JPH042663A - 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents

高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

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JPH042663A
JPH042663A JP2101396A JP10139690A JPH042663A JP H042663 A JPH042663 A JP H042663A JP 2101396 A JP2101396 A JP 2101396A JP 10139690 A JP10139690 A JP 10139690A JP H042663 A JPH042663 A JP H042663A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、IC基板材料、パッケージ材料をはじめと
する電子材料等に使用されるセラミックス焼結体に関し
、特に高熱伝導性を有し、かつ着色を呈する窒化アルミ
ニウム焼結体およびその製造方法に関するものである。
[従来の技術] [発明が解決しようとする課題]最近
、大規模集積回路装置(LSI)に関する技術の進歩は
目覚ましく、特に集積度の向上は著しいものである。こ
の集積度の向上と、さらにICチップサイズの大型化に
伴って、ICチップが搭載されるパッケージあたりの発
熱量が増大している。このため、半導体装置用パッケー
ジ等に用いられる基板材料の放熱性が重要視されるよう
になってきた。また、従来、ICの基板として広く用い
られてきたアルミナ焼結体の熱伝導率では、その放熱性
が十分でなく、ICチップの発熱量の増大に対応できな
くなりつつある。このアルミナ焼結体に代わるものとし
て、高熱伝導性を有するベリリアが検討されているが、
ベリリアは毒性が強(、その取扱いが困難であるという
欠点を有する。
一方、窒化アルミニウム(AtN)焼結体は、本来、材
質的に高熱伝導性、高絶縁性を有し、毒性もないため、
半導体装置用の回路基板材料あるいはパッケージ材料と
して注目を集めている。
一般に、AtN焼結体中の不純物含有量を低下させるこ
とにより、熱伝導性や電気絶縁性に優れたAtN焼結体
を得ることが広く行なわれている。
このような焼結体は、透光性にも優れているので、これ
らを実用的に用いる場合、光フィルタ等の用途に用いる
には好ましい。その反面、パッケージ等の用途に用いる
には、紫外線の透過がICの誤動作を招くため、大きな
問題となっている。
その対策として、着色を呈するAtN焼結体の研究が種
々試みられており、その成功例について数例報告されて
いる。
その−例として、特開昭63−233079号公報にお
いて、黒色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
が開示されている。これによれば、黒色を呈するAtN
焼結体の組成およびその製造方法について開示されてお
り、AiN粉末にタンゲステン酸カルシウム粉末および
/またはモリブデン酸カルシウム粉末とを特定量添加し
、混合成形した後、非酸化性雰囲気中において焼成する
ことにより、黒色AtN焼結体が得られることが記述さ
れている。
さらに、特開昭63−310772号公報によれば、A
tN粉末と、金属モリブデンまたはモリブデン化合物を
添加剤として焼結することにより、黒色AtN焼結体が
得られることが記述されている。しかしながら、上記2
つの公報に開示された窒化アルミニウム焼結体の熱伝導
率は100W/m・K程度と低いものである。
AtNは、酸素等の不純物を取込みやすい。このため、
高純度のAtN粉末を用いることにより、高熱伝導化が
追求されているのが一般的である。
したがって、着色を呈させるために上記のような物質を
添加することは、熱伝導率低下の要因となる。これによ
り、高熱伝導率を有する着色AtN焼結体を得ることは
できないという問題点があった。
しかしながら、高い出力を有するICチップが搭載され
る基板材料に対しては、ICチップの温度上昇に起因す
るICの誤動作を抑制するために、基板の要求特性とし
て放熱性を改善する観点から高熱伝導性が要求される。
これと同時に、紫外線透過に起因するICの誤動作を抑
制するために、基板の要求特性として着色化が要求され
る。ところが、上述のように、従来の技術によれば、I
Cチップの基板材料に課せられた2つの要求特性を同時
に満足し得るセラミックス基板を提供することは困難で
あった。
そこで、この発明の目的はICパッケージ材料や基板材
料等の電子材料として有用であり、着色を呈するととも
に熱伝導率に優れた窒化アルミニウム焼結体およびその
製造方法を提供することである。
[課題を解決するための手段およびその作用コ本願発明
者等は、上記の事情に鑑み、高熱伝導性と着色の相反関
係にある2つの特性を同時に具備するAtN焼結体につ
いて鋭意検討を行なった結果、以下の2点を見い出した
(a)  焼結体中における炭素の存在が焼結体の着色
化に対して有効であること。
(b)  希土類酸化物と酸化アルミニウムとの複合酸
化物である希土類アルミニウム酸化物と、周期律表IV
B、VB、VIB族元素の化合物とを焼結体中に所定の
