JP2004103953A - レーザチップキャリアおよびレーザモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】レーザチップに接続されるボンディングワイヤを短縮する。
【解決手段】この発明のチップキャリア１２の上面１２ａには、レーザチップ１０とともにメタルブロック３０が搭載される。メタルブロックの斜面３０ａは、レーザチップ１０の上部電極の付近からチップキャリアの上面付近まで延在する。このため、上部電極とメタルブロック３０の一端を短いワイヤによってワイヤボンディングできる。メタルブロック３０の他端を配線部材２０の導体パターン２２とワイヤボンディングすれば、信号入力ピン２６を介して駆動電流信号をレーザチップに供給できる。ボンディングワイヤが短いので、駆動電流経路のインダクタンスを抑え、出力光信号の劣化を防止できる。
【選択図】　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザモジュール内でレーザチップを搭載するレーザチップキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザモジュールは、光通信用の光源として一般的に使用されている。レーザモジュールは、外部からの電気信号を光信号に変換して出力する。レーザモジュールは、半導体レーザチップを内蔵している。レーザモジュールは、外部から駆動電流信号を受け取る。この駆動電流信号がレーザチップに注入され、これによりレーザチップが発光する。レーザチップから発する光は、駆動電流信号に応じたパワーを有する。駆動電流信号が変調されていれば、レーザモジュールは、駆動電流信号と同じように変調された光信号を出力する（特許文献１および２参照）。
【０００３】
図７は、従来のレーザモジュール内に配置されたレーザチップを示す概略斜視図である。レーザチップ１０は、チップキャリア１２の上面に搭載されている。チップキャリア１２の上面には、導体パターン１２ｂおよび１２ｂが設けられている。レーザチップ１０の底面は、導体パターン１２ｂに接触している。レーザチップ１０の底面に設けられた電極は、導体パターン１２ｂに電気的に接続されている。一方、レーザチップ１０の上面に設けられた電極は、ワイヤ１４を介して導体パターン１２ｂにワイヤボンディングされている。
【０００４】
レーザモジュール内には、配線部材２０がチップキャリア１２に対向するようにして配置されている。配線部材２０の上面には、導体パターン２２ａおよび２２ｂが設けられている。これらの導体パターンは、レーザモジュールの外側へ延びる２本の信号入力ピン（図示せず）にそれぞれ電気的に接続されている。レーザモジュールは、これらの信号入力ピンを介して駆動電流信号を受け取る。導体パターン２２ａは、ワイヤ２４ａによって導体パターン１２ｂにワイヤボンディングされている。同様に、導体パターン２２ｂは、ワイヤ２４ｂによって導体パターン１２ｂにワイヤボンディングされている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２４０８７４号公報
【特許文献２】
特開２０００−９１６９５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図７に示されるように、レーザチップ１０の上面とチップキャリア１２の上面との間には、レーザチップ１０の厚みに相当する段差が生じている。この段差のために、レーザチップ１０の上面の電極と導体パターン１２ｂとを結ぶボンディングワイヤ１４が比較的長くなる。ボンディングワイヤ１４が長いと、レーザチップ１０の駆動電流経路のインダクタンスが大きくなる。このため、レーザモジュールに入力された駆動電流信号が劣化しやすく、それに応じて出力光信号も劣化しやすい。駆動電流信号の劣化は、その駆動電流信号が高周波信号のときに特に顕著である。
【０００７】
そこで、この発明は、レーザチップに接続されるボンディングワイヤを短縮することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明のチップキャリアは、その上面にレーザチップが搭載されている。このレーザチップの下面には、駆動電流を注入するための下部電極が設けられている。チップキャリアの上面には、導体パターンが設けられている。レーザチップの下部電極は、この導体パターンに電気的に接続されている。このレーザチップの上面には、駆動電流を注入するための上部電極が設けられている。このチップキャリアは、レーザチップの上部電極の付近からチップキャリアの上面付近まで延在する導電性部材を有している。この導電性部材は、チップキャリアの上面に対して傾斜した傾斜部を有している。レーザチップの上部電極は、この導電性部材にワイヤボンディングされている。
