JPH0283266A - ＡｌＮ焼結体の製造方法 - Google Patents
ＡｌＮ焼結体の製造方法Info
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- JPH0283266A JPH0283266A JP63237393A JP23739388A JPH0283266A JP H0283266 A JPH0283266 A JP H0283266A JP 63237393 A JP63237393 A JP 63237393A JP 23739388 A JP23739388 A JP 23739388A JP H0283266 A JPH0283266 A JP H0283266A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主粟上図肌■公立
本発明は、電気絶縁性を有するＡｌＮ焼結体の製造方法
に関する。
に関する。
の ′「 びテ
ＡｌＮ焼結体は、従来、／’７２Ｎ焼結原料に、アルカ
リ土類金属及び／又は希土類金属の化合物からなる焼結
助剤を添加し、これを焼結して製造している。このよう
にして得られたＡＥＮ焼結体は、電気絶縁性を有し、ｉ
ｃ等の基板用、或いはパッケージ用等に用いられている
。
リ土類金属及び／又は希土類金属の化合物からなる焼結
助剤を添加し、これを焼結して製造している。このよう
にして得られたＡＥＮ焼結体は、電気絶縁性を有し、ｉ
ｃ等の基板用、或いはパッケージ用等に用いられている
。
このようなＡｆＮ焼結体のうち高熱伝導率を備えたもの
は、従来、透光性を有する白褐色をしている。
は、従来、透光性を有する白褐色をしている。
かかるＡβＮ焼結体を、セラミックパッケージ等、高放
熱性を目的として使用する場合、高熱伝導率を有するの
で放熱性は良好であるが、白褐色のために熱吸収が悪く
、また、透光性を有するために外部からの光の影響でパ
ッケージ内部のＬＳＩ等が誤動作する虞れがあり、更に
、このような理由により、赤外応用としての赤外の吸収
を向上させることと、熱伝導性を確保することとを両立
させることができないという問題点があった。
熱性を目的として使用する場合、高熱伝導率を有するの
で放熱性は良好であるが、白褐色のために熱吸収が悪く
、また、透光性を有するために外部からの光の影響でパ
ッケージ内部のＬＳＩ等が誤動作する虞れがあり、更に
、このような理由により、赤外応用としての赤外の吸収
を向上させることと、熱伝導性を確保することとを両立
させることができないという問題点があった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、光
が透過することがなく、熱吸収性が良い黒色をしていて
、かつ、高熱伝導率、高電気絶縁性を有する／ＩＮ焼結
体の製造方法を提供することを目的とする。
が透過することがなく、熱吸収性が良い黒色をしていて
、かつ、高熱伝導率、高電気絶縁性を有する／ＩＮ焼結
体の製造方法を提供することを目的とする。
ｉ ゛ るための
本発明にかかるＡ６Ｎ焼結体の製造方法は、焼結助剤と
してアルカリ土類金属及び／又は希土類金属の化合物を
含むＡｌＮ焼結原料に、チタン化合物及び／又はジルコ
ニウム化合物を、それぞれＴｉ、Ｚｒに換算して０．０
５乃至１．０重量％添加し、次いで、これを成形して成
形体を得たのち焼成することを特徴とする。
してアルカリ土類金属及び／又は希土類金属の化合物を
含むＡｌＮ焼結原料に、チタン化合物及び／又はジルコ
ニウム化合物を、それぞれＴｉ、Ｚｒに換算して０．０
５乃至１．０重量％添加し、次いで、これを成形して成
形体を得たのち焼成することを特徴とする。
立−ｍ−■
本発明によれば、／ＩＮ焼結原料にチタン化合９７１＆
び／又はジルコニウム化合物を添加し、これから成る成
形体を焼成するので、高熱伝導率を有し、電気絶縁性の
高い黒色をしたＡ７！Ｎ焼結体が得られることになる。
び／又はジルコニウム化合物を添加し、これから成る成
形体を焼成するので、高熱伝導率を有し、電気絶縁性の
高い黒色をしたＡ７！Ｎ焼結体が得られることになる。
尖−施一斑
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。
ＡＮＮ焼結原料として、酸素を約１％含有するＡβＮ粉
末を用い、これに焼結助剤として、希土類金属の化合物
、例えばＹ２Ｏ２（酸化イツトリウム）を３重量％添加
したものをＹｆＡ（ｆｉした。
末を用い、これに焼結助剤として、希土類金属の化合物
、例えばＹ２Ｏ２（酸化イツトリウム）を３重量％添加
したものをＹｆＡ（ｆｉした。
この／ｌ！Ｎ焼結原料に対して、チタン化合物であるＴ
ｉ Ｏ，粉末と、ジルコニウム化合物であるＺｒＯ□
粉末を第１表に示す割合で添加した。そして、これをア
ルミナの玉石を用いて混合した後、を機バインダを添加
して成形し、これを５５０℃の大気雰囲気中で１時間加
熱して脱バインダ処理を行い、その後、１８００℃の窒
素雰囲気中で５時間焼結してＡｌＮ焼結体を得た。
ｉ Ｏ，粉末と、ジルコニウム化合物であるＺｒＯ□
粉末を第１表に示す割合で添加した。そして、これをア
ルミナの玉石を用いて混合した後、を機バインダを添加
して成形し、これを５５０℃の大気雰囲気中で１時間加
熱して脱バインダ処理を行い、その後、１８００℃の窒
素雰囲気中で５時間焼結してＡｌＮ焼結体を得た。
