CN205882136U - 高频滤波器、高频双工器以及电子设备 - Google Patents

高频滤波器、高频双工器以及电子设备 Download PDF

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Abstract

扁平电缆型高频滤波器(10)包括在高频信号的传输方向伸长的电介质基材(20)。电介质基材(20)由电介质层(201、202)重叠而成的结构构成。长条状的导体图案(401、402)形成在电介质层(201)的电介质层(202)侧的平板面上。导体图案(401、402)相对于电介质基材(20)根据所期望的电感值形成尽可能宽的宽度。电容耦合用导体图案(410)包夹电介质层(202)，被形成为以规定面积与导体图案(402)相对。电容耦合用导体图案(410)利用连接导体(60)与导体图案(401)连接。

Description

高频滤波器、高频双工器以及电子设备
本申请是申请日为2014年1月15日的、申请号为“201490000402.5(PCT/JP2014/050494)”的、实用新型名称为“扁平电缆型高频滤波器、扁平电缆型高频双工器以及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本实用新型涉及具有频率选择功能的、构成为薄平膜状的扁平电缆型高频滤波器、扁平电缆型高频双工器以及具备该扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器的电子设备。
背景技术
以往，在移动终端等利用高频信号的电子设备中，具备高频滤波器，以从不需要的高频信号或高次谐波信号中选择需要频带的高频信号。
以往的高频滤波器由如专利文献1所示的结构构成。专利文献1记载的高频滤波器由多层层叠电介质层后烧结而成的安装型层叠体构成。构成高频滤波器的电感以及电容通过形成在该层叠体内的导体图案实现。
伴随着电子设备的小型化，像这样的由安装型层叠体构成的高频滤波器其安装区域越来越受到限制，随之就要求高频滤波器的小型化。此时，作为形成在层叠体内的电感以及电容的导体图案也要小型化、细线化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2002－57543号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
然而，如上述那样被小型化的安装型高频滤波器中，由于该小型化，电感和电容的元件特性发生恶化。例如，在电感中，由于细线化使ESR(等效串联电阻)变大。在电容中，由于用来构成高频滤波器的复杂的布线图案使ESL(等效串联电感)变大。由此，高频滤波器的Q值发生劣化，损耗增大。
另外，在多个安装基板的电路间连接高频滤波器的情况下，在上述的以往的安装型高频滤波器中，采用以下任一种结构。将高频滤波器安装在一个安装基板上，由扁平电缆连接另一个安装基板。在两个安装基板间设置另外的中间安装基板，在该中间安装基板上安装高频滤波器等，由扁平电缆连接各个安装基板。
像这样的情况下，在各扁平电缆中发生传输损耗，在上述的高频滤波器中发生损耗同时，还进一步导致了传输损耗的增加。
另外，实现高频滤波器的安装型层叠体，由于需要一定水平以上的高度，因此在安装基板的安装面上需要与该层叠体的高度对应的空间。
由此，本实用新型的目的为实现具有低损耗的传输特性的、省空间的高频滤波器。
解决技术问题所采用的技术方案
该实用新型的扁平电缆型高频滤波器包括：电介质基材、多个导体图案以及电容耦合用导体图案。电介质基材由在高频信号的传输方向伸长的平膜状构成。多个导体图案形成在电介质基材上，为沿着电介质基材的伸长方向伸长的形状，通过在伸长方向的中段位置上使导体图案断开而构成。电容耦合用导体图案在多个导体图案间进行电容耦合。并且，该扁平电缆型高频滤波器中，利用多个导体图案形成电感，利用电容耦合用导体图案形成电容。
该结构中，利用在平膜状的电介质基材上形成的导体图案构成电感和电容的串联谐振电路，利用该LC串联谐振电路实现高频滤波器。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，电介质基材的介电损耗角正切值为0.005以下。
在该结构中，LC谐振电路即高频滤波器的Q值得到提高。由此，能进一步实现传输特性优良的扁平电缆型高频滤波器。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，电介质基材由液晶高分子构成。
该结构中，能在具有上述优良的介电损耗角正切值的同时，实现挠性优良的薄型电介质基材。
另外，优选地，在该实用新型的电介质基材中，未形成与接地电位连接的导体图案。
该结构中，由于不产生导体图案和接地之间的寄生电容，因此滤波器特性以及传输特性更加优良。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，包括平膜状的屏蔽导体图案，该平膜状的屏蔽导体图案相对于未形成电容的多个导体图案的平膜面，间隔规定距离相对。
该结构中，在电感的区域中，能抑制导体图案与外部间的电磁干扰，在电容的区域中，能高精度地实现所期望的电容量。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，屏蔽导体图案被设置在导体图案的两侧，以包夹导体图案。
该结构中，能进一步抑制外部干扰。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，沿着电介质基材的传输方向的与电容耦合用导体图案的形成区域不同的位置为弯折部。
在该结构中，即使在是将扁平电缆型高频滤波器弯折地进行设置的情况下，由于电容的形成部未弯折，因此电容量不发生变化，高频滤波器的特性不发生变化。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，电容耦合用导体图案也可由被设置成夹着构成电介质基材的电介质层与多个导体图案中的一个相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的所述一个导体图案的平板区域形成。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，电容耦合用导体图案也可由被设置成夹着构成电介质基材的电介质层与多个导体图案相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的多个导体图案的平板区域形成。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，多个导体图案分别形成在包夹构成电介质基材的电介质层的其它面上，电容耦合用导体图案也可利用多个导体图案夹着电介质层而相对的区域构成。
这些结构中，示出了电容形成部的具体的形状。该结构中，利用与电介质层的平膜面平行的相对面的面积以及电介质层的厚度，来设定电容量。由此，能实现比较大的电容量。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，与电容耦合用导体图案相对的导体图案在与传输方向垂直的方向上的宽度，和与电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。
该结构中，能使电感的ESR尽可能的小。由此，能进一步使高频滤波器的特性中通过特性以及传输特性提高。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，导体图案的宽度与电介质基材的宽度大致相同。
该结构中，在确保导体图案的耐环境性的同时，使ESR尽可能低。
另外，优选地，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，电容耦合用导体图案是一体形成在多个导体图案的相对的端部、沿着传输方向以规定距离相对的梳状导体。
该结构中，能实现由形成导体图案的层在一层上实现由具备电感和电容的LC串列谐振电路构成的高频滤波器。由此，能使扁平电缆型高频滤波器进一步形成薄型。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，也可为以下结构。导体图案由相互有一端连接的第一部分导体图案和第二部分导体图案构成。第一部分导体图案比第二部分导体图案宽，为沿着传输方向的直线状。第二部分导体图案为环状。利用第一部分导体图案构成电容，利用第二部分导体图案构成电感。
像这样的结构中，能利用扁平电缆实现具有所期望的特性的高频滤波器。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频滤波器中，第一部分导体图案以及第二部分导体图案形成在构成电介质基材的多层上。
该结构中，能使电感的ESR降低，能使电容的电容量更大。
另外，该实用新型的扁平电缆型高频双工器的特征在于，包括：带通滤波器，该带通滤波器具有上述的扁平电缆型高频滤波器的结构；以及带阻滤波器，该带阻滤波器由形成在电介质基材上的其它导体图案构成。
该结构中，能以薄型形成传输特性优良的双工器。
该实用新型的电子设备，其特征在于，包括：上述任一项所记载的扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器；以及多个安装电路基板，多个安装电路基板通过扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器连接。
该结构中，即使在多个安装电路构件之间连接高频滤波器或高频双工器的方式中，也能使整体小型化，能在得到作为高频滤波器或高频双工器的传输特性的同时，抑制多个安装电路构件之间的传输损耗。
