JPH02275770A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPH02275770A JPH02275770A JP1095384A JP9538489A JPH02275770A JP H02275770 A JPH02275770 A JP H02275770A JP 1095384 A JP1095384 A JP 1095384A JP 9538489 A JP9538489 A JP 9538489A JP H02275770 A JPH02275770 A JP H02275770A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、特に産業上の要求の高い、熱伝導率の高い窒
化アルミニウム焼結体の製造方法に関する。
化アルミニウム焼結体の製造方法に関する。
[従来の技術1
高熱伝導率A9.N焼結体は具体的には半導体用基板材
料を代表例として絶縁材14として使われる。
料を代表例として絶縁材14として使われる。
半導体の高集積化、高速化、高出力化などの動向に伴っ
て、以下のような問題がクローズアップされてきている
。すなわち、 二〇 半導体チップの発熱を如何に効率よく糸外に逃す
か。
て、以下のような問題がクローズアップされてきている
。すなわち、 二〇 半導体チップの発熱を如何に効率よく糸外に逃す
か。
■ 動作速度の向上につれて基板またはパッケージ部分
の信号の遅延が問題となる。
の信号の遅延が問題となる。
■ チップサイズの増大によりチップと基板との熱膨張
差が大きくなり、接合の信頼性が低下する。
差が大きくなり、接合の信頼性が低下する。
■ 亮電力チップでは使用電圧がますます増大しており
、基を反の絶縁破壊が問題となりつつある。
、基を反の絶縁破壊が問題となりつつある。
半導体が抱えるこのような1iXl1題を解決し得る、
従来のアルミナに代る基板、パッケージ用セラミックス
としては、 ■ 熱伝導率が高い。
従来のアルミナに代る基板、パッケージ用セラミックス
としては、 ■ 熱伝導率が高い。
■ 電気絶縁性が優れる。
■ 高周波特性が良い、(低誘電率、低誘電損失)■
熱膨張率がSiまたはGaAsに近い。
熱膨張率がSiまたはGaAsに近い。
■ 化学的に安定である。
■ 機械的な強度が大きい。
■ 回路形成が容易である。
■ 気密封止ができる。
などの特性を有することが望ましい。
このような特性を基本的に有するものとしてARNが有
望視されているわけである。
望視されているわけである。
しかし、具体的にA、2Nセラミツクスを適用しようと
すると、以下の最低限特性項目を満たす必要がある。す
なわち、 (1)焼結体が均一で緻密であること。機械的強度が大
なること。相対密度が95%以上あることが望ましい。
すると、以下の最低限特性項目を満たす必要がある。す
なわち、 (1)焼結体が均一で緻密であること。機械的強度が大
なること。相対密度が95%以上あることが望ましい。
(2)熱伝導率ができるだけ高いこと。
(3)体積抵抗が高いこと。1012Ω・cm以上必要
。
。
(4)焼結体表面が平滑・平j[1であること。
上記のうち、(4)の項目は必須ではないといいながら
、大量生産で基鈑を製造する際には、加工を省略し製造
コストを下げるという意味があり、製造技術上は必須で
ある。具体的には、焼き放しで表面粗さがRaで0.5
LLm以下、反りがO,l m m / 50 m
m以下であることが望ましい。
、大量生産で基鈑を製造する際には、加工を省略し製造
コストを下げるという意味があり、製造技術上は必須で
ある。具体的には、焼き放しで表面粗さがRaで0.5
LLm以下、反りがO,l m m / 50 m
m以下であることが望ましい。
従来の技術では上記項目の(1)、(2)を満足させる
ため、特公昭46−41003に示されるように、Y2
O3を焼結助剤として用いたり、または特公昭58−4
9510に示されるように、CaO1Bad、SrOな
どを焼結助剤として用い、熱伝導率が100W/m、に
程度のセラミクスが得られている。しかし、使用各側か
ら、用途によって更に高い熱伝導特性を有する焼結体が
要求されている。
ため、特公昭46−41003に示されるように、Y2
O3を焼結助剤として用いたり、または特公昭58−4
9510に示されるように、CaO1Bad、SrOな
どを焼結助剤として用い、熱伝導率が100W/m、に
程度のセラミクスが得られている。しかし、使用各側か
ら、用途によって更に高い熱伝導特性を有する焼結体が
要求されている。
これまで、高熱伝導率AβN焼結体を1する方法として
は、 (イ)Af2N粉末を非酸化性雰囲気中1600゛C以
上で熱処理し、粉末の酸素含有量を低減した後焼結する
方法。(特開昭6l−201(ロ)熱処理後のAβN粉
末を1800〜2300℃5非酸化性雰囲気下で20k
g/cIT12以上の圧力下でホットプレスし、最高2
10W/m、にの熱伝導率を得る方法(特開昭61−2
016681 がある。
は、 (イ)Af2N粉末を非酸化性雰囲気中1600゛C以
上で熱処理し、粉末の酸素含有量を低減した後焼結する
方法。(特開昭6l−201(ロ)熱処理後のAβN粉
末を1800〜2300℃5非酸化性雰囲気下で20k
g/cIT12以上の圧力下でホットプレスし、最高2
10W/m、にの熱伝導率を得る方法(特開昭61−2
016681 がある。
しかし、これらの方法はA!2N表層の薄い酸素膜を取
り除くため、Ag、Nの難焼結性が顕著に現われ、高価
なホットプレスによらないと所望の焼結体が得られず、
大量生産向きではない。
り除くため、Ag、Nの難焼結性が顕著に現われ、高価
なホットプレスによらないと所望の焼結体が得られず、
大量生産向きではない。
また、窯業協会誌、第25回窯業基礎討論会、ID03
.3f(03(昭和62年1月)ではAβN成形体を還
元雰囲気中、1850〜1950℃で2〜96hr焼結
することにより。
.3f(03(昭和62年1月)ではAβN成形体を還
元雰囲気中、1850〜1950℃で2〜96hr焼結
することにより。
高熱伝導率のAβN焼結体を得る方法を示しているが、
これとて高熱伝導性に優れたARN基板となり得る焼結
体が得られない。
これとて高熱伝導性に優れたARN基板となり得る焼結
体が得られない。
一方、特開昭62−52181に、Aj2Nに焼結助剤
として炭素換算で0.2〜3.4重量%の炭素、酸化イ
ツトリウム0.1〜10重里%を含有させた成形体を1
600〜2100℃で焼結することを特徴とするAl1
N焼結体の製造方法が開示されている。しかし、この
発明は以下の点に全く触れておらずまた、以下の問題の
ためAQN基板の製造方法として満足なものとはいえな
かった。
として炭素換算で0.2〜3.4重量%の炭素、酸化イ
ツトリウム0.1〜10重里%を含有させた成形体を1
600〜2100℃で焼結することを特徴とするAl1
N焼結体の製造方法が開示されている。しかし、この
発明は以下の点に全く触れておらずまた、以下の問題の
ためAQN基板の製造方法として満足なものとはいえな
かった。
すなわち。
(1)焼結体密度が低いこと。
(2)絶縁抵抗が低い。
(3)着色・焼結ムラが発生する。
また、特開昭61−127667号、61−21976
3号にはAffN、Y2O3、Cを助剤として添加した
技術が開示されているが、上述と同様の理由でAβNl
板としては適さない。また、特開昭63−236765
についても同じである。
3号にはAffN、Y2O3、Cを助剤として添加した
技術が開示されているが、上述と同様の理由でAβNl
板としては適さない。また、特開昭63−236765
についても同じである。
[発明が解決しようとする課題1
以上の従来の焼結体製造方法では、
(a)焼結体の熱伝導率が不十分である。
