JPS62128971A - 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法Info
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- JPS62128971A JPS62128971A JP60268550A JP26855085A JPS62128971A JP S62128971 A JPS62128971 A JP S62128971A JP 60268550 A JP60268550 A JP 60268550A JP 26855085 A JP26855085 A JP 26855085A JP S62128971 A JPS62128971 A JP S62128971A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は熱伝導性の高い窒化アルミニウム質焼結体及び
その製造方法に関する。
その製造方法に関する。
(従来の技術)
近年、LSIなどの半導体素子の集積度が上がるにした
がってLSIの発熱量が増大するために、その発熱した
熱を速やかに外部へ伝熱、放熱する必要が生じてきた。
がってLSIの発熱量が増大するために、その発熱した
熱を速やかに外部へ伝熱、放熱する必要が生じてきた。
また、パワートランジスタ、レーザーダイオードなど高
出力の半導体素子を実装するための基板及びパッケージ
においても素子の動作時に発生する熱を短時間の内に素
子外へ放出しなければならない。
出力の半導体素子を実装するための基板及びパッケージ
においても素子の動作時に発生する熱を短時間の内に素
子外へ放出しなければならない。
このような発熱量の大きい半導体素子を実装するために
、熱伝導率の高い基板材料が必要とされ、従来このよう
な熱伝導率の高い絶縁基板用材料として酸化ベリリウム
(Bed)系焼結体が用いられていたが毒性があるため
、使用範囲が限定されていた。
、熱伝導率の高い基板材料が必要とされ、従来このよう
な熱伝導率の高い絶縁基板用材料として酸化ベリリウム
(Bed)系焼結体が用いられていたが毒性があるため
、使用範囲が限定されていた。
そこで、近時、窒化アルミニウム(A1N)が高い熱伝
導率を持ち、機械的強度も高いことから、そうした高熱
伝導材料として注目されてきたが、1Nは本質的には難
焼結性であるため、即ちSiC15iJa と同様共有
結合性が強く単味では焼結し難いため、Y2O5等の焼
結助剤を添加する窒化アルミニウム質焼結体の製造技術
が検討されてきた(例えば特開昭60−127267号
、特公昭47−18655号、特公昭4B−18925
号公報)。
導率を持ち、機械的強度も高いことから、そうした高熱
伝導材料として注目されてきたが、1Nは本質的には難
焼結性であるため、即ちSiC15iJa と同様共有
結合性が強く単味では焼結し難いため、Y2O5等の焼
結助剤を添加する窒化アルミニウム質焼結体の製造技術
が検討されてきた(例えば特開昭60−127267号
、特公昭47−18655号、特公昭4B−18925
号公報)。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし乍ら、単にY2O,を添加するのみの前記公知の
窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率は、例えば前記特
開昭60−127267号公報に示されるように40W
/m ’ K程度、高純度窒化アルミニウム原料を使用
したイツトリア添加系窒化アルミニウム質焼結体におい
てさえ、80W/m ’ K程度であって、窒化アルミ
ニウム自体の理論熱伝導率が320W/m ’にである
ことと対比すると、かなり低いものである。(問題点を
解決するための手段) 本発明は上記問題点に鑑み鋭意研究した結果、窒化アル
ミニウムの粒界相にイツトリウムと、ホウ素、チタン、
ジルコニウム又はタンタルの炭化物又は窒化物の少なく
とも1種が共存している窒化アルミニウム質焼結体は充
分緻密化しかつ高熱伝導率化が達成されていることを知
見した。
窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率は、例えば前記特
開昭60−127267号公報に示されるように40W
/m ’ K程度、高純度窒化アルミニウム原料を使用
したイツトリア添加系窒化アルミニウム質焼結体におい
てさえ、80W/m ’ K程度であって、窒化アルミ
ニウム自体の理論熱伝導率が320W/m ’にである
ことと対比すると、かなり低いものである。(問題点を
解決するための手段) 本発明は上記問題点に鑑み鋭意研究した結果、窒化アル
ミニウムの粒界相にイツトリウムと、ホウ素、チタン、
ジルコニウム又はタンタルの炭化物又は窒化物の少なく
とも1種が共存している窒化アルミニウム質焼結体は充
分緻密化しかつ高熱伝導率化が達成されていることを知
見した。
したがって、本発明においてはA1N−YzOi二成分
系よりもさらに優れた高熱伝導性、即ち少なくとも60
W/m ’ Kの熱伝導性を有し、かつ高緻密質な窒
化アルミニウム質焼結体を得ることを目的とする。
系よりもさらに優れた高熱伝導性、即ち少なくとも60
W/m ’ Kの熱伝導性を有し、かつ高緻密質な窒
化アルミニウム質焼結体を得ることを目的とする。
本発明によれば■窒化アルミニウムの粒界相にイツトリ
ウムと、ホウ素、チタン、ジルコニウム又はタンタルの
炭化物または窒化物のうち少なくとも1種が共存してい
ることを特徴とする窒化アルミニウム質焼結体が提供さ
れる。また、■本発明によれば窒化アルミニウム85〜
99.8重量%と、酸化イツトリウム0.1〜10重量
%と、ホウ素、チタン、ジルコニウム又はタンタルの炭
化物のうち少なくとも1種0.1〜5重量%とからなる
混合粉体を成形後、非酸化性雰囲気中1600〜210
0°Cで焼結する事を特徴とする窒化アルミニウム質焼
結体の製造方法が提供される。
ウムと、ホウ素、チタン、ジルコニウム又はタンタルの
炭化物または窒化物のうち少なくとも1種が共存してい
ることを特徴とする窒化アルミニウム質焼結体が提供さ
れる。また、■本発明によれば窒化アルミニウム85〜
99.8重量%と、酸化イツトリウム0.1〜10重量