另外，该实用新型的电子设备中，扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器相对于多个安装电路基板中的各基板隔开规定的空隙而设置。
该结构中，能抑制各安装电路基板与扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器之间的电磁干扰。
实用新型效果
根据本实用新型，能实现具有节省空间的形状并具有低损耗的传输特性的高频滤波器。
附图说明
图1是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的外观立体图。
图2是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。
图3是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解平面图。
图4是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图5是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路以及滤波器特性图。
图6是表示本实用新型的第1实施方式涉及的移动电子设备的器件结构的侧面剖面图以及平面剖面图。
图7是表示扁平电缆型高频滤波器的弯曲部的形成方法的部分侧面图。
图8是本实用新型的第2实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解平面图。
图9是本实用新型的第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图10是本实用新型的第4实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图11是本实用新型的第5实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图12是本实用新型的第6实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图13是本实用新型的第7实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图14是本实用新型的第7实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。
图15是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的外观立体图。
图16是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。
图17是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
图18是表示本实用新型的第8实施方式涉及的天线连接部的结构的框图。
图19是表示本实用新型的第8实施方式涉及的天线连接部的结构的侧面图。
图20是本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。
图21是本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。
图22是表示本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的传输特性的图表。图22(A)表示通过特性，图22(B)表示反射特性。
图23是本实用新型的第10实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。
图24是本实用新型的第11实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。
图25是本实用新型的实施方式涉及的通信设备模块的框图。
图26是表示本实用新型的实施方式涉及的通信设备模块的简要结构的侧面图。
图27是本实用新型的第12实施方式涉及的扁平电缆型高频双工器的分解立体图。
具体实施方式
参照附图，对本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图1是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的外观立体图。图2是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。图3是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解平面图。图4是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
如图1所示，扁平电缆型高频滤波器10(在下文中只要没有特别必要都简称为“高频滤波器10”)包括：电介质基材20、保护层30、以及外部连接用导体511、512。在电介质基材20的一个主面上设置外部连接用导体511、512。另外，在该电介质基材20的一个主面上设置具有绝缘性的保护层30。保护层30以露出外部连接用导体511、512、覆盖下文所述的电容耦合用导体图案410的方式设置。
电介质基材20由沿着高频信号的传输方向伸长的长条状平膜构成，具有规定的厚度。将该伸长的方向作为长度方向，与该长度方向以及厚度方向垂直的方向作为宽度方向。
如图2、图3、图4所示，电介质基材20由将平膜状(例如厚度为25μm～50μm)的电介质层201、202沿着厚度方向重叠而成的结构构成。电介质基材20(电介质层201、202)将介电损耗角正切值(tanδ)较低的电介质作为材料。更优选地，电介质基材20(电介质层201、202)由介电损耗角正切值小于0.005的材料形成。具体而言，可将液晶高分子作为材料。
在电介质层201的电介质层202侧的平板面上形成导体图案401、402。导体图案401、402由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10μm～20μm的铜箔。
导体图案401、402由长条状构成。导体图案401、402的长度方向与电介质基材20的长度方向一致。导体图案401是从电介质层201的一端附近伸长至长度方向的中段为止的形状。导体图案402是从电介质层201的另一端附近伸长至长度方向的中段为止的形状。导体图案401、402相互间未连接。在导体图案401、402的相互相对侧的端部之间形成间隙400。确定导体图案401、402的长度(沿着长度方向的长度)，以使得高频滤波器10的电感实现所期望的电感值。
导体图案401、402的宽度优选地尽可能接近电介质基材20的宽度，换言之，导体图案401、402相对于电介质基材20在可形成的范围中优选地尽可能较宽，但为了使得高频滤波器10的电感实现所期望的电感值，适当设定即可。例如，导体图案401、402的宽度优选地为电介质基材20的宽度的80％以上，特别是可以为90％左右。即，导体图案401、402的宽度与电介质基材的宽度20大致相同较好。该结构中，在确保导体图案的耐环境性的同时，使ESR尽可能低。
在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面上形成电容耦合用导体图案410。电容耦合用导体图案410也由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10μm～20μm的铜箔。电容耦合用导体图案410由长方形构成。电容耦合用导体图案410隔着电介质层202，与夹着间隙400而相对的导体图案401、402的端部附近的区域相对。这时，确定电容耦合用导体图案410和导体图案402的相互相对的面积，以使得高频滤波器10的电容实现所期望的电容值。
电容耦合用导体图案410和导体图案401，以可形成连接导体60的面积相对，连接导体60由贯通电介质层202的导电性过孔构成。并且，电容耦合用导体图案410经由连接导体60与导体图案401连接。
在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面的一端形成外部连接用导体511。外部连接用导体511大致为长方形。外部连接用导体511由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。本实施方式中采用厚度为10μm～20μm的铜箔。外部连接用导体511经由贯通电介质层202的连接导体60，连接在导体图案401中与导体图案402相反侧的端部附近。
在电介质层202中与电介质层201相反侧的平板面的另一端形成外部连接用导体512。外部连接用导体512为大致长方形。外部连接用导体512由导电性高的材料构成，例如将铜(Cu)作为材料。外部连接用导体512经由贯通电介质层202的连接导体60，连接在导体图案402中与导体图案401相反侧的端部附近。
通过像这样的结构，从外部连接用导体511输入的高频信号经由导体图案401传输至电容耦合用导体图案410。传输的高频信号利用电容耦合用导体图案410与导体图案402的电容耦合，传输至导体图案402，从外部连接用导体512输出。
进一步地，像这样的结构中，导体图案401以及导体图案402作为电感发挥作用，电容耦合用导体图案410以及导体图案402隔着电介质层202相对的部分作为电容发挥作用。图5(A)是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。如图5(A)所示，通过上述的结构，在外部连接用导体511、512之间，实现以电感、电容、电感的顺序串联连接的LC串联谐振电路。这时，如上文所述，通过适当设定导体图案401、402的形状以及电容耦合用导体图案410的形状，能使各电感的电感值以及电容的电容量确定为期望值。由此，能实现将规定的频带作为通频带，将该频带之外的频带作为衰减带的滤波器。
