JP3166583B2

JP3166583B2 - 光アイソレータおよび半導体レーザモジュール

Info

Publication number: JP3166583B2
Application number: JP26521295A
Authority: JP
Inventors: 智昭宇野; 康松井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1995-10-13
Publication date: 2001-05-14
Anticipated expiration: 2015-10-13
Also published as: JPH09105886A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバ通信用
の光源として用いる半導体レーザモジュール用の光アイ
ソレータと、これを用いる半導体レーザモジュールに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザからのレーザ光を光
源として光ファイバ伝送系を通して信号を伝送するいわ
ゆる光ファイバ伝送の需要が拡大し、長距離の光通信シ
ステムのみならず各家庭にまで光信号を双方向に通信す
るシステムが提案されてきている。この時に光源となる
半導体レーザモジュール（半導体レーザチップと光ファ
イバを光学的に結合するモジュール）に対する必要条件
としては、光部品や光伝送路からの反射戻り光が半導体
レーザに帰還すると雑音が発生し伝送品質が劣化する。

【０００３】そこで、半導体レーザからのレーザ光は通
過するが、戻り光は通過しないいわゆる光アイソレータ
を用いてこれを阻止する(K. Kobayashi et al., IEEE
J. Quantum . Electron., vol. QE-16, p.11, 1980)。

【０００４】光アイソレータは磁気光学結晶のファラデ
ー効果の持つ非相反性を利用したものであり、透過偏波
方向が互いに４５度に配された偏光子と検光子、その間
に置かれた４５度のファラデー回転角を有する磁気光学
結晶および結晶の磁化を飽和させるための磁石により構
成される。半導体レーザより出射し順方向に偏光子を通
過した直線偏光の光は、磁気光学結晶通過時にファラデ
ー効果を受け、偏波方向を４５度回転され検光子を通過
する。

【０００５】一方、光アイソレータに逆方向に入射した
反射戻り光のうち検光子を通過した直線偏光は、結晶の
ファラデー効果の非相反性によりその偏波方向を順方向
の時のファラデー回転角と同方向にさらに４５度回転さ
れ、偏光子の透過偏波方向と直交して透過することはで
きない。

【０００６】このような光アイソレータとして、バルク
型の構成で充分に低損失で高いアイソレーション比を持
つものが提供されている（松田他電子情報通信学会
研究報告 OQE87-51、１９８７）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体レー
ザと光アイソレータと光ファイバを間にとレンズを用い
て光学的に結合する方式では、光学系が３次元となり調
整が複雑でかつ機械的な信頼性に欠けるため、半導体レ
ーザと光ファイバを直接結合することが検討されてい
る。しかしこの場合には従来のバルク型の光アイソレー
タを挿入することが不可能である。このため光ファイバ
に小型の光アイソレータを挿入する方式が検討されてい
る（中善寺他１９９３年電子情報通信学会秋季大会予
講集Ｃー２１７）。あるいは同種の技術として光導波路
に光アイソレータを挿入する方式が提案されている（柳
舘他、１９９４年電子情報通信学会秋季大会予講集Ｃー
１６７）。

【０００８】ところがこれらに報告されている光アイソ
レータに於いては従来バルク型で得られていたような充
分に低い損失は得られておらず半導体レーザの光出力を
充分に用いることができないという課題があった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明の光アイソレータは、基板上に配置された
溝内に光ファイバの一部が埋込まれて固定され、該光フ
ァイバの光軸を横切って、該埋め込まれて固定された部
分の光ファイバの長さ方向に、偏光子と、ファラデー回
転角の合計が４５度である少なくとも２つ以上に複数に
分割したファラデー結晶基板と、第２の検光子がそれぞ
れ分離して配置され、該基板外部に磁石を配置した構成
からなり、該光ファイバの偏光子の側の端から光が入射
し、該光ファイバの第２の検光子の側から光が出射す
る。