%と、ホウ素、チタン、ジルコニウム又はタンタルの炭
化物のうち少なくとも1種0.1〜5重量%とからなる
混合粉体を成形後、非酸化性雰囲気中1600〜210
0°Cで焼結する事を特徴とする窒化アルミニウム質焼
結体の製造方法が提供される。
即ち、窒化アルミニウム(A1N)の熱伝導は主にフォ
ノン(弾性波)により行われると考えられており、ホウ
素(B)、チタン(Tt)、ジルコニウム(Zr)又は
タンタル(Ta)の炭化物を添加しない従来のAtN−
Y2O3系焼結体の粒界相は主としてイツトリア(Yz
Ol)化合物から成ると推定され、フォノンが大きく散
乱されるのに対し、上記炭化物を添加した焼結体におい
ては粒界相に上記炭化物又は窒化物が主に存在する。こ
の様な炭化物又は窒化物はA1N等の絶縁体とは異なり
電子伝導性でこの熱伝導もフォノンによらず主として電
子により行われる。
ノン(弾性波)により行われると考えられており、ホウ
素(B)、チタン(Tt)、ジルコニウム(Zr)又は
タンタル(Ta)の炭化物を添加しない従来のAtN−
Y2O3系焼結体の粒界相は主としてイツトリア(Yz
Ol)化合物から成ると推定され、フォノンが大きく散
乱されるのに対し、上記炭化物を添加した焼結体におい
ては粒界相に上記炭化物又は窒化物が主に存在する。こ
の様な炭化物又は窒化物はA1N等の絶縁体とは異なり
電子伝導性でこの熱伝導もフォノンによらず主として電
子により行われる。
そのため粒界相にこのような炭化物または窒化物がY2
O3と共存していると、粒界によるフォノン散乱が生じ
にくいので結果として熱伝導率が向上したものと推定さ
れる。
O3と共存していると、粒界によるフォノン散乱が生じ
にくいので結果として熱伝導率が向上したものと推定さ
れる。
A1Nが85重量%未満では高熱伝導成分であるA1N
が少なくなり熱伝導率が低下すると共に抗折強度が劣化
し、99.8重量%を超えると焼結助剤が少なくなり焼
結不足となる。Y2O3が0.1重量%未満であると、
有効量の炭化物を含むA1N成形体を充分に緻密化させ
ることができない。また、10重量%をこえるとY2O
,を立体とする粒界相が多くなり、熱伝導が低下してし
まう。
が少なくなり熱伝導率が低下すると共に抗折強度が劣化
し、99.8重量%を超えると焼結助剤が少なくなり焼
結不足となる。Y2O3が0.1重量%未満であると、
有効量の炭化物を含むA1N成形体を充分に緻密化させ
ることができない。また、10重量%をこえるとY2O
,を立体とする粒界相が多くなり、熱伝導が低下してし
まう。
また、上記炭化物(B a C+ T I C、Z n
C又はTaC)が0.1重量%未満であるとフォノン
散乱を制御する効果が少なく、5重量%を超えると逆に
粒界の変化物量が多(なり過ぎて逆にフォノン散乱が増
大して熱伝導率が低下すると共に相対密度が小さくなる
。
C又はTaC)が0.1重量%未満であるとフォノン
散乱を制御する効果が少なく、5重量%を超えると逆に
粒界の変化物量が多(なり過ぎて逆にフォノン散乱が増
大して熱伝導率が低下すると共に相対密度が小さくなる
。
焼成温度は、1600℃より低い場合には焼結が不十分
で焼結体の緻密化が進まず、また2100℃より高くな
ると昇華が激しく、分解し易くなる。また、焼成の雰囲
気は、非酸化性雰囲気でなければならない。酸化雰囲気
では、窒化アルミニウム粒体表面が酸化されて、酸化物
粒界相が増し、ボイドも多くなって、充分緻密化しかつ
熱伝導性の高い優良な窒化アルミニウム質焼結体を得る
ことはできなくなる。
で焼結体の緻密化が進まず、また2100℃より高くな
ると昇華が激しく、分解し易くなる。また、焼成の雰囲
気は、非酸化性雰囲気でなければならない。酸化雰囲気
では、窒化アルミニウム粒体表面が酸化されて、酸化物
粒界相が増し、ボイドも多くなって、充分緻密化しかつ
熱伝導性の高い優良な窒化アルミニウム質焼結体を得る
ことはできなくなる。
非酸化性雰囲気であってもアルゴン雰囲気等の場合、ホ
ウ素(B)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)又
はタンタル(Ta)の炭化物が粒界に生成される。
ウ素(B)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)又
はタンタル(Ta)の炭化物が粒界に生成される。
しかし乍ら、N2雰囲気の場合下記式に示すように窒化
物へ変換されているものと考えられる。
物へ変換されているものと考えられる。
BaC+2Nz →4111N +C2Tic+N
2 →2TiN+2C 2ZrC+Nz−” 2ZrN +2Gこの場合、
カーボン(C)は例えばフリーカーボンとしてA1N中
の不純物酸素をCO□として除去するのに役立つ。また
TaCは窒化物へ変換する可能性は小さいと考えられる
。
2 →2TiN+2C 2ZrC+Nz−” 2ZrN +2Gこの場合、
カーボン(C)は例えばフリーカーボンとしてA1N中
の不純物酸素をCO□として除去するのに役立つ。また
TaCは窒化物へ変換する可能性は小さいと考えられる
。
上記の理由からホウ素(B)、チタン(Ti)、ジルコ
ニウム(Zr)又はタンタル(Ta)の炭化物を含む混
合粉体をN2雰囲気中で焼成した場合、A1N焼結体の
粒界相中上記の金属が炭化物以外に窒化物として存在す
ることから、始めから窒化物として添加する場合が考え
られた。しかしこの場合前記したようにA1N中の不純
物酸素をCO□として除去するためのC成分が存在しな
いので炭化物添加と同様の結果は得られないものと考え
られる。
ニウム(Zr)又はタンタル(Ta)の炭化物を含む混
合粉体をN2雰囲気中で焼成した場合、A1N焼結体の
粒界相中上記の金属が炭化物以外に窒化物として存在す
ることから、始めから窒化物として添加する場合が考え
られた。しかしこの場合前記したようにA1N中の不純
物酸素をCO□として除去するためのC成分が存在しな
いので炭化物添加と同様の結果は得られないものと考え
られる。
本発明で得られた窒化アルミニウム質焼結体の組成は多
数の微細なA1N結晶(平均粒径1.5〜10μm)と
、その粒界相はイツトリウム(Y)化合物と、ホウ素(
B)、チタン(Tt)、ジルコニウム(Zr)又はタン
タル(Ta)の少なくとも1種の化合物とが共存した結
晶からなっている。