进一步地，通过采用本实施方式的结构，能使作为电感发挥作用的导体图案401、402形成为比以往的安装型层叠体上形成的电感的导体图案更宽的宽度，能降低电感的等效串联电阻ESR。由此，能使高频滤波器的Q值提高，抑制传输损耗。
另外，同时，能使电容耦合用导体图案410和导体图案402的相对面积变大，在扁平电缆型高频滤波器10的外形形状的范围内，能实现较大的电容量。由此，作为高频滤波器能使所需的电容量的实现范围变宽。因此，容易实现所期望的高频滤波器的特性。
进一步地，通过采用本实施方式的结构，不需要像以往的安装型层叠体那样连接电感和电容的引出导体。由此，不产生连接电容的不需要的电感成分，能进一步提高高频滤波器的Q值，能进一步抑制传输损耗。
进一步地，如本实施方式所示，通过将介电损耗角正切值(tanδ)极小的材质(具体为例如tanδ≦0.005的材料)用于电介质基材，能进一步提高高频滤波器的Q值，能进一步抑制传输损耗。特别是，通过使电介质基材为液晶高分子，能在得到上述特性的同时，实现具有高挠性的高频滤波器。
进一步地，本实施方式的结构中不使用接地导体。通过像这样的结构，能防止导体图案401、402、电容耦合用导体图案410与地线耦合。由此，不产生寄生电容，能实现所期望的Q值，能以更高精度实现滤波器特性优良的高频滤波器。
图5(B)是本实用新型的第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的滤波器特性图。另外，图5(B)是S11、S21的模拟结果。表示假设利用Wi-Fi，将从2.4GHz附近到5.0GHz附近的频带作为通频带，将比这低的频带(例如700MHz频带)作为截止频带，构成导体图案401、402，电容耦合用导体图案410的情况。
如图5(B)所示，通过本实施方式的结构，能使所期望的2.4GHz附近到5.0GHz附近的频带的高频信号低损耗地通过，能使该通频带外的高频信号衰减。特别是，能使低于通频带的低频带的高频信号大幅衰减。
如上文那样，通过采用本实施方式的结构，能使传输损耗低、具有优良滤波器特性的高频滤波器以薄型并且节省空间的方式实现。
另外，本实施方式中，电容耦合用导体图案410的宽度WC和导体图案401、402的宽度WL相同。然而，大致相同也可。像这样的结构中，能将作为电感发挥作用的导体图案401、402的宽度设定得较宽。由此，能使电感的ESR较低，能使高频滤波器的Q值较高。电容耦合用导体图案410的宽度WC与导体图案401、402的宽度WL的比优选地例如为1.0≧WL/WC≧0.8。
上述结构构成的扁平电缆型高频滤波器10能用于下文所述的移动型电子设备。图6(A)是表示本实用新型的第1实施方式涉及的移动电子设备的构件结构的侧面剖面图，图6(B)是说明该移动电子设备的构件结构的平面剖面图。
电子设备1包括薄型的设备壳体2。在设备壳体2内，设置作为电路要素的安装电路基板3A、3B(相当于本实用新型的“安装电路构件”)。在安装电路基板3A、3B的表面上安装多个IC芯片5以及安装构件6。安装电路基板3A、3B设置在设备壳体2上，使得俯视设备壳体2的情况下两者相邻。安装电路基板3B形成得比安装电路基板3A厚。例如，在安装电路基板3B中多功能地形成内装电路，而在安装电路基板3A中内装电路比较简单等情况下，形成上述的厚度关系。
由于设备壳体2尽可能地形成薄型，因此设备壳体2的厚度方向中，安装电路基板3B和设备壳体2的间隔极窄。由此，无法为了连接安装电路基板3A、3B而设置同轴电缆。
然而，通过将本实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10设置成该扁平电缆型高频滤波器10的厚度方向与设备壳体2的厚度方向一致，能使扁平电缆型高频滤波器10通过安装电路基板3A、3B与设备壳体2之间。
进一步地，需要在连接安装电路基板3A和安装电路基板3B的传输路径上插入高频滤波器的情况下，通过采用本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10，与另外准备作为传输线路的扁平电缆和高频滤波器的情况相比，也能实现省空间化。另外，与用层叠体的安装构件实现相比，能薄型地形成高频滤波器。
另外，即使在安装电路基板3A、3B的厚度不同的情况下，由于本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10具有挠性，因此通过使扁平电缆型高频滤波器10弯曲或弯折地进行设置，能使扁平电缆型高频滤波器高效地设置在设备壳体2内。由此，能实现扁平电缆型高频滤波器的设置的省空间化。
这时，弯曲位置为除去电容的形成区域、即电容耦合用导体图案410的形成区域以外的位置。由此，能防止由弯曲产生的电容量变化，能实现所期望的滤波器特性。
进一步地，这时，通过适当设定具有挠性的电介质基材20的电介质层201、202的厚度，以及具有规定刚性的导体图案401、402以及电容耦合用导体图案420的厚度，能保持弯曲的形状。具体而言，例如，使电介质层的厚度为25μm～50μm，使导体图案以及电容耦合用导体图案的厚度为电介质层的一半左右为好。
通过像这样的结构，如图6所示，能使扁平电缆型高频滤波器10与安装电路基板3A、3B相互隔开(不接触)而设置。由此，能抑制扁平电缆型高频滤波器10和安装电路基板3A、3B之间的电磁干扰，能使安装电路基板3A、3B之间的传输特性以及高频滤波器特性得到提高。特别是，若间隔100μm以上，则能得到充分的电磁干扰抑制效果。
像这样弯曲的形状能以如图7所示的制法形成。图7是表示扁平电缆型高频滤波器的弯曲部的形成方法的部分侧面图。图7(A)是表示扁平电缆型高频滤波器和弯曲形成夹具的图，图7(B)是表示形成弯曲后的扁平电缆型高频滤波器的图。
如图7(A)所示，扁平电缆型高频滤波器10被第一夹具901和第二夹具902包夹，第一夹具901具有沿着厚度方向的阶差911，第二夹具902具有沿着厚度方向的阶差912。这时，使第一夹具901以及第二夹具902 包夹扁平电缆型高频滤波器10，以使得阶差911、912从两面抵住并咬合扁平电缆型高频滤波器10，并根据需要加热。由此，能使扁平电缆型高频滤波器10在长度方向的规定位置处弯曲。
这时，在阶差911、912的边缘部进行倒角处理，剖视时呈R倒角的形状。利用像这样的结构，能在不使扁平电缆型高频滤波器10受损伤的情况下，形成弯曲部Be10。
接着，参照附图，对本实用新型的第2实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图8是本实用新型的第2实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解平面图。本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10A与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10的不同之处仅在于电容耦合用导体图案410W的形状。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
扁平电缆型高频滤波器10A的电容耦合用导体图案410W的宽度WCA比导体图案401、402的宽度WL宽。这样的结构也能实现LC串联谐振电路，能得到与第1实施方式相同的作用效果。另外，电容耦合用导体图案410W的宽度WC与导体图案401、402的宽度WL的比优选地例如为1.0≧WL/WC≧0.8。
进一步地，通过采用本实施方式的结构，电介质层201、202层叠时，即使电介质层201、202的位置关系在宽度方向上发生偏移，在宽度的差分范围内，相对面积也没有变化。由此，能更容易地制造实现所期望的电容量的扁平电缆型高频滤波器10A。另外，能使产品间的特性偏差减小。
接着，参照附图，对本实用新型的第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图9是本实用新型的第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10B中，电容耦合用导体图案410B的形状以及电容耦合用导体图案410B和导体图案401的关系与第1实施方式相关联的扁平电缆型高频滤波器10不同。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
形成电容耦合用导体图案410B，使得以规定面积与导体图案401相对。并且，导体图案401与电容耦合用导体图案410B不经由连接导体60连接。换言之，导体图案401和电容耦合用导体图案410B包夹电介质层，仅仅只是相互相对。
通过像这样的结构，能实现以电感、电容、电容、电感的顺序串联连接的LC串联谐振电路。由此，通过适当设定电容耦合用导体图案410B与导体图案401、402的相互相对的面积，能实现所期望的电容量。由此，能得到与第1实施方式同样的作用效果。
进一步地，通过采用本实施方式的结构，即使沿着长度方向的电介质层201、202的层叠位置发生偏移，若电容耦合用导体图案410B与导体图案401的相对面积增加则电容耦合用导体图案410B与导体图案402的相对面积减少，若电容耦合用导体图案410B与导体图案401的相对面积减少则电容耦合用导体图案410B与导体图案402的相对面积增加。由此，能抑制由于层叠位置偏移而引起的电容量变化。由此，能更可靠地制造实现所期望的电容量的扁平电缆型高频滤波器10B。另外，能使产品间的特性偏差减小。
