JP5861724B2 - 光デバイス - Google Patents

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Description

本発明は、光デバイスに関する。
光変調器などの光デバイスにおいては、光デバイスの動作状態を監視するため、信号光の一部を分岐してモニタする構成、及び、マッハツェンダー干渉計などの光の合波部において発生する放射光をモニタする構成が用いられている。例えば、特許文献１の図２及び図４には、複数のマッハツェンダー干渉計の光合波部において発生する放射光をモニタする構成が開示されている。ＰＤ（Photo Diode）などの受光素子で受光された各放射光は電気信号に変換され、配線基板上に設けられた電気配線を介して光デバイスに取り付けられた出力ピンなどから出力される。そして出力された電気信号は光変調器部の動作点などをフィードバック制御するためのモニタ信号などとして用いられる。
特開２００４−１１７６０５号公報
近年では、４０Ｇｂｐｓ及び１００Ｇｂｐｓといった大容量通信に対応するため、多値変調方式及び偏波多重方式合成型などに対応した集積型の光変調器が主流となってきている。これらの光変調器は、１つの変調器内に複数の変調部を有している。例えば、ＤＱＰＳＫ（Differential Quadrature Phase Shift Keying：差動４値位相変調）方式の光変調器は２つの変調部を有しており、異なる２つのＱＰＳＫ信号を偏波合成するＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying：偏波多重４値位相変調）方式の光変調器は、２つのメインマッハツェンダ導波路の各々に２個のサブマッハツェンダ導波路が配置された構造であり、計４つの変調部を有している。
変調部の増加に伴い信号光または放射光をモニタするための受光素子の数も増加するので、受光素子の設置面積が増加していた。また受光素子から出力された電気信号を出力ピンまで取り回すための電気配線も増加するので、電気配線が設けられた配線基板の設置面積も増加し、光デバイスが大型化していた。さらに、最近では信号光の一部を分岐してモニタする方法の一つとして、信号光スペクトルの一部の周波数（０．１ＧＨｚから数ＧＨｚ）をモニタすることも行われており、モニタ信号は高周波数化している。またディザ信号を信号光に重畳してモニタするモニタ方法においてもディザ信号が高周波数化されてきている。
しかし、その一方で、光変調器の小型化が要請されている。このため、配線基板の設置面積を大きくすることができないので、信号電極間の距離を十分に確保することができない場合がある。このように、受光素子の数が増加した結果、複数の信号電極を備える配線基板では、信号電極間の距離を十分に確保できない場合、信号電極間においてクロストークが生じるおそれがある。
本発明は、配線基板の設置面積の増加を抑制するとともに、電極間のクロストークを低減可能な構造を有する光デバイスを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る光デバイスは、第１出力光及び第２出力光を出力する光素子と、第１出力光を第１電気信号に変換する第１受光部と、第２出力光を第２電気信号に変換する第２受光部と、複数の面を有する基体と、基体上に設けられ、第１受光部に接続された第１電極と、基体上に設けられ、第２受光部に接続された第２電極と、を備える。第１電極の一部は、第２電極が配置される面とは異なる面に配置される。
この光デバイスによれば、第１受光部に接続された第１電極の一部は、基体の面のうち、第２受光部に接続された第２電極が配置される面とは異なる面に配置される。このため、第１電極及び第２電極が基体の同一面に配置される場合と比較して、基体を大きくすることなく第１電極及び第２電極の距離を大きくすることができる。その結果、基体の設置面積の増加を抑制するとともに、第１電極及び第２電極の間のクロストークを低減することが可能となる。ここで、第１出力光及び第２出力光は、例えば光変調素子の変調光、放射光及びモニタ光のいずれも含む。
本発明の他の側面に係る光デバイスは、第１電極を含み、各々が第１受光部に接続された第１電極群と、第２電極を含み、各々が第２受光部に接続された第２電極群と、をさらに備えてもよい。第１電極群の一部は、第２電極群が配置される面とは異なる面に配置されてもよい。この場合、第１受光部に接続された第１電極群の一部は、基体の面のうち、第２受光部に接続された第２電極群が配置される面とは異なる面に配置される。このため、第１電極群及び第２電極群が基体の同一面に配置される場合と比較して、基体を大きくすることなく第１電極群及び第２電極群の距離を大きくすることができる。その結果、基体の設置面積の増加を抑制するとともに、第１電極群及び第２電極群の間のクロストークを低減することが可能となる。
本発明の他の側面に係る光デバイスは、第３出力光を第３電気信号に変換する第３受光部と、各々が第３受光部に接続された第３電極群と、をさらに備えてもよい。光素子は、第３出力光をさらに出力し、第１電極群の一部と、第２電極群の一部と、第３電極群の一部とは互いに異なる面に配置されてもよい。この場合、第１受光部に接続された第１電極群の一部と、第２受光部に接続された第２電極群の一部と、第３受光部に接続された第３電極群の一部とが、基体の複数の面のうち互いに異なる面に配置される。このため、第１電極群、第２電極群及び第３電極群が基体の同一面に配置される場合と比較して、基体を大きくすることなく第１電極群、第２電極群及び第３電極群の互いの距離を大きくすることができる。その結果、基体の設置面積の増加を抑制するとともに、第１電極群、第２電極群及び第３電極群の間のクロストークを低減することが可能となる。
本発明の他の側面に係る光デバイスにおいては、第１電極群は第３電極をさらに含み、第１電極の一部と第３電極の一部とは、互いに並行に配置されてもよい。ここで、「並行」とは、一方の電極に沿って他方の電極が配置された状態であって、平行な状態及び本発明の特徴を逸脱しない範囲において平行でない状態を含む。この場合、受光素子の電極配線を並行化することで、不要な電界放射及び電極間の信号の結合を抑制することができる。このため、第１電極及び第３電極を伝搬する電気信号の高周波特性の劣化を低減することができる。
本発明の他の側面に係る光デバイスにおいては、第１受光部及び第２受光部は、基体の複数の面のうち同じ面に設けられてもよい。この場合、光素子から出力される第１出力光及び第２出力光を受光するための光学的なアライメントを容易化することができる。
本発明の他の側面に係る光デバイスは、第１電極と第２電極との間に設けられた接地電極をさらに備えてもよい。この場合、第１電極と第２電極との間に接地電極が配置されることにより、一方の電極から他方の電極に向かう電気力線の一部を接地電極に向かわせることができる。これにより、それぞれ隣り合う電極間の電磁界の重なりが小さくなり、第１電極及び第２電極の間のクロストークをさらに低減することが可能となる。
本発明によれば、配線基板の設置面積の増加を抑制するとともに、電極間のクロストークを低減できる。
第１実施形態に係る光デバイスの構成を概略的に示す平面図である。 図１の光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。 図１のモニタ部の一構成例を概略的に示す斜視図である。 図１のモニタ部の他の構成例を概略的に示す斜視図である。 図１のモニタ部の他の構成例を概略的に示す斜視図である。 図１のモニタ部の他の構成例を概略的に示す斜視図である。 図１のモニタ部の他の構成例を概略的に示す斜視図である。 図１のモニタ部の他の構成例を概略的に示す斜視図である。 第２実施形態に係る光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。 第３実施形態に係る光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。 図１０の光デバイスの側面図である。 図１０のモニタ部の一構成例を概略的に示す斜視図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光デバイスの構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。図１及び図２に示されるように、光デバイス１は、光ファイバＦ１によって導入された入力光を変調して、光ファイバＦ２に変調光を出力する光変調器である。光デバイス１は、光入力部２と、中継部３と、光変調素子４（光素子）と、終端部５と、光出力部６と、モニタ部７と、筐体１０と、を備え得る。
筐体１０は、一方向（以下、「方向Ａ」という。）に延びる箱型の部材であって、例えばステンレス鋼から構成されている。筐体１０は、方向Ａにおける両端面である一端面１０ａ及び他端面１０ｂを有する。一端面１０ａには光ファイバＦ１を挿入するための開口が設けられている。他端面１０ｂには光ファイバＦ２を挿入するための開口が設けられている。筐体１０は、底部と蓋部とからなり、例えば、光入力部２、中継部３、光変調素子４、終端部５、光出力部６及びモニタ部７を収容する。ここで、方向Ａは、直交座標系のｘ軸の方向に向き、方向Ａと直交する方向Ｂは、直交座標系のｙ軸の方向に向く。以下の説明において、光デバイス１の上下、前後、左右とは、筐体１０の蓋部側を上、筐体１０の底部側を下、光ファイバＦ１が配置されている側を前、光ファイバＦ２が配置されている側を後としたときの方位を意味するものとする。
光入力部２は、光ファイバＦ１によって導入される入力光を光変調素子４に供給する。光入力部２は、光ファイバＦ１と光変調素子４との接続を補助するための補助部材を備えてもよい。
中継部３は、外部から供給される電気信号である変調信号を中継して光変調素子４に出力する。中継部３は、例えば筐体１０の側面１０ｃに設けられた変調信号入力用のコネクタを介して変調信号を入力し、光変調素子４に変調信号を出力する。