【００１０】また、基板上に配置された溝内に光ファイ
バの一部が埋込まれて固定され、該光ファイバの光軸を
横切って、該埋め込まれて固定された部分の光ファイバ
の長さ方向に、偏光子と、該光ファイバの光軸と第１の
角度をなす第１のファラデー結晶基板と、該光ファイバ
の光軸と第２の角度をなす第２のファラデー結晶基板
と、第２の検光子がそれぞれ分離して配置され、該基板
外部に磁石を配置した構成からなり、該光ファイバの偏
光子の側の端から光が入射し、該光ファイバの第２の検
光子の側から光が出射する。

【００１１】

【００１２】また、前記光ファイバがシングルモードフ
ァイバであり、少なくとも該光ファイバの光軸を横切っ
て該埋め込まれて固定された部分の光ファイバの長さ方
向の一部に、偏光子と、該光ファイバの光軸と第１の角
度をなす第１のファラデー結晶と、該光ファイバの光軸
と第２の角度をなす第２のファラデー結晶と、第２の検
光子がそれぞれ分離して配置された構成からなる部分の
該光ファイバのコア部分が半径方向に拡大されたもので
ある。

【００１３】

【００１４】また、前記光ファイバがシングルモードフ
ァイバであり、少なくとも該光ファイバの光軸を横切っ
て該埋め込まれて固定された部分の光ファイバの長さ方
向の一部に、第１の検光子と、該光ファイバの光軸と第
１の角度をなす第１の基体と、該光ファイバの光軸と第
２の角度をなす第２の基体と、第２の検光子がそれぞれ
配置された構成からなる部分の該光ファイバのコア部分
が半径方向に拡大されたものである。

【００１５】また前記第１のファラデー結晶基板と、前
記第２のファラデー結晶基板とが等しい屈折率と厚みを
有するものであり、かつそれぞれのファラデー結晶での
ファラデー回転角が２２.５度となるように厚みが設定
され、かつ前記第１の角度と前記第２の角度が互いに符
号が異なり、かつ絶対値が等しく設定されて、前記光フ
ァイバの偏光子の側の端から光が入射し、該第１のファ
ラデー結晶基板により屈折しさらに該第２のファラデー
結晶基板により屈折して該光ファイバの第２の検光子の
側から光が出射する。

【００１６】また、前記第１のファラデー結晶基板と、
前記第２のファラデー結晶基板とが異なる屈折率と厚み
を有するものであり、かつ合計のファラデー回転角が４
５度となるように厚みが設定され、かつ前記光ファイバ
の偏光子の側の端から光が入射し、該第１のファラデー
結晶基板により屈折しさらに該第２のファラデー結晶基
板により屈折して該光ファイバの第２の検光子の側から
光軸が一致して光が出射するように前記第１の角度と前
記第２の角度を設定される。

【００１７】また、前記第１のファラデー結晶基板と、
前記第２のファラデー結晶基板とが異なる屈折率と厚み
を有するものであり、かつファラデー回転角の温度依存
性を互いに補償して一定の温度範囲で合計のファラデー
回転角が４５度一定となるように結晶組成と厚みが設定
され、かつ前記光ファイバの偏光子の側の端から光が入
射し、該第１のファラデー結晶基板により屈折しさらに
該第２のファラデー結晶基板により屈折して該光ファイ
バの第２の検光子の側から光軸が一致して光が出射する
ように前記第１の角度と前記第２の角度を設定される。

【００１８】

【００１９】本発明の半導体レーザモジュールは、前記
した光アイソレータの基板上の前記光ファイバの偏光子
の側の端に半導体レーザが配置され、該半導体レーザか
らのレーザ光が光学的に該光ファイバと結合する手段を
有し、該光ファイバの他端である検光子の側から光が出
射する。以上の構成により従来の課題を解決するもので
ある。

【００２０】以下、本発明の作用について説明する。本
発明の第１の作用を図１を用いて説明する。図１は光フ
ァイバを切断した時のギャップと光ファイバ間の光の結
合損失特性を表したものである。図から、光の結合損失
はギャップの大きさに対して直線的に変化せず、スーパ
ーリニアーに増加する。このため光アイソレータの構成
部品を光ファイバ間に挿入するため一定のギャップ量を
確保する際に、個々の構成部品を別々に光ファイバ間の
ギャップに挿入したほうが、まとめて部品を挿入するよ
りも光の結合損失が小さくなるという知見によるもので
ある。