【０００９】
この発明のレーザモジュールは、（ａ）上記のチップキャリアと、（ｂ）このチップキャリアに対向し、その上面に第１および第２の導体パターンを有する配線部材と、（ｃ）このチップキャリアおよび配線部材を収容する筐体と、（ｄ）第１および第２の導体パターンにそれぞれ電気的に接続され、筐体の外側に延びる第１および第２の信号入力ピンとを備えている。配線部材の第１導体パターンは、チップキャリア上の導体パターンにワイヤボンディングされている。配線部材の第２導体パターンは、チップキャリアの導電性部材にワイヤボンディングされている。このレーザモジュール内において、配線部材の導体パターンと信号入力ピンとの間に電気回路が設けられていてもよい。この電気回路は、例えば、レーザチップの駆動電流信号の増幅回路である。
【００１０】
導電性部材の一部は、レーザチップの上部電極の付近に位置する。この部分と上部電極とは、短いワイヤを用いてワイヤボンディングできる。導電性部材は、チップキャリアの上面付近に位置する部分も含んでいる。この部分と配線部材の第２導体パターンとは、短いワイヤを用いてワイヤボンディングできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【００１２】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照しながら、第１の実施形態に係る半導体レーザモジュール１の構成を説明する。図１は、このレーザモジュール１の構成を示す部分破断斜視図である。図２は、レーザモジュール１の部分破断側面図である。図３は、レーザモジュール１に内蔵されたチップキャリア１２の構成を示す斜視図である。図１および図２では、レーザモジュール１の筐体８の上壁は図示されていない。
【００１３】
レーザモジュール１は、バタフライ型のモジュールである。レーザモジュール１の筐体８内には、チップキャリア１２が収容されている。チップキャリア１２は、絶縁性または半絶縁性である。チップキャリア１２は、直方体形状を有している。チップキャリア１２の上面は、筐体８の底面と実質的に平行である。チップキャリア１２は、搭載部材１６上に搭載されている。搭載部材１６は、ペルチェ素子１８の上に固定されている。ペルチェ素子１８は、筐体８の底面に固定されている。
【００１４】
チップキャリア１２の上面１２ａには、半導体レーザチップ１０およびメタルブロック３０が搭載されている。レーザチップ１０は、駆動電流を注入するための二つの電極、すなわち上部電極および下部電極（図示せず）を有している。上部電極は、レーザチップ１０の上面に設けられ、下部電極は、レーザチップ１０の底面に設けられている。チップキャリア１２の上面には、導体パターン１２ｂも設けられている。レーザチップ１０は、導体パターン１２ｂ上に設置されている。レーザチップ１０の下部電極は、導体パターン１２ｂに電気的に接続されている。導体パターン１２ｂは、レーザチップ１０からチップキャリア１２の一つのエッジまで延在している。
【００１５】
筐体８内には、２個の配線部材２０、２１がさらに収容されている。これらの配線部材２０、２１は、筐体８の互いに対向する二つの側壁にそれぞれ取り付けられている。配線部材２０、２１は、チップキャリア１２の両側方に配置されている。配線部材２０、２１の各上面の高さは、チップキャリア１２の上面１２ａの高さに実質的に等しい。配線部材２０、２１は、それぞれ絶縁体であるセラミックから構成されている。配線部材２０、２１の上面には、それぞれ複数の導体パターン２２が設けられている。各導体パターン２２には、信号入力ピン２６が接続されている。これらの信号入力ピン２６は、筐体８の側壁から外側に延びている。
【００１６】
一方の配線部材２０は、チップキャリア１２とワイヤボンディングされている。具体的には、チップキャリア１２上の導体パターン１２ｂと配線部材２０上の導体パターン２２ａが、ワイヤ２４ａによってワイヤボンディングされている。また、チップキャリア１２上のメタルブロック３０と配線部材２０上の導体パターン２２ｂが、ワイヤ２４ｂによってワイヤボンディングされている。
【００１７】