組成量含有させるとともに、特定量の炭素が含まれてい
る場合には、常温での熱伝導率が100W/m・K以上
270W/m・K以下の高い値を示し、同時にその焼結
体が着色を呈すること。
この発明に従った窒化アルミニウム焼結体の特定された
組成とは、AtNを100重量部、炭素を0.005重
量部以上0.5重量部以下、希土類アルミニウム酸化物
を希土類元素単体に換算して0.01重量部以上15重
量部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素
を含む化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種を
その元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部
以下含有することである。ここで、周期律表IVB族元
素とは、Ti5ZrSHfをいう。周期律表VB族元素
とは、V、Nb、Taをいう。周期律表■B族元索とは
、Cr、Mo、Wをいう。
希土類元素としては、5cSY、La、Ce。
P rSNd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、HOl
Er、Yb、Luを挙げることができる。希土類アルミ
ニウム酸化物は、添加した希土類元素酸化物と、AtN
中に不純物として存在するアルミニウム酸化物との化学
反応により生成され、焼結体中に存在するものである。
その存在効果は希土類元素の種類によって差異はないが
、耐薬品性をはじめとする信頼性に優れた焼結体を得る
ためには、Sc、YSLa、Ceのいずれかの希土類元
素を添加することが好ましい。
窒化アルミニウム焼結体中の炭素含有量は、窒化アルミ
ニウム100重量部に対して、0.005重量部以上0
. 5重量部以下の範囲内に限定される。この範囲の下
限値より少ない炭素含有量であると、高い熱伝導率を有
する焼結体を得ることができなくなるからである。逆に
、この範囲の上限値を越えた炭素含有量であると、炭素
が焼成時において希土類アルミニウム酸化物の液相を還
元するため、液相を介した物質移動が阻害され、結果的
に緻密な焼結体を得ることができないためである。
この発明の1つの局面に従った高熱伝導性着色窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法によれば、まず、100重量
部の窒化アルミニウムに、炭素を0.01重量部以上5
重量部以下、希土類元素酸化物を希土類元素単体に換算
して0.01重量部以上15重量部以下、および周期律
表IVB、VB。
VIB族元素の酸化物、炭化物、窒化物からなる群より
選ばれた少なくとも1種をその元素単体に換算して0.
01重量部以上15重量部以下添加することにより混合
物が得られる。この混合物を所定の形状に成形して成形
体を得る。この成形体を非酸化性の雰囲気中において1
500℃以上2100℃以下の温度で焼成する。
炭素の添加量は、添加される炭素の種類のほか、A、L
N原料粉末中の酸素量や焼成条件等も含めて総合的に決
定される。100重量部の窒化アルミニウムに対して炭
素を0.01重量部以上5重量部以下としたのは、上述
の理由と同様である。なお、添加炭素量の下限を0.0
1重量部とするのは、最終的に得られる窒化アルミニウ
ム焼結体中に存在する炭素量を0.005重量部以上に
するためである。
ここで用いられる炭素としては、カーボンブラックやコ
ークス、グラファイト粉末、ダイヤモンド粉末等を挙げ
ることができる。また、窒化アルミニウム未焼結体中に
均一に分散させること等を目的として、特定粒度、特定
比表面積、特定PH1特定揮発成分等に限定して炭素を
使用することが望ましい。特に、200m2/g以上の
BET値を有する微粉のカーボンブラックを用いること
は効果的である。ここで、BET値とは、吸着法によっ
て測定された比表面積の1つの値をいう。
焼成温度を1500℃以上としたのは、その温度以下で
は、焼結体の緻密化速度が遅く、経済性の低下を招くた
めである。また、焼成温度が2100℃を越えると、窒
化アルミニウムの分解・蒸発が顕著になるため緻密な焼
結体を得ることが困難になるからである。希土類アルミ
ニウム酸化物は、希土類元素酸化物と酸化アルミニウム
との反応により生成する。この希土類アルミニウム酸化
物の液相を介した物質移動により、AtHの粒成長が進
行する。そのため、この液相の発生温度、すなわち希土
類アルミニウム酸化物の融点が2100℃以上であると
、AINが分解・蒸発することにより、緻密な焼結体を
得ることは困難である。
炭素添加による着色窒化アルミニウム焼結体の高熱伝導
化のメカニズムは以下のように考えられる。従来の方法
のように、周期律表IVB、VB。
■B族元素の化合物を未焼結体中に添加して焼成した場
合、希土類アルミニウム酸化物の液相の窒化アルミニウ
ム粒子に対する濡れ性が悪い。また、周期律表IVB、
VB、VIB元素の化合物は、AtN粒子に対して濡れ
性が悪いため、焼結体の粒界部分に存在し、焼結体の着
色化に寄与する。それと同時に一方、その一部は酸素を
伴ってAtN粒子内に固溶する。さらに、これらの元素
化合物が酸素を伴ってAtN粒子内に固溶し、かつ希土
類アルミニウム酸化物の液相に対するAILN粒子の濡
