JPS60127267A - 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPS60127267A JPS60127267A JP58233938A JP23393883A JPS60127267A JP S60127267 A JPS60127267 A JP S60127267A JP 58233938 A JP58233938 A JP 58233938A JP 23393883 A JP23393883 A JP 23393883A JP S60127267 A JPS60127267 A JP S60127267A
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- aluminum nitride
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体に関する。
窒化アルミニウム（ｋｔＮ）は常温から高温までの強度
が高く（焼結体の曲げ強さは通常５０に９７ｍ２以上）
、化学的耐性にも優れているため、耐熱材料として用い
られる一方、その高熱伝導性。
が高く（焼結体の曲げ強さは通常５０に９７ｍ２以上）
、化学的耐性にも優れているため、耐熱材料として用い
られる一方、その高熱伝導性。
高電気絶縁性を利用して半導体装置の放熱板材料として
も有望視されている。こうしたＡｔＮは通常、融点を持
たず、２２００℃以上の高温で分解するため、薄膜など
の用途を除いては焼結体として用いられる。
も有望視されている。こうしたＡｔＮは通常、融点を持
たず、２２００℃以上の高温で分解するため、薄膜など
の用途を除いては焼結体として用いられる。
ところで、ＡｔＮ焼結体は従来より常圧焼結法。
ホットプレス法により製造されている。常圧焼結法では
高密度化の目的でアルカリ土類金属酸化物などの化合物
を焼結助剤として添加することが多い。ホットプレス法
では、ＡｔＮ単独又は助剤が添加されたｋｔＮを用い、
高温高圧下にて焼結する。
高密度化の目的でアルカリ土類金属酸化物などの化合物
を焼結助剤として添加することが多い。ホットプレス法
では、ＡｔＮ単独又は助剤が添加されたｋｔＮを用い、
高温高圧下にて焼結する。
しかしながら、ホットプレス法では複雑な形状の焼結体
の製造が難しく、シかも生産性が低く、高コストとなる
という問題がある。一方、常圧焼結法ではホットプレス
法のような問題を解消できるものの、得られたＡｔＮ焼
結体の熱伝導率はｋｔＨの理論熱伝導率が３２０Ｗ／ｍ
・・ｋであるのに対し、高々４０Ｗ／ｍ−にと低い。な
お、ホｙ）プレス法で造られたＡｔＮ焼結体のうち助剤
が添加されたｋｔＮを原料とするものも、熱伝導率が４
０Ｗ／ｍ−に程度と低い。
の製造が難しく、シかも生産性が低く、高コストとなる
という問題がある。一方、常圧焼結法ではホットプレス
法のような問題を解消できるものの、得られたＡｔＮ焼
結体の熱伝導率はｋｔＨの理論熱伝導率が３２０Ｗ／ｍ
・・ｋであるのに対し、高々４０Ｗ／ｍ−にと低い。な
お、ホｙ）プレス法で造られたＡｔＮ焼結体のうち助剤
が添加されたｋｔＮを原料とするものも、熱伝導率が４
０Ｗ／ｍ−に程度と低い。
本発明は熱伝導率が４０Ｗ／ｍ−に以上を有する高熱伝
導性窒化アルミニウム焼結体を提供しようとするもので
ある。
導性窒化アルミニウム焼結体を提供しようとするもので
ある。
本発明者らは、従来法で製造された助剤が添加されたＡ
ｔＮ焼結体の低熱伝導性について種々検討した結果、こ
の低熱伝導性はＡｔＮ焼結体中の助剤量と共に焼結性に
関与する酸素含有量に起因することを究明した。
ｔＮ焼結体の低熱伝導性について種々検討した結果、こ
の低熱伝導性はＡｔＮ焼結体中の助剤量と共に焼結性に
関与する酸素含有量に起因することを究明した。
ＡｔＮの原料中には焼結性を高めて緻密なＡ／＝Ｎ焼結
体を得るために、酸素が含まれていることが必要である
が、酸素端が多くなると、高熱伝導性の阻害要因となる
ことがわかった。