(b)ホットプレス等設備コストが高く、生産性の低い
炉でしか焼結できない。
炉でしか焼結できない。
(c)焼結体の電気絶縁性が低い。
(d)安定した品質が得られない。
といった問題点があった。このようにこれまでの発明は
前記(a)〜(d)の4項目をすべて満足するものとは
言い難かった。
前記(a)〜(d)の4項目をすべて満足するものとは
言い難かった。
従って、このような点を改善するため、新たな高熱伝導
率AffN焼結体の製造方法の開発が望まれていた。
率AffN焼結体の製造方法の開発が望まれていた。
本発明は@記(a)〜(d)の4項目の問題点を全て満
たすAffN焼結体の高熱伝導化方法を提供することを
目的とするものである。すなわち緻密で熱伝導率および
電気抵抗が高く、電気絶縁基板に代表される材料として
好適な性能を有する安価なAffN焼結体の製造方法を
提供することにある。
たすAffN焼結体の高熱伝導化方法を提供することを
目的とするものである。すなわち緻密で熱伝導率および
電気抵抗が高く、電気絶縁基板に代表される材料として
好適な性能を有する安価なAffN焼結体の製造方法を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段j
本発明者らは、以上述べた従来技術の間m点に鑑み、窒
化アルミニウム焼結体の熱伝導率を向上し、基板として
必要な特性を具備させるべく研究を重ねた結果、以下に
示す新規事項を発見し本発明に至ったものである。
化アルミニウム焼結体の熱伝導率を向上し、基板として
必要な特性を具備させるべく研究を重ねた結果、以下に
示す新規事項を発見し本発明に至ったものである。
すなワチ、AffN粉末ニY 203 、 C1Li2
Oを添加したシート成形体を非酸化性雰囲気中で焼結し
たところ、均一で、緻密で、機械的強度が大であり、熱
伝導率が高く、体積抵抗が高(、しかも表面が平坦、平
滑な焼結体を得た。
Oを添加したシート成形体を非酸化性雰囲気中で焼結し
たところ、均一で、緻密で、機械的強度が大であり、熱
伝導率が高く、体積抵抗が高(、しかも表面が平坦、平
滑な焼結体を得た。
この焼結体は前記絶縁基板として要求される(a)〜(
d)の要求を全て満足するものであった・一方・Y2O
3、C,Li2Oのそれぞれ単独添加では上記を全て満
足するものは達成されなかった。従って、三者の複合添
加による新規効果であることが判明した。
d)の要求を全て満足するものであった・一方・Y2O
3、C,Li2Oのそれぞれ単独添加では上記を全て満
足するものは達成されなかった。従って、三者の複合添
加による新規効果であることが判明した。
この事実に基づき、上記要求の最適添加範囲、他の元素
および化合物について広範囲な検討を行った結果、本発
明を完成した。添加元素、またはその化合物およびその
添加範囲を限定して選択すれば、 ■ 相対密度が95%以上5 ■ 熱伝導率が160W/m、に以上、■ 焼き七がり
の表面の粗さがRaで0.5 th m以下、 ■ 体積抵抗が1012Ω・cm以上、■ 焼きムラの
ない ことを特徴とする窒化アルミニウム高熱伝導性・電気絶
縁性焼結体が得られる。
および化合物について広範囲な検討を行った結果、本発
明を完成した。添加元素、またはその化合物およびその
添加範囲を限定して選択すれば、 ■ 相対密度が95%以上5 ■ 熱伝導率が160W/m、に以上、■ 焼き七がり
の表面の粗さがRaで0.5 th m以下、 ■ 体積抵抗が1012Ω・cm以上、■ 焼きムラの
ない ことを特徴とする窒化アルミニウム高熱伝導性・電気絶
縁性焼結体が得られる。
上記焼結体の製造方法は以下の通りである。
すなわち、窒化アルミニウム粉末100虫fi部に次の
(A)〜(E)の各種の群から進ばれた3〜5の組合わ
せからなる三元ないし三元の焼結助剤を添加し、この焼
結助剤を添加した混合粉末を成JT’、 t、、得られ
た成形体を非酸化性雰囲気中で1400〜2000℃の
温度範囲で焼成することにより達成することができる。
(A)〜(E)の各種の群から進ばれた3〜5の組合わ
せからなる三元ないし三元の焼結助剤を添加し、この焼
結助剤を添加した混合粉末を成JT’、 t、、得られ
た成形体を非酸化性雰囲気中で1400〜2000℃の
温度範囲で焼成することにより達成することができる。
これら(A)〜(E)の群は次の通りである。
(A)イ、ソトリウム、スカンジウムおよびランタノイ
ドの酸化物の群から選ばれた1種または2f!!以上を
酸化物に換算して0,05〜5重量部 (B)炭素および2000℃以下の加熱により熱分解し
て炭素を生成する化合物から選ばれた1種または2種以
上を炭素に換算して0.01〜2重量部 (C)アルカリ金属の酸化物および2000 ℃以下の
加熱により酸化物となるアルカリ金属化合物、並びに硼
素、珪素、ゲルマニウム、砒素、および燐の酸化物、お
よび2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる
化合物の群から選ばれた1種または2種以上を酸化物に
換算して0.01〜5重量部 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化物、金属硫化
物、金属珪化物、および金属水素化物、並びに金属リチ
ウム、金属ベリリウム金属マグネシウム、硼素、金属ア
ルミニウム、珪素、および金属亜鉛、およびその合金、
並びに硫黄、燐および砒素の群より選ばれた1種または
2 fffi以、上を0.01〜5重π部 (E)アルミニウム、ガリウム、インジウム、タングス
テン、ビスマス、鉛、アンチモン、カドミウムおよび亜
鉛の酸化物および2000℃以下の加熱によりこれらの
酸化物となる化合物の1種または2種以上を酸化物に換
算して0.01〜2重看部 これらの焼結助剤(A)〜(E)の合わせは次の通りで
ある。
ドの酸化物の群から選ばれた1種または2f!!以上を
酸化物に換算して0,05〜5重量部 (B)炭素および2000℃以下の加熱により熱分解し
て炭素を生成する化合物から選ばれた1種または2種以
上を炭素に換算して0.01〜2重量部 (C)アルカリ金属の酸化物および2000 ℃以下の
加熱により酸化物となるアルカリ金属化合物、並びに硼
素、珪素、ゲルマニウム、砒素、および燐の酸化物、お
よび2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる
化合物の群から選ばれた1種または2種以上を酸化物に
換算して0.01〜5重量部 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化物、金属硫化
物、金属珪化物、および金属水素化物、並びに金属リチ
ウム、金属ベリリウム金属マグネシウム、硼素、金属ア
ルミニウム、珪素、および金属亜鉛、およびその合金、
並びに硫黄、燐および砒素の群より選ばれた1種または
2 fffi以、上を0.01〜5重π部 (E)アルミニウム、ガリウム、インジウム、タングス
テン、ビスマス、鉛、アンチモン、カドミウムおよび亜
鉛の酸化物および2000℃以下の加熱によりこれらの
酸化物となる化合物の1種または2種以上を酸化物に換
算して0.01〜2重看部 これらの焼結助剤(A)〜(E)の合わせは次の通りで
ある。
■ (A + (B)+ IC)■ A
+(B +([) ■ (A)+ B)+ (C)+ (D)■
(A−+ B +(E ■ (A + B +(E)+(C)(Φ
(Al + B + (E)+ (D)■
(A) + B + (E + (C)
+ N))〔作用j これらの焼結助剤の複合添加が有効であるメカニズムに
ついては十分解明されてはいないが、以下のように考え
られる。
+(B +([) ■ (A)+ B)+ (C)+ (D)■
(A−+ B +(E ■ (A + B +(E)+(C)(Φ