れ性が悪い場合には、AtN粒子から酸素を希土類アル
ミニウム酸化物の液相にトラップすることは困難である
。液相によりトラップされなかった酸素は、AtN焼結
体粒子内に固溶し、Atの酸窒化物(A I!、(5I
//3tx/3) 04−x Nx ) 、スピネル(
A1903N7)、α−AL203等を生成し、たとえ
焼結体が緻密であっても熱伝導率を大幅に低下させるこ
とが知られている。
これに対し、炭素を添加すると、周期律表IVB。
VB、VIB族元素の化合物の一部がAtN粒子内に固
溶する際に伴われて同時にAtN粒子に固溶される酸素
を還元し、系外に除去する役割を炭素が有することが本
願発明者等によって明らかとなった。さらに驚くことに
、周期律表IVB、VB。
VIB族元素の化合物の固溶したAtN粒子に対する液
相の濡れ性が損なわれず、酸素のトラップが十分に行な
われるため、高熱伝導性の焼結体が得られる。これと同
時に、焼結体中に炭素が存在すると、その炭素は、焼結
体中を透過する可視光線を散乱し、焼結体の着色化に対
しても有効である。
さらに、周期律表IVB、VB、VIB族元素の化合物
を添加することによってこの着色化の効果が失われるこ
とがないので、高熱伝導性でかつ着色の焼結体が得られ
るものと考えられる。
周期律表IVB、VB、VIB族元素の化合物としては
、酸化物、炭化物、窒化物のほか、焼成により上記化合
物を生じさせる化合物、たとえば、周期律表IV−B、
VB、VIB族元素の硝酸塩、蓚酸塩等の無機化合物や
アルコキシド等の有機金属化合物を用いてもその効果に
変わりはない。さらにその化合物の粒径は小さいほど着
色化に対して有効である。特に0.05〜1μm程度の
粒径を有するものが好ましく使用される。この化合物の
粒径は、使用されるAIN粉末の粒径の20倍程度まで
であれば問題なく使用され得る。
この発明のもう1つの局面に従った高熱伝導性着色窒化
アルミニウム焼結体の製造方法によれば、まず、100
重量部の窒化アルミニウムに、炭素を遊離する化合物を
遊離炭素量に換算して0.01重量部以上5重量部以下
、希土類元素酸化物を希土類元素単体に換算して0.0
1重量部以上15重量部以下、および周期律表IVB、
VB、VIB族元素の酸化物、炭化物、窒化物からなる
群より選ばれた少なくとも1種をその元素単体に換算し
て0.01重量部以上15重量部以下添加して混合物を
得る。この混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る
。この成形体を非酸化性の雰囲気中において150℃以
上1500℃以下の温度で加熱して炭素を遊離させる。
その後、その成形体を非酸化性雰囲気中において150
0℃以上2100℃以下の温度で焼成する。
炭素を遊離する化合物としては、脂肪酸化合物、芳香族
化合物をはじめとする有機化合物や、スチレン樹脂、ア
クリル樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂をはじめと
する高分子化合物等を挙げることができる。本発明にお
いては、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアルコール
、ポリビニルブチラール、ポリエチレンテレフタレート
、グルコース、フルクトースおよびサッカロースのいず
れか1種もしくはその混合物を用いるのが好ましい。
この第2の製造方法は、前述の第1の方法では未焼結体
中に炭素を含有させるのに対して、炭素を遊離する化合
物を含有させる点にその特徴がある。この第2の製造方
法によれば、未焼結体中に均一に分散させる炭素を遊離
する化合物を適宜選択することにより、得られる焼結体
中の炭素の分布を均一にし、焼結体の組成、色調等のむ
らを少なくすることができる。
この発明のさらにもう1つの局面に従った高熱伝導性着
色窒化アルミニウム焼結体の第3の製造方法によれば、
100重量部の窒化アルミニウムに、希土類元素酸化物
を希土類元素単体に換算して0.01重量部以上15重
量部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素
の酸化物、炭化物、窒化物からなる群より選ばれた少な
くとも1種をその元素単体に換算して0.01重量部以
上15重量部以下添加して混合物を得る。この混合物を
所定の形状に成形し、成形体を得る。この成形体を、炭
化水素ガスを10体積%以上100体積%以下含む非酸
化性の雰囲気中において1500℃以上2100℃以下
の温度で焼成する。
炭化水素ガスは、酸素を化学反応により系外に除去する
目的で導入されるものである。そのため、炭素を含むガ
スであればその効果に変わりはないが、本発明ではメタ
ンガス、エチレンガス、アセチレンガス、プロパンガス
、ブタンガスのいずれかを用いるのが好ましい。
前述の第1および第2の製造方法は、混合物を成形し、
その成形体に炭素もしくは炭素を遊離する化合物を添加
することにより、周期律表IVB。
VB、VIB族元素の化合物の一部がAtN粒子内に固
溶する際に伴う酸素を炭素との固相反応により系外に除
去する。これに対し、この第3の製造方法においては、
周期律表TVBSVB、VIB族元素の化合物の一部が
AtN粒子内に固溶する際に伴う酸素を炭化水素ガスと
の気相反応により系外に除去することにその特徴がある