体を得るために、酸素が含まれていることが必要である
が、酸素端が多くなると、高熱伝導性の阻害要因となる
ことがわかった。
そこで、本発明者らは上記究明結果を踏えて更に鋭意研
究したところ、希土類元素及び希土類元素含有物質から
選ばれる１種以上を希土類元素換算で０．０１〜１５重
量％、酸素を００１〜２０重量％と夫々規定して含ませ
るようにすることによって、熱伝導率が４０ Ｗ／ｍ−
に以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を見い出し
た。このように、本発明の窒化アルミニウム焼結体が高
熱伝導性を示すのは以下に説明する組織となることによ
るものと推定される。
究したところ、希土類元素及び希土類元素含有物質から
選ばれる１種以上を希土類元素換算で０．０１〜１５重
量％、酸素を００１〜２０重量％と夫々規定して含ませ
るようにすることによって、熱伝導率が４０ Ｗ／ｍ−
に以上の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を見い出し
た。このように、本発明の窒化アルミニウム焼結体が高
熱伝導性を示すのは以下に説明する組織となることによ
るものと推定される。
希土類元素を添加した、酸素を含むＡｔＮ原料を成形し
、焼結すると、希土類元素がＡｔＮ中の酸素（通常、酸
化アルミニウムとして存在）と反応して、組成式３ Ｌ
ｎ２Ｏ３’５Ａｔ２０３（Ｌｎ ；希土類元素）の形で
表わされるガーネット構造化合物相（以下、ガーネット
相と略す）がＡｔＮの粒界に生成され、ＡｔＮの結合に
寄与すると共に、酸素を固定化する。しかしながら、酸
素量が多くなると、ガーネット相として取り込まれない
酸素が存在することになり、その酸素がＡｔＮ粒子に固
溶拡散する。絶縁体の熱伝導率は弾性波（７オノン）の
拡散によって支配されるが、酸素が固溶拡散したＡｔＮ
粒子を含むＡｔＮ焼結体ではフォノ／が該固溶拡散され
た領域で散乱し、結果として熱伝導性の低下を招く。し
がるに、ＡｔＮ焼結体中の酸素全希土類元素の添加量と
の兼ね合いで、ガーネット相を構成する量に抑えて固定
化し、ＡｔＮへの固溶拡散を阻止することによって、７
オノンの散乱が少なくなり、結果的には熱伝導性が向上
される。なお、ＡｔＮの粒界にはガーネット相とは別の
組成式ＬｎＡｔＯ３（Ｌｎ；希土類元素）の形で表わさ
れるペロプスカイト構造化合物相（以下、ペロプスカイ
ト相と略す）が生成される場合もあり、この場合もまっ
たく同様な作用効果を示す。
、焼結すると、希土類元素がＡｔＮ中の酸素（通常、酸
化アルミニウムとして存在）と反応して、組成式３ Ｌ
ｎ２Ｏ３’５Ａｔ２０３（Ｌｎ ；希土類元素）の形で
表わされるガーネット構造化合物相（以下、ガーネット
相と略す）がＡｔＮの粒界に生成され、ＡｔＮの結合に
寄与すると共に、酸素を固定化する。しかしながら、酸
素量が多くなると、ガーネット相として取り込まれない
酸素が存在することになり、その酸素がＡｔＮ粒子に固
溶拡散する。絶縁体の熱伝導率は弾性波（７オノン）の
拡散によって支配されるが、酸素が固溶拡散したＡｔＮ
粒子を含むＡｔＮ焼結体ではフォノ／が該固溶拡散され
た領域で散乱し、結果として熱伝導性の低下を招く。し
がるに、ＡｔＮ焼結体中の酸素全希土類元素の添加量と
の兼ね合いで、ガーネット相を構成する量に抑えて固定
化し、ＡｔＮへの固溶拡散を阻止することによって、７
オノンの散乱が少なくなり、結果的には熱伝導性が向上
される。なお、ＡｔＮの粒界にはガーネット相とは別の
組成式ＬｎＡｔＯ３（Ｌｎ；希土類元素）の形で表わさ
れるペロプスカイト構造化合物相（以下、ペロプスカイ
ト相と略す）が生成される場合もあり、この場合もまっ
たく同様な作用効果を示す。
即ち、本発明は窒化アルミニウムを主成分とし、これに
希土類元素及び希土類元素含有物質から選ばれる１種以
上を希土類元素換算で０．０１〜１５重量％と、酸素を
０．０１〜２０重量％含むことを特徴とするものである
。
希土類元素及び希土類元素含有物質から選ばれる１種以