数の微細なA1N結晶(平均粒径1.5〜10μm)と
、その粒界相はイツトリウム(Y)化合物と、ホウ素(
B)、チタン(Tt)、ジルコニウム(Zr)又はタン
タル(Ta)の少なくとも1種の化合物とが共存した結
晶からなっている。
本発明においては、焼結助剤としてイツトリアの他に、
特定量の炭化物が配合されていることが必須であるが、
この炭化物は常に他から積極的に加えなければならない
ものではなく、窒化アルミニウム粉末原料に予め含んで
いるものでもよい。
特定量の炭化物が配合されていることが必須であるが、
この炭化物は常に他から積極的に加えなければならない
ものではなく、窒化アルミニウム粉末原料に予め含んで
いるものでもよい。
これにより高熱伝導性窒化アルミニウム質焼結体が得ら
れるものである。
れるものである。
この理論の解明は未だなされていないが、本発明によれ
ば、比較的純度の高くない窒化アルミニウム原料粉末を
使用しても純度の高い窒化アルミニウム原料粉末を用い
た窒化アルミニウム質焼結体と同等の高熱伝導性が得ら
れ、製造コストが低減できる。もちろん高純度のものを
使用すれば更に高熱伝導性が向上する。
ば、比較的純度の高くない窒化アルミニウム原料粉末を
使用しても純度の高い窒化アルミニウム原料粉末を用い
た窒化アルミニウム質焼結体と同等の高熱伝導性が得ら
れ、製造コストが低減できる。もちろん高純度のものを
使用すれば更に高熱伝導性が向上する。
(実施例)
平均粒径1.2μm、純度97.0$の窒化アルミニウ
ム(A1N)粉末(酸素含有量1.5重量%)を主成分
とし、これに平均粒径0.8μmのYtO3粉末(3重
量%)と、平均粒径(3u m以下)のBaC,TtC
ZrC+及びTaCを夫々第1表に示された量比(0,
5及び3重量%)で添加混合し、これに更にバインダー
反してパラフィンワックス6重量%とステアリン酸1重
量%を加えて混合したものを、成形圧1000Kg/
CrAでプレス成形した。
ム(A1N)粉末(酸素含有量1.5重量%)を主成分
とし、これに平均粒径0.8μmのYtO3粉末(3重
量%)と、平均粒径(3u m以下)のBaC,TtC
ZrC+及びTaCを夫々第1表に示された量比(0,
5及び3重量%)で添加混合し、これに更にバインダー
反してパラフィンワックス6重量%とステアリン酸1重
量%を加えて混合したものを、成形圧1000Kg/
CrAでプレス成形した。
次に得られた成形体を常法により脱バインダーした後、
窒素雰囲気中(1気圧)で1860℃、30分加熱焼成
して窒化アルミニウム質焼結体を得た。更に、上記と同
様の窒化アルミニウム粉末の主成分にY2O3粉末3重
量%を単味で添加、混合しく炭化物添加量0重量%)、
上記本発明実施例の比較例とした。
窒素雰囲気中(1気圧)で1860℃、30分加熱焼成
して窒化アルミニウム質焼結体を得た。更に、上記と同
様の窒化アルミニウム粉末の主成分にY2O3粉末3重
量%を単味で添加、混合しく炭化物添加量0重量%)、
上記本発明実施例の比較例とした。
これら焼結体のカサ密度をアルキメデス法で、熱伝導率
をレーザーフラッシュ法で測定したところ、第1表に示
したような結果が得られた。
をレーザーフラッシュ法で測定したところ、第1表に示
したような結果が得られた。
また、前記表に記載の各試料を、第1図に試料番号を付
して図示した。
して図示した。
第1表及び第1図〜第4図から理解されるように、A1
N−YzOi系に炭化物を若干添加したものはAlN−
Y2O3系のみ(熱伝導率80W/m ’に)は炭化物
添加量の0.5重量%をピークとして熱伝導率向上(熱
伝導率80W/m ’ K以上)の効果が認められ、ま
たカサ密度は90%以上を充分保持している。但し、B
4Cについては1.5重量%の添加は、Y2O,単味添
加よりは劣るが60W/m ’ K以上の熱伝導率は
得られる。
N−YzOi系に炭化物を若干添加したものはAlN−
Y2O3系のみ(熱伝導率80W/m ’に)は炭化物
添加量の0.5重量%をピークとして熱伝導率向上(熱
伝導率80W/m ’ K以上)の効果が認められ、ま
たカサ密度は90%以上を充分保持している。但し、B
4Cについては1.5重量%の添加は、Y2O,単味添
加よりは劣るが60W/m ’ K以上の熱伝導率は
得られる。
以上の焼結体は常圧法によったが、ホットプレス法によ
って行っても同様の傾向の試験結果が得られ、その場合
は焼結体の密度が一層高められるので、熱伝導性も全般
に上昇する。
って行っても同様の傾向の試験結果が得られ、その場合
は焼結体の密度が一層高められるので、熱伝導性も全般
に上昇する。
なお、グリーン体の成形は、プレス成形のほか、テープ
成形、鋳込成形によっても行われる。
成形、鋳込成形によっても行われる。
(発明の効果)
以上、従来高純度な窒化アルミニウム粉末原料や種々の
焼結助剤を使用しなければ高熱伝導性窒化アルミニウム
質焼結体が得られなかったのに対し、本発明によれば前
記特定範囲のY2O3=炭化物の単純な焼結助剤使用に
よって、比較的純度の高くない窒化アルミニウム粉末原
料から高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られるの
である。
焼結助剤を使用しなければ高熱伝導性窒化アルミニウム
質焼結体が得られなかったのに対し、本発明によれば前
記特定範囲のY2O3=炭化物の単純な焼結助剤使用に
よって、比較的純度の高くない窒化アルミニウム粉末原
料から高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体が得られるの
である。
したがって本発明は、従来法に比し、非常に有利性の高
いものである。
いものである。
図面は第1表に示す本発明の実施例及び比較例をプロッ
トしたものであり、第1図はB4−C添加系、第2図は
Tic添加系、第3図はZrC添加系及び第4図はTa
C添加系の熱伝導率及びカサ密度を示すグラフ図である
。
トしたものであり、第1図はB4−C添加系、第2図は
Tic添加系、第3図はZrC添加系及び第4図はTa
C添加系の熱伝導率及びカサ密度を示すグラフ図である
。
Claims (2)
- (1)窒化アルミニウム(A1N)の粒界相にイットリ
ウム(Y)化合物と、ホウ素(B)、チタン(Ti)、
ジルコニウム(Zr)又はタンタル(Ta)の炭化物又