。これらの炭化水素ガスは、炭素や化合物より遊離した
炭素に比べて反応性が高く、周期律表IVB、VB、V
IB族元素の化合物の一部がAiN粒子内に固溶する際
に伴う酸素を効率良く短時間に還元し、系外に除去する
。このため、比較的短い焼成パターンを用いた場合にお
いても、高い熱伝導率を有する着色窒化アルミニウム焼
結体を得ることができる。さらに、第1および第2の製
造方法では、炭素もしくは炭素を遊離する化合物の分散
状態によっては焼結体の組成、色調等にむらが生じる場
合があるのに対し、この第3の製造方法によればそのむ
らが生じる場合が極めて少ない。
希土類元素酸化物を希土類元素単体に換算して0.01
重量部以上15重量部以下添加して、得られる窒化アル
ミニウム焼結体中に希土類アルミニウム酸化物を希土類
元素単体に換算して同一範囲内で含有させるのは、以下
の理由による。この範囲の下限値より少ないと、複合酸
化物としての希土類アルミニウム酸化物の液相の絶対量
が不十分であるため、緻密な焼結体を得ることができな
いためである。逆に、この範囲の上限値より多いと、過
剰な液相が焼結体表面に染み出すため、得られる焼結体
の色調が斑点状等の不安定なものとなるなどの問題か生
じるからである。
周期律表IVB、VB、VIB族元素の酸化物、炭化物
、窒化物からなる群より選ばれた少なくとも1種を希土
類元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以
下添加し、得られる窒化アルミニウム焼結体中に同一範
囲内でその元素を含む化合物を含有させるのは以下の理
由による。この範囲の下限値より少ないと、得られる焼
結体の着色が不十分であるからである。逆に、この範囲
の上限値より多いと、複合酸化物としての希土類アルミ
ニウム酸化物の液相にこれらの元素の化合物が溶は込み
、AtN粒子に対する濡れ性を著しく阻害するため緻密
な焼結体を得ることができないからである。
本発明による効果を得るためには、上述の成分のみを窒
化アルミニウムに添加するだけ十分であるか、未焼結体
の成形性を向上させるため、PVA、PVBSPMMA
をはじめとするアクリル樹脂、パラフィン等の公知のバ
インダを用いることも可能である。また、機械加工性等
の諸特性の向上のために、六方晶BNをAlN100重
量部に対し、最大50重量部含んでもよい。
また、この発明の窒化アルミニウム焼結体の製造方法に
おいて所定の組成からなる混合物を成形する工程は、ド
クターブレード法、プレス成形法、CIP (Cold
  1sostatic  pressing)成形法
等のいずれの成形方法を採用してもよい。
このようにして得られた高熱伝導性着色窒化アルミニウ
ム焼結体は、従来より問題のあった熱伝導性と着色とに
ついて相反する要求を同時に解決したものである。この
窒化アルミニウム焼結体からなる基板の上にICチップ
を搭載すると、ICチップの発熱による温度上昇と外部
からの紫外線の透過を抑制することができる。その結果
、ICの誤動作を低減させることができる。なお、基板
の形態としては、従来より広く知られているDIP  
(Dua 1−in−1ine   package)
、サーデイツプ(ceramic  dual  1n
−1ine   package) 、LCC(lea
dless  chip  carrier)、フラッ
トパッケージ、PGA(pin  gridarray
)、サークワットパッケージ、ハイブリッドパッケージ
、マザーボード等を用いることができる。これらのいず
れの形態においても基板の高熱伝導性かつ着色という特
性が損なわれることはない。さらに、これらの形態で基
板材料として本発明の窒化アルミニウム焼結体を用いる
場合、タングステン等により構成される導体層やガラス
により構成される封着層、あるいは薄膜回路を備えるの
が一般的である。この発明の窒化アルミニウム焼結体を
用いて基板を構成しても、導体層、封着層、薄膜回路の
もたらす効果が損なわれることはない。
[実施例] 実施例1 平均粒径1μmのAtN粉末100重量部に対して、B
ET値が500m2/gのカーボンブラック1重量部、
酸化イツトリウムをイツトリウム単体に換算して1重量
部、酸化チタンをチタン単体に換算して1重量部添加し
た。この粉末に結合剤と可塑剤と解膠剤と溶剤と湿潤剤
と静電防止剤とを加えた後、ボールミルによって混合し
た。可塑材としては、ジブチルフタレート(D、B、P
)、ベンジルブチルフタレート(B、  B、  P、
 )の混合物が用いられた。解膠剤としてはメンヘンデ
ン魚油を用いた。溶剤としてはトリクロロエチレン、エ
チルアルコール、メチルエチルケトンの混合物が用いら
れた。湿潤剤としては、モノオレイン酸グリセリンが用
いられた。このようにしてスラリーが作製された。この
スラリーを脱泡し、さら1こドクターブレード法1こよ
り、AtNのグリーンシートを作製した。
このグリーンシートを窒素雰囲気中で1800℃の温度
において3時間焼成することにより、黒色を呈する焼結
体を得た。
この焼結体の常温における熱伝導率をレーザフラッシュ
法により測定を行なったところ、その熱伝導率は150
W/m・Kであった。
さらに、焼結体中の炭素含有量、イツトリウム含有量、
チタン含有量を測定したところ、それぞれAtN100
重量部に対して0,03重量部、0.93重量部、0.