上を希土類元素換算で０．０１〜１５重量％と、酸素を
０．０１〜２０重量％含むことを特徴とするものである
。
上記希土類元素としてはＹ ｔ Ｌａ ｒ Ｃｅ ｔ
Ｐｒ ｒ ＮｔＬＳｍ等を挙げることができ、希土類元
素含有物質としては、これら元素の酸化物、炭酸塩、硝
酸塩等を挙げることができる。こうした希土類元素等は
１種でもよいし、２種以上の混合物で用いてもよい。か
かる希土類元素等の含有割合を上記範囲に限定した理由
はその量を０．０１重量％未満にすると、焼結性の高い
緻密ｆｉ ＡｔＮ焼結５一 体が得られなくなり、かといってその量が１５重量％を
越えると、ＡｔＮの絶対量が少なくなり、ＡｔＮ焼結体
本来の特性である耐熱性、筒強度性が損なわれるばかり
か、熱伝導性も低下する。
Ｐｒ ｒ ＮｔＬＳｍ等を挙げることができ、希土類元
素含有物質としては、これら元素の酸化物、炭酸塩、硝
酸塩等を挙げることができる。こうした希土類元素等は
１種でもよいし、２種以上の混合物で用いてもよい。か
かる希土類元素等の含有割合を上記範囲に限定した理由
はその量を０．０１重量％未満にすると、焼結性の高い
緻密ｆｉ ＡｔＮ焼結５一 体が得られなくなり、かといってその量が１５重量％を
越えると、ＡｔＮの絶対量が少なくなり、ＡｔＮ焼結体
本来の特性である耐熱性、筒強度性が損なわれるばかり
か、熱伝導性も低下する。
なお、これら希土類元素等の含有にあっては、酸素含有
量を上記範囲に限定した理由は、その量を０．０１重量
％未満にすると、焼結性の高い緻密なＡｔＮ焼結体が得
に＜＜、かといってその量が２０重量％を越えると、Ａ
ｔＮの粒界に固定されない酸素が存在するようになり、
熱伝導性の低下を招く。
量を上記範囲に限定した理由は、その量を０．０１重量
％未満にすると、焼結性の高い緻密なＡｔＮ焼結体が得
に＜＜、かといってその量が２０重量％を越えると、Ａ
ｔＮの粒界に固定されない酸素が存在するようになり、
熱伝導性の低下を招く。
次に、本発明のＡｔＮ焼結体を得るための一製造方法を
説明する。
説明する。
まず、所定量の酸素を含有するＡ／＝Ｎ粉末に希土類元
素及び希土類元素含有物質を添加し、が−ルミル等を用
いて混合した後、常圧焼結の場合はバインダーを加え、
混線、造粒、整粒を行ない、金型、静水圧プレス或いは
シート成形に−６＝ より成形を行なう。つづいて、成形体ｆＮ２ガス気流中
で７００℃前後で加熱してバインダーを除去する。次い
で、成形体を黒鉛又は窒化アルミニウムの容器にセリト
し、Ｎ２ガス雰囲気中にて１６００〜１８５０℃で常圧
焼結を行なう。この際、比較的低温（１０００〜ｂ が一ネヅト相或いはペロプスカイト相がＡｔＮの粒界に
生成され、更に高い１７００〜１８００℃でガーネヅト
相、ペロプスカイト相が融解し、その液相焼結機構によ
って常圧焼結がなされる。
素及び希土類元素含有物質を添加し、が−ルミル等を用
いて混合した後、常圧焼結の場合はバインダーを加え、
混線、造粒、整粒を行ない、金型、静水圧プレス或いは
シート成形に−６＝ より成形を行なう。つづいて、成形体ｆＮ２ガス気流中
で７００℃前後で加熱してバインダーを除去する。次い
で、成形体を黒鉛又は窒化アルミニウムの容器にセリト
し、Ｎ２ガス雰囲気中にて１６００〜１８５０℃で常圧
焼結を行なう。この際、比較的低温（１０００〜ｂ が一ネヅト相或いはペロプスカイト相がＡｔＮの粒界に
生成され、更に高い１７００〜１８００℃でガーネヅト
相、ペロプスカイト相が融解し、その液相焼結機構によ
って常圧焼結がなされる。
一方、ホットプレス焼結の場合は前記ゴールミル等で混
合した原料１１６００〜１８００℃でホットプレスする
。
合した原料１１６００〜１８００℃でホットプレスする
。
次に、本発明の詳細な説明する。
実施例１
まず、酸素を３重量％含有する窒化アルミニウム粉末（
平均粒径１μｍ）に酸化サマリウム粉末（平均粒径１μ
ｍ）を３重量％添加し、が−ルミルを用いて粉砕、混合
を行なって原料を調製した。
平均粒径１μｍ）に酸化サマリウム粉末（平均粒径１μ
ｍ）を３重量％添加し、が−ルミルを用いて粉砕、混合
