JPH0280372A - 半導体装置用放熱板の製造方法 - Google Patents
半導体装置用放熱板の製造方法Info
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- JPH0280372A JPH0280372A JP1192514A JP19251489A JPH0280372A JP H0280372 A JPH0280372 A JP H0280372A JP 1192514 A JP1192514 A JP 1192514A JP 19251489 A JP19251489 A JP 19251489A JP H0280372 A JPH0280372 A JP H0280372A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を用いる
半導体装置用放熱板の製造方法に関する。
半導体装置用放熱板の製造方法に関する。
(従来の技術)
窒化アルミニウム(i N)は常温から高温までの強度
が高く (焼結体の曲げ強さは通常50kg / mm
2以上)、化学的耐性にも優れているため、耐熱材料
として用いられる一方、その高熱伝導性。
が高く (焼結体の曲げ強さは通常50kg / mm
2以上)、化学的耐性にも優れているため、耐熱材料
として用いられる一方、その高熱伝導性。
高電気絶縁性を利用して半導体装置の放熱板材料として
もを望視されている。こうしたA47Nは通常、融点を
持たず、2200℃以上の高温で分解するため、薄膜な
どの用途を除いては焼結体として用いられる。
もを望視されている。こうしたA47Nは通常、融点を
持たず、2200℃以上の高温で分解するため、薄膜な
どの用途を除いては焼結体として用いられる。
ところで、AgN焼結体は従来より常圧焼結法。
ホットプレス法により製造されている。常圧焼結法では
高密度化の目的でアルカリ土類金属酸化物などの化合物
を焼結助剤として添加することが多い。ホットプレス法
では、Af!N単独又は助剤が添加されたAgNを用い
、高温高圧下にて焼結する。
高密度化の目的でアルカリ土類金属酸化物などの化合物
を焼結助剤として添加することが多い。ホットプレス法
では、Af!N単独又は助剤が添加されたAgNを用い
、高温高圧下にて焼結する。
しかしながら、ホットプレス法では慢雑な形状の焼結体
の製造が難しく、しかも生産性が低く、高コストとなる
という問題がある、一方、常圧焼結法ではホットプレス
法のような問題を解消できるものの、得られたAgN焼
結体はAgNの理論熱伝導率(320W/m−k)い比
べて著しく低く、必ずしも良好な高熱伝導性を有するも
のではなかった。なお、ホットプレス法で造られたAN
N焼結体のうち助剤が添加されたAfINを原料とする
ものも、同様に熱伝導率の点で充分に満足するものでは
なかった。
の製造が難しく、しかも生産性が低く、高コストとなる
という問題がある、一方、常圧焼結法ではホットプレス
法のような問題を解消できるものの、得られたAgN焼
結体はAgNの理論熱伝導率(320W/m−k)い比
べて著しく低く、必ずしも良好な高熱伝導性を有するも
のではなかった。なお、ホットプレス法で造られたAN
N焼結体のうち助剤が添加されたAfINを原料とする
ものも、同様に熱伝導率の点で充分に満足するものでは
なかった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体を得て、
高性能の半導体用放熱板を提供しようとするものである
。
もので、高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体を得て、
高性能の半導体用放熱板を提供しようとするものである
。
[発明の構成]
(課題点を解決するための手段)
本発明は、半導体用放熱板として酸素を1重−%以下含
む窒化アルミニウムを主成分とし、これにイツトリウム
、ランタン、ブロセオジム、ニオブ、サマリウム、ガド
リウム、ジスプロシウムから選ばれる希土類元素の酸化
物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元素換算で0.0