85重量部であった。このようにして得られた窒化アル
ミニウム焼結体を第1表および第2表において試料番号
1の試料とした。
同様に第1表に示される組成に従って配合を行ない、ド
クターブレード法によって成形体を作製し、1500〜
2100℃の範囲内の温度で焼成した。このようにして
得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼結体中の炭素含
有量、イッ) IJウム含有量、周期律表IVBSVB
、VIB族元素の含有量(添加物含有量)は第2表に示
されている。
比較例1 第3表に示される組成に従って配合し、上記実施例1と
同様の方法でドクターブレード法によって成形体を作製
した後、1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成し
た。
これによって得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼結
体中の炭素含有量、イツトリウム含有量、周期律表IV
B、VB、VIB族元素の含有量(添加物含有量)は第
4表に示されている。
実施例2 平均粒径1μmのAtN粉末100重量部に、炭素を遊
離する化合物としてポリビニルアルコールを所定量、酸
化イツトリウムをイツトリウム単体に換算して1重量部
、酸化チタンをチタン単体に換算して1重量部添加した
。この粉末に、結合剤、可塑剤、溶剤、湿潤剤をボール
ミルにより混合した。結合剤としては、エチレンビニル
アセテ−) (EVA)とポリプロピレン(P P)の
混合物が用いられた。可塑剤としては、ジブチルフタレ
ー) (D、  B、  P、 )、ベンジルブチルフ
タレート(B、  B、  P、 )の混合物が用いら
れた。溶剤としてはブチルアルコールが用いられた。こ
のようにして得られたスラリーをスプレードライ乾燥に
より造粒した後、1ton/cm2の圧力下においでプ
レス成形した。
得られた成形体を窒素雰囲気中において1000℃の温
度で10時間熱処理することにより炭素を遊離させた。
このときの遊離炭素量は、AlN100重量部に対して
0.88重量部であった。
その後、この成形体を窒素雰囲気中において2000℃
の温度で5時間焼成することにより、黒色を呈する焼結
体が得られた。
得られた焼結体を実施例1と同様の方法によって常温に
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、イツトリウム
含有量、チタン含有量を測定した。
その結果、熱伝導率は170W/m・Kであり、各成分
の含有量は、それぞれAlN100重量部に対してO’
、01重量部、0.85重量部、0゜88重量部であっ
た。このようにして得られた窒化アルミニウムの焼結体
は、第5表、第6表および第7表において試料番号31
として示されている。
同様にして、第5表に示される組成に従って配合を行な
い、プレス成形法によって成形体を作製した。各成形体
を第6表に示される条件に従って熱処理を行ない、炭素
を遊離させた。熱処理後のAtN100重量部に対する
炭素量は第6表に示されている。このように熱処理され
た各成形体は1500〜2100℃の範囲内の温度で焼
成された。
このようにして得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼
結体中の炭素含有量、イソh IJウム含有量、周期律
表IVB、VB、VIB族元素の含有量(添加物含有量
)は第7表に示されている。
実施例3 平均粒径1μmのAtN粉末100重量部に、酸化イツ
トリウムをイツトリウム単体に換算して1重量部、酸化
チタンをチタン単体に換算して1重量部添加した。この
粉末に解膠剤としてオクタジエンを加えた後、メチルイ
ソブチルケトン中においてボールミルを用いて混合した
。このようにして得られたスラリーを230℃の温度に
おいて乾燥し、CIP成形法を用いて成形体を作製した
この成形体を、30体積%のブタンガスを含み、その残
部がアンモニアガスである非酸化性雰囲気中において温
度1800℃で1時間焼成した。これにより黒色を呈す
る焼結体が得られた。
得られた焼結体を実施例1と同様の方法によって常温に
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、イツトリウム
含有量、チタン含有量が測定された。
その結果、熱伝導率は150W/m・Kであり、各成分
の含有量は、それぞれAtN100重量部に対して0.