接着，参照附图，对第4实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图10是本实用新型的第4实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10C与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10的不同点仅在于导体图案401C的形状。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
导体图案401C形成在电介质层202的与电介质层201相反侧的面上。导体图案401C的长度方向的一端与外部连接用导体511连接。导体图案401C的另一端附近的规定区域与导体图案402以规定面积方向相对。
这样的结构中也能得到与上述第1实施方式相同的作用效果。进一步地，本实施方式的结构中，由于导体图案401C在同一平面与外部连接用导体511连接，因此能降低连接导体的形成数。由此，能使扁平电缆型高频滤波器10C的结构更简化，能提高可靠性。
接着，参照附图，对第5实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图11是本实用新型的第5实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10D由与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10相同的材质构成，但电介质基材以及导体图案的结构不同。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
电介质基材20D由单层的电介质构成。在电介质基材20D的一个平板面上形成导体图案401D、402D。导体图案401D、402D排列形成在电介质基材20D的长度方向上。
在电介质基材20D的长度方向的一端形成外部连接用导体511，在电介质基材20D的长度方向的另一端形成外部连接用导体512。导体图案401D连接外部连接用导体511，导体图案402D连接外部连接用导体512。
在导体图案401D的与导体图案402D接近的端部(与外部连接用导体511相反侧的端部)附近形成梳状的电容耦合用导体图案411D。在导体图案402D的与导体图案401D接近的端部(与外部连接用导体512相反侧的端部)附近形成梳状的电容耦合用导体图案412D。
设置电容耦合用导体图案411D、412D，使得在沿着长度方向伸长的、相互的导体指在宽度方向隔开规定间隔的状态下，沿着长度方向遍在规定长度上相互相对。利用像这样的结构，能在单层的电介质基材20D的平板面上形成电容。
这样的结构也能得到与上述第1实施方式相同的作用效果。进一步地，本实施方式的结构中，由于采用单层电介质基材20D，能使扁平电缆型高频滤波器10D的结构更简化、薄型化，能提高可靠性。
接着，参照附图，对第6实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图12是本实用新型的第6实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10E由对于第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10C进一步追加屏蔽导体711、712、721、722的结构构成。由此，仅对与第3实施方式相关联的扁平电缆型高频滤波器10C不同的地方具体进行说明。
电介质基材20E由电介质层201、202、211、212层叠形成。设置电介质层211、212包夹电介质层201、202。电介质层211与电介质层201抵接，电介质层212与电介质层202抵接。
在电介质层201的电介质层202侧的平板面上，形成导体图案402E、电容耦合用导体图案412E。在电介质层202的电介质层212侧的平板面上，形成导体图案401E、电容耦合用导体图案411E。
电容耦合用导体图案411E、412E包夹电介质层202而相对。
电介质层212的与电介质层202相反侧的平板面上，形成屏蔽导体711、712，外部连接用导体511、512。外部连接用导体511利用连接导体60连接导体图案401E。外部连接用导体512利用连接导体60连接导体图案402E。
电介质层211的与电介质层201相反侧的平板面上，形成屏蔽导体721、722。
从厚度方向观察时，屏蔽导体711、721被设置成与导体图案401E重叠，与电容耦合用导体图案411E、412E不重叠。从厚度方向观察时，屏蔽导体712、722被设置成与导体图案402E重叠，与电容耦合用导体图案411E、412E不重叠。
通过像这样的结构，能防止导体图案401E、402E与外部电路发生电磁干扰。进一步地，能够抑制由电容耦合用导体图案411E、412E形成的电容的电容量由于屏蔽导体711、712、721、722而发生变化。由此，能进一步实现传输特性、滤波器特性优良的扁平电缆型高频滤波器。
另外，屏蔽导体只要形成在上述四处的至少其中一处，就至少能得到本实施方式特有的作用效果。
另外，屏蔽导体可以为图12所示的实心导体，也可为网格状导体。
接着，参照附图，对第7实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图13是本实用新型的第7实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10F中，导体图案的结构与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10不同。由此，仅对不同的地方进行具体说明。
在电介质层201的电介质层202侧的平板面上，形成电容耦合用导体图案410F、411F。在电介质层202的与电介质层201侧相反侧的平板面上形成导体图案401F、402F、403F。导体图案401F、402F、403F排列形成在电介质层202的长度方向上。
导体图案401F的一端与外部连接用导体511连接。导体图案401F的另一端利用连接导体60与电容耦合用导体图案410F连接。
导体图案403F的一端与外部连接用导体512连接。导体图案403F的另一端利用连接导体60与电容耦合用导体图案411F连接。
导体图案402F的一端附近的规定区域以规定面积与电容耦合用导体图案410F相对。导体图案402F的另一端附近的规定区域以规定面积与电容耦合用导体图案411F相对。
像这样的结构中，导体图案402F作为电感发挥作用。电容耦合用导体图案410F、411F和导体图案402F隔着电介质层202相对的部分作为电容发挥作用。图14是本实用新型的第7实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。如图14所示，通过上述的结构，在外部连接用导体511、512之间，实现以电容、电感、电容的顺序串联连接的LC串联谐振电路。这时，如上文所述，通过适当设定导体图案402F的形状以及电容耦合用导体图案410F、411F的形状，能使电感的电感值以及各电容的电容量确定为期望值。由此,能实现将规定的频带作为通频带，该频带以外的频带作为衰减带的带通滤波器。
另外，由于扁平电缆型高频滤波器10F具有挠性，因此能将扁平电缆型高频滤波器10F弯曲或弯折地进行设置。这时，弯曲位置为除去电容的形成区域、即电容耦合用导体图案410F、411F的形成区域以外的位置。由此，能防止由弯曲引起的电容量变化，能实现所期望的滤波器特性。
接着，参照附图，对第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图15是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的外观立体图。图16是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。图17是本实用新型的第8实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解侧面图。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10G中，外部连接用导体512G的位置与第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10C不同。由此，仅对与第3实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10C不同的地方具体进行说明。
电介质基材20由电介质层201、202、211层叠形成。设置电介质层202、211包夹电介质层201。电介质层211抵接电介质层201。
在电介质层211的与电介质层201侧相反侧的平板面上形成外部连接用导体512G。外部连接用导体512G利用连接导体60连接导体图案402。
设置保护层301、302包夹电介质基材20。保护层301被设置成露出外部连接用导体512G。保护层302被设置成露出外部连接用导体511，覆盖导体图案401C。
连接器611形成在扁平电缆型高频滤波器10G的一个主面上，与外部连接用导体511连接。连接器612形成在扁平电缆型高频滤波器10G的另一个主面上，与外部连接用导体512G连接。
导体图案401C和导体图案402相对的区域，即电容的形成区域被形成在连接器612的附近。
上述结构构成的扁平电缆型高频滤波器10G例如能用于下文所示的天线连接部。图18是表示本实用新型的第8实施方式涉及的天线连接部的结构的框图。图19是表示本实用新型的第8实施方式涉及的天线连接部的结构的侧面图。
如图18(A)所示，扁平电缆型高频滤波器10G连接在天线52和供电电路51之间。天线52和扁平电缆型高频滤波器10G的连接点接地。
另外，天线连接部也可为图18(B)所示的结构。在图18(B)中，扁平电缆型高频滤波器10G连接在天线52和地线之间。供电电路51连接在天线52和扁平电缆型高频滤波器10G的连接点。