を行なって原料を調製した。
つづいて、この原料を直径１０調のカーがン型に充填し
、圧力３００ ｋｆｉ／ｃｍ２．温度１８００℃の条件
で１時間ホットプレスを行なってＡｔＮ焼結体を製造し
た◎ 比較例１ 酸素を３重量％含有する窒化アルミニウム粉末（平均粒
径１μｍ）そのものを原料として用いた以外、実施例１
と同様な方法によ漬ｋｔＮ−緒体を製造した。
、圧力３００ ｋｆｉ／ｃｍ２．温度１８００℃の条件
で１時間ホットプレスを行なってＡｔＮ焼結体を製造し
た◎ 比較例１ 酸素を３重量％含有する窒化アルミニウム粉末（平均粒
径１μｍ）そのものを原料として用いた以外、実施例１
と同様な方法によ漬ｋｔＮ−緒体を製造した。
比較例２
酸素を２０重量−官有する窒化アルミニウム粉末（平均
粒径０．９μｍ）に酸化サマリウム粉末（平均粒径１μ
ｍ）を３重量％添加し、ゴールミルを用いて粉砕、混合
して原料を調製した。次いで、この原料を用いて実施例
１と同様にホヤトゲレスを行なってＡｔＮ焼結体を製造
した。
粒径０．９μｍ）に酸化サマリウム粉末（平均粒径１μ
ｍ）を３重量％添加し、ゴールミルを用いて粉砕、混合
して原料を調製した。次いで、この原料を用いて実施例
１と同様にホヤトゲレスを行なってＡｔＮ焼結体を製造
した。
しかして、上記実施例１及び比較例１ 、２ＶＣより得
７’（ＡｔＮ焼結体を夫々約３．５ ｍ＋ａの厚さに研
摩した後、レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導
率を測定した。その結果、本実施例１のＡｔＮ焼結体で
はｅｐ ５ Ｗ／ｍ−ｋ であったのに対し、比較例１
のＡｔＮ焼結体ではａ ５Ｗ／ｍ−ｋＮ比較例２のＡｔ
Ｎ焼結体では６Ａ Ｗ／ｍ−ｋ であった。
７’（ＡｔＮ焼結体を夫々約３．５ ｍ＋ａの厚さに研
摩した後、レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導
率を測定した。その結果、本実施例１のＡｔＮ焼結体で
はｅｐ ５ Ｗ／ｍ−ｋ であったのに対し、比較例１
のＡｔＮ焼結体ではａ ５Ｗ／ｍ−ｋＮ比較例２のＡｔ
Ｎ焼結体では６Ａ Ｗ／ｍ−ｋ であった。
また、Ｘ線回析で各ＡｔＮ焼結体の構成相を調べたとこ
ろ、実施例１のＡｔＮ焼結体ではＡｔＮ相及びペロプス
カイト相が、比較例１ではｋｔＮ相以外にかなりの童の
酸窒化物相が、比較例２ではＡＩＪＪ相及びペロゲスカ
イト相以外にかなりの量の酸窒化物相が、夫々検出され
た。
ろ、実施例１のＡｔＮ焼結体ではＡｔＮ相及びペロプス
カイト相が、比較例１ではｋｔＮ相以外にかなりの童の
酸窒化物相が、比較例２ではＡＩＪＪ相及びペロゲスカ
イト相以外にかなりの量の酸窒化物相が、夫々検出され
た。
実施例２
酸化サマリウム粉末の代りに酸化ガｒリニウム粉末を用
いた以外、実施例１と同様に原料を調製し、これをホッ
トプレスしてＡｔＮ焼結体を製造した。
いた以外、実施例１と同様に原料を調製し、これをホッ
トプレスしてＡｔＮ焼結体を製造した。
得られたＡｔＮ焼結体を約３．５−の厚さに研摩した後
、レーザ７うｑシュ法によって室温での熱伝導率を測定
したところ、９０Ｗ／ｍ−にと極めて高い熱伝導性を示
した。また、Ｘ線回析で′ＡＬＮＡｔＮ焼結体を調べた
ところ、ＡｔＮ相、ガーネット相が検出された。
、レーザ７うｑシュ法によって室温での熱伝導率を測定
したところ、９０Ｗ／ｍ−にと極めて高い熱伝導性を示
した。また、Ｘ線回析で′ＡＬＮＡｔＮ焼結体を調べた
ところ、ＡｔＮ相、ガーネット相が検出された。
９一
実施例３〜７
酸素を３重量％含有する窒化アルミニウム粉末（平均粒
径０．９μｍ）に酸化イツ） ＩＪウム粉末（平均粒径
１μｍ）を０．１重量％、０．５重量％。
径０．９μｍ）に酸化イツ） ＩＪウム粉末（平均粒径
１μｍ）を０．１重量％、０．５重量％。
１重量％、３重量％及び５重量％添加した後、ゴールミ
ルを用いて１０時時間式粉砕、混合して重量が２００ｇ
の５種の原料を調製した。つづいて、これら原料に夫々