01重量部、0.94重量部、0゜97重量部であった
。この窒化アルミニウム焼結体は、第8表、第9表およ
び第10表において試料番号55の試料として示されて
いる。
同様にして、第8表に示される組成に従って配合を行な
い、CIP成形法によって成形体を作製した。各成形体
を第9表に示される組成を有する非酸化性雰囲気中にお
いて1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成した。
このようにして得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼
結体中の炭素含有量、イツトリウム含有量、周期律表I
VB、VB、VIB族元素の含有量(添加物含有量)は
第10表に示されている。
実施例4 平均粒径1μmのAILN粉末100重量部に、六方晶
BNを20重量部、BET値が250m2/gのカーボ
ンブラックを1重量部、酸化スカンジウムをスカンジウ
ムに換算して1重量部、酸化チタンをチタン単体に換算
して1重量部添加した。
この粉末に結合剤、可塑剤、溶剤および湿潤剤を加えて
ボールミルにより混合した。結合剤としては、エチレン
ビニルアセテート(EVA)とボレプロピレン(P P
)の混合物が用いられた。可塑剤としては、ジブチルフ
タレート(D、B、P)とベンジルブチルフタレート(
B、B、P、)の混合物が用いられた。溶剤としてはブ
チルアルコールが用いられた。このようにして得られた
スラリーをスプレードライ乾燥により造粒した後、1t
on/am2の圧力でプレス成形した。この成形体を窒
素雰囲気中において1900’Cの温度で2時間焼成し
た。これにより黒色を呈する焼結体が得られた。
得られた焼結体を実施例1と同様の方法によって常温に
おける熱伝導率、焼結体中の炭素含有量、スカンジウム
含有量、チタン含有量を測定した。
その結果、熱伝導率は130W/m・Kであり、各成分
の含有量はそれぞれ、AtN100重量部に対して0,
02重量部、0.88重量部、0゜81重量部であった
。この窒化アルミニウム焼結体は、第11表および第1
2表において試料番号79の試料として示されている。
同様にして、周期律表IVB、VB、VIB元素を含む
化合物としてルチル型結晶を有する酸化チタンを用い、
第11表に示される組成に従って配合を行ない、プレス
成形法によって成形体を作製した。各成形体を1500
〜2100℃の範囲内の温度で焼成した。
このようして得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼結
体中の炭素含有量、希土類元素含有量、チタン含有量は
第12表に示されている。
実施例5 周期律表IVB、VB、VIB元素を含む化合物として
酸化タングステンを用い、第13表に示される組成に従
って配合を行ない、実施例1と同様のドクターブレード
法によって成形体を作製した。
各成形体を1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成
した。
このようにして得られた各焼結体の色調、熱伝導率、焼
結体中の炭素含有量、希土類元素含有量、タングステン
含有量は第14表に示されている。
比較例2 周期律表IVB、VB、VIB族元素を含む化合物とし
て酸化タングステンを用い、第15表に示される組成に
従って配合を行ない、実施例1と同様のドクターブレー
ド法によって成形体を作製した。
各成形体を1500〜2100℃の範囲内の温度で焼成
した。
このようにして得られた焼結体の色調、熱伝導率、焼結
体中の炭素含有量、希土類元素含有量、タングステン含
有量は第16表に示されている。
以上の各実施例と比較例によって得られた試料の熱伝導
率と色調を比較すると、本発明に従った試料においては
100W/m −K以上の熱伝導率を示し、かつ灰色ま
たは黒色の着色を呈したのに対し、比較例の試料におい
ては、黒色の着色を呈したものでは100W/m・K未
満の熱伝導率を示し、100W/m−Kを越える熱伝導
率を示したものは白色または斑点状の着色しか得られな
かった。
(以下余白) 第1表 箪 2 男 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第 表 第16表 実施例6 試料番号1と同一組成のグリーンシートを作製した。ま
た、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート
、エチルセルロース等の粘結剤、ブチルカルピトール、
α−テルピネオール等の溶剤を混合し、ビヒクルを作製
した。その後、平均粒径2μmのタングステン粉末とビ
ヒクルとを100対20の重量比で混合し、金属化ペー
ストを作製した。このようにして作製した金属化ペース
トをスクリーン印刷法によりグリーンシート上に塗布し
、シート加工、積層を行なった。その後、金属化ペース
トが塗布されたグリーンシートを、窒素雰囲気中におい
て1800℃の温度で1時間焼成した。さらに、このよ
うにして得られた焼結体にニッケルめっき、ろう付け、
金めつきを施し、フラットパッケージを作製した。
このフラットパッケージに金シリコン半田を用いて出力
2WのICチップを温度300℃の空気中において接合
実装した。このICチップに金ワイヤを用いて加熱超音
波ボンディング法によりボンディングした後、作動させ
たところ、ICチップの温度は52℃に留まった。この
温度は、試料番号25(比較例)と同一組成のグリーン
シートを用いて行なわれた上記と同様のテスト結果より