光変調素子４は、中継部３から出力される変調信号に応じて、光入力部２から供給される入力光を変調光に変換する素子である。光変調素子４は、基板４１と、信号電極４３と、を備え得る。基板４１は、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３、以下「ＬＮ」という。）などの電気光学効果を奏する誘電体材料から構成されている。基板４１は方向Ａに延びており、方向Ａにおける両端部である一端部４１ａ及び他端部４１ｂを有する。
基板４１は、光導波路４２を有している。光導波路４２は、例えばマッハツェンダ（Mach-Zehnder）型の光導波路であって、光変調素子４の変調方式に応じた構造を有する。この例では、光変調素子４の変調方式は、ＤＰ−ＢＰＳＫ（Dual Polarization-Binary Phase Shift Keying）方式である。この場合、光導波路４２は、２つの導波路４２ｂ，４２ｃ上に、マッハツェンダ部４２１及びマッハツェンダ部４２２が設けられた構造を有する。すなわち、入力導波路４２ａは基板４１の一端部４１ａから方向Ａに延び、分岐されてマッハツェンダ部４２１の入力端及びマッハツェンダ部４２２の入力端にそれぞれ接続されている。出力導波路４２ｄでは、マッハツェンダ部４２１の出力端から延びる導波路４２ｂ及びマッハツェンダ部４２２の出力端から延びる導波路４２ｃが合流して他端部４１ｂまで方向Ａに延びている。
信号電極４３は、変調信号に応じた電界を光導波路４２に印加するための部材であって、基板４１上に設けられている。信号電極４３の配置及び数は、基板４１の結晶軸の向き及び光変調素子４の変調方式に応じて決定される。各信号電極４３は、中継部３から出力される変調信号をそれぞれ伝送する。
基板４１は、さらに放射光導波路４４を有している。放射光導波路４４は、放射光のための光導波路であって、放射光導波路４４１及び放射光導波路４４２を含む。放射光導波路４４１は、マッハツェンダ部４２１の出力端から他端部４１ｂまで延びている。放射光導波路４４１は、マッハツェンダ部４２１の出力端から漏れ出る放射光Ｒ１（第１出力光）を導光し、光変調素子４の他端部４１ｂから方向Ａに放出する。放射光導波路４４２は、マッハツェンダ部４２２の出力端から他端部４１ｂまで延びている。放射光導波路４４２は、マッハツェンダ部４２２の出力端から漏れ出る放射光Ｒ２（第２出力光）を導光し、光変調素子４の他端部４１ｂから方向Ａに放出する。放射光導波路４４１及び放射光導波路４４２は、導波路４２ｂ及び導波路４２ｃを挟むように設けられている。
光変調素子４は、さらに偏波回転部４６を備え得る。偏波回転部４６は、偏波を９０度回転させる素子であって、例えば１／２波長板等である。偏波回転部４６は、マッハツェンダ部４２２の出力端から延びる導波路４２ｃ上に設けられている。
光変調素子４では、光入力部２から光変調素子４に入力される入力光は、入力導波路４２ａによってマッハツェンダ部４２１及びマッハツェンダ部４２２に分岐して入力される。分岐された入力光は、マッハツェンダ部４２１及びマッハツェンダ部４２２においてそれぞれ変調される。マッハツェンダ部４２１において変調された変調光は、導波路４２ｂを伝搬する。マッハツェンダ部４２２において変調された変調光は、導波路４２ｃを伝搬し偏波回転部４６によって偏波を９０度回転される。そして、導波路４２ｂを伝搬する変調光及び導波路４２ｃを伝搬する変調光は、出力導波路４２ｄにおいて合波されて光変調素子４から出力される。
終端部５は、変調信号の電気的終端である。終端部５は、光変調素子４の信号電極４３の各々に対応した抵抗器を備え得る。各抵抗器の一端は光変調素子４の信号電極４３に電気的に接続され、各抵抗器の他端は接地電位に接続されている。各抵抗器の抵抗値は、信号電極４３の特性インピーダンスと略等しく、例えば５０Ω程度である。
光出力部６は、光変調素子４から出力される変調光を光ファイバＦ２に出力する。光出力部６は、補助部材６１を備えている。補助部材６１は、光変調素子４と光ファイバＦ２との接続を補助するための部材であって、例えばガラス製のキャピラリである。補助部材６１は、光変調素子４の光導波路４２と光ファイバＦ２とを光結合するように光ファイバＦ２を保持している。光ファイバＦ２は、光導波路４２の出力導波路４２ｄに光結合するように光変調素子４の他端部４１ｂに接合されている。補助部材６１は、接合面６１ａ及び反射面６１ｂを有している。接合面６１ａは基板４１の他端部４１ｂに接合されている。反射面６１ｂは、方向Ａに対して例えば４５°程度傾斜しており、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を方向Ｂに反射する。
モニタ部７は、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２の光強度をモニタする。モニタ部７は、放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を受光し、放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２の光強度に応じた電気信号を外部回路であるバイアス制御部（不図示）に出力する。なお、モニタ部７は、変調光の分岐光の光強度をモニタしてもよい。このモニタ部７は、配線デバイスとして提供され得る。
図３は、モニタ部７の一構成例を概略的に示す斜視図である。図３に示されるように、モニタ部７は、配線デバイスであって、基体７０と、サブ基体７１と、サブ基体７２と、受光素子５１（第１受光部）と、受光素子５２（第２受光部）と、電極群８１（第１電極群）と、電極群８２（第２電極群）と、を備えている。
基体７０は、多面体であって、例えば方向Ｂに延びる四角柱状の形状を呈している。基体７０は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、セラミック等から構成されている。基体７０の高さは、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、基体７０の方向Ａに沿っての長さ（幅）は、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、基体７０の方向Ｂに沿っての長さは、例えば１ｍｍ〜２０ｍｍ程度である。
基体７０は、上面７０ａ、下面７０ｂ、側面７０ｃ、側面７０ｄ、側面７０ｅ及び側面７０ｆを有している。上面７０ａ及び下面７０ｂ、側面７０ｃ及び側面７０ｄ、側面７０ｅ及び側面７０ｆは、それぞれ互いに対向し、並行に配置されている。上面７０ａ、下面７０ｂは、例えば矩形状を呈し、側面７０ｃ、側面７０ｄ、側面７０ｅ及び側面７０ｆの各々と互いに隣り合う面である。側面７０ｃ、側面７０ｆ、側面７０ｄ及び側面７０ｅは、例えば矩形状を呈し、上面７０ａの周縁及び下面７０ｂの周縁に沿ってその順に配置されている。基体７０は、下面７０ｂが筐体１０の底部と対向し、側面７０ｄが筐体１０の側面１０ｃ側に位置するように、筐体１０に設置される。
サブ基体７１は、例えば四角柱状の形状を呈している。サブ基体７１は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックから構成されている。サブ基体７１の高さは、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、サブ基体７１の方向Ａに沿っての長さ（幅）は、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、サブ基体７１の方向Ｂに沿っての長さは、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。
サブ基体７１は、上面７１ａ、下面７１ｂ、側面７１ｃ、側面７１ｄ、側面７１ｅ及び側面７１ｆを有している。上面７１ａ及び下面７１ｂ、側面７１ｃ及び側面７１ｄ、側面７１ｅ及び側面７１ｆは、それぞれ互いに対向し、並行に配置されている。上面７１ａ及び下面７１ｂは、例えば矩形状を呈し、側面７１ｃ、側面７１ｄ、側面７１ｅ及び側面７１ｆの各々と互いに隣り合う面である。側面７１ｃ、側面７１ｆ、側面７１ｄ及び側面７１ｅは、例えば矩形状を呈し、上面７１ａの周縁及び下面７１ｂの周縁に沿ってその順に配置されている。サブ基体７１は、下面７１ｂが筐体１０の底部と対向し、側面７１ｄが基体７０の側面７０ｃに対向するように、筐体１０に設置される。
サブ基体７２は、例えば四角柱状の形状を呈している。サブ基体７２は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、セラミック等から構成されている。サブ基体７２の高さは、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、サブ基体７２の方向Ａに沿っての長さ（幅）は、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度であり、サブ基体７２の方向Ｂに沿っての長さは、例えば１ｍｍ〜５ｍｍ程度である。なお、ここでは、モニタ部７が２つのサブ基体７１，７２を備える構成例で説明するが、これに限られない。モニタ部７は、１つのサブ基体を備えてもよく、３つ以上のサブ基体を備えてもよい。また、１つのサブ基体に複数の受光素子が設けられてもよい。
サブ基体７２は、上面７２ａ、下面７２ｂ、側面７２ｃ、側面７２ｄ、側面７２ｅ及び側面７２ｆを有している。上面７２ａ及び下面７２ｂ、側面７２ｃ及び側面７２ｄ、側面７２ｅ及び側面７２ｆは、それぞれ互いに対向し、並行に配置されている。上面７２ａ及び下面７２ｂは、例えば矩形状を呈し、側面７２ｃ、側面７２ｄ、側面７２ｅ及び側面７２ｆの各々と互いに隣り合う面である。側面７２ｃ、側面７２ｆ、側面７２ｄ及び側面７２ｅは、例えば矩形状を呈し、上面７２ａの周縁及び下面７２ｂの周縁に沿ってその順に配置されている。サブ基体７２は、下面７２ｂが筐体１０の底部と対向し、側面７２ｄが基体７０の側面７０ｃに対向し、側面７２ｆがサブ基体７１の側面７１ｅと対向するように、筐体１０に設置される。サブ基体７１及びサブ基体７２は、方向Ａに沿って順に配列されている。
