KR100331073B1 - 반도체패키지 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체패키지 구조에 관한 것이다.
종래의 반도체패키지는 리드프레임의 구조가 단수(단층)의 리드열을 갖는 구조로서 입출력 신호선의 처리에 한계가 있어 고밀도의 반도체패키지를 제공할 수 없다는 문제점이 있었다.
본발명에서는 리드의 다단구조를 실현할 경우 이와 같은 문제점을 해결할 수 있다는 점에 착안하여 새로운 형태의 리드프레임 구조를 갖는 반도체캐키지를 발명하게 된 것으로, 본 발명에서는 리드프레임(1)에 형성되는 리드를 다단으로 형성하되 상,하층의 리드열(2′)(2)에 위치하는 리드(20′)(20)가 지그재그형으로 배치되도록 하여 많은 수의 와이어(40)를 실장할 수 있도록 한 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체캐키지의 고밀도화를 실현하면서도 상대적으로 그 크기를 소형화할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
Description
본 발명은 반도체패키지 구조에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 리드프레임에 형성되는 리드의 구성을 2단의 지그재그형 구조로 개량하여 좁은 공간에 리드의 수가 배가되도록 한 반도체패키지 구조에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체패키지를 제조함에 있어서는 반도체칩(30)을 탑재하기 위한 탑재판(10)과 신호의 입출력을 전달하기 위한 많은 수의 리드(20)를 구비한 리드프레임(1)을 거의 필수적으로 사용하고 있다.
그런데, 한정된 크기의 리드프레임(1)에 반도체칩(30)과 대응하는 리드(20)를 만드다는 것은 기계장치의 구조적 한계로 인하여 인접한 리드(20)와 리드(20)간의 간격(피치)을 좁히는데 어느 정도 한계가 있는 것이며, 또한 리드(20)의 폭을 가늘게 만드는데도 와이어(40) 본딩을 위한 유효면적을 확보해야 하는 등의 난제를 해결해야 하는 어려움이 있는 것이다.
따라서, 종래에는 도2의 예시에서 보는 바와 같이 인접하는 리드(20)와 리드(20) 간의 간격을 최대한으로 좁히는데 그친 이른바 단층구조의 리드구성을 사용하는데 만족해야만 했었다.
그러나, 상기와 같은 반도체패키지의 구조는 입출력 신호선의 처리에 한계가 있어 고밀도의 반도체패키지를 제공할 수 없었으며, 더욱이 크기가 작고 두께가 얇은 고성능의 반도체패키지를 제조하는데에는 리드가 단층으로 구성된 리드프레임을 사용할 수가 없었다.
이에, 본 발명에서는 리드의 다단구조를 실현할 경우 이와 같은 문제점을 해결할 수 있다는 점에 착안하여 새로운 형태의 반도체캐키지를 발명하게 된 것으로써, 본 발명의 목적은 리드프레임에 형성되는 리드를 다단으로 형성하되 상하층에 위치하는 리드가 지그재그형으로 배치되도록 하여 리드 간의 전기적인 단락없이 많은 수의 와이어를 실장할 수 있도록 함으로써 반도체캐키지의 고밀도화를 실현하고 상대적으로 그 크기를 소형화 할 수 있도록 한 것이다.
도 1은 종래 일반 반도체패키지 구성도
도 2는 종래 반도체패키지의 제조과정에 있어서 리드프레임에 탑재된 반도체칩과 리드프레임에 형성된 리드를 와이어로 연결한 상태를 보인 예시도(부분도)
도 3은 본 발명의 반도체패키지 구성도
도 4는 본 발명에 적용되는 리드프레임 구조를 보인 것으로, 리드프레임에 탑재된 반도체칩과 리드프레임에 형성된 리드를 와이어로 연결한 상태를 보인 예시도(부분도)
도 5는 도 3의 입체적 구성도
도 6은 본 발명의 다른 실시예
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1 ; 리드프레임 2, 2′ ; 리드열
3 ; 절연수단 10 ; 탑재판
20, 20′ ; 리드 30 ; 반도체칩
30a ; 범프(단자) 40 ; 와이어
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체패키지 구조는 다음과 같은 특징을 제공한다.
반도체칩(30)을 탑재하기 위한 탑재판(10)과 신호의 입출력을 전달하기 위한 많은 수의 리드(20)를 포함하는 리드열(2)을 구비한 리드프레임(1)을 사용하여 반도체패키지를 구성함에 있어서,
상기 리드프레임(1)에 형성된 리드열(2)을 다단(복수)으로 구성하며,
상기 상,하단의 리드열(2′)(2)을 구성하는 각각의 인접 리드(20)(20′)가 지그재그형으로 배치되고,
상기 상,하단의 리드열(2′)(2)은 절연수단(3)에 의해 전기적으로 차단된 구성을 갖도록 함을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 다단의 리드열(2)(2′)을 통해 많은 수의 와이어를 실장할 수 있어 반도체캐키지의 고밀도화를 실현하고 상대적으로 그 크기를 소형화 할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
(실시예)
이하, 본 발명을 첨부된 예시도면을 통해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 반도체패키지 구성도를 보인 것이며, 도 4는 본 발명에 적용되는 리드프레임(1)의 구조를 보인 것으로, 리드프레임(1)에 탑재된 반도체칩(30)과 리드프레임(1)에 형성된 리드(20)(20′)를 와이어(40)로 연결한 상태를 보인 예시도(부분도)이고, 도 5는 도 3의 있어서 상,하단 리드열(2′)(2)의 구성을 입체적으로 도시한 것이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 반도체패키지에 적용되는 리드프레임(1)은 다단(복수)으로 구성되는 리드열(2)(2′)을 구비하고 있다.
