JP6217243B2 - 光モジュールおよび光送信機 - Google Patents
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Description
以下に添付図面を参照して、開示技術の好適な実施の形態を詳細に説明する。
図1に示す終端基板102b上の複数の電極121のレイアウトについて説明しておく。一つのマッハツェンダ干渉部A側の2本の電極121A(第1のグループ:121Aa,121Ab)は、終端基板102b上において、平行導波路112A,112Bに沿った第1の方向(図中X1方向)に向けてL字型に折り返して配置される。
図2は、実施の形態2にかかる光モジュールを示す平面図、図3は、実施の形態2にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態2において実施の形態1と同一の構成部には同一の符号を付している。実施の形態2は、実施の形態1と比べて、終端基板102b上の複数の電極121の配線レイアウト、および終端抵抗132の配置位置が異なる。
図4は、実施の形態3にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態3は、実施の形態2において説明した終端基板102bをキャリア302と一体形成したものである。その他の構成は、実施の形態2と同じである。なお、キャリア302において、上記実施の形態で説明した終端基板102bの配置位置は終端部102bと称する。
図5は、実施の形態4にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態4は、実施の形態2において説明した中継基板102aおよび終端基板102bをキャリア302と一体形成したものである。その他の構成は、実施の形態2,3と同じである。なお、キャリア302において、上記実施の形態で説明した中継基板102aは、中継部102aと称し、終端基板102bの配置位置は終端部102bと称する。
図6は、実施の形態5にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態5は、実施の形態4同様に、中継基板102aおよび終端基板102bをキャリア302と一体形成している。そして、複数の電極121の配線構造、および終端抵抗132の配置構造が異なる。
図7は、実施の形態6にかかる光モジュールを示す側断面図である。実施の形態6は、実施の形態5と同様に、キャリア302に中継基板102aおよび終端基板102bの機能を一体形成により設けている。また、バイアス抵抗133は、キャリア302上に配置させずに、キャリア302の内層配線302c部分に配置させている。
図8は、実施の形態7にかかる光送信機の構成例を示すブロック図である。光送信機800は、上述した各実施の形態の光モジュール100と、データ生成部801と、LD光源(Laser Diode)810とを含む。データ生成部801は、例えばDSP(Digital Signal Processor)を用いて構成できる。このデータ生成部801は、入力される送信用のデータ(2つの個別のデータ)を高速マイクロ波信号(電気信号)として光モジュール100のRF電極121aに出力する。また、光モジュール100のDC電極121bを介して、マッハツェンダ干渉部A,Bのバイアスポイントを制御する。また、図1の構成例では、DC電極121cを介してオフ点を制御し、DC電極121dを介して位相直交の制御を行う。
図9は、各実施の形態と比較用の他の光モジュールの構成例を示す平面図である。変調器チップ902上に一対のマッハツェンダ干渉部A,B(作用長L1)を並設し、中継基板901に上述した電極端子および電子部品(キャパシタ911、終端抵抗912、バイアス抵抗913)を配置した構成例を示す。なお、図9では、実施の形態1(図1)で説明した位相制御用のDC電極121c,121dや、実施の形態2(図2)で説明した偏波制御用の偏波回転部211、偏波合成部212の配置を省略している。
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ接続する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のDC電極まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
前記一対の平行導波路に沿って設けられ、電気信号が印加される一対の電極と、
一対の前記光導波路および一対の前記電極が複数設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のDC電極まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれる
ことを特徴とする光モジュール。
分岐した他方の前記配線部は、前記キャリア基板のビアを介して前記キャリア基板の内層配線に接続されたことを特徴とする付記5または6に記載の光モジュール。
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のDC電極まで延在し、
前記バイアス抵抗は、前記キャリア基板の内層配線部分に設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板上のDC電極まで延在し、
分岐した一方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記キャパシタおよび終端抵抗が前記キャリア基板の裏面に配置された
ことを特徴とする光モジュール。
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板上のDC電極まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれる光モジュールと、
前記複数の電極に個別に送信用のデータを前記電気信号として供給し、前記DC電極を介して、前記光導波路による変調の駆動信号を供給するデータ生成部と、
前記光導波路の光の偏波状態が互いに直交するように制御するバイアス制御回路と、
を有することを特徴とする光送信機。
101 マッハツェンダ変調部
102 電極基板
102a 中継基板(中継部)
102b 終端基板(終端部)
103 筐体
104(104a,104b) 光ファイバ