受光素子５１は、光信号を電気信号に変換するための素子であって、例えばフォトダイオードである。受光素子５１は、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられている。受光素子５１は、側面７１ｃにおいて、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１を受光可能な位置に配置される。受光素子５１は、放射光Ｒ１を受光し、受光した放射光Ｒ１の強度に応じた電気信号Ｅ１（第１電気信号）を受光素子５１のアノード端子から出力する。受光素子５１のアノード端子は、例えば側面７１ｃと側面７１ｆとの境界である辺７１ｃｆに向かって設けられている。受光素子５１のカソード端子は、例えば上面７１ａと側面７１ｃとの境界である辺７１ａｃに向かって設けられている。
受光素子５２は、光信号を電気信号に変換するための素子であって、例えばフォトダイオードである。受光素子５２は、サブ基体７２の側面７２ｃに設けられている。受光素子５２は、側面７２ｃにおいて、光変調素子４から出力される放射光Ｒ２を受光可能な位置に配置される。受光素子５２は、放射光Ｒ２を受光し、受光した放射光Ｒ２の強度に応じた電気信号Ｅ２（第２電気信号）を受光素子５２のアノード端子から出力する。受光素子５２のアノード端子は、例えば上面７２ａと側面７２ｃとの境界である辺７２ａｃに向かって設けられている。受光素子５２のカソード端子は、例えば側面７２ｃと側面７２ｆとの境界である辺７２ｃｆに向かって設けられている。
電極群８１は、各々が受光素子５１に接続されている複数の電極の組である。電極群８１は、電極８１１（第３電極）と電極８１２（第１電極）とを備えている。電極８１１は、一端が受光素子５１のカソード端子に接続された電極である。電極８１１は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８１１の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８１１は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の上面７１ａ、基体７０の上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８１１ａと、第２部分８１１ｂと、第３部分８１１ｃと、第４部分８１１ｄと、を有している。
第１部分８１１ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のカソード端子から辺７１ａｃまで延びている。第１部分８１１ａの一端は、受光素子５１のカソード端子に接続されている。第２部分８１１ｂは、サブ基体７１の上面７１ａに設けられ、辺７１ａｃから上面７１ａと側面７１ｄとの境界である辺７１ａｄまで延びている。第２部分８１１ｂの一端は、辺７１ａｃにおいて第１部分８１１ａの他端に接続されている。第３部分８１１ｃは、第２部分８１１ｂの他端と第４部分８１１ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１１ｄは、基体７０の上面７０ａに設けられ、上面７０ａと側面７０ｃとの境界である辺７０ａｃから上面７０ａと側面７０ｄとの境界である辺７０ａｄまで延びている。第４部分８１１ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８１１は、外部回路から供給される一定の電圧を受光素子５１のカソード端子に供給する。
電極８１２は、一端が受光素子５１のアノード端子に接続された電極である。電極８１２は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８１２の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８１２は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の側面７１ｆ、基体７０の側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８１２ａと、第２部分８１２ｂと、第３部分８１２ｃと、第４部分８１２ｄと、を有している。
第１部分８１２ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のアノード端子から辺７１ｃｆまで延びている。第１部分８１２ａの一端は、受光素子５１のアノード端子に接続されている。第２部分８１２ｂは、サブ基体７１の側面７１ｆに設けられ、辺７１ｃｆから側面７１ｄと側面７１ｆとの境界である辺７１ｄｆまで延びている。第２部分８１２ｂの一端は、辺７１ｃｆにおいて第１部分８１２ａの他端に接続されている。第３部分８１２ｃは、第２部分８１２ｂの他端と第４部分８１２ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１２ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、側面７０ｃと側面７０ｆとの境界である辺７０ｃｆから側面７０ｄと側面７０ｆとの境界である辺７０ｄｆまで延びている。第４部分８１２ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８１２は、受光素子５１のアノード端子から出力された電気信号Ｅ１を伝送し、ワイヤを介して外部回路に出力する。
電極８１１及び電極８１２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第２部分８１１ｂ及び第２部分８１２ｂ、並びに、第４部分８１１ｄ及び第４部分８１２ｄは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
電極群８２は、各々が受光素子５２に接続されている複数の電極の組である。電極群８２は、電極８２１（第２電極）と電極８２２とを備えている。電極８２１は、一端が受光素子５２のアノード端子に接続された電極である。電極８２１は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８２１の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８２１は、サブ基体７２の側面７２ｃ、サブ基体７２の上面７２ａ、基体７０の上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８２１ａと、第２部分８２１ｂと、第３部分８２１ｃと、第４部分８２１ｄと、を有している。
第１部分８２１ａは、サブ基体７２の側面７２ｃに設けられ、受光素子５２のアノード端子から辺７２ａｃまで延びている。第１部分８２１ａの一端は、受光素子５２のアノード端子に接続されている。第２部分８２１ｂは、サブ基体７２の上面７２ａに設けられ、辺７２ａｃから上面７２ａと側面７２ｄとの境界である辺７２ａｄまで延びている。第２部分８２１ｂの一端は、辺７２ａｃにおいて第１部分８２１ａの他端に接続されている。第３部分８２１ｃは、第２部分８２１ｂの他端と第４部分８２１ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８２１ｄは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第４部分８２１ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８２１は、受光素子５２のアノード端子から出力された電気信号Ｅ２を伝送し、ワイヤを介して外部回路に出力する。
電極８２２は、一端が受光素子５２のカソード端子に接続された電極である。電極８２２は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８２２の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８２２は、サブ基体７２の側面７２ｃ、サブ基体７２の上面７２ａ、基体７０の上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８２２ａと、第２部分８２２ｂと、第３部分８２２ｃと、第４部分８２２ｄと、を有している。
第１部分８２２ａは、サブ基体７２の側面７２ｃに設けられ、受光素子５２のカソード端子から辺７２ａｃまでＬ字状に延びている。第１部分８２２ａの一端は、受光素子５２のカソード端子に接続されている。第２部分８２２ｂは、サブ基体７２の上面７２ａに設けられ、辺７２ａｃから辺７２ａｄまで延びている。第２部分８２２ｂの一端は、辺７２ａｃにおいて第１部分８２２ａの他端に接続されている。第３部分８２２ｃは、第２部分８２２ｂの他端と第４部分８２２ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８２２ｄは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第４部分８２２ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８２２は、外部回路から供給される一定の電圧を受光素子５２のカソード端子に供給する。
電極８２１及び電極８２２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８２１ａ及び第１部分８２２ａの上下方向に延びる部分、第２部分８２１ｂ及び第２部分８２２ｂ、並びに、第４部分８２１ｄ及び第４部分８２２ｄは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
以上のように構成されたモニタ部７では、サブ基体７１に受光素子５１が設けられ、サブ基体７２に受光素子５２が設けられる。このため、受光素子５１に接続された電極群８１の一部（第１部分８１１ａ、第２部分８１１ｂ、第１部分８１２ａ及び第２部分８１２ｂ）は、受光素子５２に接続された電極群８２の一部（第１部分８２１ａ、第２部分８２１ｂ、第１部分８２２ａ及び第２部分８２２ｂ）が配置されている基体（サブ基体７２）と異なる基体（サブ基体７１）に配置されている。その結果、モニタ部７の設置面積を増大することなく、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。