・母ラフインを７重量％添加し、造粒した後３００ｋｌ
？□２の圧力で冷開成形して３７ ｃｍ Ｘ ３７ ｃ
ｍ Ｘ ６ ｃｍの寸法の板状体とした。次いで、これ
ら板状体を窒素ガス雰囲気で２００″Ｃまで加熱し、１
０時間保持して脱脂した後窒化アルミニウム容器中にセ
・ソトし、窒素ガス雰囲気下にて１８００℃、２時間常
圧焼結して５種のＡｔＮ焼結体を製造した。
ルを用いて１０時時間式粉砕、混合して重量が２００ｇ
の５種の原料を調製した。つづいて、これら原料に夫々
・母ラフインを７重量％添加し、造粒した後３００ｋｌ
？□２の圧力で冷開成形して３７ ｃｍ Ｘ ３７ ｃ
ｍ Ｘ ６ ｃｍの寸法の板状体とした。次いで、これ
ら板状体を窒素ガス雰囲気で２００″Ｃまで加熱し、１
０時間保持して脱脂した後窒化アルミニウム容器中にセ
・ソトし、窒素ガス雰囲気下にて１８００℃、２時間常
圧焼結して５種のＡｔＮ焼結体を製造した。
得られた各ＡｔＮ焼結体の密度、並びに熱伝導率を調べ
た。その結果を下記表に示した。なお、表中には酸化イ
ツトリウムを添加しない窒化アルミニウム粉末そのもの
を原料とした以外、実施例３と同様な方法により製造し
たｋｔＮ焼結体１０− について比較例３として併記した。
た。その結果を下記表に示した。なお、表中には酸化イ
ツトリウムを添加しない窒化アルミニウム粉末そのもの
を原料とした以外、実施例３と同様な方法により製造し
たｋｔＮ焼結体１０− について比較例３として併記した。
衣
また、実施例３〜７のＡｔＮ焼結体についてＸ線回析に
より組織を調べたところ、いずれもＡ／＝Ｎ相、ガーネ
ット相及び僅かな酸窒化物相が検出されたが、Ｙ２Ｏ３
の添加量の多いＡｔＮ焼結体はど酸窒化物相が減少して
、ガーネ、Ｖト相が増大していた。
より組織を調べたところ、いずれもＡ／＝Ｎ相、ガーネ
ット相及び僅かな酸窒化物相が検出されたが、Ｙ２Ｏ３
の添加量の多いＡｔＮ焼結体はど酸窒化物相が減少して
、ガーネ、Ｖト相が増大していた。
実施例８〜１４
酸素を１重量％含有する窒化アルミニウム粉末（平均粒
径１μｍ）に平均粒径が１μｍのＧ、ｄ２０゜粉末、Ｄ
ｙ２Ｏ３粉末、 Ｌａ２０．粉末、 Ｃｅ２Ｏ３粉末。
径１μｍ）に平均粒径が１μｍのＧ、ｄ２０゜粉末、Ｄ
ｙ２Ｏ３粉末、 Ｌａ２０．粉末、 Ｃｅ２Ｏ３粉末。
Ｐｒ２Ｏ３粉末、 Ｎｄ２Ｏ３粉末及びＳｍ２Ｏ３粉末
を夫々３ ｗｔ ％添加し、？−ルミルを用いて湿式粉
砕、混合して７種の原料を調製した。つづいて、これら
原料を用いて実施例３と同様な方法により常圧焼結した
。
を夫々３ ｗｔ ％添加し、？−ルミルを用いて湿式粉
砕、混合して７種の原料を調製した。つづいて、これら
原料を用いて実施例３と同様な方法により常圧焼結した
。
得られた各Ａ／＝Ｎ焼結体は３．２９ ｇ□ 以上の密
度を示し、かつ熱伝導率は８０ Ｗ／ｍ−に以−ヒを示
した。
度を示し、かつ熱伝導率は８０ Ｗ／ｍ−に以−ヒを示
した。
以上詳述した如く、本発明によれば熱伝導率が４０ Ｗ
／ｍ−に以上を示す半導体装置の放熱板等に有効な高熱
伝導性窒化アルミニウム焼結体を提供できる。
／ｍ−に以上を示す半導体装置の放熱板等に有効な高熱
伝導性窒化アルミニウム焼結体を提供できる。
出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書
昭和 ６９・負・−６日
特許庁長官 志 賀 学 殿
１、事件の表示
特願昭５８−２３３９３８号
２、発明の名称
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
（３０７）株式会社 東芝
４、代理人
東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビル〒１
０５ 電話０３ （５０２）３１８１ （大代表）１．
。
０５ 電話０３ （５０２）３１８１ （大代表）１．
。
６、補正の対象
明 細 書
７、補正の内容
（１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く訂正する。