【００２１】本発明の第１の作用を図１を用いて説明す
る。図１は光ファイバを切断した時のギャップと光ファ
イバ間の光の結合損失特性を表したものである。図か
ら、光の結合損失はギャップの大きさに対して直線的に
変化せず、スーパーリニアーに増加する。このため本発
明の第１の作用は光アイソレータの構成部品を光ファイ
バ間に挿入するため一定のギャップ量を確保する際に、
個々の構成部品を別々に光ファイバ間のギャップに挿入
したほうが、まとめて部品を挿入するよりも光の結合損
失が小さくなるというものである。

【００２２】本発明の第２の作用は、光アイソレータ部
品の主要構成要素であるファラデー結晶からの直接的な
反射戻り光を抑制するため光ファイバ光軸に対して傾け
て挿入した際に、光の進行方向が光ファイバの光軸から
それて光結合損失が低下することを防ぐために、ファラ
デー結晶を２つに分割して光ファイバ光軸に対して異な
る角度で配置するものであり、異なる組成のファラデー
結晶を組み合わせることによりファラデー回転角度の温
度依存成を補償することができる。

【００２３】本発明の第３の作用は、光ファイバを直接
ファラデー結晶基板に埋め込むために基板サイズが小さ
くなると同時に、小型の結晶を用いることができる。

【００２４】本発明の第４の作用は、半導体レーザを光
ファイバを直接埋め込んだ基板上に配置するためにモジ
ュールサイズを小さくできる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施の
形態について順に説明する。

【００２６】（実施の形態１）まず、本発明の第一の実施例を図２を用いて説明する。
図２は本発明第一の実施例の光アイソレータの基板断面
図である。図２において、１００はガラス基板、１１０
はコア径２０μm（ω＝１０μm）シングルモード光ファ
イバ、１１１は、シングルモード光の伝搬かどうかは不
明であるがシングルモード光ファイバ１１０の一部であ
る、基板中に埋め込まれた光ファイバ、１１２は、シン
グルモードの伝搬かどうかは不明であるがシングルモー
ド光光ファイバ１１０の一部である、コアを拡大した光
ファイバ、１２０は市販のダイシングソーにより光ファ
イバを横切って形成された溝、１３０は各種基板を溝に
固定するために挿入された樹脂であり光ファイバとの界
面での反射を抑制するために光ファイバのコアの屈折率
と等しい樹脂、１４０は厚み１００μmの偏光子、１５
０は厚み１００μmの検光子、１６０は厚み２００μmの
ビスマス置換希土類鉄ガーネットからなる第１のファラ
デー結晶基板、１６１は厚み２００μmのビスマス置換
希土類鉄ガーネットからなる第２のファラデー結晶基
板、１７０は入射光、１８０は出射光である。

【００２７】本発明の光アイソレータの動作を説明す
る。まず入射光１７０は光ファイバを通って偏光子１４
０に入射し特定の偏光成分のみ透過し、次に第１のファ
ラデー結晶基板１６０および第２のファラデー結晶基板
１６２を透過しファラデー効果により偏光方向が４５度
回転する。

【００２８】次にあらかじめ偏光子１４０に対して４５
度透過偏光方向を傾けて配置される検光子１５０を透過
しシングルモード光ファイバ１１０から出射光１８０と
して取り出される。外部からの反射戻り光は逆向きに光
りアイソレータを進行するが、検光子１５０を通り抜け
た後、第２のファラデー結晶１６１および第１のファラ
デー結晶１６０により偏光方向が４５度回転するため入
射光１７０の偏光方向に対しては９０度偏光が回転する
ために、偏光子１４０を通過することができない。

【００２９】この光アイソレータの光結合損失特性は、
図１のグラフから分かるように、偏光子１４０で０.１
３ｄＢ、第１のファラデー結晶基板１６０で０.４５ｄ
Ｂ、第２のファラデー結晶基板１６１で０.４５ｄＢ、
検光子１５０で０.１３ｄＢとなり合計で１.１６ｄＢ
（２３％）となる。これに反して従来の構成のように偏
光子とファラデー結晶と検光子を一体としてファイバ間
に挿入するとその厚みは６００μmとなり図１からその
光損失は３ｄＢ（５０％）となり本発明の値に比べて大
幅に悪くなる。これにより本発明の有効性がわかる。