(Al + B + (E)+ (D)■
(A) + B + (E + (C)
+ N))〔作用j これらの焼結助剤の複合添加が有効であるメカニズムに
ついては十分解明されてはいないが、以下のように考え
られる。
まず、(A)成分と(B)成分の作用について述べる。
Al2Nの表層には、完全なAff203にはなってい
な(ともある種のAj2酸化物が存在している。この酸
化物を仮に八β203とすると、加えた上記(A)成分
、例えばY2O3との間に液相xAI2203 ’ y
Y203を生成し、液相焼結の原理によってAl2Nの
焼結が促進され、焼結体の密度が高くなる。一方、液相
が生成するより低い温度で、A42N表面の酸素は還元
剤である(B)成分により還元されて減量し、Al2N
粒が浄化されていく。このようにAl2N表面の酸化物
は(A)成分を添加して焼結密度を上げるためには、必
要であるが、過剰にあると焼結中に粒内に拡散してゆき
、熱伝導率を著しく低下させる。過剰のAffNを分解
し去るのが(B)成分の作用である。
な(ともある種のAj2酸化物が存在している。この酸
化物を仮に八β203とすると、加えた上記(A)成分
、例えばY2O3との間に液相xAI2203 ’ y
Y203を生成し、液相焼結の原理によってAl2Nの
焼結が促進され、焼結体の密度が高くなる。一方、液相
が生成するより低い温度で、A42N表面の酸素は還元
剤である(B)成分により還元されて減量し、Al2N
粒が浄化されていく。このようにAl2N表面の酸化物
は(A)成分を添加して焼結密度を上げるためには、必
要であるが、過剰にあると焼結中に粒内に拡散してゆき
、熱伝導率を著しく低下させる。過剰のAffNを分解
し去るのが(B)成分の作用である。
(A)成分の添加量は、0.05重量部より少ないと焼
結密度が上がらないため、要求を満たさない。5重量部
より多いと粒界相の量が多くなるため熱伝導率が低下す
る。
結密度が上がらないため、要求を満たさない。5重量部
より多いと粒界相の量が多くなるため熱伝導率が低下す
る。
(B)成分はカーボンブラック・、グラファイト、無定
形炭素等の種々の形態での添加でも有効であり、0.0
1〜2重量部の範囲で添加する。
形炭素等の種々の形態での添加でも有効であり、0.0
1〜2重量部の範囲で添加する。
(B)成分の添加量は0.01重量部より少ないと、脱
酸素能力が不足し、2重量部より多いと、YNが残存し
、部分的な着色が発生し、見映えが悪い。さらに、添加
量を増やすと、粒界層の生成量が不十分になる結果とし
て昇温時の収縮速度が遅く・なり、よく焼結しない。
酸素能力が不足し、2重量部より多いと、YNが残存し
、部分的な着色が発生し、見映えが悪い。さらに、添加
量を増やすと、粒界層の生成量が不十分になる結果とし
て昇温時の収縮速度が遅く・なり、よく焼結しない。
次に、第3の成分の作用を説明する。
第3の成分として、(C)成分(アルカリ金属その他の
酸化物およびグラスフォーマ−酸化物から選ばれた1又
は2種以上)を加えると、液相の粘度、表面張力を低減
させ、少量の液相で粒界が全部満たされるように働き、
焼結を促進すると共に、ARNの表面の酸化物を除去し
、また、粒間への浸透により異常粒成長を抑制する作用
をなす。従って、第3成分として、(C)成分を添加す
ることにより、Al2Nの粒径が均一化し、高密度とな
り、絶縁抵抗、熱伝導率、およびメタライズ性等のばら
つきが少なくなる。(C)成分の添加量はAffN 1
00徂量部に対して0.01〜5虫量部である。 (
C)成分の添加量は0.01重量部より少ないと残存す
る粒界相の分布不均一による縞状・斑状の焼きムラが生
じゃすい。5 E、K fi1部より多いと、過剰の成
分が粒界に析出し、熱伝導率の低下をきたし、機械的強
度が低くなる7添加物としては焼成中に酸化物に変化す
る化合物すなわち、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸
化物、アンモニウム塩、エステル頚でもよい。
酸化物およびグラスフォーマ−酸化物から選ばれた1又
は2種以上)を加えると、液相の粘度、表面張力を低減
させ、少量の液相で粒界が全部満たされるように働き、
焼結を促進すると共に、ARNの表面の酸化物を除去し
、また、粒間への浸透により異常粒成長を抑制する作用
をなす。従って、第3成分として、(C)成分を添加す
ることにより、Al2Nの粒径が均一化し、高密度とな
り、絶縁抵抗、熱伝導率、およびメタライズ性等のばら
つきが少なくなる。(C)成分の添加量はAffN 1
00徂量部に対して0.01〜5虫量部である。 (
C)成分の添加量は0.01重量部より少ないと残存す
る粒界相の分布不均一による縞状・斑状の焼きムラが生
じゃすい。5 E、K fi1部より多いと、過剰の成
分が粒界に析出し、熱伝導率の低下をきたし、機械的強
度が低くなる7添加物としては焼成中に酸化物に変化す
る化合物すなわち、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸
化物、アンモニウム塩、エステル頚でもよい。
この結果として得られた焼結体は。
■ 相対密度は95%以上で。
■ 熱伝導率が160W/1に以上で。
■ 焼き上がりの表面の粗さがRaで0.5 a m以
下で。
下で。
■ 体積抵抗が1Q12Ω・cm以上で■ 焼きムラの
ない という特性を持つ窒化アルミニウム高熱伝導・電気絶縁
性基板用焼結体として理想的なものができ上がるのであ
る6 次に、(D)成分として、脱酸素化合物、還元剤元素を
(C)成分に代って第3成分として添加すると、A f
f N結晶中に不純物として含まれる酸素と反応し、反
応生成物が粒界に析出するので、高い熱伝導率の、A
RNを得ることができる。
ない という特性を持つ窒化アルミニウム高熱伝導・電気絶縁
性基板用焼結体として理想的なものができ上がるのであ
る6 次に、(D)成分として、脱酸素化合物、還元剤元素を
(C)成分に代って第3成分として添加すると、A f
f N結晶中に不純物として含まれる酸素と反応し、反
応生成物が粒界に析出するので、高い熱伝導率の、A
RNを得ることができる。
これら(D)成分の添加uiL′iA 12 N I
OO重量品に対して0.01〜2ffi屑部である。0
−01虫!武部より少ないと一ト記効果が少なく、2屯
せ部を越えても飽和するので、この範囲がよい。
OO重量品に対して0.01〜2ffi屑部である。0
−01虫!武部より少ないと一ト記効果が少なく、2屯
せ部を越えても飽和するので、この範囲がよい。
−に記(C1)成分と(D)成分を同時に添加すると、
上記(C)成分の作用と上記(D)成分の作用との相東
効渠により高熱伝導率、高密度のさらに好ましい製品を
生じる。
上記(C)成分の作用と上記(D)成分の作用との相東
効渠により高熱伝導率、高密度のさらに好ましい製品を
生じる。
次に(C)成分に代わり、(E)成分即ち、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、タングステン、ヒ又マス、
鉛、アンチモン、カドミウムおよび亜鉛の酸化物および
2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる化合
物の1種または2トΦ以」−を酸化物に換算して0.O
1〜2市遣部を加λると、こねらの両性酸化物は焼結過
程中に」5いて、A Q N結晶内中に存在するFe、
Ni、Cr等熱伝導を妨げる不純物と反応して粒界に化
合物を形成しA 12 N粒内から不純物を除去する。
ム、ガリウム、インジウム、タングステン、ヒ又マス、
鉛、アンチモン、カドミウムおよび亜鉛の酸化物および
2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる化合