筐体８内には、レンズ４０も収容されている。レンズ４０は、レーザチップ１０の光出射面に対向させて配置されている。レンズ４０は、レーザチップ１０が発するレーザ光を集光する。筐体８の前壁には、フェルール４２が取り付けられている。フェルール４２は、光ファイバ（図示せず）を内蔵している。この光ファイバは、レンズ４０を介してレーザチップ１０に光学的に接続されている。レーザチップ１０からのレーザ光は、レンズ４０によって集光され、フェルール４２内の光ファイバに送られる。レーザ光は、この光ファイバによってレーザモジュール１の外部へ出力される。
【００１８】
この実施形態の特徴は、チップキャリア１２上にメタルブロック３０を設置したことにある。メタルブロック３０は、直角三角柱形状を有している。メタルブロック３０は、その斜面３０ａを上に向けて設置されている。斜面３０ａは、チップキャリア１２の上面１２ａに対して、一定の角度で傾斜している。斜面３０ａは、レーザチップ１０の上面の付近からチップキャリア１２の上面１２ａの付近まで延在している。メタルブロック３０は、互いに直交する二つの側面３０ｂおよび３０ｃを有している。側面３０ｂは、チップキャリア１２の上面１２ａに接している。側面３０ｃは、レーザチップ１０と対向している。斜面３０ａと側面３０ｂとが交差するエッジは、チップキャリア１２のエッジに位置合わせされている。上面１２ａに垂直な方向に沿ったメタルブロック３０の高さは、レーザチップ１０の高さとほぼ同じである。
【００１９】
ボンディングワイヤ１４は、レーザチップ１０の上部電極とメタルブロック３０の斜面３０ａとの間に接続されている。ボンディングワイヤ２４ｂは、配線部材２０の導体パターン２２ｂとメタルブロック３０の斜面３０ａとの間に接続されている。この結果、導体パターン２２ｂとレーザチップ１０の上部電極とが電気的に接続される。一方、レーザチップ１０の下部電極は、チップキャリア１２の導体パターン１２ｂに電気的に接続されており、導体パターン１２ｂは配線部材２０の導体パターン２２ａとワイヤボンディングされている。この結果、レーザチップ１０の下部電極は、導体パターン２２ａと電気的に接続されている。このようにして、導体パターン２２ａ、ワイヤ２４ａ、導体パターン１２ｂ、レーザチップ１０、ワイヤ１４、メタルブロック３０、ワイヤ２４ｂおよび導体パターン２２ｂからなる電流経路が形成される。なお、表皮効果により、大部分の電流は、メタルブロック３０のうち斜面３０ａを含む表層部を流れる。
【００２０】
導体パターン２２ａ、２２ｂには、それぞれ信号入力ピン２６ａ、２６ｂが接続されている。レーザモジュール１の動作時には、外部駆動回路が信号入力ピン２６ａおよび２６ｂに接続される。外部駆動回路は、レーザチップ１０の駆動電流を生成し、信号入力ピン２６ａおよび２６ｂの一方から他方に流す。この駆動電流は、上記の電流経路を流れて、レーザチップ１０に注入される　。これにより、レーザチップ１０はレーザ光を発する。
【００２１】
以下では、この実施形態の利点を説明する。図３と図７を比較すれば明らかなように、この実施形態のチップキャリア１２では、レーザチップ１０に接続されるボンディングワイヤ１４が従来技術に比べて短い。これは、レーザチップ１０の上面とチップキャリア１２の上面１２ａとの段差が、メタルブロック３０によって埋められているからである。メタルブロック３０の斜面３０ａは、レーザチップ１０の上部電極の高さから、配線部材２０の導体パターン２２ｂの高さまで傾斜している。したがって、ワイヤ１４および２４ｂは、それぞれ高さのほぼ等しい２点間に接続することができる。このため、ワイヤ１４およびワイヤ２４ｂを短縮できる。この結果、駆動電流経路のインダクタンスを抑え、出力光信号の劣化を防止できる。
【００２２】
また、ワイヤ１４とワイヤ２４ｂが導電性の斜面３０ａを介して接続されていることは、別の利点を生み出す。以下では、図３と図４を比較しながら、この利点を説明する。ここで、図４は、本実施形態のメタルブロック３０と異なる形状のメタルブロック５０が搭載されたチップキャリア１２を示す斜視図である。
【００２３】
図４に示されるメタルブロック５０は、直方体形状を有している。チップキャリア１２の上面１２ａには、導体パターン１２ｂに加えて、導体パターン１２ｃが設けられている。メタルブロック５０は、この導体パターン１２ｃ上に設置され、導体パターン１２ｃに電気的に接続されている。メタルブロック５０の上面５０ａは、レーザチップ１０の上部電極にワイヤ１４によってワイヤボンディングされている。導体パターン１２ｃは、配線部材２０の導体パターン２２ｂにワイヤ２４ｂによってワイヤボンディングされている。メタルブロック５０は、レーザチップ１０とほぼ同じ高さを有している。このため、ワイヤ１４の長さは短くて済む。
【００２４】