（２）明細書中箱２頁１７行目おいて、［対し、高々４
０Ｗ／ｍ−にと低い。」とあるを「対し、充分に高い値
を有さない。」と訂正する。
０Ｗ／ｍ−にと低い。」とあるを「対し、充分に高い値
を有さない。」と訂正する。
（３）明細書中筒２頁１９及び２０行目にかけて、「Ａ
βＮを原料とするものも、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ−に程
度と低い。」とあるを［ＡりＮを原料とするものは、前
記常圧焼結法で得られた／１２Ｎ焼結体に比べて熱伝導
率が向上するものの、充分に高い熱伝導率を有さない。
βＮを原料とするものも、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ−に程
度と低い。」とあるを［ＡりＮを原料とするものは、前
記常圧焼結法で得られた／１２Ｎ焼結体に比べて熱伝導
率が向上するものの、充分に高い熱伝導率を有さない。
（４）明細書中筒３頁２行目において、「熱伝導率が４
０Ｗ／ｍ−に以上を有する」とあるを「熱伝導率を従来
のＡΩＮ焼結体に比べて著しく向上した」と訂正する。
０Ｗ／ｍ−に以上を有する」とあるを「熱伝導率を従来
のＡΩＮ焼結体に比べて著しく向上した」と訂正する。
（５）明細書中筒３頁１５行目において［ところ、希土
類元素及び」とあるを［ところ、酸素を含有するＡρＮ
を主成分とし、これに希土類元素及びＪと訂正する。
類元素及び」とあるを［ところ、酸素を含有するＡρＮ
を主成分とし、これに希土類元素及びＪと訂正する。
２−
（６）明細書中筒３頁１８及び１９行目にかけて、［熱
伝導率が４０Ｗ／ｍ−に以上の］とあるを「熱伝導率を
著しく向上した」と訂正する。
伝導率が４０Ｗ／ｍ−に以上の］とあるを「熱伝導率を
著しく向上した」と訂正する。
（７）明細書巾乗４頁１８行目において、［ＡβＮ焼結
体中の酸素」とあるを［ＡρＮ原料中の酸素」と訂正す
る。
体中の酸素」とあるを［ＡρＮ原料中の酸素」と訂正す
る。
（８）明細口中筒５頁８行目の［即ち」以下同頁１２行
目の「である。」までの文章を下記の如くで訂正する。
目の「である。」までの文章を下記の如くで訂正する。
記
即ち、本発明は酸素を含有する窒化アルミニウムを主成
分とし、これに希土類元素及び希土類元素含有物質から
選ばれる１種以上を希土類元素換算で０．０１〜１５重
量％混合し、焼結して製造された焼結体で、全酸素量が
０．０１〜２０重量％の範囲である高熱伝導性窒化アル
ミニウム焼結体である。
分とし、これに希土類元素及び希土類元素含有物質から
選ばれる１種以上を希土類元素換算で０．０１〜１５重
量％混合し、焼結して製造された焼結体で、全酸素量が
０．０１〜２０重量％の範囲である高熱伝導性窒化アル
ミニウム焼結体である。
上記窒化アルミニウム中の酸素含有量は、０．００１〜
７重量％、好ましくは０．０５〜４重量％、より好まし
い範囲は０．１〜３重量％である。このように窒化アル
ミニウム中の酸素量を限定した理由は、その量を０．０
０１重量％未満にすると、焼結性の高い緻密な焼結体が
得難く、かといってその量が７重量％を越えると、窒化
アルミニウム粒界に固定されない酸素が存在するように
なり、熱伝導性の低下を招く恐れがある。
７重量％、好ましくは０．０５〜４重量％、より好まし
い範囲は０．１〜３重量％である。このように窒化アル
ミニウム中の酸素量を限定した理由は、その量を０．０
０１重量％未満にすると、焼結性の高い緻密な焼結体が
得難く、かといってその量が７重量％を越えると、窒化
アルミニウム粒界に固定されない酸素が存在するように
なり、熱伝導性の低下を招く恐れがある。
（９）明ｉ書中第１２頁１Ｏ及び１１行目にかけて、「
熱伝導率が４０Ｗ／ｍ−ｋ以上を示す」とあるを「熱伝
導率を著しく向上した」と訂正する。
熱伝導率が４０Ｗ／ｍ−ｋ以上を示す」とあるを「熱伝
導率を著しく向上した」と訂正する。
２、特許請求の範囲
酸素を含有する窒化アルミニウムを主成分とし、これに
希土類元素及び希土類元素含有物質から選ばれる１種以