また、モニタ部７では、電極８１１の第４部分８１１ｄ、電極８２１の第４部分８２１ｄ及び電極８２２の第４部分８２２ｄは、基体７０の上面７０ａに設けられ、電極８１２の第４部分８１２ｄは基体７０の側面７０ｆに設けられている。このように、電極群８１のうちの電極８１２の第４部分８１２ｄが他の電極と異なる面に配置されることにより、基体７０を大きくすることなく電極８１２の第４部分８１２ｄと電極群８２との距離を大きくすることができる。さらに、電極８１１の第４部分８１１ｄは、電極８２１の第４部分８２１ｄ及び電極８２２の第４部分８２２ｄと同じ上面７０ａに配置されているが、電極８１２の第４部分８１２ｄが側面７０ｆに配置されていることにより、電極８１２の第４部分８１２ｄが上面７０ａに配置される場合と比較して、電極８１１の第４部分８１１ｄと電極群８２との距離を大きくすることができる。その結果、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。
また、モニタ部７では、電極８１１及び電極８１２、並びに、電極８２１及び電極８２２は、互いに並行に配置されている。この場合、受光素子の電極配線を並行化することで、不要な電界放射及び電極間の信号の結合を抑制することができる。このため、電極８１１、電極８１２、電極８２１及び電極８２２を伝搬する電気信号の高周波特性の劣化を低減することができる。
なお、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。また、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。さらに、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えるとともに、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。また、基体７０、サブ基体７１及びサブ基体７２は、別々に構成されているが、一体に構成されてもよい。
図４は、モニタ部７の他の構成例を概略的に示す斜視図である。図４に示されるように、モニタ部７は、電極群８１の配置において、図３のモニタ部７と相違している。図４のモニタ部７では、受光素子５１のアノード端子は、例えば下面７１ｂと側面７１ｃとの境界である辺７１ｂｃに向かって設けられている。受光素子５１のカソード端子は、例えば辺７１ｃｆに向かって設けられている。
電極８１１は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の側面７１ｆ、基体７０の側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８１１ａと、第２部分８１１ｂと、第３部分８１１ｃと、第４部分８１１ｄと、を有している。第１部分８１１ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のカソード端子から辺７１ｃｆまで延びている。第１部分８１１ａの一端は、受光素子５１のカソード端子に接続されている。第２部分８１１ｂは、サブ基体７１の側面７１ｆに設けられ、辺７１ｃｆから辺７１ｄｆまで延びている。第２部分８１１ｂの一端は、辺７１ｃｆにおいて第１部分８１１ａの他端に接続されている。第３部分８１１ｃは、第２部分８１１ｂの他端と第４部分８１１ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１１ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから辺７０ｄｆまで延びている。第４部分８１１ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１２は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の側面７１ｆ、基体７０の側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８１２ａと、第２部分８１２ｂと、第３部分８１２ｃと、第４部分８１２ｄと、を有している。第１部分８１２ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のアノード端子から辺７１ｃｆまでＬ字状に延びている。第１部分８１２ａの一端は、受光素子５１のアノード端子に接続されている。第２部分８１２ｂは、サブ基体７１の側面７１ｆに設けられ、辺７１ｃｆから辺７１ｄｆまで延びている。第２部分８１２ｂの一端は、辺７１ｃｆにおいて第１部分８１２ａの他端に接続されている。第３部分８１２ｃは、第２部分８１２ｂの他端と第４部分８１２ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１２ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから辺７０ｄｆまで延びている。第４部分８１２ｄの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１１及び電極８１２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８１１ａ及び第１部分８１２ａの方向Ａに延びる部分、第２部分８１１ｂ及び第２部分８１２ｂ、並びに、第４部分８１１ｄ及び第４部分８１２ｄは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
図４のモニタ部７においても、図３のモニタ部７と同様の効果が奏される。さらに、図４のモニタ部７では、電極８１１の第４部分８１１ｄ及び電極８１２の第４部分８１２ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、電極８２１の第４部分８２１ｄ及び電極８２２の第４部分８２２ｄは、基体７０の上面７０ａに設けられている。このように、電極群８１の一部と電極群８２の一部とが互いに異なる面に配置されることにより、電極群８１と電極群８２とが同一面に配置される場合と比較して、基体７０を大きくすることなく電極群８１と電極群８２との距離を大きくすることができる。その結果、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。
なお、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。また、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。さらに、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えるとともに、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。また、基体７０、サブ基体７１及びサブ基体７２は、別々に構成されているが、一体に構成されてもよい。
図５は、モニタ部７の他の構成例を概略的に示す斜視図である。図５に示されるように、モニタ部７は、電極群８１の配置において、図４のモニタ部７と相違している。
図５のモニタ部７では、電極８１１は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の側面７１ｆ、基体７０の側面７０ｆ、基体７０の上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８１１ａと、第２部分８１１ｂと、第３部分８１１ｃと、第４部分８１１ｄと、第５部分８１１ｅと、を有している。第１部分８１１ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のカソード端子から辺７１ｃｆまで延びている。第１部分８１１ａの一端は、受光素子５１のカソード端子に接続されている。第２部分８１１ｂは、サブ基体７１の側面７１ｆに設けられ、辺７１ｃｆから辺７１ｄｆまで延びている。第２部分８１１ｂの一端は、辺７１ｃｆにおいて第１部分８１１ａの他端に接続されている。第３部分８１１ｃは、第２部分８１１ｂの他端と第４部分８１１ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１１ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから上面７０ａと側面７０ｆとの境界である辺７０ａｆまでＬ字状に延びている。第５部分８１１ｅは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｆから辺７０ａｄまでＬ字状に延びている。第５部分８１１ｅの一端は、辺７０ａｆにおいて第４部分８１１ｄの他端に接続されている。第５部分８１１ｅの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１２は、サブ基体７１の側面７１ｃ、サブ基体７１の側面７１ｆ、基体７０の側面７０ｆ、基体７０の上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８１２ａと、第２部分８１２ｂと、第３部分８１２ｃと、第４部分８１２ｄと、第５部分８１２ｅと、を有している。第１部分８１２ａは、サブ基体７１の側面７１ｃに設けられ、受光素子５１のアノード端子から辺７１ｃｆまでＬ字状に延びている。第１部分８１２ａの一端は、受光素子５１のアノード端子に接続されている。第２部分８１２ｂは、サブ基体７１の側面７１ｆに設けられ、辺７１ｃｆから辺７１ｄｆまで延びている。第２部分８１２ｂの一端は、辺７１ｃｆにおいて第１部分８１２ａの他端に接続されている。第３部分８１２ｃは、第２部分８１２ｂの他端と第４部分８１２ｄの一端とを接続する部分であって、例えばワイヤである。第４部分８１２ｄは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから辺７０ａｆまでＬ字状に延びている。第５部分８１２ｅは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｆから辺７０ａｄまでＬ字状に延びている。第５部分８１２ｅの一端は、辺７０ａｆにおいて第４部分８１２ｄの他端に接続されている。第５部分８１２ｅの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１１及び電極８１２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８１１ａ及び第１部分８１２ａの方向Ａに延びる部分、第２部分８１１ｂ及び第２部分８１２ｂ、第４部分８１１ｄ及び第４部分８１２ｄ、並びに、第５部分８１１ｅ及び第５部分８１２ｅは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