物の1種または2トΦ以」−を酸化物に換算して0.O
1〜2市遣部を加λると、こねらの両性酸化物は焼結過
程中に」5いて、A Q N結晶内中に存在するFe、
Ni、Cr等熱伝導を妨げる不純物と反応して粒界に化
合物を形成しA 12 N粒内から不純物を除去する。
これらの粒界に形成された化合物は熱伝導を妨げない。
(A)成分は前述のように粒界に液相を生成し焼結を芹
しく促進すると共に(I3)成分の還元作用によって過
剰の液相の生成を抑制しさらに熱伝導率を高めることが
できる。
しく促進すると共に(I3)成分の還元作用によって過
剰の液相の生成を抑制しさらに熱伝導率を高めることが
できる。
(E)成分(7) iNN晴晴A Q N 100 m
’it部に対して酸化物換算0.O1〜2屯場部であ
る。下限0.01より少ないとAffN村内N粒内純物
を除去する能力不足となり、上限は2ii’[部より多
くしても効果が飽和するので限定される。
’it部に対して酸化物換算0.O1〜2屯場部であ
る。下限0.01より少ないとAffN村内N粒内純物
を除去する能力不足となり、上限は2ii’[部より多
くしても効果が飽和するので限定される。
(E)成分に上記(C)成分および/またはCD)成分
も附加すると、さらにそれらの効果が加わり、さらに高
性能の製品が得られる。その詳細は実施例によって示す
。
も附加すると、さらにそれらの効果が加わり、さらに高
性能の製品が得られる。その詳細は実施例によって示す
。
次に、(A)成分としてY2O3、(13)成分として
カーボン、(C)成分としてLi2Oを例とLで本発明
の製品の製造方法について述べる。
カーボン、(C)成分としてLi2Oを例とLで本発明
の製品の製造方法について述べる。
平均粒径0. ]〜3 (x mの窒化アルミニウム扮
100重量部にY2O3を0.5〜5償遣部。
100重量部にY2O3を0.5〜5償遣部。
Cを0.03〜0.5重量部及び[、i2Qを0.O1
〜0.5小量部の範囲で添加し、混合、分散を行いバイ
ンダを添加し成形体を作成する。
〜0.5小量部の範囲で添加し、混合、分散を行いバイ
ンダを添加し成形体を作成する。
1戊J杉法としては、ドクターブレードl去、プレス成
形法、鋳込み成形法、押出し成形法等の、−BHH二よ
く知られた方法をとることができる。
形法、鋳込み成形法、押出し成形法等の、−BHH二よ
く知られた方法をとることができる。
これより得られた成形体を非酸化性雰囲気中で1400
〜2000 ℃で焼成するという方法で製1青するにと
ができる。
〜2000 ℃で焼成するという方法で製1青するにと
ができる。
高熱伝導性のAaN焼結体を得るには、Alxの不純物
酸素が低いほど望ましいが約1屯噛部以]:であればよ
い。
酸素が低いほど望ましいが約1屯噛部以]:であればよ
い。
焼成はA Q Nルツボ中にて行うが焼成温度は140
0 ℃未満では、焼結が中途で停止Fシており1.また
2 000 ℃を超えると、A9Nの昇華によるミクロ
ボアが発生し、熱伝導率を低減さぜ机机 酸素濃度500ppm以上の雰囲気で焼成するとAlx
の酸化が起こり、高熱伝導i生の焼結体はIQられない
。
0 ℃未満では、焼結が中途で停止Fシており1.また
2 000 ℃を超えると、A9Nの昇華によるミクロ
ボアが発生し、熱伝導率を低減さぜ机机 酸素濃度500ppm以上の雰囲気で焼成するとAlx
の酸化が起こり、高熱伝導i生の焼結体はIQられない
。
[発明の効果]
本発明により160W/m、に以上の熱伝導率を有する
窒化アルミニウム焼結体とそれを基材にする電気絶縁体
を提供することができ、バイブJツド■C用基板、サー
デイツプ用基板、パフトランジスタ、パワダイオード、
レーザーダイオード用のヒートシンク等、広〈産業−に
の応用が凸■能である。
窒化アルミニウム焼結体とそれを基材にする電気絶縁体
を提供することができ、バイブJツド■C用基板、サー
デイツプ用基板、パフトランジスタ、パワダイオード、
レーザーダイオード用のヒートシンク等、広〈産業−に
の応用が凸■能である。
〔実施例1
実施例1
平均粒径1gmのAβN粉末100重量部に、第1表に
示す量の平均粒径1umのY2O3扮末、平均粒径3μ
mのLi2CO3,比表面積150m”/gのカーボン
ブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒と共に添
加し、ボールミルにて1分混合し、解砕した後、バイン
ダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、Al2N
スラリーを調整した。これを用い、ドクターブレード法
にてグリーンシートを作成し、65x65mm角に打ち
抜き加工し、グリーン成形体を得た。
示す量の平均粒径1umのY2O3扮末、平均粒径3μ
mのLi2CO3,比表面積150m”/gのカーボン
ブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒と共に添
加し、ボールミルにて1分混合し、解砕した後、バイン
ダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、Al2N
スラリーを調整した。これを用い、ドクターブレード法
にてグリーンシートを作成し、65x65mm角に打ち
抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、AβN扱を得た
。
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、AβN扱を得た
。
得られたA ff N +&について、外観、相対密度
、熱伝導率、絶縁抵抗1表面粗度なと絶縁性基板として
一般に必要とされる特性を測定した。その結果を第1表
に示す。
、熱伝導率、絶縁抵抗1表面粗度なと絶縁性基板として
一般に必要とされる特性を測定した。その結果を第1表
に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁低効率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁低効率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
実施例2
原料のうち、Li2 CO3に替えて第2表に示す各種
アルカリ金属酸化物を用いた他は、実施例1と同一の方
法にてAffN板を作成し、その外観、相対密度、熱伝
導率、絶縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第2表
に示した。
アルカリ金属酸化物を用いた他は、実施例1と同一の方
法にてAffN板を作成し、その外観、相対密度、熱伝
導率、絶縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第2表
に示した。
実施例3
原料のうち、Y203に替えて第3表に示す各種希土類
酸化物を用いた他は、実施例1と同一の方法にてA Q
N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁
抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第3表に示した。
酸化物を用いた他は、実施例1と同一の方法にてA Q
N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁
抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第3表に示した。
実施例4
原料のうち、カーボンブラックに替えて第3表に示す各
種炭素源を用いた他は、実施例と同一の方法にてApN