しかしながら、図４のメタルブロック５０を使用した場合、次のような問題が生じる。メタルブロック５０では、表皮効果により、レーザチップ１０の駆動電流信号の大部分は、上面５０ａおよび側面５０ｂを含む表層部を流れる。上面５０ａと側面５０ｂ、側面５０ｂと導体パターン１２ｃはそれぞれ直交しているので、駆動電流信号の経路も直角の折れ曲がりを持つ。このような急峻な折れ曲がりを有する経路に沿って駆動電流信号を流すと、駆動電流信号が劣化しやすく、それに応じて出力光信号も劣化しやすい。この劣化は、高周波信号において特に顕著である。つまり、駆動電流経路の急峻な折れ曲がりは、主にレーザモジュールの高周波性能を劣化させる。さらに、図４の例では、メタルブロック５０と導体パターン１２ｃとの間に急峻な電流経路の狭まりがある。このような電流経路の狭まりも、高周波性能を劣化させる。
【００２５】
これに対し、この実施形態のチップキャリア１２では、メタルブロック３０が斜面３０ａを有しており、この斜面３０ａに沿って駆動電流が流れるようになっている。このため、電流経路に急峻な折れ曲がりはない。したがって、高周波性能の劣化を防止できる。
【００２６】
さらに別の利点を説明する。この実施形態のチップキャリア１２は、製造が容易である。メタルブロック３０は、単純な構造の金属部品である。このため、安価かつ簡単に製造できる。また、メタルブロック３０は、レーザチップ１０をチップキャリア１２上に実装する工程において、レーザチップ１０と同様の方法により実装できる。メタルブロック３０の実装のために、特殊な設備を用意する必要はない。
【００２７】
（第２実施形態）
以下では、図５を参照しながら、この発明の第２の実施形態を説明する。図５は、この実施形態のチップキャリア１２の構成を示す斜視図である。第２実施形態では、第１実施形態のメタルブロック３０と異なる形状のメタルブロック３１がチップキャリア１２上に搭載されている。他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００２８】
図５に示されるように、メタルブロック３１は、多角柱形状を有している。メタルブロック３０と同様に、メタルブロック３１は、導電性の斜面３１ａを有している。斜面３１ａは、チップキャリア１２の上面１２ａに対して一定の角度で傾斜している。斜面３１ａは、レーザチップ１０の上面付近からチップキャリア１２の上面１２ａの付近まで延在している。メタルブロック３１は、斜面３１ａを上向きにして、チップキャリア１２の上面１２ａ上に設置されている。
【００２９】
第１実施形態との相違点は、メタルブロック３１の斜面３１ａの両側に水平面３１ｄおよび３１ｅが設けられていることである。水平面３１ｄおよび３１ｅは、チップキャリア１２の上面１２ａと実質的に平行である。水平面３１ｄは、レーザチップ１０の上面に近い高さを有している。水平面３１ｅは、配線部材２０の導体パターン２２ｂに近い高さを有している。斜面３１ａは、水平面３１ｄおよび３１ｅに挟まれている。水平面３１ｄは、ワイヤ１４によってレーザチップ１０の上部電極にワイヤボンディングされている。水平面３１ｅは、ワイヤ２４ｂによって配線部材２０の導体パターン２２ｂにワイヤボンディングされている。レーザチップ１０の駆動電流は、斜面３１ａならびに水平面３１ｄおよび３１ｅに沿って流れる。
【００３０】
以下では、この実施形態の利点を説明する。この実施形態のチップキャリアは、第１実施形態のチップキャリアと同じ効果を奏する。つまり、メタルブロック３１がレーザチップ１０の上面とチップキャリア１２の上面１２ａとの段差を埋めるので、ボンディングワイヤ１４を短縮できる。これにより、出力光信号の劣化を抑えられる。また、電流経路に急峻な折れ曲がりがないので、高周波性能の劣化を抑えられる。メタルブロック３１は単純な構造の金属部品なので、この実施形態のチップキャリアは製造が容易である。
【００３１】
この実施形態のチップキャリアは、さらに別の利点を有する。すなわち、この実施形態では、チップキャリア１２をレーザチップ１０および配線部材２０にワイヤボンディングしやすい。これは、水平面３１ｄおよび３１ｅにボンディングワイヤ１４および２４ｂがそれぞれ接合されるからである。斜面および水平面間よりも水平面同士間の方が、ボンディングワイヤを結線しやすい。ボンディング作業が容易になれば、それに応じて、チップキャリアおよびレーザモジュールの生産性も高まる。
【００３２】
（第３実施形態）