1〜15重量%添加した原料粉末を成形、焼結して得ら
れた窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体装置用放熱
板の製造方法である。
む窒化アルミニウムを主成分とし、これにイツトリウム
、ランタン、ブロセオジム、ニオブ、サマリウム、ガド
リウム、ジスプロシウムから選ばれる希土類元素の酸化
物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元素換算で0.0
1〜15重量%添加した原料粉末を成形、焼結して得ら
れた窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体装置用放熱
板の製造方法である。
ここで放熱板とは放熱作用を奏するものであれば良く、
例えばAgN絶縁体に配線が施された回路基板、パッケ
ージ等も含む。
例えばAgN絶縁体に配線が施された回路基板、パッケ
ージ等も含む。
以下、本発明のAgN焼結体の製造方法を詳細に説明す
る。
る。
まず、酸素が1重量%以下含むAgN粉末にイツトリウ
ム(Y)、ランタン(La)、プロセオジム(Pr)、
ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ガドリウム
(Gd)、 ジスプロシウム(Dy)から選ばれる希
土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元
素換算で0.01〜15重量%を添加し、ボールミル等
を用いて粉砕、混合して原料を調整する。但し、常圧焼
結の場合は前記ボールミル等で粉砕、混合したものに更
にバインダを加え、混線、造粒、整粒を行なって原料を
調整する。ここで、AgN中に含まれる酸素量を限定し
た理由は、その量が1重量%を越えると、AgN中に固
溶される酸素量が多くなって高熱伝導性のAgN焼結体
の製造が困難となるからである。また、前記希土類元素
の酸化物もしくは炭酸塩の添加量を限定した理由はその
量を希土類元素換算で0.01重量%未未満すると焼結
性の高い緻密なA47N焼結体が得られなくなり、かと
いってその量が同換算で15重量%を越えると原料粉末
中のAgN粉末の絶対量が少なくなり、AgN焼結体本
来の特性である耐熱性、高強度性が損われるばかりか、
高熱伝導性も低下させるからである。なお、焼結手段と
して常圧焼結を採用した場合には前記希土類元素の酸化
物もしくは炭酸塩の添加量を0.1〜15重量%の範囲
とすることが望ましい。
ム(Y)、ランタン(La)、プロセオジム(Pr)、
ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ガドリウム
(Gd)、 ジスプロシウム(Dy)から選ばれる希
土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元
素換算で0.01〜15重量%を添加し、ボールミル等
を用いて粉砕、混合して原料を調整する。但し、常圧焼
結の場合は前記ボールミル等で粉砕、混合したものに更
にバインダを加え、混線、造粒、整粒を行なって原料を
調整する。ここで、AgN中に含まれる酸素量を限定し
た理由は、その量が1重量%を越えると、AgN中に固
溶される酸素量が多くなって高熱伝導性のAgN焼結体
の製造が困難となるからである。また、前記希土類元素
の酸化物もしくは炭酸塩の添加量を限定した理由はその
量を希土類元素換算で0.01重量%未未満すると焼結
性の高い緻密なA47N焼結体が得られなくなり、かと
いってその量が同換算で15重量%を越えると原料粉末
中のAgN粉末の絶対量が少なくなり、AgN焼結体本
来の特性である耐熱性、高強度性が損われるばかりか、
高熱伝導性も低下させるからである。なお、焼結手段と
して常圧焼結を採用した場合には前記希土類元素の酸化
物もしくは炭酸塩の添加量を0.1〜15重量%の範囲
とすることが望ましい。
次いで、前記バインダを含む原料を金型、静水圧又はシ
ート成形等の手段により成形した後、成形体をN2ガス
気流中にて700℃前後で加熱してバインダを除去する
。つづいて、成形体を黒鉛又は窒化アルミニウムからな