如图19所示，供电电路51包括安装基板3、IC芯片5以及安装器件6。在安装基板3的表面上安装多个IC芯片5以及安装器件6。天线52设置在远离安装基板3的位置上。
扁平电缆型高频滤波器10G的连接器611连接天线52，连接器612连接供电电路51。即，扁平电缆型高频滤波器10G涉及的电容的形成区域设置在远离天线52的位置上。
天线52的设置位置为电容的形成区域附近的情况下，Q值可能会变差，该结构中，由于电容的形成区域与天线52隔开一定距离，因此能抑制天线特性的劣化。另外，扁平电缆型高频滤波器10G中，与电容的形成区域相比更靠近天线52一侧的部分为线状导体，因此能使该部分作为天线的一部分发挥作用。
进一步地，如上文所述，扁平电缆型高频滤波器10G的弯曲位置为除去电容的形成区域以外的位置。由此，能防止由弯曲引起的电容量变化，能实现所期望的滤波器特性。另外，若使该弯曲位置尽可能靠近电容的形成区域，则能使与天线共用的部分变长。另外，通过调整该弯曲位置，能调整天线的阻抗。
进一步地，连接器611形成在扁平电缆型高频滤波器10G的一个主面上。连接器612形成在与形成连接器611的主面相反侧的主面上。由此，不需要仅为了连接连接器而折返扁平电缆型高频滤波器10G。因此，即使天线52和安装基板3的间隔极窄，也能使扁平电缆型高频滤波器10G通过天线52和安装基板3之间。
进一步地，在类似于IC芯片5或安装器件6上设置天线52的情况下，通过使扁平电缆型高频滤波器10G弯曲或弯折，也能在天线52和安装基板3之间设置扁平电缆型高频滤波器10G。
接着，参照附图，对本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图20是本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。另外，在图20中省略保护层以及连接器的图示。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10H与第1实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10同样地，包括在电介质基材20H的一个主面侧与外部电路连接的结构。另外，本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10H的各结构要素与上述各实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器的各结构要素相同。由此，仅对本实施方式中特征之处进行具体说明。
扁平电缆型高频滤波器10H包括平板状的电介质基材20H。电介质基材20H由电介质层201H、202H、203H、204H依次层叠形成。
在电介质层201H的与电介质层202H侧相反侧的主面(电介质基材20H的一个主面)上，形成导体图案401H1、403H1。导体图案401H1包括第一部分导体图案401H11和第二部分导体图案401H12。
第一部分导体图案401H11和导体图案403H1沿着电介质层201H的长度方向隔开间隔设置。第一部分导体图案401H11和导体图案403H1宽度大致相同，比第二部分导体401H12形成更宽的宽度。功能性地进行表述的话，就是以形成下文所述的电容所需要的宽度来形成。
第二部分导体图案401H12沿着电介质层201H的宽度方向与第一部分导体图案401H11相邻设置。第二部分导体图案401H12为环状的导体图案。环状的导体图案为将圈状的一部分切断而形成的形状。
第一部分导体图案401H11的电介质层201H的一端侧端部与第二部分导体图案401H12的一端(外周侧端部)在电介质层201H的一个端部附近连接。该第一部分导体图案401H11和第二部分导体图案401H12与形成在电介质层201H的一端附近的引出导体图案441连接。
导体图案403H1的电介质层201H的另一端侧端部与形成在电介质层201H的另一端附近的引出导体图案442连接。
在电介质层202H的电介质层201H侧的主面上，形成导体图案401H2和电容耦合用导体图案410H1。导体图案401H2包括第一部分导体图案401H21和第二部分导体图案401H22。
第一部分导体图案401H21为矩形，隔着电介质层201H与第一部分导体图案401H11的一部分相对。第一部分导体图案401H21利用在厚度方向贯通电介质层201H的连接导体60，连接第一部分导体图案401H11。
第二部分导体图案401H22沿着电介质层202H的宽度方向与第一部分导体图案401H21相邻设置。第二部分导体图案401H22为环状的导体图案。第二部分导体图案401H22被形成为从垂直于主面的方向观察时，与第二部分导体图案401H12重叠。第二部分导体图案401H22的一端(外周侧端部)与第一部分导体图案401H21连接。第二部分导体图案401H22的另一端(内周侧端部)利用在厚度方向贯通电介质层201H的连接导体60，连接第二部分导体图案401H12的另一端(内周侧端部)。
电容耦合用导体图案410H1为矩形，隔着电介质层201H与第一部分导体图案401H11和导体图案403H1双方相对。电容耦合用导体图案410H1和第一部分导体图案401H11的相对部分成为电容C21H。电容耦合用导体图案410H1和导体图案403H1的相对部分成为电容C10H。
在电介质层203H的电介质层202H侧的主面上，形成电容耦合用导体图案410H2和导体图案402H1。导体图案402H1包括第一部分导体图案402H11和第二部分导体图案402H12。
电容耦合用导体图案410H2和第一部分导体图案402H11沿着电介质层203H的长度方向隔开间隔进行设置。电容耦合用导体图案410H2和第一部分导体图案402H11宽度大致相同。电容耦合用导体图案410H2利用在厚度方向贯通电介质层202H的连接导体60，连接第一部分导体图案401H21。
第一部分导体图案402H11为矩形，经由电介质层202H与电容耦合用导体图案410H1的一部分方向相对。第一部分导体图案402H11利用在厚度方向贯通电介质层202H的连接导体60，连接电容耦合用导体图案410H1。
第二部分导体图案402H12沿着电介质层203H的宽度方向与电容耦合用导体图案410H2相邻设置。第二部分导体图案402H12为环状的导体图案。第二部分导体图案402H12的一端(外周侧端部)与第一部分导体图案402H11连接。从与主面垂直的方向观察，第二部分导体图案402H12的另一端(内周侧端部)与第二部分导体图案401H22、401H12的另一端(内周侧端部)重叠。第二部分导体图案402H12的另一端(内周侧端部)利用在厚度方向贯通电介质层202H的连接导体60，连接第二部分导体图案401H22的另一端(内周侧端部)。
电容耦合用导体图案410H2为矩形，隔着电介质层202H与第一部分导体图案401H21和电容耦合用导体图案410H1相对。电容耦合用导体图案410H2利用在厚度方向贯通电介质层202H的连接导体60，连接第一部分导体图案401H21。电容耦合用导体图案410H1、410H2相对的部分成为电容C22H。
在电介质层204H的电介质层203H侧的主面上形成导体图案402H2。导体图案402H2包括第一部分导体图案402H21和第二部分导体图案402H22。
第一部分导体图案402H21为矩形，隔着电介质层203H与电容耦合用导体图案410H2的一部分、第一部分导体图案402H11相对。第一部分导体图案402H21利用在厚度方向贯通电介质层203H的连接导体60，连接第一部分导体图案402H11。第一部分导体图案402H21和电容耦合用导体图案410H2相对的部分成为电容C23H。
第二部分导体图案402H22为环状的导体图案。从垂直于主面的方向观察，第二部分导体图案402H22与第二部分导体图案402H12重叠。第二部分导体图案402H22的一端(外周侧端部)与第一部分导体图案402H21连接。第二部分导体图案402H22的另一端(内周侧端部)利用在厚度方向贯通电介质层203H的连接导体60，连接第二部分导体图案402H12的另一端(内周侧端部)。
并且，如上文所述，设置第二部分导体图案401H12、401H22、402H12、402H22，这些导体图案的内周侧端部由连接导体60连接，形成了以电介质基材20H的厚度方向为轴方向的螺旋状的电感L10H。
通过像这样的结构，本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10H能构成图12所示的电路。图21是本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的等效电路图。
电感L10H和电容C10H的串联电路连接在引出导体图案441、442之间。电容C21H、C22H、C23H并联连接在电感L10H。即，能构成同时具有LC串联谐振和LC并联谐振的滤波器电路。
通过具备像这样的电路结构，能得到如图22所示的传输特性。图22是表示本实用新型的第9实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的传输特性的图。图22(A)表示通过特性，图22(B)表示反射特性。本实施方式中，为了得到使频率f0的高频信号通过，使频率f1的高频信号衰减的特性，确定电感L10H以及电容C10H、C21H、C22H、C23H的元件值。即，为了达到该元件值，确定电介质基材10H以及各导体图案的形状。
通过采用本实施方式的结构，如图22(A)所示，能使希望通过的频率f0的高频信号低损耗地传输，如图22(B)所示，能使希望衰减的频率f1的高频信号大幅衰减。