以下では、図６を参照しながら、この発明の第３の実施形態を説明する。図６は、この実施形態のチップキャリア１２の構成を示す斜視図である。第３実施形態では、上記のメタルブロック３０および３１と異なる構造のブロック３２がチップキャリア１２上に搭載されている。他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００３３】
ブロック３２は、第１実施形態のメタルブロック３０と同様に、三角柱形状を有している。しかし、ブロック３２は、その全体が金属から構成されているのではない。ブロック３２は、三角柱形状のセラミック基体３２ａと、その基体３２ａの斜面全体を覆う導体パターン３２ｂから構成されている。導体パターン３２ｂの上面は、チップキャリア１２の上面１２ａに対して一定の角度で傾斜している。ブロック３２は、導体パターン３２ｂを上向きにして、チップキャリア１２の上面１２ａ上に設置されている。上面１２ａに垂直な方向に沿ったブロック３２の高さは、レーザチップ１０の高さとほぼ同じである。
【００３４】
導体パターン３２ｂは、ワイヤ１４によってレーザチップ１０の上部電極にワイヤボンディングされている。また、導体パターン３２ｂは、ワイヤ２４ｂによって配線部材２０の導体パターン２２ｂにワイヤボンディングされている。このため、レーザチップ１０の駆動電流は、導体パターン３２ｂを流れることになる。
【００３５】
この実施形態のチップキャリアは、第１実施形態のチップキャリアと同じ効果を奏する。つまり、ブロック３２がレーザチップ１０の上面とチップキャリア１２の上面１２ａとの段差を埋めるので、ボンディングワイヤ１４の長さを短縮できる。これにより、出力光信号の劣化を抑えられる。また、電流経路に急峻な折れ曲りがないので、高周波性能の劣化を抑えられる。
【００３６】
この実施形態は、さらに別の利点を有する。ブロック３２は、セラミック基体３２ａの表面に導体パターン３２ｂを設けた構成を有するので、導体パターン３２ｂに工夫を加える余地があり、応用範囲が広い。例えば、導体パターン３２ｂ中に抵抗を設けてインピーダンスマッチングを達成することができる。
【００３７】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００３８】
上記実施形態では、配線部材２０、２１の導体パターン２２と信号入力ピン２６とが直接接続されている。しかしながら、導体パターン２２と信号入力ピン２６とは、電気回路を介して電気的に接続されていてもよい。この電気回路は、例えば、レーザチップ１０の駆動電流信号を増幅する回路であってもよい。
【００３９】
【発明の効果】
この発明のチップキャリアは、レーザチップの上部電極の付近からチップキャリアの上面付近まで延在する導電性部材を有している。このため、上部電極と導電性部材とを短いワイヤによってワイヤボンディングすることにより、駆動電流経路を形成できる。したがって、この発明のチップキャリアを備えるレーザモジュールは、劣化の少ない光信号を出力でき、高周波性能にも優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態のレーザモジュールの構成を示す部分破断斜視図である。
【図２】第１実施形態のレーザモジュールの構成を示す部分破断側面図である。
【図３】第１実施形態のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【図４】比較例のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【図５】第２実施形態のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【図６】第３実施形態のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【図７】従来技術のチップキャリアの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…レーザモジュール、８…筐体、１０…レーザチップ、１２…チップキャリア、１２ｂおよび１２ｃ…導体パターン、１４、２４ａおよび２４ｂ…ボンディングワイヤ、１６…搭載部材、１８…温度調節手段としてのペルチェ素子、２０および２１…配線部材２０…導体パターン、２６…信号入力ピン、３０〜３２および５０…配線用ブロック、３２ｂ…傾斜導体パターン、４０…レンズ、４２…フェルール。

Claims (8)

1. その上面にレーザチップが搭載されたチップキャリアであって、
   前記レーザチップの下面には、駆動電流を注入するための下部電極が設けられており、