このようにして製造したＡｌＮ焼結体の色、熱伝導率お
よび絶縁抵抗を、第１表に併せて示した。
よび絶縁抵抗を、第１表に併せて示した。
（以下余白）
第１表
第１表中の実施例１．２．３は、それぞれＴｉ０、をＴ
ｉに換算して０．０５重量％、０．５重量％、１．０重
量％添加した場合であり、実施例４．５．６は、Ｚｒ０
ｇをＺｒに換算して０．０５重量％、０．５重量％、１
．０重量％添加した場合であり、実施例７は、Ｔｉｅｔ
とＺｒＯ，とを共にＴｉ、Ｚｒに換算してそれぞれ０．
０５重量％添加した場合である。なお、比較のために、
ＴｔＯ，とＺｒＯ，を本発明範囲、つまりＴｉ。
ｉに換算して０．０５重量％、０．５重量％、１．０重
量％添加した場合であり、実施例４．５．６は、Ｚｒ０
ｇをＺｒに換算して０．０５重量％、０．５重量％、１
．０重量％添加した場合であり、実施例７は、Ｔｉｅｔ
とＺｒＯ，とを共にＴｉ、Ｚｒに換算してそれぞれ０．
０５重量％添加した場合である。なお、比較のために、
ＴｔＯ，とＺｒＯ，を本発明範囲、つまりＴｉ。
Ｚｒに換算して０．０５乃至１．０重量％の範囲を外し
て添加した場合（比較例１，２，３．４）と、ＴｔＯ２
とＺｒＯ２を使用せずに従来同様にｙ、ｏ、のみからな
る焼結助剤を用いた場合（従来例）とを併せて示してい
る。
て添加した場合（比較例１，２，３．４）と、ＴｔＯ２
とＺｒＯ２を使用せずに従来同様にｙ、ｏ、のみからな
る焼結助剤を用いた場合（従来例）とを併せて示してい
る。
この表により理解される如く、本発明による場合（実施
例１．・・・、７）には、熱伝導率（Ｗ／＋ｍ・Ｋ）が
１７０以上、絶縁抵抗（１ｏｇｌＲ（Ω−ｃｍ） ］が
１４以上であり、かつ、色の黒いＡｌＮ焼結体を得るこ
とができる。これに対し、Ｔｉ、Ｚｒの添加量が本発明
範囲を外れる従来例と比較例１゜３の場合には、熱伝導
率と絶縁抵抗とは良好であるが、色が白褐色又は灰色と
なり、同じく比較例２．４の場合には、色が黒くなって
良好であるが、熱伝導率と絶縁抵抗とが悪くなっている
。
例１．・・・、７）には、熱伝導率（Ｗ／＋ｍ・Ｋ）が
１７０以上、絶縁抵抗（１ｏｇｌＲ（Ω−ｃｍ） ］が
１４以上であり、かつ、色の黒いＡｌＮ焼結体を得るこ
とができる。これに対し、Ｔｉ、Ｚｒの添加量が本発明
範囲を外れる従来例と比較例１゜３の場合には、熱伝導
率と絶縁抵抗とは良好であるが、色が白褐色又は灰色と
なり、同じく比較例２．４の場合には、色が黒くなって
良好であるが、熱伝導率と絶縁抵抗とが悪くなっている
。
従って、この理由により、本発明はチタン化合物とジル
コニウム化合物との添加量は、ＡｆｆＮ焼結原料に対し
て、Ｔｉ、Ｚｒに換算して０．０５乃至１．０重量％と
限定している。
コニウム化合物との添加量は、ＡｆｆＮ焼結原料に対し
て、Ｔｉ、Ｚｒに換算して０．０５乃至１．０重量％と
限定している。
なお、焼結助剤としては、上述したＹ２Ｏ３の他に、他
の希土類金属の酸化物、炭酸物、水素化物、フッ素化物
等の化合物を用いてもよく、またＣａＯ等のアルカリ土
類金属の酸化物や、その他炭酸物、水素化物、フッ素化
物等の化合物を用いてもよい。
の希土類金属の酸化物、炭酸物、水素化物、フッ素化物
等の化合物を用いてもよく、またＣａＯ等のアルカリ土
類金属の酸化物や、その他炭酸物、水素化物、フッ素化
物等の化合物を用いてもよい。
また、チタン化合物としては、Ｔｉｅ２の他に、他のチ
タン化合物を用いてもよく、ジルコニウム化合物につい
ても、ＺｒＯ□の他に、他のジルコニウム化合物を用い
てもよい。
タン化合物を用いてもよく、ジルコニウム化合物につい
ても、ＺｒＯ□の他に、他のジルコニウム化合物を用い
てもよい。
更に、上述した実施例ではＴｉＯ□、Ｚｒ０ｚの粉末を
ＡｌＮ焼結原料に添加したが、混合するときにＴｉＯ□
、ｚｒｏｚの玉石を用いれば、このときの混合撹拌時に
玉石からのＴｉｅ、、ＺｒＯ□成分がＡβＮ焼結原料に
添加されることが確認された。したがって、Ｔｉｅ、粉
末＋ Ｚ ｒ Ｏｚ粉末を用いずに、こられの玉石を
用いてＡβＮ焼結原料を混合し、得られた混合粉末を成
形し、この成形体を焼成することによっても、目的とす
るＡβＮ焼結体を得ることができる。
ＡｌＮ焼結原料に添加したが、混合するときにＴｉＯ□
、ｚｒｏｚの玉石を用いれば、このときの混合撹拌時に
玉石からのＴｉｅ、、ＺｒＯ□成分がＡβＮ焼結原料に
添加されることが確認された。したがって、Ｔｉｅ、粉
末＋ Ｚ ｒ Ｏｚ粉末を用いずに、こられの玉石を
用いてＡβＮ焼結原料を混合し、得られた混合粉末を成
形し、この成形体を焼成することによっても、目的とす
るＡβＮ焼結体を得ることができる。
さらにまた、上述した実施例では１８００℃の窒素雰囲
気中で焼成したが、焼成温度の範囲を１７５０〜１９５
０℃として焼成してもＡβＮ焼結体を得ることができる
。焼成温度の範囲を１７５０〜１９５０°Ｃとしたのは
、１７５０°Ｃ未満では焼結体の密度が高くならず、一
方１９５０℃を越えると成形体中に含まれる成分の蒸発
が多くなり、得られた焼結体の表面にボアが形成される
からである。
気中で焼成したが、焼成温度の範囲を１７５０〜１９５
０℃として焼成してもＡβＮ焼結体を得ることができる
。焼成温度の範囲を１７５０〜１９５０°Ｃとしたのは
、１７５０°Ｃ未満では焼結体の密度が高くならず、一
方１９５０℃を越えると成形体中に含まれる成分の蒸発
が多くなり、得られた焼結体の表面にボアが形成される
からである。
発−朋４と従来