図５のモニタ部７においても、図４のモニタ部７と同様の効果が奏される。さらに、図５のモニタ部７では、電極８１１の第５部分８１１ｅ及び電極８１２の第５部分８１２ｅは、基体７０の上面７０ａに配置されている。このため、モニタ部７と外部回路との電気的接続を同一面（上面７０ａ）で行うことができ、ワイヤボンディングなどの作業効率の向上が可能となる。また、モニタ部７と外部回路との間の配線を簡素化することができるので、配線の占有スペースを低減することが可能となる。サブ基体７１上の部分と基体７０上の部分とのワイヤボンディングが基体７０の上面７０ａにおいて行われるように、電極８１１及び電極８１２は配置されてもよい。この場合、全てのワイヤボンディングが基体７０を同一面（上面７０ａ）で行うことができ、作業効率のさらなる向上が可能となる。
なお、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。また、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。さらに、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えるとともに、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。また、基体７０、サブ基体７１及びサブ基体７２は、別々に構成されているが、一体に構成されてもよい。
図６は、モニタ部７の他の構成例を概略的に示す斜視図である。図６に示されるように、モニタ部７は、受光素子５３（第３受光部）及び電極群８３（第３電極群）をさらに備える点、並びに、サブ基体７１及びサブ基体７２を備えていない点において、図４のモニタ部７と相違している。図６のモニタ部７は、光変調素子４がさらに放射光Ｒ３（第３出力光）を出力する場合に使用される。受光素子５３は、光信号を電気信号に変換するための素子であって、例えばフォトダイオードである。受光素子５３は、放射光Ｒ３を受光し、受光した放射光Ｒ３の強度に応じた電気信号Ｅ３（第３電気信号）を受光素子５３のアノード端子から出力する。
受光素子５１、受光素子５２及び受光素子５３は、基体７０の側面７０ｃに設けられており、受光素子５１、受光素子５２及び受光素子５３の順に方向Ａに沿って配列されている。受光素子５１、受光素子５２及び受光素子５３は、側面７０ｃにおいて、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１、放射光Ｒ２及び放射光Ｒ３を受光可能な位置にそれぞれ配置される。受光素子５１のアノード端子は、例えば下面７０ｂと側面７０ｃとの境界である辺７０ｂｃに向かって設けられている。受光素子５１のカソード端子は、例えば辺７０ｃｆに向かって設けられている。受光素子５２のアノード端子は、例えば側面７０ｃと側面７０ｅとの境界である辺７０ｃｅに向かって設けられている。受光素子５２のカソード端子は、例えば辺７０ｃｆに向かって設けられている。受光素子５３のアノード端子は、例えば辺７０ｂｃに向かって設けられている。受光素子５３のカソード端子は、例えば辺７０ｃｅに向かって設けられている。
電極８１１は、基体７０の側面７０ｃ及び側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８１１ａと、第２部分８１１ｂと、を有している。第１部分８１１ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５１のカソード端子から辺７０ｃｆまで延びている。第１部分８１１ａの一端は、受光素子５１のカソード端子に接続されている。第２部分８１１ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから辺７０ｄｆまで延びている。第２部分８１１ｂの一端は、辺７０ｃｆにおいて第１部分８１１ａの他端に接続されている。第２部分８１１ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１２は、基体７０の側面７０ｃ及び側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８１２ａと、第２部分８１２ｂと、を有している。第１部分８１２ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５１のアノード端子から辺７０ｃｆまでＬ字状に延びている。第１部分８１２ａの一端は、受光素子５１のアノード端子に接続されている。第２部分８１２ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ｃｆから辺７０ｄｆまで延びている。第２部分８１２ｂの一端は、辺７０ｃｆにおいて第１部分８１２ａの他端に接続されている。第２部分８１２ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１１及び電極８１２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８１１ａ及び第１部分８１２ａの方向Ａに延びる部分、並びに、第２部分８１１ｂ及び第２部分８１２ｂは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
電極８２１は、基体７０の側面７０ｃ及び上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８２１ａと、第２部分８２１ｂと、を有している。第１部分８２１ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５２のアノード端子から辺７０ａｃまでＬ字状に延びている。第１部分８２１ａの一端は、受光素子５２のアノード端子に接続されている。第２部分８２１ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第２部分８２１ｂの一端は、辺７０ａｃにおいて第１部分８２１ａの他端に接続されている。第２部分８２１ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８２２は、基体７０の側面７０ｃ及び上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８２２ａと、第２部分８２２ｂと、を有している。第１部分８２２ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５２のカソード端子から辺７０ａｃまでＬ字状に延びている。第１部分８２２ａの一端は、受光素子５２のカソード端子に接続されている。第２部分８２２ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第２部分８２２ｂの一端は、辺７０ａｃにおいて第１部分８２２ａの他端に接続されている。第２部分８２２ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８２１及び電極８２２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８２１ａの上下方向に延びる部分及び第１部分８２２ａの上下方向に延びる部分、並びに、第２部分８２１ｂ及び第２部分８２２ｂは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
電極群８３は、各々が受光素子５３に接続されている複数の電極の組である。電極群８３は、電極８３１と電極８３２とを備えている。電極８３１は、一端が受光素子５３のカソード端子に接続された電極である。電極８３１は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８３１の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８３１は、基体７０の側面７０ｃ及び側面７０ｅに亘って配置されており、第１部分８３１ａと、第２部分８３１ｂと、を有している。
第１部分８３１ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５３のカソード端子から辺７０ｃｅまで延びている。第１部分８３１ａの一端は、受光素子５３のカソード端子に接続されている。第２部分８３１ｂは、基体７０の側面７０ｅに設けられ、辺７０ｃｅから側面７０ｄと側面７０ｅとの境界である辺７０ｄｅまで延びている。第２部分８３１ｂの一端は、辺７０ｃｅにおいて第１部分８３１ａの他端に接続されている。第２部分８３１ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８３１は、外部回路から供給される一定の電圧を受光素子５３のカソード端子に供給する。