る容器にセットし、N2ガス雰囲気中にて1600〜1
850 ’Cで常圧焼結を行なう。この際、比較的低温
(1000〜1300℃)で後述するガーネット組成い
はペロブスカイト相がAgNの粒界に生成され、更に高
い1600〜1850℃でガーネット相、ペロブスカイ
ト相が融解し、その液相焼結機構によって常圧焼結がな
される。
ート成形等の手段により成形した後、成形体をN2ガス
気流中にて700℃前後で加熱してバインダを除去する
。つづいて、成形体を黒鉛又は窒化アルミニウムからな
る容器にセットし、N2ガス雰囲気中にて1600〜1
850 ’Cで常圧焼結を行なう。この際、比較的低温
(1000〜1300℃)で後述するガーネット組成い
はペロブスカイト相がAgNの粒界に生成され、更に高
い1600〜1850℃でガーネット相、ペロブスカイ
ト相が融解し、その液相焼結機構によって常圧焼結がな
される。
回路基板の場合は導体との同時焼結技術を用いても良い
し、厚膜、薄膜等の回路を形成しても良い。
し、厚膜、薄膜等の回路を形成しても良い。
一方、ホットプレス焼結の場合は前記ボールミルで粋砕
、混合して調整した原料を1600〜1800℃でホッ
トプレスを行なう。
、混合して調整した原料を1600〜1800℃でホッ
トプレスを行なう。
上述した原料の成形、焼結によりAgN焼結体を製造す
る。かかるAgN焼結体中の酸素量を量は、該酸素量を
0.O1重量%未満にすると、焼結性の高い緻密なIN
焼結体が得難く、かといってその量が20重量%を越え
ると、熱伝導性の低下を招く。
る。かかるAgN焼結体中の酸素量を量は、該酸素量を
0.O1重量%未満にすると、焼結性の高い緻密なIN
焼結体が得難く、かといってその量が20重量%を越え
ると、熱伝導性の低下を招く。
(作 用)
本発明者らは、従来法で製造された助剤が添加されたA
gN焼結体の低熱伝導性について種々検討した結果、こ
の低熱伝導性はAgN焼結中の助剤量と共に焼結性に関
与する酸素含有量に起因することを究明した、AΩN焼
結性を高めて緻密なAIIN焼結体を得るために、酸素
が含まれていることが必要であるが、酸素量が多くなる
と、高熱伝導性の阻害要因となることがわかった。
gN焼結体の低熱伝導性について種々検討した結果、こ
の低熱伝導性はAgN焼結中の助剤量と共に焼結性に関
与する酸素含有量に起因することを究明した、AΩN焼
結性を高めて緻密なAIIN焼結体を得るために、酸素
が含まれていることが必要であるが、酸素量が多くなる
と、高熱伝導性の阻害要因となることがわかった。
そこで、本発明者らは上記究明結果を踏えて更に鋭意研
究したところ、酸素を1重量%以下含むAgN粉末に特
定の希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希
土類元素換算で0.01〜15重量%添加した原料を成
形、焼結して所定の酸素を含む焼結体とすることによっ
て、熱伝導率が例えば40W/m−に以上の高熱伝導性
AfIN焼結体を製造できることを見い出した。このよ
う、本の酸素を1重量%以下とし、このA、17N粉末
に希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を発明
方法で製造されたAgN焼結体が高熱伝導性を示すのは
以下に説明する組織となることによるものと推定される
。
究したところ、酸素を1重量%以下含むAgN粉末に特
定の希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希
土類元素換算で0.01〜15重量%添加した原料を成
形、焼結して所定の酸素を含む焼結体とすることによっ
て、熱伝導率が例えば40W/m−に以上の高熱伝導性
AfIN焼結体を製造できることを見い出した。このよ
う、本の酸素を1重量%以下とし、このA、17N粉末
に希土類元素の酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を発明
方法で製造されたAgN焼結体が高熱伝導性を示すのは
以下に説明する組織となることによるものと推定される
。
所定量の酸素を含むAjlN粉末に特定の希土類元素の
酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を所定量添加した原料
を成形し、焼結すると、希土類元素がAfiN中に存在
する酸素と反応して、組成式3式% P「、Nd%Sm、Gd5Dyから選ばれる希土類元素
)の形で表わされるガーネット構造化合物相(以下、ガ
ーネット相と略す)がAgNの粒界に生成され、AIN
の結合に寄与すると共に、酸素を固定化する。しかしな
がら、酸素量が多くなると、ガーネット相として取り込
まれない酸素が存在することになり、その酸素がAΩN
粒子に固溶拡散する、絶縁体の熱伝導率は弾性波(フォ
ノン)の拡散によって支配されるが、酸素が固溶拡散し
たAfIN粒子を含むAgN焼結体ではフォノンが該固
溶拡散された領域で散乱し、結果として熱伝導性の低下
を招く。しかるに、AjllN粉末中所定量添加して、
IN焼結体中の酸素を前記ガーネット相を構成する量に
抑えて固定化し、A、17Nへの固溶拡散を阻止するこ
とによって、フォノンの散乱が少なくなり、結果的には
熱伝導性が向上される。なお、AJ7Nの粒界にはガー
ネット相とは別の組成式LnAI O3(Ln ;Y、
La。
酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を所定量添加した原料
を成形し、焼結すると、希土類元素がAfiN中に存在
する酸素と反応して、組成式3式% P「、Nd%Sm、Gd5Dyから選ばれる希土類元素
)の形で表わされるガーネット構造化合物相(以下、ガ
ーネット相と略す)がAgNの粒界に生成され、AIN
の結合に寄与すると共に、酸素を固定化する。しかしな
がら、酸素量が多くなると、ガーネット相として取り込
まれない酸素が存在することになり、その酸素がAΩN
粒子に固溶拡散する、絶縁体の熱伝導率は弾性波(フォ
ノン)の拡散によって支配されるが、酸素が固溶拡散し
たAfIN粒子を含むAgN焼結体ではフォノンが該固
溶拡散された領域で散乱し、結果として熱伝導性の低下
を招く。しかるに、AjllN粉末中所定量添加して、
IN焼結体中の酸素を前記ガーネット相を構成する量に
抑えて固定化し、A、17Nへの固溶拡散を阻止するこ
とによって、フォノンの散乱が少なくなり、結果的には
熱伝導性が向上される。なお、AJ7Nの粒界にはガー
ネット相とは別の組成式LnAI O3(Ln ;Y、
La。
P r s N d SS m SG d s D y
から選ばれる希土類元素)の形で表わされるペロブスカ
イト構造化合物相(以下、ペロブスカイト相と略す)が
生成される場合もあり、この場合も全く同様な作用効果
を示す。
から選ばれる希土類元素)の形で表わされるペロブスカ
イト構造化合物相(以下、ペロブスカイト相と略す)が
生成される場合もあり、この場合も全く同様な作用効果
を示す。
(発明の実施例)
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
実施例1
まず、酸素を1重量%含有するAl7N粉末(平均粒径
1μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径1μm)を3
重量%添加し、ボールミルを用いて粋砕、混合して原料
を調整した。つづいて、この原料を直径10mmのカー
ボン型に充填し、圧力300)cg/cm 、温度1
800℃の条件で1時間ホットプレスを行なってA47
N焼結体を製造した。
1μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径1μm)を3
重量%添加し、ボールミルを用いて粋砕、混合して原料
を調整した。つづいて、この原料を直径10mmのカー
ボン型に充填し、圧力300)cg/cm 、温度1
800℃の条件で1時間ホットプレスを行なってA47
N焼結体を製造した。
比較例1
酸素を3重量%含有するAgN粉末(平均粒径1μm)
そのものを原料として用いた以外、実施例1と同様な方
法によりA47N焼結体を製造した。
そのものを原料として用いた以外、実施例1と同様な方
法によりA47N焼結体を製造した。
比較例2
酸素を20重量%含有するA47N粉末(平均粒径0.
9μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径1μm)を3
重量%添加し、ボールミルを用いて粉砕、混合して原料
を調製した。次いで、この原料を用いて実施例1と同様
にポットプレスを行なってAIIN焼結体を製造した。
9μm)に酸化サマリウム粉末(平均粒径1μm)を3
重量%添加し、ボールミルを用いて粉砕、混合して原料
を調製した。次いで、この原料を用いて実施例1と同様
にポットプレスを行なってAIIN焼結体を製造した。
しかして、本実施例1及び比較例1.2で製造されたA
fiN焼結体について約3.5關の熱さに研摩した後、
レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導率を測定し
た。その結果、本実施例1のAj7N焼結体では121
W/m−にであったの対し、比較例1のiN焼結体では
35W/m−に、比較例2のAgN焼結体では32W/
m−にであった。
fiN焼結体について約3.5關の熱さに研摩した後、
レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導率を測定し
た。その結果、本実施例1のAj7N焼結体では121
W/m−にであったの対し、比較例1のiN焼結体では
35W/m−に、比較例2のAgN焼結体では32W/
m−にであった。
また、X線回折で各AgN焼結体の構成相を調べたとこ
ろ、実施例1のAgN焼結体ではAgN相及びペロブス
カイト相が、比較例1ではA47N相以外にかなりの量
の酸窒化物相が、比較例2ではAgN相及びペロブスカ
イト相以外にかなりの量の酸窒化物相が、夫々検出され
た。
ろ、実施例1のAgN焼結体ではAgN相及びペロブス
カイト相が、比較例1ではA47N相以外にかなりの量
の酸窒化物相が、比較例2ではAgN相及びペロブスカ
イト相以外にかなりの量の酸窒化物相が、夫々検出され
た。
実施例2
酸化サマリウム粉末の代わりに酸化ガドリニウム粉末を
用いた以外、実施例1と同様に原料を調製し、これをホ
ットプレスすることによりAgN焼結体を製造した。
用いた以外、実施例1と同様に原料を調製し、これをホ
ットプレスすることによりAgN焼結体を製造した。
製造されたAgN焼結体を約3.5mmの厚さに研摩し
た後、レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導率を
測定したところ、123W/m−にと極めて高い熱伝導
性を示した。また、X線回折でAgN焼結体の組織を調
べたところ、AgN柑、ガーネット相が検出された。
た後、レーザフラッシュ法によって室温での熱伝導率を
測定したところ、123W/m−にと極めて高い熱伝導
性を示した。また、X線回折でAgN焼結体の組織を調
べたところ、AgN柑、ガーネット相が検出された。
実施例3〜9
下記第1表に示す酸素含有量の異なるAgN粉末(平均
粒径0.9μm)に酸化イツトリウム(Y2O3)粉末
を同第1表に示す割合で添加し、ボールミルを用いて1
0時時間式粉砕、混合して重量が200gの混合粉末と
した後、これら混合粉末にパラフィンを夫々7重量%添
加し、造粒して7種の原料を調製した。つづいて、これ
ら原料を300kg/cm2の圧力で冷開成形して37
cmx37cmX6CInの寸法の板状体とした、次い
で、これら板状体を窒素ガス雰囲気で600℃まで加熱
し、10時間保持して脱脂した後、窒化アルミニウム容
器中にセットし、窒素ガス雰囲気化にて1800℃、2
時間常圧焼結して7種のAfIN焼結体を製造した。
粒径0.9μm)に酸化イツトリウム(Y2O3)粉末
を同第1表に示す割合で添加し、ボールミルを用いて1
0時時間式粉砕、混合して重量が200gの混合粉末と
した後、これら混合粉末にパラフィンを夫々7重量%添
加し、造粒して7種の原料を調製した。つづいて、これ
ら原料を300kg/cm2の圧力で冷開成形して37
cmx37cmX6CInの寸法の板状体とした、次い
で、これら板状体を窒素ガス雰囲気で600℃まで加熱
し、10時間保持して脱脂した後、窒化アルミニウム容
器中にセットし、窒素ガス雰囲気化にて1800℃、2
時間常圧焼結して7種のAfIN焼結体を製造した。
製造された各AgN焼結体の密度、並びに実施例1と同
様なレーザフラッシュ法による室温での熱伝導率を調べ
た。その結果を同第1表に併記した。なお、第1表には
比較例3として酸化イツトリウムを添加しないAjlN
粉末(酸素含有量1重量%)にパラフィンを7重量%添
加し、造粒した原料を用いた以外、実施例3〜9と同様
な方法により製造したAgN焼結体の密度、熱伝導率を
併記した。
様なレーザフラッシュ法による室温での熱伝導率を調べ
た。その結果を同第1表に併記した。なお、第1表には
比較例3として酸化イツトリウムを添加しないAjlN
粉末(酸素含有量1重量%)にパラフィンを7重量%添
加し、造粒した原料を用いた以外、実施例3〜9と同様
な方法により製造したAgN焼結体の密度、熱伝導率を
併記した。
第 1 表
上記第1表から明らかなように本実施例3〜9のAfi
N焼結体は高密度でかつ高熱伝導性を有することがわか
