JPS61183174A - 窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、高密度化と高熱伝導化用助剤を改良した窒化
アルミニウム焼結体に関するものである。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

窒化アルミニウム（ＡｔＮ）は、常温から高温までの強
度が高く（焼結体の曲げ強さは通常４０ｋｌｉｌ／■２
以上）、化学的耐性にも優れているため５、るつぼ等の
耐熱材料として用いられる一方、その高熱伝熱性、高電
気絶縁性を利用して半導体装置の放熱板材料としても有
望視されている。

こうしたＡｔＮは、通常、融点を持たず、２７８９°に
以上の高温で分解するため、薄膜などの用途を除いては
、焼結体として用いられている。

またＡｔＮ焼結体の製造方法としては、ホットプレス法
と常温焼結法がある。ホットプレス法は、ＡｔＮ単独ま
たは助剤が添加されたＡｔＮを用いて、高温高圧にて焼
結する方法である。また常圧焼結法は、高密度化の目的
でアルカリ土類金属酸化物や希土類酸化物などの化合物
を焼結助剤として添加することが多い。

しかしながら、前者のホットプレス法では、複雑な形状
の焼結体の製造が難しく、しかも生産性が低い上、高コ
ストになるという問題がある。一方、後者の常圧焼結法
では、ホットプレス法のような問題を解消できるものの
、得られたＡｔＮ焼結体の熱伝導率はＡｔＨの理論熱伝
導率が３２０Ｗ／ｍ−にであるのに対し、３０〜６０Ｗ
／ｍ−にと低い。またホットプレス法による場合の熱伝
導率は、助剤を含まないときで４０ｗ／ｍ−に以下であ
り、助剤を添加したときは３０〜６０Ｗ／ｍ−にと極め
て低いのが問題であった。

〔発明の目的〕

本発明は、熱伝導率を大幅に向上させると共に、高密度
化を図った窒化アルミニウム焼結体を提供するものであ
る。

〔発明の概要〕

本発明者等は、各種助剤を添加したＡｔＮ焼結体の焼結
性および熱伝導率について、種々研究を行った結果、希
土類の窒化物が高密度化と、高熱伝導率化助剤として極
めて有効であることを見い出したものである。

即ち本発明はＡｔＮを主成分とし、これに希土類の窒化
物を少なくとも１種以上、重量％で０．０１〜２０チ添
加して焼結したことを特徴とするものである。

なお本発明において希土類の窒化物としては、例えばＹ
Ｎ＋ＬａＮ、ＣｅＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮ＋ＳｍＮｅＥｕＮ
、ＧｄＮ、ＴｂＮ＋ＤｙＮ　ｅ　ＨｏＮ　＊　ＫｒＮ＃
　Ｔ！ｒＩＮｒ　ＹｂＮ　ｒ　ＬｕＮなどが挙られるが
、このうち藷が最も有効である。

このような希土類の窒化物が、高密度化と高熱伝導率化
の効果を有することは、これまで全く知られておらずそ
のメカニズムに関しては、現在、まだ不明の点が多い。

本発明者等がＸ線回析により焼結体の構成相を調査した
ところ、明らかに酸化物を助剤として用いた場合と異な
っていることが判明した。

例えば希土類としてＹ（イツトリウム）の窒化物晋と、
酸化物ｙ２ｏ、とを各々添加した焼結体の構成相を調査
したところ、藷ではＹ２Ｏ３の場合と異なる未知相が検
出された。

しかしながら、熱伝導率の相違が上記構成相の差に起因
するものであるか否かは、必ずしも明らかではない。

なおＡｔＮは合成過程や粉砕過程などで酸素が混入しや
すいが、本発明においては、不純物酸素量が２０重量％
以下であれば何ら発明の効果を妨げるものではない。

また本発明において希土類窒化物を０．０１〜２０重量
％としたが、上記範囲に限定した理由は、その量が０．
０１重量％未満では所定の効果が得られず、またその量
が２０重量％を超えると、耐熱性、高強度性が損なわれ
るばかりか熱伝導性も低下するので、上記範囲が望まし
い。

次に本発明のＡｔＮ焼結体を得るための一製造方法を説
明する。

先ず、ＡｔＮ粉末に所定量の希土類窒化物を添加し、ゾ
ールミル等を用いて混合した後、常圧焼結の場合には、
バインダーを加え、混練、造粒、整粒を行なった後、金
型、静水圧プレス、あるいはシート成形により、所望の
形状に成形を行なう。

次いで、成形体をＮ２ガス気流中で７００℃前後で加熱
してバインダーを除去する。この後、成形体を黒鉛また
は窒化アルミニウムの容器にセットし、Ｎ２ガス雰囲気
中にて１６００〜１９００℃で常圧焼結を行なう。