以上詳述した如く本発明による場合、焼結助剤としてア
ルカリ土類金属及び／又は希土類金属の化合物を含むＡ
ｌＮ焼結原料に、チタン化合物及び／又はジルコニウム
化合物を、それぞれＴｉ３Ｚｒに換算して０．０５乃至
１．０重量％添加し、次いで、これを成形して成形体を
得たのち焼成するので、熱吸収性が良い黒色をしていて
、高熱伝導率、高電気絶縁性を有するＡＩ！Ｎ焼結体を
製造することが可能となり、このＡｌＮ焼結体を用いて
パッケージすると内部のＬＳＩ等の誤動作を防止でき、
また放熱性、熱吸収が良（、赤外吸収の向上を図ること
も可能となる等、優れた効果を奏する。
ルカリ土類金属及び／又は希土類金属の化合物を含むＡ
ｌＮ焼結原料に、チタン化合物及び／又はジルコニウム
化合物を、それぞれＴｉ３Ｚｒに換算して０．０５乃至
１．０重量％添加し、次いで、これを成形して成形体を
得たのち焼成するので、熱吸収性が良い黒色をしていて
、高熱伝導率、高電気絶縁性を有するＡＩ！Ｎ焼結体を
製造することが可能となり、このＡｌＮ焼結体を用いて
パッケージすると内部のＬＳＩ等の誤動作を防止でき、
また放熱性、熱吸収が良（、赤外吸収の向上を図ること
も可能となる等、優れた効果を奏する。
特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- （１）焼結助剤としてアルカリ土類金属及び／又は希土
類金属の化合物を含むＡｌＮ焼結原料に、チタン化合物
及び／又はジルコニウム化合物をそれぞれＴｉ，Ｚｒに
換算して０．０５乃至１．０重量％添加し、次いで、こ
れを成形して成形体を得たのち焼成することを特徴とす
るＡｌＮ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237393A JPH0283266A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ＡｌＮ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237393A JPH0283266A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ＡｌＮ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283266A true JPH0283266A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=17014728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237393A Pending JPH0283266A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | ＡｌＮ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283266A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271967A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＡｌＮ質焼結体 |
| JPH02271969A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ＡｌＮ質焼結体 |
| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5855376A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS62123072A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-04 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体 |
| JPS62128991A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-11 | 京セラ株式会社 | 窒化物セラミツク体のメタライズ組成物及びメタライズ方法 |
| JPS62153183A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-07-08 | Toshiba Corp | ガ−ネツトフエライト単結晶の製造方法 |
| JPS63288966A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 溶銅耐蝕用部材 |
| JPH029754A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-12 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237393A patent/JPH0283266A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH042663A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
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