板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗
、表面粗度を測定し、その結果を第4表に示した6 実施例5 平均粒径1umのAff’N扮末10粉末電部に、第5
表に示す量の平均粒径ILLmのY2O3扮末、平均粒
径3LLmのB20B、比表面積150rn’/gのカ
ーボンブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒と
共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、バ
インダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、Aβ
Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレード
法にてグリーンシートを作成し、65X65mm角に打
ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
種炭素源を用いた他は、実施例と同一の方法にてApN
板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗
、表面粗度を測定し、その結果を第4表に示した6 実施例5 平均粒径1umのAff’N扮末10粉末電部に、第5
表に示す量の平均粒径ILLmのY2O3扮末、平均粒
径3LLmのB20B、比表面積150rn’/gのカ
ーボンブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒と
共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、バ
インダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、Aβ
Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレード
法にてグリーンシートを作成し、65X65mm角に打
ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、AβN板を得た
。
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、AβN板を得た
。
得られたAl2N板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第5表に示す。
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第5表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
実施例6
原料のうち、B’203に替えて第6表に示す各種酸化
物を用いた他は、実施例5と同一の方法にてA9N板を
作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗1表
面粗度を測定し、その結果を第6表に示した。
物を用いた他は、実施例5と同一の方法にてA9N板を
作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗1表
面粗度を測定し、その結果を第6表に示した。
実施例7
原料のうち、Y2O3に替えて第7表に示す各種希土類
酸化物を用いた伯は、実施例5と同一の方法にてA I
2 N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第7表に示した
。
酸化物を用いた伯は、実施例5と同一の方法にてA I
2 N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第7表に示した
。
実施例8
原料のうち、カーボンブラックに[千λて第8表に示す
各種炭素源を用いた他は、実施例5と同一の方法にてA
gN1&を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第8表に示した
。
各種炭素源を用いた他は、実施例5と同一の方法にてA
gN1&を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第8表に示した
。
実施例9
平均粒径1umのAgN粉末100重量部に。
第9表に示す量の平均粒径1μmのY203扮末、平均
粒径3μmのLaB6、比表面積150r+i2/gの
カーボンブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒
と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、
バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、A
9Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレー
ド法にてグJ−ンシートを作成し、65X65mm角に
打ち抜き加工し、クリーン成形体を得た。
粒径3μmのLaB6、比表面積150r+i2/gの
カーボンブラック粉末をトルエン−エタノール混合溶媒
と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、
バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、A
9Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレー
ド法にてグJ−ンシートを作成し、65X65mm角に
打ち抜き加工し、クリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後。
N2雰囲気中常圧下でl800℃で3時間焼成し、Af
L!、N扱を得た。
L!、N扱を得た。
得られたへflN坂について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗1表面粗度等絶縁性基扱として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第9表に示す。
率、絶縁抵抗1表面粗度等絶縁性基扱として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第9表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にてff1l+定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にてff1l+定した。
実施例10
原料のうち、La136.カーボンブラックに代えて第
10表に示す品種単体・化合物を用いた池は、実施例9
と同一の方法にてAffN板を作成し、その外観、相対
密度、熱伝導率、絶縁抵抗、表面粗度を測定し、その結
果を第10表に示した。
10表に示す品種単体・化合物を用いた池は、実施例9
と同一の方法にてAffN板を作成し、その外観、相対
密度、熱伝導率、絶縁抵抗、表面粗度を測定し、その結
果を第10表に示した。
実施例11
原料のうち、Y2O3に代えて第11表に示す各種希土
類酸化物を用いた他は、実施例9と同一の方法にてAJ
2N扱を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁
抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第11表に示した
。実施例9と同様、粒界中に不純物のFe、Siが濃縮
されでいることがわかった。
類酸化物を用いた他は、実施例9と同一の方法にてAJ