111 導波路基板
112 光導波路
112a 入射導波路
112b 平行導波路
112c 出射導波路
112A,112B 平行導波路
113 分岐部
115 合波部
121 電極
121a RF電極
121b DC電極
121c,121d DC電極(位相用)
121A,121B 分割した電極(レイアウト)
131 キャパシタ
132 終端抵抗
133 バイアス抵抗
201a〜201c,201g ビア
211 偏波回転部
212 偏波合成部
301 温度調整クーラー
302 キャリア基板
302c 内層配線
800 光送信機
801 データ生成部
802 バイアス制御回路
803 温度制御部
810 LD光源
A,B マッハツェンダ干渉部
Claims (13)
- 光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ接続する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれ、
前記中継基板から伸びる前記第1の配線部に対し、前記第2の配線部の前記他方の配線部が前記中継基板に向けて環状に折り返され、
前記中継基板には、前記第1の配線部に接続された複数の入力端子と、前記第2の配線部の前記他方の配線部に接続された複数のDC端子と、が同一側面に設けられていることを特徴とする光モジュール。 - 一対の平行導波路を含む光導波路と、
前記一対の平行導波路に沿って設けられ、電気信号が印加される一対の電極と、
一対の前記光導波路および一対の前記電極が複数設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれ、
前記中継基板から伸びる前記第1の配線部に対し、前記第2の配線部の前記他方の配線部が前記中継基板に向けて環状に折り返され、
前記中継基板には、前記第1の配線部に接続された複数の入力端子と、前記第2の配線部の前記他方の配線部に接続された複数のDC端子と、が同一側面に設けられていることを特徴とする光モジュール。 - 分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする請求項1または2に記載の光モジュール。
- 分岐した一方の前記配線部と、分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板の表裏でほぼ同一位置に設けられたことを特徴とする請求項3に記載の光モジュール。
- 前記終端基板は、温度制御クーラー上に設けられるキャリア基板と一体化されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の光モジュール。
- 前記中継基板は、前記キャリア基板と一体化されたことを特徴とする請求項5に記載の光モジュール。
- 前記キャリア基板は、積層基板であり、
分岐した他方の前記配線部は、前記キャリア基板のビアを介して前記キャリア基板の内層配線に接続されたことを特徴とする請求項5または6に記載の光モジュール。 - 光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板まで延在し、
前記バイアス抵抗は、前記キャリア基板の内層配線部分に設けられ、
前記中継基板から伸びる前記第1の配線部に対し、前記第2の配線部の前記他方の配線部が前記中継基板に向けて環状に折り返され、
前記中継基板には、前記第1の配線部に接続された複数の入力端子と、前記第2の配線部の前記他方の配線部に接続された複数のDC端子と、が同一側面に設けられていることを特徴とする光モジュール。 - 光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗およびキャリア基板を介して前記中継基板まで延在し、
分岐した一方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記キャパシタおよび終端抵抗が前記キャリア基板の裏面に配置され、
前記中継基板から伸びる前記第1の配線部に対し、前記第2の配線部の前記他方の配線部が前記中継基板に向けて環状に折り返され、
前記中継基板には、前記第1の配線部に接続された複数の入力端子と、前記第2の配線部の前記他方の配線部に接続された複数のDC端子と、が同一側面に設けられていることを特徴とする光モジュール。 - 分岐した一方の前記配線部の前記ビアに隣接する他の一つまたは複数のビアを接地したグランド電極としたことを特徴とする請求項9に記載の光モジュール。
- 前記キャリア基板の表面には、前記導波路基板を収容する溝が形成されたことを特徴とする請求項5〜10のいずれか一つに記載の光モジュール。
- 光導波路と、前記光導波路に電気信号が印加される複数の電極とが設けられる導波路基板と、
前記導波路基板に隣接して配置される中継基板と、
前記導波路基板に隣接し、前記導波路基板を挟んで前記中継基板と反対側に配置される終端基板とを有し、
前記複数の電極は、前記中継基板から前記導波路基板を介して前記終端基板へ延在する第1の配線部と、前記第1の配線部から延び且つ前記終端基板上でそれぞれ分岐した第2の配線部とを有し、
前記第2の配線部のうち、分岐した一方の配線部には、キャパシタおよび終端抵抗が設けられ、分岐した他方の配線部は、バイアス抵抗を介して前記中継基板まで延在し、
前記第2の配線部は、前記光導波路に沿った第1の方向に延びる第1のグループと、前記第1の方向と反対方向に延びる第2のグループと、に分かれ、
前記中継基板から伸びる前記第1の配線部に対し、前記第2の配線部の前記他方の配線部が前記中継基板に向けて環状に折り返され、
前記中継基板には、前記第1の配線部に接続された複数の入力端子と、前記第2の配線部の前記他方の配線部に接続された複数のDC端子と、が同一側面に設けられている光モジュールと、
前記複数の電極に個別に送信用のデータを前記電気信号として供給し、前記DC電極を介して、前記光導波路による変調の駆動信号を供給するデータ生成部と、
前記光導波路の光の偏波状態が互いに直交するように制御するバイアス制御回路と、
を有することを特徴とする光送信機。 - 分岐した他方の前記配線部は、前記終端基板のビアを介して前記終端基板の裏面に導出され、前記バイアス抵抗は、前記終端基板の裏面に配置されたことを特徴とする請求項12に記載の光送信機。
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