   前記チップキャリアの上面には、導体パターンが設けられており、
   前記レーザチップの下部電極は、前記導体パターンに電気的に接続されており、
   前記レーザチップの上面には、駆動電流を注入するための上部電極が設けられており、
   前記チップキャリアは、前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップキャリアの上面付近まで延在する導電性部材を有しており、
   前記導電性部材は、前記チップキャリアの上面に対して傾斜した傾斜部を有しており、
   前記レーザチップの上部電極は、前記導電性部材にワイヤボンディングされている
   チップキャリア。
2. 前記導電性部材は、前記レーザチップの上部電極とほぼ等しい高さの部分を含んでおり、この部分と前記レーザチップの上部電極とがワイヤボンディングされている
   請求項１記載のチップキャリア。
3. 前記導電性部材は、導電性の多角形ブロックであり、
   前記ブロックは、前記チップキャリアの上面に対して傾斜した斜面を有しており、
   前記ブロックの前記斜面は、前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップキャリアの上面付近まで延在している
   請求項１記載のチップキャリア。
4. 前記導電性部材は、前記傾斜部を挟む両端部を有しており、
   前記両端部は、前記チップキャリアの上面と実質的に平行に延在しており、
   前記両端部の一方は、前記レーザチップの上部電極とワイヤボンディングされている
   請求項１記載のチップキャリア。
5. 前記導電性部材は、導電性の多角形ブロックであり、
   前記ブロックは、前記チップキャリアの上面と接する第１の側面と、前記チップキャリアの上面から離間した第２の側面とを有し、
   前記ブロックの第２側面は、前記チップキャリアの上面と実質的に平行な両端部と、これらの両端部に挟まれ、前記チップキャリアの上面に対して傾斜した斜面と、を有し、
   前記ブロックの前記斜面は、前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップキャリアの上面付近まで延在しており、
   前記両端部の一方は、前記レーザチップの上部電極とワイヤボンディングされている
   請求項１記載のチップキャリア。
6. 前記チップキャリアの上面に設置された多角形基体をさらに備える請求項１記載のチップキャリアであって、
   前記導電性部材は、前記多角形基体の一側面上に設けられた導体パターンである
   請求項１記載のチップキャリア。
7. その上面にレーザチップが搭載されたチップキャリアと、
   前記チップキャリアに対向し、その上面に第１および第２の導体パターンを有する配線部材と、
   前記チップキャリアおよび前記配線部材を収容する筐体と、
   前記第１および第２の導体パターンにそれぞれ電気的に接続され、前記筐体の外側に延びる第１および第２の信号入力ピンと、
   を備えるレーザモジュールであって、
   前記レーザチップの下面には、駆動電流を注入するための下部電極が設けられており、
   前記チップキャリアの上面には、第３の導体パターンが設けられており、
   前記レーザチップの下部電極は、前記第３導体パターンに電気的に接続されており、
   前記レーザチップの上面には、駆動電流を注入するための上部電極が設けられており、
   前記チップキャリアは、前記レーザチップの上部電極の付近から前記チップキャリアの上面付近まで延在する導電性部材を有しており、
   前記導電性部材は、前記チップキャリアの上面に対して傾斜した傾斜部を有しており、
   前記レーザチップの上部電極は、前記導電性部材にワイヤボンディングされており、
   前記配線部材の第１導体パターンは、前記チップキャリアの第３導体パターンにワイヤボンディングされており、
   前記配線部材の第２導体パターンは、前記チップキャリアの導電性部材にワイヤボンディングされている
   レーザモジュール。
8. 前記導電性部材は、前記傾斜部を挟む両端部を有しており、
   前記両端部は、前記チップキャリアの上面と実質的に平行に延在しており、
   前記両端部の一方は、前記レーザチップの上部電極とワイヤボンディングされており、
   前記両端部の他方は、前記配線部材の第２導体パターンとワイヤボンディングされている
   請求項７記載のレーザモジュール。

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