も13℃低い値であった。
また、配線間の絶縁抵抗を測定したところ、その値が1
014Ω・cmであり、極めて絶縁性が良好であること
がわかった。さらに、上記金属化ペーストにより形成さ
れたタングステン導体層と高熱伝導性着色アルミニウム
焼結体との密着強度を測定するために、金めつき後1m
m角の部分にワイヤを半田付けし、そのワイヤを基板に
対して垂直方向に引張る強度試験を行なったところ、3
゜5kg/mm2の値を示し実用上問題がないことが確
認された。
実施例7 試料番号1の焼結体上に金メタライズ処理を施し、低融
点ガラスを用いて鉄−ニッケルーコバルト合金製のリー
ドフレームを接合することにより、セラミックス・クワ
ッド−フラット舎パッケージ(QFP)を作製した。こ
のようにして得られたパッケージに、実施例6と同様の
方法により、出力2WのICチップを搭載して作動させ
たところ、ICチップの温度は56℃に留まっていた。
この温度は、試料番号25(比較例)の焼結体を用いて
同様に作製したセラミックス・クワッド・フラット・パ
ッケージによるテスト結果の値より21℃低かった。
また、配線間の絶縁抵抗を測定したところ、その値は1
014Ω・cmであり、極めてその絶縁性が良好である
ことが確認された。さらに、ヘリウムリークチエッカに
より気密性を測定したところ、その値は1×10−81
0−8at/secであり、実用上問題のないレベルで
あることが確認された。
実施例8 試料番号1の焼結体上に金メタライズ処理を施し、低融
点ガラスを用いて鉄−ニッケルーコバルト合金製のリー
ドフレームを接合させることにより、セラミックスQF
Pを作製した。また、ポリイミドフィルム上に銅配線パ
ターンを形成し、金バンプを用いて出力2WのICチッ
プを搭載した。
これを、金シリコン半田を用いて温度300℃の空気中
においてセラミックスQFP上に接合実装した。その後
、ICチップを作動させたところ、ICチップの温度は
60℃に留まった。この値は、試料番号25(比較例)
と同一組成のグリーンシートから作製したセラミックス
QFPにおけるテスト結果よりも26℃低かった。
また、配線間の絶縁抵抗を測定したところ、その値は1
014Ω・cmであり、極めて絶縁性が良好であること
が確認された。さらに、ヘリウムリークチエッカにより
気密性を測定したところ、その値は1×10−810−
8at/secであり、実用上問題のないことが確認さ
れた。
実施例9 試料番号1と同一組成のグリーンシートを作製した。ま
た、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート
、エチルセルロース等の粘結剤、ブチルカルピトール、
α−テルピネオール等の溶剤を混合し、ビヒクルを作製
した。その後、平均粒径2μmのタングステン粉末とビ
ヒクルを100対20の重量比で混合し、金属化ペース
トを作製した。このようにして作製した金属化ペースト
を、スクリーン印刷法によりグリーンシート上に塗布し
、シート加工、積層を行なった。金属化ペーストが塗布
されたグリーンシートを窒素雰囲気中において温度17
50℃で2時間焼成した。さらに、ニッケルめっき、ろ
う付け、金めつきを焼結体に施し、PGA (ピングリ
ッドアレイ)を作製した。
このようにして得られたパッケージに、金シリコン半田
を用いて出力2WのICチップを温度300℃の空気中
において接合実装した。金ワイヤを用いて加熱超音波ホ
ンディング法によりICチップをボンディングした後、
作動させたところ、ICチップの温度が30℃に留まっ
た。この値は、試料番号25(比較例)と同一組成のグ
リーンシートから作製されたフラットパッケージを用い
た場合のテスト結果よりも9℃低かった。
また、配線間の絶縁抵抗を測定したところ、その値は1
014Ω・Cmであり、極めて絶縁性が良好であること
が確認された。さらに、上記金属化ペーストにより形成
されたタングステン導体層と高熱伝導性窒化アルミニウ
ム焼結体との密着強度を測定するために、その導体層を
介して基板に接合された鉄−ニッケルーコバルト合金製
のピンを基板に対して垂直方向に引張る強度試験を行な
ったところ、3.7kg/mm2の値を示し、実用上問
題のないレベルが確認された。
実施例10 試料番号1と同一組成のグリーンシートを作製した。ま
た、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレート
、エチルセルロース等の粘結剤、ブチルカルピトール、
α−テルピネオール等の溶剤を混合し、ビヒクルを作製
した。その後、平均粒径2μmのタングステン粉末とビ
ヒクルとを100対20の重量比で混合し、金属化ペー
ストを作製した。このようにして作製された金属化ペー
ストを、スクリーン印刷法によりグリーンシート上に塗
布し、シート加工、積層を行なった。金属化ペーストが
塗布されたグリーンシートを窒素雰囲気中において温度
1850℃で3時間焼成を行なった。さらに、ニッケル
めっき、金めつきを焼結体に施し、LCC(リードレス
チップキャリア)を作製した。
このLCCに、金シリコン半田を用いて出力2WのIC
チップを温度300℃の空気中において接合実装した。
金ワイヤを用いて加熱超音波ボンディング法によりIC
チップをボンディングした後、作動させたところ、IC
チップの温度は33℃に留まった。この値は、試料番号
25(比較例)と同一組成のグリーンシートから作製し
たフラットパッケージを用いてテストした場合の結果よ
りも12℃低かった。
また、配線間の絶縁抵抗を測定したところ、その値は1