【００３０】本実施例では、ファラデー結晶を２分割す
る例について説明したが、さらに分割数を増やしていけ
ば原理的には光損失の値を低減することが可能である。
ファラデー結晶の周囲に配置する主要な光アイソレータ
の構成要素である磁石に関しては、従来のものと同様の
物を用いることが可能で、図面を見やすくするために、
本発明実施例の説明では省略する。また基板１００の材
料としてここではガラス基板を用いたが断らない限りセ
ラミックや半導体材料などを用いても良い。また偏光
子、ファラデー結晶、検光子等の表面には樹脂との接合
に対する無反射コーティングが施されているが、本実施
例では発明の主旨に影響を与えないので細かく説明する
ことをあえて避ける。

【００３１】（実施の形態２）次に本発明の第二の実施
例について図３を用いて説明する。なを以下の実施例の
説明に於いて既説明と同一の箇所には同一の番号を付し
説明を省略する。図３はファラデー結晶表面からの反射
戻り光を抑制するために構成された本発明第二の実施例
の光アイソレータの基板上面図である。

【００３２】図３において１２１、１２２、１２３、１
２４は基板に市販のダイシングソーにより形成した溝
で、このうち溝１２２は光ファイバの光軸に対して角度
シータ１（本実施例では３０度）、溝１２３は光ファイ
バの光軸に対して角度シータ２（本実施例ではシータ１
と逆向きに３０度）傾いて形成される。１７１は第１の
ファラデー結晶基板１６０付近での光の進路１、１７２
は第２のファラデー結晶基板１６１付近での光の進路２
を表している。

【００３３】光ファイバの屈折率が1.４６程度で有るの
に比べて、ビスマス置換希土類鉄ガーネットからなるフ
ァラデー結晶の屈折率が２.２程度であるので光の屈折
により光の進路１はファラデー結晶基板１６０を通過後
図面で上方に光軸がずれてしまう。従来のアイソレータ
の構成ではこの光軸ずれがそのまま光の結合損失に反映
され大きな光損失の値をとっていた。

【００３４】本発明では、第２のファラデー結晶基板１
６１での屈折効果によって光軸が、光の進路２（１７
０）で示すようにもとの光ファイバの光軸同一の箇所に
戻るため過剰の光損失を発生することがない。このため
この構成の光アイソレータにおいても１.３ｄＢの低い
光損失が得られた。この光損失の値は、偏光子、ファラ
デー結晶、検光子のそれぞれの厚みをさらに薄くすれば
さらに改善されるし、シングルモード光の伝搬かどうか
は不明であるがシングルモード光ファイバ１１０の一部
である、コアを拡大した光ファイバ１１２のコア径を大
きくすることによっても改善することができる。以下の
実施例において、本発明の第一の実施例で説明したと同
様の光損失を低減するために、ファラデー結晶基板１６
０及び１６１を複数に分割しても本発明の意図を妨げな
い。

【００３５】（実施の形態３）次に本発明の第三の実施
例について図４を用いて説明する。

【００３６】図４はファラデー結晶表面からの反射戻り
光を抑制するために構成された本発明第三の実施例の光
アイソレータの基板上面図である。

【００３７】図４において、１２２は光ファイバの光軸
に対して角度シータ１、１２３は光ファイバの光軸に対
して角度シータ２で傾いて形成された溝である。１６２
はビスマス置換希土類鉄ガーネットからなる第１のファ
ラデー結晶基板、１６３は異なる種類のビスマス置換希
土類鉄ガーネットからなる第１のファラデー結晶基板、
１７１は第１のファラデー結晶基板周辺での光の進路
１、１７２は第２のファラデー結晶基板周辺での光の進
路２である。このファラデー結晶基板としては例えば
（松田他電子情報通信学会研究報告 OQE87-51、１
９８７）に報告されているビスマス・ガドリウム・鉄・
ガーネットとビスマス・ルテチウム・ガドリウム・鉄・
ガーネットの組合せを用いることができる。この時２つ
のファラデー結晶の厚みの比は０.４４：１であるの
で、ファラデー結晶基板１６２の角度シータ１およびフ
ァラデー結晶基板１６３の角度シータ２を光軸が一致す
るように選ぶことができると同時に、環境温度に無依存
なアイソレータ特性を得ることができる。