这时，如图22所示，即使希望通过的频率f0和希望衰减的频率f1接近，也能使频率f0的高频信号低损耗地传输，使频率f1的高频信号大幅衰减。具体而言，频率f0是GPS信号的频率，约为1.575GHz，频率f1为通信频段的1.7GHz频带。像这样，频率差即使约为200MHz，也能使希望通过的频率f0(1.575GHz)的高频信号低损耗地传输，能使希望衰减的频率f1(1.7GHz频带)的频率信号大幅衰减。
像这样，通过采用本实施方式的结构，能构成在通频带的高频侧获得陡峭衰减的滤波器。
另外，本实施方式的结构中，使构成电感L10H的导体图案的相同部分以多层导体图案形成。由此，能降低电感L10H的ESR，进一步能实现低损耗以及陡峭的通过、衰减特性。
接着，参照附图，对本实用新型的第10实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图23是本实用新型的第10实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。另外，在图23中也省略保护层以及连接器的图示。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10I相对于第9实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10H，导体图案的部分结构不同，基本的其它结构相同。
扁平电缆型高频滤波器10I包括电介质层201I、202I、203I、204I层叠而成的电介质基材20I。电介质层201I、202I、203I的各导体图案的结构与第9实施方式所示的电介质层201H、202H、203H相同。
在电介质层204I的与电介质层203I侧相反侧的主面上形成导体图案402I2和引出导体443。以电介质层主面作为基准面，导体图案402I2与第9实施方式所示的导体图案402H2呈面对称。从垂直于电介质基材20I的主面的方向观察，引出导体443形成为与引出导体441重叠的形状。引出导体443利用贯通电介质层201I、202I、203I、204I、即贯通电介质基材20I的连接导体60，与引出导体441连接。引出导体443与外部连接导体或连接器连接，引出导体441不向外部露出。
这样的结构中也能得到与第9实施方式相同的作用效果。另外，通过采用本实施方式的结构，与第8实施方案同样地，扁平电缆型高频滤波器10I的一个外部连接部在一个主面侧，另一个外部连接部在另一个主面侧。由此，即使将应该连接的外部电路基板设置成在厚度方向包夹扁平电缆型高频滤波器10I，也能容易地连接这些外部电路基板。
接着，参照附图，对本实用新型的第11实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器进行说明。图24是本实用新型的第11实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器的分解立体图。另外，在图24中也省略保护层以及连接器的图示。
本实施方式的扁平电缆型高频滤波器10J相对于第10实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10I，将电介质层削减了两层，基本的其它结构相同。
扁平电缆型高频滤波器10J包括电介质层201J、204J层叠而成的电介质基材20J。电介质层201J、204J的各导体图案的结构与第10实施方式所示的电介质层201I、204I相同。另外，第一部分导体图案402J21兼做电容耦合用导体图案。
像这样的结构也能得到与第10实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10I相同的作用效果。但是，由于本实施方式涉及的扁平电缆型高频滤波器10J中，与电感并联连接的电容为一个，因此若能得到所期望传输特性，则也可采用该结构。并且，通过采用该结构，能减少电介质层的层数，能更薄地形成扁平电缆型高频滤波器10J。
实现带通滤波器的上述各实施方式所示的各扁平电缆型高频滤波器能适用于下文所述的通信设备模块。图25是本实用新型的实施方式涉及的通信设备模块的框图。图26是表示本实用新型的实施方式涉及的通信设备模块的简要结构的侧面图。另外，图25、图26表示采用第10实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10I的情形。
如图25所示，本实施方式的通信设备模块900包括：天线930、WiFi发送接收部931、蜂窝发送接收部932、GPS接收部933、带阻滤波器(BEF)921、以及带通滤波器(BPF)922。
天线930经由带阻滤波器921，与WiFi发送接收部931以及蜂窝发送接收部932连接。另外，天线930经由带通滤波器922与GPS接收部933连接。
WiFi发送接收部931例如发送接收利用了2.4GHz频带等频带的WiFi通信信号。蜂窝发送接收部932发送接收利用了900MHz频带等频带或1.7GHz频带、2.0GHz频带等频带的蜂窝通信信号。GPS接收部933接收1.5GHz附近的GPS信号。
带阻滤波器921使GPS信号的频带衰减，使WiFi通信信号以及蜂窝通信信号的频带通过。带通滤波器922使GPS信号的频带通过，使GPS信号频带以外的频带衰减。
该带通滤波器922采用上述的第10实施方式所示的扁平电缆型高频滤波器10I。通过采用该扁平电缆型高频滤波器10I，能以陡峭的衰减特性实现衰减带窄的带阻滤波器。由此，若将衰减极设定为GPS信号的频带，则能使GPS信号衰减，并且能使接近该GPS信号的频带的、其它的通信信号(例如蜂窝通信信号的1.7GHz频带)不衰减地进行传输。
像这样的电路结构的通信设备模块900由前端基板990、天线基板991以及扁平电缆型高频滤波器10I构成。在前端基板990的安装面上，安装实现上述WiFi发送接收部931、蜂窝发送接收部932、GPS接收部933等的电路器件。在天线基板991上形成天线930。天线基板911设置在前端基板990的安装面侧，与该前端基板990隔开一定距离。
如图26所示，安装在扁平电缆型高频滤波器10I的连接器611安装在天线基板991的前端基板990侧的面上。安装在扁平电缆型高频滤波器10I的连接器612连接在前端基板990的天线基板991侧的面(安装面)上。扁平电缆型高频滤波器10I由于具有挠性，因此能在伸长方向的中段形成弯曲部。像这样，通过形成弯曲部，扁平电缆型高频滤波器10I在被形成为不与电路器件接触的形状的状态下，能连接前端基板990和天线基板991。
并且，如上文所述，通过使扁平电缆型高频滤波器10I具备带通滤波器，因此不需要在前端基板990和天线基板991上形成带通滤波器。由此，能使前端基板990和天线基板991小型化地形成。另外，通过在扁平电缆型高频滤波器10I上设置带通滤波器，使带通滤波器的滤波器特性(通过特性以及衰减特性)优良。由此，能提高通信设备模块900的通信特性。
接着，参照附图，对本实用新型的第12实施方式涉及的扁平电缆型高频双工器进行说明。图27是本实用新型的第12实施方式涉及的扁平电缆型高频双工器的分解立体图。另外，在图27中省略保护层以及连接器的图示。
本实施方式的扁平电缆型高频双工器90包括电介质层201K、202K、203K、204K层叠而成的电介质基材20K。
电介质层201K由部分区域201K1、201K2、201K3构成。部分区域201K1、201K2为沿着长度方向延伸的长条状，在宽度方向隔开间隔设置。部分区域201K3设置在部分区域201K1、201K2的长度方向的一端，连接部分区域201K1、201K2。根据该结构，电介质层201K是在长度方向的中段，在宽度方向被分割为两个区域的形状。
电介质层202K由部分区域202K1、202K2、202K3构成。部分区域202K1、202K2为沿着长度方向延伸的长条状，在宽度方向隔开间隔设置。部分区域202K3设置在部分区域202K1、202K2的长度方向的一端，连接部分区域202K1、202K2。电介质层202K是在长度方向的中段，在宽度方向被分割为两个区域的形状。
电介质层203K由部分区域203K1、203K2、203K3构成。部分区域203K1、203K2为沿着长度方向延伸的长条状，在宽度方向隔开间隔设置。部分区域203K3设置在部分区域203K1、203K2的长度方向的一端，连接部分区域203K1、203K2。电介质层203K是在长度方向的中段，在宽度方向被分割为两个区域的形状。
电介质层204K由部分区域204K1、204K2、204K3构成。部分区域204K1、204K2为沿着长度方向延伸的长条状，在宽度方向隔开间隔设置。部分区域204K3设置在部分区域204K1、204K2的长度方向的一端，连接部分区域204K1、204K2。电介质层204K是在长度方向的中段，在宽度方向被分割为两个区域的形状。
在电介质基材20K的部分区域201K1、202K1、203K1、204K1所构成的第一基材部，形成与上述的第9实施方式所示的导体图案相同的导体图案。由此，在电介质基材20K的部分区域201K1、202K1、203K1、204K1所构成的部分，实现连接在引出导体441K、442K之间的带通滤波器。
在电介质层201K的部分区域201K2中，形成环状导体图案601。环状导体图案601分别由直线状的第一导体图案6011、第二导体图案6012、第三导体图案6013、第四导体图案6014以及第五导体图案6015构成。
第一导体图案6011为在部分区域201K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域201K2的长度方向中部分区域201K3侧的端部附近。第一导体图案6011与引出导体441K连接。第二导体图案6012为在部分区域201K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域201K2的长度方向中部分区域201K3侧的端部与相反侧的端部附近。第二导体图案6012与形成在部分区域201K2的长度方向中部分区域201K3侧的端部与相反侧的端部附近的引出导体443K连接。该引出导体443K与引出导体442同样地，与未图示的连接器等连接。