電極８３２は、一端が受光素子５３のアノード端子に接続された電極である。電極８３２は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８３２の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８３２は、基体７０の側面７０ｃ及び側面７０ｅに亘って配置されており、第１部分８３２ａと、第２部分８３２ｂと、を有している。第１部分８３２ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５３のアノード端子から辺７０ｃｅまでＬ字状に延びている。第１部分８３２ａの一端は、受光素子５３のアノード端子に接続されている。第２部分８３２ｂは、基体７０の側面７０ｅに設けられ、辺７０ｃｅから辺７０ｄｅまで延びている。第２部分８３２ｂの一端は、辺７０ｃｅにおいて第１部分８３２ａの他端に接続されている。第２部分８３２ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８３２は、受光素子５３のアノード端子から出力された電気信号Ｅ３を伝送し、ワイヤを介して外部回路に出力する。
電極８３１及び電極８３２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８３１ａ及び第１部分８３２ａの方向Ａに延びる部分、並びに、第２部分８３１ｂ及び第２部分８３２ｂは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
図６のモニタ部７では、電極８１１の第２部分８１１ｂ及び電極８１２の第２部分８１２ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、電極８２１の第２部分８２１ｂ及び電極８２２の第２部分８２２ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられ、電極８３１の第２部分８３１ｂ及び電極８３２の第２部分８３２ｂは、基体７０の側面７０ｅに設けられている。このように、電極群８１の一部と電極群８２の一部と電極群８３の一部とが互いに異なる面に配置されることにより、電極群８１と電極群８２と電極群８３とが同一面に配置される場合と比較して、基体７０を大きくすることなく電極群８１と電極群８２と電極群８３との互いの距離を大きくすることができる。その結果、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２と電極群８３との間のクロストークを低減することが可能となる。
また、図６のモニタ部７では、電極８１１及び電極８１２、電極８２１及び電極８２２、並びに、電極８３１及び電極８３２は、互いに並行に配置されている。この場合、受光素子の電極配線を並行化することで、不要な電界放射及び電極間の信号の結合を抑制することができる。このため、電極８１１、電極８１２、電極８２１、電極８２２、電極８３１及び電極８３２を伝搬する電気信号の高周波特性の劣化を低減することができる。
また、図６のモニタ部７では、受光素子５１、受光素子５２及び受光素子５３は、基体７０の同一面（側面７０ｃ）に設けられている。このため、受光素子５１、受光素子５２及び受光素子５３の実装作業を容易化することができる。また、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１、放射光Ｒ２及び放射光Ｒ３を受光するための光学的なアライメントを容易化することができる。
なお、受光素子５１のアノード端子及びカソード端子、受光素子５２のアノード端子及びカソード端子、並びに、受光素子５３のアノード端子及びカソード端子は、互いに入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１、電極群８２及び電極群８３の間のクロストークを低減することが可能となる。また、図５のモニタ部７と同様に、電極８１１の他端、電極８１２の他端、電極８２１の他端、電極８２２の他端、電極８３１の他端及び電極８３２の他端は、基体７０の同一面に配置されてもよい。この場合、モニタ部７と外部回路との電気的接続を同一面で行うことができ、ワイヤボンディングなどの作業効率の向上が可能となる。また、モニタ部７と外部回路との間の配線を簡素化することができるので、配線の占有スペースを低減することが可能となる。
図７は、モニタ部７の他の構成例を概略的に示す斜視図である。図７に示されるように、モニタ部７は、受光素子５４及び電極群８４をさらに備える点において、図６のモニタ部７と相違している。図７のモニタ部７は、光変調素子４がさらに放射光Ｒ４を出力する場合に使用される。受光素子５４は、光信号を電気信号に変換するための素子であって、例えばフォトダイオードである。受光素子５４は、基体７０の側面７０ｃに設けられている。受光素子５４は、側面７０ｃにおいて、光変調素子４から出力される放射光Ｒ４を受光可能な位置に配置される。受光素子５４は、放射光Ｒ４を受光し、受光した放射光Ｒ４の光強度に応じた電気信号Ｅ４をアノード端子から出力する。
受光素子５４は、例えば受光素子５２及び受光素子５３の間に配置され、受光素子５１、受光素子５２、受光素子５４及び受光素子５３の順に方向Ａに沿って配列されている。受光素子５４のアノード端子は、例えば辺７０ｃｆに向かって設けられている。受光素子５４のカソード端子は、例えば辺７０ｃｅに向かって設けられている。
電極群８４は、各々が受光素子５４に接続されている複数の電極の組である。電極群８４は、電極８４１と電極８４２とを備えている。電極８４１は、一端が受光素子５４のカソード端子に接続された電極である。電極８４１は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８４１の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８４１は、基体７０の側面７０ｃ及び上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８４１ａと、第２部分８４１ｂと、を有している。
第１部分８４１ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５４のカソード端子から辺７０ａｃまでＬ字状に延びている。第１部分８４１ａの一端は、受光素子５４のカソード端子に接続されている。第２部分８４１ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第２部分８４１ｂの一端は、辺７０ａｃにおいて第１部分８４１ａの他端に接続されている。第２部分８４１ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８４１は、外部回路から供給される一定の電圧を受光素子５４のカソード端子に供給する。
電極８４２は、一端が受光素子５４のアノード端子に接続された電極である。電極８４２は、例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属材料から構成されている。電極８４２の幅は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。電極８４２は、基体７０の側面７０ｃ及び上面７０ａに亘って配置されており、第１部分８４２ａと、第２部分８４２ｂと、を有している。
第１部分８４２ａは、基体７０の側面７０ｃに設けられ、受光素子５４のアノード端子から辺７０ａｃまでＬ字状に延びている。第１部分８４２ａの一端は、受光素子５４のアノード端子に接続されている。第２部分８４２ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられ、辺７０ａｃから辺７０ａｄまで延びている。第２部分８４２ｂの一端は、辺７０ａｃにおいて第１部分８４２ａの他端に接続されている。第２部分８４２ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。このように構成された電極８４２は、受光素子５４のアノード端子から出力された電気信号Ｅ４を伝送し、ワイヤを介して外部回路に出力する。
電極８４１及び電極８４２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８４１ａの上下方向に延びる部分及び第１部分８４２ａの上下方向に延びる部分、並びに、第２部分８４１ｂ及び第２部分８４２ｂは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
図７のモニタ部７においても、図６のモニタ部７と同様の効果が奏される。さらに、図７のモニタ部７では、電極８４１の第２部分８４１ｂ及び電極８４２の第２部分８４２ｂは、基体７０の上面７０ａに設けられている。このように、電極群８１の一部と、電極群８３の一部と、電極群８４の一部と、が互いに異なる面に配置されることにより、電極群８１と電極群８３と電極群８４とが同一面に配置される場合と比較して、基体７０を大きくすることなく電極群８１、電極群８３及び電極群８４の互いの距離を大きくすることができる。さらに、電極８２１の第２部分８２１ｂ、電極８２２の第２部分８２２ｂ、電極８４１の第２部分８４１ｂ及び電極８４２の第２部分８４２ｂは、同一面（上面７０ａ）に配置されているが、電極８１１の第２部分８１１ｂ及び電極８１２の第２部分８１２ｂが側面７０ｆに配置され、電極８３１の第２部分８３１ｂ及び電極８３２の第２部分８３２ｂが側面７０ｅに配置されていることにより、電極群８２と電極群８４との距離を大きくすることができる。その結果、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２と電極群８３と電極群８４との間のクロストークを低減することが可能となる。