【００３８】（実施の形態４）次に本発明の第四の実施
例について図５を用いて説明する。

【００３９】図５はファラデー結晶表面からの反射戻り
光を抑制するために構成された本発明第三の実施例の光
アイソレータの基板上面図である。図５において、１２
２は光ファイバの光軸に対して角度シータ１、１２３は
光ファイバの光軸に対して角度シータ２で傾いて形成さ
れた溝、１７３は第１の基体２１０付近の光の進路１、
１７４は第２の基体２１１付近の光の進路２、２００は
カドミウム-マンガン-水銀-テルル系材料のファラデー
結晶基板、２１０はファラデー結晶基板２００よりも高
い屈折率を有するガリウム砒素半導体からなる第１の基
体、２１１は第１の基体と同じ厚さで同じ材料から成る
第２の基体である。

【００４０】この構成において、入射光１７０は偏光子
１４０を透過し第一の基体２１０付近で光の進路１（１
７３）をたどって、シングルモード光の伝搬かどうかは
不明であるがシングルモード光ファイバ１１０の一部で
ある、基板中に埋め込まれた光ファイバ１１１の外側の
ファラデー結晶基板２００の一部を通過する。この時偏
光方向が４５度のファラデー回転を受け、第２の基体の
周辺で光の進路２（１７４）をたどって再び光りファイ
バの光軸に戻って出射光１８０となる。この構成ではフ
ァラデー結晶基板の面方向に直接光を透過させるので、
薄い結晶膜圧でも長いファラデー効果が得られる作用長
を得ることができる利点がある。

【００４１】（実施の形態５）次に本発明の第五の実施
例について図６を用いて説明する。

【００４２】図６は本発明第五実施例の光アイソレータ
を内蔵する半導体レーザモジュールの断面図である。図
６において、１９０は半導体レーザ、１９１は半導体レ
ーザ、１９０から出射しコアを拡大した光ファイバに結
合するレーザ光である。他の部分は本発明の第一の実施
例で説明したと同様の物である。半導体レーザは基板１
００の一部を機械的にテラス状にした部分に配置されい
る。このように半導体レーザと光アイソレータ機能と光
ファイバ支持をする固定機能がコンパクトに集積化する
ことができるとともに、機械的な信頼性が高く、作製が
容易で低価格化が期待できるモジュールが得られる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は低損失
化、小型化、低価格化、高信頼性化が可能な光アイソレ
ータとこれを用いる半導体レーザモジュールを提供する
ものであり、中継伝送系、加入者系、構内伝送系等のさ
まざまな光ファイバ通信システムの構築に向けて大きく
貢献するものであり産業上大きな意義を有するものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の作用の説明する図

【図２】本発明の第一の実施例の光アイソレータの断面
図

【図３】本発明の第二の実施例の光アイソレータの基板
上面図

【図４】本発明の第三の実施例の光アイソレータの基板
上面図

【図５】本発明の第四の実施例の光アイソレータの基板
上面図

【図６】本発明の第五の実施例の半導体レーザモジュー
ルの断面図

【符号の説明】

１００基板１１０シングルモード光ファイバ１１１基板中に埋め込まれた光ファイバ１１２コアを拡大した光ファイバ１２０、１２１、１２２、１２３、１２４溝１３０樹脂１４０偏光子１５０検光子１６０、１６２第１のファラデー結晶基板１６１、１６３第２のファラデー結晶基板１７０入射光１７１、１７３光の進路１１７２、１７４光の進路２１８０出射光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平９−26516（ＪＰ，Ａ) 特開平６−260711（ＪＰ，Ａ) 特開平４−349421（ＪＰ，Ａ) 特開平２−110406（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 27/28 G02B 6/12