は窒化物のうち少なくとも1種とが共存していることを
特徴とする窒化アルミニウム質焼結体。 - (2)窒化アルミニウム(A1N)85〜99.8重量
%と、酸化イットリウム(Y_2O_3)0.1〜10
重量%と、ホウ素(B)、チタン(Ti)、ジルコニウ
ム(Zr)又はタンタル(Ta)の炭化物のうち少なく
とも1種0.1〜5重量%とからなる混合粉体を成形後
、非酸化性雰囲気中1600〜2100℃で焼成する事
を特徴とする窒化アルミニウム質焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60268550A JPH0717453B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60268550A JPH0717453B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62128971A true JPS62128971A (ja) | 1987-06-11 |
JPH0717453B2 JPH0717453B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=17460087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60268550A Expired - Lifetime JPH0717453B2 (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0717453B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPH01153573A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
EP0393524A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-24 | Kawasaki Steel Corporation | Method of making a sintered body of aluminium nitride |
JPH02271967A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
JPH02271969A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPH0753267A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-02-28 | Shinagawa Refract Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
JPH07176655A (ja) * | 1985-06-28 | 1995-07-14 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体放熱板及びその製造方法 |
EP1314707A2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-05-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
JP2003221279A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 |
CN107195834A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-09-22 | 江苏万达新能源科技股份有限公司 | 一种具有减震功能的安全性高的动力电池铝壳 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131583A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-28 | ヴエ−・ツエ−・ヘレウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクタ−・ハフツング | セラミツク担体 |
JPS6071575A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JPS6096578A (ja) * | 1983-10-15 | 1985-05-30 | ヴエー・ツエー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクター・ハフツング | 温度平衡材の製法 |
JPS60127267A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS60195059A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体 |
JPS6131360A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-13 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
JPS6163572A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
JPS61215264A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS61270262A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS61281074A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | 日本特殊陶業株式会社 | メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS6252191A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-06 | 東芝タンガロイ株式会社 | セラミツクス焼結体の塑性加工方法 |