0!4Ω・cmであり、極めて絶縁性が良好であること
が確認された。さらに、上記金属化ペーストにより形成
されたタングステン導体層と高熱伝導性着色窒化アルミ
ニウム焼結体との密着強度を測定するために、その導体
層の上に金めつきを施した後、1mm角の部分にワイヤ
を半田付けし、基板と垂直方向にそのワイヤを引張る強
度試験を行なったところ、3.8kg/mm”の値を示
し、実用上問題のないレベルであることが確認された。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、着色を呈し、かつ優れ
た熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ること
ができる。この発明の窒化アルミニウム焼結体は、IC
パッケージ材料や基板材料等の電子材料として有用であ
り、その工業的価値は高いものである。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウムを100重量部、炭素を0.0
    05重量部以上0.5重量部以下、希土類アルミニウム
    酸化物を希土類元素単体に換算して0.01重量部以上
    15重量部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元
    素を含む化合物からなる群より選ばれた少なくとも1種
    をその元素単体に換算して0.01重量部以上15重量
    部以下、含み、その熱伝導率が常温において100W/
    m・K以上270W/m・K以下である、高熱伝導性着
    色窒化アルミニウム焼結体。
  2. (2)前記希土類元素は、スカンジウム、イットリウム
    、ランタンおよびセリウムのいずれかである、請求項1
    に記載の高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体。
  3. (3)100重量部の窒化アルミニウムに、炭素を0.
    01重量部以上5重量部以下、希土類元素酸化物を希土
    類元素単体に換算して0.01重量部以上15重量部以
    下、および周期律表IVB、VB、VIB族元素の酸化物、
    炭化物、窒化物からなる群より選ばれた少なくとも1種
    をその元素単体に換算して0.01重量部以上15重量
    部以下、添加し、混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
    、 前記成形体を非酸化性の雰囲気中において1500℃以
    上2100℃以下の温度で焼成する工程とを備えた、高
    熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  4. (4)100重量部の窒化アルミニウムに、炭素を遊離
    する化合物を遊離炭素量に換算して0.01重量部以上
    5重量部以下、希土類元素酸化物を希土類元素単体に換
    算して0.01重量部以上15重量部以下、および周期
    律表IVB、VB、VIB族元素の酸化物、炭化物、窒化物
    からなる群より選ばれた少なくとも1種をその元素単体
    に換算して0.01重量部以上15重量部以下、添加し
    、混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
    、 前記成形体を非酸化性の雰囲気中において150℃以上
    1500℃以下の温度で炭素を遊離させる工程と、 前記成形体を非酸化性の雰囲気中において1500℃以
    上2100℃以下の温度で焼成する工程とを備えた、高
    熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  5. (5)前記炭素を遊離する化合物は、ポリアクリルニト
    リル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、
    ポレエチレンテレフタレート、グルコース、フルクトー
    スおよびサッカロースからなる群より選ばれた少なくと
    も1種である、請求項4に記載の高熱伝導性着色窒化ア
    ルミニウム焼結体の製造方法。
  6. (6)100重量部の窒化アルミニウムに、希土類元素
    酸化物を希土類元素単体に換算して0.01重量部以上
    15重量部以下、および周期律表IVB、VB、VIB族元
    素の酸化物、炭化物、窒化物からなる群より選ばれた少
    なくとも1種をその元素単体に換算して0.01重量部
    以上15重量部以下、添加し、混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形し、成形体を得る工程と
    、 前記成形体を、炭化水素ガスを10体積%以上100体
    積%以下含む非酸化性の雰囲気中において1500℃以
    上2100℃以下の温度で焼成する工程とを備えた、高
    熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  7. (7)前記炭化水素ガスは、メタンガス、エチレンガス
    、アセチレンガス、プロパンガスおよびブタンガスのい
    ずれかである、請求項6に記載の高熱伝導性着色窒化ア
    ルミニウム焼結体の製造方法。
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