第三导体图案6013为在部分区域201K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域201K2的部分区域201K1侧的端部附近。第三导体图案6013与第一导体图案6011以及第二导体图案6012连接。
第四、第五导体图案6014、6015为在部分区域201K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域201K2的与部分区域201K1侧相反侧的端部附近。沿着部分区域201K2的长度方向隔开间隔设置第四、第五导体图案6014、6015。第四导体图案6014与第一导体图案6011连接，第五导体图案6015与第二导体图案6012连接。
在电介质层202K的部分区域202K2中，形成环状导体图案602。环状导体图案602分别由直线状的第一导体图案6021、第二导体图案6022、第三导体图案6023、第四导体图案6024以及第五导体图案6025构成。
第一导体图案6021为在部分区域202K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域202K2的长度方向中部分区域202K3侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第一导体图案6021被形成为与第一导体图案6011重叠。第二导体图案6022为在部分区域202K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域202K2的长度方向中部分区域202K3侧的端部与相反侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第二导体图案6022被形成为与第二导体图案6012重叠。第三导体图案6023为在部分区域202K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域202K2的部分区域202K1侧的端部附近。第三导体图案6023与第一导体图案6021以及第二导体图案6022连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第三导体图案6023被形成为与第三导体图案6013重叠。
第四、第五导体图案6024、6025为在部分区域202K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域202K2的与部分区域202K1侧相反侧的端部附近。沿着部分区域202K2的长度方向隔开间隔设置第四、第五导体图案6024、6025。第四导体图案6024与第一导体图案6021连接，第五导体图案6025与第二导体图案6022连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第四导体图案6024被形成为与第四导体图案6014重叠。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第五导体图案6025被形成为与第四导体图案6014以及第五导体6015重叠。
在电介质层203K的部分区域203K2中，形成环状导体图案603。环状导体图案603分别由直线状的第一导体图案6031、第二导体图案6032、第三导体图案6033、第四导体图案6034以及第五导体图案6035构成。
第一导体图案6031为在部分区域203K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域203K2的长度方向中部分区域203K3侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第一导体图案6031被形成为与第一导体图案6011、6021重叠。第二导体图案6032为在部分区域203K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域203K2的长度方向中部分区域203K3侧的端部与相反侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第二导体图案6032被形成为与第二导体图案6012、6022重叠。第三导体图案6033为在部分区域203K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域203K2的部分区域203K1侧的端部附近。第三导体图案6033与第一导体图案6031以及第二导体图案6032连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第三导体图案6033被形成为与第三导体图案6013、6023重叠。
第四、第五导体图案6034、6035为在部分区域203K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域203K2的与部分区域203K1侧相反侧的端部附近。沿着部分区域203K2的长度方向隔开间隔设置第四、第五导体图案6034、6035。第四导体图案6034与第一导体图案6031连接，第五导体图案6035与第二导体图案6032连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第四导体图案6034与第四导体图案6024以及第五导体图案6025重叠。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第五导体图案6035与第五导体图案6025重叠。
在电介质层204K的部分区域204K2中，形成环状导体图案604。环状导体图案604分别由直线状的第一导体图案6041、第二导体图案6042、第三导体图案6043、第四导体图案6044以及第五导体图案6045构成。
第一导体图案6041为在部分区域204K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域204K2的长度方向中部分区域204K3侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第一导体图案6041被形成为与第一导体图案6011、6021、6031重叠。第二导体图案6042为在部分区域204K2的宽度方向延伸的形状，形成在部分区域202K2的长度方向中部分区域204K3侧的端部与相反侧的端部附近。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第二导体图案6042被形成为与第二导体图案6012、6022、6032重叠。第三导体图案6043为在部分区域204K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域204K2的部分区域204K1侧的端部附近。第三导体图案6043与第一导体图案6041以及第二导体图案6042连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第三导体图案6043被形成为与第三导体图案6013、6023、6033重叠。
第四、第五导体图案6044、6045为在部分区域204K2的长度方向延伸的形状，形成在部分区域204K2的与部分区域204K1侧相反侧的端部附近。沿着部分区域204K2的长度方向隔开间隔设置第四、第五导体图案6044、6045。第四导体图案6044与第一导体图案6041连接，第五导体图案6045与第二导体图案6042连接。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第四导体图案6044被形成为与第四导体图案6034重叠。从与电介质基材20K的主面垂直的方向观察，第五导体图案6045被形成为与第四导体图案6034以及第五导体图案6035重叠。
各层的第一导体图案6011、6021、6031、6041由在电介质基材20K的厚度方向上延伸的连接导体60进行连接。各层的第二导体图案6012、6022、6032、6042由在电介质基材20K的厚度方向上延伸的连接导体60进行连接。各层的第三导体图案6013、6023、6033、6043由在电介质基材20K的厚度方向上延伸的连接导体60进行连接。各层的第四导体图案6014、6024、6034、6044由在电介质基材20K的厚度方向上延伸的连接导体60进行连接。各层的第五导体图案6015、6025、6035、6045由在电介质基材20K的厚度方向上延伸的连接导体60进行连接。
像这样的结构中，主要由第三导体图案6013、6023、6033、6043构成的部分成为电感。另外，第一导体图案6011、6021、6031、6041中从连接引出导体441K的点到连接第三导体图案的端部为止的区域，以及第二导体图案6012、6022、6032、6043中从连接引出导体443K的点到连接第三导体图案的端部为止的区域也作为与由第三导体图案6013、6023、6033、6043构成的电感相连续的电感发挥作用。
第四导体图案6014和第五导体图案6025的相对部，第五导体图案6025和第四导体图案6034的相对部，以及第四导体图案6034和第五导体图案6045的相对部形成电容。