なお、受光素子５１のアノード端子及びカソード端子、受光素子５２のアノード端子及びカソード端子、受光素子５３のアノード端子及びカソード端子、並びに、受光素子５４のアノード端子及びカソード端子は、互いに入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１、電極群８２、電極群８３及び電極群８４の間のクロストークを低減することが可能となる。また、図５のモニタ部７と同様に、電極８１１の他端、電極８１２の他端、電極８２１の他端、電極８２２の他端、電極８３１の他端、電極８３２の他端、電極８４１の他端及び電極８４２の他端は、基体７０の同一面に配置されてもよい。この場合、モニタ部７と外部回路との電気的接続を同一面で行うことができ、ワイヤボンディングなどの作業効率の向上が可能となる。また、モニタ部７と外部回路との間の配線を簡素化することができるので、配線の占有スペースを低減することが可能となる。さらに、電極群８１の一部、電極群８２の一部、電極群８３の一部及び電極群８４の一部を、基体７０の互いに異なる面に配置してもよい。
図８は、モニタ部７の他の構成例を概略的に示す斜視図である。図８に示されるように、モニタ部７は、受光素子５３及び電極群８３を備えていない点、並びに、各電極に沿って設けられた接地電極８５をさらに備える点において、図６のモニタ部７と相違している。
図８のモニタ部７では、電極８１１、電極８１２、電極８２１及び電極８２２に沿って、各電極の両側に接地電極８５が配置されている。すなわち、接地電極８５は、受光素子５１、受光素子５２、電極群８１及び電極群８２に対して離間して設けられており、モニタ部７の表面のうち、受光素子５１，５２及び電極群８１，８２が搭載されていない部分を覆っている。
図８のモニタ部７においても、図６のモニタ部７と同様の効果が奏される。さらに、図８のモニタ部７では、各電極の間に接地電極８５が配置されている。このため、一方の電極群から他方の電極群に向かう電気力線の一部を接地電極８５に向かわせることができる。それぞれ隣り合う電極間の電磁界の重なりが小さくなり、その結果、電極群８１と電極群８２との間のクロストークをさらに低減することが可能となる。
なお、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。また、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。さらに、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えるとともに、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。また、図５のモニタ部７と同様に、電極８１１の他端、電極８１２の他端、電極８２１の他端及び電極８２２の他端は、基体７０の同一面に配置されてもよい。この場合、モニタ部７と外部回路との電気的接続を同一面で行うことができ、ワイヤボンディングなどの作業効率の向上が可能となる。また、モニタ部７と外部回路との間の配線を簡素化することができるので、配線の占有スペースを低減することが可能となる。
（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。図９に示されるように、光デバイス１Ａは、光変調素子４の変調方式がＤＰ−ＱＰＳＫ方式である点、補助部材６１に代えてフィルタ６２を備える点、偏波合成部９を備える点において、第１実施形態の光デバイス１と相違している。
光変調素子４は、変調光Ｌ１及び変調光Ｌ２を出力する。変調光Ｌ１は、Ｙ偏波を有する信号光である。変調光Ｌ１は、導波路４２ｂを伝搬し、光変調素子４の他端部４１ｂから方向Ａに出力される。変調光Ｌ２は、Ｘ偏波を有する信号光である。変調光Ｌ２は、導波路４２ｃを伝搬し、光変調素子４の他端部４１ｂから方向Ａに出力される。
フィルタ６２は、入射光を所定の割合で反射し、残りを透過する。フィルタ６２は、面６２ａを有しており、面６２ａが光変調素子４の他端部４１ｂに対向し、かつ、変調光Ｌ１及び変調光Ｌ２の光路に対して例えば４５°程度傾斜するように配置される。フィルタ６２は、変調光Ｌ１を入射し、変調光Ｌ１の一部を反射して反射光Ｌｒ１（第１出力光）としてモニタ部７の受光素子５１に向かって出力し、変調光Ｌ１の残りの部分を透過して透過光Ｌｔ１として偏波合成部９に出力する。フィルタ６２は、変調光Ｌ２を入射し、変調光Ｌ２の一部を反射して反射光Ｌｒ２（第２出力光）としてモニタ部７の受光素子５２に向かって出力し、変調光Ｌ２の残りの部分を透過して透過光Ｌｔ２として偏波合成部９に出力する。なお、ここではフィルタ６２の傾斜角度は４５°として説明したが、必要に応じて４５°以外の角度としてもよい。
偏波合成部９は、光変調素子４から出力される複数の変調光を合成する。偏波合成部９は、入射光の偏波方向に応じて光路を変える素子であって、例えばルチル、ＹＶＯ４などの複屈折結晶から構成されている。偏波合成部９は、フィルタ６２を透過した透過光Ｌｔ１及び透過光Ｌｔ２を合成し、合成した光Ｌを光ファイバＦ２に出力する。また、偏波合成部９は、偏波ビームスプリッタ（Polarization Beam Splitter：ＰＢＳ）を用いたものであってもよい。
モニタ部７は、フィルタ６２から出力される反射光Ｌｒ１及び反射光Ｌｒ２の光強度をモニタする。モニタ部７は、反射光Ｌｒ１及び反射光Ｌｒ２を受光し、受光した反射光Ｌｒ１及び反射光Ｌｒ２の光強度に応じた電気信号を外部回路であるバイアス制御部（不図示）に出力する。このモニタ部７としては、上記第１実施形態において例示された配線デバイスが用いられ得る。
光デバイス１Ａにおいても、光デバイス１と同様の効果が奏される。なお、光デバイス１Ａは、図９の構成に限られない。偏波合成部９における透過光Ｌｔ１及び透過光Ｌｔ２の入射面の法線方向、並びに、偏波合成部９における光Ｌの出射面の法線方向を、透過光Ｌｔ１及び透過光Ｌｔ２の光軸に対して傾斜させてもよい。この場合、モニタ部７は、偏波合成部９の入射面または出射面で反射された透過光Ｌｔ１及び透過光Ｌｔ２の一部をモニタしてもよい。また、入射面または出射面に反射膜が設けられることにより、反射率を調整してもよい。このような構成によれば、別体のフィルタを用いることなく、より少ない部品構成でモニタを行うことができる。
（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る光デバイスの一部を概略的に示す拡大平面図である。図１１は、図１０の光デバイスの側面図である。図１０及び図１１に示されるように、光デバイス１Ｂは、補助部材６１に代えて補助部材６３を備える点、モニタ部７の配置において、第１実施形態の光デバイス１と相違している。
補助部材６３は、光ファイバＦ２を保持するとともに、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を下方向に反射するための部材である。補助部材６３は、方向Ｂに沿って延びる柱状の形状を呈しており、放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を透過する光学部材から構成されている。この光学部材としては、例えばＢＫ７、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、シリコン等が挙げられる。補助部材６３は、方向Ａに補助部材６３を貫通する貫通孔６３ａを有している。補助部材６３は、この貫通孔６３ａに光ファイバＦ２を挿通し、光導波路４２の出力導波路４２ｄを光ファイバＦ２に光結合するように、光ファイバＦ２を保持している。補助部材６３は、反射面６３ｂを有している。反射面６３ｂは、方向Ａに対して例えば４５°程度傾斜しており、光変調素子４から出力される放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を下方向に反射する。なお、補助部材６３は、貫通孔６３ａに代えてＶ字状の溝またはスリットを有してもよい。
補助部材６３の前端は基板４１の他端部４１ｂに固定されている。補助部材６３の前端は、例えば基板４１の他端部４１ｂに接着されている。基板４１の他端部４１ｂの上面には、補強部材６４が設けられてもよい。補強部材６４は、基板４１の他端部４１ｂと補助部材６３との接着を補強するための部材であって、基板４１の上面に固定されており、補助部材６３の前端が接着される。
図１２は、光デバイス１Ｂにおけるモニタ部７の一構成例を概略的に示す斜視図である。図１１及び図１２に示されるように、モニタ部７は、補助部材６３の下方に受光素子５１及び受光素子５２が位置するように、筐体１０に設置される。具体的に説明すると、光デバイス１Ｂのモニタ部７では、基体７０は、方向Ａに延びる四角柱状の形状を呈している。受光素子５１は、基体７０の上面７０ａの前方に設けられている。受光素子５１は、上面７０ａにおいて、補助部材６３によって反射される放射光Ｒ１を受光可能な位置に配置される。受光素子５１のアノード端子は、例えば上面７０ａと側面７０ｅとの境界である辺７０ａｅに向かって設けられている。受光素子５１のカソード端子は、例えば辺７０ａｄに向かって設けられている。受光素子５２は、基体７０の上面７０ａの前方に設けられている。受光素子５２は、上面７０ａにおいて、補助部材６３によって反射される放射光Ｒ２を受光可能な位置に配置される。受光素子５２のアノード端子は、例えば辺７０ａｆに向かって設けられている。受光素子５２のカソード端子は、例えば辺７０ａｄに向かって設けられている。受光素子５１及び受光素子５２は、その順に方向Ｂに沿って配列されている。
電極８１１は、基体７０の上面７０ａに配置されており、第１部分８１１ａを有している。第１部分８１１ａは、基体７０の上面７０ａに設けられ、受光素子５１のアノード端子から辺７０ａｄまでＬ字状に延びている。第１部分８１１ａの一端は、受光素子５１のアノード端子に接続されている。第１部分８１１ａの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。電極８１２は、基体７０の上面７０ａに配置されており、第１部分８１２ａを有している。第１部分８１２ａは、基体７０の上面７０ａに設けられ、受光素子５１のカソード端子から辺７０ａｄまで延びている。第１部分８１２ａの一端は、受光素子５１のカソード端子に接続されている。第１部分８１２ａの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８１１及び電極８１２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８１１ａの方向Ａに延びる部分及び第１部分８１２ａは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