2N扱を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁
抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第11表に示した
。実施例9と同様、粒界中に不純物のFe、Siが濃縮
されでいることがわかった。
実施例12
原料のうち、カーボンブラックに代えて第12表に示す
各種炭素源を用いた他は、実施例9と同一の方法にてA
、2N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第12表に示し
た。
各種炭素源を用いた他は、実施例9と同一の方法にてA
、2N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第12表に示し
た。
実施例13
モ均粒径1μmのAgN粉末100重量部に、第13表
に示す遣の各1ift添加物をトルエン−エタノール混
合溶媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕し
た後、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加
し、AffNスラリーを調製した。これを用い、ドクタ
ーブレード法にてグリーンシートを作成し、65X65
mm角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
に示す遣の各1ift添加物をトルエン−エタノール混
合溶媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕し
た後、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加
し、AffNスラリーを調製した。これを用い、ドクタ
ーブレード法にてグリーンシートを作成し、65X65
mm角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700 ℃で脱脂した後、N2雰囲
気中常圧下で1800℃で3時間焼成し、ARN板を得
た。
気中常圧下で1800℃で3時間焼成し、ARN板を得
た。
(1られたARN板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基鈑として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第13表に示す。
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基鈑として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第13表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
実施例14
平均粒径1tLmのAl2N粉末100屯it部に、第
゛14表に示す遣の平均粒径1umのy203扮末、平
均粒径3μmのCd O、比表面積150rr?/gの
カーボンブラック粉末を1−ルエンーエタノール混合溶
媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後
、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、
AβNスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレ
ード法にてグリーンシートを作成し、65X65mm角
に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
゛14表に示す遣の平均粒径1umのy203扮末、平
均粒径3μmのCd O、比表面積150rr?/gの
カーボンブラック粉末を1−ルエンーエタノール混合溶
媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後
、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、
AβNスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレ
ード法にてグリーンシートを作成し、65X65mm角
に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、Al2N板を得
た。
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、Al2N板を得
た。
得られたAl2N板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第14表に示す。
率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第14表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッジ1法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
なお、CdOを添加して得られた焼結体の破断面を、エ
ネルギー分散型特性X線(EDX)で分析したところ、
粒界層に高濃度にCd、Fe、Siのピークが認められ
たが、CdOを添加していない焼結体の粒界相には、F
e、Siの存在は検出できなかった。すなわち、CdO
の添加によって、不純物のFe、Siが粒界に濃縮され
。
ネルギー分散型特性X線(EDX)で分析したところ、
粒界層に高濃度にCd、Fe、Siのピークが認められ
たが、CdOを添加していない焼結体の粒界相には、F
e、Siの存在は検出できなかった。すなわち、CdO
の添加によって、不純物のFe、Siが粒界に濃縮され
。
これが高熱伝導化の原因になっていることがわかった。
実施例15
原料のうち、CdOに賛えて第15表に示す各種酸化物
を用いた他は、実施例14と同一の方法にてAl2N板
を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗1
表面粗度を測定し、その結果を第15表に示した。焼結
体破断面のEDX分析によって、実施例14と同様、粒
界中に不純物のFe、Siが濃縮されていることがわか
った。
を用いた他は、実施例14と同一の方法にてAl2N板
を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶縁抵抗1
表面粗度を測定し、その結果を第15表に示した。焼結
体破断面のEDX分析によって、実施例14と同様、粒
界中に不純物のFe、Siが濃縮されていることがわか
った。
実施例16
原料のうち、Y2O3に賛えて第16表に示す各種希土
類酸化物を用いた他は、実施例14と同一の方法にてA
l2N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し。
類酸化物を用いた他は、実施例14と同一の方法にてA
l2N板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し。
その結果を第43表に示した。焼結体破断面のEDX分
析によって、実施例14と同様、粒界中に不純物のFe
、Siが濃縮されていることがわかった。
析によって、実施例14と同様、粒界中に不純物のFe
、Siが濃縮されていることがわかった。
実施例17
原料のうち、カーボンブラックに替えて第17表に示す
各種炭素源を用いた他は、実施例14と同一の方法にて
AaN板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第17表に示し
た。実施例41と同様、粒界中に不純物のFe、Siが
