレータ | |
| JPH06265820A (ja) | 光受動部品 |