상기 상,하단의 리드열(2′)(2)을 구성하는 각각의 인접 리드(20)(20′)는 지그재그형으로 배치된다. 즉 하단의 리드열(2)에 배열된 리드(20)와 리드(20)의 사이에 상단의 리드열(2′)을 구성하는 각각의 리드(20′)가 위치하게 됨으로써 상,하단 리드열(2′)(2)을 구성하는 인접 리드(20)(20′)는 상하고 지그재그형의 입체적인 배치형태를 이루게 되는 것이다.
그리고, 본 발명을 구성하는 리드프레임(1)에 있어서 지그재그형으로 배치되는 상단 리드열(2′)의 리드(20′)는 하단 리드열(2)의 리드(20) 길이보다 짧게 구성되어 있다. 따라서, 와이어(40)의 본딩시 상,하단의 리드열(2′)(2)에 연결되는 와이어간의 간섭(전기적인 단락 등)을 최대한 받지 않게 된다.
한편, 상기 상,하단의 리드열(2′)(2)은 절연수단(3)에 의해 전기적으로 차단된 상태로서, 상기 절연수단(3)은 종이와 같은 얇은 두께의 부재로 구성되는데 그 예로는 절연성의 테이프 또는 비전도성의 코팅부재가 사용될 수 있다.
이와 같은 구성으로 이루어지는 본 발명의 작용을 설명하면, 본 발명에서는 반도체칩(30)과 대응하는 리드의 구성이 하단 리드열(2)과 상단 리드열(2′)의 다단구성을 이룸과 동시에 인접하고 있는 리드(20)와 리드(20)의 사이간격(피치)에 상단 리드열(2′)을 구성하는 각각의 리드(20′)가 배치되는 상하 지그재그형의 배치형태를 취하고 있기 때문에, 많은 수(배가된)의 와이어(40)를 하단의 리드열(2)과 상단의 리드열(2′)에 지그재그형으로 연결을 할 수 있어 2배로 와이어(40)를 실장할 수 있는 것이며,
또한, 하단의 리드열(2)과 상단의 리드열(2′)에 와이어(40)를 연결함에 있어서도 상,하단 리드열(2′)(2)의 길이가 서로 다르고 배열된 높이가 달라 연결되는 와이어(40)끼리의 간격이 ½로 좁아진 상태이지만 인접 와이어간의 간섭(전기적인 단락 등)은 발생하지 않게 되는 것이다.
그리고, 와이어(40)가 연결되는 상,하단의 리드열(2′)(2) 사이에는 테이프 등의 얇은 두께로 구성되는 절연수단(3)이 매개되어 있어 부피를 증가시키지 않으면서 리드열(2)과 리드열(2′)을 전기적으로 완전하게 차단할 수 있는 것이다.
한편, 본 발명의 구조는 도 3의 예시와 같이 범프(30a)가 일열로 배열된 반도체칩(30)의 경우 및 도6의 예시와 같이 범프(30)가 2열로 배열된 반도체칩(30)의 경우에 모두 적용될 수 있는 것이다.
이와 같이, 본 발명에 의하면 다단의 리드열(2)(2′)을 통해 많은 수의 와이어(40)를 실장할 수 있어 반도체캐키지의 고밀도화를 실현하고 상대적으로 그 크기를 소형화 할 수 있는 효과를 제공하게 되는 것이다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 반도체패키지 구조를 설명하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것이며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정하지 않고 이하의 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
Claims (2)
- 반도체칩(30)을 탑재하기 위한 탑재판(10)과 신호의 입출력을 전달하기 위한 많은 수의 리드(20)를 포함하는 리드열(2)을 구비한 리드프레임(1)을 사용하는 반도체패키지를 구성함에 있어서,와이어(40)가 연결되는 리드열(2)을 다단(복수)으로 형성하며, 상기 상,하단의 리드열(2′)(2)을 구성하는 각각의 인접 리드(20)(20′)가 지그재그형으로 배치되고, 상기 상,하단의 리드열(2)(2′) 사이에는 리드열(2)(2′)을 전기적으로 차단하기 위한 절연수단(3)을 매개하여서 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체패키지 구조.
- 반도체패키지를 구성하는 리드프레임(1)을 구성함에 있어서,하단의 리드열(2)과 상단의 리드열(2′)을 구성하는 리드(20)(20′)가 지그재그형으로 배치되고, 상기 상,하단의 리드열(2)(2′) 사이에 절연수단(3)을 부착 구성함을 특징으로 하는 리드프레임 구조.
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