上を希土類元素換算で０．０１〜１５重量％混合し、焼
結して製造された焼結体で、全酸素量が０．０１〜２０
重量％の範囲である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
。
希土類元素及び希土類元素含有物質から選ばれる１種以
上を希土類元素換算で０．０１〜１５重量％混合し、焼
結して製造された焼結体で、全酸素量が０．０１〜２０
重量％の範囲である高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (2)
- （１）窒化アルミニウムを主成分とし、これに希土類元
素及び希土類元素含有物質から選ばれる１種以上を希土
類元素換算で０．０１〜１５重量％と、酸素を０．０１
〜２０重量％含むことを特徴とする高熱伝導性窒化アル
ミニウム焼結体。 - （２）密度が理論密度の９０チ以上で、室温における熱
伝導率が４０Ｗ／ｍ Ｈｋである特許請求の範囲＠１項
記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233938A JPS60127267A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| DE8484308449T DE3485523D1 (de) | 1983-12-12 | 1984-12-05 | Aluminiumnitrid-sinterkeramikkoerper mit hoher waermeleitfaehigkeit. |
| EP84308449A EP0147101B1 (en) | 1983-12-12 | 1984-12-05 | Aluminum nitride-based sintered body of high thermal conductivity |
| US07/051,237 US4766097A (en) | 1983-12-12 | 1987-05-14 | Aluminum nitride-based sintered body of high thermal conductivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233938A JPS60127267A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
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| JP1192514A Division JPH0280372A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPS60127267A true JPS60127267A (ja) | 1985-07-06 |
| JPS6346032B2 JPS6346032B2 (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=16962962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58233938A Granted JPS60127267A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4766097A (ja) |
| EP (1) | EP0147101B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60127267A (ja) |
| DE (1) | DE3485523D1 (ja) |
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| EP0147101A3 (en) | 1986-07-09 |
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