電極８２１は、基体７０の上面７０ａ及び側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８２１ａと、第２部分８２１ｂと、を有している。第１部分８２１ａは、基体７０の上面７０ａに設けられ、受光素子５２のカソード端子から辺７０ａｆまでＬ字状に延びている。第１部分８２１ａの一端は、受光素子５２のカソード端子に接続されている。第２部分８２１ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ａｆから辺７０ｄｆまでＬ字状に延びている。第２部分８２１ｂの一端は、辺７０ａｆにおいて第１部分８２１ａの他端に接続されている。第２部分８２１ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８２２は、基体７０の上面７０ａ及び側面７０ｆに亘って配置されており、第１部分８２２ａと、第２部分８２２ｂと、を有している。第１部分８２２ａは、基体７０の上面７０ａに設けられ、受光素子５２のアノード端子から辺７０ａｆまで延びている。第１部分８２２ａの一端は、受光素子５２のアノード端子に接続されている。第２部分８２２ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられ、辺７０ａｆから辺７０ｄｆまでＬ字状に延びている。第２部分８２２ｂの一端は、辺７０ａｆにおいて第１部分８２２ａの他端に接続されている。第２部分８２２ｂの他端は、不図示のワイヤを介して外部回路に電気的に接続されている。
電極８２１及び電極８２２は、互いに並行に配置されている。具体的には、第１部分８２１ａの方向Ｂに延びる部分及び第１部分８２２ａ、並びに、第２部分８２１ｂ及び第２部分８２２ｂは、互いに並行に延びており、その間隔は例えば０．１５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
光デバイス１Ｂにおいても、光デバイス１と同様の効果が奏される。さらに、光デバイス１Ｂでは、モニタ部７が光ファイバＦ２の下に配置されるので、モニタ部７の設置面積をさらに低減できる。また、第１実施形態の光デバイス１のように、基板４１の側面方向（方向Ｂ）に反射させる構成と比較して、放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２同士の重なりを低減でき、モニタ精度の向上が可能となる。
図１２のモニタ部７では、電極８１１及び電極８１２は、基体７０の上面７０ａに設けられ、電極８２１の第２部分８２１ｂ及び電極８２２の第２部分８２２ｂは、基体７０の側面７０ｆに設けられている。このように、電極群８１と電極群８２の一部とが互いに異なる面に配置されることにより、電極群８１と電極群８２とが同一面に配置される場合と比較して、基体７０を大きくすることなく電極群８１と電極群８２との距離を大きくすることができる。その結果、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。
また、図１２のモニタ部７では、受光素子５１及び受光素子５２は、基体７０の同一面（上面７０ａ）に設けられている。このため、受光素子５１及び受光素子５２の実装作業を容易化することができる。また、補助部材６３によって反射される放射光Ｒ１及び放射光Ｒ２を受光するための光学的なアライメントを容易化することができる。
なお、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。また、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。さらに、受光素子５１のアノード端子とカソード端子とを入れ替えるとともに、受光素子５２のアノード端子とカソード端子とを入れ替えてもよい。これらの場合も同様に、モニタ部７の設置面積の増加を抑制するとともに、電極群８１と電極群８２との間のクロストークを低減することが可能となる。また、図５のモニタ部７と同様に、電極８１１の他端、電極８１２の他端、電極８２１の他端及び電極８２２の他端は、基体７０の同一面に配置されてもよい。この場合、モニタ部７と外部回路との電気的接続を同一面で行うことができ、ワイヤボンディングなどの作業効率の向上が可能となる。また、モニタ部７と外部回路との間の配線を簡素化することができるので、配線の占有スペースを低減することが可能となる。
なお、本発明に係る光デバイスは上記実施形態に限定されない。例えば、光デバイス１は、光変調器に限られず、変調光を受信する受信モジュールなどの他の光学デバイスであってもよい。また、光変調素子４は、複数の出力光を出力する光素子であればよい。
上記実施形態では、受光素子５１，５２，５３，５４のカソード端子に接続された電極は接地されていないので、電極群８１，８２，８３，８４の間のクロストークを低減している。受光素子５１，５２，５３，５４のカソード端子に接続された電極は、接地されてもよい。この場合には、受光素子５１，５２，５３，５４のアノード端子に接続された電極間でのクロストークを低減することが可能となる。
また、各電極群を構成する複数の電極は、互いに略等しい長さを有してもよい。この場合、各電極における信号の劣化を低減できる。また、各電極群を構成する複数の電極は、互いに平行に延びていてもよい。この場合、受光素子の電極配線を平行化することによって、不要な電界放射及び電極間の信号の結合をさらに抑制することができる。このため、電極群を構成する複数の電極を伝搬する電気信号の高周波特性の劣化をさらに低減することが可能となる。
基体７０は、四角柱に限られず、多面体であればよい。なお、基体７０、サブ基体７１及びサブ基体７２の寸法は、上記実施形態において説明した寸法に限定されない。基体７０、サブ基体７１及びサブ基体７２の寸法は、筐体１０の内部の寸法に応じて適宜決定されてもよい。
１，１Ａ，１Ｂ…光デバイス、４…光変調素子（光素子）、７…モニタ部、５１…受光素子（第１受光部）、５２…受光素子（第２受光部）、５３…受光素子（第３受光部）、７０…基体、７０ａ…上面、７０ｂ…下面、７０ｃ…側面、７０ｄ…側面、７０ｅ…側面、７０ｆ…側面、８１…電極群（第１電極群）、８２…電極群（第２電極群）、８３…電極群（第３電極群）、８５…接地電極、８１１…電極（第３電極）、８１２…電極（第１電極）、８２１…電極（第２電極）、Ｌｒ１…反射光（第１出力光）、Ｌｒ２…反射光（第２出力光）、Ｒ１…放射光（第１出力光）、Ｒ２…放射光（第２出力光）、Ｒ３…放射光（第３出力光）。

Claims (8)

  1. 第１出力光及び第２出力光を出力する光素子と、
    前記第１出力光を第１電気信号に変換する第１受光部と、
    前記第２出力光を第２電気信号に変換する第２受光部と、
    複数の面を有する基体と、
    前記基体上に設けられ、一端が前記第１受光部に接続された第１電極と、
    前記基体上に設けられ、一端が前記第２受光部に接続された第２電極と、
    を備え、
    前記第１電極の一部は、前記第２電極が配置される面とは異なる面に配置され、
    前記第１電極の他端及び前記第２電極の他端は、前記複数の面のうち同じ面に配置され、
    前記第１電極の他端及び前記第２電極の他端のそれぞれは、ワイヤを介して外部回路に接続されることを特徴とする光デバイス。
  2. 光ファイバを保持するとともに、前記光素子から出力される前記第１出力光及び前記第２出力光を下方向に反射する補助部材と、
    前記光素子、前記第１受光部、前記第２受光部、前記基体及び前記補助部材を収容する筐体と、
    をさらに備え、
    前記光素子は、前記光ファイバに光結合される光導波路を有し、
    前記第１受光部及び前記第２受光部は、前記補助部材の下方に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
  3. 前記第１電極を含み、各々が前記第１受光部に接続された第１電極群と、
    前記第２電極を含み、各々が前記第２受光部に接続された第２電極群と、
    をさらに備え、
    前記第１電極群の一部は、前記第２電極群が配置される面とは異なる面に配置されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光デバイス。
  4. 第３出力光を第３電気信号に変換する第３受光部と、
    各々が前記第３受光部に接続された第３電極群と、
    をさらに備え、
    前記光素子は、前記第３出力光をさらに出力し、
    前記第１電極群の一部と、前記第２電極群の一部と、前記第３電極群の一部とは互いに異なる面に配置されることを特徴とする請求項３に記載の光デバイス。
  5. 前記第１電極群は第３電極をさらに含み、
    前記第１電極の一部と前記第３電極の一部とは、互いに並行に配置されていることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の光デバイス。
  6. 前記第１受光部及び前記第２受光部は、前記基体の前記複数の面のうち同じ面に設けられることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の光デバイス。
  7. 前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた接地電極をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の光デバイス。
  8. 前記光素子は、光変調素子であり、
    前記光素子は、複数のマッハツェンダ部を備えることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の光デバイス。
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