由此，在电介质基材20K中部分区域201K2、202K2、203K2、204K2构成的第二基材部上，实现电感和电容并联连接的LC并联谐振型带阻滤波器。即，在电介质基材20K中部分区域201K1、202K1、203K1、204K1构成的部分，实现连接在引出导体441K、443K之间的带阻滤波器。该带阻滤波器如上述带通滤波器同样地，为扁平电缆自身的带阻滤波器，因此带阻特性(衰减特性)优良。
并且，通过使带阻滤波器的阻带(衰减带)与带通滤波器的通带相匹配，能够利用形成有各导体图案的电介质基材20K，实现高频双工器。由此，能实现薄型的、传输特性优良的高频双工器。
另外，本实施方式的扁平电缆型高频双工器90能被用于例如上述的图25的电路图所示的由带阻滤波器(BEF)921和带通滤波器(BPF)922以及将它们与天线930连接的传输线路部构成的部分。
另外，本实施方式的扁平电缆型高频双工器90能够在例如上述图26那样的实施方式中连接天线基板991以及前端基板990。
另外，相对于上述的扁平电缆型高频滤波器或扁平电缆型高频双工器，也可安装可变电容元件，与构成上述高频滤波器的电感以及电容串联连接。该情况下，例如可在外部连接用导体的设置位置附近形成可安装安装型可变电容元件的连接盘导体，在该连接盘导体上安装安装型可变电容元件。
标号说明
1 移动电子设备
2 设备壳体
3、3A、3B 安装电路基板
4 电池组
5 IC芯片
7 安装器件
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J 扁平电缆型高频滤波器
20、20D、20H、20I、20J、20K 电介质基材
30、301、302 保护层
51 供电电路
52 天线
90 双工器
201、202、211、212、201H、202H、203H、204H、201I、202I、203I、204I、201J、204J、201K、202K、203K、204K 电介质层
201K1、201K2、201K3、202K1、202K2、202K3、203K1、203K2、203K3、204K1、204K2、204K3 部分区域
401、402、401C、401D、402D、401E、401F、402F、403F、401H1、401H2、402H1、402H2、403H1、401I1、401I2、402I1、402I2、403I1、401J1、402J2、403J1 导体图案
401H11、401H21、402H11、402H21、401I11、401I21、402I11、402I21、401J11、402J21第一部分导体图案
401H12、401H22、402H12、402H22、401I12、401I22、402I12、402I22、401J12、402J22第二部分导体图案
410、410B、410W、411D、412D、411E、412E、410F、411F、410H1、410H2、410I1、410I2电容耦合用导体图案
441、442、443 引出导体图案
511、512、512G 外部连接用导体
601、602、603、604 环状导体图案
6011、6021、6031、6041 第一导体图案
6012、6022、6032、6042 第二导体图案
6013、6023、6033、6043 第三导体图案
6014、6024、6034、6044 第四导体图案
6015、6025、6035、6045 第五导体图案
611、612 连接器
711、712、721、722 屏蔽导体
900 通信设备模块
921 带阻滤波器(BEF)
922 带通滤波器(BPF)
930 天线
931 WiFi发送接收部
932 蜂窝发送接收部
933 GPS接收部
990 前端基板
991 天线基板
901 第一夹具
902 第二夹具
911、912 阶差

Claims (22)

1.一种高频滤波器，用于连接高度方向上位置相互不同的第一电路要素和第二电路要素，其特征在于，包括：
具有挠性的平膜状的电介质基材；
多个导体图案，该多个导体图案互不连接，在相互相对侧的端部之间形成有间隙；以及
电容耦合用导体图案，该电容耦合用导体图案隔着所述电介质基材，在所述电介质基材的厚度方向上与所述导体图案相重叠地形成，在所述多个导体图案间进行电容耦合，
利用所述多个导体图案形成电感，利用所述电容耦合用导体图案形成电容，
所述电介质基材弯折地进行使用，使得至少一部分区域在高度方向上同所述第一电路要素和所述第二电路要素中的至少一方间隔开。
2.如权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电介质基材的介电损耗角正切值为0.005以下。
3.如权利要求2所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电介质基材由液晶高分子构成。
4.如权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电介质基材中，未形成与接地电位连接的导体图案。
5.如权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，
包括平膜状的屏蔽导体图案，相对于未形成所述电容的所述多个导体图案的平膜面，该平膜状的屏蔽导体图案间隔规定距离相对。
6.如权利要求5所述的高频滤波器，其特征在于，
所述屏蔽导体图案在所述导体图案的两侧被设置成包夹所述导体图案。
7.如权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，
沿着所述电介质基材的高频信号传输方向的与所述电容耦合用导体图案的形成区域不同的位置为弯折部。
8.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电容耦合用导体图案由被设置成夹着构成所述电介质基材的电介质层与所述多个导体图案中的一个相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的所述一个导体图案的平板区域形成。
9.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电容耦合用导体图案由被设置成夹着构成所述电介质基材的电介质层与所述多个导体图案相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的所述多个导体图案的平板区域形成。
10.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述多个导体图案分别形成在包夹构成所述电介质基材的电介质层的其它面上，
所述电容耦合用导体图案利用所述多个导体图案夹着所述电介质层相对的区域而构成。
11.如权利要求8所述的高频滤波器，其特征在于，
与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于高频信号传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。
12.如权利要求9所述的高频滤波器，其特征在于，
与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于高频信号传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。
13.如权利要求10所述的高频滤波器，其特征在于，
与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于高频信号传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。
14.如权利要求11至权利要求13中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述导体图案的宽度与所述电介质基材的宽度大致相同。
15.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述电容耦合用导体图案是一体形成在所述多个导体图案相对的端部、沿着高频信号传输方向以规定距离相对的梳状导体。
16.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的高频滤波器，其特征在于，
所述导体图案由相互有一端连接的第一部分导体图案和第二部分导体图案构成，
所述第一部分导体图案比所述第二部分导体图案宽，为沿着高频信号传输方向的直线状，
所述第二部分导体图案为环状，
利用所述第一部分导体图案，构成所述电容，
利用所述第二部分导体图案，构成所述电感。
17.如权利要求16所述的高频滤波器，其特征在于，
所述第一部分导体图案以及所述第二部分导体图案形成在构成所述电介质基材的多层上。
18.一种高频双工器，包括：
带通滤波器，该带通滤波器具有权利要求16或权利要求17所述的高频滤波器的结构；以及
带阻滤波器，该带阻滤波器由形成在所述电介质基材上的导体图案构成。
19.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求1至权利要求17中任一项所述的高频滤波器；以及
包含所述第一电路要素和所述第二电路要素的多个电路要素，
所述多个电路要素通过所述高频滤波器连接。
20.如权利要求19所述的电子设备，其特征在于，
所述高频滤波器相对于所述多个电路要素中的各要素隔开规定的空隙而设置。
21.一种电子设备，其特征在于，包括：
如权利要求18所述的高频双工器；以及
包含所述第一电路要素和所述第二电路要素的多个电路要素，
所述多个电路要素通过所述高频双工器连接。
22.如权利要求21所述的电子设备，其特征在于，
所述高频双工器相对于所述多个电路要素中的各要素隔开规定的空隙而设置。
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