る。
N焼結体は高密度でかつ高熱伝導性を有することがわか
る。
また、本実施例3〜9のAIIN焼結体についてX線回
折により組織を調べたところ、いずれもAの放熱板に有
効な高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を製造し得る方
法を提供できる。
折により組織を調べたところ、いずれもAの放熱板に有
効な高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を製造し得る方
法を提供できる。
AgN相、ガーネット相、ペロブスカイト相及び僅かな
酸窒化物相が検出されたが、Y2O3の添加量の多いA
gN焼結体はど酸窒化物相が減少して、ガーネット相が
増大していた。
酸窒化物相が検出されたが、Y2O3の添加量の多いA
gN焼結体はど酸窒化物相が減少して、ガーネット相が
増大していた。
実磯例10〜15
酸素を1重量%含有するA47N粉末(平均粒径1μm
)に平均粒径が1 u m G d 20 s粉末、D
y 203粉末、La2O3粉末、P r 203粉
末、Nd2O3粉末及びSm2O3粉末を夫々3重量%
添加し、ボールミルを用いて10時時間式粉砕、混合し
て混合粉末とした後、これら混合粉末にパラフィンを夫
々7重量%添加し、造粒して調製した6種の原料を用い
た以外、実施例3〜9と同様な方法によりAj7N焼結
体を製造した。
)に平均粒径が1 u m G d 20 s粉末、D
y 203粉末、La2O3粉末、P r 203粉
末、Nd2O3粉末及びSm2O3粉末を夫々3重量%
添加し、ボールミルを用いて10時時間式粉砕、混合し
て混合粉末とした後、これら混合粉末にパラフィンを夫
々7重量%添加し、造粒して調製した6種の原料を用い
た以外、実施例3〜9と同様な方法によりAj7N焼結
体を製造した。
製造された各AgN焼結体は、3.29kg/cm2以
上の密度を有し、かつ80W/m−に以上の熱伝導率を
示した。
上の密度を有し、かつ80W/m−に以上の熱伝導率を
示した。
以上詳述した如く、本発明によれば高密度で熱伝導率が
40W/m−に以上を示し、半導体装置の放熱板に有効
な高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得ることができ
る。
40W/m−に以上を示し、半導体装置の放熱板に有効
な高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得ることができ
る。
Claims (2)
- (1)半導体装置用放熱板として酸素を1重量%以下含
む窒化アルミニウムを主成分とし、これにイットリウム
、ランタン、プラセオジム、ネオジウム、サマリウム、
ガドリウム、ジスプロシウムから選ばれる希土類元素の
酸化物もしくは炭酸塩の1種以上を希土類元素換算で0
.01〜15重量%添加した原料を成形、焼結して得ら
れた窒化アルミニウム焼結体を用いることを特徴とする
半導体装置用放熱板の製造方法。 - (2)製造された窒化アルミニウム焼結体は密度が理論
密度の90%以上で、室温における熱伝導率が40W/
m・kである特許請求の範囲第1項記載の半導体装置用
放熱板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192514A JPH0280372A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192514A JPH0280372A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58233938A Division JPS60127267A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6282425A Division JP2901135B2 (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0280372A true JPH0280372A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16292552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1192514A Pending JPH0280372A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 半導体装置用放熱板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0280372A (ja) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1192514A patent/JPH0280372A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE=1977 * |
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