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に配置された溝内に光ファイバの
一部が埋込まれて固定され、該光ファイバの光軸を横切
って、該埋め込まれて固定された部分の光ファイバの長
さ方向に、偏光子と、ファラデー回転角の合計が４５度
である少なくとも２つ以上に複数に分割したファラデー
結晶基板と、第２の検光子がそれぞれ分離して配置さ
れ、該基板外部に磁石を配置した構成であり、該光ファ
イバの偏光子の側の端から光が入射し、該光ファイバの
第２の検光子の側から光が出射することを特徴とする光
アイソレータ。
【請求項２】基板上に配置された溝内に光ファイバの
一部が埋込まれて固定され、該光ファイバの光軸を横切
って、該埋め込まれて固定された部分の光ファイバの長
さ方向に、偏光子と、該光ファイバの光軸と第１の角度
をなす第１のファラデー結晶基板と、該光ファイバの光
軸と第２の角度をなす第２のファラデー結晶基板と、第
２の検光子がそれぞれ分離して配置され、該基板外部に
磁石を配置した構成であり、該光ファイバの偏光子の側
の端から光が入射し、該光ファイバの第２の検光子の側
から光が出射することを特徴とする光アイソレータ。
【請求項３】前記光ファイバがシングルモードファイ
バであり、少なくとも該光ファイバの光軸を横切って該
埋め込まれて固定された部分の光ファイバの長さ方向の
一部に、偏光子と、該光ファイバの光軸と第１の角度を
なす第１のファラデー結晶と、該光ファイバの光軸と第
２の角度をなす第２のファラデー結晶と、第２の検光子
がそれぞれ分離して配置された構成からなる部分の該光
ファイバのコア部分が半径方向に拡大されたものである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光ア
イソレータ。
【請求項４】前記第１のファラデー結晶基板と、前記
第２のファラデー結晶基板とが等しい屈折率と厚みを有
するものであり、かつそれぞれのファラデー結晶でのフ
ァラデー回転角が２２.５度となるように厚みが設定さ
れ、かつ前記第１の角度と前記第２の角度が互いに符号
が異なり、かつ絶対値が等しく設定されて、前記光ファ
イバの偏光子の側の端から光が入射し、該第１のファラ
デー結晶基板により屈折しさらに該第２のファラデー結
晶基板により屈折して該光ファイバの第２の検光子の側
から光が出射することを特徴とする請求項２に記載の光
アイソレータ。
【請求項５】前記第１のファラデー結晶基板と、前記
第２のファラデー結晶基板とが異なる屈折率と厚みを有
するものであり、かつ合計のファラデー回転角が４５度
となるように厚みが設定され、かつ前記光ファイバの偏
光子の側の端から光が入射し、該第１のファラデー結晶
基板により屈折しさらに該第２のファラデー結晶基板に
より屈折して該光ファイバの第２の検光子の側から光軸
が一致して光が出射するように前記第１の角度と前記第
２の角度を設定されることを特徴とする請求項２に記載
の光アイソレータ。
【請求項６】前記第１のファラデー結晶基板と、前記
第２のファラデー結晶基板とが異なる屈折率と厚みを有
するものであり、かつファラデー回転角の温度依存性を
互いに補償して一定の温度範囲で合計のファラデー回転
角が４５度一定となるように結晶組成と厚みが設定さ
れ、かつ前記光ファイバの偏光子の側の端から光が入射
し、該第１のファラデー結晶基板により屈折しさらに該
第２のファラデー結晶基板により屈折して該光ファイバ
の第２の検光子の側から光軸が一致して光が出射するよ
うに前記第１の角度と前記第２の角度を設定されること
を特徴とする請求項２に記載の光アイソレータ。
【請求項７】請求項１または請求項２に記載の光アイ
ソレータの前記基板上の前記光ファイバの偏光子の側の
端に半導体レーザが配置され、該半導体レーザからのレ
ーザ光が光学的に該光ファイバと結合する手段を有し、
該光ファイバの他端である第２の検光子の側から光が出
射することを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項８】前記ファラデー結晶基板がビスマス置換
希土類鉄ガーネットであることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の光アイソレータ。
【請求項９】前記ファラデー結晶基板がカドミウム-
マンガン-水銀-テルル系材料であることを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の光アイソレータ。