一方、ホットプレス焼結の場合には、前記ゾールミル等
で混合した原料を１６００〜１８００℃でホットプレス
して焼結体を製造する。

〔発明の実施例〕

次に本発明の実施例について説明する。

（実施例１） 先ず、平均粒径１μｍのＡｔＮ粉末に、同じく平均粒径
１μｍの耐粉末３重量％を添加し、ボールミルを用いて
粉砕・混合を行なって原料を調製した。この場合、晋は
空気中の水分と反応して容易に加水分解し、アンモニア
を発生してＹ２Ｏ３に変化するので藷の粉砕・混合など
の作業は全て％　Ｎ２　＊　Ａｒなどの不活性ガスで満
たされたドライデックス内で行なった。

次に、この原料を、直径１１０１１ＩＩのカーボン型に
充填し、圧力４００ｋｇ／ｚ３、温度１８００℃の条件
で１時間ホットプレスを行なってＡｔＮ焼結体を製造し
た。

このようにして得られたＡ／＝Ｎ焼結体を夫々約３．５
簡の厚さに研摩した後、レーザフラッシュ法によって室
温での熱伝導率を測定し、その結果を第１表に示した。

（比較例１） 上記実施例１で用いたＡｔＮ粉末のみを、実施例１と同
様の方法によシホットゾレスしてＡＡＮ焼結体を製造し
た。

このＡｔＮ焼結体についても実施例１と同様に熱伝導率
を測定し、その結果を第１表に併記した。

（比較例２） 実施例１で用い九ｋＬＮ粉末に、助剤としてＹ２Ｏ５を
３重量％添加し、同様の方法によりホットプレスしてＡ
ｔＮ焼結体を製造した。

このＡｔＮ焼結体についても、実施例１と同様に熱伝導
率を測定し、その結果を第１表に示したＯ 第１表 なお、Ｘ線回析で焼結体の構成相を調査したところ、実
施例１の焼結体ではＡｔＮ相と、上述した未知相が検出
されたのに対し、比較例２の焼結体ではｋｔＮ相以外に
、熱伝導率の極めて低い酸窒化物相が点在して検出され
た。

（実施例２） 実施例１で用いたＡｔＮ粉末にＹＮ３重量％を添加し、
ゾールミルを用いて粉砕・混合した。次いで、これらの
混合原料に夫々パラフィンを７重量％添加し、造粒した
後、３００．に９／ｃｒｎ５の圧力でプレス成形してａ
ｏｘ３ｏｘｓｗの圧粉体とした。次いでこれを窒素ガス
雰囲気で最高７００℃まで加熱してパラフィンを除去し
た。

次にカーボン塵中にセットし、窒素ガス雰囲気下で１８
００℃、２時間加熱して常圧焼結した。

得られたＡｔＮ焼結体を夫々約３．５　ｔｍの厚さに研
摩した後、レーデフラッシュ法によって熱伝導率を測定
し、また密度も測定して、その結果を第２表に示した。

（比較例３） 実施例２で用いたＡｔＮ粉末のみを用いて、実施例２と
同様の方法によシ常圧焼結してＡｔＮ焼結体を製造した
。

このＡｔＮ焼結体についても実施例２と同様に、熱伝導
率と、密度を測定し、その結果を第２表に併記した・ （比較例４） 実施例２で用いたＡｔＮ粉末に、助剤としてＹ２Ｏ３ｔ
　３重量％添加し、同様の方法により常圧焼結してＡｔ
Ｎ焼結体を製造した。

このＡｔＮ焼結体についても、実施例２と同様に熱伝導
率と、密度を測定し、その結果を第２表に併記した。

第２表 （実施例３） 実施例１で用い九ＡｔＮ粉末に、葛を各々０．１゜０．
５，１．５，１０．２０重量％添加した各混合粉から、
実施例１と同様な方法によりホットプレスして、６個の
ＡｔＮ焼結体を製造した。

また上記組成の各混合物から実施例２と同様の方法によ
シ、常圧焼結して６個のＡｔＮ焼結体を製造した。

得られた各ＡｔＮ焼結体について、上記実施例と同様に
熱伝導率と密度を測定し、その結果を第３表に示した。

（実施例４） 実施例２と同様な方法で、耐の代りに各々異なる希土類
の窒化物を助剤として３重量％ずつ添加して、常圧焼結
により　ＡｔＮ焼結体を製造した。

なお、この場合１．希土類の窒化物は、容易に加水分解
するので、その取扱いは全て、不活性ガスを満したドラ
イデックス内で行なった。

このようにして得られた各焼結体の熱伝導率と密度を測
定し、その結果を第４表に示した。

第４表 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明によれば、希土類の窒化物を
助剤として添加することにより、熱伝導率を大幅に向上
させると共に、高密度化を図り、特に半導体装置の放熱
基板等に有効な窒化アルミニウム焼結体を得ることがで
きる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）窒化アルミニウムを主成分とし、これに希土類の
   窒化物を少なくとも１種以上、重量％で０．０１〜２０
   ％添加して焼結したことを特徴とする窒化アルミニウム
   焼結体。
2. （２）窒化アルミニウムの不純物酸素量が重量％で２０
   ％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の窒化アルミニウム焼結体。
3. （３）希土類の窒化物が窒化イットリウム（ＹＮ）であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の窒化ア
   ルミニウム焼結体。