JPS6256376A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60268550A patent/JPH0717453B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59131583A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-28 | ヴエ−・ツエ−・ヘレウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクタ−・ハフツング | セラミツク担体 |
JPS6071575A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
JPS6096578A (ja) * | 1983-10-15 | 1985-05-30 | ヴエー・ツエー・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクター・ハフツング | 温度平衡材の製法 |
JPS60127267A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS60195059A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体 |
JPS6131360A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-13 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
JPS6163572A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
JPS61215264A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS61270262A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS61281074A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | 日本特殊陶業株式会社 | メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS6252191A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-06 | 東芝タンガロイ株式会社 | セラミツクス焼結体の塑性加工方法 |
JPS6256376A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | 株式会社トクヤマ | 複合焼結体の製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176655A (ja) * | 1985-06-28 | 1995-07-14 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体放熱板及びその製造方法 |
JPS62153173A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPH01153573A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
JPH02271967A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
JPH02271969A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlN質焼結体 |
EP0393524A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-24 | Kawasaki Steel Corporation | Method of making a sintered body of aluminium nitride |
JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPH0753267A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-02-28 | Shinagawa Refract Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
EP1314707A2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-05-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
JP2003221279A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-08-05 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 |
EP1314707A3 (en) * | 2001-11-26 | 2003-10-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
US6884742B2 (en) | 2001-11-26 | 2005-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
JP4493264B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 |
CN107195834A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-09-22 | 江苏万达新能源科技股份有限公司 | 一种具有减震功能的安全性高的动力电池铝壳 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0717453B2 (ja) | 1995-03-01 |
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