濃縮されていることがわかった。
各種炭素源を用いた他は、実施例14と同一の方法にて
AaN板を作成し、その外観、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗、表面粗度を測定し、その結果を第17表に示し
た。実施例41と同様、粒界中に不純物のFe、Siが
濃縮されていることがわかった。
実施例18
平均粒径1μmのAffN扮宋1粉末重徹部に、第18
表に示す所定量の各種添加物をトルエン−エタノール混
合溶媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕し
た後、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加
し、ARNスラリーを調製した。これを用い、ドクター
ブレード法にてグリーンシートを作成し、65X65m
m角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
表に示す所定量の各種添加物をトルエン−エタノール混
合溶媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕し
た後、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加
し、ARNスラリーを調製した。これを用い、ドクター
ブレード法にてグリーンシートを作成し、65X65m
m角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後。
N2雰囲気中常圧下で1800℃で3時間焼成し、Al
2N板を得た。
2N板を得た。
得られたAffN板について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗1表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第18表に示す。
率、絶縁抵抗1表面粗度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第18表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して1%表示で示した。
を求め、真密度で除して1%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い1ljl1足した。表面粗度(
Ra)は触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い1ljl1足した。表面粗度(
Ra)は触針式表面粗度計にて測定した。
実施例19
平均粒径ILLmのAl2N粉末100屯量部に第19
表に示す量の各種添加物をトルエン−エタノール混合溶
媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後
、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、
Af2Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブ
レード、去にてグJ−ンシートを作成し、65X65m
m角に打ち抜き加工し4グリ一ン成形体を(シ)な。
表に示す量の各種添加物をトルエン−エタノール混合溶
媒と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後
、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、
Af2Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブ
レード、去にてグJ−ンシートを作成し、65X65m
m角に打ち抜き加工し4グリ一ン成形体を(シ)な。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、A9N板を得た
。
中常圧下で1800℃で3時間焼成し、A9N板を得た
。
得られたAffN坂について、外観、相対密度、熱伝導
率、絶縁抵抗、表面用度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第19表に示す。
率、絶縁抵抗、表面用度等絶縁性基板として一般に必要
とされる特性を測定した。その結果を第19表に示す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
を求め、真密度で除して、%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面用度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面用度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
−し施例20
平均粒径1umのA9N粉末100重が部に、第20表
に示す雀の8種添加物をトルエン−エタノール混合溶媒
と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、
バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、A
l2Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレ
ード法にてグノーンシートを作成し、65 X 65
m m角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
に示す雀の8種添加物をトルエン−エタノール混合溶媒
と共に添加し、ボールミルにて十分混合、解砕した後、
バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を添加し、A
l2Nスラリーを調製した。これを用い、ドクターブレ
ード法にてグノーンシートを作成し、65 X 65
m m角に打ち抜き加工し、グリーン成形体を得た。
これらをN2中にて700℃で脱脂した後、N2雰囲気
中常圧下でtsoo’cで3時間焼成し、Aj2N板を
得た。
中常圧下でtsoo’cで3時間焼成し、Aj2N板を
得た。
得られたAffNffiについて、外観、相対密度、熱
伝導率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基鈑として一般に
必要とされる特性を測定した。その結果を第20表に示
す。
伝導率、絶縁抵抗、表面粗度等絶縁性基鈑として一般に
必要とされる特性を測定した。その結果を第20表に示
す。
特性のうち、相対密度はアルキメデス法にて焼結体密度
を求め、真密度で除して1%表示で示した。
を求め、真密度で除して1%表示で示した。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を用いて測定した。絶
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
縁抵抗率は絶縁計を用い測定した。表面粗度(Ra)は
触針式表面粗度計にて測定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
て、 (A)イットリウム、スカンジウムおよびランタノイド
の酸化物の群から選ばれた1種または2種以上を酸化物
に換算して0.05〜5重量部 (B)炭素および2000℃以下の加熱により熱分解し
て炭素を生成する化合物から選ばれた1種または2種以
上を炭素に換算して 0.01〜2重量部 (C)アルカリ金属の酸化物および2000℃以下の加
熱により酸化物となるアルカリ金属化合物、並びに硼素
、珪素、ゲルマニウ ム、砒素、および燐の酸化物および2000℃以下の加
熱によりこれらの酸化物となる化合物の群から選ばれた
1種または2種以上を酸化物に換算して0.01〜5重
量部 を添加し、該混合粉末を成形し、非酸化性雰囲気中で1
400℃〜2000℃の温度範囲において焼成すること
を特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 2 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
て前記(C)に代わり、 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化 物、金属硫化物、金属珪化物、および金属水素化物、並
びに金属リチウム、金属ベリリウム、金属マグネシウム
、硼素、金属アルミニウム、珪素、および金属亜鉛、お
よびその 合金、並びに硫黄、燐および砒素の群より選ばれた1種
または2種以上を0.01〜5重量部 を添加することを特徴とする請求項1記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 3 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
てさらに、 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化 物、金属硫化物、金属珪化物、および金属水素化物、並
びに金属リチウム、金属ベリリ ウム、金属マグネシウム、硼素、金属アルミニウム、珪
素、および金属亜鉛、およびその合金、並びに硫黄、燐
および砒素の群より 選ばれた1種または2種以上を0.01〜5重量部 を添加することを特徴とする請求項1記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 4 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
て前記(C)に代わり、 (E)アルミニウム、ガリウム、インジウ ム、タングステン、ビスマス、鉛、アンチモン、カドミ
ウムおよび亜鉛の酸化物および 2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる化合
物の1種または2種以上を酸化物に換算して0.01〜
2重量部 を添加することを特徴とする請求項1記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 5 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
てさらに、 (C)アルカリ金属の酸化物および2000℃以下の加
熱により酸化物となるアルカリ 金属化合物、並びに硼素、珪素、ゲルマニ ウム、砒素、および燐の酸化物、および 2000℃以下の加熱によりこれらの酸化物となる化合
物の群から選ばれた1種または 2種以上を酸化物に換算して0.01〜5重量部 を添加することを特徴とする請求項4記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 6 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
てさらに、 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化 物、金属硫化物、金属珪化物、および金属 水素化物、並びに金属リチウム、金属ベリ リウム、金属マグネシウム、硼素、金属 アルミニウム、珪素、および金属亜鉛およびその合金、
並びに硫黄、燐および砒素の群より選ばれた1種または
2種以上を0.01〜5重量部 を添加することを特徴とする請求項4記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。 7 窒化アルミニウム粉末100重量部に焼結助剤とし
てさらに、 (D)金属硼化物、金属窒化物、金属燐化 物、金属硫化物、金属珪化物、および金属水素化物、並
びに金属リチウム、金属ベリリウム、金属マグネシウム
、硼素、金属アルミニウム、珪素、および金属亜鉛およ
びその合 金、並びに硫黄、燐および砒素の群より 選ばれた1種または2種以上を0.01〜5重量部 を添加することを特徴とする請求項5記載の窒化アルミ
ニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1095384A JPH02275770A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
EP19900107079 EP0393524A3 (en) | 1989-04-17 | 1990-04-12 | Method of making a sintered body of aluminium nitride |
KR1019900005260A KR900016068A (ko) | 1989-04-17 | 1990-04-16 | 질화알루미늄 소결체의 제조방법 |
CA002014630A CA2014630A1 (en) | 1989-04-17 | 1990-04-17 | Method of making a sintered body of aluminium nitride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1095384A JPH02275770A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02275770A true JPH02275770A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14136153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1095384A Pending JPH02275770A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02275770A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US6475606B2 (en) | 2000-01-21 | 2002-11-05 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic board for apparatuses for semiconductor manufacture and inspection |
US7011874B2 (en) | 2000-02-08 | 2006-03-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1095384A patent/JPH02275770A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US6475606B2 (en) | 2000-01-21 | 2002-11-05 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic board for apparatuses for semiconductor manufacture and inspection |
US7011874B2 (en) | 2000-02-08 | 2006-03-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices |
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